PUNTO DE OPERACIONALIZACIN

DEL DIODO
Emily Tobar

Abstract
Se establece que los diodos semiconductores ideales poseen caractersticas perfectas para ser aplicadas en la
realidad pero al no existir este tipo de materiales se utiliza otros elementos con los que se obtienen resultados
similares a los esperados. El silicio y el germanio son cristales que por su particularidad de ser conductor y
aislante son comercializados, al ser polarizados directamente estos se comportan como una fuente la cual
empieza a operar a partir de los 0.7 V en el silicio y 0.3 V en el germanio, desde estos puntos la corriente
empieza aumentar rpidamente hacia el eje positivo de la corriente. A diferencia de esto, en la polarizacin
inversa se obtiene que la curva desciende siguiendo por el cuadrante negativo en una lnea casi recta hacia los
valores del voltaje negativo obteniendo una corriente muy pequea que puede estar en miliamperios o
nanoamperios, existe un lmite de voltaje en esta zona en el cual al ser aplicada una diferencia de potencial
excesiva se forma una zona llamada regin zener donde las caractersticas del diodo cambian drsticamente,
en este punto la corriente aumenta de manera excesiva en la direccin negativa.

Desarrollo
Si

las

caractersticas

cada

as como un rango de temperatura ms

dispositivo fueran perfectamente ideales, la

amplio que los diodos de germanio. Los

aplicacin de cada uno en la prctica

niveles de PIV para el caso del silicio se

simplificara en gran medida. Sin embargo

encuentran cercanos a 1000V, mientras que

como

las

el valor mximo para el caso del germanio se

caractersticas reales del dispositivo no son

encuentra alrededor de 400V. El silicio puede

ideales, aunque tambin es obvio que con

utilizarse para aplicaciones en las cuales la

excepcin de los elevados voltajes negativos,

temperatura puede elevarse hasta 200C,

la semejanza con la grfica de un diodo ideal

mientras que el germanio posee un nivel

(Figura 2) es excelente. El cambio de escala

mximo

que se muestra en la figura 3 permite analizar

desventaja que tiene el silicio comparado con

ms a fondo las caractersticas reales en la

el germanio como se indica en la figura 4, es

regin de polarizacin directa.

la del mayor voltaje en polarizacin directa

se

muestra

en

reales

la

de

figura

mucho

menor

(100C).

La

que requiere para alcanzar la regin de

Comparacin

entre

el

silicio

el

conduccin.

Este

voltaje

se

encuentra

germanio

alrededor de 0.7 V para diodos de silicio

Por lo general, los diodos de silicio cuentan

comercialmente disponibles y de 0.3 V para

con un PIV y un ndice de corrientes mayores,

diodos de germanio, con valores rodeando al

Punto de Operacionalizacin del diodo

dcimo volt ms cercano. La diferencia mayor

crecimiento

de

la

curva

para el caso del silicio se debe principalmente

comnmente como potencial de conduccin,

al factor n de la ecuacin 1. Este factor juega

de umbral o de disparo.

un papel importante en la determinacin de

Obviamente, el diodo se acercara ms a la

la forma de la curva pero solo para niveles

condicin ideal mientras ms cercano se

muy bajos de corriente ya que una vez que la

encuentre el desplazamiento ascendente,

curva inicia su crecimiento, el factor n baja a

excursin, al eje vertical. Sin embargo son las

1. Esto se demuestra por las similitudes en las

otras caractersticas del silicio las que lo

curvas una vez que el potencial de conduccin

hacen ser elegido entre la mayora de las

se alcanza. El potencial en el que se inicia este

unidades

comerciales

se

denomina

disponibles.

Conclusiones
El silicio y el germanio comienzan a operar a partir de valores establecidos de voltajes que se
aproximan a 0.3 V en el germanio y 0.7 V en el silicio, desde donde la corriente comienza a
aumentar con valores positivos.
Cuando los diodos son polarizados inversamente con voltajes muy altos la corriente comienza a
aumentar de forma drstica con la diferencia de que esta vez lo haca hacia el eje negativo de la
corriente.
La temperatura tambin afecta en las caractersticas del diodo semiconductor pero cada uno posee
un valor mximo con el que puede trabajar correctamente siendo el mximo para el silicio de
200C y para el germanio de 100C.

Bibliografa
Electrnica: Teora de Circuitos, R. Boylestad & L. Nashelsky, 6ta edicin, Prentice Hall
Hispanoamericana S.A.
Principios de electrnica, Alex P. Malvino, 6ta edicin, McGraw-Hill.
Anexos

Punto de Operacionalizacin del diodo

Figura 1.: Caractersticas del diodo (escala continua)

Figura 2.: Caractersticas del dispositivo real

Figura 3

Punto de Operacionalizacin del diodo

Figura 4.: Comparacin entre diodos semiconductores de Si y de Ge.

Ecuacin 1

Punto de Operacionalizacin del diodo