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UNION P-N

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a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego

redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada


applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas


visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com

Diodo de unin PN polarizado


La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un
potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve, se debe
conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el
polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:


Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados
hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la
polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu.
As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la
barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera
de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de
la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa
aplicada a dicha unin.

La ley de Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos


estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se
debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta


impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del
estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs,
tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la
tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para
volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo,
todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I
(Punto A).

Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo,


pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del
esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una
positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de
polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de
unin.
Este esquema se situa en la parte superior derecha del
applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo
"click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de
tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y
una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los


parmetros del circuito presionando el botn
del panel superior con el texto "Parmetros
ciscuito". Al presionarlo aparecer una
ventana con tres campos editables donde se
pueden introducir los valores numricos
deseados para la tensin directa (VF), la
tensin inversa (VR) y la resistencia de
polarizacin (R). Tras introducir los nuevos
valores es necesario pulsar el botn
"Aceptar" de la ventana de los parmetros del
circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas
que varan en el tiempo y donde se
representan los parmetros ms importantes
que controlan el comportamiento del diodo.
La primera grfica representa la tensin
seleccionada en el circuito; la segunda la
corriente que circula por el diodo; la tercera
la carga acumulada en las zonas neutras del
diodo (aplicando la aproximacin de diodo
asimtrico) y la ltima grfica es la tensin
que cae en bornas del diodo. Esta cuatro
grficas se van actualizando en el tiempo y se
irn desplazando hacia la derecha conforme
avance el tiempo.

En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones
literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los
minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se
muestran las mismas pero sustitutendo cada variable por al valor actual que tiene en la
simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican
por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el
tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se nuestran los valores intantneos para estas
funciones temporales.