Notions sur llectrochimie des

semi-conducteurs
UE 824 lectrochimie et nergie Cours de . Mah 4h

I.BASES DE LLECTROCHIMIE DES SEMICONDUCTEURS

12345-

Couple rdox, nergtique linterface

quilibre ou absence de processus faradique: la double couche et
linterface idalement polarise
Transfert de charge
Transfert de masse/espces superficielles
Cas dune lectrode semi-conductrice

II.LA RELATION DE MOTT-SCHOTTKY

12-

Dmonstration
Caractrisation exprimentale dun semi-conducteur par impdance
lectrochimique

III.EXERCICE DAPPLICATION
12-

Cas dune interface idalement polarise

Ractions lectrochimiques se produisant une interface SC/solution

neutralit lectrique quilibre

Rappels sur les semiconducteurs

Semiconducteur intrinsque
Semiconducteur extrinsque = dop
Interface semiconducteur-lectrolyte

Semiconducteur intrinsque

BC

BC
Cration de paires e-/h+
par excitation thermique

Eg
BV

eh+

BV

T 0K

T 0K

Niveau de Fermi intrinsque EFi

EFi

EC
EFi
EV

T 0K

EC EV 1
N
E EV
kTLog V C
2
2
NC
2

Densit de porteurs intrinsques

n p ni NV NC exp(

Eg
2kT

Si 300 K
ni=1,5.1015 cm-3

Semiconducteur dop
Introduction dun lment tranger X dans le rseau pour augmenter la conductivit

X = Donneur

X = Accepteur

2 types de dopage

(ex : le P pour le Si )

(ex : le B pour le Si )

X X+ + e-

X + e- X-

Type n

Type p
EF est reli au potentiel
chimique des lectrons
dans le SC

NA<<ND
EC

NA>>ND
EC

EF,n
EFi
EV
Porteurs de charges majoritaires =
lectrons

EFi
La position du niveau
de Fermi va tre
modifie et dpendra
du taux de dopage

EV

EF,p

Porteurs de charges majoritaires =

trous

eD+ donneur ionis

Interface SC/Solution
Formation dune interface SC/lectrolyte

E
EC
EF,n

galisation des niveaux de

Fermi

EC
EF,n
Erdox

Erdox
EV

EF,n = Erdox
SC type n

EV

Electrolyte
ZCE
(zone de charge despace)

Chute de potentiel travers linterface : (partionning)

Vtot VSC VH

eVSC

eVH
Erdox

Accumulation de charges des 2 cts de linterface :

- Dans la ZCE ct SC
- Dans la couche de Helmholtz ct solution
Linterface assimile deux condensateurs plans de
caractristiques diffrentes
Ancrage des bords de bandes :
CSC (10-8)<<CH(10-5)

SC type n

Electrolyte

Polarisation de la jonction SC/lectrolyte

Suivant le potentiel impos la ZCE du SC va se trouver sous diffrents rgime
Accumulation

- - -

Bandes plates
V = Vbp

Dpltion
= appauvrissement en porteurs majoritaires
E

E
EC
EF,n

Inversion
E

- - - -

EV

Type n
E

EC
EF,p
EV
V

Type p

Cas dun semiconducteur de type n

Type n

INVERSION DE
EF ET DE EI
EN SURFACE

FORTE INVERSION

EFFB
- - - - EC
S = 2 F
EF=EFFB - qS
-qF
EI
EN SURFACE, PORTEURS MINORITAIRES PLUS
- + NOMBREUX QUE DE LES PORTEURS MAJORITAIRES
+ NE LTAIENT A Efb (s=0)
+
++
+++
EV

VFB

VINV
E /V

Type n

FAIBLE INVERSION (cas limite)

GALIT DE
EF ET DE EI
EN SURFACE

- - - -

EC
EFFB
EF=EFFB + qS

S = F

-qF
EI

+
++

EV

AUTANT DE PORTEURS MINORITAIRES QUE DE PORTEURS MAJORITAIRES EN SURFACE

VFB

E /V

Type n

DPLTION
-

- - -

EC
EFFB

-qF

EF=EFFB + qS
EI

+
++

VFB

EV
E /V

Type n

BANDES PLATES

EC

-qF

EFFB
EI
VFB

EV
E /V

Type n

ACCUMULATION
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

- -

EC

-qF

EF=EFFB - qS
EFFB
EI
VFB

+ + +

EV

E /V

Cas dun semiconducteur de type p

Type p

ACCUMULATION
-

- - -

-qF

EC

EI
EFFB

VFB

EF=EFFB + qS

+
+ +

EV
E /V

Type p

BANDES PLATES

EC

-qF

EI
EFFB

VFB

EV
E /V

Type p

DPLTION
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

- -

EC

-qF

EI
EF=EFFB - qS
EFFB

+++

VFB

EV

E /V

Type p

FAIBLE INVERSION (cas limite)

GALIT DE
EF ET DE EI
EN SURFACE

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

- - -

EC

EI
-qF
EF=EFFB - qS
S = F
EFFB
++++

VFB

EV

AUTANT DE PORTEURS MINORITAIRES QUE DE PORTEURS

MAJORITAIRES EN SURFACE

E /V

Type p

INVERSION DE
EF ET DE EI
EN SURFACE

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

- - - -

FORTE INVERSION
EC

EI
-qF
EF=EFFB - qS

VINV

S = 2 F
++++

EV
EFFB

EN SURFACE, PORTEURS MINORITAIRES PLUS NOMBREUX QUE DE

LES PORTEURS MAJORITAIRES NE LTAIENT A Efb (s=0)

VFB

E /V

Distribution des porteurs de charge Modles de charge despace

Gouy-Chapman
La distribution des porteurs de charge
positifs et ngatifs est gouverne par le
champ lectrique
Solutions dlectrolytes

Mott-Schottky
Lun des type de porteur de charge
est immobile, lautre,porteur de charge
majoritaire reste mobile :
Exemple SC type-p en rgime de
dpltion (appauvrissement de
Charge interfaciale
surface)

Coeur
Zone de charge desace
de
llectrode

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

log Concentration

log Concentration

Charge interfaciale

Coeur
de
llectrode

+
+
+
+

+
+
+
+
Zone de charge despace
+

Distribution des porteurs de charge Densit des porteurs de charges

Solutions lectrolytiques
Les porteurs de charge positifs et ngatifs :cations et anions
Concentrations typiquement mol.L-1 jusqu 1 mol.L-1
TYPIQUEMENT 10-3 mol.L-1
Mtaux
Les porteurs de charge sont les lectrons libres
Concentrations typiquement cas du cuivre: 8,5 1028 lectrons/m3
TYPIQUEMENT 140 mol.L-1
Semiconducteurs
Les porteurs de charge positifs ou ngatifs :lectrons e- de la bande de
conduction (BC) ou h+ de la bande de valence (BV).
Concentration dans le cas du silicium dop: 1017 lectrons/cm3
TYPIQUEMENT 10-4 mol.L-1

Le potentiel de bandes plates : Vbp

Il dpend de la nature de llectrolyte et du matriau SC
Caractristique importante de la jonction :
Il spare le rgime de dpltion du rgime daccumulation
Il permet la comprhension des cintiques de transferts de charges et des
mcanismes se produisant linterface semi conducteur/lectrolyte
Il est dtermin en gnral par des mesures dimpdances lectrochimiques
Caractristiques lectriques de la ZCE (CSC, RSC..)
Par traitement de lquation de Poisson

x d 2V x

0
dx

Equation de Mott-Schottky
2

CSC

2
kT
V V fb
0eN
e

Dpltion suffisamment grande

( eVSC>>kT)

N=ND ou NA

2
CSC

Pente N
ExtrapolationVbp EC,S et EV,S
porteurs de charges nS et pS

Vbp

Type p

Type n

Type n