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Parmetros caractersticos del transistor

En este captulo, se exponen los principales parmetros que se utilizarn para el trabajo con
transistores.
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce en la corriente de
colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de la corriente
de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacion de 8 mA en la
corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los transistores el
valor del parmetro se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor
La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de emisor y colector
mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de
corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin que existe entre la variacin o
incremento de la corriente de colector y la variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente de
colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As, nos
podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los
transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se pueden
considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez de
utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar h
FE
. As por ejemplo, para el
transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una h
FE
entre 150 y 290; lo
que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos
valores.
Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos indiquen que
posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma sustanciosa
con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye positivamente en el aumento
de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la temperatura de la unin del diodo colector
aumenta el nmero de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la corriente
de colector.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las hojas de
especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las variaciones
que sufre con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor mximo
mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores valores de dicha
corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia de tres curvas distintas,
que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes temperaturas ambiente.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de la
ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer errores sustanciales, que invalidaran las
condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.
Relacin entre los parmetros y
Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = I
C
/I
E
y = I
C
/I
B
y teniendo en cuenta
la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor I
E
= I
C
+I
B
, se pueden
encontrar las expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros, tal como se indica a
continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una ganancia de
corriente de 150, operaramos as:

Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las uniones de
un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la ruptura de dichas
uniones si la tensin que se aplica no supera los valores mximos fijados en las hojas de
especificaciones tcnicas.
1. Tensin inversa colector-base (V
CBO
) con el emisor abierto

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas inversamente con la
tensin V
CB
. Como ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de una pequea corriente de
fuga (I
CBO
) que no ser peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de la unin.
Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada por el fabricante en
sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas V
CBO
.
2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el colector y el
emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector. Esta fuerte
diferencua de potencial provoca un pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se
sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequea
corriente de fuga de emisor a colector I
CEO
. Al igual que ocurra anteriormente, el valor de esta
corriente est determinado por la tensin colector-base (V
CEO
) aplicada. En las hojas tcnicas
tambin aparece la tensin mxima de funcionamiento (V
CEO
) que en ningn caso debe ser
superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones tcnicas aparecen los
siguientes valores para las tensiones de ruptura: V
CBO
= 30V y V
CEO
= 20V, lo que significa que este
transistor nunca deber operar con tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada

Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste, visto desde
los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en la figura de abajo, se
puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y las de la corriente
de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se la denomina resistencia
de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva caracterstica de
transferencia.
Regiones de trabajo


Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o del signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transitor, ste se puede encontrar en
alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el grfico de la derecha. Estas regiones
son; Regin activa directa, Regin de saturacin, Regin de corte y Regin activa inversa. A
continuacin podemos observar el comportamiento de cada una de estas regiones.
La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base. Esta es
la regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor
podemos observar que all donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un in
negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga
negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la
circulacin de la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para
que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrn recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la
carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente I
B
pequea) la capacidad de inyectar
electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser
aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia directa de corriente, o bien ganacia
esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo
aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector I
C

Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de
portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin
Regin activa inversa
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin directa de la
unin colector-base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de depleccin
en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto,
no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden
atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto,
un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin den esta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como
un interruptor cerrado (VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mcima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (V
CBO
), o
la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V
CEO
), la unin colector -
base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por
debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la
intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo.
En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que
reduce el paso de dicha polarizacin se crea un campo magntico trransversal en la zona de base
que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular).
La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin
de la base, a la corriente de colector y a la V
CE
, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos
calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la
temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir
unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica inferior derecha).

El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmite en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para corriente
pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con la
polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro
de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha
puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de I
C
y V
CE
durante el toff vienen
reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
Curvas caractersticas

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para determinar
el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de
resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la
accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que
caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan V
BE
con I
B
y
V
CE
con I
C
e I
B
. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas V
BE
-I
B

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensin de
polarizacin V
BE
sobre la corriente de base I
B
. Estas grficas reciben el nombre de curvas
caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo
cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para
localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga V
BE
con I
B
es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado que la unin
base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguir el mismo
comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas V
CE
-I
C

Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran una
familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a
travs de la relacin I
C
=+I
B
. Por lo tanto, en el plano V
CE
-I
C
la representacin estar formada por
rectas horizontales (independientes de V
CE
) para los diversos valores de I
B
(en este caso se ha
representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I
B
para no emborronar el grfico. Para I
B
=0,
la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de
abscisas. Por contra, para V
CE
=0 el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda
representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco
ms compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la
tensincolector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia
interna del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para V
CE
=0, sino que hay una transicin
gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre
0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se puede
comprobar que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen pequeas
variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente
de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del
transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin V
CE
afecta muy poco a la corriente de
colector I
C
. Si se aumenta V
CE
demasiado (por encima de V
CEO
), la unin del colector entra en la
regin de ruptura y ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin V
CE
es muy pequea
(por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy dbil, obtenindose una ganancia de
corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de
corriente, la tensin de polarizacin inversa V
CE
debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo
de la tensin de ruptura.
Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia de
carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del
transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la ley de
Ohm entre los extremos de la resistencia de carga R
L
. La tensin aplicada a esta resistencia se
corresponder con la tensin total aplicada por la fuente V
CC
menos la cada de tensin que se
produce entre el colector y el emisor V
CE
. De esta forma obtendremos la siguiente expresin, que
se corresponder con la ecuacin de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es encontrar sus
extremos (I
C
=0 y V
CE
=0).
Para V
CE
=0

Para I
C
=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga para
una determinada resistencia de carga R
L
y una fuente V
CC
.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte, punto de
saturacin, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (I
B
=0). Dada la escasa polarizacin directa a que queda
sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prcti-
camente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga I
CEO
). Haciendo una aproximacin,
se puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la interseccin de la recta
de carga con el eje horizontal, es decir cuando V
Cecorte
=V
CC
.
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de
saturacin. En este punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la
operacin de transistor, dentro de los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se
puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la recta de carga con el eje
vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce tambin el efecto de saturacin
en el transistor.


El punto de trabajo es aqul
donde el transistor trabaja de
una forma normal y que,
normalmente, se encuentra
entre la zona de corte de
saturacin. Para determinar el
punto de trabajo (Q) de
transistor para una
determinada corriente de base
(I
B
), se busca el punto de
interseccin de la recta de
carga con la curva
correspondiente a dicha
corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene que
procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima. Esto se
consigue eligiendo valores adecuados de la tensin de fuente V
CC
y de la resistencia de carga R
L
,
de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, est siempre por debajo de la curva
de potencia mxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta situacin:
Obtencin de la Ganancia a partir de las curvas caractersticas

La ganancia en corriente de un transistor se defina como la relacin que se da entre la variacin
de la corriente d el colector y la variacin de corriente de base. Para determinar dicha ganancia se
puede recurrir a las caractersticas del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas caractersticas del transistor ensayado es la que se
muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en V
CE
=20V, segn las cruvas de la figura de la izquierda,
la intensidad de colector variar entre I
C
=28mA e I
C
=43mA, mientras que la intensidad de base lo
har entre I
B
=0.10mA e I
B
=0.15mA. La ganancia se calcula as:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el transistor, es
decir, la tensin que se le est aplicando al mismo, y con ello, la ganancia calculada, ser para esa
tensin de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.
Curva de mxima potencia del transistor
Una de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un transistor, es que, a partir de stas se
pueden determinar los lmites de funcionamiento del mismo. Estos lmites estn determinados por
una potencia mxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su destruccin.
Veamos en qu consiste ste fenmeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que vara en funcin dela
intensidad que se le aplique a su base I
B
. Por esta resistencia variable circula una corriente I
C
,
relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorfica o calentamiento, debido
al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensin V
CE
, aplicada entre el
colector y el emisor, por la instensidad de colector I
C
. (P = V
CE
I
C
).
Como esta potencia se transforma ntegramente en calor, provoca un aumento de la temperatura
en el transistor que, en el caso de salirse de los lmites admisibles, provocar la destruccin del
mismo.
La potencia mxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en las
hojas de especificaciones tcnicas.
As, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia mxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima sobre la familia de curvas de
colector, para as poder determinar para qu tensiones de colector-emisor y corrientes de colector
es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores lmite, en el caso del transistor BC107 se deber cumplir
en todo momento la expresin:


Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el producto V
CE
I
C
=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector del
transistor BC107, y en las que se ha aadido la curva de potencia mxima.
La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de funcionami-
ento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la potencia es mayor
de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destruccin por la accin del calor;
y la zona de trabajo, que queda por debajo de la hiprbola, y en la cual la potencia es inferior a
300mW.
Influencia de la temperatura ambiente en la potencia mxima de un transistor
La potencia mxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la temperatura
mxima permitida en la unin colector T
j
(max). Esta temperatura nunca debe ser superada, ya que
a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de caractersticas del
componente. As, por ejemplo, el transistor BC107 posee una T
j
(max) de 175C.
La potencia mxima a que puede trabajar un transistor tambin depende de la temperatura
ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a travs del
encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de
este aire (temperatura ambiente), peor ser la ventilacin del transistor, y por lo tanto, menor la
potencia mxima que se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de caractersticas tcnicas se indica la potencia mxima para una
temperatura ambiente de 25C.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que encontrar la potencia
mxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de temperatura
admisibles. En algunas hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de reduccin, como la
que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la potencia mxima es de
125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia mxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un disipador
de calor, o aleta de refrigeracin en la superficie de la cpsula del mismo, de esta forma, se
consigue que el calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.

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