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FACULDADE SANTO AGOSTINHO - FSA

ENGENHARIA ELETRICA

Materiais Semicondutores

Prof. Fbio de Arajo Leite

SEMICONDUTORES
Conduo Eletrnica
A corrente eltrica resultante do movimento de partculas
carregadas eletricamente como resposta a uma fora de
natureza eltrica, em funo do campo eltrico aplicado.
Partculas carregadas positivamente so deslocadas
(aceleradas) na direo do campo eltrico, enquanto as
partculas carregadas negativamente na direo oposta.

Na grande maioria dos materiais slidos a corrente eltrica


surge do fluxo de eltrons.

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
Em todos condutores, semicondutores e em muitos
materiais isolantes somente a conduo eletrnica
existe.
A magnitude da condutividade eltrica fortemente
dependente do nmero de eltrons disponveis para
participar do processo de conduo.

Para cada tomo individual existe nveis de energia


discretos que podem ser preenchidos pelos eltrons.

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
As camadas so designadas pelos inteiros (1, 2, 3,etc.) e as
sub-camadas pelas letras (s, p, d, f).
Para cada uma das sub-camadas, existem respectivamente
um,trs, cinco e sete estados.
Os eltrons, na maior parte dos tomos tendem a ocupar os
estados com energia mais baixa.
Os conceitos discutidos anteriormente so vlidos para o
caso de um tomo isolado.

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
Suponha agora que estes conceitos sero ampliados para
um material slido.
Um slido consiste de um grande nmero de tomos que
quando juntos, se ligam para formar um arranjo atmico
que define a sua estrutura cristalina.
Em grande distncias (separao entre os tomos), cada
tomo independente de todos os outros e ter nvel de
energia atmico e configurao eletrnica como se fosse
isolado.

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
medida que os tomos ficam prximos, ocorre
perturbao dos nveis de energia de um determinado
tomo pelos eltrons e ncleo de tomos adjacentes.
Esta influncia se d de tal maneira que cada estado
atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados
prximos, para formar o que chamamos de banda de
energia eletrnica.

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
As propriedades eltricas de um material slido so
consequncia de sua estrutura de banda eletrnica, isto
do arranjo da estrutura de banda mais externa.
Metais:

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
Isolantes

Semicondutores

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
Semicondutores e isolantes
No caso anterior, os eltrons precisam ter energia para
passar pela banda proibida band gap em direo aos
estados vazios na banda de conduo.
O nmero de eltrons excitados termicamente para o
interior da banda de conduo depende da largura da banda
proibida como tambm da temperatura.

SEMICONDUTORES
Reviso sobre estruturas de banda nos slidos
Semicondutores e isolantes
Quanto maior for a largura da banda proibida, menor
ser a condutividade eltrica numa dada temperatura.
Dessa maneira, a distino entre semicondutores e
isolantes est na largura da banda proibida. Para
semicondutores ela pequena, enquanto para isolantes
ela relativamente grande.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUTIVIDADE
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores no
to elevada quanto a dos metais, entretanto eles
apresentam caractersticas eltricas especiais destinadas a
certos propsitos.
As propriedades eltricas destes materiais
extremamente sensveis a presena de impurezas.

so

SEMICONDUTORES
SEMICONDUTIVIDADE
Existem dois tipos de semicondutores:
Semicondutores intrnsecos: o comportamento eltrico
baseado na estrutura eletrnica relacionada com o material
puro (sem impurezas).
Semicondutores extrnsecos: nesse caso as caractersticas
eltricas so determinadas pelos tomos de impurezas.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA

Os semicondutores intrnsecos so caracterizados por terem a


estrutura de banda mostrada na figura anterior.

A 0 K, eles apresentam a banda de valncia completamente


preenchida e separada da banda de conduo por uma banda
proibida.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA
Os dois semicondutores mais importantes so o silcio (Si)
e o germnio (Ge) com gap de energia de 0,7 eV e 1,1 eV
respectivamente.
Ambos so encontrados na famlia 4 A da tabela peridica
e so ligados de maneira covalente.
A tabela a seguir fornece algumas informaes sobre os
elementos citados anteriormente e os principais compostos.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA

Conceito de lacuna
Nos semicondutores intrnsecos para cada eltron excitado
em direo a banda de conduo, existe um espao vazio
deixado por este em uma das ligaes covalentes.
A lacuna pode ser tratada como uma partcula carregada
positivamente que se move em direo oposta ao eltron.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA

Sem a presena de campo eltrico

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA

Com a presena de campo eltrico

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO INTRNSECA

Com a presena de campo eltrico

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Os semicondutores extrnsecos (tipon e tipo-p) so
produzidos a partir de materiais que inicialmente
possuem elevada pureza.
Concentraes controladas de doadores e receptores
especficos so intencionalmente adicionadas. Esse
processo conhecido como dopagem.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Praticamente todos semicondutores comerciais so
extrnsecos, isto , o comportamento eltrico
determinado por impurezas, que quando presentes at
mesmo em pequenas concentraes introduzem excesso de
eltrons ou de lacunas.
Semiconduo extrnseca tipo n

Um tomo de silcio tem quatro eltrons de valncia, sendo


cada um ligado de maneira covalente com um dos quatros
tomos de silcio adjacentes.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n
Se um tomo de impureza com cinco eltrons de valncia
for adicionado a estrutura constituda por tomos de silcio,
ento somente quatro dos cinco eltrons de valncia dos
tomos de impurezas podem participar no processo de
ligao.

Fica ento um eltron ao redor do tomo de impureza com


fraca atrao eletrosttica. Este eltron facilmente
removido do tomo de impureza tornando-se eltron livre
ou de conduo.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n

Fsforo com cinco eltrons de valncia adicionado.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n

Fsforo com cinco eltrons de valncia adicionado.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n

Fsforo com cinco eltrons de valncia adicionado.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n
Como a impureza doa o eltron para a banda de conduo,
esta denominada de doadora.
Desde que o eltron originado do tomo de impureza,
nenhuma lacuna criada na camada de valncia.

Na temperatura ambiente, a energia trmica disponvel


suficiente para excitar grande quantidade de eltrons para a
banda de conduo.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n
Os eltrons oriundos da ligao covalente so em menor
quantidade, ou seja, existem poucas lacunas que so os
portadores de carga minoritrios.
Esse tipo de material denominado tipo n, e os eltrons
so os portadores de carga majoritrios em funo de sua
densidade ou concentrao.
As lacunas nesse tipo de material so os portadores de
carga minoritrios.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo n

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo p
Como situao oposta a definida anteriormente, um tomo
de impureza com trs eltrons de valncia adicionado a
estrutura do silcio ou do germnio.
Uma das ligaes covalentes ao redor deste tomo estar
faltando um eltron. Tal deficincia pode ser vista como
uma lacuna que est fracamente ligada ao tomo de
impureza.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo p
Tal lacuna pode ser liberada do tomo de impureza pela
transferncia de um eltron de uma ligao adjacente.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo p

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo p
Observe com base na figura anterior que cada tomo de
impureza introduz um nvel de energia na band gap.
Um lacuna pode ser imaginada como sendo criada na
banda de valncia pela energia trmica de um eltron que
saiu para ocupar o estado energtico da impureza.
Dessa forma, somente um portador produzido. Esse tipo
de impureza denominada de receptora.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Semiconduo extrnseca tipo p
Para este tipo de conduo extrnseca, as lacunas esto
presentes em maior quantidade do que os eltrons. Esse
tipo de material chamado do tipo p.
Isto ocorre porque partculas carregadas positivamente so
responsveis pela conduo eltrica.
Ento, as lacunas so os portadores majoritrios e os
eltrons so os portadores minoritrios.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUO EXTRNSECA
Nos semicondutores extrnsecos um grande nmeros de
portadores de carga (eltrons ou lacunas) so criados na
temperatura ambiente.
Como consequncia, uma elevada condutividade eltrica
na temperatura ambiente obtida.

SEMICONDUTORES
DEPENDNCIA DA TEMPERATURA
DA CONCENTRAO DE PORTADORES

SEMICONDUTORES
DEPENDNCIA DA TEMPERATURA PELA
CONCENTRAO DE PORTADORES
Para o semicondutor extrnseco a concentrao de portadores em
funo temperatura diferente do semicondutor intrnseco.

Referncias Bibliogrficas
[1] F.Shackelfordem Introduction to Materials Sciencefor
Engineers, 4 edio, Prentice-Hall Inc.,1996.
[2] William D. Callister, David G. Rethwisch Cincia e
Engenharia de Materiais uma Introduo, Editora: LTC - 8
edio , Captulo 19
[3] C.A. Wert & R.M. Thomson, Physics of Solids, 2nd edition,
Mc Graw-Hill Book Company, New York, 1970

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