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Electrnica:

Anlisis de circuitos con diodos semiconductores


Indice
1. Teora de semiconductores
2. Diodos semiconductores
3. Fsica de los diodos en estado slido
4. Rectificacin
. Demodulacin
!. Dise"o de una fuente de #oder usando un circuito inte$rado
%. Ti#os alternos de diodos
1. Teora de semiconductores
Los electrones de la capa ms externa se conocen como electrones de valencia.
Cuando elementos muy puros, como el silicio y el germanio, se enfran desde el
estado lquido, sus tomos se colocan en patrones ordenados que se llaman cristales.
Los electrones de valencia determinan la forma caracterstica o estructura reticular del
cristal resultante.
Los tomos de silicio y germanio tienen cuatro electrones de valencia cada uno.
Aunque los electrones de valencia son retenidos con fuerza en la estructura cristalina,
pueden romper sus enlaces y, por tanto, moverse en forma de conduccin. Esto
sucede si se proporciona suficiente energa externa por e!emplo, en forma de luz o
calor". #e$ido a la interaccin entre tomos en un cristal, es posi$le que los electrones
de valencia posean niveles de fuente de energa dentro de un intervalo de valores. As
como existe un intervalo o $anda de fuente de energas para los electrones de
valencia, %ay otro intervalo de valores de fuente de energa para los electrones li$res,
es decir, aquellos que rompen el enlace y forman un canal de conduccin.
Conduccin en los materiales.
En la figura &.' se presentan tres diagramas de niveles de fuente de energa. En la
figura &.' a" las $andas de fuente de energa se encuentran muy separadas. La regin
sin som$rear representa una $anda pro%i$ida de niveles de fuente de energa en el
cual no se encuentran electrones. Cuando esta $anda es relativamente grande, como
se muestra en la figura, el resultado es un aislante.
(i la $anda es ms o menos peque)a del orden de un electrn volt e*", la cantidad
de energa cin+tica que aumenta un electrn cuando cae a trav+s de un potencial de &
* o &., x &-
.&/
0", el resultado es un semiconductor.
La fuente de energa necesaria para romper un enlace covalente es funcin del
espaciamiento atmico en el cristal. Cuanto ms peque)o sea el tomo, ms peque)o
ser el espaciamiento y mayor la fuente de energa necesaria para romper los enlaces
covalentes. El conductor, o metal, se tiene cuando las $andas se traslapan, como se
muestra en de la figura &.' c". El conductor permite que se muevan las cargas
el+ctricas cuando existe una diferencia de potencial a trav+s del material. En un
conductor, no existen $arrera alguna entre la fuente de energa de electrn de valencia
y la del electrn de conduccin. Esto significa que un electrn de valencia particular no
est asociado fuertemente a su propio n1cleo. 2or tanto, es li$re de moverse a trav+s
de la estructura. Este movimiento de electrones, generalmente como respuesta a la
aplicacin de un potencial, es la conduccin.
3igura &.'
Conduccin en materiales semiconductores
En los tomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen !untos con suficiente
fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad dentro del tomo,
mientras que los electrones de valencia son parte del enlace covalente4 no pueden
desprenderse sin reci$ir una considera$le cantidad de energa. En calor y otras fuentes
de energa provocan que los electrones en la $anda de valencia rompan sus enlaces
covalentes y se conviertan en electrones li$res en la $anda de conduccin. 2or cada
electrn que de!a la $anda de valencia, se forma un 5 %ueco 5. 6n electrn cercano a la
$anda de valencia puede moverse y llenar el %ueco, creando otro, prcticamente sin
intercam$io de energa. La conduccin provocada por los electrones en la $anda de
conduccin es diferente de la conduccin de$ida a los %uecos de!ados en la $anda de
valencia. En semiconductores puros, existen tantos %uecos como electrones li$res.

La fuente de energa t+rmica interna aumenta la actividad de los electrones7 por tanto,
saca a los electrones de valencia de la influencia del enlace covalente y los dirige
%acia la $anda de conduccin. #e esta forma, existe un n1mero limitado de electrones
en la $anda de conduccin $a!o la influencia del campo el+ctrico aplicado7 estos
electrones se mueven en una direccin y esta$lecen una corriente, como se muestra
en la figura &.8. El movimiento de %uecos es opuesto al de los electrones y se conoce
como corriente de %uecos. Los %uecos act1an como si fueran partculas positivas y
contri$uyen a la corriente total. Los dos m+todos mediante los cuales se pueden mover
los electrones y %uecos a trav+s de un cristal de silicio son la difusin y el
desplazamiento.
3igura &.8
9ateriales semiconductores
El tomo de germanio tiene lleno un anillo exterior ms que el tomo de silicio. Este
anillo exterior en el germanio se encuentra a una distancia mayor del n1cleo que el
anillo exterior en el silicio. 2or tanto, en el tomo de germanio se necesita una fuente
de energa menor para elevar electrones de la $anda de exterior a la $anda de
conduccin. El germanio tiene una $arrera de la fuente de energa ms peque)a para
separar sus $andas de valencia y de conduccin, por lo que se requiere una menor
cantidad de energa para cruzar las $arreras entre $andas.
(emiconductores contaminados
La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considera$le
cuando se introducen cantidades peque)as de impurezas especficas en el cristal.
Este procedimiento se llaman contaminacin. (i la sustancias contaminantes tienen
electrones li$res extra, se conoce como donador, y el semiconductor contaminado es
de tipo n. Los portadores mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son
%uecos, pues existen ms electrones que %uecos. (i la sustancia contaminante tiene
%uecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y el semiconductor contaminado es
de tipo p. Los portadores mayoritarios son %uecos y los minoritarios son electrones.
Los materiales contaminados se conocen como semiconductores extrnsecos, mientras
que las sustancias puras son materiales intrnsecos. La densidad de electrones se
denota por n y la densidad de %uecos por p. (e puede demostrar que el producto, np,
es una constante para un material dado a una temperatura dada. La densidad
intrnseca de portadores, que se denota con n
i
, esta dada por la raz cuadrada de este
producto. Entonces,
n
i
'
: np
Como estas concentraciones estn provocadas por ionizacin t+rmica, n
i
depende de
la temperatura del cristal. (e concluyen entonces que n o p, o am$os, tienen que ser
funcin de la temperatura. La concentracin de %uecos minoritarios es funcin de la
temperatura en el material contaminado de tipo n y la densidad de electrones
mayoritarios es independiente de la temperatura. En forma similar, la concentracin de
electrones minoritarios es funcin de la temperatura en los materiales de tipo p,
mientras que la densidad de %uecos mayoritarios es independiente de la temperatura.
La resistencia de un semiconductor se conoce como resistencia de $loque. 6n
semiconductor ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de $loque.
2. Diodos semiconductores
El diodo ideal es un dispositivo lineal con caractersticas de corriente contra tensin,
como la mostrada en la figura &./$". Esta caracterstica se conoce como lineal a
segmentos, ya que la curva se construye con segmentos de rectas, si se intenta
colocar una tensin positiva o directa" a trav+s del diodo, no se tienen +xito y la
tensin se limita a cero. La pendiente de la curva est infinita. 2or tanto, $a!o esta
condicin la resistencia es cero y el diodo se comporta como un cortocircuito. (i se
colocan una tensin negativa o inversa" a trav+s del diodo, la corriente es cero y la
pendiente de la curva tam$i+n es cero. 2or tanto, del diodo se comporta a%ora como
una resistencia infinita, o circuito a$ierto.
3igura &./
Construccin del diodo
En la figura &.&- se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados !untos para
formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de construccin del diodo. El
modelo ignora los cam$ios graduales en la concentracin de impurezas en el material.
Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en
la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres7
germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio %a reemplazado al
germanio en los diodos de$ido a su mayor $arrera de energa que permiten la
operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son muc%o menores. El
arsenurio de galio es particularmente 1til en aplicaciones de alta frecuencia y
microondas. La distancia precisa en el que se produce el cam$io de material de tipo p
a tipo n en el cristal vara con la t+cnica de fa$ricacin. La caracterstica esencial de la
unin pn es que el cam$io en la concentracin de impurezas se de$e producir en una
distancia relativamente corta. #e otra manera, la unin no se comporta como un diodo.
C a$ran una regin des+rtica en la vecindad de la unin, como se muestra en la figura
&.&& a". Este fenmeno se de$e a la com$inacn de %uecos y electrones donde se
unen los materiales. La regin des+rtica tendr muy pocos portadores.
(in em$argo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de
%uecos y electrones a trav+s de la unin se suman para formar la corriente de difusin,
;
#
. La direccin de esta corriente es del lado p al lado n. Adems de la corriente de
difusin existe otra corriente de$ido al desplazamiento de portadores minoritarios a
trav+s de la unin, y se conoce como ;
(
.
(i a%ora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material n,
como se muestra en la figura &.&& $", se dice que el diodo est polarizado en directo,
por otra parte, si la tensin se aplican como en la figura &.&& c", el diodo se polariza en
inverso.
3iguras &.&- y &.&&
<peracin se del diodo
El la figura &.&' se ilustran las caractersticas de operacin de un diodo prctico. Esta
curva difiere de la caracterstica ideal de la figura &./ $" en los siguientes puntos4
conforme la tensin en directo aumenta ms all de cero, la corriente no fluye de
inmediato. Es necesaria una tensin mnima, denotada por *
,
para o$tener una
corriente significativa. Conforme la tensin tiende a exceder *

la corriente aumenta
con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es grande pero no infinita, como en
el caso del diodo ideal. La tensin mnima necesaria para o$tener una corriente
significativa, *

, es aproximadamente -.= * para semiconductores de silicio a


temperatura am$iente" y -.' * para semiconductores de germanio. La diferencia de
tensin para el silicio y el germanio radica en la estructura atmica de los materiales.
2ara diodos de arsenurio de galio, *

es ms o menos &.' *.

Cuando el diodo est polarizado el inverso, existe una peque)a corriente de fuga, est
corriente se producen siempre que la tensin sea inferior a la requerida para romper la
unin. El da)o al diodo normal en ruptura se de$e a la avalanc%a de electrones, que
fluyen a trav+s de la unin con poco incremento en la tensin. La corriente muy grande
puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce
como la tensin de ruptura del diodo *
>?
".
3igura &.&'
9odelos de circuito equivalentes del diodo
El circuito mostrado en la figura &.&@ a" representa un modelo simplificado del diodo
de silicio $a!o condiciones de operacin en cd tanto en directo como en inverso. El
resistor ?
r
representa la resistencia en polarizacin inversa del diodo y, por lo general,
es del orden de mega%oms 9". El resistor ?
f
representa la resistencia de $loque y
contacto del diodo, y suele ser menor que 8-. Cuando se encuentra polarizado en
directo, el diodo ideal es un cortocircuito, o resistencia cero. La resistencia de circuito
del diodo practic modelado en la figura &.&@ a" es
?
r
?
f
?
f
>a!o condiciones de polarizacin en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita
circuito a$ierto", y la resistencia de circuito del modelo prctico es ?
r
. Los modelos de
circuito en ca son ms comple!os de$ido a que la operacin del diodo depende de la
frecuencia.

3. Fsica de los diodos en estado slido
#istri$ucin de carga
Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n !untos en un cristal, se producen una
redistri$ucin de carga. Algunos de los electrones li$res del material n migran a trav+s
de la unin y se com$inan con %uecos li$res en el material p. #e la misma forma,
algunos de los %uecos li$res de material p se mueven a trav+s de la unin y se
com$inan con electrones li$res en el material n. Como resultado de esta redistri$ucin
de carga, el material p adquiere la carga negativa neta y el material n o$tiene una
carga positiva neta. Estas cargas crean un campo el+ctrico y una diferencia de
potencial entre los dos tipos de material que in%i$e cualquier otro movimiento de carga.
El resultado es una reduccin en el n1mero de portadores de corriente cerca de la
unin. Esto sucede en un rea conocida como regin des+rtica. Estamp el+ctrico
resultante proporciona una $arrera de potencial, o colina, en una direccin que in%i$e
la migracin de portadores a trav+s de la unin.

?elacin entre la corriente y la tensin en un diodo
Existe una relacin exponencial entre la corriente del diodo y en potencial aplicado. La
relacin se descri$e por medio de la ecuacin &.&".
1
]
1


,
_

1 exp
0
nkT
qv
I i
D
D
Los t+rminos de la ecuacin &.&" se definen como sigue4
;
#
: corriente en el diodo
v
#
: diferencia de potencial a trav+s del diodo
;
-
: corriente de fuga
q : carga del electrn4 &., x &-
A&/
coulom$s
B : constante de >oltzman &.@C x &-
A'@
0DB
E : temperatura a$soluta en grados Belvin
n : constante emprica entre & y '
La ecuacin &.&" se puede simplificar definiendo
Esto da
&.'"
(i se opera a temperatura am$iente '8c" y solo en la regin de polarizacin en
directo, entonces predomina el primer termino en el parentesis y la corriente est dada
aproximadamente por
&.@"
La corriente desaturacin inversa, ;
-
, es funcin de la pureza del material, de la
com$inacin y de la geometra del diodo. La constante emprica, n, es un n1mero
propiedad de la construccin del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de
trensin y de corriente.
Aunque las curvas para la regin en directo mostrados en la figura &.&8 recuerdan una
lnea recta, se sa$e que la lnea no es recta, ya que sigue una relacin exponencial,
esto significa que la pendiente de la lnea se modifica conforme cam$ia i
#
. (e puede
diferenciar la expresin de la ecuacin &." para encontrar la pendiente en cualquier i
#

dada4
&.F"
3igura &.&8
aunque se sa$e que r
d
cam$ia cuando cam$ian i
#
, se puede suponer fi!a para un
intervalo de operacin especfico.
Efectos de la temperatura
La temperatura tiene un papel importante en la determinacin de las caractersticas
operacionales de los diodos. Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensin
de encendido *

. 2or otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento


en *

. Esto se ilustra en la figura &.&,. Aqu *

varia linealmente con la temperatura de


acuerdo con la siguiente ecuacin se supone que la corriente del diodo, i
#
, se
mantiene constante"4
donde4
E
-
: temperatura am$iente
E
&
: temperatura del diodo
*

E
-
" : tension del diodo a temperatura am$iente
*

E
&
" : tension del diodo a la nueva temperatura
B : coeficiente de temperatura en *Dc
3igura &.&,
Lneas de carga del diodo
Como El diodo es un dispositivo no lineal, se de$en modificar las t+cnicas estndar de
anlisis de circuitos. Go se pueden escri$ir ecuaciones simples y resolver para las
varia$les, ya que las ecuaciones slo son vlidas dentro de una regin particular de
operacin. En la figura &. ?esienten a" se ilustra un circuito con un todo, un capacitor,
una fuente y dos resistor se. (i se denomina a la corriente y a la tensin del diodo
como las dos incgnitas del circuito, se necesitan dos ecuaciones independientes que
incluyan estas dos incgnitas para encontrar una solucin emitan para el punto de
operacin. 6na vez las ecuaciones es la restriccin proporcionada por los elementos
conectados al diodo pronto la segunda es la relacin real entre corriente y tensin para
el diodo. Estas dos ecuaciones se de$en resolver simultneamente para determinar la
tensin y la corriente en el diodo. Esta solucin simultnea se puede llevar a ca$o en
forma grfica.
(i en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensin se vuelve
simplemente *
s
, y el capacitor es un circuito a$ierto es decir, la impedancia del
capacitor es infinita a frecuencia cero". 2or tanto, la ecuacin del caso se puede
escri$ir como
&.,"
Hsta es la primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensin del diodo.
Es necesario com$inarla con la caracterstica del diodo y resolver para el punto de
operacin. La grfica de esta ecuacin se muestra en la figura &.&= $" y se etiqueta
como 5 lnea de carga en cd 5. La grfica de la caracterstica del diodo tam$i+n se
muestra en el mismo con!unto de e!es. La interseccin de las dos grficas da la
solucin simultnea de las ecuaciones y se etiqueta como 5. I 5 en la figura. Este es el
punto en el cual opera el circuito con las entradas varia$les iguales a cero. La I
quiescent" denota condicin de reposo.
(i a%ora se aplica una se)al en el tiempo adems de la entrada de sede, cam$ia una
de las dos ecuaciones simultneas. (i se supone que la entrada varia$le es de una
frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacin del capacitor como
un cortocircuito, la nueva ecuacin est dada por &.="4
3igura &.&=
&.="
#e los muc%os parmetros, slo se %an considerado los componentes varia$les en el
tiempo. Entonces, en valor total de los parmetros est dado por
y la ecuacin &.=" se vuelve
Esta 1ltima ecuacin se etiqueta como 5 lnea de carga en ca 5 en la figura &.&= $". La
lnea de carga en ca de$e pasar a trav+s del punto I, ya que en los momentos en que
la parte varia$le se %ace cero, las dos condiciones de operacin cd y ca" de$en
coincidir. 2or tanto, la lnea de carga en ca se determina de manera 1nica.
Capacidad de mane!o de potencia
Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de mane!o de corriente. Las
caractersticas se determinan por la construccin fsica del diodo por e!emplo, el
tama)o de la unin, el tipo de empaque y el tama)o del diodo". Las especificaciones
del fa$ricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para
ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifican
por su capacidad de paso de corriente.
La potencia instantnea disipada por un diodo se define por medio de la expresin de
la ecuacin &.C"4
D D D
i v p
Capacitancia del diodo
El circuito equivalente del diodo incluyen un peque)o capacitor. El tama)o de este
capacitor depende de la magnitud y moralidad de la tensin aplica$a al diodo. As
como de las caractersticas de la unin formada durante la fa$ricacin.
En diodo polarizado en inverso act1a como un capacitor cuya capacitancia varia en
razn inversa a la raz cuadrada de la tensin a claves del material semiconductor. La
capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 8 p3. Est
capacitancia puede llegar a ser tan grande como 8-- p3 en diodos de alta corriente
$a!a velocidad".

4. Rectificacin
?ectificacin de media onda
Como el diodo ideal puede mantener el flu!o de corriente en una sola direccin, se
puede utilizar para cam$iar una se)al de ca en una de cd.
En la figura &.'- se ilustra un circuito rectificador de media onda simple. Cuando la
tensin de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se puede reemplazar
por un cortocircuito suponiendo que sea ideal". (i la tensin de entrada es negativa, el
diodo se polariza en inverso y se puede reemplazar por un circuito a$ierto siempre
que la tensin no sea muy negativa como para romper la unin". 2or otra parte, cuando
el diodo se polariza en directo, la tensin de salida a trav+s del resistor de carga se
puede encontrar a partir de la relacin de un divisor de tensin. 2or otra parte, en
condicin de polarizacin inversa, la corriente es cero, de manera que la tensin de
salida tam$i+n es cero.
3igura &.'-
?ectificacin de onda completa
6n rectificador de onda completa transfiere energa de la entrada a la salida durante
todo el ciclo y proporciona mayor corriente promedio por cada ciclo en relacin con la
que se o$tiene utilizando un rectificador de media onda. 2or lo general, al construir un
rectificador de onda completa se utiliza un transformador con el fin de o$tener
polaridades positivas y negativas. En la figura &.'& se muestran un circuito
representativo y la curva de la tensin de salida.
El promedio de una funcin peridica se define como la integral de la funcin so$re el
periodo dividida por el periodo. Es igual al primer t+rmino del desarrollo de la funcin
en series de 3ourier. El rectificador de onda completa produce el do$le de corriente
promedio en relacin con el rectificador de media onda. El puente rectificador de la
figura &.'' realiza la rectificacin de onda completa. Cuando la fuente de tensin es
positiva, los diodos & y F conducen y los diodos ' y @ son circuitos a$iertos. Cuando la
fuente de tensin se vuelve negativa, se invierte la situacin y los diodos ' y @
conducen. Esto se indica en la figura &.'@.
3iguras &.'&, &.'' y &.'@
3iltrado
Los circuitos rectificadores de la seccin anterior proporcionan una tensin en cd
pulsante en la tensin de salida. Estas pulsaciones conocidas como rizo de salida se
pueden reducir considera$lemente filtrando la tensin de salida del rectificador. El tipo
de filtro ms com1n emplea un solo capacitor.
. Demodulacin
La modulacin en amplitud A9" es un m+todo para trasladar una se)al de $a!a
frecuencia a una frecuencia superior para su transmisin a trav+s de un canal. La
forma de onda de A9 se caracteriza por la siguiente ecuacin4
3igura &.'=
La demodulacin, tam$i+n conocida como deteccin, es el proceso de comenzar con la
forma de onda modulada de la figura &.'= a" y procesarla de manera que se o$tenga
la se)al de audio, o la envolvente de la grfica. Este proceso no es muy diferente del
de rectificacin, excepto porque en el caso de la rectificacin la se)al con la que se
empieza es una sinusoide de amplitud constante. Esto es, la rectificacin se puede
considerar un caso especial de la demodulacin, donde ft" es Luna constante. (i se
construye un rectificador pero se permite que la salida vare con tanta rapidez como
varia ft" se a$ra construido un de moderador.
El circuito de la figura &.'= $" realiza la rectificacin de media onda so$re la entrada y
produce la se)al de salida, como se muestra. (i a%ora se coloca un capacitor en
paralelo con el resistor, el efecto es proporcionar un decaimiento exponencial entre
pulsos, como se %izo en la figura &.'8, que muestra la salida de un filtro rectificador.
2or tanto, con una adecuada eleccin de parmetros, la salida del circuito de la figura
&.'=c" es aproximadamente igual a la se)al de audio.
La constante de tiempo del circuito el producto de la resistencia y la capacitancia" se
de$e elegir con cuidado para no distorsionada la se)al modulante audio".
#iodos zener
El diodo zener es un dispositivo donde la contaminacin se realiza de tal forma que la
tensin caracterstica de ruptura o avalanc%a, *z, es muy pronunciada. (i La tensin
en inverso excede la tensin de ruptura, el diodo normalmente no se destruye. Esto
siempre que la corriente no exceda un mximo predeterminado y el dispositivo no se
so$recaliente. Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces
covalentes. La utilizacin de un campo el+ctrico $astante fuerte en la unin puede
provocar la ruptura directa del enlace. (i el campo el+ctrico e!erce una fuerza intensa
en un electrn de enlace, el electrn se extrae del enlace covalente provocando la
multiplicacin de pares electrnA%ueco. Este mecanismo de ruptura se llama ruptura
zener. El valor de la tensin inversa al cual se produce este fenmeno se controla con
la cantidad de contaminante en el diodo. 6n diodo fuertemente contaminada tiene $a!a
tensin de ruptura zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una tensin
de ruptura zener elevada.
La caracterstica de un diodo zener tpico se muestra en la figura &.'C. El sm$olo de
circuito para el diodo zener es diferente del de un diodo regular y se ilustra en la figura
&.'C.
?egulador zener
(e puede utilizar un diodo zener como regulador de tensin en la configuracin
mostrada en la figura &.'/. En la figura se ilustra una carga cuya resistencia puede
variar so$re un intervalo particular. Est+ circuito se dise)a de tal forma que el diodo
opere en la regin de ruptura, aproximndose as a una fuente ideal de tensin. La
tensin de salida permanece relativamente constante a1n cuando la tensin de la
fuente de entrada vare so$re un intervalo ms o menos amplio. Es importante conocer
el intervalo de la tensin de entrada y de la corriente de carga para dise)ar este circuito
de manera apropiada. La resistencia, ?i, qued+ ser tal que el diodo permanezca en el
modo de tensin constante so$re el intervalo completo de varia$les.
3igura &.'C y &.'/
2ara asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante ruptura", se
examinan los dos extremos de las condiciones de entradaAsalida.
La corriente a trav+s del diodo i
z
es mnima cuando la corriente de carga i
L
es mxima
y la fuente de tensin v
s
es mnima.
La corriente a trav+s del diodo i
z
es mxima cuando la corriente de carga i
L
es mnima y
la fuente de tensin v
s
es mxima.
Cuando estas caractersticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin euro.&'",
se encuentra
Condicin &4 &.&@a"
Condicin '4 &.&@$"
(e igualan &.&@a" y &.&@$" para o$tener
&.&@c"
En un pro$lema prctico, es razona$le suponer que se conoce el intervalo de tensiones
de entrada, el intervalo de corriente de salida en la carga y el valor de tensin zener
deseado. La ecuacin &.&@" representa por tanto una ecuacin en dos incgnitas, las
corrientes zener mxima y mnima. (e encuentra la segunda ecuacin examinando la
figura &.'C. 2ara evitar la porcin no constante de la curva caracterstica, se utiliza la
regla prctica de que la mxima corriente zener de$e ser al menos diez veces mayor
que la mnima7 esto es,
#iodos zener prcticos y porcenta!e de regulacin
En la seccin anterior se supuso que el diodo zener era ideal. Esto es, en la regin de
ruptura por avalanc%a, el diodo se comporta como fuente de tensin constante. Esta
suposicin significa que la curva que la figura &.'C es una lnea vertical en la regin de
ruptura. En la prctica, esta curva no es vertical y la pendiente es provocada por una
resistencia en serie. La tensin de ruptura es entonces una funcin de la corriente en
vez de una constante. El diodo zener prctico se modelar como se muestra en la figura
&.@'. Este modelo reemplaza al diodo zener con un diodo ideal en serie con una
resistencia, ?z.
3igura &.@'
El porcenta!e de regulacin se define como la excursin de tensin dividida entre el
valor de la tensin nominal. A menor porcenta!e de regulacin, me!or regulador.
!. Dise"o de una fuente de #oder usando un circuito inte$rado
Los reguladores se empaquetado como circuitos integrados C;"7 como e!emplo, se
enfocada la atencin so$re la serie 9C=CJJ. Las %o!as de especificaciones apropiadas
aparecen en el ap+ndice #, y se de$en considerar durante la siguiente exposicin. (e
pueden o$tener varias pensiones diferentes de la serie de C; =C--7 +stas son 8, ,, C,
C.8, &-, &', &8, &C y 'F *. Eodo lo que se requiere para dise)ar un regulador alrededor
de uno de estos C; es seleccionar el transformador, los diodos y el filtro. En la figura
&.@@ se muestra un circuito caracterstico.
3igura &.@@
La %o!a de especificaciones para este C; indica que de$e existir una tierra com1n entre
la entrada y la salida, y que la tensin mnima en la entrada del C; de$e estar al menos
' o F * por encima de la salida regulada. 2ara asegurar esta 1ltima condicin, es
necesario filtrar la salida del rectificador.
Los reguladores de la serie 9C=/-- son id+nticos a los de la serie =C--, con la
excepcin de que los primeros proporcionan tensiones reguladas de salida negativas
en vez de positivos.

?ecortadores y fi!adores
?ecortadores
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda que se
encuentra por encima o por de$a!o de alg1n nivel de referencia. Los circuitos
recortadores se conocen a veces como limitadores, selectores de amplitud o
re$anadores. (i se a)ade una $atera en serie con el diodo, un circuito rectificador
recortada todo lo que se encuentre por encima o por de$a!o del valor de la materia,
dependiendo de la orientacin del diodo.
3igura &.@F
2ara las formas de onda de salida indicadas en la figura &.@F se supone que los diodos
son ideales. (e extiende esta suposicin para el circuito de la figura &.@F a" mediante
la inclusin de dos parmetros adicionales en el modelo del diodo. 2rimero, se supone
se se de$e so$repasar una tensin *

antes de que el diodo conduzca. (egundo,


cuando el diodo conducen, se incluye una resistencia en directo, ?
f
. El efecto de *

es
%acer que el nivel de recorte sea *

K *
>
en vez de *
>
. El efecto de la resistencia es
cam$iar la accin recortadora plana a una que sigue a la tensin de entrada en forma
proporcional es decir, en efecto de divisin de tensin". La salida resultante se calcula
como sigue, y se ilustra en la figura &.@8. 2ara
2ara
Los recortes positivo y negativo se pueden realizar simultneamente. El resultado es
un recortador polarizado en paralelo, que se dise)a utilizando dos diodos y dos fuentes
de tensin orientadas de forma opuesta. <tro tipo de recortador es el polarizado en
serie, que se muestra en la figura &.@=. La $atera de & * en serie con la entrada
provoca que la se)al de entrada se superponga en una tensin de cd de A& * en vez de
estar sim+trica alrededor del e!e cero. (uponiendo que este sistema utiliza un diodo
ideal, se encuentra que el diodo de la figura &.@= a" conduce slo durante la porcin
negativa de la se)al de entrada condicionada Es decir, desplazada". Cuando el diodo
se encuentra en condicin, la salida es cero. (e tiene la salida distinta de cero cuando
el diodo no conduce. En la figura &.@= $", lo contrario es cierto. Cuando la se)al
condicionada es positiva, el diodo conduce y existe se)al en la salida, pero cuando el
diodo est apagado, no %ay se)al de salida. Aunque la operacin de los dos circuitos
es diferente, las dos salidas son id+nticas.
3i!adores
6na forma de onda de tensin se puede desplazar a)adiendo en serie con ella una
fuente de tensin independiente, ya sea constante o dependiente del tiempo. La
fi!acin es una operacin de desplazamiento, pero la cantidad de este depende de la
forma de onda real. En la figura &.@C se muestra un e!emplo de fi!acin. La forma de
onda de entrada se encuentra desplaza$a por una cantidad que lleva el valor pico de la
onda desplaza$a al valor *
>
. 2or tanto, la cantidad de desplazamiento es la cantidad
exacta necesaria para cam$iar el mximo original, *
m
, al nuevo mximo, *
>
. La forma
de onda se 5 fi!a 5 al valor *
>
.
3iguras &.@= y &.@C
6n circuito de fi!acin est compuesto de una $atera o fuente de cd", un diodo, un
capacitor y un resistor. El resistor y el capacitor se eligen de tal forma que la constante
de tiempo sea grande. Es desea$le que el capacitor se cargue a un valor constante y
permanezca en ese valor durante el perodo de la onda de entrada. (i se cumple esta
condicin y se supone que la resistencia en directo del diodo es cero, la salida es una
reproduccin de la entrada con el desplazamiento adecuado.
%. Ti#os alternos de diodos
#iodos (c%ottBy
El diodo (c%ottBy se forma tan enlazar un metal, como aluminio o platino, a silicio de
tipo n. (e utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacin de
alta velocidad. (u sm$olo y su construccin se muestran en la figura &.F-. El diodo
(c%ottBy tiene una caracterstica de tensin contra corriente similar a la del diodo de
unin pn de silicio, excepto porque la tensin en directo, *

, es -.@ * en vez de -.= *. la


capacitancia asociada con el diodo es peque)a.
El diodo (c%ottBy a veces se denomina diodo de $arrera, ya que se forma una $arrera
a trav+s de la unin de$ido al movimiento de los electrones del semiconductor a la
interfaz metlica.
#iodos varactor
Los diodos de unin perenne normales ex%i$en capacitancia cuando se operan en
modo de polarizacin inversa el diodo varactor se fa$rica especficamente para operar
en este modo. La capacitancia es una funcin de la inversa de tensin. 2or tanto, el
diodo act1a como capacitor varia$le, donde el valor de la capacitancia es una funcin
de la tensin de entrada.
6n uso com1n de este diodo es en el oscilador controlado por tensin *C<".
#iodos t1nel diodo EsaBi"
El diodo t1nel est ms contaminado que el diodo zener, provocando que la zona
des+rtica sea ms peque)a. Esto aumenta la velocidad de operacin, por lo que el
diodo t1nel es 1til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la polarizacin
directo, la corriente aumenta con muc%a rapidez %asta que se produce la ruptura.
Entonces la corriente cae rpidamente. El diodo t1nel es 1til de$ido a esta cesin de
resistencia negativa. La regin de resistencia negativa de un diodo t1nel se desarrolla
de manera caracterstica en el intervalo de 8- m* a '8- m*.
#iodos emisores de luz y fotodiodos
Ciertos tipos de diodos son capaces de cam$iar la fuente de energa el+ctrica en
fuente de energa lumnica. El diodo emisor de luz LE#, ligt% emitting diode"
transforma la corriente el+ctrica en luz. Es 1til para diversas formas de despliegues, y a
veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por
fi$ra ptica.
6n fotodiodo realiza la funcin inversa al LE#. Esto es, transforma la fuente de energa
lumnica en corriente el+ctrica. (e aplica polarizacin inversa al fotodiodo y la corriente
de saturacin inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina el diodo. La luz
genera pares electrnA%ueco, que inducen corriente. El resultado es una 5 fotocorriente
5 en el circuito externo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el
dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la
tensin no exceda la tensin de avalanc%a.
#iodos 2;G
El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de y
n se llama diodo 2into. El nom$re se deriva del material intrnseco entre las capas p y
n. #e$ido a su construccin, el diodo quien tiene $a!a capacitancia y, por tanto,
encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin
de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se
polariza en inverso, la regin i se vaca totalmente de portadores y la intensidad del
campo a trav+s de la regin es constante.

Especificaciones del fa$ricante
La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
mane!ar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico que puede
soportar sin da)arse. A continuacin se lista los parmetros principales que se
encuentran en la %o!a de especificaciones del fa$ricante de un diodo rectificador4
&. Eipo de dispositivo con el n1mero gen+rico de los n1meros del fa$ricante.
'. Eensin inversa pico 2;*".
@. 9xima corriente inversa en 2;*.
F. 9xima corriente de cd en directo.
8. Corriente promedio de media onda rectificada en directo.
,. 9xima temperatura de la 1nion.
=. Curvas de degradacin de corriente.
C. Curvas caractersticas para cam$io en temperatura de tal forma que el dispositivo se
pueda estimar para altas temoeraturas.
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en
las %o!as de especifcaciones.
&. Eipo de dispositivo con el n1mero gen+rico o con los n1meros del fa$ricante.
'. Eensin zener nominal tensin de temperatura por avalanc%a".
@. Eolerancia de tensin.
F. 9xima disipacin de potencia a '8c".
8. Corriente de prue$a, ;zt.
,. ;mpedancia dinmica a ;zt.
=. Corriente de v+rtice.
C. 9xima temperatura en la unin.
/. Coeficiente de temperatura.
&-. Curvas de degradacin para altas temperaturas.
Era$a!o enviado por4
Al$erto Luillermo Lozano ?omero
MlozanoN%otmail.com