UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

MICROONDAS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

ALUMNO (s):

Julio David Vilca Pizarro

Rodolfo Vsquez Cortez
Carlos Falcn Zapata
Moises Gamarra Gutierrez

DOCENTE:

Ing. Jaime Vallejos Laos

CICLO:

VIII

TRABAJO:

Informe Trabajo N01

TEMA:

Dispositivos de Microondas

2014

11190025
11190202
11190237
09190060

DISPOSITIVOS DE MICROONDAS
I.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Los amplificadores de estado slido llegan hoy en da al rango de los 10 Kilovatios; por
encima de este valor se utilizan dispositivos que basan su efecto amplificador en lo que se
denomina bunching o agrupamiento en paquetes de un haz de electrones generado por un
ctodo caliente y que da lugar a los llamados Tubos de Vaco de Microondas.
AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE MICROONDAS:
KLYSTRON, TWT, GYROTRON

Una vez superados los 5GHz la cifra de la decena de vatios de potencia de seal, slo se
puede alcanzar hoy en da si utilizamos la tecnologa de Tubos de Microondas.
En las grficas a continuacin vemos que hay ms tipos de dispositivos, con diferentes
geometras y estructuras internas, pero todos se basan en un principio de funcionamiento
similar: la modulacin o interaccin entre la energa RF y un haz de electrones en el interior
de un tubo de vaco de cristal o metlico.

a) Tubos de Haz lineal: El Klistrn o Klystron

Los sucesivos electrodos con seal RF o cavidades resonantes con un modo RF en
resonancia, hace que el haz de electrones acelere y desacelere al ritmo de ese campo,
generando el fenmeno de bunching o agrupamiento, racimo o pulso de electrones. Ese
agrupamiento es lo que produce una densidad electrnica mayor y est en la raz de la
comprensin del efecto amplificador.

El esquema bsico para entender y analizar el efecto Klystron sera:

Suponemos que la velocidad del haz en su recorrido hasta los electrodos en B es constante
y que llega as a los electrodos, con una distancia x entre placas despreciable respecto a la
longitud de onda de la seal RF resonante en el circuito tanque entonces el tiempo de
trnsito ser despreciable respecto al periodo de la seal, esto implicar que la amplitud de
la seal RF del resonador har variar peridicamente la velocidad del haz, acelerando
cuando la placa de la derecha tenga polaridad positiva respecto a la de la izquierda y
decelerando en el siguiente semiperiodo.
Por lo tanto, es intuitivo entender que si consideramos una longitud l desde X0 a X,
electrones que pasen en instantes sucesivos por las placas en X0 llegarn a X en grupos o
paquetes (bunching) puesto que los ms rpidos habrn alcanzado a los ms lentos. Este
fenmeno se ver compensado por una aparicin de vacos de densidad de electrones a
continuacin. La presencia de un modo resonante en la cavidad, en forma de campo
elctrico variable con el tiempo, hace que el haz de electrones se vea alternativamente
acelerado y decelerado al pasar por la cavidad de forma que la nube electrnica se agrupa y
viaja en racimos hacia el colector.
Habr adems, una longitud l ptima que haga que la diferencia entre la mxima densidad y
la mnima del haz pulsado en X sea, precisamente, mxima. Parece claro que lo que
haremos, de alguna forma, es extraer esa informacin proporcional, amplificada, de la seal
de origen: utilizaremos para ello otro circuito resonante, colocado en la distancia ptima.
Este es el principio de construccin de un Klystron, teniendo en cuenta que los circuitos
resonantes se sustituyen por cavidades resonantes, dada la frecuencia de trabajo y las
potencias involucradas.

b) Tubos de Haz lineal: el TWT o Tubo de Ondas Progresivas tipo O

Este tubo viene a soslayar la principal limitacin del klistrn, el pequeo ancho de banda.
Hay sistemas, como la difusin va satlite que necesita de amplificadores en el rango de la
decena-centena de vatios pero con un ancho de banda desde el 30 al 120%, de hecho la
aplicacin tpica de los TWT est en los amplificadores embarcados en el satlite
geoestacionario.
Su principio de funcionamiento es similar en cuanto a que hay un can de electrones, pero
se evita el uso de las cavidades resonantes y, en lugar de ello, lo que se busca es la
interaccin continua entre seal RF y haz, a travs de una estructura de lnea de transmisin
que propague un modo con velocidad de fase baja, ondas progresivas denominadas lentas
(slowwave).
La idea cualitativa es que las velocidades de onda y haz electrnico sean aproximadamente
iguales, de forma que el haz se vea afectado al mximo por la onda y viceversa entonces
podremos conseguir que el aumento de la energa cintica de los electrones del haz se
transfiera a la componente axial del campo elctrico RF, de forma que consigamos una
amplificacin real.
En un cierto margen de funcionamiento la aceleracin del haz que produce el campo RF se
puede mantener estable. Sin embargo habr otra zona en la que las partculas se vern
sometidas a un efecto de aceleracin inestable, que tender a posicionarlas en la zona
estable. Ya intuimos de nuevo que la presencia del campo RF, a condicin de que vaya
viajando a la misma velocidad que el haz, har que aparezca un fenmeno de empaquetado
o bunching en el haz.

c) Tubos Crossed-Field: el Girotrn

En los tubos anteriores la necesidad de usar una onda denominada como lenta (slowwave) y
el tipo de interaccin que se da entre haz y campo electromagntico hace que las
dimensiones tengan que ser del orden de la longitud de onda de la frecuencia de trabajo y
adems haz y estructura guiada deben estar muy cerca entre s, para evitar la atenuacin
exponencial de los campos.
Pues bien, a medida que subimos la frecuencia, de nuevo como pasaba con el trodo estas estructuras tienen dificultades de construccin para manejar potencias elevadas, por lo
que se impone un cambio de dispositivo. Tal y como vemos el terreno de las frecuencias
milimtricas entre 100 y 300GHz pertenece a los Gyrotrones.
El truco est en el uso de modos de propagacin superiores, de forma que las dimensiones
puedan ser mucho mayores que la longitud de onda de la frecuencia de trabajo.
La idea inicial es que el haz de electrones, sometido a un campo magntico intenso axial,
seguir una trayectoria como la de la figura, de tipo helicoidal mientras progresa.

La frecuencia de rotacin del haz, producida por el campo magntico DC, recibe el nombre
de frecuencia ciclotrn y con la adecuada magnitud de Campo DC puede entrar en el rango
de los GHz, con lo que la interaccin entre campo y haz se vuelve mxima. Este fenmeno
recuerda al causado por el campo magntico en la propagacin de los modos del circulador
a ferrita. Para interactuar con el campo elctrico, en este caso aplicaremos un campo
perpendicular, de ah la denominacin de campo cruzado para el tipo de dispositivo. Vemos
en la figura anterior que la presencia del campo RF hace que, de nuevo, se produzca el
fenmeno de agrupamiento, aunque en este caso es un agrupamiento azimutal. El resultado
final es la aparicin de una onda creciente en el sentido de la propagacin, de modo que se
produce la amplificacin.

II.

OSCILADORES DE MICROONDAS

Las tcnicas de diseo de osciladores de menor frecuencia son vlidas en el rango de las
microondas, siempre teniendo en cuenta dos detalles: 1) los dispositivos activos a usar
sern los especficos de estas frecuencias y 2) la ausencia de un elemento fundamental
como es la bobina, hace que se exploren otro tipo de estructuras que cumplan la funcin de
oscilador. Dentro de estas podramos citar los osciladores basados en dispositivos de
Resistencia Negativa: diodos Gunn y diodos Impatt, que basan su funcionamiento en su
capacidad de presentar una resistencia negativa efectiva en sus terminales, con lo que la
teora de circuitos dice que son capaces de generar energa en lugar de disiparla, como
ocurre en las resistencias normales. A estos osciladores, se los denomina como de 2
Terminales.

a) Osciladores Diodos Gunn: Efecto Gunn

Un diodo Gunn es un dispositivo semiconductor, construido preferentemente utilizando
GaAs o InP como unidad monoltica (esto es, el diodo est formado de una sola seccin de
semiconductor, sin incluir junturas o compuertas como en el caso de los diodos bipolares),
pero que internamente es dopado en forma diferencial, presentando mayor presencia de
portadores + n hacia los extremos que hacia el centro.
La principal caracterstica de un diodo Gunn es exhibir una resistencia dinmica negativa,
es decir, a medida que el voltaje aplicado sobre sus terminales aumenta, la corriente que lo
atraviesa disminuye para un cierto rango de
voltajes de entrada.
El principio de funcionamiento del diodo es el
denominado efecto gunn; para que se d este
efecto, el material semiconductor debe tener
una propiedad clave: que tenga dos bandas de
energa muy cercanas en la banda de
conduccin.
Ya sabemos que la estructura de bandas de
energa cuantifica los niveles en los que la
probabilidad de que se encuentre el electrn es
mayor. Son estructuras complejas, como se ve
en la figura para el AsGa, donde en el eje de
abscisas tenemos el vector de onda k y en el de
ordenadas la energa (suma de cintica y
potencial) en electrn-voltios de las bandas de
valencia y de conduccin.
A los dispositivos de efecto Gunn tambin se los
conoce como dispositivos de transferencia de
electrones, por el fenmeno explicado previamente,
fenmeno bsico que explica la utilizacin del
diodo Gunn como oscilador.
Esa transferencia de electrones entre bandas de
movilidad diferente la podemos provocar
simplemente superando con una polarizacin
externa la tensin umbral VT, tal y como vemos en
la figura, para una muestra de semiconductor de
AsGa, dopado uniformemente tipo-n.
Esta zona de resistencia negativa es aprovechada en microondas para generar oscilaciones
autosostenidas. Para lograr este objetivo, el diodo es polarizado con una tensin continua
menor pero cercana al umbral inferior de voltaje de la zona de resistencia dinmica
negativa.

Un diodo Gunn suele complementarse con el uso de cavidades resonantes que permiten
regular su frecuencia de oscilacin y acoplarla a elementos de gua de onda para introducir
dicha seal a un circuito de microondas. Un esquema tpico de montaje de un diodo Gunn
en estas condiciones es el siguiente.

Para conseguir el manejo de tensin y frecuencia de la oscilacin, insertamos el diodo en

paralelo con una cavidad en gua, o su equivalente, un circuito resonante paralelo, y lo
ponemos a trabajar en el modo denominado como LSA (Limited-Space-Charge), en el que
ya podemos conseguir varios vatios de salida y eficiencias del 20%. Valores muy vlidos
como se ve, aunque a partir de 10GHz la potencia va bajando y se consiguen algunos
miliwatts en las proximidades de 100GHz.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200
GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.

b) Osciladores Diodos Impatt

IMPATT: IMPact Ionization Avalanche Transit Time,
es otro tipo de dispositivo, esta vez s, realmente un
diodo como tal porque su construccin se basa en la
tpica de una unin p-n y en un fenmeno bien
conocido en los diodos: el fenmeno de la avalancha,
que se da en las cercanas de la tensin inversa de
ruptura tal como los diodos zener utilizan esa zona de
polarizacin inversa para estabilizar las tensiones o
actuar como limitador.
La zona de ruptura es en la que se produce la corriente de avalancha, un rapidsimo
incremento de la corriente inversa cuando la polarizacin del diodo supera la tensin
umbral. En el caso del diodo IMPATT, las estructuras de dopado pueden ser variadas,
aunque la ms conocida es la del diodo Read, denominado as en honor de la persona- W.
T. Read - que hizo la prediccin en la que se basa el diodo: si la seal RF causa que la
polarizacin del diodo sobrepase la tensin de ruptura, la corriente de avalancha generada
estar 90 desfasada respecto a la tensin RF.
Esto a su vez implicaba que, en esa zona, el diodo deba presentar una resistencia dinmica
negativa y, por tanto, ser til para generar oscilaciones en frecuencias de microondas.
Recordar que es caracterstico de todos los fenmenos de resonancia, que las energas
magntica y elctrica se intercambian entre s mientras dura la oscilacin y esto implica un
desfase de 90 entre tensin y corriente.
De nuevo, como en los diodos Gunn, tenemos un fenmeno de desplazamiento de carga en
el seno del semiconductor, que puede dar lugar a la generacin de una resistencia negativa
equivalente. Para que esto se produzca, hemos dicho que debe haber un desfase de 90 (o
mayor) entre tensin y corriente RF. Habr frecuencias en que la suma de tiempo de
generacin de la avalancha + tiempo de trnsito, producirn ese desfase.
Como en lo visto para los diodos Gunn, los diodos IMPATT se colocan en paralelo con un
circuito resonante - sea gua, microstrip, o coaxial - para que el ruido de ste comience a
producir una excitacin RF inicial, que amplificada por la resistencia negativa del
dispositivo termine por generar oscilaciones estables. Por tanto, los circuitos de aplicacin
de los diodos IMPATT sern muy parecidos a los de los diodos Gunn.
En cuanto a la polarizacin, obviamente cambia pues estamos ante una polarizacin
inversa. En cuanto a las propiedades de los osciladores IMPATT, queda claro que el propio
mecanismo de generacin de la oscilacin, el efecto avalancha afectar negativamente a
uno de los factores importantes: el ruido. Como hemos visto los osciladores IMPATT son
ms ruidosos que los Gunn. Por el contrario su ventaja es que producen mucho ms nivel.

III.

MULTIPLICADORES

Es un tipo de dispositivo muy utilizado en frecuencias de microondas, donde puede ser

interesante partir de un oscilador de ms baja frecuencia, fcilmente sintetizable como se ha
visto en Electrnica de Comunicaciones, para despus multiplicarla por si misma: en
realidad se trata de generar mltiples armnicos y seleccionar el que nos interese. Los
dispositivos que se usan para ejecutar esta funcin pueden ser tanto diodos especficos para
frecuencias altas, de los cuales se aprovecha su respuesta no lineal para la generacin de
armnicos, como los transistores que hemos visto que tambin se pueden colocar en
estructuras y polarizaciones que generan multiplicacin. Est claro que lo que buscaremos
en la multiplicacin es un buen rendimiento, lo que se podr conseguir ms fcilmente con
elementos con ganancia como MESFET, HBT y HEMT.
a) Multiplicadores con diodos: Varactor y Step-Recovery (SRD)
En el caso de los diodos, se pueden ver varios tipos de multiplicadores dependiendo de cul
sea el mecanismo que genera la aparicin de armnicos de la seal inyectada:
- de Resistencia no Lineal: la multiplicacin se puede realizar aprovechando la resistencia
no lineal en la curva de transferencia esttica v-i.
- de Reactancia no lineal: aprovechan la relacin no lineal que hay entre carga q y voltaje v
en los varactores.
- Tipo Step-Recovery o SRD, es un caso especial de los ltimos: la polarizacin del varactor
pasa a ser directa en parte del ciclo, con lo que se produce un mecanismo en la unin que se

asemeja a un rapidsimo conmutador de corriente de portadores minoritarios, que genera un

tren de pulsos con tiempos de subida de pico-segundos esto equivale a un gran generador
de armnicos.

Donde observamos que el conmutador modela el efecto del paso del diodo del modo de
conduccin directo (conmutador cerrado) al inverso (conmutador abierto). Las frecuencias
de funcionamiento del diodo estn limitadas por un lado por el tiempo de vida de los
portadores minoritarios , que ser largo, y por otro por el tiempo de transicin tt, que sera
el tiempo en el que la corriente de conduccin inversa se reduce a cero. Este rpido
decrecimiento es el origen de la gran generacin de armnicos.

IV.

CIRCULADORES

Si a la red de tres puertos general, le ponemos la restriccin de falta de reciprocidad o

simetra, pero con la condicin de la misma banda de frecuencia de trabajo, tendremos un
dispositivo al que denominamos circulador.
El circulador se construye mediante un disco de ferrita colocado debajo de las pistas
conductoras. Se lo utiliza como aislador, sumador y separador de frecuencias. El circulador
se desarrolla sobre un efecto fsico propio de los materiales ferromagnticos.
El fenmeno de resonancia giromagntica permite que la constante de fase de propagacin
de la onda difiera en /2 entre los 2 sentidos de giro.

Una de las aplicaciones ms utilizadas del circulador es como aislador, si terminamos uno
de los accesos con una carga ideal, los otros dos se mantienen aislados en uno de los dos
sentidos y en perfecta conexin en el otro. Es un 2-accesos muy til. Se aplica en casos
donde se quiere mantener el generador a salvo de posibles reflexiones en la carga.

Como 3-accesos la aplicacin ms intuitiva es donde queramos transmitir y recibir seales

simultneamente. Este ltimo caso recibe el nombre de Diplexor de antena.

Los combinadores hbridos utilizan circuladores y uniones hbridas, las cuales son
dispositivos de combinacin que acoplan las seales presentes en sus puertas de entrada
hacia la salida comn introduciendo un elevado aislamiento mutuo entre las seales (2540dB). Tratando de encontrar un compromiso entre los combinadores de cavidades y los
hbridos se utilizan combinadores constituidos por circuladores y cavidades, de forma que
con los circuladores se consigue el aislamiento necesario y las cavidades suplen las uniones
hbridas con una menor prdida de insercin.

El spin de los electrones se mantiene alineado mediante un imn permanente colocado

debajo de la ferrita. Con un diseo adecuado de las pistas se obtiene que la seal que ingresa
por la puerta 1 del circulador se suma en fase sobre la puerta 2 y en contrafase sobre la
puerta 3. Se obtiene en realidad una baja atenuacin (0,2 dB) en la puerta 2 y una alta
atenuacin (25 dB) en la puerta 3.

V.

DIPLEXORES

Son redes de tres accesos, implementadas a partir del mismo concepto que los circuladores.
En este caso, a partir de una diferenciacin por bandas frecuenciales de trabajo. Un diplexor
es un dispositivo de tres puertos que permite que las dos cadenas de radiofrecuencia de un
sistema dual utilicen la misma antena. El esquema de la estructurase ilustra en la figura. Tal
y como se puede observar, est compuesto por dos filtros pasa-banda sintonizados a las
bandas de transmisin y recepcin, y un divisor a modo de elemento de unin entre la

antena y los filtros. Por tanto, el puerto de entrada se corresponder con el puerto comn de
la antena, y los dos puertos de salida con las cadenas receptora y transmisora.

En el modo de transmisin, la seal procedente del amplificador de la cadena transmisora

es filtrada y direccionada al puerto de la antena, aislndola segn prestaciones del filtro
complementario, de la cadena receptora. Paralelamente, en el modo de recepcin, la seal
procedente de la antena es filtrada y direccionada a la cadena receptora, aislndola del
puerto de transmisin. Un nivel de aislamiento insuficiente puede provocar la saturacin
del amplificador debajo ruido de la cadena receptora, debido a la presencia de una seal de
potencia mucho mayor en transmisin. Las bandas Tx y Rx estn separadas en frecuencia,
como en el caso de las VSAT y los sistemas LMDS Down Link/Up Link- con lo que,
adems de los elementos anteriores, podemos ejecutar la funcin con otro sistema: una
combinacin/separacin en base a filtros selectivos en las correspondientes bandas.
Los diplexores incluyen la unidad de sintona y una seccin de filtro de rechazo para cada
frecuencia.

CONCLUSIONES
-

Lo que hemos podido entender es que los amplificadores de potencia

comunes de baja frecuencia no pueden ser utilizados a rangos de
frecuencias muy altos donde se encuentran las microondas. Es por
eso que ya no usamos dispositivos semiconductores, en cambio usamos
dispositivos de tubo de vaco que soportan el orden de los GHz y
THz adems de altos niveles de potencia.

Cuando trabajamos con frecuencias muy altas ya no podemos usar

elementos pasivos como osciladores o generadores de onda, por lo
que en este caso usamos cavidades resonantes con diodos Gunn y
diodos Impatt, de las que usamos sus propiedades de resistencia
negativa.

Hemos conocido de dispositivos muy usados en microondas , nos

referimos a los circuladores y diplexores.