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TEMA 3. EL TRANSISTOR BJT.

3.1. El transistor de unin bipolar: BJT.


Un transistor de unin bipolar es un dispositivo de tres terminales, formado por dos
trozos de semiconductor extrnseco del mismo tipo, separados por una estrecha capa de
semiconductor extrnseco de tipo contrario. Los terminales son contactos ohmicos
ubicados uno en cada uno de estos tres trozos de material semiconductor. Las siglas de
la denominacin en ingls de este dispositivo bipolar junction transistor dan pie a que
habitualmente se denomine BJT ya que la denominacin transistor BJT es una
redundancia.
Dado que hay dos tipos de semiconductor extrnseco: semiconductor extrnseco tipo P y
semiconductor extrnseco tipo N, habr dos tipos de BJT: el que en los extremos el
semiconductor extrnseco es de tipo P y en el centro hay una fina capa de
semiconductor extrnseco tipo N, y el tipo opuesto, en los extremos semiconductor
extrnseco tipo N y en medio una fina capa de semiconductor extrnseco tipo P. El
primer tipo se denomina transistor PNP y al segundo transistor NPN.
En la figura 3.1 se puede observar lo que sera cada uno de estos dos tipos de BJT, as
como el smbolo con el cual se representa a cada uno de ellos. Cada uno de los
terminales del transistor se denomina por la sigla del nombre asignado a cada terminal:
el terminal emisor por E, el terminal de base por B y el terminal de colector por C.
La razn de estos nombres se comprender posteriormente.

Es conveniente aclarar que la estructura geomtrica que se ha dado a ambos transistores


no es la ms habitual en la fabricacin de transistores BJT, pero es la que se utilizar
para explicar los fundamentos de su funcionamiento. Esta estructura geomtrica
presenta muchas facilidades para hacer ms comprensible la explicacin de su
funcionamiento.
Para explicar el funcionamiento del BJT se usar el PNP de la figura 3.1. Se supone
para ello que se ha fabricado de forma que el dopado de ambas zonas P es igual y que es
mayor que el dopado de la zona N. Si los terminales del dispositivo no estn conectados
a ningn circuito externo, en ambas uniones se habr formado una barrera de potencial:
UE en la unin emisor-base y UC en la unin colector-base, que segn se vi al principio
del tema anterior seran:

NE, NC y NB son la concentracin de impurezas en la zonas: emisor, colector y base


respectivamente. Puesto
que se supone NE = NC, la
barrera de potencial en
ambas
uniones, en ausencia de
polarizacin externa, ser
la misma.
En la figura 3.2 se puede
observar las barreras de
potencial que se han
formado en las
uniones.
Si se conectan al transistor PNP dos fuentes de alimentacin de corriente continua: Vee
y Vcc, con resistencias en serie Re y Rc, tal que la unin emisor-base se polariza
directamente y la unin colector-base se polariza inversamente, tal como muestra el
circuito de la figura 3.3, se puede observar que circulan las corrientes Ie, Ib e Ic, donde
Ie e Ic son prcticamente iguales.
Que las
corrientes de
emisor y colector,
Ie e Ic, sean muy
parecidas es
aparentemente
extrao y elimina la posibilidad de tratar de analizar el comportamiento del transistor
PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el terminal de base, tal
que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los
diodos, Deb, y el otro inversamente, Dcb, tal como muestra la figura 3.4.

Para comprobarlo se puede montar en el laboratorio ambos circuitos, el circuito de la


figura 3.3 y el circuito de la figura 3.4, usando componentes que se utilizarn en las
prcticas de laboratorio: transistor PNP BC548, diodos 1N4148, fuentes de CC de 10 V
y resistencias de 1k. Se miden las corrientes Ie, Ic e Ib en ambos circuitos y se
comprueba que la corriente Ie es prcticamente igual en ambos circuitos, pero las
corrientes Ib e Ic son muy diferentes en un circuito y en otro.

Por tanto las concentraciones de portadores minoritarios tambin han variado tal como
se ve en la figura 3.5.
En la unin de emisor-base, polarizada directamente, se estn inyectando portadores
mayoritarios (huecos) desde la zona P (emisor) a la zona N (base) y electrones desde la
zona N (base) a la zona P (emisor), dando lugar a la corriente de emisor Ie. En la unin
de colector-base debido a su polarizacin inversa sern los portadores minoritarios los
que se inyectan a la unin: huecos desde la zona N (base) a la zona P (colector) y
electrones del colector a la base.
Si en la unin de colector-base no hubiese mas trasiego de portadores que los que se
producen en una unin PN polarizada inversamente, la corriente de colector Ic debera
ser Ics, corriente de saturacin inversa de una unin PN, pero debido a la estrechez de
la base gran parte de los huecos inyectados por el emisor en la base llegan a la unin

base-colector y la atraviesan. Por tanto:

Este parmetro no es una constante ya que dada una geometra de las uniones, de la cual
depende fuertemente, tambin depende de Ie de Vcb y de la temperatura
La expresin (3-2) se puede generalizar para cualquier valor de la tensin de
polarizacin de la unin colector-base, dando lugar a la expresin:

3.2. Configuraciones del BJT.


Hay tres configuraciones bsicas para el transistor BJT, en cada una de ellas se usa
como terminal de referencia un terminal distinto del transistor BJT: base comn, emisor
comn y colector comn.
3.2.1 Configuracin en base comn.
Es la configuracin que se ha usado para introducir el transistor de unin bipolar BJT.
Se toma como circuito de entrada de seal el circuito de emisor-base y como circuito de
salida de seal el circuito colector-base. Las variables de la seal de entrada sern VEB e
IE, y para la seal de salida VCB e IC.
Para estudiar su funcionamiento se usan las curvas caractersticas de entrada y de salida
al dispositivo. En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.6, se estudia la
dependencia de la tensin de entrada (VEB) con la corriente de entrada (IE) y la tensin
de salida (VCB) , y en las curvas caractersticas de salida, figura 3.7, se estudia la
variacin de la corriente de salida (IC) con la corriente de entrada (IE) y la tensin de
salida (VCB).
Antes de analizar las curvas caractersticas de entrada y salida, y para comprender mejor
el comportamiento del dispositivo que reflejan estas curvas, se ha de mencionar el
efecto de la modulacin del ancho de base, llamado efecto Early.

En un transistor PNP con polarizacin directa en la unin de emisor e inversa en la de


colector, existirn zonas de cargas descubiertas en ambas uniones. Dadas las
polarizaciones existentes esta ser pequea en la unin de emisor-base e importante en
la unin de colector-base. En concreto dado que el lado P (colector) de la unin de
colector-base est mucho ms dopado que el lado N (base) de dicha unin (1), la
anchura de la zona de cargas descubiertas en la base es considerable. Por tanto la
anchura real de la base, anchura fsica menos regin de cargas descubiertas, cambia con
VCB.
(1)-Habitualmente en los transistores BJT el nivel de dopado de la base es muy inferior al del emisor y al
del colector

Por tanto el aumento de VCB, en polarizacin inversa, hace que el ancho de la regin de
cargas descubiertas en la unin colector-base aumente en la zona de base, con los
posibles efectos:
Aumento del
, ya que al estrecharse la base disminuye la
recombinacin de huecos inyectados por el emisor en la base, y llegan en ms
proporcin a la unin de colector-base.
Aumento de IE ya que aumenta el gradiente de la concentracin de portadores
minoritarios (pn) en la unin de emisor-base en lado de la base (pn(0)). La
concentracin pn en el borde de la unin de colector debe ser cero, por tanto la
concentracin de huecos en la base decae desde pn(0) hasta cero en menos
espacio, su gradiente aumenta y con l la corriente en la unin emisor-base (IE).
Se ha de tener en cuenta que si se aumenta demasiado VCB se puede reducir a cero el
ancho real de base, provocando la ruptura del transistor, es lo que se denomina perforar
el transistor.
Una vez planteado el efecto Early se ha de a analizar las curvas caractersticas de
entrada y salida, figuras 3.6 y 3.7. En las curvas caractersticas de entrada se ve que hay
una tensin umbral de VEB, que se denomina V , a partir de la cual el transistor empieza
a conducir apreciablemente. El valor de V es de aproximadamente 0,55 V para un
transistor de Si. Igualmente en dichas curvas se observa la influencia de VCB sobre IE,
de acuerdo a lo que predice el efecto Early.
En las curvas caractersticas de salida se puede observar la ligera pendiente de IC para
un valor constante de IE al variar VCB, otra vez el efecto Early. Para IE = 0, IC ser ICS,
corriente de saturacin inversa. Tambin se observa que para IE 0 se necesita llegar a
polarizar positivamente la unin colector-base para anular la corriente de colector, pero
la curva de Ic correspondiente a IE = 0, pasa por (0,0).
Las curvas caractersticas de salida son las que ms se usan en el diseo con

transistores. En ellas se distinguen tres regiones:


Regin activa, es aquella en que IE 0 y VCB 0. Es la regin en que
normalmente se hace trabajar al transistor.
Regin de saturacin, es en la que se cumple que VCB 0. Es la regin en la
que la corriente varia fuertemente para ligeras variaciones de VCB.
Regin de corte, es en la que IE 0. Es la regin en la que las corrientes en el
transistor son despreciables, est cortado.
3.2.2 Configuracin en emisor comn.
En esta configuracin el terminal de referencia es el terminal de emisor.
El circuito de entrada de seal ser el de base-emisor
y el de salida de seal el de colector-emisor. En la
figura 3.8 se muestra una posible configuracin en
emisor comn donde se ha usado un BJT tipo NPN.
La razn del cambio de tipo de transistor es que este
tipo de transistor es el que habitualmente se usa en los
diferentes diseos con transistores BJT.

En las grficas de la figuras 3.9 y 3.10, se pueden observar las curvas caractersticas de
entrada y salida de esta configuracin. Como en la configuracin anterior se usar como
variable a estudiar en el circuito de entrada la tensin entre los terminales de entrada al
transistor, por tanto la tensin VBE, y en el circuito de salida la corriente en el terminal
de salida del transistor, por tanto IC. Como variables independientes se toman
nuevamente la corriente en el terminal de entrada al transistor, IB, y la tensin en los
terminales de salida del transistor, VCE.
En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.9 VBE = f (IB, VCE), se vuelve a
observar la existencia de una tensin umbral, V, a partir de la cual la corriente en el
terminal de entrada es apreciable, V 0,55 V para un BJT de Si. Tambin se pone de
manifiesto el efecto Early: un incremento en la tensin en los terminales de salida VCE
(2), disminuye la corriente de entrada IB, el estrechamiento de la base reduce la corriente
de recombinacin de base.
(2)-Como aclaracin se ha de tener en cuenta que al aumentar la tensin en los terminales de salida, VCE,
se aumenta la polarizacin inversa en el diodo colector-base.

En las curvas caractersticas de salida, figura 3.10 IC = f (IB, VCE), se observa la ligera
variacin de IC, para IB constante, al variar VCE, otra vez el efecto Early. Como detalle
interesante se ha de resaltar que si se prolongan estas rectas, confluirn en un punto del
eje X, un valor VCE negativo, dicha tensin se denomina tensin Early.
Igual que en la configuracin de base comn, en la grfica de las curvas caractersticas
de salida se distinguen de tres regiones: activa, saturacin y corte. La regin activa es
aquella en que IB > 0 y VCE > 0,3 V, ya que para VCE < 0,3 V se entra en los codos de
las curvas y se pasa a la regin de saturacin, la cual se toma para VCE < 0,25 V. La
regin de corte es para IB 0, en esta regin las corrientes en el transistor son
despreciables.
Al analizar un circuito que contenga un transistor este se comportar como un nudo en
el cual confluyen tres ramas por tanto se debe cumplir:
IE = IC + IB
(3-5)
Sustituyendo (3-5) en (3-2) y despejando IC, se obtiene:

Puesto que ICS << IB, la expresin (3-8) se suele aproximar por la expresin:

De la expresin previa se deduce que el


tambin denominado hFE, da la
ganancia de corriente en rgimen esttico, es decir sin seal variable aplicada al circuito
de entrada, por tanto es la ganancia de corriente en continua.
ser muy usado en el anlisis y diseo de circuitos con transistores BJT,
por tanto es muy importante el tener claro sus posibles variaciones con el resto de
variables de las cuales pueda depender. Aumenta su valor con la temperatura y con VCE,
esto ltimo debido al efecto Early, pero la dependencia ms importante es con IC.
aumenta con IC hasta llegar a un intervalo de valores de IC en que es prcticamente
constante, este intervalo es desde casi el miliamperio hasta unas decenas de
miliamperios, para despus volver a disminuir al seguir aumentado IC.
Otro aspecto importante a considerar es que de la definicin de ,
expresin (3-7), se
deduce que ligeras variaciones del parmetro
producirn grandes variaciones del
parmetro
que

. Dado que la geometra del transistor influye en el valor de

, es lgico

transistores tericamente iguales tengan valores de su parmetro


ligeramente
diferentes y por tanto con valores de su muy diferentes, por ello al comprobar la hoja
de caractersticas que da el fabricante de un transistor cualquiera, no es difcil que para
el parmetro el fabricante de un intervalo de valores posibles muy grande, por
ejemplo entre 50 y 200.
Con un simple ejemplo numrico se puede comprender mejor este problema. Supuesto
que el valor medio del parmetro
de unos transistores que se est fabricando es 0.99,
= 99, y que se garantice que los valores de
varen ms del
0,5 %. El intervalo de valores del parmetro

que se van a obtener no

que garantiza es:

Por tanto antes de usar un transistor es conveniente medir su beta. Dado un transistor
concreto con un valor de beta dado, es importante comprender que el parmetro beta
slo tiene sentido cuando est trabajando en un punto de funcionamiento de la regin
activa del transistor.
La regin de saturacin es la zona izquierda de las curvas caractersticas de salida,
previa a los codos de las curvas. En la regin de saturacin no tiene validez el parmetro
beta ya que segn se ver posteriormente, la corriente de colector que pasa por el
transistor, en toda esta regin, es menor que la que define la expresin (3-9), expresin
que liga la corriente de base y de colector a travs del parmetro beta.
Igual que se ha definido el parmetro
(hFE) para corrientes estticas, corriente
continua, se define tambin para variaciones de la corriente. En tal caso se usa
normalmente hfe para denominar la dinmica, es por ello que en lo que sigue se
utilizar hFE para denominar la esttica, y hfe para denominar la dinmica, tambin
denominada ganancia de corriente para pequea seal y cuya definicin es:

iC e iB son las corrientes instantneas de colector y base respectivamente. Se puede


demostrar que hfe y hFE estn relacionados por la expresin:

ICB0 es la corriente de colector cuando se anula la corriente de emisor haciendo VBE = 0.


El transistor se usar en una zona de funcionamiento, valor de IC, en la que la variacin
de hFE con IC es prcticamente despreciable y hFE toma su valor mximo. Por ello en
los problemas de diseo y de anlisis de circuitos con transistores BJT se supondr que
hFE y hfe toman el mismo valor.
Dada la variacin de hFE con IC, para puntos de funcionamiento con IC muy pequeo hfe
> hFE, y para puntos de funcionamiento con IC grande, varias decenas de miliamperios,
hfe < hFE,
3.2.3 Configuracin en colector comn.
Es prcticamente la misma que emisor comn, figura
3.11, salvo que la resistencia de carga se ha
transferido del colector al emisor.
Las curvas caractersticas de esta configuracin son
similares a las de la configuracin de emisor comn.

3.3 Tensin de AvalanchaRuptura y mximo consumo.


En las curvas de salida que se han dado para las diferentes configuraciones se ha
obviado la continuacin de dichas curvas para valores elevados de VCB en la
configuracin de base comn y de VCE en la configuracin de emisor comn. Dado que
lo que ocurre para valores elevados de la tensin de salida de cualquier configuracin es
similar, se limitar la explicacin a una de ellas: la configuracin de emisor comn.
Si en la configuracin de emisor comn, figura 3.8, se aumenta suficientemente la
tensin entre los terminales de salida, las curvas Ic = f(VCE, IB) se levantan, IC sube
bruscamente, y se lega a destruir el transistor. El proceso puede tener su origen en dos
procesos fsicamente diferentes:
Avalancha: la cada de tensin en la unin de colector-base es tan fuerte que el
efecto multiplicativo de la generacin de portadores por colisin hace crecer IC
fuertemente.
Ruptura: el aumento de la cada de tensin en la unin colector-base aumenta
tanto la zona de cargas descubiertas en la regin de base que anula la regin de
base real y se perfora el transistor dando lugar a un brusco crecimiento de IE.
La destruccin del transistor se produce por un consumo superior a la potencia mxima
que especifica el fabricante en su hoja de caractersticas: Pmax. La potencia que consume

el transistor en la configuracin de emisor comn es prcticamente igual a VCE IC, por


tanto si trazamos en la grfica de las curvas de salida, la hiprbola Pmax = VCE IC, esta
curva limita la regin en la que el transistor puede trabajar sin alcanzar el consumo de la
mxima potencia que acarreara su destruccin. Habitualmente se impondr un margen
de seguridad que impida aproximarse a esta curva el punto de funcionamiento.
En las curvas caractersticas tambin hay otros valores mximos, para diferentes
corrientes y tensiones en el transistor, que no se deben de superar si no se quiere destruir
el mismo.
3.4. Polarizacin del BJT: Punto de funcionamiento.
En las tres configuraciones posibles del transistor BJT se han utilizado dos fuentes de
alimentacin de continua y dos resistencias para polarizar el circuito, es decir para que
el transistor est en un determinado punto de funcionamiento de continua, un
determinado valor de Ic y Vce . El punto de funcionamiento de continua, denominado
habitualmente punto Q, se escoge normalmente sobre las curvas caractersticas de salida
en la zona central de la regin activa, en cualquier caso como se ver posteriormente es
importante que el transistor est polarizado en el punto de funcionamiento seleccionado.
Dado que uno de los objetivos del diseo de cualquier sistema es realizarlo fiable, eficaz
y de bajo coste, no parece lgico utilizar dos fuentes de continua para polarizar las
diferentes configuraciones del transistor si se puede conseguir con una sola.
Para analizar como resolver el problema se plantea polarizar un transistor NPN con
intervalo de valores posibles de la beta (hFE) entre 100 y 300, en el punto de
funcionamiento: Ic = 2 mA y Vce = 5 V, usando una fuente de alimentacin de 10 V.
Una posible solucin, muy sencilla y por tanto econmica, es la de la figura 3.12 en la
que se usan solo dos resistencias y donde el circuito de la derecha es como en el futuro
se dibujar la conexin de la fuente de alimentacin. Para calcular que valor debe tomar
Rc y Rb se supone que beta tiene el valor intermedio de todos los posibles, 200.

En las expresiones de (3-12) se ha sustituido la tensin en voltios y las corrientes en


miliamperios, por tanto las resistencias se obtienen en miles de ohms, es decir en k
Habitualmente solo se pondr la k kilo, y adems dicha k se utiliza de coma, en la
primera ecuacin 2k5 equivale a 2,5 k. Las unidades usadas y este tipo de
representacin son la que se usarn habitualmente en la resolucin de problemas.
Si para polarizar el transistor se usa la fuente de 10 V y las dos resistencias calculadas
en (3-12), el punto de funcionamiento ser el previsto si la beta del transistor vale 200.
El problema se plantea si el parmetro hFE del transistor no es de doscientos, por ello se
ha de comprobar como puede variar el punto de funcionamiento al variar hFE.
Cuando hFE tome el valor 100, en primer lugar hay que tener en cuenta que la corriente
de base no habr variado, por tanto:
IC = hFE Ib = 100 10 A = 1 mA
VCE = VCC RC IC = 10 2k5 1mA = 7,5 V
Si ahora beta tomara el otro valor extremo, 300:
IC = hFE Ib = 300 10 A = 3 mA
VCE = VCC RC IC = 10 2k5 3mA = 2,5 V
Los dos puntos de funcionamiento obtenidos son muy diferentes del deseado.
Se podra argumentar para resolver este problema que antes de calcular Rc y Rb se
debera medir el parmetro hFE y usar el valor medido para calcular ambas resistencias,
con lo cual el problema se obviara. El razonamiento es aparentemente correcto pero
tiene varios fallos muy importantes. El primero y no el ms importante es que si el
circuito est montado en una placa y tenemos que cambiar el transistor porque se haya
estropeado, como sabemos que valor del parmetro hFE debe tener el transistor a
reponer, o es que se han de cambiar tambin las resistencias.
No es bueno que el punto de funcionamiento sea tan dependiente del parmetro hFE del
transistor por ello se utiliza otra estructura ms compleja para polarizar el transistor, la
del divisor de tensin en base y resistencia en el emisor, como muestra el circuito de la
figura 3.13. En la figura se da tambin la transformacin por el teorema de Thevenin
del circuito de base.

Tomando el mismo punto de funcionamiento que antes: Ic = 2 mA y Vce = 5 V, pero


debido a un aspecto en el cual no se va a profundizar, la deriva trmica en el punto de
funcionamiento, la resistencia de emisor Re no debe ser mucho menor que Rb.

Haciendo iguales ambas resistencias:


Rc = Re = 1k25 Rb = 5 Re = 6k25
Suponiendo hFE = 200:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re Ie
= Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
= 0,7 + (6,25 + 201 1,25) Ib
como Ib = 0,01 mA:
Vbb = 0,7 + 2,575 = 3,275 V
De las expresiones de Vbb y Rb que se deducen por el teorema de Thevenin:

Tomando ahora los valores extremos de hFE, empezando por el valor inferior, hFE =
100:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
3,275 = 6,25 Ib + 0,7 + 1,25 101 Ib
Ib = 0,0194 mA Ic = 1,94 mA
VCE = 10 Ic Rc Re (Ib+Ic) = 5,126 V
Para hFE = 300:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
3,275 = 6,25 Ib + 0,7 + 1,25 301 Ib
Ib = 0,006732 mA Ic = 2,02 mA
VCE = 10 Ic Rc Re (Ib+Ic) = 4,942 V
Los resultados hablan por si solos, la polarizacin por divisor de tensin en base y
resistencia de emisor definen un punto de funcionamiento del transistor BJT muy poco
dependiente del valor del parmetro hFE del transistor. Este tipo de polarizacin es el
que se usar habitualmente.