Вы находитесь на странице: 1из 40

Cincias e Tecnologia dos Materiais

ECT1401
Prof. Dr. Brulio Silva Barros

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 2

Freqentemente se faz necessrio especificar um ponto em uma


cela unitria, uma direo ou um plano cristalogrfico de tomos.
Trs nmeros ou ndices so usados para designar pontos, direes
e planos cristalogrficos.
*Exceo: no sistema hexagonal so usados em geral 4 nmeros ou ndices.

A base para a determinao dos valores dos ndices a cela


unitria, com um sistema de coordenadas direcionado para a direita
e constitudo de trs eixos (x, y, z)*.

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 3

Consideramos a rede cristalina como sendo infinita...


A escolha de uma origem completamente arbitrria, uma vez que cada
ponto do reticulado cristalino idntico.
A designao de pontos, direes e planos especficos fixados no espao
absoluto sero alterados caso a origem seja mudada, MAS ...
Todas as designaes sero auto-consistentes se partirem da origem como
uma referncia absoluta.

Exemplo: Dada uma origem qualquer, haver sempre uma direo [110]
definida univocamente, e [110] sempre far exatamente o mesmo ngulo
com a direo [100].

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 4

As Posies de Rede so expressas como fraes (ou mltiplos) das


dimenses da clula unitria.
z

As coordenadas do ponto localizado


no centro da clula unitria so:

111
c

a/2, b/2, c/2

000

y
b

III Fundamentos de Cristalografia

As coordenadas do ponto localizado


no vrtice da clula unitria so:
a, b, c

111

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 5

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 6

So pontos conectados por translao da rede:

2c

Translao: mltiplos inteiros dos


parmetros de rede

Posies idnticas em outra clula


unitria da rede

y
b

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 7

Importncia Muitas propriedades dos materiais so direcionais.


Por exemplo:
Mdulo de elasticidade Fe ccc possui um maior mdulo de elasticidade na
direo da diagonal do cubo do que na direo da aresta.
Permeabilidade magntica.
ndice de refrao.

Definio linha entre dois pontos, ou um vetor, normalmente a


partir da origem;
Representao ndices de Miller: [hkl] para direes e <hkl> para
famlias de direes;

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 8

Algoritmo:

1.

Reposicionar vetor (se necessrio) para


passar na origem.

2.

Ler as projees do vetor em termos de


dimenses a, b e c da clula unitria.

3.

Ajustar para os menores valores inteiros


possveis.

4.

Apresentar os nmeros inteiros entre


colchetes: [uvw]

Direo A: 1, 0, 2, 0, 1 [ 201 ]
Direo B: -1, 1, 1 [ 111 ]

A barra sobre o numero significa um ndice negativo

Famlias de direes <uvw>


III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 9

A simetria desta estrutura permite que as direes equivalentes


sejam agrupadas para formar uma famlia de direes:

<100> para as faces;


<110> para as diagonais das faces;
<111> para a diagonal do cubo.
Exemplo: a famlia <111> composta pelas direes; [111], [111], [1-11], [-111], [-1-1-1], [-1-11], [-11-1], [1-1-1].

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 10

Dado pelo produto escalar entre as direes, tratadas como vetores


D u a vb wc
D' u ' a v' b w' c
D.D' D D' . cos

Cos

uu ' vv ' ww'


u 2 v 2 w 2 . u ' 2 v' 2 w' 2

III Fundamentos de Cristalografia

Ex1 : 100 e 010


Cos

1.0 0.1 0.0


0
1

90o
Ex 2 : 111 e 210
1 .2 1 .1 1 .0

3. 5
39,2 o
Cos

3
5

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 11

DL = Numero de tomos no vetor


Comprimento do vetor
[110]

ex: DL do Alumnio na direo [110].


a = 0.405 nm
Nmero de tomos

DL
a

III Fundamentos de Cristalografia

Comprimento

3,5 tomos
nm
2a

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 12

Em cristais hexagonais algumas direes cristalogrficas equivalentes no


tero o mesmo conjunto de ndices. Isto resolvido com a utilizao de
um sistema de coordenadas com quatro eixos, ou de Miller-Bravais.
Converso: [ u 'v 'w ' ] [ uvtw ]
u

3
3

( 2 u ' - v ')
( 2 v ' - u ')

t - (u + v )
w w'

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 13

Algoritmo:
1.

Reposicionar vetor (se necessrio) para


passar na origem.

2.

Ler as projees do vetor em termos de


dimenses a1, a2, a3 ou c da clula unitria.

3.

Ajustar para os menores valores inteiros


possveis.

4.

Apresentar os nmeros inteiros entre


colchetes: [uvtw]

a2

a3

a1

ex: , , -1, 0 [ 1120 ]

-a3

a2
2

a3
Linhas pontilhadas em vermelho indicam
as projees sobre os eixos a1 e a2

III Fundamentos de Cristalografia

a2

a1
2

a1

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 14

Por qu so importantes ?
Para a determinao da estrutura cristalina
Os mtodos de difrao medem diretamente a distncia entre planos
paralelos de pontos do reticulado cristalino. Esta informao usada para
determinar os parmetros do reticulado de um cristal.

Para a deformao plstica


A deformao plstica (permanente) dos metais ocorre pelo deslizamento
dos tomos, escorregando uns sobre os outros no cristal. Este
deslizamento tende a acontecer preferencialmente ao longo de planos
direes especficos do cristal.

Para as propriedades de transporte


Em certos materiais, a estrutura atmica em determinados planos causa o
transporte de eltrons e/ou acelera a conduo nestes planos, e,
relativamente, reduz a velocidade em planos distantes destes.

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 15

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 16

A notao para os planos tambm utiliza os ndices Miller, s que


de uma forma um pouco diferente da usada para as direes. Estes
ndices so obtidos da seguinte maneira:
Algoritmo
1. Obtm-se as interseces do plano
com os vrtices;
1. Obtm-se o inverso (recproco) das
interseces;
2. Ajustar para os menores valores
inteiros possveis.
3. Apresentar os nmeros inteiros entre
parntese: (uvw)
III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 17

Exemplo 1
1. Intersees
2. Inversos

3.

Redues

a
1
1/1
1
1

4.

ndices de Miller

(110)

Exemplo 2
1. Intersees
2. Inversos
3.

Redues

4.

ndices de Miller

III Fundamentos de Cristalografia

a
1/2
1/
2
2

(200)

b
1
1/1
1
1

1/
0
0

y
b

a
x

1/
0
0

1/
0
0

y
a

x
Cincias e Tecnologia dos Materiais
2014 Brulio Silva Barros Slide 18

Exemplo 3
1. Intersees
2. Inversos

a
1/2
1/
2

3.

Redues

4.

ndices de Miller

(634)

b
1
1/1

c
3/4
1/

4/3

z
c

Famlia de planos {hkl}


Ex: {100} = (100), (010), (001), (100), (010), (001)

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 19

Compreende planos sempre paralelos um dos eixos;

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 20

No sistema hexagonal a mesma idia usada:


z

exemplo
1. Intersees
2. Inversos

3.

Reduo

a1 a2
1

1 1/
1
0
1
0

a3
-1
-1
-1
-1

c
1
1
1
1

a2

a3

4.

ndices Miller-Bravais

III Fundamentos de Cristalografia

(1011)

a1

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 21

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 22

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 23

Cbico:

1 h2 k 2 l 2

d2
a2

Tetragonal:

1 h2 k 2 l 2

2
d2
a2
c

Hexagonal:

1 4 h 2 hk k 2 l 2

c 2
d 2 3
a2

1 h2 k 2 l 2


d 2 a2 b2 c2

Ortorrmbico:

Triclnico:

h 2 k 2 l 2 sin 2 2 hk kl hl cos2 cos


1

d2
a 2 1 3cos2 2 cos 3

Rombodrico:

Monoclnico:

Nosso foco !!!

1
1 h 2 k 2 sin 2 l 2 2hl cos

2
d 2 sin 2 a 2
b2
c
ac

1
1
2 S11h 2 S22 k 2 S33l 2 2S12 hk 2S23kl 2S13hl
2
d
V

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 24

Numero de tomos no Plano


rea Total do Plano

DP =

ex: DP do Al no plano (100)


a = 0.405 nm

(100)

Nmero de tomos

DP

2
a2

III Fundamentos de Cristalografia

1,524 tomos
nm2

rea do Plano

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 25

Ex: Nos queremos examinar o empacotamento atmico dos


planos cristalogrficos.
Partculas de Ferro podem ser usadas como catalisadores. O
empacotamento atmico dos planos expostos importante.
a)

Desenhe os planos cristalogrficos (100) e (111) para o Ferro.

b) Calcule a densidade planar para cada um desses planos.

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 26

Para T < 912C o Ferro apresenta estrutura CCC

Raio do Ferro , R = 0.1241 nm

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 27

1 tomo no plano / rea da clula

2a

tomos no plano
tomos acima
tomos abaixo

III Fundamentos de Cristalografia

3
a
2

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 28

Fenmeno de espalhamento da radiao eletromagntica, provocada


pela interao entre o feixe de raios-X incidente e os eltrons dos
tomos componentes de um material .

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 29

Luz

As ondas luminosas se
propagam em linha reta e
ficam confinadas a regio
do raio direto

Onda incidente na
superfcie da gua

Ao contrrio das ondas luminosas,


no ficam confinadas a regio do
chamado raio direto, mas se
espalham em todas as direes
a partir da abertura
Regio do raio direto

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 30

O material ou objeto difrator,


deve ser peridico (cristalino).

III Fundamentos de Cristalografia

O tamanho da periodicidade dos


tomos (espaamento, d) tem que ser
da ordem do cumprimento de onda
() da radiao utilizada

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 31

Quem cumpre essas condies?

d = 5 15
Exemplo:

Cristal tpico

Emisses dos
tubos de Mo e Cu
III Fundamentos de Cristalografia

d entre 5 e 15

Mo (=0.7 ) e Cu ( =1.5 )
Cincias e Tecnologia dos Materiais
2014 Brulio Silva Barros Slide 32

Regio

Freqncia (Hz)

Energia (eV)

> 109

< 3x109

< 10-5

109 - 106

3x107 3x1012

10-5 0.01

106 - 7000

3x1012 4.3x1014

0.01 - 2

Luz visvel

7000 - 4000

4.3x1014 7.5x1014

2-3

Ultravioleta

4000 10

7.5x1014 3x1017

3 - 103

10 0.1

3x1017 3x1019

103 - 105

< 0.1

> 3x1019

> 105

Radio
Microondas
Infravermelho

Raios-X
Raios-gamma

III Fundamentos de Cristalografia

(angstrom)

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 33

Raios-X difratados

Raios-X incidentes

Ftons saem em fase e


suas ondas se somam

Sinal, intenso
=d

Interferncia Construtiva

Raios-X difratados

Raios-X incidentes

Ftons dispersados se
cancelam entre si

Sem sinal, I = 0

< d,
Interferncia Destrutiva

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 34

*Nobel de Fsica em 1912 por formular uma


teoria de difrao de raios-X para cristais.

III Fundamentos de Cristalografia

Imagem de um cristal hexagonal

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 35

Raios-X incidentes

Raios-X difratados

ngulo de
espalhamento

= comprimento de onda do feixe incidente

*Nobel de Fsica em 1914 por formularem uma lei geral


para as reflexes nos planos internos de um cristal

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 36

d hkl

III Fundamentos de Cristalografia

a
h2 k 2 l 2

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 37

Indiferentemente dos tomos especficos, a existncia da reflexo de um


determinado plano qualquer funo do tipo de rede. Um conjunto especifico de
combinaes h2 + k2 + l2 (denominadas condies de extino) existe, tal que
idntico para todas as redes cbicas simples, um conjunto diferente existe para
todas as redes cbicas de faces centradas e um terceiro conjunto para cada rede
cbica de corpo centrado.
Reflexes Presentes para Cada Tipo de Rede Cbica
Tipo de Rede

h 2 + k2 + l 2

CCC

2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, ...

h + k + l par

CFC

3, 4, 8, 11, 12, 16, ...

h, k, l todos pares ou todos impares

CS

1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, ...

III Fundamentos de Cristalografia

Regra

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 38

c
y

Intensidade (relativa)

a
x

y
a

(110)

x
y
a
x

(211)

b
(200)

Angulo de Difrao 2

Padro de difrao do Ferro- (CCC) policristalino


III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 39

Analise quantitativa e qualitativa de diversos tipos de materiais;


Determinao da frao de fase amorfa e cristalinidade de
materiais;
Medida precisa dos parmetros de rede;
Determinao de estruturas cristalinas;
Determinao de propriedades microestruturais (tamanho de
cristalito e micro-deformaes estruturais);
Determinao de espessura em filmes finos;
Determinao de textura em materiais policristalinos;
Etc...

III Fundamentos de Cristalografia

Cincias e Tecnologia dos Materiais


2014 Brulio Silva Barros Slide 40