EL TRANSISTOR

Lo Primero Qu es un Transistor?
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues
inici una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier
previsin inicial. Tambin se llama Transistor Bipolar o Transistor
Electrnico.
El Transistor es un componente electrnico formado por
materiales semiconductores, de uso muy habitual pues lo encontramos
presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios,
alarmas, automviles, ordenadores, etc.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas
dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio
porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan
en un par de segundos, televisores en color, etc. Antes de aparecer los
transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante
altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso
podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida,
el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad
y facilidad de control.
En la imagen siguiente vemos a la derecha un transistor real y a la izquierda
el smbolo usado en los circuitos electrnicos. Fjate que siempre tienen 3
patillas y se llaman emisor, base y colector. Es muy importante saber
identificar bien las 3 patillas a la hora de conectarlo. En el caso de la figura, la
1 sera el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de
mando. Como Interruptor.
- Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.
Pero el Transistor tambin puede cumplir funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.
Veamos como funciona un transistor.
Funcionamiento del Transistor
Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un
circuito:
- En activa : deja pasar mas o menos corriente.
- En corte: no deja pasar la corriente.
- En saturacin: deja pasar toda la corriente.
Para comprender estos 3 estados lo vamos hacer mediante un smil
hidrulico que es ms fcil de entender.
Lo primero imaginemos que el transistor es una llave de agua como la de la
figura. Hablaremos de agua para entender el funcionamiento, pero solo tienes
que cambiar el agua por corriente elctrica, y la llave de agua por el transistor
y ya estara entendido (luego lo haremos). Empecemos.

En la figura vemos la llave de agua en 3 estados diferentes. Para que la llave

suba y pueda pasar agua desde la tubera E hacia la tubera C, es necesario
que entre algo de agua por la tubera B y empuje la llave hacia arriba (que el
cuadrado de lneas suba).
- Funcionamiento en corte: si no hay presin de agua en B (no pasa agua
por su tubera), la vlvula esta cerrada, no se abre la vlvula y no se produce
un paso de fluido desde E (emisor) hacia C (colector).
- Funcionamiento en activa: si llega algo de presin de agua a la base B,
se abrir la vlvula en funcin de la presin que llegue, comenzando a pasar
agua desde E hacia C.
- Funcionamiento en saturacin: si llega suficiente presin por B se abrir
totalmente la vlvula y todo el agua podr pasar desde el emisor E hasta el
colector C (la mxima cantidad posible). Por mucho que metamos ms presin
de agua por B la cantidad de agua que pasa de E hacia C es siempre la misma,
la mxima posible que permita la tubera.
Como ves una pequea cantidad de agua por B permite el paso de mucho
ms agua entre E y C (amplificador).
Entendido? Pues ahora el funcionamiento del transistor es igual, pero el
agua lo cambiamos por corriente elctrica y la llave de agua ser el transistor.
En un transistor cuando no le llega nada de corriente a la base, no
hay paso de corriente entre el emisor y el colector (en corte), funciona como
un interruptor abierto entre el emisor y el colector, y cuando tiene la
corriente de la base mxima (en saturacin) su funcionamiento es como un
interruptor cerrado, entre el emisor y el colector hay paso de corriente y
adems pasa la mxima corriente permitida por el transistor entre E y C.
El tercer caso es que a la base del transistor le llegue una corriente ms
pequea de la corriente de base para que se abra el transistor, entonces entre
Emisor y Colector pasar una corriente intermedia que no llegar a la mxima.
Como ves el funcionamiento del transistor se puede considerar como un
interruptor que se acciona elctricamente, por medio de corriente en B, en
lugar de manualmente como son los normales. Pero tambin se puede
considerar un amplificador de corriente por que con una pequea corriente
en la base conseguimos una corriente mayor entre emisor y colector.
Acurdate del smbolo y mira la siguiente figura:

Las corrientes en un transistor son 3, corriente de base Ib, corriente de emisor

Ie y corriente del colector Ic. En la imagen vemos las corrientes de un
transistor tipo NPN.

Los transistores estn formados por la unin de tres cristales

semiconductores, dos del tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien dos
del tipo N y uno del P (transistores NPN).
Hay una gama muy amplia de transistores por lo que antes de conectar
deberemos identificar sus 3 patillas y saber si es PNP o NPN. En los
transistores NPN se deba conectar al polo positivo el colector y la
base, y en los PNP el colector y la base al polo negativo.

Diferencias entre el transistor PNP y el NPN

Fjate en los 2 tipos, la principal diferencia es que en el PNP la corriente de
salida (entre el emisor y colector) entra por el emisor y sale por el
colector. Fjate que la flecha en el smbolo "pincha a la base". Una regla para
acordarse es que el PNP pincha (la p del principio).
En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al
revs. Si te fijas en la flecha la flecha "no pincha a la base". Segn la regla
NPN = no pincha (la N del NPN). Con esta regla te acordars mu fcilmente si
el smbolo es de un PNP o NPN. Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.
Otra cosa muy importante a tener en cuenta es la direccin de las corrientes
y las tensiones de un transistor, sea NPN o PNP. Fjate en la siguiente imagen.
En este caso hemos puesto el emisor abajo y el colector arriba, no pasa nada
es lo mismo, pero en algunos esquemas te los encontrars de esta forma y es
bueno verlos as tambin.

Es fcil si te fijas averiguarlas por intuicin con la flecha del smbolo. Si es PNP
lgicamente la IE tendr la direccin del emisor, por que entra por l. Por
donde entran las corrientes estar el positivo de las tensiones. Si la
corriente del emisor entra por el emisor (PNP), la tensin emisor colector
tendr el positivo por donde entre, es decir en el emisor, y se llamar Tensin
emisor-colector. Si la corriente entra por el colector, o lo que es lo mismo sale
por el emisor se llamara Tensin colector-emisor y la corriente saldr por el
emisor. No te les que es muy fcil, solo tienes que fijarte un poco, y no hace
falta aprenderlas de memoria.
Formulas del Transistor
Si te fijas en un PNP la corriente que entra es la del emisor, y salen la del
colector + la de la base, pero al ser la de base tan pequea comparada con
las otras dos se puede aproximar diciendo que IE = IC. En realidad las
intensidades en un transistor seran:

IE = IC + IB; para los 2 tipos de transistores. Fijate en la flecha del smbolo y

las deducirs.
Si nos dan 2 intensidades y queremos calcular la tercera solo tendremos que
despejar.
Cmo seran las intensidades en corte? Pues todas cero.
Otro dato importante en un transistor es la ganancia, que nos da la relacin
que hay entre la corriente de salida IC y la necesaria para activarlo IB
(corriente de entrada). Se representa por el smbolo beta .
= IC / IB
La ganancia es realmente lo que se amplifca la corriente en el transistor. Por
ejemplo una ganancia de 100 significa que la corriente que metamos por la
base se amplifica, en el colector, 100 veces, es decir ser 100 veces mayor la
de colector que la de la base. Como la de colector es muy parecida a la del
emisor, podemos aproximar diciendo que la corriente del emisor tambin es
100 veces mayor que la de la base.
En un transistor que tenga una ganancia de 10 si metemos 1 amperio por la
base, por el colector obtendremos 10 amperios. Como ves es el transistor
tambin es un amplificador. Pero OJO imagina que el transistor que tienes solo
permite como mximo 5 amperios de salido, qu pasara si metemos 1
amperio en la base? Se quemara!! por que no soportara esa corriente en el
colector.
Tambin es muy importante que sepas que la corriente del colector
depende del receptor que tengamos conectado a la salida, entre el
colector y el emisor. La corriente del colector ser la que "chupe" ese receptor,
nunca mayor. Si en el caso anterior el receptor fuera un lmpara que solo
consumiera 3 amperios no pasara nada, ya que entre el emisor y el colector
solo circularan los 3 amperios que demanda la lmpara. Fjate en el siguiente
circuito:

La lmpara "chupa" 3 amperios, pues la corriente mxima que pasar entre

emisor y colector, o lo que es lo mismo la corriente que circular por el circuito
de salida ser 3A, nunca ms de 3 Amperios, que es la que demanda lmpara.
En ese circuito para que la lmpara luzca necesitamos meter una pequea
corriente por la base para activar el transistor. Si no hay corriente de base la
lmpara no lucir, por que el transistor acta como un interruptor abierto entre
el colector y el emisor.
De todas formas hay que fijarse muy bien en las corrientes mximas que
aguanta el transistor que estemos usando para no quemarlo.
Otro dato importante es la potencia mxima que puede disipar el
transistor. Segn la frmula de la potencia: P = V x I, en el transistor sera:
P = Vc-e x Ic tensin colector-emisor por intensidad del colector.
Tenemos que saber la potencia que tiene el receptor o los receptores que
pongamos en el circuito de salida para elegir un transistor que sea capaz de
disipar esa misma potencia o superior, de lo contrario se quemara.
En el caso del circuito anterior P = 3A x 6V = 18w, con lo cual el transistor
para el circuito deber ser de esa misma potencia, mejor un poco mayor.
Po ltimo hablemos de las tensiones. Todos los transistores cumplen que Vcb
+ Vbe = Vce, es decir las tensiones de la base son iguales a la tensin de
salida.
El circuito bsico de un transistor es el que ves a continuacin:

La resistencia de base sera la de 20Kohmios y la resistencia de 1Kohmios sera

el receptor de salida. Muchas veces se usa la misma pila para todo el circuito,
como vers ms adelante.
Ejercicio con Transistores
Los ejercicios con transistores, como ves por las frmulas, suelen ser muy
sencillos, pero alguno hay que se complica un poco.
Hacemos un ejercicio complicado? Venga.
Un transistor de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente manera: la
base se conecta al terminal positivo de una pila de 5 V a travs de una
resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de otra
pila de 10 V a travs de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta a
los terminales negativos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la
corriente de colector. tensin base-emisor 0,7A. Aqui tienes la solucin:

No lo entiendes? Te lo explico:
Si aislas el circuito de entrada (el de la base) tenemos una pila de 5V con
una resistencia de 100 Kohmios y la tensin de la base- emisor. Si I = V / R.
Intensidad es igual a la tensin partido por la resistencia (ley de ohm).

IB = (Vpila - Vb-e)/ Rb = (5-0,7)/ 100.000 = 4,3 x 10 elevado a menos 5 o

lo que es lo mismo 0,000043A.
La tensin de la Vb-e es contrario a la de la pila (recuerda los signos) y por
eso se restan.
Aplicando la frmula de la ganacia = IC/IB si despejamos la IC sera IC =
x IB= 0,0043A y ya est resuelto.
En este circuito por el receptor de salida, cuando se activa el transistor,
circulan 0,0043A. Pero fijate para activar el transistor solo hace falta una
corriente de base de 0,000043A, mucho menor.
Si no te enteras no te vendra mal repasar las leyes de Kirchhoff.
Por qu la base siempre lleva una Resistencia?
En todos los circuitos que veas con transistores vers que hay una Rb
(resistencia de base) colocada en serie con la base. Su misin es proteger la
base para que no le llegue nunca una corriente muy grande a la base y se
queme el transistor. La Rb al estar en serie con la base limita la corriente que
le llega a la base, de tal forma que no sea ms grande que la que puede
soportar la base. Recuerda I = V / R (ley de ohm), si no hubiera Rb la I sera
infinito. Cuanto mayor sea la Rb menor ser la IB.
Hacemos un circuito con el transistor?
Circuitos con Transistores
Empecemos por uno bsico. Se trata de un circuito que cuando ponemos los
dedos entre 2 chapas se active un motor de c.c. (corriente continua). Aqu lo
tenemos:
Empecemos por uno bsico. Se trata de un circuito que cuando ponemos los
dedos entre 2 chapas se active un motor de c.c. (corriente continua). Aqu lo
tenemos:

Segn esta en el esquema no hay corriente de base y el transistor ser un

interruptor abierto entre el emisor y colector, lo que hace que el motor no gire.
Si ponemos lo dedos uniendo las dos chapas de la izquierda, a la base le
llegar una pequea corriente a travs de la Rb de 2,2Kohmios. Esto hace que
el transistor se active y se comporte como un interruptor cerrado entre emisor
y colector, permitiendo paso de corriente en el circuito de salida, con lo que el
motor gira.
Fcil NO? Pues ya tienes tu primer circuito con un transistor. Vamos a por
otro.
Ahora vamos a construir una alarma por rotura de un cable. Cuando el cable
se rompe un zumbador (timbre) suena. Aqu tienes el circuito:

Fjate que cuando el cable no esta roto la corriente de la pila se cierra por la
Rb de 10Kohmios y vuelve a la pila por el cable que no le ofrece ninguna
resistencia. El transistor esta en corte, no hay Ib, y por el circuito de salida no
pasa corriente, lo que implica que la alarma no suena.
Cuando el cable se rompe la corriente entra por la Rb y pasa a la base por
que no puede circular por el cable. Qu pasar?. Pues que hay corriente en la
base, el transistor se activa y la alarma suena.
Por ltimo te dejamos dos videos que te explican el transistor por si algo no
te ha quedado claro y recuerda que para saber ms de electrnica vete a este
enlace : Electrnica

El Transistor como Interruptor

El Transistor como Interruptor

Funcionamiento y Explicacin de los Transistores

El transistor. Dispositivo electrnico en estado slido, cuyo principio de funcionamiento se basa en

la fsica de los semiconductores. Este cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El trmino transistor es la contraccin en ingls detransfer resistor (resistencia de transferencia).
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,tomgrafos, ecgrafos,
reproductores mp3, telfonos mviles, etc. Este dispositivo semiconductor permite el control y la regulacin de
una corriente grande mediante una seal muy pequea.

Generalidades
Sus inventores, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, lo llamaron as por la propiedad que tiene
de cambiar la resistencia al paso de la corriente elctrica entre el emisor y elreceptor.

El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que emite electrones (emisor), otra que los recibe o
recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos electrones (base). Una pequea seal
elctrica aplicada entre la base y el emisor modula la corriente que circula entre emisor y receptor.
La seal base-emisor puede ser muy pequea en comparacin con la emisor-receptor. La seal emisorreceptor es aproximadamente la misma que la base-emisor pero amplificada. El transistor se utiliza, por tanto,
como amplificador.
Adems, todo amplificador oscila; as que puede usarse como oscilador y tambin como rectificador y como
conmutador on-off. El transistor tambin funciona por tanto como un interruptor electrnico, siendo esta
propiedad aplicada en la electrnica en el diseo de algunos tipos de memorias y de otros circuitos como
controladores de motores de Corriente directa y de pasos.

Polarizacin de un Transistor
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un
transistor NPN que PNP. Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y
la unin base - colector inversamente.

Zonas de Trabajo
Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La
tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor abierto. IB es igual a IC es igual a IE es igual a 0; VCE es igual a Vbat
Saturacin: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector
considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De
esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.
Activa: Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de
corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La
ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin
que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen
especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la
siguiente manera:

 = IC / IB

Tipos de transistores
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificacin ms aceptada consiste en dividirlos en
transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) y transistores de efecto de campo o FET (Field
Effect Transistor). La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando
los JFET, MOSFET, MISFET, etc...

Transistor de Contacto Puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie,
poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a
su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de Unin Unipolar

Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la
prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra
se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms
bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se
producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin
positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la
que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unin de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes e
intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnolgicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El transistor de unin bipolar, o
BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de
electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor
est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la
geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuntico de la unin.
Ejemplos de transistores de Unin Bipolar

2N4401, 2n3906 y 2n4402: Transistores de unin bipolar de mediana potencia, destinados para propsito
general en amplificacin y conmutacin, construidos con semiconductor desilicio en diferentes formatos.
Pueden amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias y trabajar a frecuencias
medianamente altas.

Configuraciones

La construccin interna de un transistor como todo crcuito necesita de dos terminales de entrada y dos de
salida, pero al contar en su fabricacin solo con tres terminales, se hace necesario adoptar una de las
siguientes configuraciones: Emisor comn, Base comn, Colector comn.
Emisor comn: La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de
tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. Como la base est conectada al emisor por un diodo
en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es
constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg
Base Comn: La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de
tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte
de la corriente de emisor sale por la base.

Colector Comn: La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de
corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la
impedancia de salida por 1/.

Transistor de Efecto de Campo

Los transistores de efecto de campo ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales
denominadas puerta (o gate) a la equivalente a la base del BJT, y que regula el paso de corriente por las otras
dos terminales, llamadas drenador (drain) y fuente (source).
Presentan diferencias de comportamiento respecto a los BJT. Una diferencia significativa es que, en los
MOSFET, la puerta no absorve intensidad en absoluto, frente a los BJT, donde la intensidad que atraviesa la
base es pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, pero no siempre puede ser
despreciada.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio
Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de
efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se
dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de
campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla
mediante el campo elctrico establecido en el canal.
Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Actualmente es el
[1]

transistor ms empleado en la industria microelectrnica . Los MOSFET permitieron un diseo

extremadamente compacto, necesario para los Circuitos Integrados. Hoy la mayora de los circuitos se
construyen con tecnologa CMOS.
La tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes
MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en
un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).

A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo
puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la que se inyecta en
el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito que
se utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina
Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son:
Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de
base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor
comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar
(transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal
de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o
reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje.
Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre
Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones
desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser
funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source).
Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta,
Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los
que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da, para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz
visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor
es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como
un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn) Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Encapsulados
En resumen:Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que
disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico,
normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo
mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado
convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los
que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran
medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

Transistor IGBT. Componente electrnico diseado para controlar principalmente altas potencias, en su
diseo est compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.

Introduccin
Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de
entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creacin de los
Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban
sido viables hasta entonces y se describirn ms adelante. El mismo se puede identificar en un circuito con la
simbologa mostrada en la figura I.

Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un
metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar
de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de
la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical
del transistor de unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del
BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G),
Emisor (E) y Colector (C).

Funcionamiento

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de

colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste
para el tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C
debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La seal de encendido es un voltaje positivo
VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el
G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G. La transicin del estado
de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de
conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa.
Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el
voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC
se autolimita.

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia
de corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver la
figura.

El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es igual a
beta por la corriente de base).
Entonces
analizando
Ecuacin
del
primer transistor es:
IE1
- Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x IB2 (2)

el
=

Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1)

la corriente de base del transistor T2. Entonces IE1 = IB2 (3)

es

la

IB1

grfico:
(1),

misma

que

Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la ecuacin
final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, esteamplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistorcorriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (las ganancias se
multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor
Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 =
10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con
corrientes muy pequeas.
Muy importante: La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4
voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1
a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).