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UNIDAD I

ELECTRNICA ANALGICA
1.1 Caractersticas de los semiconductores.
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de
corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al
movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen
corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas
(huecos). Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la
Tabla Peridica (Silicio, Germanio,etc) . Generalmente a estos se le introducen tomos
de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba
primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza
introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando
sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Fig. 1.1. ---Disposicin esquemtica de los tomos de un serniconductor de silicio


puro, No existen electrones ni huecos libres
La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos
observarla en la figura 1.1, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta
de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los
electrones de conduccin de cada uno de ellos, son cornpartidos por los cuatro tomos
vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura 1.2, en la
cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se
comporta como un aislante.

Fig 1.2. ---El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose
un cierto nmero de electrones.
En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes
uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como
consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente
se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos
tomos de silicio se representa por un crculo.
La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente
Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto
abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del
tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.
Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en
su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el
electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste.
Semiconductores Intrnsecos o puros, Impurezas dadoras o donadoras e Impurezas
aceptadoras.
Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen
son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de
impureza.
Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea
cantidad de tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc). se transforma en un
semiconductor impuro.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras.
Si a la estructura del semiconductor de silicio se le aade alguna impureza, como puede
ser el arsnico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al ncleo con carga
positiva +5.
Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los
correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar
inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de
corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los
denomina donadores o del tipo n.

En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de


electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el
semiconductor
puro.
La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres
llena algunos de los huecos existentes.
Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga
tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de
silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean
huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de
aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en
un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los
electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras,
se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los
electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minontarios.
En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones
portadores minoritarios.
1.1.1 Silicio.
El tomo de silicio tiene 14 electrones en varias rbitas. Una unin de tomos
fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unin covalente.
El silicio es un elemento qumico no metlico situado en el grupo 14 de la tabla
peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos.
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando
una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que
son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal
forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:

Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve en la
figura.
La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que
quedan (aunque sean compartidos ) con cada tomo, gracias a esta caracterstica los
enlaces covalentes son de una gran solidez.
Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente
unidos en los tomos.

El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren


dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se
puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro electrn, etc...

A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones


libres.

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo


entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".
Enlace covalente roto: Es cuando tenemos
un hueco, esto es una generacin de pares
electrn libre-hueco.

Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente como


contraria a la direccin de los electrones libres.

Resumiendo: Dentro de un cristal en todo momento ocurre esto:


Por la energa trmica se estn creando electrones libres y huecos.
Se recombinan otros electrones libres y huecos.
Quedan algunos electrones libres y huecos en un estado intermedio, en el que
han sido creados y todava no se han recombinado.
1.1.2 Germanio.

El tomo de germanio tiene 32 electrones en rbita


A continuacin se presentan las orbitas del germanio y el silicio.

Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con
carga + 4 y 4 electrones de valencia.

2.1.3 Materiales tipo p y n


Obtencin de semiconductores (tipo p y tipo n)
Los niveles de energa definidos y discretos permitidos a los electrones de
tomos individuales se ensanchan hasta convertirse en bandas de energa cuando los
tomos se agrupan densamente en un slido. La anchura y separacin de esas bandas
definen muchas de las propiedades del material.
Por ejemplo, las llamadas bandas prohibidas, en las que no pueden existir
electrones, restringen el movimiento de stos y hacen que el material sea un buen
aislante trmico y elctrico. Cuando las bandas de energa se solapan, como ocurre en
los metales, los electrones pueden moverse con facilidad, lo que hace que el material sea
un buen conductor de la electricidad y el calor. Si la banda prohibida es estrecha,
algunos de los electrones ms rpidos pueden saltar a la banda de energa superior: es lo
que ocurre en un semiconductor como el silicio. En ese caso, el espacio entre las bandas
de energa puede verse muy afectado por cantidades minsculas de impurezas, como
arsnico. Cuando la impureza provoca el descenso de una banda de energa alta, se dice
que es un donante de electrones, y el semiconductor resultante se llama de tipo n.
Cuando la impureza provoca el ascenso de una banda de energa baja, como ocurre con
el galio, se dice que es un aceptor de electrones. Los vacos o huecos de la estructura
electrnica actan como si fueran cargas positivas mviles, y se dice que el
semiconductor es de tipo p.
Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adiccin de un
nmero predeterminado de tomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se
crea a travs de la introduccin de elementos de impureza que poseen cinco electrones
de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo.
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o
de silicio con tomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los
elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e
indio.
Aplicaciones de los semiconductores (tipo p y tipo n)
Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera
elctrica. Los ltimos avances de la ingeniera han producido pequeos chips
semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho
posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos. La
aplicacin ms eficiente de este tipo de chips es la fabricacin de circuitos de
semiconductores de metal-xido complementario o CMOS, que estn formados por
parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo circuito. Adems, se estn
fabricando dispositivos extremadamente pequeos utilizando la tcnica epitaxial de haz
molecular, como:
Circuito integrado, pequeo circuito electrnico utilizado para realizar una
funcin electrnica especfica, como la amplificacin. Se combina por lo general con
otros componentes para formar un sistema ms complejo y se fabrica mediante la
difusin de impurezas en silicio monocristalino, que sirve como material
semiconductor, o mediante la soldadura del silicio con un haz de flujo de electrones.

La integracin a mayor escala puede producir un chip de silicio con millones de


elementos. Los elementos individuales de un chip se interconectan con pelculas finas
de metal o de material semiconductor aisladas del resto del circuito por capas
dielctricas. Para interconectarlos con otros circuitos o componentes, los chips se
montan en cpsulas que contienen conductores elctricos externos. De esta forma se
facilita su insercin en placas. Durante los ltimos aos la capacidad funcional de los
circuitos integrados ha ido en aumento de forma constante, y el coste de las funciones
que realizan ha disminuido igualmente. Esto ha producido cambios revolucionarios en
la fabricacin de equipamientos electrnicos, que han ganado enormemente en
capacidad funcional y en fiabilidad. Tambin se ha conseguido reducir el tamao de los
equipos y disminuir su complejidad fsica y su consumo de energa. La tecnologa de los
ordenadores o computadoras se ha beneficiado especialmente de todo ello.
2.2 Dispositivos semiconductores.
Los materiales semiconductores el diodo, el transistor y muchos otros
componentes electrnicos estn hechos con materiales semiconductores. Los ms
utilizados son el silicio y el germano.
Semiconductores de tipo P. Se obtienen al aadir impurezas como el boro o el
indio. Tienen gran tendencia a captar electrones.
Semiconductores de tipo N. Se obtienen al aadir impurezas como el fsforo y el
antimonio. Tienen gran tendencia a captar electrones.
Un diodo es un componente electrnico que permite el paso de la corriente en un
sentido y lo impide en el contrario. Esta provisto de dos terminales, el nodo (+) y el
ctodo (-) y, por lo general conduce la corriente en el sentido nodo- ctodo.
La polarizacin directa se produce cuando el polo positivo del generador elctrico
se une al nodo del diodo y el polo negativo se une al ctodo. En este caso el diodo se
comporta
como
un
conductor
y
deja
pasar
la
corriente.
La polarizacin inversa se produce cuando el polo positivo del generador elctrico
se une al ctodo del diodo y el negativo al nodo. En este caso el diodo no permite el
paso de la corriente.
2.2.1 Diodos.
Diodos LED. Es un tipo de diodo que convierte en luz toda la energa elctrica
que le llega, sin calentarse. Los diodos LED estn polarizados es decir solo iluminan
cuando estn conectados correctamente al generador de corriente. Los LED funcionan
con intensidad comprendida entre 10 y 20 mA. Para evitar que se fundan suelen
conectarse en serie con una resistencia.
El diodo es un dispositivo electrnico, el ms sencillo de los dispositivos
semiconductores, pero desempea un papel muy importante en los sistemas
electrnicos. Con sus caractersticas, que son muy similares a las de un interruptor
sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las ms
sencillas a las ms complejas.

De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la


flecha en el smbolo, y actuar como un circuito abierto en cualquier intento por
establecer corriente en direccin opuesta.
Las caractersticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede
conducir corriente en una sola direccin.

Estado de conduccin de un diodo ideal

Estado de no conduccin de un diodo ideal

EJEMPLO DE DIODOS
Determine la tensin V0 en el siguiente circuito, utilizando un
modelo ideal para el diodo.
v0 Comenzaremos suponiendo que el diodo opera en zona
directa. Teniendo en cuenta que el diodo ideal ser entonces
equivalente a un cortocircuito, pasamos a sustituir el
equivalente y resolver el circuito resultante

iD __5 6__ = -0.5mA


1k + 1k
v0 = -0.5 mA 1k + 6V = 5.5 V
vD = 0, pero no se cumple iD > 0 El diodo no est ENCENDIDO
La Solucin no es correcta

Dado que no se verifica que el estado supuesto sea correcto, debemos considerar que el
diodo opera en zona inversa. De esta forma:

iD = 0 v0 = 5 V
vD = 5V 6V = -1V
iD = 0, y se cumple vD 0 El diodo est APAGADO
La Solucin es correcta
1.2.2 Transistor.
Un transistor es un componente elctrico que se emplea para dos cosas:
Pueden utilizarse como interruptor, bloqueando o dejando pasar corriente a travs del
colector.
Puede utilizarse como amplificador. Consta de tres partes: el emisor, el colector
y la base.
Un transistor est constituida por dos zonas: 1.- Dos N separadas por una P
(transistor NPN), esta disposicin proporciona al conjunto unas propiedades
particulares, en especial amplificadoras. 2.- Dos P separadas por una N (transistor PNP),
permiten actuar sobre la intensidad de la corriente electrnica que pasa entre dos
cristales semiconductores del mismo tipo, por medio de un electrodo metlico aislado
por una delgada capa de xido. Un transmisor se emplea, sobre todo, como amplificador
y tambin en ordenadores, como interruptor rpido de la corriente.

Transistores
Elementos de un transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor


es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la


equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su
labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

Caractersticas de los Transistores:

El consumo de energa es relativamente baja.

El tamao de los transistores es relativamente ms pequea que los tubos de


vaco.

El peso.

Una vida larga til (muchas horas de servicio).

Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

No necesita tiempo de calentamiento.

Resistencia mecnica elevada.

Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad


(fenmenos sensibles a la luz).
Aplicaciones
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de
radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de
alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de
impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
EJEMPLO DE TRANSISTORES

Para la configuracin del siguiente transistor, en la que se proporciona VB y VBE.

a.
b.
c.

d.

Determine el voltaje VE y la corriente IE.


Calcule V1
Determine VBC utilizando el hecho de que la aproximacin I C = IE se aplica, por
lo general, a redes de transistores.
Calcule VCE utilizando la informacin obtenida de los incisos (a) al (c).

Soluciones:
a. A partir de la figura 7.20 se encuentra:
V2 = VB = 2 V
Escribiendo la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo menot tenemos:
V2 VBE VE = 0
o bien VE = V2 VBE = 2 V 0.7 V = 1.3V
e

IE = _VE _= __1.3 V__ = 1.3 mA


RE
1000
b. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al lado de entrada (regin izquierda de la red)
se tendr como resultado:
V2 + V1 VCC = 0
y

V1 = VCC V2

pero
y

V2 = VB
V1 = VCC V2 = 22 V 2 V = 20 V

c. Al volver a trazar la seccin de la red de inters inmediato se obtendr la siguiente


figura, donde la ley del voltaje de Kirchhoff genera:

y
pero
y

VC + VRC VCC = 0
VC = VCC VRC = VCC ICRC
IC = I E
VC = VCC IERC = 22 V (1.3mA)(10K )
=9V

Entonces

VBC = VB VC
=2V9V
=-7V

d. Calcule VCE utilizando la informacin obtenida de los incisos (a) al (c).


VCE = VC - VE
= 9 V 1.3 V

2.2.3 Tiristores
Introduccin

Vamos a ver que ocurre si unimos dos transistores de diferente polaridad, pero
uniendo sus cristales de igual constitucin entre s del modo que vemos en la imagen.

Nos queda como un transistor al que se le ha aadido un cristal ms de igual


polaridad al de la base. Pero tambin podramos interpretar este elemento como dos
diodos, colocados uno a continuacin del otro; sin embargo, la presencia de una
conexin de base en el cristal P dara unas cualidades muy particulares a esta nueva
unin de materiales semiconductores. Vamos a llamar nodo (A) al lugar que
corresponde a la entrada de la corriente; ctodo (K) al lugar de salida y electrodo de
gobierno o puerta (G) a la entrada de esta corriente de base que proporciona especiales
caractersticas a nuestro nuevo elemento.
Desde el punto de vista electrnico vemos que este elemento se comporta como
un diodo rectificador pero con especiales condiciones. Por ejemplo, si le aplicamos una
pequea tensin de nodo a ctodo, la corriente no circula ni siquiera como
normalmente lo hara un diodo; si le invertimos la polaridad se bloquea tambin y la
corriente no pasa. Pero si aumentamos la tensin por medio, por ejemplo, de una
resistencia variable potenciomtrica, al alcanzar una determinada tensin este elemento
se hace conductor en su sentido de paso, y se convierte en no conductor de nuevo si la
tensin baja de determinados y muy precisos lmites. Esta caracterstica hace que pueda
interpretarse como un interruptor que se conecta a si mismo cuando la tensin aplicada
en sentido de paso alcanza cierto valor.
Esta caracterstica va a ser muy importante y va a dar a este elemento muchas
posibilidades de utilizacin en electrnica.
A este tipo de unin, se le da el nombre de diodo rectificador controlado de
silicio, y se presenta a veces en los esquemas con las letras SCR (silicn controlled
rectifier), pero resulta ms corriente denominarle tiristor.
Funcionamiento
Siguiendo la primera imagen se supone que entre nodo y ctodo no existe
tensin alguna as como entre el electrodo de gobierno, o puerta y el ctodo por lo que
existen ciertas zonas desprovistas de cargas, bien definidas, en cada una de las uniones
PN, y sealadas como J1, J2, J3. Si se aplica una tensin entre nodo y ctodo siendo el
nodo positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 se polarizan en sentido
directo y se hacen ms estrechas, mientras que la unin J2 se polariza en sentido

inverso, y su zona de agotamiento se hace ms ancha, tal como se puede ver en la


segunda imagen. En estas condiciones no pasa prcticamente corriente (salvo la
consabida e insignificante corriente de fuga).

As pues, aqu tenemos la misma sorpresa: Si este nuevo elemento que acabamos
de montar se comportara como los diodos colocados en serie, es evidente que el paso de
la corriente se debera producir, pues equivaldra al paso de uno y otro diodo
sucesivamente; pero al encontrarse el material semiconductor unido entre si en sus
diferentes clases, ocurre que esta previsin no se cumple y se crea, como decamos, una
zona de resistencia en J2 que hace que este elemento se encuentre bloqueado en sentido
directo.
Hemos dicho que en realidad lo que se ha hecho no es juntar dos diodos, uno
despus del otro, sino ms bien juntar dos transistores de modo que el esquema de este
elemento sera algo as como lo que se ve en la tercera imagen, en donde cada transistor
conserva de algn modo sus caractersticas y, evidentemente, nos queda un cristal al que
le sale un electrodo al que hemos al que hemos llamado antes puerta (G).

Pues bien: veamos que ocurre si manteniendo la misma fuente de tensin entre
nodo y ctodo que vimos en la primera imagen, le aplicamos un impulso positivo en el
mismo electrodo de puerta, tal como se ve en la cuarta imagen. Ahora vemos que la
corriente pasa a travs de la unin J3 polarizada en sentido directo, del ctodo hacia la
puerta o electrodo de gobierno, tal como ocurrira en un transistor NPN. Las tres
regiones inferiores compuestas por los cristales N2, P2 y N1 se pueden considerar como
un transistor NPN en el cual P2 constituye la base; N1 el colector, y N2, el emisor.

La corriente electrodo de gobierno-ctodo equivale a la corriente emisor-base de


un transistor, y por el efecto transistor parte de la corriente de emisor atraviesa la unin
J2 y pasa al colector. El flujo de electrones a travs de la unin J2 es causa de la regin
de agotamiento se estreche y que, por lo tanto, su resistencia se reduzca.

Como consecuencia de todo lo expuesto la proporcin de la tensin nodoctodo que aparece en la unin J2 disminuye, lo cual permite que aumente la tensin de
las uniones J1 t J3. La polarizacin directa de J1 aumenta y un cierto nmero de huecos
atraviesa la unin, lo cual se ve representado mediante la flecha blanca en la quinta
imagen.

Las regiones P1, N1 y P2 pueden a su vez ser consideradas como un transistor


PNP, por lo que , debido al efecto del transistor normal, algunos de los huecos del
emisor P1 fluyen hacia el colector P2 a travs de la base N1 (flecha blanca en la sexta
imagen). Este ltimo flujo de huecos a travs de la unin J2 hace que su anchura se
reduzca an ms y, por consiguiente, aumenta el flujo de electrones en el transistor
formado por las regiones N2, P2 y N1.
Este efecto acumulativo, iniciado por el impulso positivo aplicado entre
electrodo de gobierno y ctodo, contina rpidamente hasta que la unin J2 desaparece
del todo, con lo cual la resistencia efectiva nodo-ctodo del tiristor se hace muy
pequea y puede circular a travs de l una corriente directa de gran intensidad.

El tiristor permanece en estado de conduccin incluso despus de desaparecer el


impulso positivo entre electrodo de gobierno-ctodo que lo hizo pasar al estado de
conduccin. En la prctica, un pequeo impulso positivo aplicado al electrodo de
gobierno, de pocos voltios de amplitud, es suficiente para desbloquear el tiristor. Sin
embargo, la duracin del impulso ha de ser lo suficientemente larga para lograr con ello
que la corriente andica alcance un determinado valor mnimo de mantenimiento antes
de que desaparezca el impulso.
El bloqueo del tiristor slo puede conseguirse reduciendo la tensin nodoctodo por debajo de su nivel de mantenimiento, lo cual se consigue normalmente
reduciendo la tensin nodo-ctodo a cero.
Curvas caractersticas del Tiristor
Para comprender mejor la explicacin dada hasta este momento sobre el
funcionamiento del tiristor, ser conveniente que veamos la curva caracterstica de este
componente, al igual que hicimos en la seccin del diodo con dicho semiconductor, ya
que esta curva nos va a aclarar posibles dudas sobre el modo de comportarse el tiristor.
Esta curva la podemos ver en el grfico como un tiristor imaginario, que
podemos comparar, para la mejor comprensin, con la curva caracterstica del diodo.
Ahora, vemos representadas en primer lugar las caractersticas que presenta el tiristor en
estado de paso de corriente directa. Hay inicialmente, una caracterstica de bloqueo en
el momento del paso de la corriente en sentido directo, que viene representado por toda
la lnea A. Aqu crece la tensin directa sin que el tiristor permita el paso de la corriente.
Pero cuado esta alcanza un determinado punto conocido con el nombre de tensin de
operacin, el tiristor permite el paso de la corriente en sentido directo, lo que se
representa por la lnea ascendente B.

Ahora
la
corriente
de
paso
directo
es
elevada.
Cuando la corriente directa desciende de valor se mantiene hasta la llamada corriente de
retencin o corriente de mantenimiento (C), por debajo de la cual se interrumpe el paso
de la corriente en sentido directo.
En el sentido inverso, el tiristor se comporta como un diodo normal, es decir,
impidiendo el paso de la corriente, aunque posee, al igual que el diodo Zener, un
acodamiento en la curva caracterstica a la cual, no obstante y en servicio normal, no
suele llegarse.

De acuerdo con lo dicho, vemos que el tiristor de un modo parecido a un diodo


normal si no fuera por la 'falla' que se produce en su curva caracterstica los puntos OC-D, como se ve en el segundo grfico en donde la corriente debe sufrir como un
disparo para conseguir el paso en el sentido directo. En realidad, cuando la tensin entre
nodo y ctodo crece a partir de cero (ahora nos referimos a una tensin nula entre
electrodo de gobierno y ctodo) el punto representativo se desplaza por la curva O-C
hasta obtener el valor V2 de la tensin con un valor de intensidad muy dbil. En el
momento de llegar a V2 la conduccin en sentido directo aparece bruscamente, de modo
instantneo, entre C-D de forma que aqu se mantiene la misma intensidad, pero para
una tensin muy inferior. Si la tensin aumenta el paso de la corriente aumenta tambin
pero muy rpidamente a travs de la curva D-B, con fuertes intensidades para tensiones
muy pequeas.

Para un mejor conocimiento final del tiristor vamos a hacer un resumen de su


manera de actuar.
Para ello vamos a considerar las tres posibilidades que se le presentan y que son:
a) sin tensin en el electrodo de gobierno.
b) con tensin alterna entre nodo y ctodo.
c) con tensin positiva aplicada al electrodo de gobierno.
a) El funcionamiento es el explicado anteriormente y corresponde al trazo grueso de la
curva del ltimo grfico. En resumen podemos decir:
Si el valor de la tensin se mantiene a la izquierda del punto V1 existe una avalancha
tipo Zener en sentido inverso; pero si la tensin se mantiene entre V1 y O solamente
puede existir una ligera corriente de fuga en sentido inverso de valor despreciable.
Entre O y V2 no hay corriente de paso directo (salvo una despreciable corriente de
fuga).
En el punto V2 se produce el cebado y el tiristor permite el paso de grandes corrientes
por D-B. Para que el aso de la corriente se interrumpa se precisa que la intensidad baje
por debajo de los valores de la corriente de mantenimiento (I1) que corresponde a los
puntos D-C. En este momento el tiristor se bloquea instantneamente.
b) El tiristor es ante todo es un diodo rectificador de modo que se utiliza tambin
formando parte de puentes de diodos rectificadores en los alternadores. Dadas las

caractersticas expuestas hasta ahora cabe preguntarse: Cmo acta este elemento
frente a una corriente alterna que aplica, por consiguiente una tensin alterna entre
nodo y ctodo en donde las tensiones estn comprendidas entre V1 y V2? La respuesta
es sencilla. Se comporta como un diodo normal porque al llegar la tensin a V2 cierra el
circuito y se hace pasante.
c) Si la tensin positiva se aplica al electrodo de electrodo el circuito O-C-D queda
sustituido por O-C1-D1, de modo que se modifica sus caractersticas de disparo a la
corriente directa. Pero segn el valor de las tensiones sobre el electrodo de disparo se
tendran valores como O-C2-D2 o bien O-C3-D3, etc. De ello se deduce que el cebado
producido para el paso de la corriente directa es permitido o facilitado por la existencia
de una tensin e el electrodo de gobierno. Esta nueva faceta del tiristor ser tambin de
gran inters ara muchas de sus aplicaciones.
Variedad de Tiristores
Los tiristores se pueden dividir en tiristores de mando y tiristores de potencia al
igual que ocurre con los transistores.
Tambin se puede distinguir por su estructura, pues pueden estar fabricados del
tipo PNPN o tambin NPNP. En el caso de su estructura conviene aclarar que tanto en el
caso PNPN como NPNP el nodo siempre est fijado a un cristal P y el ctodo al cristal
N, pero el electrodo de gobierno es positivo en el primer caso y negativo en el segundo.
Los tiristores con el electrodo de gobierno en P, tal como son los que hemos estudiado
hasta ahora, son los ms corrientes; pero los que llevan el electrodo de gobierno en N
reciben el nombre de complementarios, en las dos variantes ms corrientemente
utilizadas.
Cdigo de designacin de los diodos semiconductores controlados (Tiristores)
Para finalizar veamos el cdigo que se utiliza para distinguir las caractersticas
de los diodos controlado. De manera parecida a como ocurre con otros semiconductores
que hemos estudiado en otras secciones, su interpretacin es como sigue:
La primera letra siempre es una B, que indica que se trata de un semiconductor
realizado con silicio.
La segunda letra puede ser una R o una T. La R indicar que se trata de un
dispositivo de control y conmutacin disparado electrnicamente, con una caracterstica
de ruptura y una resistencia trmica entre la unin y la base de montaje mayor de 15
por W. Si la segunda letra es una T, indica que se trata de un dispositivo de potencia
para control y conmutacin disparado elctricamente, que tiene una caracterstica de
ruptura y una resistencia trmica entre la unin y la base de montaje igual o menor de
15 por W.
El nmero de serie est formado por tres cifras para los dispositivos
semiconductores diseados para aplicacin en aparatos de uso domstico, o por una
letra y dos cifras para los dispositivos semiconductores diseados para equipos
profesionales.

Finalmente, el cdigo se complementa con un sufijo, separado del cdigo


principal por un guin, y que est compuesto por unas cifras indicativas de la tensin
inversa mxima de cresta.
En el caso de dispositivos semiconductores controlados en los que el nodo est
conectado a la cpsula (polaridad inversa), se aade detrs del cdigo complementario
la letra R.
Existe gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en
comn: son dispositivos de estado solid que se disparan bajo ciertas condiciones
pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se mantiene
mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado
niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias
capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se
realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante una reaccin
regenerativa , conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de
disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin
y corriente .Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho mas tiles que los
conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad , duracin y velocidad. Estos
dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DC-AC o ACDC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc.

2.3 Aplicaciones con semiconductores


Sin lugar a dudas, el estudio de las propiedades fsicas de los materiales
semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el desarrollo tcnico de
dispositivos elctricos, representan una de las revoluciones cientfico-tecnolgicas de
mayor impacto sobre nuestra sociedad. Para tener una idea de la real magnitud de esta
revolucin pensemos por un momento en los transistores, probablemente la aplicacin
tecnolgica ms importante de los semiconductores. Cualquier habitante del mundo
moderno se encuentra rodeado cotidianamente por millones de transistores. Estn en el
televisor, en el equipo de msica, en la mquina de lavar, en el reloj de pulsera, en el
telfono celular. Un computador personal puede llegar a tener algunos miles de millones
de transistores. De hecho, en el mundo existen muchos ms transistores que personas.
Pero, naturalmente, una cosa es usar esta tecnologa y otra muy distinta es entender
como opera. Este ltimo es el objetivo que persigue este breve artculo. Sin embargo,
dada la naturaleza altamente especializada del tema y el reducido espacio disponible
para desarrollarlo, siempre que sea posible dejaremos de lado las consideraciones de
carcter tcnico que obligaran a extender la discusin ms all de lo pertinente.
2.3.1 Rectificadores
En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la
corriente alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores,

ya sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas como


las de vapor de mercurio.
Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que
emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la
red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases.
Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando solo se
utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos
semiciclos son aprovechados.
El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda,
constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.

Rectificador de media onda


El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte
negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en
corriente continua de salida (Vo).
Es el circuito ms sencillo que puede construirse con un diodo.

Anlisis del circuito (diodo ideal)


Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una nica direccin,
la correspondiente a la polarizacin directa, y no conducen cuando se polarizan
inversamente.

Polarizacin directa (Vi > 0)


En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restriccin. Los voltajes
de salida y entrada son iguales y la intensidad de la corriente puede fcilmente
calcularse mediante la ley de Ohm:
Vo=Vi

Polarizacin inversa (Vi < 0)


En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensin de
salida es nula, al igual que la intensidad de la corriente:
Vo = 0
I=0

Tensin rectificada
Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones
de entrada y salida, tiene dos tramos: para tensiones de entrada negativas la tensin de
salida es nula, mientras que para entradas positivas, las tensiones son iguales. El
resultado es que en la carga se ha eliminado la parte negativa de la seal de entrada.

Rectificador de onda completa


Circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi)
en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media
onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte

positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o


negativa de corriente continua.
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente
de Graetz).

Rectificador con dos diodos.


En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse
simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que
estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrar polarizado
inversamente y el otro directamente. La tensin de entrada (Vi) es, en este caso, la mitad
de la tensin del secundario del transformador.

Tensin de entrada positiva.


El diodo 1 se encuentra en directa (conduce), mientras que el 2 se encuentra en
inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada. El diodo 2 ha de
soportar
en
inversa
la
tensin
mxima
del
secundario.

Tensin de entrada negativa.


en inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada pero de
signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensin mxima del secundario.

Puente de Graetz o Puente Rectificador


En este caso se emplean cuatro diodos con la disposicin de la figura. Al igual
que antes, slo son posibles dos estados de conduccin, o bien los diodos 1 y 3 estn en
directa y conducen (tensin positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se
encuentran en directa y conducen (tensin negativa).
A diferencia del caso anterior, ahora la tensin mxima de salida es la del
secundario del transformador (el doble de la del caso anterior), la misma que han de
soportar los diodos en inversa, al igual que en el rectificador con dos diodos.
Esta es la configuracin usualmente empleada para la obtencin de corriente
continua

Tensin rectificada.
Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones
de entrada y salida, tiene dos tramos: para tensiones de entrada positivas las tensiones
de entrada y salida son iguales, mientras que para tensiones de entrada negativas, ambas
son iguales pero de signo contrario. El resultado es que en la carga se ha eliminado la
parte negativa de la seal de entrada trasformndola en positiva. La tensin mxima en
el circuito de salida es, para igual tensin del secundario del trasformador:
Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos.
Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz.

2.3.2

Amplificadores

Redes de acoplamiento.
Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es
necesario conectar, o acoplar, los transistores entre s. Existen muchas formas comunes
de lograr esta interpretacin entre amplificadores. En las siguientes secciones se
analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico.
Acoplamiento directo
Dos amplificadores estn acoplar es directamente si la salida del primer
amplificador se conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar
capacitores. La salida en ca de la primera etapa est superpuesta con el nivel de cd
esttico de la segunda etapa. El nivel de cd de la salida de la etapa anterior se suma al
nivel de cd de polarizacin de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los
niveles de polarizacin, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensin
de
cd
en
lugar
de
una
fuente
de
Vcc
sencilla.
El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar en
amplificador EC a uno ES. El amplificador acoplado directamente tiene una buena
respuesta en frecuencias pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es
decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la seal de salida en baja frecuencia.
Acoplamiento capacitivo
Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd
de la primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el
componente de cd de la seal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarizacin
de la siguiente. Para asegurar que la seal no cambie de manera significativa por la
adicin de un capacitor, es necesario que est se comporte como cortocircuito para todas
las frecuencias a amplificar.

Acoplamiento por transformador

Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este
tipo de acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican seales de alta
frecuencia. Los transformaciones son ms costosos que los capacitores, aunque sus
ventajas pueden justificar el costo adicional. A travs de una eleccin adecuada de la
razn de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de
tensin o bien la de corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida de el
amplificador vez potencia, en transformador se utiliza para aumentar la ganancia de
corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso de un transformador. Por
ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se convierta
en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y atena las frecuencias
que quedan fuera de la banda requerida).
Acoplamiento ptico
Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento ptico de circuitos electrnicos.
Estas aplicaciones se pueden clasificar como sigue:
-Dispositivos
sensibles
a
la
luz
y
emisores
de
luz.
-Detectores y emisores discretos para sistemas de fibra ptica.
-Mdulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la
luz.
- Aisladores /acopladores que transmiten seales elctricas sin conexiones elctricas.
2.3.3

Conmutadores

Un conmutador de circuitos es un elemento que establece una asociacin entre


una entrada y una salida que perdura en el tiempo.
Conmutador por barrera

Este circuito detecta presencia al ser interrumpido el haz de luz que cae sobre la clula
LDR, el potencimetro de 10 k se usa para la sensibilidad necesaria de activacin,
La impedancia del rel no debe ser inferior a 60 .
Funcionamiento: Al no recibir luz la fotorresistencia LDR, el transistor se satura y
activa el rel.
Alimentacin:
V max: simple 6V DC
I max: 0.1A
Conmutador por contacto

Conmutador por contacto basado en transistores Mosfet.


Alimentacin :
V max: simple 12V DC
I max: 0.1A
Componentes:
R1 10 M
R2 56 k
R3 100 k
R4 470

C1 10 F

Q1 HEP801
Q2 HEP50
Q3 HEP51

Conmutador por falta de luz

Este circuito es un interruptor que se activa por falta de luz en un LDR.


Alimentacin:
V max: simple 12V DC
I max: 0.1A

Conmutador por luz

El funcionamiento es mas que simple, cuando la resistencia del fototransistor


supera los 680 k las entradas de la puerta permanecen en estado bajo, estando su
salida en estado alto (por ser inversora). Las otras puertas vuelven a invertir el estado
quedando bajo. Al estar baja la base del transistor la carga que se conecte permanece
apagada. Mientras mas se ilumine el foto transistor menor ser su resistencia y cuando
esta supere los 680 k la puerta quedar con sus entradas en alto, quedando baja su
salida y por ende alta la base del transistor, lo que acciona la carga.
Alimentacin:
V max: simple 12V DC
I max: 0.1A

Conmutador por ruido

Interruptor accionado por ruido. Los contactos del rele se pueden utilizar para
excitar cualquier carga, siempre que no se exceda los parmetros del rele.
Alimentacin:
V max: simple 12V DC
I max: 0.1A

Componentes:

R1 1.5 M
R3 3.9 k
R4 150 k
R5 18 k
R6 560
R8 10 k
R9 1 k
P1 5 k potencimetro

C1 100 F
C2 1 F
C3 10 F
C4 10 F
C5 1 F
C6 1 F

D1 1N4007
Q1 HEP801
Q2 HEP50

2.3.4

Fuentes de poder

Las primeras fuentes de poder eran lineales. Un transformador que reduca la


tensin de entrada de 220vac a otra tensin seguida de un puente de diodos y algn
filtro para estabilizar la salida.

El inconveniente de las fuentes lineales es su gran tamao, que disipan gran


parte de la energa en calor. Consecuentemente la vida de los componentes elctricos
que pueda incorporar o estar cercanos se ve mermados por ese incremento.
Qu es una fuente de poder?

Una fuente de alimentacin es un dispositivo que nos convierte corriente alterna


a corriente continua. La mayora de dispositivos electrnicos necesitan una fuente de
energa estable, consistente y pura para funcionar correctamente.
Las caractersticas e importancia de la fuente de alimentacin son la capacidad
de regulacin del circuito, el voltaje de salida mximo, la corriente mxima
proporcionada por el circuito y el nivel de rizo que presenta la salida.

Componentes de una fuente de poder


1.- Transformador de entrada

Reduce la tensin de red (generalmente 220 o 120 V) a otra tensin mas


adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar con corrientes alternas.
Esto quiere decir que la tensin de entrada ser alterna y la de salida tambin.
Consta de dos arroyamientos sobre un mismo ncleo de hierro, ambos arroyamientos,
primario y secundario, son completamente independientes y la energa elctrica se
transmite del primario al secundario en forma de energa magntica a travs del ncleo.
La corriente que circula por el arrollamiento primario (el cual esta conectado a
la red) genera una circulacin de corriente magntica por el ncleo del transformador.
Esta corriente magntica ser ms fuerte cuantas mas espiras (vueltas) tenga el
arroyamiento primario. Si acercas un imn a un transformador en funcionamiento
notars que el imn vibra, esto es debido a que la corriente magntica del ncleo es
alterna, igual que la corriente por los arroyamientos del transformador.
En el arroyamiento secundario ocurre el proceso inverso, la corriente magntica
que circula por el ncleo genera una tensin que ser tanto mayor cuanto mayor sea el
nmero de espiras del secundario y cuanto mayor sea la corriente magntica que circula
por el ncleo (la cual depende del numero de espiras del primario).
2.- Rectificador a diodos

El rectificador es el que se encarga de convertir la tensin alterna que sale del


transformador en tensin continua. Para ello se utilizan diodos.
Un diodo conduce cuando la tensin de su nodo es mayor que la de su ctodo.
Es como un interruptor que se abre y se cierra segn la tensin de sus terminales. El
rectificador se conecta despus del transformador, por lo tanto le entra tensin alterna y
tendr que sacar tensin continua, es decir, un polo positivo y otro negativo.
3. El filtro

La tensin en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de pulsos.


En un ciclo de salida completo, la tensin en la carga aumenta de cero a un valor de
pico, para caer despus de nuevo a cero. Esta no es la clase de tensin continua que
precisan la mayor parte de circuitos electrnicos. Lo que se necesita es una tensin
constante, similar a la que produce una batera. Para obtener este tipo de tensin
rectificada en la carga es necesario emplear un filtro.
El tipo ms comn de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayora de
los casos perfectamente vlido. Sin embargo en algunos casos puede no ser suficiente y
tendremos que echar mano de algunos componentes adicionales.

4.- El regulador

Un regulador o estabilizador es un circuito que se encarga de reducir el rizado y


de proporcionar una tensin de salida de la tensin exacta que queramos.
Las ideas bsicas de funcionamiento de un regulador de este tipo son:
. La tensin entre los terminales Vout y GND es de un valor fijo, no variable, que
depender del modelo de regulador que se utilice.

. La corriente que entra o sale por el terminal GND es prcticamente nula y no se tiene
en cuenta para analizar el circuito de forma aproximada. Funciona simplemente como
referencia para el regulador.
. La tensin de entrada Vin deber ser siempre unos 2 o 3 V superior a la de Vout para
asegurarnos el correcto funcionamiento.
Tipos de fuentes
Las dos fuentes que podremos encontrarnos cuando abramos un ordenador
pueden ser: AT o ATX
Las fuentes de alimentacin AT, fueron usadas hasta que apareci el Pentium
MMX, es en ese momento cuando ya se empezaran a utilizar fuentes de alimentacin
ATX.
Las caractersticas de las fuentes AT, son que sus conectores a placa base varan
de los utilizados en las fuentes ATX, y por otra parte, quizs bastante ms peligroso, es
que la fuente se activa a travs de un interruptor, y en ese interruptor hay un voltaje de
220v,
con
el
riesgo
que
supondra
manipular
el
PC.
Tambin destacar que comparadas tecnolgicamente con las fuentes ATX, las AT son un
tanto
rudimentarias
electrnicamente
hablando.
En ATX, es un poco distinto, ya que se moderniza el circuito de la fuente, y siempre est
activa, aunque el ordenador no est funcionando, la fuente siempre est alimentada con
una tensin pequea para mantenerla en espera.
Una de las ventajas es que las fuentes ATX no disponen de un interruptor que
enciende/apaga la fuente, si no que se trata de un pulsador conectado a la placa base, y
esta se encarga de encender la fuente, esto conlleva pues el poder realizar
conexiones/desconexiones por software.
2.4

Amplificadores operacionales.

El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los


computadores analgicos, en los que comenzaron a usarse tcnicas operacionales en una
poca tan temprana como en los aos 40. El nombre de amplificador operacional deriva
del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una
entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas caractersticas de operacin
estaban determinadas por los elementos de realimentacin utilizados. Cambiando los
tipos y disposicin de los elementos de realimentacin, podan implementarse diferentes
operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban
determinadas slo por estos elementos de realimentacin.
De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones,
y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de
una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos.

Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente bsico de su


tiempo: la vlvula de vaco. El uso generalizado de los AOs no comenz realmente
hasta los aos 60, cuando empezaron a aplicarse las tcnicas de estado slido al diseo
de circuitos amplificadores operacionales, fabricndose mdulos que realizaban la
circuitera interna del amplificador operacional mediante diseo discreto de estado
slido. Entonces, a mediados de los 60, se introdujeron los primeros amplificadores
operacionales de circuito integrado. En unos pocos aos los amplificadores
operacionales integrados se convirtieron en una herramienta estndar de diseo,
abarcando aplicaciones mucho ms all del mbito original de los computadores
analgicos.
2.4.1 Caractersticas.
El amplificador operacional es un dispositivo lineal de propsito general el cual
tiene capacidad de manejo de seal desde f=0 Hz hasta una frecuencia definida por el
fabricante; tiene adems lmites de seal que van desde el orden de los nV, hasta unas
docenas de voltio (especificacin tambin definida por el fabricante). Los
amplificadores operacionales se caracterizan por su entrada diferencial y una ganancia
muy alta, generalmente mayor que 105 equivalentes a 100dB.
El A.O es un amplificador de alta ganancia directamente acoplado, que en
general se alimenta con fuentes positivas y negativas, lo cual permite que tenga
excursiones tanto por arriba como por debajo de tierra (o el punto de referencia que se
considere).
El nombre de Amplificador Operacional proviene de una de las utilidades
bsicas de este, como lo son realizar operaciones matemticas en computadores
analgicos (caractersticas operativas).
El Amplificador Operacional ideal se caracteriza por:
Resistencia de entrada,(Ren), tiende a infinito.
1.
Resistencia de salida, (Ro), tiende a cero.
2.
Ganancia de tensin de lazo abierto, (A), tiende a infinito
3.
Ancho de banda (BW) tiende a infinito.
4.
vo = 0 cuando v+ = v5.
Ya que la resistencia de entrada, Ren, es infinita, la corriente en cada entrada,
inversora y no inversora, es cero. Adems el hecho de que la ganancia de lazo abierto
sea infinita hace que la tensin entre las dos terminales sea cero, como se muestra a
continuacin:

2.4.2 Configuraciones.

Los amplificadores operacionales se pueden conectar segn dos circuitos


amplificadores bsicos: las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. Casi todos
los dems circuitos con amplificadores operacionales estn basados, de alguna forma,
en estas dos configuraciones bsicas. Adems, existen variaciones estrechamente
relacionadas de estos dos circuitos, ms otro circuito bsico que es una combinacin de
los dos primeros: el amplificador diferencial.

El amplificador inversor

La figura, ilustra la primera configuracin bsica del AO. El amplificador


inversor. En este circuito, la entrada (+) est a masa, y la seal se aplica a la entrada (-)
a travs de R1, con realimentacin desde la salida a travs de R2.

Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal, las


caractersticas distintivas de este circuito se pueden analizar como sigue.
Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollar su tensin de
salida, V0, con tensin de entrada nula. Ya que, la entrada diferencial de A es:
Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0.- Y si Vd = 0,
Entonces toda la tensin de entrada Vi, deber aparecer en R1, obteniendo una
corriente en R1

Vn est a un potencial cero, es un punto de tierra virtual


Toda la corriente I que circula por R 1 pasar por R2, puesto que no se derivar
ninguna corriente hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita), as pues el
producto de I por R2 ser igual a - V0

Por lo que:

Luego la ganancia del amplificador inversor:

Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal.


La ganancia se puede variar ajustando bien R 1, o bien R2. Si R2 vara desde cero hasta
infinito, la ganancia variar tambin desde cero hasta infinito, puesto que es
directamente proporcional a R2. La impedancia de entrada es igual a R1, y Vi y R1
nicamente determinan la corriente I, por lo que la corriente que circula por R 2 es
siempre I, para cualquier valor de dicha R2.
La entra del amplificador, o el punto de conexin de la entrada y las seales de
realimentacin, es un nudo de tensin nula, independientemente de la corriente I.
Luego, esta conexin es un punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habr el
mismo potencial que en la entrada (+). Por tanto, este punto en el que se suman las
seales de salida y entrada, se conoce tambin como nudo suma. Esta ltima
caracterstica conduce al tercer axioma bsico de los amplificadores operacionales, el
cual se aplica a la operacin en bucle cerrado:
En bucle cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial de entrada (+) o de
referencia.
Esta propiedad puede an ser o no ser obvia, a partir de la teora de tensin de
entrada de diferencial nula. Es, sin embargo, muy til para entender el circuito del AO,
ver la entrada (+) como un terminal de referencia, el cual controlar el nivel que ambas
entradas asumen. Luego esta tensin puede ser masa (como en la figura 2), o cualquier
potencial que se desee.

El amplificador no inversor

La segunda configuracin bsica del AO ideal es el amplificador no inversor,


mostrado en la figura. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3.

En este circuito, la tensin Vi se aplica a la entrada (+), y una fraccin de la seal


de salida, Vo, se aplica a la entrada (-) a travs del divisor de tensin R 1 - R2. Puesto
que, no fluye corriente de entrada en ningn terminal de entrada, y ya que V d = 0, la
tensin en R1 ser igual a Vi.

As pues
Y como
Tendremos pues que:

Que si lo expresamos en trminos de ganancia:

Que es la ecuacin caracterstica de ganancia para el amplificador no inversor


ideal.
Tambin se pueden deducir propiedades adicionales para esta configuracin. El
lmite inferior de ganancia se produce cuando R2 = 0, lo que da lugar a una ganancia
unidad.
En el amplificador inversor, la corriente a travs de R1 siempre determina la
corriente a travs de R2, independientemente del valor de R2, esto tambin es cierto en el
amplificador no inversor. Luego R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal,
capaz de incrementar la ganancia desde el mnimo unidad hasta un mximo de infinito.
La impedancia de entrada es infinita, puesto que se trata de un amplificador ideal.
Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor
El amplificador diferencial.Una tercera configuracin del AO conocida como el amplificador diferencial, es
una combinacin de las dos configuraciones anteriores. Aunque est basado en los otros
dos circuitos, el amplificador diferencial tiene caractersticas nicas. Este circuito,
mostrado en la figura, tiene aplicadas seales en ambos terminales de entrada, y utiliza
la amplificacin diferencial natural del amplificador operacional.

Para comprender el circuito, primero se estudiarn las dos seales de entrada por
separado, y despus combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los
terminales es cero.
Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)

La tensin a la salida debida a V1 la llamaremos V01

Y como V (-) = V (+)


La tensin de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdr:

Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) ser, usando la ecuacin de la ganancia para


el circuito inversor, V02

Y dado que, aplicando el teorema de la superposicin la tensin de salida V 0 = V01 + V02


y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:

Por lo que concluiremos

Que expresando en trminos de ganancia:

Qu es la ganancia de la etapa para seales en modo diferencial?


Esta configuracin es nica porque puede rechazar una seal comn a ambas
entradas. Esto se debe a la propiedad de tensin de entrada diferencial nula, que se
explica a continuacin.
En el caso de que las seales V1 y V2 sean idnticas, el anlisis es sencillo. V1 se
dividir entre R1 y R2, apareciendo una menor tensin V(+) en R2. Debido a la ganancia
infinita del amplificador, y a la tensin de entrada diferencial cero, una tensin igual
V(-) debe aparecer en el nudo suma (-). Puesto que la red de resistencias R3 y R4 es igual
a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensin a ambos terminales de entrada, se concluye
que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+); Vo estar al
mismo potencial que R2, el cual, de hecho est a masa. Esta muy til propiedad del
amplificador diferencial, puede utilizarse para discriminar componentes de ruido en
modo comn no deseables, mientras que se amplifican las seales que aparecen de
forma diferencial. Si se cumple la relacin

La ganancia para seales en modo comn es cero, puesto que, por definicin, el
amplificador no tiene ganancia cuando se aplican seales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la
impedancia de entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada (-) es R 3. La

impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre las
entradas, es decir, R1+R3.

El sumador inversor
Utilizando la caracterstica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador
inversor, se obtiene una til modificacin, el sumador inversor,

En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensin V(+) est


conectada a masa, por lo que la tensin V(-) estar a una masa virtual, y como la
impedancia de entrada es infinita toda la corriente I 1 circular a travs de RF y la
llamaremos I2. Lo que ocurre en este caso es que la corriente I 1 es la suma algebraica de
las corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:

Y tambin

Como I1 = I2 concluiremos que:

Que establece que la tensin de salida es la suma algebraica invertida de las


tensiones de entrada multiplicadas por un factor corrector, que el alumno puede
observar que en el caso en que RF = RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = - (V1 + V2 + V3).
La ganancia global del circuito la establece R F, la cual, en este sentido, se
comporta como en el amplificador inversor bsico. A las ganancias de los canales
individuales se les aplica independientemente los factores de escala RG1, R G2, R G3,... etc.
Del mismo modo, R G1, R G2 y R G3 son las impedancias de entrada de los respectivos
canales.
Otra caracterstica interesante de esta configuracin es el hecho de que la mezcla
de seales lineales, en el nodo suma, no produce interaccin entre las entradas, puesto
que todas las fuentes de seal alimentan el punto de tierra virtual. El circuito puede
acomodar cualquier nmero de entradas aadiendo resistencias de entrada adicionales
en el nodo suma.

Aunque los circuitos precedentes se han descrito en trminos de entrada y de


resistencias de realimentacin, las resistencias se pueden reemplazar por elementos
complejos, y los axiomas de los amplificadores operacionales se mantendrn como
verdaderos. Dos circuitos que demuestran esto, son dos nuevas modificaciones del
amplificador inversor.
El integrador
Se ha visto que ambas configuraciones bsicas del AO actan para mantener
constantemente la corriente de realimentacin, IF igual a IIN.

Una modificacin del amplificador inversor, el integrador, mostrado en la figura,


se aprovecha de esta caracterstica. Se aplica una tensin de entrada VIN, a RG, lo que
da lugar a una corriente IIN.
Como ocurra en el amplificador inversor, V(-) = 0, puesto que V(+) = 0, y por
tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin pasa hacia el condensador CF,
llamaremos a esta corriente IF.
El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. Por
consiguiente, la corriente constante IF, en CF da lugar a una rampa lineal de tensin. La
tensin de salida es, por tanto, la integral de la corriente de entrada, que es forzada a
cargar CF por el lazo de realimentacin.
La variacin de tensin en CF es

Lo que hace que la salida vare por unidad de tiempo segn:

Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la impedancia de entrada es


simplemente RG
Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito

Por supuesto la rampa depender de los valores de la seal de entrada, de la


resistencia y del condensador.
El diferenciador
Una segunda modificacin del amplificador inversor, que tambin aprovecha la
corriente en un condensador es el diferenciador mostrado en la figura.

En este circuito, la posicin de R y C estn al revs que en el integrador, estando


el elemento capacitativo en la red de entrada. Luego la corriente de entrada obtenida es
proporcional a la tasa de variacin de la tensin de entrada:

De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN, circular por RF, por lo que IF =
IIN
Y puesto que VOUT= - IF RF Sustituyendo obtenemos

Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito

El seguidor de tensin
Una modificacin especial del amplificador no inversor es la etapa de ganancia
unidad mostrada en la figura.

En este circuito, la resistencia de entrada se ha incrementado hasta infinito, y RF


es cero, y la realimentacin es del 100%. V0 es entonces exactamente igual a Vi, dado
que Es = 0. El circuito se conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una
rplica en fase con ganancia unidad de la tensin de entrada. La impedancia de entrada
de esta etapa es tambin infinita.
Resumen de las configuraciones bsicas del amplificador y sus caractersticas.
Todas las caractersticas de los circuitos que se han descrito son importantes,
puesto que, son las bases para la completa fundamentacin de la tecnologa de los
circuitos amplificadores operacionales. Los cinco criterios bsicos que describen al
amplificador ideal son fundamentales, y a partir de estos se desarrollan los tres
principales axiomas de la teora de los amplificadores operacionales, los cuales
repetimos aqu:
1.- La tensin de entrada diferencial es nula
2.- No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada
3.- En bucle cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial de entrada (+) o de
referencia.

Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos bsicos y sus
variaciones. En la configuracin inversora, los conceptos de corriente de entrada nula, y
tensin de entrada diferencial cero, dan origen a los conceptos de nudo suma y tierra
virtual, donde la entrada inversora se mantiene por realimentacin al mismo potencial
que la entrada no inversora a masa. Usando el concepto de la entrada no inversora como
terminal de referencia, el amplificador no inversor y el seguidor de emisor ilustran como
una tensin de entrada es indirectamente multiplicada a travs de una realimentacin
negativa en la entrada inversora, la cual es forzada a seguir con un potencial idntico.
La configuracin diferencial combina estos conceptos, ilustrando el ideal de la
simultaneidad de la amplificacin diferencial y del rechazo de la seal en modo comn.
Las variaciones del inversor ponen de nuevo de manifiesto los principios bsicos. En
todos estos circuitos, hemos visto tambin cmo el funcionamiento est solamente
determinado por los componentes conectados externamente al amplificador.
Hasta este momento, hemos definido el AO en sentido ideal y hemos examinado
sus configuraciones bsicas. Con una definicin adicional, la simbologa del dispositivo,
llegaremos al mundo real de los dispositivos prcticos, examinaremos sus desviaciones
respecto al ideal, y veremos cmo superarlas.