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Captulo 4 Dimensionamento

86

CAPTULO 4
DIMENSIONAMENTO

4-0 Introduo

Os transistores devem operar dentro de limitaes impostas pelo fabricante (dados de


manuais) para que se obtenha um correto funcionamento. Em [30], [31] e [32], podem ser obtidas
informaes para uma comparao entre as trs tecnologias mais utilizadas de transistores de
potncia (BJT, IGBT e MOSFET). Um mtodo para dimensionamento via anlise do comportamento
trmico da juno do transistor, assumindo que a forma de onda do sinal da potncia dissipada um
trem de pulsos, simulando a operao em regime de "comutao" (chaveando), apresentado e
discutido.
Mostramos nos Captulos 2 e 3 que os esforos da etapa de sada so funes da classe de
operao, da polarizao, das perdas e da carga (funo da freqncia); e os resultados grficos
das potncias instantneas dissipadas Pd (t ) mostram que o dimensionamento trmico baseado em
um trem de pulsos, no corresponde complexidade dos esforos envolvidos.
Assim, da mesma forma que em [10], usamos modelar o efeito trmico desejado pela
filtragem do sinal de potncia dissipada ( Pd (t ) ) atravs de um sistema linear invariante (equivalente
trmico) representando o sistema transistor-dissipador-ambiente. Assim, pode-se obter

temperatura instantnea de juno ( TJ (t ) ) do(s) transistor(es) envolvidos no processo.

4.1 Limitaes dos Transistores

As limitaes dos transistores so dadas atravs da "rea de Operao Segura" (SOA Safe
Operating Area) fornecida pelo fabricante. A SOA um grfico de I C VCE (para BJT e IGBT), ou
I D VDS (para MOSFET), onde so dadas as limitaes de corrente ( I C MAX ou I DMAX ), de tenso

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( VCE MAX ou VDS MAX ) e de potncia ( PD MAX ), para uma determinada temperatura ambiente ( TA ) ou de
case (invlucro, TC ) [33,34].
Desta forma, deve-se ter para dispositivos BJT e IGBT que,

iC (t ) max < I C MAX ,

(4.1-1)

vCE (t ) max < VCE MAX ,

(4.1-2)

iD (t ) max < I DMAX

(4.1-3)

vDS (t ) max < VDS MAX .

(4.1-4)

e, para dispositivos MOSFET que,

Para todos os dispositivos (BJT, IGBT e MOSFET), deve-se garantir,

PD max < PD MAX

(4.1-5)

TJ max < TJ MAX ,

(4.1-6)

TJ (t ) max < TJpk ,

(4.1-7)

onde TJ max e TJ (t ) max so as temperaturas mdia e instantnea mximas de juno e TJ MAX e TJpk
so as temperaturas mdia e de pico mximas permitidas na juno (dados fornecidos pelo
fabricante).

4.2 Circuito Equivalente Eletro-Trmico

A partir da Tabela 4.2.1 [35] pode-se construir um circuito eletro-trmico que representa um
transistor acoplado em um dissipador de calor (Fig. 4.2.1):
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GRANDEZA

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TRMICO
o

Temperatura

ELTRICO

volt

Quantidade de Calor

joule (watt-segundo)

coulomb (ampre-segundo)

Fluxo de Calor

watt

ampre

C watt

ohm

Capacitncia Trmica

joule oC

farad

Fonte de Calor

Elemento dissipativo

Fonte de corrente

Ambiente

Planeta de mdio porte

Fonte de tenso

Resistncia Trmica

Tabela 4.2.1 Analogia termo-eltrica.

Fig. 4.2.1 Circuito eltrico equivalente trmico de um sistema transistor-dissipador-ambiente.

Onde:
Pd (t ) - Potncia instantnea dissipada;
TJ (t ) - Temperatura instantnea de juno;
TS (t ) - Temperatura instantnea no substrato;
TC (t ) - Temperatura instantnea no case (invlucro);
TI (t ) - Temperatura instantnea no isolador eltrico;

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TD (t ) - Temperatura instantnea no dissipador de calor;


TA - Temperatura ambiente;
RJS - Resistncia trmica entre juno e substrato;
RSC - Resistncia trmica entre substrato e case;
RCA - Resistncia trmica entre case e ambiente;
RCI - Resistncia trmica entre case e isolante eltrico;
RID - Resistncia trmica entre isolante eltrico e dissipador de calor;
RDA - Resistncia trmica entre dissipador de calor e ambiente;
C J - Capacitncia trmica de juno;
C S - Capacitncia trmica do substrato;
CC - Capacitncia trmica do case;
C I - Capacitncia trmica do isolante eltrico;
C D - Capacitncia trmica do dissipador de calor;
C A - Capacitncia trmica do ambiente ( C A = ).

Os pontos de interesse para este trabalho so: a temperatura na juno, a temperatura no


case, a temperatura no dissipador e a temperatura ambiente, sendo a primeira a nica que no
medida diretamente. Assim, pode-se simplificar o circuito anterior para (Fig. 4.2.2):

Fig. 4.2.2 Circuito eltrico equivalente trmico, simplificado.

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Onde os valores de RJC , C J e CC so fornecidos pelo fabricante do dispositivo; RCD


fornecida pelo fabricante do isolador eltrico; RDA e C D so fornecidas pelo fabricante do
dissipador de calor; Pd (t ) calculada atravs das expresses desenvolvidas no Captulo 3 e TA
um dado de projeto.
Todas essas grandezas so comuns aos dispositivos BJT, IGBT e MOSFET.
Para anlise do valor mdio da temperatura, as capacitncias trmicas passam a apresentar
uma reatncia infinita, considerando-se apenas as resistncia trmicas (Fig. 4.2.3).

Fig. 4.2.3 Circuito eltrico equivalente trmico, simplificado, para regime permanente.

A partir da Fig. 4.2.3, pode-se escrever:


TJ = PD (RJC + RCD + RDA ) + TA ,

(4.2-1)

TJ = PD RJC + TC .

(4.2-2)

ou ainda:

Que so as expresses para o clculo de TJ em regime permanente de operao, a partir


dos dados de projeto ( PD , RJC , RCD , RDA , TC e TA ).

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4.3 Anlise da Temperatura Instantnea de Juno

Por analogia ao apresentado em [30], [31] e [32], aplicou-se ao circuito da Fig. 4.2.2 uma
onda quadrada ( Pd (t ) ) com potncia de pico igual a 1 W, considerando RJC = RCD = RDA = 1 oC W ,

C J = 0,01 J

C , CC = 1 J

C , C D = 100 J

C , TA = 2 oC e TJ MAX = 3 oC , e verificou-se, atravs de

simulaes (Figs. 4.3.1 4.3.7), o comportamento da temperatura em cada um dos pontos de


interesse ( TJ (t ) , TC (t ) , TD (t ) , TJ e TA ).
Variou-se a freqncia e o duty cycle do sinal aplicado e constatou-se:

Em baixas freqncias TJ (t ) max >> TJ ;

Em altas freqncias TJ (t ) max TJ ;

Quanto maior o duty cycle, maior ser TJ (t ) .

Como mostrado nos captulos anteriores, a potncia instantnea dissipada ( Pd (t ) ) pode


atingir valores bem maiores do que a potncia mdia dissipada ( PD () ). Caso seja considerado
apenas PD () , o resultado poder levar a um subdimensionamento da etapa de sada, fazendo com
que a mxima temperatura instantnea na juno ( TJ (t ) max ) ultrapasse TJ MAX (Fig. 4.3.1); caso seja
considerado apenas Pd (t ) , o resultado levar a um superdimensionamento, pois esta uma
condio de extremo (Fig. 4.3.7). Deve-se, portanto, considerar, simultaneamente, as duas situaes
anteriormente expostas, pois em regime permanente a temperatura de juno ( TJ ) a temperatura
mdia na juno ( TJ (t ) ), que por sua vez funo da potncia instantnea dissipada ( Pd (t ) ), e das
constantes de tempo caractersticas do sistema transistor-dissipador-ambiente; situaes estas
mostradas nas Figs. 4.3.1 a 4.3.7.

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Fig. 4.3.1 Temperatura instantnea de juno

Fig. 4.3.2 Temperatura instantnea de juno

(10 Hz @ 50% duty cycle, 1 W de pico).

(10 Hz @ 20% duty cycle, 1 W de pico).

Fig. 4.3.3 Temperatura instantnea de juno

Fig. 4.3.4 Temperatura instantnea de juno

(100 Hz @ 50% duty cycle, 1 W de pico).

(100 Hz @ 20% duty cycle, 1 W de pico).

Fig. 4.3.5 Temperatura instantnea de juno

Fig. 4.3.6 Temperatura instantnea de juno

(1000 Hz @ 50% duty cycle, 1 W de pico).

(1000 Hz @ 20% duty cycle, 1 W de pico).

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Fig. 4.3.7 Temperatura instantnea de juno (resposta ao degrau, 1 W de pico).

Nas Figs. 4.3.1 a 4.3.7 a temperatura mdia de juno ( TJ ) representa o valor mdio dentro
do intervalo de 100 ms.

4.4 Associao de Transistores

A Fig. 4.4.1 mostra o circuito da Fig. 4.2.2 adaptado para N T transistores, para a qual podese escrever:
Pd (t )
,
NT

(4.4-1)

= RDA N T
RDA

(4.4-2)

Pd (t ) =

e
C D =

CD
.
NT

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(4.4-3)

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e C DA
so,
Onde Pd (t ) a potncia instantnea dissipada em cada transistor, RDA
respectivamente, a resistncia trmica e a capacitncia trmica do dissipador "vistas" por cada
transistor e N T o nmero de transistores associados (Fig. 4.4.2).

Fig. 4.4.1 Associao de transistores.

Fig. 4.4.2 Circuito equivalente trmico para um transistor, em associao com NT transistores.

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Aqui, foram considerados transistores casados e a associao feita de modo a permitir uma
distribuio uniforme da potncia. Na prtica, dois procedimentos so usados para promover o
casamento entre os transistores. O primeiro a seleo prvia dos transistores (parmetros
semelhantes) e o segundo a introduo de uma pequena realimentao negativa no circuito
(resistores de emissor/fonte).

4.5 Clculo da Temperatura Instantnea de Juno

A impedncia ( ZT (s ) ) vista por Pd (t ) dada por (Fig. 4.4.2):

ZT ( s ) =

A s2 + B s + C
s + D s2 + E s + F
3

onde:
A=

B=

1
1
RCD + RDA
,
+
+

C J C D RCD RDA
C J CC RCD C J CC RJC

C=

D=

E=

1
,
CJ

RJC + RCD + RDA


,

C J CC C D RJC RCD RDA

1
1
1
RCD + RDA
,
+
+
+

C D RCD RDA
CC RCD CC RJC C J RJC

1
RJC + RCD + RDA
RCD + RDA
+
+

CC C D RJC RCD RDA C J C D RJC RCD RDA C J CC RJC RCD

e
F=

1
.

C J CC C D RJC RCD RDA

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(4.5-1)

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A temperatura instantnea de juno, TJ (t ) , calculada atravs do produto convoluo


entre a potncia instantnea dissipada, Pd (t ) , e a resposta ao impulso do sistema, Z T (t ) . Desta
forma:
TJ (t ) = Pd (t ) * ZT (t ) ,

(4.5-2)

onde Z T (t ) a resposta ao impulso do sistema ZT (s ) , obtida pela transformada inversa de Laplace


[36] (4.5-3), Assim:
+ j

Z T (t ) =

1
Z T ( s ) e st ds .
2j j

(4.5-3)

Na Fig. 4.3.7 constata-se que as temperaturas atingem os valores mximos (praticamente)


aps 600s, o que implica em um tempo de processamento muito grande.
Fazendo-se simulao com 1200s de durao, para as mesmas condies de Pd (t ) da
Fig. 4.3.1, constata-se que TJ (t ) PD (RJC + RCD + RDA ) + TA = TJ (equao (4.2-1)), e que TJ (t ) s
ser igual TJ em t (Fig. 4.5.1), onde TJ (t ) o valor mdio de TJ (t ) .

Fig. 4.5.1 ltimo ciclo da temperatura instantnea de juno aps 1200s de simulao.

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Portanto, calculando-se TJ 0 (t ) ( TJ (t ) para TA = 0 oC ) para o primeiro perodo de Pd (t ) e


sobrepondo TJ 0 (t ) TJ , obtida a partir de (4.2-1), determina-se o valor de TJ (t ) para t

(Fig.

4.5.2). Assim,

TJ (t ) t = TJ 0 (t ) TJ 0 (t ) + TJ ,

TJ 0 (t ) =

1
TJ 0 (t ) dt ,
T T

T = perodo de Pd (t ) ,

onde:
TJ (t ) t - Temperatura instantnea na juno para t ;
TJ 0 (t ) - Temperatura instantnea na juno para o primeiro ciclo de Pd (t ) e TA = 0 oC ;
TJ 0 (t ) - Valor mdio de TJ 0 (t ) .

Fig. 4.5.2 Demonstrao de TJ(t) calculada a partir de TJ0(t).

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(4.5-4)

(4.5-5)

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4.6 Temperatura de Juno para as Classes A, B, AB, G e H

A partir do produto convoluo entre a resposta ao impulso Z T (t ) do circuito da Fig. 4.2.2


(considerando os valores dados no item 4.3) e as potncias instantneas dissipadas Pd (t ) ,
juntamente com as potncia mdias dissipadas PD () (Captulo 3), de cada uma das classes
consideradas neste estudo, foram calculadas as respectivas temperaturas instantneas de juno
TJ 0 (t ) e TJ (t ) t .
Para o clculo de TJ (t ) t foi considerado a metade dos valores mximos de PD ()
(mximo esforo), pois considera-se apenas um dos braos da etapa complementar de sada.
Os grficos resultantes mostram as curvas relativas s temperaturas instantneas de juno
TJ 0 (t ) e TJ (t ) t normalizadas pela potncia dissipada na carga ( PL max ). Por simplicidade e sem
perda de generalidade, considerou-se TA = 0 o C .
As figuras mostrando TJ 0 (t ) PL max esto localizadas esquerda, e as que representam
TJ (t ) t PL max direita.
Analisando as curvas de TJ 0 (t ) PL max , pode-se observar a reduo da influncia de Pd (t ) na
temperatura instantnea de juno medida que a freqncia aumenta, mostrando que os maiores
esforos (temperatura) da etapa de sada (devido Pd (t ) ) esto em baixas freqncias; o quanto
Pd (t ) influenciar TJ (t ) depender dos valores atribudos aos componentes do circuito da Fig. 4.2.2.
Em altas freqncias, quem determina os esforos (temperatura) a potncia mdia dissipada
( PD () ).
Desta forma, fica clara a necessidade de uma anlise conjunta da temperatura de juno a
partir das potncias mdia ( PD () ) e instantnea ( Pd (t ) ) dissipadas.

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Classe A

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Classe A

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.2 Temperatura instantnea de juno para

o primeiro ciclo de Pd1(t)..

t.

Classe B

Classe B

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Fig. 4.6.1 Temperatura instantnea de juno para

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.4 Temperatura instantnea de juno para

o primeiro ciclo de Pd1(t)..

t.

Classe AB

Classe AB

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Fig. 4.6.3 Temperatura instantnea de juno para

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.5 Temperatura instantnea de juno para

Fig. 4.6.6 Temperatura instantnea de juno para

o primeiro ciclo de Pd1(t)..

t.

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100

Classe G

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Classe G

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.8 Temperatura instantnea de juno para

o primeiro ciclo de Pd+(t) (N=2).

t (N=2).

Classe G

Classe G

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Fig. 4.6.7 Temperatura instantnea de juno para

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.10 Temperatura instantnea de juno

o primeiro ciclo de Pd+(t) (N=4).

para t (N=4).

Classe H1

Classe H1

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Fig. 4.6.9 Temperatura instantnea de juno para

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.11 Temperatura instantnea de juno

Fig. 4.6.12 Temperatura instantnea de juno

para o primeiro ciclo de Pd+(t) (N=2).

para t (N=2).

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101

Classe H1

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Classe H1

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.14 Temperatura instantnea de juno

para o primeiro ciclo de Pd+(t) (N=4).

para t (N=4).

Classe H2

Classe H2

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Fig. 4.6.13 Temperatura instantnea de juno

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.16 Temperatura instantnea de juno

para o primeiro ciclo de Pd+(t) (N=2).

para t (N=2).

Classe H2

Classe H2

TJ(t) / PLmax

TJ0(t) / PLmax

Fig. 4.6.15 Temperatura instantnea de juno

Freqncia - Hz

Freqncia - Hz

Fig. 4.6.17 Temperatura instantnea de juno

Fig. 4.6.18 Temperatura instantnea de juno

para o primeiro ciclo de Pd+(t) (N=4).

para t (N=4).

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