UNIVERSIDAD NACIONAL JORGE BASADRE GROHMANN

FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE INGENIERIA METALRGICA

Laboratorio de Ingeniera de Materiales II

SEMICONDUCTORES

UNIVERSIDAD NACIONAL DE TACNA JORGE BASADRE GROHMANN

FAIN-ESME
Laboratorio de Ingeniera de Materiales III

2013

SEMICONDUCTORES
I.

OBJETIVO
La presente prctica referido a los semiconductores permitir que los estudiantes verifiquen
el funcionamiento de un semiconductor np conocido como diodo en forma de LED (Light
Emitting Diode Diodo Emisor de Luz) para establecer un circuito de polarizacin directa e
inversa. Se verificar tambin el funcionamiento de un panel solar fotovoltaico construido a
base de lminas de semiconductores.

II.

PRINCIPIOS TEORICOS
Semiconductor es
un
elemento
que
se
comporta
como
un conductor o
como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la
tabla adjunta.

Elemento

Grupos

Electrones en
la ltima capa

Cd

12

2 e-

Al, Ga, B, In 13

3 e-

Si, C, Ge

14

4 e-

P, As, Sb

15

5 e-

Se, Te, (S)

16

6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico

comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se
ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Semiconductores

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Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos
En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando
el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer,
desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda
de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a
una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin
se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante.
Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos
(cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y
del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 1.73 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos
tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conduccin.

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Semiconductores extrnsecos:
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de
la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han
logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.

Semiconductor tipo N:
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco
electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero
de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar",
son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopadotipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P:
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y
se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr
tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un
electrn libre.

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As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la
red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural

III.

IV.

MATERIALES

Leds de diferente tamao y color..

Dispositivo interruptor.

Alambres para conexin.

Bateras y pilas tipo AA.

01 panel fotovoltaico

01 multmetro.

PROCEDIMIENTO
a)

Funcionamiento del semiconductor pn.

Los estudiantes conectaran un circuito de polarizacin directa e inversa y observarn el
establecimiento de una zona de polarizacin y zona de conduccin.

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b)

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Funcionamiento de un panel fotovoltaico solar.

Se analizar el diseo de un panel fotovoltaico y se generar corriente a partir de la
radiacin solar.
Se medir el voltaje de c.c. producido y se accionar algn dispositivo.

V.

DESCRIPCION DE LA PRCTICA
a)

Funcionamiento del semiconductor pn.

Circuito en paralelo:
En un circuito en serie los receptores estn instalados uno a continuacin de otro en la
lnea elctrica, de tal forma que la corriente que atraviesa el primero de ellos ser la
misma que la que atraviesa el ltimo. Para instalar un nuevo elemento en serie en un
circuito tendremos que cortar el cable y cada uno de los terminales generados conectarlos
al receptor.

Insertar nuevamente una bombilla en paralelo

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Circuito en serie:
En un circuito en serie los receptores estn instalados uno a continuacin de otro en la
lnea elctrica, de tal forma que la corriente que atraviesa el primero de ellos ser la
misma que la que atraviesa el ltimo. Para instalar un nuevo elemento en serie en un
circuito tendremos que cortar el cable y cada uno de los terminales generados conectarlos
al receptor.

Insertar nuevamente una bombilla en serie

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b)

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Funcionamiento de un panel fotovoltaico solar.

Los paneles o mdulos fotovoltaicos estn formados por un conjunto de celdas (clulas
fotovoltaicas) que producen electricidad a partir de la luz que incide sobre ellos (energa
solar fotovoltaica). El parmetro estandarizado para clasificar su potencia se
denomina potencia pico, y se corresponde con la potencia mxima que el mdulo puede
entregar bajo unas condiciones estandarizadas, que son:
Radiacin de 1000 W/m
Temperatura de clula de 25 C (no temperatura ambiente).
Los paneles fotovoltaicos se dividen en:
Cristalinas
Monocristalinas: se componen de secciones de un nico cristal de silicio (Si)
(reconocibles por su forma circular u octogonal, donde los 4 lados cortos, si se puede
apreciar en la imagen, se aprecia que son curvos, debido a que es una clula circular
recortada).
Policristalinas: cuando estn formadas por pequeas partculas cristalizadas.
Amorfas: cuando el silicio no se ha cristalizado.
Su efectividad es mayores cuantos mayores son los cristales, pero tambin su peso,
grosor y coste. El rendimiento de las primeras puede alcanzar el 20% mientras que el
de las ltimas puede no llegar al 10%, sin embargo su coste y peso es muy inferior.
El coste de los paneles fotovoltaicos se ha reducido de forma constante desde que se
fabricaron las primeras clulas solares comerciales1 y su coste medio de generacin
elctrica ya es competitivo con las fuentes de energa convencionales en un creciente
nmero de regiones geogrficas, alcanzando la paridad de red.

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VI.

2013

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Se puede apreciar los distintos cambios de corriente que se presentan en ambos casos, circuito
en serie y circuito en paralelo, cada foco usado ofrece una resistencia ante la corriente, y
tambin una parte es absorbida, esto se reflej claramente en la intensidad de la luz irradiada
por cada foco.

VII.

BIBLIOGRAFA
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
http://www.slideshare.net/laesenciadelafisica/circuitos-en-serie-y-paralelo-11823457
http://www.taringa.net/posts/info/6540281/Circuitos-electricos-en-serie-y-paralelo.html
http://www.eduteka.org/proyectos.php/2/19606
http://es.wikipedia.org/wiki/Panel_fotovoltaico

VIII.

CUESTIONARIO
Qu es un semiconductor?
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico
Qu es un diodo?
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la
corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.

Explique el funcionamiento de un LED

El funcionamiento de un LED consiste en que, en los materiales conductores, un electrn, al
pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se
manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase
aleatoria.
Qu es un semiconductor fotovoltaico?
El efecto fotovoltaico se produce al incidir la radiacin solar (fotones) sobre los materiales
que definimos al principio como semiconductores extrnsecos. La energa que reciben estos
provenientes de los fotones, provoca un movimiento catico de electrones en el interior del
material.

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2013

Qu aplicaciones tienen los paneles solares?

Los paneles solares tiene mltiples aplicaciones como por ejemplo, en lugares donde el
cable elctrico no llega es decir chacras, campos y en acampamentos tambin.
Tambin se aplica en termas solares y podra ser de mucha utilidad para las personas
alejadas de la civilizacin.

IX.

ANEXOS

Semiconductores