Fisica

O.
FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS

UNiVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID
95~
7208
UNIVERSIUAD COMPLUTENSE
TESIS DOCTORAL
CONTRIBUCIN AL ESTUDIO DE LOS

EFECTOS GALVANOMAGNETICOS EN EL
GAS DE ELECTRONES BIDIMENSIONAL
y
Memoria presentada por

Miguel Angel Hidalgo Moreno
para alcanzar el grado de Doctor en CC. Fsicas
Director: Dr. Francisco Batalin Casas
u
u
u
u
u
u
1
u
u
u
u
1
u
u
1
u
u
u
u
A mifamilia
AGRADECIMIENTOS
Este trabajo ha sido posible gracias a la colaboracin con Susana Fernndez de Avila y Jos
Manuel Qilprez del Departamento de Ingeniera Electrnica de la E.I.T.S. de la Universidad
Politcnica de Madrid, quienes nos confiaron sus muestras para someterlas a un tratamiento de bajas
temperaturas (hasta 1.2K) y condiciones extremas de campo magntico (sobre 11. 5T). Por esa
confianza vaya mi agradecimiento y la esperanza de poder seguir colaborando en un futuro.
Una vez que uno dispone de unas buenas muestras y de un excelente equipo, como el que
ha montado a lo largo de los ltimos aos el Prof Francisco Batalln, con la impagable e
indispensable aportacin de Carlos y Antonio, slo queda medir, obtener resultados experimentales y
pensar la forma de sacarles el mximo partido para la comprensin del fenmeno. Esta es una tarea
que resulta en muchos momentos Ardua y hasta tediosa pero que si tienes a tu lado personas de la
calidad humana de Paco, Carlos y Antonio puede resultar liviana, a pesar de que algunas tardes
acabsemos con la cabeza como un bombo tras acaloradas aunque, eso s, deportivas discusiones.
Gracias a los tres.
A mis amigos sobre todo quiero agradecerles su amistad, de la que espero no se arrepientan
tras haber tenido que soportarme en la parte final de redaccin de esta memoria. A Abnudena y a
Miguel, que estoicamente me han sacado de paseo para que no me diera el sndrome monacal, muy
usual en la ltima fase de gestacin de una tesis; a Pilar y a Carlos por haberse desplazado los
domingos al Caf Medidodia a las 20.00 horas, (con aviso telefnico incluido), para ingerir una
inhumana cantidad de zumos de limn y Coca-Cola, por supuesto light, y haber aguantado mi
berborrea con una paciencia rallando la Divina. A Malenix, Enrique, J. M., Pepigno y Xavi, por su
compaa y apoyo en mi singladura alcalana y, sobre todo, por las ldicas jornadas indlicas. A
Pepe y Pilarica que han tenido que soportar mis proyectos de colaboracin cientifica y con quien he
mantenido vivo los recuerdos de Nicaragua. A Agusting sin cuya ayuda me hubiera perdido en el
mundo de los buses y bits.
J
Por supuesto quiero agradecer a todos los compaeros del Departamento de Fsica de la
Universidad de Alcal de Henares el trato que siempre me han dado desde mi llegada al
departamento.
No quiero olvidarme en los agradecimientos de mis amigos nicaragenses: Patricia,
Giovanna, Guille, Jonathan que aunque la distancia es mucha s que su apoyo es incondicional.
Quiero agradecer tambin a Luis y al Sr.Alonso (alias Ton) su compaa en largas noches
de redaccin para mi y de tediosas rondas para ellos (fines de semana incluidos).
Sea injusto que no diera las gracias, aunque este agradecimiento no llegue a su
destinatario, a todos los locutores de Radio 2 (la de siempre) por su fidelidad y compaa en
J
J
J
J
interminables horas de soledad ante el ordenador.

Pero todos comprendern que mi mayor agradecimiento sea para mi faniilia que siempre ha
estado conmigo y en especial, a mi hermano, el culpable de que yo estudiara:Fisica, y quien me
J
J
apoy incondicionalmente en los momentos dificiles.

A todos, Gracias.
J
J
J
J
J
J
J
J
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u
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u
u
u
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u
La distancia ms cofta entre

dos puntos habitualmente est
en construccin
Annimo
u
u
u
U
E
RELACIN DE ABREVIATURAS
B: Campo magntico.
dHvA: Efecto de de Haas-van Alphen.

EHC: Efecto Hall Cuntico.
EHCE: Efecto Hall Cuntico Entero.
EHCF: Efecto Hall Cuntico Fraccionario
E: Campo elctrico de transporte.
E: Campo elctrico de la unin.

GEiD: Gas de Electrones Cuasi-Unidimensional.
GE2D: Gas de Electrones Cuasi-Bidimnensional.
Momento angular orbital generalizado.
n-D: Sistema n-dimensional.
ff: Momento lineal generalizado.
R: Longitud magntica.
RL:
Radio de Larmor.
SiD: Sistema Cuasi-Unidimensional.

S2D: Sistema Cuasi-Bidimensional.
S3D: Sistema Tridimensional.
SdH: Efecto Shubnikov-de Haas.
V5: Tensin de puerta de la estructura FET.
u
u
I
I
U
U
INDICE TEMTICO
INTRODUCCIN
PARTE 1: EL GAS DE ELECTRONES BIDIMENSIONAL
PARTE II: EFECTOS GALVANOMAGNTICOS CLSICOS EN SISTEMAS

CUASI-BIDIMENSIONALES
13
PARTE III: DENSIDAD DE ESTADOS DE UN SISTEMA CU14SI-BIDIMENSIONAL EN

PRESENCIA DE UN CAMPO MAGNTICO.
27
PARTE IV: DESARROLLO DEL MODELO TERICO

lintroduccin
39
2.Dependencia trmica de los efectos cunticos
43
3.Propiedades de transporte en funcin del campo magntico:
U
U
U
U
u
u
3.1 .Introduccin
45
3.2.Magnetoconductividad Hall
48
3.3.Magnetoconductividad diagonal
3.4.Magnerorresistencias Hall y diagonal
53
59
4.Propiedades de magnetotransporte en funcin de la tensin de puerta:

4.1 .Introduccin
61
4.2.Magnetoconductividad Hall
63
4 3 Magnetoconductividad diagonal
65
4.4.Magnetorresistencias Hall y diagonal
66
5.Efecto Hall cuntico y Shubnikov-de Haas para el caso dedos subbandas
66
6.Otros modelos tericos sobre el efecto Hall cuntico entero

68
7.Extensin del modelo terico a las propiedades de equilibrio de un gas de electrones cuasibidimensional:
7.1 .Introduccin
de de Haas-van Alphen
74
75
IIindice temtico
7.3.Calor especifico
78
7.4.Magnetocapacidad
80
PARTE V: TECNICA EXPERIMENTAL

1 .Descripcin de la instrumentacin:
1.1 .Descripcin del criostato
86
1.2. Generacin del campo magntico
86
1.3 Electrnica de medida
88
1.3.1 .Fuente de intensidad.
1 .3.2.Voltmetro.
1.3.3.Fuente de tensin.
1.3.4.Regulacin de temperaturas.
2.Conflguraciones de los contactos en una medida de efecto Hall y magnetorresistencia
diagonal
89
PARTE VI: DESCRIPCIN DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES

1.Caracteristicas de las muestras medidas
91
2.Magnetorresistencias, R~ y Rr,, en funcin de B
93
3 .Determinacn del nmero de portadores:

3.1 .Pendiente Hall
95
3.2.Transformada de Fourier
95
4.R~ yR.<.~, en funcin de y8 a varios B
96
5.R~ y It, en funcin de y, a varias temperaturas
98
6.R~ y it, en funcin de B a varias temperaturas
99
PARTE VH: ANLISIS DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES CON EL

MODELO TERICO
PARTE VIII: EXTENSIONES DEL MODELO TERICO
101
J
J
indice temtico
iii
1 .Efecto Hall Cuntico Fraccionario (EHCF):

1.1 .Introduccin
113
1.2.Efecto Hall cuntico fraccionario
115
1 .3.Otros modelos tericos sobre el efecto Hall cuntico fraccionario
123
2.Sistemas Cuas-unidimensionales (5 ID):

2.1 introduccin
126
2.2.Densidad de estados de un sistema cuasi-unidimensional
127
2.3.Magnetorresistencia de un sistema cuasi-unidiniensional
129
CONCLUSIONES
133
AFENDICES
1.Densidad de estados en sistemas iB, 2D, 3D
135
2.Estados de Energa en Slidos
139
2.1 .Electrones extendidos
137
2.2.Aproximacin de la masa efectiva
142
2.3.Aproximacin st
143
3.Efecto de las impurezas sobre un nivel de Landau
145
4.Ecuacin de Boltzman. Aproximacion
147
______
5.Frmula extendida de la suma de Poisson
153
6.Teorema de convolucin
155
7.Simulacin del efecto Hall cuntico fraccionario
157
8.Hamiltoniano de un sistema cuasi-bidiniensional
159
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
.~
___
165
INTRODUCCIN
En esta memoria resumimos el trabajo tanto experimental como terico que hemos
desarrollado en los ltimos aos.
Respecto a la parte experimental disponemos actualmente de una cantidad importante de
resultados sobre las componentes diagonal (Ra) y no diagonal (R~,) de la magnetorresistencia

transversa de un gas de electrones bidimensional. En la parte terica hemos desarrollado un modelo
simple para tratar globalmente el efecto Hall cuntico entero (ERCE) y el Shubnikov-de Han (SdH)
con un enfoque diferente al que se puede encontrar en la bibliografia. Est basado en la aproximacin
de electrones independientes y combina conceptos bien establecidos de la fisica del estado slido a
altos campos magnticos. En su desarrollo hemos utilizado el conjunto de resultados experimentales

obtenidos sobre ambos fenmenos en nuestro propio laboratorio.
La memoria est estructurada en cuatro bloques: El primero, que abarca las cuatro primeras
panes, es el bloque terico en el que incluimos todo el desarrollo de nuestro modelo. En el segundo,
que corresponde a las dos partes siguientes, presentamos el conjunto de resultados experimentales.
Hay un tercer bloque, [Parte VII], dedicado ntegramente al anlisis de estos resultados y a su
comparacin con el modelo terico. Por ltimo, en la [Parte Vffi], abordamos desde un punto de vista
terico otros fenmenos cunticos que aparecen en los sistemas semiconductores de baja dimensionalidad.
A continuacin pasamos a detallar brevemente el contenido de cada parte: En la [Parte 1]
definimos el concepto de gas de electrones cuasi-bidimensional (GE2D), describiendo los posibles

estados energticos del potencial de confinamiento de una heteroestructura semiconductora, y la
densidad de estados correspondiente a un sistema cuasi-bidimensional (52D). En la [Parte II],
hacemos un repaso exhaustivo de los efectos galvanomagnticos en un 52D con el campo magntico
aplicado en la direccin perpendicular al mismo. Este estudio es importante porque, como veremos en la
[Parte lv], el conocimiento de la expresin semiclsica de las componentes diagonal y Hall del tensor de
magnetoconductividad es fimdarnental a la hora de abordar el problema en el rgimen cuntico. La [Parte
III] est dedicada al clculo de la densidad de estados del sistema electrnico cuando es efectiva la
cuantizacin de los estados del electrn en presencia de un campo magntico, es decir, cuando aparecen
Introduccin
los niveles de Landau. Para tratar globalmente el conjunto de estos niveles hacemos una extensin de la
frmula de la suma de Poisson, [Apndice5]. La consecuencia de la cuantizacin de los estados
energticos de un GE2I) en las propiedades de magnetotransporte nos lleva a la [ParteIV], en la que
presentamos nuestro modelo. Este en principio fue desarrollado para tratar el magnetotransporte, aunque
J
J
j
nos dimos cuenta que era lo suficientemente general para abarcar otras propiedades fisicas de los 52D,
como la imanacin, [Apartado7.2], el calor especifico, [Apartado7.3], y la magnetocapacidad, [Apartado
7.4], de las que, eso si, no disponemos de resultados experimentales y hemos tenido que hacer uso de las
referencias bibliogrficas.
La [Parte V] se dedica a una breve descripcin del montaje experimental utilizado en las
medidas del EHCE y SdH, detallando cada uno de los elementos necesarios. Los resultados
experimentales y las caractersticas particulares de las muestras que hemos medido se resumen en la
[ParteVI].
La comparacin del modelo con los resultados es, junto con la [Parte IV], la parte fundamental
de la memoria. En la [Parte VII] discutimos con detalle los ajustes del modelo y establecemos sus limites,
J
J
J
J
J
emplendolo, a su vez, para comprender los fenmenos asociados a ambas magnetorresistencias. En

algunos tipos de medida de la que no disponamos de resultados propios, hemos utilizado los existentes en
la bibliografia.
En la [Parte VIII] extendemos las ideas del modelo al caso ms complejo del efecto Hall
cuntico fraccionario (EHCF), que analizamos desde una ptica diferente. Para llegar a las
conclusiones que se exponen estudiamos detalladamente la bibliografla experimental sobre el tema.

Por ltimo, en la parte final consideramos brevemente el reciente problema del transporte electrnico
J
J
J
en los SD.
A lo largo de la memoria hemos tratado de cubrir el mayor nmero de aspectos

relacionados con el EHC y SdH tanto desde un punto de vista experimental como terico. Sin
embargo, no queremos terminar esta introduccin sin mencionar cuestiones que han quedado
pendientes y que esperamos constituyan nuestras prximas actividades. As, por ejemplo, queremos
realizar un estudio sistemtico del comportamiento en funcin de la intensidad de corriente que pasa
por la muestra, medidas de magnetocapacidad, medidas de magnetorresistencia diagonal y Hall sobre
J
J
Introduccin
muestras con dos subbandas ocupadas, medidas no locales de magnetorresistencia diagonal,

desarrollo de un mtodo automatizado de ajuste, etc.
Pienso que la mejor forma de tenninar esta introduccin es mostrando curvas
experimentales correspondientes al EHCE (R~) y SdH (Ra), obtenidas en nuestro laboratorio.

.14
.12
.10
e
.08
.06
.04
.02
0.00
0
CAMPO MAGNTICO (T)
__
_______
al
ej
ej
ml
ej
ml
u
ej
Ni
ej
MI
ej
ml
ej
ej
ej
u
ej
ej
1
EL GAS DE ELECTRONES BIDIMENSIONAL
Esta memoria se centra bsicamente en el estudio de los efectos galvanomagnticos de

sistemas semiconductores que tienen, desde un punto de vista dinmico, un carcter bidimensional.
Esta bidimensionalidad se ha de entender en el siguiente sentido: Los posibles estados de energa del
electrn estn cuantizados en una dimensin espacial, z; sin embargo, los electrones pueden moverse
libremente en las otras dos direcciones espaciales, x e y. Por supuesto, estos sistemas no son
bidimensionales en sentido estricto debido a que las funciones de onda tienen una extensin espacial
en la direccin z, y los campos electromagnticos que actan sobre los electrones no estn
confinados en el sistema bidimensional. Todas estas consideraciones nos llevan a utilizar a lo largo de
la memoria el concepto de sistema cuasi-bidimensional, que denotaremos por simplicidad con las
siglas 52D.
En esta primera Parte vamos a describir cmo se obtiene un S2D real y cules son sus
propiedades fisicas bsicas: la cuantizacin de su energa en la direccin z, dando lugar a las
subbandas, y su densidad de estados.

El primer dispositivo en el que se obtuvo un gas de electrones cuyo comportamiento se
poda asimilar al de un sistema cuas-bidimensional, fue el transistor MOS (Metal-OxidoSemiconductor), IjFig.1(a)], compuesto de una puerta metlica, un xido (generalmente S102) y Si
con un dopaje tipo p no demasiado fuerte. Al aplicar sobre el transistor una tensin de puerta
positiva, los electrones son atrados hacia la superficie de separacin entre el SiO~ y el Si, [Fig.1(b)].
Si seguimos aumentando esta tensin hasta el punto de que el fondo de la banda de conduccin se
aproxime y traspase el nivel de Ferm, aparece una regin prxima a esta supeficie en la que se
El gas de electrones bidimensional
mejora la conductividad. Esta constituye la capa de inversin, denominada as porque esta regin ha
pasado de tener un comportamiento tipo p a uno n. Por otro lado, como el movimiento de los
electrones est restringido a un zona prxima a la superficie de separacin, podemos considerar que
se comporta como un gas de electrones cuasi-bidimensional (GE2D). La regin donde las bandas
estn curvadas ser una regin de alta resistividad debido a la reduccin de la densidad de
portadores.
Fuente
Sumidero
u
u
u
u
u
Puerta
Semiconductor
u
u
tipo p
Figura 1(a): Esquemade un transistor MOSFET.
Pun
____
_________
00 0000000
e.
e
00000
0 00
0 0 0
e
Ji
0~
oooooo
0
0000
000
Ji
00 000
000
00
00000000
Figura 1(b): Comportamiento del transistor MOSFET enfuncin de
la tensin de puertapositiva aplicada (vase texto).
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
J
u
La posibilidad de modular la densidad de electrones a travs de la tensin de puerta justifica
la utilidad que para nosotros tiene el transistor de efecto campo (MOSFET>, [Fig.1(a)]. Como
demostraremos en el [Apanado 4] de la [Parte IV], esta puerta nos proporciona un mtodo

alternativo de estudiar el efecto Hall cuntico (EHC) y el efecto Shubnikov de Haas (SdH)
Las regiones tipo n cercanas a los contactos que hacen de fluente y sumidero para la
intensidad de corriente estn ms fuertemente dopadas y su funcin es la de efectuar un buen
U
U
contacto con la capa de inversin de tipo n para el paso de corriente a travs del GE2D. La regin de
curvauniento de la banda en la unin entre el contacto tipo n y el substrato tipo p est unido con la
zona de curvamiento creada por la tensin de puerta, de manera que el canal de tipo n est
completamente aislado del substrato de tipo p.
sistemas El desarrollo del MBE (Epitaxia de Haces Moleculares) ha permitido obtener el otro tipo de
en los que se observa el EHC, las heteroestructuras semiconductoras, fFig.2J, que se
u
u
caracterizan por el crecimiento en capas sucesivas de diferentes compuestos semiconductores. De

este modo se ha conseguido reducir el principal problema que presentan las estructuras MOSFET,
esto es, la dispersin de los electrones debido a los tomos donores ionizados. As, se obtuvo el
transistor de alta movilidad electrnica, (HEA47), constituido por un material con dopaje tipo n,
habitualmente AI~Ga~As y denominado barrera, que se intercala entre el electrodo de la puerta y
una zona no demasiado gruesa de AsGo (en el caso de nuestras muestras In~Ga.,.As, [Apartado1] de
la [Parte VI]), que se dopa dbilmente de tipo p. Los electrones del S2D, situados fisicamente en el
u
u
AsGo (Zn~Ga.,,4s), y que aparecen a consecuencia de la igualacin de los niveles de Ferm de cada
semiconductor, provienen de los donores de AIxGan.As. Al estar los tomos ionizados fisicamente
separados del S2D no reducen la movilidad de los electrones en la capa de inversin.

La tecnologa del MBE ha permitido, adems, desarrollar un nuevo tipo de dopaje, el
llamado dapaje 4 consistente en la intercalacin en el material que hace las veces de barrera de una
nica capa de tomos dopantes, habitualmente para un dopaje tipo n, Si ([Apartado 1] de la [Parte
VI]).
J
J
Capa de inversin
GaAs
Puerta
fi
Figura 2: Esquema de un transistor HEMT basado en una
heteroestructura de Al~Ga,~4s/AsGa, (vase teno).
Acabamos de mencionar que para obtener un GE2D es necesario confinar electrones en una
J
J
u
u
u
u
u
regin prxima a una interfase semiconductora, [Fig.1] y [Fig.2].En el caso del HEUI al igualarse
los niveles de Fermi entre los semiconductores en contacto, se produce un potencial de
confinamiento (pozo cuntico) que da origen a una cuantizacin del espectro energtico de los
electrones en la direccin z de la interfase, lo mismo que ocurre en el caso del MOSFET. Con idea de
obtener expresiones analticas para estos posibles niveles energticos hay que modelizar la forma del
potencial de confinamiento. Habitualmente se emplea la aproximacin de potencial triangular,
[Ando,82,1],[Ando,82,2],[ChangC-S,89],con el que se obtienen los siguientes autovalores para la
energa en el pozo
E=I~t~UtIi
~8m )L2ek
u
u
u
4}j
siendo i=1,2,3,..., n0 la densidad de electrones en el pozo cuntico y e la permitividad elctrica del
medio semiconductor en el que se forma el GE2D. A cada uno de estos posibles niveles energticos
se les llama subbanda.
u
u
Pueden encontrarse en la bibliografla soluciones para otros perfiles de potencial como, por
ejemplo, un potencial cuadrado infinito de distancia d entre sus barreras, cuyos autovalores estn
dados por, ~Hook,91jj:
Ph2
Sm?!2
Cada una de estas subbandas corresponde a un sistema electrnico cuasi-bidimensional, [Apndice
1]. Esto ser importante tenerlo presente cuando abordemos en el JApartado 5] de la [Parte IV] el
estudio del efecto Hall y Shubnikov-de Haas en el caso dos subbandas ocupadas.
Por tanto, estos niveles de energia representan los posibles estados del electrn en la
direccin de confinamiento. Sin embargo, en las otras dos direcciones, mientras no consideremos la
accin del campo magntico, podemos considerar el electrn como cuasi-libre, y la energa total
estar dada por la expresin
E=E, +~}k.? +k;)

El efecto del campo magntico lleva a la cuantizacin del segundo trmino de esta ecuacin como
discutimos con todo detalle en la [ParteIII] y el [Apndide8].

Una magnitud importante y que caracteriza de manera precisa la dimensin del sistema
electrnico es la densidad de estados a campo magntico nulo. Para el caso de los S2D, sta viene
dada por la ecuacin, [Apndice1]:
m
g
0
[1.1]
Una vez conocida esta densidad de estados y la densidad de electrones en el S2D, n0,
podemos determinar la posicin del nivel de Fermi. As es, a la temperatura del cero absoluto,
tenemos la relacin
=
~g0dE=g0E~
[1.2]
que, usando la [Ec.1], nos permite expresar el nivel de Ferm de la forma
2n
h 0,r
m
n0
[1.3]
Es importante resaltar la inevitable presencia de impurezas ionizadas positivas en cualquier
S2D real, que dan origen a un campo elctrico, E, que llamaremos campo elctrico de la unin,
[Fig.3], y
cuya direccin es perpendicular a] S2D.
10
Al~Ga,.4s
Capa de inversin
4s
In.Ga,,.
Puerta
DopajeB<SI)
Figura 3: Conjunto de campos externos e internos que actan sobre la

capa de inversin de una heteroestructura semiconductora. Indicamos
tambin la direccin de aplicacin del campo magntico, A.A tes el
campo de transporte cuyo sign~ficodo discutiremos en la [ParteII].
Estas impurezas estn localizadas siempre en una regin ms o menos prxima al S2D
aunque, como hemos mencionado para el caso del HEAJfl separadas espacialmente del mismo.
Hemos visto que el dopaje puede ser de volumen o de tipo 32 Sin embargo, aunque el dopaje sea en
volumen, asumiremos que todas las impurezas ionizadas estn localizadas en un plano equivalente,
paralelo al S2D.
Un parmetro fUndamental en el estudio del EHC ser el de la distancia media entre
impurezas ionizadas que pasamos a evaluar a continuacin.
Llamemos Q(r)dr a la probabilidad de encontrar un ln de impureza vecino ms prximo
entre las distancias r
J
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
1
r+dr. Si denotamos por P(r) la probabilidad de que haya un in vecino ms
cerca a una distancia r, entonces, se sigue la relacin

Q(r)dr = P(r)2ardrN,
donde con N, representaremos la densidad promedio de impurezas. Estas dos magnitudes estn
relacionadas por la ecuacin

P(r)=l-SQ(r)&
Operando sobre las dos ecuaciones anteriores, podemos obtener
u
u
u
II
-Q(r)
que integrando, nos lleva a

Q(r2,rN1 exp{~nr2N,}
en el que hemos usado la condicin frontera Q(r)=tO cuando r=O. La distancia media entre impurezas,
que llamaremos a partir de este momento longitud de correlacin de impurezas, vendr dada
entonces por la ecuacin
=
1 rQ(r)dr
2,d%T1
5 r2 exp{~~nr2N}&
Haciendo un cambio de variable es inmediato calcular esta integral, de forma que obtenemos
siendo F(3/2) la funcin gamma de Euler de indice 3/2. Tomando su valor de las tablas, la ecuacin
anterior puede simplificarse como sigue, [Ridley,92]:
1
2
~i
2
Es fisicamente razonable suponer que el nmero de impurezas ionizadas se corresponde con el de la

concentracin de electrones en el GE2D. De manera que si la densidad de electrones de ste es del
orden de 3 x lO3m2 obtenemos una distancia media entre impurezas ionizadas, o longitud de
correlacin, de unos 100K.
ej
ej
ml
Ni
Ni
ej
ml
Ni
Ni
ej
ml
Ni
ej
ej
Ni
ej
Ni
ej
ml
ej
ml
II
EFECTOS GALVANOMAGNTICOS CLSICOS
EN SISTEMAS CUASl-BIDIMENSIONALES
En esta Parte estudiaremos el rgimen semiclsico de la magnetoconductividad transversa

del
sistema cuasi-bidimensional (S2D), es decir, con el campo magntico
aplicado
perpendicularmente al mismo. El conocimiento tanto de la componente diagonal como no diagonal o

Hall de la magnetoconductividad transversa nos permitir establecer los parmetros que determinan
la respuesta elctrica de un gas de electrones cuasi-bidimensional (GE2D) en presencia de un campo
magntico, lo que tendr especial inters para el desarrollo posterior de nuestro modelo. Por ltimo,
determinaremos el rango de aplicabilidad de las condiciones semiclsicas.
A lo largo de la memoria supondremos vlida la aproximacin de respuesta lineal, que
considera la respuesta macroscpica de un sistema electrnico a la aplicacin simultnea de un
campo elctrico y un campo magntico uniformes. La densidad de corriente estar por la ecuacin
fenomenolgica
J=()t
donde
[Fig.4fl,
[11.1]
representa el campo elctrico responsable de los efectos de transpone en el S2D (vase

y
el factor de proporcionalidad, o(A), es el tensor de segundo orden de la
magnetoconductividad transversa. La ecuacin anterior expresada en componentes tiene la forma

general
14
Efectos galvanomagnticos clsicos
= a~E + Or,Ej
En la [Fig.41damos un esquema de las diferentes magnitudes que aparecen en esta ecuacin sobre
una muestra en forma de barra Hall, (vase el [Apanado3] de la [Partey])
___
E:
1.
4,
tE;
Figura 4: Esquema de las c4ferentes magnitudes que aparecen en la

[Ec.2J sobre una muestra con la geometria ms usual de los S2D.
A la vista de la IjEc.2], en principio necesitaramos conocer cuatro coefcicientes de
magnetotransporte. Ahora bien, utilizando el teorema de Onsager, [Calln,81], [Huang,87],que
establece que todas las leyes de la fisica permanecen inalteradas si la variable tiempo t se reemplaza
por su opuesto
-t, y
simultaneamente, el campo magntico
por su inverso -B (postulado de la
simetra de las leyes fisicas microscpicas en el tiempo), los trminos cruzados de acoplamiento han
de verificar las relaciones siguientes
a.A) = a-A)
-a,~jA)
[11.3]
Por otro lado, si suponemos simetra cbica en el S2D, podemos establecer una relacin adicional
para los trminos diagonales
=
As
o,,
[11.4]
pues, combinando estas dos ecuaciones con la [Ec.2], llegamos a la siguiente relacin para la
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
densidad de corriente
J~ =o
=a~EE+a
J
~+a~,E<
donde el trmino a,~< es la componente diagonal y 0q la Hall.
[11.5]
u
u
u
u
u
15
Invirtiendo el tensor de magnetoconductividad transversa obtenemos la ecuacin para el

campo elctrico de transporte en funcin de la densidad de corriente
=7(A))
donde p es el tensor de magnetorresistividad. De forma explcita, la ecuacin anterior es
E: = g= ixE;
pr, Jy
= p~ + p~j~
[11.6]
en la que ya se ha tenido en consideracin las ecuaciones equivalentes a la [Ec.3] y la [Ec.4] para

reducir el nmero de posibles coeficientes de mangetorresistividad. p,~ y
Pr~
son las componentes
diagonal y no diagonal de la magnetorresistividad transversa.

De las [Ec.5]y [Ec.6] es inmediato establecer las relaciones bsicas entre los coeficientes
cinticos de magnetoconductividad y magnetorresistividad que estarn dadas por el conjunto de
ecuaciones siguiente
U=
Prc
,+,g,
[11.7]
pr,
ao de forma equivalente
Prr
a
a~ ~
A raz de las medidas no locales de la magnetorresstividad en los ltimos aos se ha

reavivado la discusin sobre la validez de la [Ec.6]en relacin a la dependencia de la misma con la
geometra en la disposicin de los contactos sobre el S2D. Wick, [Wick,54],[Wakabayashi,78,1],
estudi sistemticamente la relacin entre el vector de campo elctrico y de densidad de corriente
para una disposicin arbitraria de contactos sobre una muestra rectangular. As, introdujo lo que
denomin parmetros de la impedancia, Z,., y
4,,
que eran funciones del cociente, ra, de las
dimensiones del S2D. De modo que, en lugar de la [Ec.6], propuso el siguiente conjunto de
ecuaciones para describir el campo elctrico de transporte
E~= p4J~
p~Z
campo magntico no cambia la energa del electrn. Es ms, puesto que la interaccin del momento
u
u
u
u
u
u
magntico de espn con el campo magntico uniforme no aparece en la expresin de esta fuerza,
16
Relaciones con las que puede abordarse el estudio de los efectos de no localidad en las medidas de la
magnetorresistividad, [McEuen,90],[Tsukagoshi,9
1], [Takaoka,92,1].
A! aplicar simultneamente a un cristal un campo elctrico y otro magntico, sobre cada
electrn con velocidad P acta la fUerza de Lorentz
=-e( +vxA)
[11.8)
Si analizamos la forma que tiene el trmino correspondiente a la fuerza magntica, se deduce que el
concluimos que el estado de espin del electrn no tiene ninguna consecuencia en el movimiento del
mismo.
As pues, el movimiento de un electrn estar descrito por las dos ecuaciones siguientes
_
-e( + y xA)
deducida directamente de la tUerza de Lorentz, [Ec.8],y

dE
= ev
dt
que es la ecuacin de la variacin de energa del sistema, y donde no aparece el campo magntico ya
u
u
que, como acabamos de ver no modifica la energa del electrn. Sin embargo, debido a la presencia
del campo elctrico de transporte la energa no es constante en el tiempo.
Estas ecuaciones de movimiento se simplifican efectuando una transformacin de Lorena
apropiada. Supongamos que
<Rl, y hagamos una transformacin del sistema laboratorio, K, y
donde el electrn tiene una velocidad 1, a otro sistema, >2, que se mueve respecto al anterior con la
siguiente velocidad relativa, [Jackson,751:
xA
VD
Si llamamos 7 a la velocidad del electrn respecto al sistema >2, podemos escribir

P= V+%
Por otro lado, puesto que los campos son uniformes se tiene la relacin
dt
di
u
u
1
u
u
u
u
u
de donde la ecuacin del movimiento en el sistema K estada dada por
u
u
2
17
dt
ePx.B
Con m representamos la masa efectiva de los electrones que nos permite tener en consideracin su
interaccin con la red cristalina, [Apndice2]. En este sistema de referencia el movimiento del
electrn se debe nicamente al campo magntica, describiendo una circunferencia de radio,

[Jackson,75]:
mV
T
eB
A esta rbitas, llamadas rbitas ciclotrn, podemos asignarle una frecuencia angular, w~,
dada por la [Ec.22J.
As pues, el movimiento de un electrn en presencia de un campo magntico y otro
elctrico, uniformes y mutuamente perpendiculares, es la superposicin de dos panes: un
movimiento de deriva en la direccin del producto de vectores x B, perpendicular a
A,
y un
movimiento circular en tomo al eje definido por la direccin del campo magntico, con velocidad 7
en lugar de la velocidad total P.
Utilizando una imagen clsica, el movimiento que describe un electrn como consecuencia
de la accin de los campos externos, se ve interrumpido por las colisiones. Este fenmeno, que se
caracteriza por el tiempo entre colisiones, r, est determinado por los defectos estructurales de la
muestra, la interaccin electrn-electrn y, sobre todo a temperaturas elevadas, por los fonones del
cristal. Su significado fisico lo analizaremos con todo detalle al profundizar en los aspectos cunticos
de los fenmenos de transporte ([Apartado 3.3], [ParteIV]).
El
asignar una frecuencia ciclotrn al movimiento orbital permite definir claramente el limite
clsico del movimiento del electrn, determinado por la ecuacin
<ocr
<cl
cuyo significado fisico es el siguiente: el tiempo entre colisiones es menor que el periodo de rotacin
del electrn bajo la accin del campo magntico; de modo que el electrn en su movimiento no
puede efectuar rbitas completas y los procesos de relajacin llegan a ser muy importantes. Esto
permite hacer un tratamiento estadistico del problema a partir de la ecuacin de Boltzman, [Apndice
4].
En lo que viene a continuacin resolveremos la ecuacin de Boltzman para las condiciones

semiclsicas utilizando la aproximacin de tiempo de relajacin, [Apndice4], que establece que no
hay dependencia del tiempo de relajacin con los campos externos aplicados. Supondremos adems
18
Efectos golvanomagnticos clsicos
que la fUncin de distribucin total f~ slo tiene dependencia con el vector de onda del electrn, es
decir, no consideramos su dependencia con el vector posicin en el espacio real, Y, asociado a
gradientes de concentracin de electrones y sradientes de temperatura. En estas condiciones
podemos escribir la ecuacin de Boltzman de la siguiente forma
u
u
u
u
1
It
V1f1=~~~~
donde 4 es la fUncin de distribucin de equilibrio. Al introducir una dependencia con el vector de

onda en el tiempo de relajacin, incluimos las posibles anisotropas del mismo sobre la lnea de
u
u
Fermi, el equivalente en dos dimensiones a la superficie de Fermi de los sistemas electrnicos

tridimensionales. Por otro lado, la aproximacin de tiempo de relajacin supone que la desviacin de
la distribucin de electrones respecto al estado de equilibrio es pequea, y su variacin debida a las
colisiones, proporcional a la magnitud de la desviacin respecto de la distribucin de equilibrio, con
un factor de proporcionalidad que es lo que hemos llamado tiempo de relajacin, [Apndice4).
Conviene tener presente que el operador gradiente que aparece en la ecuacin anterior, al
estar considerando S2D, est dado por la siguiente expresin
vi=cfi*J
Sabemos que para los sistemas degenerados, la funcin de distribucin de equilibrio est
dada por la funcin de Fermi-Dirac
1
E(k) -E~
1+exp
[11.9]
kT
donde EF representa la energa correspondiente al nivel de Fermi, T la temperatura del sistema y

E(k) la energa de los electrones medida desde el fondo de la banda de conduccin,
Si
u
u
u
u
u
u
u
u
conocemos la fUncin de distribucin de desequilibrio
la densidad de corriente en el cristal est dada en la teora de la respuesta lineal de Kubo,

[Kubo,57,l), de la forma
2V
1 (fl.qdtF
u
u
[11.10)
donde se ha tenido en cuenta la degeneracin de espn. En esta ecuacin el trmino
u
2
Efectos galvanonzagnticos clsicos
19
i4k)=!v1E(k)
[11.11]
It
es la velocidad de grupo del electrn en el cristal, [Apndice2]. Al descomponer de esta forma la
fUncin de distribucin total, f1, se considera el teorema de Bloch para la densidad de corriente
=
(1F)
Haciendo uso de la igualdad

!VfO~ilk
VE
k
reducimos la ecuacin de Boltzman a

[11.12]
Al estar interesados en la respuesta lineal del crista] a campos elctricos de transporte
pequeos, podemos despreciar en primer orden su efecto sobre la variacin de la funcin de
distribucin, es decir, el trmino
e
It
2, cuadrtico en el campo elctrico, y correspondera a desviaciones de la
que sera del orden de fr

ley de Ohm. As, en el segundo miembro de la [Ec.12]slo ha de figurar el trmino correspondiente
al campo magntico. Esta aproximacin est apoyada por el hecho de que la tUerza que acta sobre
un electrn con una determinada velocidad de Fermi en un campo magntico pequeo es mayor que
la fuerza de Coulomb debida al campo elctrico de transporte.
Considerando lo anterior y la identidad vectorial (i x A)
O, llegamos a la ecuacin de
iBoltzman linealizada respecto del campo elctrico
L
er(k)
[11.13]
Es importante destacar que el campo elctrico de transporte juega en esta ecuacin un papel
completamente diferente al del campo magntico, ya que corresponde a un trmino de arrastre
equilibrado por los procesos de colisin. Sin embargo, el campo magntico no tiene consecuencias
sobre la fUncin de distribucin de equilibrio, y su efecto se traduce nicamente en variar la direccin
de la velocidad de cada electrn sin modificar su mdulo. Dado que el trmino de campo magntico
cambia la direccin de movimiento de los electrones lo incluimos en el mismo lado de la igualdad que
ocupa el trmino de colisin, contribuyendo de esta forma a la parte de desequilibrio de la fUncin de
20
Efectos galvanomagn ficas clsicos
distribucin, es decir, al trmino f actuando como un dispositivo de dispersin elstica para los
electrones,
En primer lugar, calcularemos el tensor de conductividad sin campo magntico.
u
u
Posteriormente, la forma de la solucin que obtengamos nos servir para encontrar una fUncin que
permita resolver el problema con campo magntico aplicado. As pues, haciendo en la [Ec.13] B =
0,
la solucin general estar dada por, [Kubo,69,2],[Davidov,81]:

(jO~
[11.14]
Sin ninguna prdida de generalidad supondremos, a partir de este momento, que el tiempo de
relajacin no depende del vector de onda del espacio recproco. Sustituyendo ahora la funcin
anterior en la Ec. 10], hallamos la densidad de corriente
~S$RvIki .s{...~jjd2K
[11.15]
que, comparndola con la [Ec.

1], nos lleva a la expresin general del tensor de conductividad del
u
u
u
u
cristal en ausencia de campo magntico

Ci
i~i
a2uJU4Ic)vIkI4~5Eyk
(e)
[11.16]
es el tensor formado por el producto didico de dos vectores, es decir

iYGfl)g
= VVt
En los sistemas degenerados a bajas temperaturas la derivada de la funcin de distribucin

viene dada aproximadamente por la delta de Dirac en tomo a la energa de Fermi. Integrando
respecto a la energa sobre la lnea
isoenergtica de Fermi obtenemos

eS
________
dL~
[1.17]
u
u
u
u
u
u
donde dL~ es un elemento diferencial de la lnea de Fermi. Para llegar a la ecuacin anterior hemos
usado la expresin de la velocidad de grupo del electrn en el 52D, [Apndice2]. El tomar la
integral sobre la lnea de Fermi implica, desde un punto de vista fisico, que el tensor de
conductividad depende nicamente de las propiedades de los electrones de dicha lnea. As, por
ejemplo, en un sistema istropo tenemos la relacin
u
2
21
con lo que el tensor de conductividad degenera en un escalar de la forma
Para electrones cuasi-libres en un 52D la relacin de dispersin de la energa est dada por
[11.19]
donde E, es la energa correspondiente a la subbanda, [Parte1]. De modo que la velocidad de grupo
del electrn en el cristal ser entonces, [Ec.
11]:
=
Efectuando la integral de la [Ec.

18], obtenemos la frmula clsica de Drude para la conductividad
de un sistema electrnico cuasi-libre en ausencia de campo magntico
~0=
e2 n0r
m =en0p
[11.20]
siendo n0 la densidad total de electrones por unidad de rea, r el tiempo de relajacin a campo
magntico nulo y ji la movilidad de los electrones, dada por
er
/2=;-
m
Una vez calculada la conductividad a campo magntico nulo, buscaremos la solucin de la
ecuacin de Boltzman con campo magntico aplicado. Tomaremos una fUncin prueba del tipo de la
[Ec.14], [Kubo,69,2J,[Davidov,81]:
=
er(~().
i{~-3
[11.21]
donde es un vector a determinar Derivando obtenemos
1=)
que si sustituimos en la ecuacin de Boltzman, [Ec.13],
nos permite determinar el campo elctrico de
transporte, [Davdov,8
1]:
er (Axi)
m
de donde deducimos el vector
, que ser
u
(+5-1X])
u
u
1+w~r2
siendo
la frecuencia ciclotrn, dada por
eR
[11.22]u
m
para un 52D en el caso de que tengamos aplicados un campo
u
elctrico y otro magntico mutuamente perpendiculares es
J=aA
u
o de forma explcita
u
22
WC
La extensin de la ley de Ohm
donde a~ es la conductividad a campo magntico nulo para un sistema de electrones cuasi-libres,

[Ec.
17). Si comparamos esta expresin con la
la [Ec.2),
obtenemos para el tensor de
magnetoconductividad de un 52D istropo con un campo magntico aplicado en I~ direccin z,

E = (o,o, E), la ecuacin
3)
m
1
1+mC2r2LerB
u
u
[11.24]
Invirtiendo este tensor, obtenemos el tensor de magnetorresistividad
IB 1
PE
o
Len0
-
donde
er
(1
en0
PO
ji
ni
[11.25]
[11.26]
e n0r
es la resistividad a campo magntico nulo,
u
u
De la LjEc.24] deducimos que la magnetoconductividad diagonal clsica est dada por

-
I+w2
(Destacaremos con un superindice 0 las magnitudes clsicas). Reagrupando trminos, puede
u
u
escribirse de una forma mucho ms adecuada para las discusiones de la [Parte

IV]:
u
u
Efectos galvanonzagnticos clsicos
23
<4
en0
ar
[ff27]
En el lmite de altos campos magnticos, es decir, cuando rnj 1, suponiendo vlida la expresin
anterior, el segundo factor se hace aproximadamente uno dando
00
en0
[11.28]
0cv8
Hay que resaltar que mientras a campo magntico nulo la conductividad es proporcional a r, [Ec.20],
la magnetoconductividad diagonal tiene una dependencia en 1/ra altos campos magnticos.
Para el trmino no diagonal del tensor de magnetoconductividad, [Ec.24],obtenemos
tl)r
c
2
2
T
que podemos escribir

22
en0 w~r
B1+w~r
[11.29]
reducindose en el lmite de altos campos magnticos a

en0
B
[11.30]
Hay que resaltar que los parmetros de los que depende la [Ec.27]
y la [Ec.29],
y que
determinan la respuesta elctrica de un S2D en presencia de un campo magntico dentro del rgimen
lineal, es decir, siempre y cuando no se consideren relaciones no lineales entre la densidad de
corriente y campo elctrico, [Riess,93],[Cage,83],son la densidad de electrones por unidad de rea,
n0, y el tiempo de relajacin, r. Esta conclusin nos ser de gran ayuda a la hora de abordar el
estudio de la respuesta elctrica del S2D en el rgimen cuntico, (vase la [ParteIV]).
Antes de finalizar estableceremos los lmites de validez de la aproximacin semiclsica que
estn determinados por los limites de aplicabilidad de la ecuacin de Boltzman, vlida en condiciones
semiclsicas, es decir, siempre y cuando el concepto de trayectoria est bien definido y los estados
electrnicos puedan representarse por puntos en el espacio fsico. Esto supone que el momento
lineal (los vectores de onda) y la coordenada pueden aparecer en la fUncin de distribucin y

determinarse simultaneamente.
Sabemos que las propiedades de un sistema libre pueden estudiarse en el marco de la
mecnica clsica si la longitud de onda de de Broglie de los electrones,
u
u
es pequea comparada
24
con la dimensin L del problema particular considerado, esto es,
~~CCL.Sin
embargo, si el sistema
de electrones no es libre y acta sobre el una fuerza F, la condicin semiclsica est descrita por,
[Landau,83,1], [Yndurain,8S):
dx
que se deduce directamente de la aproximacin WKB. De manera que la longitud de onda debe
variar poco a lo largo de la distancia caracterstica del sistema. Llamando p al momento lineal del
electrn, su longitud de onda asociada est determinada por la relacin cuntica
Necesitaremos, adems, hacer uso de la ecuacin clsica
4,
d
dtdc
mdU
pdx
mLbl
p
donde F es la fuerza que acta sobre el electrn debido al campo exterior. As, en el caso de un
electrn en un cristal, podemos resumir la condicin semiclsica expresada en la [Ec.31] por
mIt
<c 1
p
E, siendo E el valor medio de la energa del electrn, esta condicin de
Cuando p2
aplicabilidad de la ecuacin de Boltzman puede simplificarse de la forma siguiente
Lb1 <cE
[11.32]
es decir, el aumento de energa del electrn, debido a la accin sobre l de la fuerza aplicada en una
distancia
Z, debe ser mucho
menor que la energa media del electrn, E. En nuestro caso, al estar
interesados en sistemas electrnicos degenerados, la energa media del electrn corresponde

aproximadamente a la energa de Fenni, E~.
u
u
Una vez establecida la relacin general de validez de [a ecuacin de Boltzman, podemos

analizar las limitaciones que le impone en particular el campo magntico. Sustituyendo el trmino de
interaccin magntica incluido en la expresin de la fUerza de Lorentz, [Ec.8], en la condicin
general dada por la [Ec.32J,e] criterio de aplicabilidad estar dado en este caso por la relacin
IteB
-r=hw, E,.
m
en la que hemos usado la [Ec.22].Operando, podemos simplificara an ms
RL2.
[11.33]
donde R
1 es el radio de la rbita semiclsica del electrn, el radio de Larmor clsico, dado por la
ecuacin
u
2
Efectos galvanoznagnticos clsicos
25
a
RL
mv
[11.34]
siendo
el mdulo de la velocidad del electrn y B, como siempre, el campo magntico externo
aplicado. Para los sistemas degenerados 2~ es la longitud de onda del electrn al nivel de Fermi, por
lo que es posible establecer la igualdad
It
m
y,.
quedando la [Ec.33]de la forma siguiente

Es decir, la ecuacin de Boltzman es aplicable para campos magnticos en los que la longitud de
onda de Fermi del electrn es mucho menor que el radio de Larmor. En esta regin se puede utilizar
para la determinacin de los coeficientes cinticos de magnetotransporte. Sin embargo, a medida que
variamos el campo magntico, el radio de Larmor clsico disminuye llegando a tener un valor para el
que la condicin anterior se hace inaplicable. De aqu partiremos al estudiar el transporte en el
rgimen cuntico, que ser el objeto de la [ParteIV].
Veamos por ltimo e! criterio de aplicabilidad de la ecuacin de Boltzman para el campo
elctrico de transporte. En este caso la [Ec.32]se reduce a la relacin
eVA E,.
[11.35]
Si describimos la longitud de onda del electrn en funcin del momento lineal y hacemos uso de la
propocionalidad entre el campo elctrico y la velocidad media de los electrones en el cristal,
Et
r/p, donde ji es la movilidad del electrn, obtenemos

eh
E,.m
Sustituyendo el valor del nivel de Fermi para un S2D, [Ec.I.3],el criterio general de aplicabilidad de
la ecuacin de Boltzman para el campo elctrico de transporte, estar dado por
2e
un0
[11.36]
2/Vs, y con una densidad de electrones tipica del orden de

En los S2D de movilidad media, 25000cm
8 x 1011cnC2, es inmediato comprobar que para los campos elctricos utilizados habitualmente en las
medidas de transporte estamos en condiciones semiclsicas, donde la ecuacin de Boltzman es

aplicable.
a
u
u
u
a
u
u
u
u
u
u
u
u
u
4
u
u
III
DENSIDAD DE ESTADOS DE UN SISTEMA
CUASl-BIDIMENSIONAL EN PRESENCIA DE UN
CAMPO MAGNTICO
En la [Parte1] determinamos los posibles niveles de energa del electrn debido al potencial
de confinamiento en la direccin z, las subbandas E1. En esta Parte nos proponemos estudiar los
trminos de la energa correspondiente a las direcciones x ey en presencia de un campo magntico.
Finalizaremos obteniendo una expresin general para la densidad de estados del S2D.
En el [Apndice8] hacemos un anlisis detallado de todos los trminos del hamiltoniano
completo de un 52D, que es de la forma
H~ =ip+e)2 +V(F)+H~ +UG9+H...0
donde para obtener el trmino cintico ff =
+ eA,
con
+Hd.
+eqI+H<~
AV, y A el potencial vector, se ha
utilizado el principio de correspondencia y el postulado de sustitucin mnima, [Jackson,75].El

resto de trminos corresponden al potencial de la red, el trmino de acoplamiento del espn con el
campo magntico, el potencial electrosttico de la unin debido a las impurezas ionizadas, [Parte1],
el de espn-rbita, el debido al campo elctrico de transporte, [Parte11] y el de interaccin electrnelectrn.
En todo lo que viene a continuacin, estudiaremos la contribucin de los seis primeros
trminos sobre la energa del electrn, mientras que el efecto de e%b y Ha.., lo analizaremos en el
[Apartado3.3] de la [ParteIVj].
28
Densidad de estados de un S2fl
Comenzaremos con el trmino ms importante de este hamiltoniano, el trmino cintico, y en

todo momento supondremos vlida la aproximacin de masa efectiva, [Apndice8], que afirma que
es posible estudiar de manera general el problema de un electrn del cristal sometido a la accin de
un campo magntico uniforme, efectuando el siguiente cambio en el hamiltoniano
+V(F) =~9~r(p+eA)2
i(p+e)2
[111.1]
2m
siempre y cuando se tenga una variacin lenta del potencial vector en la celda unidad del cristal, (en
el [Apndice8] justificamos esta aproximacin incluso para campos magnticos elevados). As, la
u
u
ecuacin de Schrdinger que resolveremos iicialmente es
W)
2m
Eyfr)
[111.2]
A lo largo de la memoria vamos a utilizar el gauge simfrico, en el que las autoinciones del
hamiltoniano son tambin funciones propias del momento angular orbital, L. Por definicin, en este
gauge, el potencial vector tiene la forma
u
u
u
[111.3]
con lo que el trmino cintico del hamiltoniano ser, [Apndice

8]:
2
e
4
~2
[111.4]
De aqu podemos concluir que cada electrn induce el momento magntico
PL
e
=L
2m
[111.5]
que nos permitir establecer una conexin inmediata con la imanacin.

Resolviendo la [Ec.2] encontramos que sus autovalores estn dados por, [Landau,83,2]:
E~ =h&c(n+jjJ
u
u
u
[111.6]
llamados niveles de Landau, con n=O,1,2,3,..., y donde ca~ es la frecuencia ciclotrn cuyo sentido
fisico discutimos en la [Parte
II], y est dada por la expresin
eB
Las autofbnciones correspondientes a estos niveles de Landau en el gauge simtrico, estn dadas
por, jjButcher,93J:
u
2
Densidad de estados de un S2D
29
A~,,,(x<IyY exd5~9L5-J
[111.8]
donde x=x/R y y=y/R, y R dada por la [?Ec.12].L7,, representa los polinomios asociados de
Laguerre
das
con
4(a)
exp(a}~-a exp{a))
El resto de factores son
r ,2 =x 2
,2
Podemos comprobar que estas autoinciones lo son tambin del operador momento angular orbital,
cuyos autovalores son mIt, siendo m = O,1,2 el nmero cuntico magntico, [Davidov,81],
responsable de la degeneracin de los niveles de Landau y que es independiente del campo
magntico.
Para la discusin sobre otros modelos del EHC que haremos en el [Apanado 6] de la [Parte
IV], nos interesar conocer la solucin de la ecuacin de Schrdinger con otra eleccin de gauge, el
gauge de Landau, utilizado por Laughlin en sus argumentos sobre el EHC, puesto que es la eleccin
ms apropiada para la geometra de su experimento gendanken, [Laughlin,8l,1],?jLaughlin,82,2].
Este gauge est definido por la siguiente expresin para el potencial vectorial
=(o,Bx)
[m.9]
Con esta eleccin puede construirse una base ortonormal de flrnciones de onda que presenta de
forma explcita la invariancia traslacional paralela a una de las direcciones espaciales del 52D, por
ejemplo, la direccin y, (vase la [Fig.5]).En este caso los autovalores siguen siendo los mismos
niveles de Landau representados por la [Ec.6]y que obtuvimos para el gauge simtrico, aunque las
funciones propias son ahora, salvo un factor de normalizacin, [Yndurain,88],[Landau,83,2]:
Wnk
(9) exp{/Ay}H~ (x--k) exp{~(x+k)2
[111.10]
donde H~ son los polinomios de Hermite, solucin de la ecuacin de Schrdinger para el oscilador
armnico unidimensional y x e 9 tienen el mismo significado que en la [Ec.8].
30
Para aclarar su significado geomtrico, en la jFig.5] representamos la forma de cada una de

las funciones de onda de la ecuacin de Schrdinger para los gauge descritos anteriormente,
u
u
u
u
u
(a)
IbI
Figura 5: (a)gauge simfrico. (b)gauge de Landau.

Como hemos visto, las soluciones de la ecuacin de Schrdinger para el gauge simtrico son
autotUnciones del momento angular orbital, lo que nos permite extender de manera coherente la idea
de rbita clsica para el electrn y definir un radio a semejanza del radio de Larmor clsico,
[jEc.11.34].
As, definiremos el radio de Larmor generalizado a travs de la ecuacin
2
RL=
C~9*C~Jii2~D2
kw
[111.11]
donde con R representamos la longitud magntica
(ItV
R~B
II
256.7
[111.
12]
expresada en angstroms (A). Es inmediato comprobar que para el caso clsico, con la definicin que
acabamos de dar para el radio de Larmor, se recupera la expresin clsica, [Ec.11.34].
Sin embargo,
en el caso cuntico, debido a la cuantizacin de la rbita del ciclotrn, ser
RL =(2fl+l)2R
que nos permite escribir de la siguiente forma alternativa los niveles de Landau, [Ec.6]:
ItwR2
2W
u
u
u
u
u
u
[11113]
[11.14]
u
u
(4
u
u
u
2
31
Para hacemos una idea de los rdenes de magnitud de esta longitud magntica tenemos que, por
ejemplo, para un campo magntico de lOT, ser aproximadamente de 81A, y para uno de 30T de
47k
Tal como vamos a enfocar el estudio del EHC, la longitud magntica ser un parmetro
bsico a la hora de determinar el espectro energtico del electrn en presencia de un campo
magntico, [Ec.14], tanto en el caso del efecto Hall cuntico entero (EHCE) como en el fraccionario
(EHCF).
De la [Ec.14] se deduce que al aplicar un campo magntico podemos asignar a cada autovalor
de la ecuacin de Schrndinger, suponiendo degeneracin de espn, un espacio nR 2, de manera que
el nmero de estados de cada nivel por unidad de rea vendr dado por
1
2eB
[mis]
que, por ejemplo, para un campo magntico de un Tesla es del orden de n, 5>< 104m2. Hay una
manera alternativa de obtener este mismo resultado: Ya mencionamos que la densidad de estados a
campo magntico nulo de un 52D es constante con respecto a la energa en cada subbanda, [Parte1],
[Apndice1]. Esto quiere decir que los estados de energa estn homogeneamente distribuidos desde
un punto de vista energtico, lo que permite calcular facilniente el nmero de estados asociado a
cada nivel de Landau. Si suponemos que la densidad promedio en energa de cada nivel de Landau,
nL/AOJO,
es la misma que la densidad de estados del 52D a campo magntico nulo go, [Ec.I.1],
llegaramos a obtener de nuevo la rEc. 15], [Davdov,81].

Es importante notar que al aumentar el campo magntico los niveles de Landau se van
separando linealmente con el mismo y, en consecuencia, la densidad de estados asociada a cada nivel
ha de aumentar proporcionalmente a B.
Para poder modelizar analticamente el EHC necesitamos encontrar una expresin que
represente el conjunto de niveles de Landau de forma global. En funcin de la discusin que
acabamos de hacer sobre la densidad de estados para cada nivel de Landau y su relacin con la del
sistema electrnico a campo magntico nulo, podemos representar la densidad de estados de cada
nivel de Landau por la siguiente ecuacin
g(E,,) =gflx-pJ
[111.16]
32
donde 6es la delta de Dirac y se supone que todos los niveles de Landau tienen la misma forma. El
escribirla de este modo supone implcitamente no considerar el trmino de espn ni el efecto de las
impurezas ionizadas y los defectos estructurales del S2D. Estos trminos los iremos incluyendo de
forma progresiva, (vase ms adelante).
La ventaja que tiene representar la densidad de estados de este modo es la de poder utilizar
directamente la frmula extendida de la suma de Poisson, [Apndice5], que no es ms que el
u
u
u
desarrollo en serie de Fourier de una funcin peridica de trmino general arbitrario

Xg{jn +
~9=
P g<x~c&
+2 Re{Z(1)
Pg(x) exp{2nxpi}dr}
el primer trmino es la integral del trmino general de la densidad de estados de cada nivel de Landau
en el intervalo entre n y n+ 1, [Ec.16], y la segunda integral la transformada de Fourier de esta
misma funcin. Con la abreviatura Re se indica la parte real del factor incluido entre corchetes,
De modo que, la expresin general para el conjunto de niveles de Landau, haciendo uso de esta
frmula vendr dada por
g(E) =go{l+2Re{Z(~l)P exp{2r0i}}}
que empleando el teorema de convolucin, se reduce a
u
u
u
u
(4
u
gtE) =go{1+ 2Z(O~ co{2~]}=go{l+ 2Zco{2aP~jj}
o de forma compacta
g(E)=g{1+2Zcos[X]}
[111.17]
con
[111.18]
El siguiente paso ser incluir en el hamiltoniano el trmino de espn, H., responsable del
acoplamiento del espn del electrn con el campo magntico, y el de acoplamiento espn-rbita, H..0,
[Apndice8]. Esto supone resolver la ecuacin de Schrdnger siguiente
u
(4
u
(4
(4
1
[r4.H. +H.0Jw(9)=Ew(9)
[111.19]
(4
u
2
33
Desde un punto de vista energtico, la introduccin de estos dos trminos de espn supone
sumar a cada nivel de Landau, [Ec.6],
el factor
g eh
=
2 2m
4 ni
[111.20]
que da lugar al desdoblamiento de espn. Al introducir en la ecuacin anterior el factor
gironiagntico generalizado, [Ec.17] del [Apndice8], se est teniendo en consideracin el efecto
del trmino de interaccin espn-rbita.
Este nuevo trmino de energa nos lleva a expresar ahora la densidad de estados de cada nivel
de Landau de la forma
que, utilizando de nuevo la frmula extendida de la suma de Poisson, nos lleva a

co~2i~(%~-.5~9j}
g(E)=g{1+2Z(1)
Tras descomponer el trmino coseno en el coseno de una suma y una diferencia, y simplificando el
desarrollo, obtenemos
g<E)
go{1 + 2~co{2nz{~f jjflco{np~-ffi--J} = go{1 + 2Zco4X] co{iq4~)}
donde X est dada por la [Ec.18]. As pues, el efecto del espn del electrn se traduce en la inclusin
en el desarrollo en serie de Fourier de la densidad de estados del factor
A5,
siendo
ni
[111.22]
la masa del electrn libre; gel factor giromagntico generalizado, [Ec.17] del [Apndice
8], yp el armnico p-simo del desarrollo en sene.
Ya hemos mencionado la presencia inevitable de impurezas ionizadas y defectos estructurales

en cualquier S2D real, y cuyo efecto sobre los estados de energa de] ejectrn representamos con los
trminos perturbativos U(r) y Hd., [Apndice8]. As, el siguiente paso que daremos ser considerar
el hamiltoniano
2m
34
Al incluir estos dos ltimos trminos la ecuacin de Schrdinger monoelectrnica se hace irresoluble.
u
(4
Sin embargo, siempre que puedan considerarse como perturbaciones, su efecto ser producir un
ensanchamiento de cada nivel de Landau.
Ya hemos visto que el poder tratar globalmente el conjunto de niveles de Landau del espectro
energtico de un electrn viene condicionado por la frmula de la suma de Poisson. Sin embargo,
para usar sta necesitamos tener expresiones analticas para la densidad de estados de cada nivel. As
pues, para seguir adelante deberemos hacer hiptesis sobre la forma de la distribucin que represente
el trmino de ensanchamiento de cada nivel debido a las impurezas ionizadas y defectos
estructurales. Uno de los modelos ms establecidos en la bibliografia, sobre todo para S3D, supone
que la forma de los niveles de Landau viene representada por una distribucin lorentziana,
[Shoenberg,84],lo que se traduce, con el tratamiento que estamos haciendo, en una expresin para
la densidad estados de cada nivel de la forma
hw0
~2
[m.23]
+(r ha4)
que est normalizada a ladensidad de estados sin campo magntico, [Ec.I.1j.

Frepresenta el ancho
de la lorentziana.
La [Ec.23] puede interpretarse como la convolucin de dos funciones; por un lado, la delta
de Dirac y, por otro, el producto de la densidad de estados a campo magntico nulo por la
distribucin lorenziana. Esta descomposicin nos permitir hacer uso del teorema de convolucin
para transformadas de Fourier, [Apndice6], en la frmula extendida de la suma de Poisson, con lo
(4
(4
(4
(4
(4
(4
(4
(4
que obtenemos
g(E)
go{1 +2 Re{X(l) exP{2a4~ ~
~4!ffi-Ji}
exp{~2q~f}}}
[111.24]
es decir, que el efecto de las impurezas ionizadas y de los defectos estructurales se traduce en
multiplicar cada uno de los armnicos de la densidad de estados por un factor que para el
ensanchamiento lorenziano que estamos considerando es de la forma
=
exP{~2azP+~~}
dondep es el ndice correspondiente al armnicop-simo.
[111.25]
(4
(4
u
(4
u
u
u
2
u
35
En los ltimos a5os, para el GE2D se han sugerido otros perfiles para la forma de los niveles
de Landau. Asi, desde un punto de vista terico se han deducido perfiles semielpticos, [Ando,85,4],
y gaussianos, [Zawadzki,84],[Raikh,93,1].Por otro lado, experimentalmente se ha inferido una
forma gaussiana para los niveles con un fondo ms o menos constante, [Eisenstein,85,1],
[Eisenstein,86,2],[Smith,85,1].
El suponer un perfil gaussiano implicara introducir en la [Ec.24], en lugar del trmino
representado por la [Ec.25],un factor de la forma, [Gerhardts,75,l],[Gerhardts,75,2],~jRaikh,93,1].
=
exp{~2Z[[2
La conclusin del desarrollo que hemos efectuado en esta Parte, puede resumirse en la
siguiente expresin general para la densidad de estados de un 52D bajo la aplicin de un campo
magntico, y en la que ya se incluyen los efectos de espn, de interaccin espn-rbita y defectos
estructurales e impurezas
g(E) =
2ZASPAFP
cof
2nj ~?i]}
[111.26]
En la [Fig.6]
representamos la densidad de estados en funcin de la energa a los valores del
campo magntico indicados en el pie de la figura. Por otro lado, en la [Fig.7] damos la simulacin de
la densidad de estados relativa g/g0 vs. B y vs. LIB obtenida a partir de la [Ec.26].
En la figura (b)
se obseva directamente la periodicidad en lIB caracterstica de las oscilaciones cunticas y que
aparece de forma explcita en el argumento del coseno de la [Ec.18]. Es fundamental para lo que
viene despus aclarar que estas figuras se han generado fijando el valor de la energa E del
argumento en la [Ec.18]
al nivel de Fermi a campo magntico nulo, E~, [Ec.I.3].
Las implicaciones
fisicas de dejar fijo el nivel de Fermi sern determinantes en la explicacin del EHC, (vase la [Parte
IV]). De modo que, recordando que al variar el campo magntico desplazamos en energa cada uno
de los niveles de Landau, [Ec.6],
en la [Fig.7] estamos analizando el paso de cada uno de estos
niveles a travs del nivel de Fermi fijo.
El que la densidad de estados presente este comportamiento oscilante se ha de reflejar
igualmente en la mayora de las propiedades fisicas, tanto en la propiedades de transporte, [Apartado
3] de la [Parte IV], como en las de equilibrio, como analizaremos en el [Apartado7] de la [Parte
9.
36
u
(4
u
u
u
u
u
o
5
u
u
u
3
e
(4
u
u
u
u
4
3
2
o
E
Figura 6: Densidad de estados de un S2D en funcin de la energa
para 4/erenles valores del campo magntico aplicado: (a)6T, (b)8T,
(c)JOT.
u
(4
u
u
u
J
37
4
3
b
2
1
o
0
10
CAMFO MAGNTICO (T)
5
4
3
2
1
o
.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.S
.9
1/E (1<)
Figura 7: Densidad de estados relativa vs.B y vs. J/B. Estas curvas se
han obtenido para una densidad de electrones ne= 1 06m~2 que implica
un niveldeFermiEr=35meV, [Ec.I.3].
1.0
a
III
si
si
J
si
si
J
a
si
si
si
a
si
a
si
si
si
Iv
DESARROLLO DEL MODELO TERICO
1. INTRODUCCION
En 1980, Klitzing el al., [Klitzing,80,1],descubrieron el efecto Hall cuntico entero (EHCE)
sobre una estructura MOSFET, (vase la [Parte 1]), al someterla a altos campos magnticos. El
fenmeno se caracteriza por la presencia de mesetas (pateaux) a valores hlne2, donde h y e son
constantes universales y n un indice entero, en la magnetorresistencia Hall, 1?, para determinados
intervalos del campo magntico, independientemente del tipo de muestra analizada siempre y cuando
se disponga de un GE2D, [Ebert,82,1J,[Ebert,83,2],[Strmer,84,2],[Klitzing,86,4].Posteriormente
se ha encontrado tambin este mismo efecto en heteroestructuras semiconductoras, [Parte
1]. DE
forma simultnea, para estos mismos intervalos de campo aparecen mnimos, eventualmente ceros,
en la magnetorresistencia digonal, R~.
Histricamente, uno de los primeros estudios que se realizaron sobre las propiedades de
magnetotransporte en estructuras semiconductoras lo llev a cabo Fowler el aL, [Fowler,66J,que
analizaron el comportamiento de la magnetoconductividad diagonal, [Parte II], de una estructura
MOS (Metal-Oxido-Semiconductor) con diferentes geometrias a altos campos magnticos. Sin
embargo, las muestras no eran de la suficiente calidad como para observar la anulacin de los
mnimos de las oscilaciones de R~. Alios despus, grupos japoneses invirtieron gran esfuerzo, tanto
en la optimizacin del procesamiento de dispositivos semiconductores como en el anlisis terico y
experimental de sus propiedades fisicas, [Kawaji,75,1],
[Igarashi,75], [Wakabayashi,78,
1],
[Kawaji,85,2].A pesar de llo, fli Klitzing el primero en tener muestras de calidad suficiente y,
sobre todo, en darse cuenta del carcter fundamental del fenmeno y de su importancia.
40
Desarrollo del modelo terico
Una de las aplicaciones ms importantes de la precisin con la que pueden medirse las
mesetas de Rq, de hasta .03 partes por milln, es la exactitud en la determinacin de la constante de
estructura fina, [jKlitzing,82,2],
[Yoshihiro,85]:
a
siendo 6u0
/2
0C
h2
4g x 10H 1 m la permeabilidad del vaco y c la velocidad de la luz, cuyo valor se
conoce muy bien. En conexin con esta precisin en la medida de las mesetas, el ERCE ha permitido
una definicin mucho ms exacta del ohmio patrn.
Por otro lado, relanz el estudio de los efectos cunticos en sistemas mesoscpicos, es decir,
sistemas donde el gas de electrones est confinado en una o ms dimensiones.
Con idea de centrar el problema, en la figura que viene a continuacin se presentan curvas
experimentales tpicas de la magnetorresistencia diagonal y Hall, obtenidas en nuestro laboratorio
sobre una heteroestructura de Alo24Gao.7~As/Ino5GaassAs con dopaje 6(vase el (Apartado 1] de la
[Parte VI]). Las caractersticas del GE2D de este pozo cuntico se detallan en el pie de la figura.
.20
.18
.16
.14
.12
k4
~<
u
(4
u
u
u
(4
(4
u
u
u
u
u
.08
.06
.04
.02
0.00
0
CAMPO MAGNTICO (T)

Figura 8 .Magnetorresistencia Hall y diagonal de un GE2D en una
/ieteroestructura de A132/Sao76As/Ina,,Gao85As.
La densidad de
6mt su movilidad de ~u=23OOOcm2/Vsy
la
electrones es n~=J.635xJO
temperatura 1.2K
10
u
u
u
u
Inmediatamente despus del
41
descubrimiento del
ERCE surgieron las
primeras
interpretaciones tericas: explicaciones basadas en la invariancia gauge, [Laughlin,81,1],

[Laughlin,82,2],y en conexin con esta el concepto de gap de movilidad, [Prange,81,1],[Joynt,84],
que llevan a la necesidad de la presencia de un minimo de estados localizados en el S2D, [Apndice
3], [Prange,90,2].Una aportacin importante fue la de Halperin, [Halperin,82,1J,que introdujo el
concepto de estado de borde, es decir, estado que aparece al nivel de Fermi como consecuencia del
curvamiento que sufren los niveles de Landau en la superficie del S2D y debido a la finitud del
mismo, [Haugh,93,3],[Kearney,92],[Apartado6].
La idea comn en todas las interpretaciones anteriores es la ruptura de la simetra de
traslacin. Basndose en esta, Isihara y Smrcka, [Isihara,86,3J,
fSmrcka,86,2], dieron un paso
importante en el aspecto cuantitativo, desarrollando un modelo a temperatura del cero absoluto que,
para campos magnticos medianos y pequeos, proporciona expresiones analticas para las
magnetoconductividades diagonal y Hall de un GE2D. Trataron el sistema electrnico en interaccin
con una distribucin aleatoria de impurezas con la aproximacin CPA (Coherent Fizase
Approximation). Su trabajo est basado en otros anteriores de Streda, [Streda,82,2],
y Smrcka y
Streda, [Streda,75,1],
[Smrcka,77,1],
que utilizaban la teora de respuesta lineal desarrollada por
Kubo, [Kubo,57,1],
para obtener los diferentes coeficientes cinticos de transporte.
La conclusin fundamental de Isihara y Smrcka puede resumirse en la aparicin de un
trmino adicional en la magnetoconductividad Hall consecuencia de los efectos cunticos. Sin
embargo, la interpretacin fisica de este nuevo trmino no estaba clara en su artculo original, y ha
sido ms recientemente Pruisken, [Pruisken,87,1],quien basndose en la teora de campos lo ha
interpretado como un factor proporcional a la variacin de la imanacin del GE2D con el campo
magntico, asociando esta imanacin a corrientes de borde.
Un problema que queda abierto en todos los modelos anteriores es la dependencia de los
tiempos de relajacin con el campo magntico. Coleridge et al. distinguen dos tiempos de relajacin,
[Coleiidge,89,1], [Coleridge,91,3],[Coleridge,94,4]:Uno que denominan tiempo de relajacin
cuntico relacionado con las colisiones inelsticas que sufre el electrn y otro, el tiempo de
fransporte asociado con las colisiones elsticas. Sin embargo, las expresiones que dan para estos dos
tiempos se corresponden con las deducidas de la ecuacin de Boltzman en la aproximacin de

tiempo de relajacin, [Apndice
4], para la que no puede existir dependencia de los tiempos con los
campos externos aplicados al sistema.
La ruptura de invariancia traslacional, que lleva consigo la existencia de estados de impurezas
y de borde en el 52D, es actualmente el concepto bsico con el que se elabora cualquier modelo que
42
trate de explicar el EHCE. Sin embargo, conviene en este punto hacer una pequea reflexin: esa
ruptura de invariancia traslacional ya es necesaria para la aparicin del efecto Hall clsico ya que
tanto las impurezas como los estados de borde son necesarios para obtener el rgimen estacionario
en el sistema.
(4
Btkttiker ha dado un enfoque alternativo a los que acabamos de mencionar, aunque puramente
fenomenolgico, [Bttiker,86,1],[Bttiker,88,2],[Tholess,93].Este trata de explicar las mesetas
Hall, simultneamente a la anulacin de la magnetorresistencia diagonal, a travs de los estados de
borde (para una discusin detaflada de este modelo vase el [Apartado6]).
Con la aparicin del ERCE, una de las primeras tareas que se abordaron fUe la detenninacin
experimental de la densidad de estados mediante la medida de propiedades de equilibrio como la
imanacin, [Eisenstein,85,1],[Eisenstein,86,2j,[Apanado 7.2], el calor especifico, [Gornik,851,
[Wang,88,1],[Wang,92,2], [Apartado 7.3], o la magnetocapacidad, [Goodall,85],[Smith,85,lj
[Smith,86,2],[Takaoka,94,2],[Apanado7.4J. La idea era buscar el perfil de la densidad de estados
correspondiente a cada nivel de Landau. En el [Apartado7.2], [Apartado7.3] y [Apartado7.4]
(4
(4
(4
discutiremos estos experimentos.

El anlisis que hacemos en la mayor parte de la memoria est referido a una nica subbanda
del pozo cuntico ocupada, [Parte1]. Sin embargo, en los ltimos atios, h despertado gran inters
el estudio de sistemas electrnicos bidimensionales que presentan dos subbandas ocupadas,
[Smith,88,3],[Fernndez,92],[Coleridge,90,2],[Lo,95,2].Nosotros abordaremos el problema en el
[Apartado5] donde extenderemos el modelo terico desarrollado para una subbanda al caso de dos
o mas subbandas, [Apndice1].
Antes de comenzar con el anlisis de los diferentes fenmenos cunticos es importante
detallar las condiciones necesarias para su aparicin. Si utilizamos los razonamientos desarrollados
en la [Parte
11], estas condiciones podrn resumirse en la ecuacin
w0r
que puede interpretarse empleando una imagen semiclsica en los siguientes trminos: Al estar a
campos elevados, el electrn tiene tiempo de efectuar un gran nmero de rbitas antes de colisionar,
u
(4
u
(4
(4
(4
manifestndose los efectos de cuantizacin de la rbita del electrn debida al campo magntico. Las
consecuencias fundamentales de esta cuantizacin del espectro energtico, son el hecho de que el
u
u
2
43
vector de onda deja de ser un buen nmero cuntico para describir los estados del electrn en el
cristal y, al no cumplirse la [Ec.I11.33],

la ecuacin de Boltzman ya no es vlida.
El mtodo ms exacto de abordar el problema del electrn de un cristal sometido a la accin
de un alto campo magntico es a partir de la ecuacin de Liouville para la matriz densidad,

[Huang,87],
[Lifshitz,86].
Sin embargo, como analizamos en el [Apndice
8], el hamiltoniano del
electrn es muy complejo e imposible de evaluar de manera exacta, y del formalismo de la matriz
3
3
enfoque mucho ms sencillo basado directamente en el anlisis de la forma de la solucin de la
densidad no puede obtenerse ningn resultado analitico concluyente. Nosotros vamos a adoptar un
ecuacin de Schrdinger. A partir de lla, buscaremos una ecuacin de transpone equivalente a la
ecuacin de Boltzman para la regin de comportamiento cuntico del electrn, [Fc.II]. El principal
resultado que obtendremos de la solucin de esta ecuacin es un tensor de magnetoconductividad
expresado de forma general a travs de la frmula de las integrales de tubo de Shockley, [Apartado
3.1].
Tal como hemos determinado los regmenes clsicos y cunticos, el lmite entre estos dos
vendr determinado por la ecuacin
wj=l
que, interpretndolo desde un punto de vista semiclsico, proporciona el valor de campo magntico
para el cual el electrn efecta una nica rbita ciclotrn completa.
Esta [Parte IV] constituye el ncleo central de la memoria y en ella estudiaremos, en primer
lugar, las propiedades de magnetotransporte a altos campos magnticos, (BZ>3T). En el [Apanado 7]
extenderemos el estudio a las propiedades de equilibrio: imanacin, calor especfico y
magnetocapacidad. Tanto para las propiedades de transporte como para las de equilibrio es
u
u
justifica el haberle dedicado como hemos hecho un captulo completo, [Parte111].
indispensable conocer la densidad de estados del 52D bajo la aplicacin del campo magntico, lo que
2. DEPENDENCIA TRMICA DE LOS EFECTOS CUNTICOS

Comenzaremos esta Parte obteniendo la expresin general para la dependencia trmica de las
propiedades fisicas. Esta dependencia est reflejada en la poblacin de los estados electrnicos con la
temperatura. A TOK el sistema electrnico es completamente degenerado y la funcin de
44
distribucin de Fermi-Dirac, [Ec.ll.9], puede asimilarse a una funcin salto de Heaviside centrada en
el nivel de Fermi, de manera que la densidad de electrones puede calcularse atravs de la ecuacin
u
(4
u
[IV.1]
donde EF es el nivel de Fermi a campo magntico nulo, [Ec.I.3].Ahora bien, para temperaturas
diferentes del cero absoluto deberemos utilizar la expresin ms general
=
[IV.2]
jfO(E)g(E)iff?
que haciendo uso de la [Ec.Ill.26]podemos expresar como

n
g0
(4
(4
(4
.1! 0(E) + 2g0 Re{~(1) A52Ar.p t~ 0(E) exp{LiqIj~j}dE}
el primer trmino integral corresponde a la densidad de electrones total en el GE2D a campo nulo,
n
0. El segundo trmino integral puede desarrollarse por partes de la forma
40f
~ ~ ex~}2~FE1.~~
j{dE;
2g0 Re{X(1) AA
s.,r.,
f0(E)n(E)I~
4~ n(E)
jdE
siendo n(E) la integral de la parte oscilatoria de la densidad de estados, dada por la ecuacin
(4
(4
Am
n(E) = 2g
0 Re{~(l)i 2q, AspAr., exP{24+j}}
Tomando el origen de energas en cero, el primer trmino de la integracin por partes desaparece.
As, obtenemos la densidad electrnica
11w
n=n+2goRe{S(~1)P/y~EAsp ArpSodE~-exP{2/q{~ij}}
Si usamos la expresin para la derivada de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac
+ exp{E -E,
Fermi), y efectuando el cambio de variable q = (E E,9/kT, el trmino integral nos quedara de la
E,
.} J dq (1+expq)
expi~ 2 exp{2q>?i}
exp~2q~0 J .AL
kT
u
(4
}32
(Supondremos siempre que el potencial qumico puede aproximarse en todo momento por el nivel de
forma
(4
(4
u
(4
u
u
2
45
Esta integral puede resolverse facilmente si tenemos en consideracin que la funcin del integrando
es rpidamente decreciente y estamos a muy bajas temperaturas, es decir, en condiciones de
degeneracin, de manera que se cumple la desigualdad
E, ItT
Todo esto hace posible extender el lmite inferior del integrando hasta
CC,
lo que nos permite tratar
la integral anterior como una transformada de Fourier al igual que hicimos para el caso del trmino
de ensanchamiento producido por las impurezas ionizadas y los defectos estructurales. As, operando
obtenemos la ecuacin general para la densidad de electrones en el GE2D dada por la expresin
siguiente
un
2eB
n=n0+~exp12npt
h
riZP~hWcJ
2r2pkT
11w
Fgm1FFE,ll
F2X2PkT1
sen fi
co~aPyjse2nz{j---~jj [IV.3]
De lo que concluimos que los efectos trmicos aparecen en las ecuaciones nicamente como el
producto del armnico correspondiente del desarrollo por el factor
z
AT,
senh z
[IV.4]
2pkT
2r
11w
[IV.5]
donde la variable z es de la forma
y en la quep representa el indice correspondiente alp-simo armnico, k la constante de Boltzman y
Ta temperatura.
A la hora de comparar con los datos experimentales hay que tener muy presente que para
obtener estas expresiones hemos extendido el limite inferior de la integral hasta Cc. Esta
aproximacin, justificada para temperaturas muy bajas, deja de ser aceptable incluso para
temperaturas del orden de 15K ya que producir discrepancias esprias del modelo con los
resultados experimentales.
3. PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN FUNCIN DEL CAMPO
MAGNTICO
3.1. iNTRODUCCIN
46
u
u
u
Vamos a suponer vlida la aproximacin de electrones independientes. El nico trmino del

hamiltoniano que queda fuera de esta aproximacin es el correspondiente a la interaccin electrnelectrn. Sin embargo, uno de los resultados fundamentales que se obtiene de la teora del liquido de
Fermi relacionada con sistemas electrnicos estacionarios, como son los que nos interesan para el
EHC, es. que el efecto de la interaccin electrn-electrn se resume nicamente en un tiempo de
vida finito adicional, r~.6, para el correspondiente estado estacionario monoelectrnico del electrn,
[Ashcroft,76],[Lifshitz,86].Este problema lo analizaremos en el [Apartado3.3].
En este [Apartado3] desarrollamos nuestro modelo en funcin del campo magntico y en el
[Apartado4] lo extenderemos al EHC y SdH en funcin de la tensin de puerta.
Ya hemos mencionado que el principal problema que se encuentra al intentar abordar el
estudio de los efectos galvanomagnticos a altos campos magnticos es el estar fuera del intervalo de
validez de la ecuacin clsica de Boltzman, [ParteII]. Por tanto, debemos abordar el problema de la
obtencin de los coeficientes cinticos de magnetotransporte desde otro punto de vista. Trataremos
de sacar el mximo partido a la solucin de la ecuacin de Schrdinger con el hamiltoniano general,
[Apndice8], en donde supondremos que el campo magntico es lo suficientemente grande como
para que el trmino cintico sea el dominante y el resto puedan considerarse perturbativaniente. A
estos campos el vector de onda deja de ser un buen nmero cuntico, por lo que para caractenzar los
estados electrnicos hay que tomar el ndice correspondiente a cada nivel de Landau, n. El hecho de
(4
(4
(4
(4
u
(4
que conmuten las autofbnciones del hamiltoniano con el momento angular orbital del electrn nos
permite definir un concepto de rbita, similar al clsico, y que lleva a introducir un nuevo parmetro
~, dependiente de la ftecuencia ciclotrn, de la forma siguiente, [Ziman,64J:
gl=w0J
eB
(4
donde y es la velocidad del electrn. La integracin se efecta sobre todo el espacio reciproco. Esta
nueva variable representa una fase que aumenta con velocidad constante bajo la influencia del campo
magntico
(4
tt
tt
y al cabo de un periodo se hace r2r De este modo, podemos expresar la parte de desequilibrio de
la funcin de distribucin f
0 debida al campo magntico, como
(4
u
2
3
3
47
Con lo que la ecuacin de Boltzman generalizada para un sistema sometido a un campo magntico y
otro elctrico de transporte, ambos estacionarios, vendr dada por la ecuacin
3
3
e.if~.~-)=L-+wct~
[117.6]
El trmino de campo elctrico tiene la misma forma que en el caso de la ecuacin clsica puesto que
como analizamos al final de la [ParteIII, para los campos que nos interesan podemos considerar que
estamos en condiciones clsicas. Por otro lado, de forma similar a como hacamos en la ecuacin de
Boltzman, volvemos a escribir el factor relacionado con el campo magntico en la parte
correspondiente al trmino de colisiones. Sin embargo, aqu r no representa un tiempo entre

colisiones sino que, como analizaremos en el [Apartado ~.31,
debemos interpretarlo como el tiempo
de vida asociado al correspondiente estado energtico del electrn. Como resumen, hagamos un
esquema de las conexiones entre esta ecuacin generalizada y la ecuacin clsica de Boltzman. A
continuacin representamos a la izquierda los trminos correspondientes a la ecuacin de Boltzman y
a la derecha, las equivalencias para la ecuacin generalizada
e .g#i=$*et
~
fi
-4
1~
->wc%b
3
3
Destaquemos algunos detalles de esta comparacin: El tiempo de vida no tiene por qu ser, y de
hecho no es, ([Parte VII]), independiente de los campos aplicados, a diferencia de lo que exigia la
aproximacin de tiempo de relajacin. La velocidad no es ahora una funcin del vector de onda del
espacio recproco sino de la nueva variable de fase,
~.
Y la funcin de distribucin de desequilibrio
no depende del vector de onda.

Es muy importante tener presente que esta ecuacin es una hiptesis de trabajo que, aunque
fisicamente razonable, hay que justificar a posteriori.
La solucin de la [Fc. 11] es de la forma, [Ziman,64], [Ziman,79]:
f(~$b~-j{~jJS1iGt) .Eexp{~
De aqu se obtiene la densidad de corriente que nos permite determinar el tensor de
(4
magnetoconductividad de forma similar a como hicimos con la ecuacin de Boltzman. Generalizando
48
la ecuacin de Kubo para la nueva variable nos queda
(4
J = -~$~-~-frtf(t)dt
de donde, sustituyendo la expresin para la firncin de distribucin de desequilibrio, obtenemos la
expresin general para los coeficientes cinticos de magnetotransporte
mJJ~)~(t
(4
~)ex~{jsd44t
cGO
Esta ecuacin es conocida como frmula de las integrales de tubo de Shockley, y es universal para
el tensor de magnetoconductividad, [Ziman,64],[Ziman79],[Kittel,87].
Para altos campos magnticos, es decir, en condiciones cunticas para las que se cumple la
(4
relacin w0r 1, podemos resolver estas integrales utilizando el hecho de que las velocidades han
de ser funciones peridicas de las variables ~ y gV. El intervalo de integracin de t puede ser
(4
entonces dividido en intervalos de 2~ De forma que obtenemos

texP{~7}f(t9dt= Zexp{
~}C
~X~{
wtr }f(ti#.
2:
exP{~~~}f(&)dtI
As, utilizando este resultado, el tensor de magnetoconductividad puede reducirse a la ecuacin
m
U~
7~YJ~J~V1)Vd#t)CXp}fld<dt
(4
u
Teniendo limitado el intervalo de gV aproximamos la exponencial del integrando a travs de su

desarrollo en serie de Taylor
=-+C-IY-
exp{}
Como las otras funciones del tensor de magnetoconductividad son independientes de la frecuencia
ciclotrn y, por tanto, del campo magntico, este desarrollo nos permite obtener el tensor de
magnetoconductividad en potencias de ~B.
3.2. MAGNETOCONDUCTIVIDAD HALL

El clculo de la magnetoconductividad Hall constituye uno de los apartados fundamentales de
la memoria. En el apartado anterior construamos el esquema matemtico necesario para el clculo
u
(4
(4
(4
(4
u
(4
2
Des~oI1o del modelo terico
49
de los dos trminos de la magnetoconductividad en el caso cuntico. En ste determinaremos la

expresin particular para el trmino Hall.
Para el primer trmino del desarrollo tenemos
Jv~(gOd4b =
fvcosO4~~= pj~,,<
Fn
que es nulo si cerramos la rbita de la variable ~ De modo que en un S2D no hay ningn trmino de
la magnetoconductividad independiente del campo magntico. Para el trmino siguiente del
desarrollo podemos usar el resultado anterior e integrar por partes, entonces, nos queda la ecuacin
O
r,r
mYmOY
donde el segundo factor es nulo debido a que la rbita siempre tiene un centro de simetra. Sin
embargo, el primer trmino contribuye a la componente de la magnetoconductividad Hall.
As pues, utilizando el resultado que obtuvimos para el trmino independiente del desarrollo,
el trmino no diagonal del tensor de magnetoconductividad estar determinado por la expresin
siguiente
UW
e2112
2
2ir
v~(t)rk~(#)d~b
2nft
~v~yJo
mr2C
que operando se reduce a

e2
f
2,r2w
0m
el
B2,r~
El trmino integral representa el rea de la regin del espacio reciproco encerrado por la lnea de
Fermi, [ParteII]. Es decir:
en
~
[IV.7]
siendo n el nmero de electrones por unidad de rea contenidos en la regin limitada por la inea de
Fermi. Una caracterstica fundamental que hay que destacar de esta ecuacin, es su independencia
del tiempo de vida del correspondiente estado electrnico, lo que la convierte en una magnitud de
equilibrio.
La [Ec.7] exige conocer la densidad electrnica del GE2D sometido a un campo magntico,
que ya obtuvimos en el [Apartado2], jEc.3]:
sen[x,I
n = n0 + 2e8 ~l
11
A5,Ar pAr,
donde el argumento de las funciones trigonomtricas es
[IV.8]
50
[IV.9]
siendo E, el nivel de Fermi a campo magntico nulo, [Ec.I.3].
El primer trmino de la [Ec.8]no es ms que el nmero de electrones por unidad de rea en
el GE2D a campo magntico nulo. El segundo, que denotaremos con En, representa la fluctuacin en
la densidad de electrones debido a la combinacin de dos fenmenos fisicos: La aparicin de niveles
de Landau cuya densidad de estados varia con el campo magntico y el hecho de que el nivel de
Fermi de cualquier 521) real, al ser un sistema termodinamicamente abierto, ha de estar igualado con
el de su entorno fisico.
As pues, esta fluctuacin del nmero de electrones por unidad de rea del GE2D debida al
campo magntico es
2eB
1
A5 pAr,pAr,,sen[Xj;]
ri~P
lIViO]
y la expresin general para la poblacin del GE2D, [Ec.S],la escribiremos a partir de este momento
de la forma
[IV.11]
n=; +3?
(4
(4
En la [Fig.9]representamos la [Fc.11] para las condiciones indicadas en el pie de la misma.

De manera que tenemos una fluctuacin de la densidad de electrones con el campo magntico
en torno a su valor a campo cero, [Ec.11], que ha de refiejarse en la magnetoconductividad Hall.
como se deduce directamente de su expresin para alto campo magntico, [Ec.7].
(4
(4
u
(4
Por tanto, podemos escribir la expresin general para la magnetoconductividad Hall de la
forma
~
2r2
C
en w0
1\
B +wQr2 =~v?n
2r2
[IV.12]
3+ 1+w.,22
En esta ecuacin se ha afladido el ltimo trmino para tener en consideracin el comportamiento
semiclsico a bajo campo, [Ec.ll.29], trmino que a altos campos se hace prcticamente uno,
Aunque esta ecuacin es formalmente equivalente a la correspondiente ecuacin clsica, [Ec.II.29],
aqui r representa el tiempo de vida del estado energtico del electrn a un campo magntico dado,
(vase el [Apartado3.3]).
As pues, para altos campos magnticos la [Ec.12]puede escribirse de la forma
1(n~~+En)
a =
[IV.13]
(4
(4
(4
1
u
2
51
que tiene dos componentes, una clsica y otra cuntica. De forma ms compacta la escribiremos
como sigue
O
siendo c4,, el trmino Hall clsico.

1.20
1.15
1.10
e.
1.05
-o
t-
1.00
.95
.90
.85
10
12
CAMPO MAGNETICO (1)
Figura 9: Simulacin de la dependencia de a densidad de electrones

con el campo magntico para un S2D con una concentracin
n0=JO6nf2, lo que implica un nivel de Fermi E,=35meV. T=i.2K,
=2y =0.067mo.
Por tanto, podemos establecer la siguiente regla a alto campo magntico: el paso de la
magnetoconductividad Hall clsica a la correspondiente cuntica se hace a travs del siguiente
cambio en el trmino clsico del efecto Hall
con 3? dada por la [Ec 10].

La [Fc.13], con la fluctuacin de la densidad de electrones expresada por la ecuacin [Fc.10]
constituye una de las conclusiones fundamentales de esta memona ya que, como representamos en la
[Fig. 10], este trmino adicional da lugar a la aparicin de las mesetas caractersticas de efecto Hall a
valores enteros en unidades de e2/h. El que aparezcan nicamente las mesetas correspondientes a
52
valores enteros pares se debe a que las condiciones impuestas en la simulacin son tales que no
producen la ruptura de la degeneracin de espn.
0
-2
fi
a
b
-12
-14
150
-16
-200
-250
-18
0.00
-20
10
12
CAMPO MAGNTICO (1)

Figura 10: Simulacin de la magnetoconductividad Hall pata un S2D
con una concentracin de no=J06m1 EF=3SmeV, T=J.2K, =2 y

=0.067mo. En la propia figura se destacan las posiciones de las
dferentes mesetas.La figura insertada representa el comportamiento
semiclsico.
De todo lo anterior hay que destacar tres puntos fundamentales: En primer lugar, la aparicin
de una fluctuacin en la densidad de electrones del GE2D. En segundo, la independencia de la
u
(4
magnetoconductividad Hall con el tiempo de vida (vase el prximo apartado). Y por ltimo, como
se deduce de la [Fig.10], la exploracin directa de los indices de Landau en las mesetas de a,,,, debido
a su dependencia con la fluctuacin de la densidad de electrones.
En todas las simulaciones que realizamos en este [Apartado3], el nivel de Fermi est fijo al
valor que se indica en el pie de cada figura. Ya hemos mencionado que fisicamente ste queda
determinado al formarse la capa de inversin como consecuencia de la igualacin de los niveles de
Fermi entre las diferentes partes de la heteroestructura semiconductora.
Antes de seguir adelante, resumiremos las tres condiciones determinantes, segn nuestro
(4
(4
(4
modelo, en la aparicin de las mesetas en la magnetoconductividad Hall:
u
u
2
53
1)Para cualquier valor del campo magntico el nivel de Ferm, dado por la [Ec.I.3], est
fijado por el entorno fisico externo del 521).
2)EI aumento del valor del campo magntico produce un aumento en la densidad de estados
de cada nivel de Landau, [Ec.Ill.15].

3)La energa de cada nivel aumenta a medida que aumentamos el campo magntico,
[Ec.III.6].
Una de las cuestiones sobre el EHC que desde el primer momento llam ms la atencin fue
la precisin con la que estaban definidas las mesetas. Sin embargo, segn deducimos de nuestro
modelo, esta precisin est completamente determina por la buena o mala definicin de los niveles
de Landau; a medida que sta sea mayor, mejorar la precisin de las mesetas.
Por tanto, la idea fisica del EHC es completamente similar a la del efecto de Haas-van Alphen,
y depende de lo efectivo que sea el trmino cintico del hamiltoniano frente a la interaccin debida a
las impurezas ionizadas y los defectos estructurales.
3.3. MAGNETOCONDUCTIVIDAD DIAGONAL

Nos planteamos ahora la deduccin de la componente diagonal de la magnetoconductividad
transversa, a,~. Para ello debemos volver a la expresin general del tensar de magnetoconductividad.
Se puede demostrar que en a~ no hay trmino de orden lIB ya que se anula la integral
correspondiente sobre la lnea de Fermi, [Ziman,64].As, la primera componente no nula para este
coeficiente corresponde al trmino de orden
1/82.
Sin embargo, no puede obtenerse una expresin compacta para la magnetoconductividad

diagonal al igual que se hizo con la Hall y todo lo que podemos afirmar a partir del desarrollo en
sene que estamos empleando, es la dependencia con la inversa del cuadrado del campo magntico,
con un coeficiente que deberemos deducir, desde un punto de vista terico, de forma indirecta y
efectuando ciertas hiptesis fisicas razonables.
Al ser este coeficiente cintico el factor de proporcionalidad entre la componente J1 de la
densidad de corriente y la componente Al del campo elctrico de transporte, [Parte II], est
directamente asociado al trmino de arrastre de la ecuacin general de transporte, [Ec.6].Por tanto,
debido al principio de exclusin de Pauli, los nicos electrones que intervienen en este coeficiente al
atravesar un nivel de Landau el nivel de Fermi, son los correspondientes a un entorno cuyo ancho en
energas est determinado por la energa tnnica kT.
54
Si llamamos N a la densidad de electrones prximos al nivel de Fermi, entonces

N
[IV.l5]
JfO(E)g(~~
donde el lmite inferior viene dado ahora por la expresin e =
EF
u
u
(4
kT/2, con el que tenemos en
cuenta la densidad de electrones que pueden verse afectados por el campo de transporte debido a la
temperatura. Resolviendo esta integral de forma similar a la representada en la [Ec.2] obtenemos la
ecuacin
ha>
~
2zp
S.p
f.p
+ t (T)jJ}
donde el trmino I,,Q) est dado por
los
correspondientes
Endeel cero
absoluto
al en
nivel
de
temperaturas
de Fermi,
de los
(+
modo
nicos
expque
~ electrones
2lapara
exP{2i~>-j-j
seguir
que
utilizando
intervienen
laenexpresin
el transporte
de esta
son
densidad
electrones
forma
de distribucin,
en
[Ec.15]
debemos
expresar
la funcin
de
distribucin de Fermi-Dirac para los electrones del nivel de Fermi, a travs de la ecuacin
f0(E)
s(E EF)
que nos lleva directamente a la expresin exacta para la densidad de electrones al nivel de Fermi en el
cero absoluto de temperaturas
N=E~g(E~)
[IV.16)
siendo g(Er) la densidad de estados al nivel de Fermi y a un campo magntico determinado. Ahora
bien, como el nivel de Fermi permanece en todo momento fijo, su valor es el correspondiente a
campo magntico nulo, [Ec.I.3],de manera que la ecuacin anterior se simplifica a
N=n
0 g(EJ
(4
(4
[IV?]
Las temperaturas a las que aparece bien definido el EHC son lo suficientemente bajas como para
suponer vlida en primer orden la Wc. 17] para la densidad de electrones. En las simulaciones y
ajustes que efectuamos a lo largo de la memoria consideraremos, por simplicidad, que estamos en
estas condiciones.
As pues, extrapolaremos la magnetoconductividad diagonal semiclsica imponiendo la
condicin cuntica dada por la Wc. 17], de modo que nos queda
(4
(4
(4
(4
(4
u
(4
~~.
55
en0
g(E9) wr
Bw
2
0r g0 1+wQr
[IV.18]
Al igual que hicimos en el caso de la magnetoconductividad hemos incluido el trmino de bajo
campo, que se hace uno a altos campos, con lo que nos quedara
en
0 g(E~)
Bw~r
[IV.19)
g0
En esta ecuacin aparece la magnitud ren el denominador, asociado al trmino de arrastre de

la ecuacin general de transporte, [Ec.6], y que no apareca a alto campo magntico en la
magnetoconductividad Hall. Para comprender mejor su significado conviene darle un sentido fisico
diferente al tiempo entre colisiones de la interpretacin semiclsica. As, asociaremos r al tiempo de
vida de un electrn en un determinado estado electrnico. Esta interpretacin es compatible con su
sentido semiclsico a campo magntico nulo, donde las funciones de onda corresponden a las
funciones de Bloch. Sin embargo> para nosotros tiene una ventaja adicional: Este significado de r nos
permite incluir directamente el carcter localizado o extendido de los estados electrnicos del
electrn en la forma que describiremos en la [ParteVII].
Consideremos un estado de energa estacionario para el electrn, E~, y designemos por r su
tiempo de vida, es decir, la magnitud igual al reciproco de la probabilidad por unidad de tiempo de
que el electrn deje de estar en ese estado. El principio de indeterminacin para la energa establece
la relacin
1~
donde E es el estado de energa final del electrn. A la magnitud que expresa la probabilidad de que
un electrn transite de un estado energtico a otro la denotaremos por E As, tenemos que
1
1~
Para calcular esta magnitud hay que hacer uso de la teora de perturbaciones dependientes del
tiempo, [Messiah,75J.Supongamos que conocemos el espectro de autofiunciones del hamiltoniano
estacionario siguiente
+
Sea a uno de sus autoestados y E(a) el valor de la energa correspondiente a este mismo estado.
Llamando g(E) a la densidad de estados de la distribucin continua, la probabilidad de transicin del
56
estado a a cualquier otro de esta distribucin como consecuencia de una perturbacin ~ vendr
dada por
Z~ =)1a..pg(E)dE
u
u
(4
IjIV.20j
1
donde la integracin se efecta sobre todos los estados posibles de la distribucin, y Za~
representa la probabilidad de transicin de un estado a a otro fidel espectro continuo que viene dada
por, [Messiah,75]:
r~
=~c
~#/U(t,o)Ia
>j2
donde U(t,O) es el operador de evolucin temporal para la perturbacin correspondiente. Si la

perturbacin conserva la energa, la expresin anterior puede simplificarse a
u
(4
Ft~ ~WI2~Q(a))
(4
~cfi/t/a>
(4
siendo
~afl
y donde los estados iniciales y finales poseen la misma energia. Esta ltima ecuacin representa la
regla de oro de Fermi. Sin embargo, en nuestro estudio del EHC estatemos interesados en la
ecuacin general para la probabilidad de transicin, [Ec.20]. Adams y ,Holdstein, [Adams,59],
[Fawcett,64],efectuaron un estudio detallado de la forma de los tiempos de vida para cada uno de
los tipos de interaccin que puede sufrir un electrn en un sistema tridimensional (531)). Sin
embargo, no existe un estudio tal para los 521).
De manera que el tiempo de vida de los electrones en un estado de energa particular estar
dado por la expresin
(4
En el caso de que hubiera ms de una perturbacin, las probabilidades de transicin se suman de

manera que la probabilidad de que el electrn abandone un estado energtico estara dado por la
suma de probabilidades de transicin debida a cada interaccin.
El tiempo de vida asociado a cada uno de los autoestados estacionarios del hamiltoniano seria
infinito. Sin embargo, la presencia de dos perturbaciones que no habamos considerado hasta el
momento: la interaccin electrn-electrn, H,,, y el trmino de energa potencial debido al campo de
transporte 44 conduce a que los estados electrnicos dejen de ser totalmente estacionarios, es decir,
pasen a ser cuasi-estacionarios y, por tanto, debamos asociarles a cada uno de llos un tiempo de
(4
(4
(4
(4
(4
2
57
vida finito. Por otro lado, supondremos que el campo de transporte es lo suficientemente pequeio
corno para considerar que no afecta al espectro energtico.
La teora del liquido de Fermi justifica en sistemas estacionarios la inclusin del efecto de la
interaccin electrn-electrn en el tiempo de vida, [Ashcrofi,76],trmino que tiene en consideracin
el problema de los N-cuerpos. En el caso de estar a temperaturas elevadas habra que incluir,
igualmente, un tiempo asociado a la posible interaccin electrn-fonn.
As pues, resumiremos el efecto sobre el GE2D del campo elctrico de transporte y de la
interaccin electrn-electrn en la probabilidad total de transicin
de donde podemos obtenerel tiempo de vida de cada estado a travs de la expresin general
1
r(A,T,~)
La dependencia que estamos incluyendo con el potencial de transporte la justificaremos en la [Parte

VII] cuando analicemos los resultados experimentales basados en la dependencia de la amplitud de la
magnetoconductividad diagonal con la intensidad de coniente que atraviesa el 521), [Haug,87,2],

[Nachtwei,93,1], [Nachtwei,94,2].
La [Ec.19] para la magnetoconductividad diagonal representa el efecto Shubnikov-de Haas
(SdH) cuyo comportamiento general est caracterizado en la [Fig.11], para las condiciones indicadas
en la rmsma. La consecuencia fundamental de los efectos cunticos se traduce en la aparicin de

oscilaciones de esta magnetoconductividad a alto campo magntico, que constituyen un resultado
bien establecido. Sin embargo, como vemos en esta figura, hay una caracterstica diferenciadora en el
caso de los S2D: La aparicin de intervalos del campo magntico para los que se hace cero la
magnetoconductividad diagonal.
Resumiendo, el paso del coeficiente cintico a~ semiclsico al correspondiente cuntico se
obtiene haciendo los siguientes cambios sobre la expresin semiclsica
n0 >N
r
siendo r(B, T,
>
r(AT,t)
[IV.22]
~)el tiempo de vida del estado electrnico y N la densidad de electrones del GE2D
prximos al nivel de Fermi, [Ec.17].
58

3.0
u
(4
2.5
2.0
a,
1.5
.5
0.0
0
10
12
CAMPO MAGNTICO (1)
Figura 11: Simulacin de la magnetoconductividad diagonal, Orn para
un S2D con no=J06mt E~=35meV, T=1.2K, g =2 y m =0.067ma

En la figura interior se muestra el comportamiento semiclsico en
estas mismas condiciones.
Hay una forma global de presentar ambas magnetoconductividades en condiciones de EHC, a
(4
(4
(4
(4
(4
travs de diagramas a vs a~,, [Pruisken,88,2]:

1.5
cf
1.0
.5
0.0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
a
1~ (c/h)
Figura 12: a
6n12
vs a,, para un S2D con no=i0

T=J.2K, =2y =0.067mo.
EF=35meV,
Al ser los puntos a~=O puntos fijos, estos diagramas pueden considerarse como diagramas de
fase, interpretando el paso de cada nivel de Landau por el nivel de Fermi como si de una transicin
de fase se tratara. Haciendo uso de las expresiones que hemos deducido para ambas
(4
(4
(4
u
(4
(4
(4
(4
(4
u
2
59
de fase se tratara. Haciendo uso de las expresiones que hemos deducido para ambas
magnetoconductividades, [Ec.18] y [Ec.12], en estos diagramas se representan los puntos
correspondientes a la ecuacin siguiente
[IV.23]
a
3.4. MAGNETORRESISTENCIAS RALL Y DIAGONAL

Una vez que se tienen calculadas las magnetoconductividades diagonal y Hall, se puede
obtener las magnetorresistividades a travs de las [Ec.II.7].De stas, a su vez, es inmediato calcular
las magnetorresistencias a partir del conjunto de ecuaciones siguiente
[IV.24]
donde y
son la longitud y el ancho del S2D, respectivamente. Luego, tanto las
magnetorresistencias como las magnetorresistividades tienen las mismas unidades.
El comportamiento general de estas magnitudes es similar al descrito para las
magnetoconductividades: Los intervalos de campo magntico para los mnimos o ceros de las
oscilaciones SdH en R~ coinciden con los correspondientes a las mesetas Hall de Rq.
Sin embargo, en ambas magnetorresistencias aparecen mezclados los efectos de transporte y
ensanchamiento de los niveles de Landau, lo que complica su anlisis fisico. Por esta razn, el
modelo terico conviene desarrollarlo a partir de las magnetoconductividades donde estas dos
contribuciones aparecen, a altos campos magnticos, perfectamente separadas.
En la [Fig.13] representamos la [Ec.24]. Esta se ha generado de manera que presente
mesetas a valores de ndice impar, consecuencia de la ruptura de la degeneracin de espn de los
niveles de Landau. Para conseguirla hemos realizado la simulacin usando una temperatura muy
baja, aumentando el factor gironiagntico generalizado e introduciendo como niveles de Landau
lorentzianas de ancho Fmuy pequeo y constante.
60
u
1.0
(4
(4
e.
.6
.4
.4
.4
.2
0.0
(4
ji.
0
CAMPO MAGNTICO (9
Figura 13: Simulacin de las magnetorresistencias Hall y diagonal

para un S2D con n0=2x105m2 T=0.3K, l/a=3.Sy =0.067mo.
,
En la [Parte III], discutimos la diferencia que exista entre el uso de un perfil orentziano o
gaussiano para representar los niveles de Landau.
(4
u
(4
(4
.5
.4
e.
u
.~.3
(4
.2
.1
(4
0.0
CAMPO
Figura
con
14:
Simulacin
5n12
0=SxJO
insertada se representa
MAGNTICO
de a magneborresistencia
T=J.2K,
para
=2
10
Hall
=0.067mo
estas mismas
12
condiciones
(4
(4
para
.En
un S2D
(4
la figura
una oscilacin
u
de la densidad
de estados.
(a)gaussiana.
(b)lorentziana.
(4
(4
Desarrollo de/modelo terico
En la [Fig.14] presentamos una simulacin de la magnetorresistividad Hall para cada uno de

perfiles, considerando para ambos un mismo F constante. Por otro lado, en la figura insertada se
observan los perfiles para cada una de las correspondientes oscilaciones de la densidad de estados.
La conclusin es clara, la nica diferencia desde el punto de vista del modelo entre utilizar una forma
lorentziana o gaussiana reside en la peor o mejor definicin de lo niveles de Landau, mayor en el
caso de la gauss/ana.
4. PROPIEDADES DE MAGNETOTRANSPORTE EN FUNCIN

DE LA TENSIN DE PUERTA
4.1. INTRODUCCIN
La ventaja de las heteroestructuras que tienen puerta, [Parte1], es la posibilidad de variar la
posicin del nivel de Fermi aplicando una tensin a la misma, lo que implica una variacin de la
densidad de electrones en el GE2D. De esta forma fii como primero se empez a estudiar la
magnetoconductividad diagonal, [Fowler,66], y las magnetorresistencias diagonal y Hall,
[Kawaji,75,1],[Igarashi,75],[Wakabayashi,78,1],
[Kawaji,85,2],y como se descubri finalmente el
EHCE, [Klitzing,80,1]. Paradjicamente, este enfoque del EHC est completamente abandonado
desde un punto de vista terico. La razn fundamental es que con semejantes experiencias se pone
claramente de manifiesto el carcter termodinmicamente abierto de todo S2D real y, en concreto, el
hecho de que la carga electrnica del GE2D est determinada por el resto de la hetreoestructura.
Carcter de sistema abierto que no puede incluirse en los argumentos de Laugh]in, basados en la
invariancia gauge; ni en los de Bttiker, donde la razn del fenmeno se fundamenta exclusivamente
en la presencia de estados de borde en el S2D, (vase el (Apartado 6]).
En el presente apartado extendemos las ideas del modelo desarrolladas en los apanados
anteriores a esta nueva situacin.
En las experiencias se fija el valor del campo magntico aplicado habitualmente a un valor
alto, B0, con la intencin de que se manifiesten claramente los efectos de cuantizacin en el 521); una
vez hecho esto, se vara de forma continua la tensin de puerta aplicada a la heteroestructura. De
esta forma exploramos la estructura de niveles de Landau fijada por el campo magntico.
As pues, como hicimos en el caso del anlisis en campo magntico, empezaremos calculando
u
(4
la densidad de estados. La ecuacin viene dada nuevamente por la [Ec.III.26jj,pero la variable ahora
corresponder al nivel de Fermi, siendo la frecuencia ciclotrn, al estar fijo el campo magntico, una
62
constante dada por la expresin
= eS0
[IV.25j
donde B~ es el campo magntico aplicado. Por tanto, la densidad de estados ser

g(E) = ~o{1 + 2XASPArP co4X]}
[IV.26]
donde el argumento Xviene ahora dado por
(4
(4
[IV.27]
En la [Fig.15] representamos la [Ec.311 para una variacin del nivel de Fermi de la forma:
+0.002 V/J9.
El anlisis de la densidad de estados en funcin la tensin de puerta brinda la posibilidad de
observar la estructura particular de niveles de Landau a un determinado campo magntico.
ji
ib
1
18
-.7
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
V(V)
Figura 15: Simulacin de la densidad de estados en funcin de la

tensin de puertapara B0=8T~ T=J.2K, =0.067mo.
.1
(4
(4
(4
(4
(4
u
(4
(4
(4
(4
(4
u
63
4.2. MAGNETOCONDUCTIVIDAD HALL

Una vez obtenida la densidad de estados podemos abordar el clculo de las diferentes
magnitudes fisicas. As, siguiendo los pasos que dimos en el anlisis en tncin del campo magntico,
estudiaremos el EHCE en flincin de la tensin de puerta. Para ello necesitaremos conocer la
densidad de electrones en el GE2D. Integrando de forma similar a como hicimos para llegar a la
[Ec.3],tenemos en este caso
= n0 34. ~
+
ASPAr PAT,
se{24~-ft-
-.
ji
2J
[IV.28]
donde ahora n
0 varia con el nivel de Fermi. En la figura siguiente representamos esta ecuacin en
fi.incin de la tensin de puerta.

2.0
1.5
e.
1.0
2
o
ci
.5
0.0
-.8
-.7
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
.1
ve,)
Figura 16: Simulacin de la densidad de electrones en funcin de la

tensin de puerta para un S2D en las mismas condiciones que la
[Fig.15].
Este comportamiento es fisicamente razonable: Aparecen regiones de tensin de puerta para

las que no hay variacin alguna de la densidad de electrones cuando atravesamos con el nivel de
Fermi una regin energtica entre dos niveles de Landau. Si comparamos con las [Fig.17] y [Fig.18],
64
para las magnetoconductividades Hall y diagonal, observamos que esas regiones de tensin de
puerta coinciden exactamente con las corrrespondientes a las mesetas Hall y los mnimos de la
magnertorresistencia diagonal.
Una vez determinado el comportamiento de la densidad de electrones, es inmediato obtener
la forma de la magnetocondctividad Hall a travs de la Wc. 131, que supone estar en condiciones de
u
(4
alto campo magntico. De forma que en las simulaciones usaremos la ecuacin siguiente para el
EHCE
en
e,
que est representada en la [Fig.17]. Observamos la presencia de mesetas nicamente a valores

pares, como ocurra al estudiar el EHCE en funcin del campo magntico, es debido a la
(4
degeneracin de espn:
(4
u
u
u
u
EJ
10
-.8
-.7
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
.1
V(V)
Figura 17: Simulacin de a magnetoconductividad Hall enfuncin de

la tensin de puerta para las mismas condiciones detalladas en la
[Fig.15].
65
4.3. MGNETOCONDUCTiVIDAD DIAGONAL

De la misma forma que hemos hecho al estudiar la magnetoconductividad Hall en el apartado
anterior, en ste emplearemos la [Ec.19] para determinar el efecto SdH en el que, suponiendo que
estamos en condiciones de alto campo magntico, no consideramos el trmino de bajo campo
en0 g(E,4.
[IV.30]
En la [Fig.18] representamos esta funcin cuyos niinimos coinciden perfectamente con las mesetas
descritas en la jFig. 17]. El problema fundamental que se presenta a la hora de estudiar tericamente
este coeficiente cintico, es el comportamiento del tiempo de vida con la tensin de puerta. Este
parmetro est determinado por las caractersticas paniculares del sistema semiconductor, siendo
imposible apriori predecir su forma.
.30
.25
.20
.15
.10
.05
0.00
-.8
-.7
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
V1(V)
Figura 18: Simulacin de la magnetoconductividad diagonal en

funcin de la tensin de puerta en las mismas condiciones detalladas
en la [Fig.15].
.1
66
4.4. MAGNETORRESISTENCIAS HALL Y DIAGONAL

De forma similar a como hicimos en el apanado correspondiente al EHCE en funcin del
campo magntico, [Apartado3.4], podemos obtener las curvas de las magnetorresistencias diagonal
u
(4
(4
(4
y Hall invirtiendo la fEc.II.7j y usando la [Ec.241.As obtenemos el comportamiento tpico que viene
representado en la siguiente figura
u
(4
.5
.4
e.
~
(4
.3
1>
.1
0.0
-.8
-.7
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
.1
V,(V)
Figura 19: Simulacin de la magnetorresistencia diagonal y Hall en

funcin de la tensin de puerta para las mismas condiciones
detalladas en la [Fig.15].
5. EFECTO HALL CUNTICO Y SHUBNIKOV-de HAAS PARA

EL CASO DE DOS SUBRANDAS
(4
(4
(4
(4
(4
En los ltimos aos han despertado gran inters los pozos cunticos con una segunda
subbanda ocupada, [Smith,88,3], [Leadley,89], [Lo,91,1],
[Schacham,921,[Fernndez,92],
[Lo,95,2].Esto nos sugiri ampliar nuestro modelo a este tipo de situaciones.

Salvo por la interaccin electrn-electrn que, como veamos en el [Apartado3.3], su efecto
puede resumirse en un tiempo de vida adicional, nuestro estudio se basa en la aproximacin de
(4
(4
4
67
electrones cuas/-libres. Adems, supondremos que no existe interaccin entre ambas subbandas y
podemos, por tanmto, considerarlas como independientes. Esto se traduce para nosotros en una
aditividad de la densidad de estados al nivel de Fermi que de forma general expresaremos a travs de
la ecuacin
= g(E) +gME)
[IV.31]
donde la densidad de estados para cada subbanda viene dada por la ecuacin
~4:~pcof 24t-r
[IV.32]
Siguiendo exactamente los mismos pasos que hemos empleado en los apartados anteriores y
basndonos en la ausencia de interaccin entre las subbandas, podemos extender de forma trivial el
clculo de todas las magnitudes fisicas. As pues, integrando la densidad de estados, [Ec.31],
obtenemos de forma inmediata la fluctuacin total en la densidad de electrones, quedndonos
2eB
1<
sen[Xk]
&&1+&I2XtAspt4r.PAT,
rl
A.~.PAI,PAtP
sen[xflj
[IV.33]
donde el argumento est dado ahora por la expresin
Ej.
hw
mn~
(IV.34j
heBg<>
y que nos lleva de forma inmediata a la magnetoconductividad Hall para el caso de dos subbandas
ocupadas. As, tendramos, para altos campos magnticos la ecuacin

=
[IV.35]
j(n+n~+&i-ai2)=~j(n%-n2)
De igual forma podemos obtener la magnetoconductividad diagonal a T#JK

e fn~g(E,)
~ Bg0
II
nfr(E1~j1)
22
wcr
[IV.36]
,~
donde las densidades de estado para cada subbanda estn dadas por la [Ec.32],y
t~
representan
los tiempos de vida de los estados energticos de los electrones en cada una de las subbandas.
Una vez que tenemos estas dos magnitudes, utilizando de nuevo la [Ec.ll.7], podemos
encontrar las magnetorresistividades Hall y diagonal que con la [Ec.24],nos permite calcular las
correspondientes magnetorresistencias representadas en la [Fig.20].
Como vemos ya no aparecen las mesetas de efecto Hall a valores enteros sino que sus
posiciones estn peor determinadas. Esto es debido al desfase existente en la aparicin al nivel de
Fermi de los niveles de Landau de cada subbanda.
(4
68
(4
(4
(4
(4
(4
.10
.08
e.
EJ
.06
.04
.02
0.00
0
10
CAMPO MAGNETICO (1)

Figura 20: Magnetorresistencia Hall y diagonal para el caso de dos
subbandas. n0=i.sxio6m~ n2=J.8xJ06m~ T=J.2K, =0.067mo,
=0.067mo.
(4
(4
(4
6. OTROS MODELOS TERICOS SOBRE EL EFECTO HALL

CUNTICO ENTERO
Desde la aparicin del EHCE, IjKlitzing,80, 1], diversos modelos han sido desarrollados,
(4
(4
todos con un mismo denominador comn: el modelo de invariancia gauge y el concepto de gap de
movilidad de Mott. Este enfoque tiene su origen en el modelo desarrollado por Laughlin,
[Laughlin,8JI. Para entender su enfoque del problema del EHC es necesario explicar brevemente
la cuantizacin de flujo. Consideremos un plano con una regin circular en la que hay un flujo en su
interior, 4)
(4
(4
(4
(4
J
ti
69
Supongamos que no hay campo magntico en otro lugar del plano. As, el potencial vector en este
plano es un gauge puro, es decir:
que no puede llevarse a cero a travs de una transformacin gauge, ya que necesariamente tenemos
4)
dhA
c
siendo C el contorno que encierra la regin de flujo magntico, (vase la figura anterior). As pues,
una posible solucin seria
4)9
[IV.37]
donde Oes el ngulo alrededor de la regin de flujo medido desde un eje arbitrario. Consideremos un
electrn que se mueve en el plano, y supongamos que su funcin de onda se anula en esta regin. Sin
embargo, est afectado por el flujo ya que su hamiltoniano depende del potencial vector, que no es
nulo en ningn punto del plano. Puesto que el potencial vector es un gauge puro, podemos intentar
suprimirlo de la ecuacin de Schrdinger a travs de la transformacin gauge siguiente
Haciendo esto, la funcin de onda del electrn adquiere el factor de fase

exp{i
= exp
e4) 1
-iO yj
que no es fisicamente aceptable puesto que la funcin de onda seria discontinua en el espacio (cada
vez que O se incrementa en 2~ damos una vuelta completa a la regin del flujo). Esta dificultad
puede superarse en dos circunstancias determinadas: a) El electrn es localizado, es decir, su funcin
de onda es diferente de cero slo en la proximidad de un punto determinado. En este caso, donde la
[Ec.37] puede llevar a una discontinuidad, la funcin de onda se anula. Este argumento no puede
utilizarse en el caso de electrones libres pero s para un electrn atrapado en una impureza. b) El
electrn es extendido con una funcin de onda que es coherente en fase alrededor de C pero el flujo
est cuantizado en mltiplos enteros del cuanto de flujo
h
e
De este modo, la [Ec.37] llega a ser una funcin peridica de O y representa entonces una
transformacin gauge fisicamente aceptable, es decir, que deja invariante la ecuacin de Schrdinger.
En estas condiciones, el potencial vector desaparece de la ecuacin y el electrn no ve la presencia
del flujo a travs de la regin central.
70
El modelo de Laughlin se fundamenta en un experimento ideado por l mismo y resumido en
(4
(4
la siguiente figura, [Butcher,93]:
4~I~. AI~
Con esta geometra, es claro que para su anlisis es ms apropiado tomar el gauge de Landau,
(Ec.ll1.93. Consideremos ahora un conjunto de electrones confinados en el cilindro de la figura
anterior con un campo magntico aplicado perpendicularmente a la superficie del mismo.
u
u
u
u
(4
(4
Supongamos que el flujo total que atraviesa el cilindro es 4y est confinado en el solenoide interior.
Provoquemos una variacin adiabtica del flujo del solenoide interior en una cantidad 214=h/e. La
variacin del flujo hace un trabajo sobre el sistema electrnico que se traduce en la aparicin de una
corriente dada, utilizando la ley de Faraday, obtenemos en este caso la expresin
4W
J dii~dtcPb
(4
Por otro lado, como acabamos de discutir, este cambio de flujo en un cuanto est acompafiado de un
cambio de gauge que no modifica los autovalores de la energa del hamiltoniano, de manera que el
sistema ha de ser el mismo antes y despus del cambio. As, cuando la energa de Fermi del sistema
se encuentra en la regin de estados localizados las regiones de estados extendidos ocupados antes
del cambio de gauge han de estar ocupados tambin despus. Igualmente, la ocupacin de los
estados localizados no se modifica. Sin embargo, este cambio es adiabtico y la variacin de energa
que se produce en el sistema con la aparicin de una corriente debe estar compensada exactamente
con algn otro trmino energtico. La nica posibilidad que puede darse es el cambio en la
ocupacin de los estados de borde, [Halperin,82,1],es decir, que los electrones se transfieran de un
borde de la muestra a otro. As pues, consideremos que n electrones sufren esta transferencia,
entonces, la energa potencial del mismo se incrementa una magnitud AB dada por la ecuacin
AE=enV,
u
(4
(4
(4
(4
u
u
2
71
donde y,, es el potencial electrosttico que aparece al acumularse carga en los bordes del sistema.
As, tenemos que
h
0=&+4W=enV ...J....
de donde, operando llegamos a la ecuacin
=a =n-eh2
que constituye el resultado fUndamental de Laughlin. Esta cuantizacin de la magnetoconductividad

Hall se sigue directamente de la suposicin de que el nivel de Fermi se encuentra dentro del gap de
movilidad. Adems, Laughlin necesita hacer implcitamente la suposicin de que la intensidad 4 es
una supercorriente, es decir que no hay disipacin de energa por efecto Joule en el sistema.
Posteriormente Halperin introdujo el concepto de estado de borde que ha sido utilizado en
los ltimos aos para desarrollar un enfoque fenomenolgico alternativo al de Laughlin, el
formalismo de Landauer-Btttiker, [Bttiker,86,1],[Bttiker,88,2].Este supone que el sistema est
conectado a reservas que sirven, por un lado, de fuente y sumidero de corriente y, por otro, de
conexiones de voltaje.
Tomemos inicialmente un sistema de dos conexiones a dos reservas con potenciales qumicos
Pi
p4-eV, donde Ves el voltaje aplicado. De este modo, hay una corriente neta de derecha a
L~2=
izquierda proporcional al nmero de estados en el intervalo ~2-1 y dada por la ecuacin
donde N
0 es el nmero de canales existentes en el sistema, incluyendo el espn;
y1 la velocidad
longitudinal para el canal i-simo al nivel de Fermi, 779 la probabilidad de transmisin del canal] al i,
y dn< dE = 1/hv1 la densidad de estados para un 5 ID, (Apndice 1]. Esta ecuacin nos permite
obtener una expresin para la conductancia en trminos del coeficiente de transmisin T
(normalizado a 1W)
2W
e2
G=LtT. i~T
hu
h
Dado que el coeficiente de conductancia se expresa en funcin de la unidad fundamental de

2,, multiplicada por el coeficiente de transmisin, es inmediato deducir que la
conductancia, e
cuantizacin de estos coeficientes de transmisin lleva a la cuantizacin de los coeficientes de
72
transporte en unidades de Iii. En caso de que supongamos ausencia de dispersin en la muestra, es

decir, T=6, entonces la [Ec.38]lleva a
e2
G=2N~ h
donde el factor 2 se refiere a la degeneracin de espin. Este es el efecto que aparece en los puntos e
hilos cunticos, (vase el [Apartado2] de la [ParteVIII]).
Bttiker generaliz estas ideas a un sistema conectado a Y reservas donde cada par puede
servir como fuente y sumidero de corriente y, adems, entre los dos puede introducirse un voltaje.
(4
(4
(4
(4
(4
En este caso tenemos una matriz de conductancia de coeficientes (3, de forma que
ZGK, =L(T
h
[IV.39]
-N~&,,jV,,
5.
donde 77, es la corriente total por la trayectoria m, y el voltaje aplicado a la trayectoria n, y 77,,, es el
coeficiente de transmisin total (o coeficiente de reflexin en el caso de que m=n) al nivel de Fermi
para los electrones inyectados en la trayectoria n y recolectados por la m. En el caso N~=2 esta
ecuacin se reduce a la [Ec.38]. Si se conoce el coeficiente de transmisin T,,, podemos invertirla
para obtener la resistencia Hall si mi. El inters que tiene para nosotros la [Ec.39] reside en su
(4
(4
(4
validez para cualquier valor del campo magntico.

Tomemos ahora la frmula anterior para el caso particular de un sistema con seis contactos
como el que se describe en la siguiente figura que presenta la configuracin habitual para el estudio
conjunto del EHC y SdH, y sobre el que se aplica un campo magntico de forma que el nivel de
Fermi est situado en la zona entre dos niveles de Landau, por lo que los nicos estados al nivel de
Fermi son los estados de borde, (Halperin,82, 7], [Thouless,93].
1
A
-1_
-._______________________
.
u
u
(4
*--
ini.
5
Pl
u
(4
u
4
73
Asumamos que una corriente 1 pasa por el sistema a travs de estos estados y que la corriente
neta en las conexiones del voltaje es cero. Hay desorden en la muestra que da lugar a dispersin pero
supongamos que toda la corriente continua fluyendo a travs de los bordes hacia la conexin de
voltaje 2, es decir, suponemos que el coeficiente de transmisin es 7721=N, a pesar de la dispersin.
Llegado este punto, hagamos que de la reserva 1 suija una corriente N(eh)u, siendo N el nmero
de niveles de Landau por debajo del nivel de Fermi y que corresponde a lo que este formalismo
denomina canales. Si toda la corriente contina fluyendo a lo largo del borde e imponemos que la
corriente en la conexin del voltaje sea despreciable, debemos tener que
0
Es decir,
u1
=U2 ~
N(e/hXui- t
De igual forma para la conexin de voltaje 3, de manera que las conexiones
en el lado superior del sistema (vase la figura) han de tener el mismo potencial qumico que el de la
fuente. Sin embargo, el sumidero se mantiene a otro potencial ~
que es el mismo que para las
conexiones de la zona inferior del sistema (voltajes 5 y 6).

De modo que tenemos una corriente neta
1
que puede fluir sin la aparicin de ningn voltaje entre dos conexiones de voltaje de un mismo lado,
es decir, en condiciones para las que se cumple la ecuacin R,.~ ~O.Sin embargo, R.~., que representa
el cociente del voltaje existente entre dos trayectorias de la corriente,
4,u.) le, dividido
por la corriente neta, da lugar a
h
siendo N, como dijimos, el nmero de estados al nivel de Fermi. Por consiguiente, esta ecuacin
lleva a la cuantizacin de la resistencia Hall.
As pues, este argumento establece que si el coeficiente de transmisin T~., est cuantizado
al valor N, y si el resto de coeficientes de transmisin son cero, obtenemos simultaneamente la
anulacin de la magnetorresistencia diagonal y la cuantizacin de la magnetorresistencia Hall. Este
tratamiento simultneo de ambas magnetorresistencias es la ventaja esencial del mtodo de
Landauer-Bttiker frente al de Laughlin. Sin embargo, su principal limitacin es no poder justificar la
existencia de la meseta Hall.
74
(4
(4
7. EXTENSIN DEL CLCULO TERICO A LAS PROPIEDADES

DE EQUILIBRIO DE UN GAS DE ELECTRONES CUASIBID1MENSIONAL
7.1. iNTRODUCCIN
La observacin del comportamiento oscilatorio de la susceptibilidad de un cristal
(4
(4
tridimensional de bismuto, que de Han y van Alphen realizaron en la dcada de los aos treinta, fue
la primera confirmacin experimental de la existencia del espectro energtico que Landau,
[Landau,30,1], haba predicho tericamente al estudiar el diamagnetismo de los electrones libres. Sin
embargo, transcurrieron bastantes aos antes de poder explicar el fenmeno desde un punto de vista
terico. Fu Onsager, [Onsager,52],quin primero comprendi su relacin con la geometra de la

superficie de Fermi del material. Inmediatamente despus Dingle, [Dingle,52,1], [Dingle,52,2],
efectu los primeros desarrollos cuantitativos basados en el clculo del potencial termodinniico de
un sistema electrnico en presencia de un campo magntico, aunque fueron Lifshitz y Kosevich
quienes en 1954 encontraron la expresin definitiva para la susceptibilidad magntica.oscilatoria. En
el libro de Shoenberg hay una excelente intoduccin histrica sobre el origen y desarrollo del efecto
de Han-van Alphen (dHvA), [Shoenberg,84].
La susceptibilidad magntica de un sistema electrnico en campos magnticos dbiles,
cuando todava no se han manifestado los efectos cunticos, no puede calcularse de forma general.
En la teora del liquido de Fermi se consideranicamemente los electrones de conduccin cerca de la
superficie de Fermi, de modo que slo puede obtenerse la parte paramagntica de la susceptibilidad
de los electrones prximos a dicha superficie energtica. En este caso paramagntico los espines de
los electrones de la zona interior de la distribucin se compensan entre s y no contribuyen. Sin
embargo, la parte diamagntica de la susceptibilidad contiene contribuciones de todos los electrones,
incluyendo los del interior de la distribucin, donde no puede utilizarse la teora del liquido de Fermi.
Las das partes de la susceptibilidad tienen en general el mismo orden de magnitud y nicamente tiene
significado fisico real su suma. De todos formas, nosotros no vamos a estar interesados en esta
(4
(4
(4
(4
(4
(4
(4
(4
susceptibilidad continua.
Supongamos ahora que los campos a los que se somete el sistema son elevados, lo que
implica que se cumplan las dos desigualdades siguientes
(4
(4
75
La primera quiere decir que la separacin entre niveles de Landau es mayor que la energa trmica, y
la segunda asegura el que estemos en rgimen cuntico. En estos casos, la situacin difiere de la
anterior en que la imanacin tiene una parte oscilatoria que depende del campo magntico aplicado y
est determinada nicamente por los electrones de conduccin cerca de la superficie de Fermi. Este
es el efecto de dHvA. Por supuesto, seguimos teniendo la parte continua de la imanacin de los
electrones.
7.2. EFECTO DE de HIAAS-van ALPHEN

En los apartados anteriores vimos que el campo magntico modifica, en los sistemas que
presentan EHC, la densidad de electrones del GE2D. La consecuencia inmediata de esta variacin es
la aparicin de una parte oscilatoria en la imanacin en correspondencia con la fluctuacin que se
produce en la densidad de electrones, [Ec.3].
As es, la relacin entre esta fluctuacin y la imanacin est mediada por el magnetn de
Bohr de la forma, [Shoenberg,84]:
h2n0,r
nCB
[lY.40]
donde, para obtener la segunda igualdad hemos usado la IjEc.I.3]. A partir de este momento
representaremos con el smbolo cWf la parte oscilatoria de la imanacin,
La [Ec.40] es vlida nicamente para sistemas termodinmicamente abiertos. En el caso de
sistemas cerrados, como ocurre en los S3D, la parte oscilatoria de la imancin se debe a la
fluctuacin del nivel de Fermi.
Si escribimos de forma explcita la fluctuacin de la densidad electrnica, [Ec.3J,llegamos a
la expresin general del efecto dHvA para un S2D, que vendr dada por
ehfl0vi
4.d5.pF.pT.p
,=iflP
~VI~YL~.9~
E,.
LV~Wc
2 -Li
[IV.41]
Desde un punto de vista experimental, la medida de la parte oscilatoria de la imanacin es un

problema todava abierto. En la bibliografla existen muy pocas referencias relacionadas con el tema y
la totalidad estn dedicadas a medidas efectuadas sobre multipozos cunticos, [Haavasoja,84J,
76
[Eisenstein,85,1], [Eisenstein,86,2],de las que no puede extraerse de forma simple la seal

procedente de cada uno de los S2D componentes.
En la [Fig.21]representamos esta parte oscilatoria de la imanacin, [Ec.41].
(4
LOO
.75
.50
.25
0.00
-.25
-.50
-.75
-1.00
0
10
12
CAMPO MAGNETICO (T)
Figura 21: Simulacin de la parte oscilatoria de la imanacin &Vi

para un S2D con no=J06mt Ep=35meV, T=L2K,, =2 y
=0.067mo.
(4
Dando la vuelta a la [Ec.40],y reagrupando trminos obtenemos la expresin
EF
que expresa la fluctuacin de la densidad de electrones como el cociente entre la fluctuacin de la

energa magntica por unidad de superficie del GE2D y la energa de Ferm.
Hay una forma alternativa, desde un punto de vista tennodinxnico, de deducir la parte
oscilatoria de la imanacin en la direccin
del campo magntico aplicado. Si conocemos el
potencial termodinmico, tenemos
donde <5.0 representa la parte oscilatoria de este potencial termodinmico. De igual forma, la
fluctuacin de la densidad de electrones est dada por la ecuacin
(4
(4
u
(4
~77
&=KJ
As pues, una vez tengamos la expresin del potencial termodinmico, podemos deducir
cualquier propiedad de equilibrio del sistema: imanacin, calor especfico, etc. Integrando la
ecuacin anterior a partir de la [Ec.3],nos queda la ecuacin
1
F JE,.1)1
e2B2
80 =
2mn
a 2
[IV.42]
co42zq~j--~
,4p
~r
rl~
que aparece representada a continuacin.

60
40
20
o?o
~-
Lo
a
-20
-40
-60
0
10
12
CAMPO MAGNETICO (T)
Figura 22: Simulacin de la parte oscilatoria del potencial

termodinmico, Sfl para un S2D en las mismas condiciones que la
[Fig.21].
La [Ec.42] representa nicamente la parte oscilatoria del potencial termnodinmico. Para obtener la
expresin completa del mismo habra que aadir el trmino correspondiente a campo magntico
nulo. Al estar interesados en la condiciones de EHC, esto supone temperaturas muy bajas, prximas
al cero absoluto, para las que el potencial termodinniico a campo nulo estar dado por la expresin,
[Huang,87],[Shoenberg,84J
g
04
2
n0E
Con lo que podremos expresar el potencial termodinmico de forma general como
78
12=0
<50
Para concluir este apartado correspondiente a las magnitudes de equilibrio es interesante
obtener la parte oscilatoria de la densidad de estados al nivel de Fermi del 52D a partir del potencial
termodinmico en condiciones de EHC. As, haciendo uso de la relacin termodinmica,
[Shoenberg,84]:
0280
obtendramos
g(E,.)
= ~7~XAs.pAr,p
co4x,.]
= 2g0~A5,A~,
u
(4
co4X,,]
7.3. CALOR ESPECFICO

Como ya hemos mencionado, una vez que disponemos de la parte oscilatoria del potencial
termodinmico, Sf~ podemos obtener cualquier propiedad termodinmica de equilibrio del sistema.
Hemos visto dos de ellas, la imanacin y la densidad de electrones, ahora deduciremos la expresin
para el calor especfico del GE2D que est dado por la relacin termodinmica, [iHuang,87],
[Callen,81]:
=
Para obtener el calor especfico s que es necesario considerar la dependencia trmica del potencial
termodinmico. Sin embargo, no podemos utilizar la expresin para el potencial a campo magntico
nulo, vlida slo a temperaturas muy prximas al cero absoluto, y habra que calcular la expresin
general del potencial 4 para una temperatura arbitraria. Iicialmente no analizaremos este problema,
bien establecido en la bibliografia, [Callen,8II, y estudiaremos nicamente la contribucin oscilatoria
del calor especfico debida a los efectos cunticos. De modo que extendiendo la ecuacin anterior
(4
(4
(4
nicamente a la parte oscilatoria llegamos a la expresin
Al efectuar estas derivadas, hay que tener muy presente que el trmico
Ar.~,,
es un trmino
aproximado en el sentido que comentbamos en el [Apartado2]. Por otro lado, en todo momento
(4
(4
u
j
,,
79
haremos uso por simplicidad del nivel de Fermi en el cero absoluto en lugar del potencial qumico,
aproximacin vlida a muy bajas temperaturas.
As, derivando cada uno de los trminos del desarrollo nos queda la siguiente ecuacin para
el trmino p-simo del calor especfico
0 d2AT., &2
4, ti T
Sc,,
donde <50,, corresponde al trmino p-simo del desarrollo del potencial termodinmico, IjEc.42].
Desarrollando la derivada del trmino de temperatura obtenemos
coshz
F+(coshz)211 <50
JJ
Sc,, =
2
1
12z senhz
(senhz)
Con lo que la frmula general para la parte oscilatoria del calor especfico quedara
e2B2
1
coshz
FI+(coshzP ~l r,cos[x,.]
Xrl2z
bu
3mTri p
seniL (senhz~ j<A5~A
2ur
donde u viene dada por la [Ec.5J y A,. por la [Ec.9]. An puede simplificarse ms utilizando la
[Ec.4]:
e2B2
E
3mTrip
2~
= 2x
~,
4, (2
coshz
4., [1+ cosh2 zI} cO4XFI
[IV.44]
Si asimilamos el potencial qumico por el nivel de Fermi, podemos aadir a la fluctuacin del
calor especfico el correspondiente a un gas de fermiones cuasi-bidimensional a campo magntico

nulo dado por la relacin, [Ziman,69]
>9 k2 Tg
[IV.45]
donde g0 es la densidad de estados a campo cero dado por la [Ec.I.1], [Apndice1].

De modo que la expresin ms general para el calor especfico de un S2D en funcin del
campo magntico puede escribirse de forma compacta como
=c +
Sc,
Se han intentado utilizar las medidas de calor especfico para obtener informacin sobre la
densidad de estados del 52D, [Zawadzki,84],[Gornik,85,1],[Wang,S8,1], [Wang,92,2]. Sin
embargo, todas las medidas se efectuaron sobre multipozos cunticos. El problema en la medida del
80
calor especfico, como ocurre en el caso de la imanacin, es la imposibilidad de obtener la seal

correspondiente a un S2D al proceder sta de todo el sistema semiconductor.
7.4. MAGNETOCAPACIDAD
Ultimamente se ha generado bastante bibliografla de medidas sobre magnetocapacidad
diferencial, [Goodall,85],[Smith,S5,1],[Smith,86,2],[Takaoka,94,2],que al ser una propiedad de
equilibrio permite hacer una medida directa de la estructura de niveles de Landau.
Estas medidas de magnetocapacidad pueden efectuarse nicamente sobre heteroestrucutras
semiconductoras que posean puerta y estn determinadas, como veremos ms adelante, por la
u
U
u
(4
(4
(4
(4
superficie de la misma.
Es inmediato extender nuestro modelo terico para obtener tericamente esta magnitud. Asi,
en general, la magnetocapacidad de un 5213 puede definirse como
1
1
1
[IV.46j
donde con el trmino
~0
representamos la capacidad a campo magntico nulo del S2D, que puede
escribirse de la forma
e
C=1S
[IV.47]
es la distancia media de los electrones en el pozo cuntico, e la permitividad del medio
semiconductor en el que se encuentra el GE2D y 5 el rea de la puerta. Por otro lado, con el
(4
u
(4
(4
(4
segundo trmino de la [Ec.47]tendremos en consideracin el efecto de la variacin de la capacidad

con el campo magntico, que podemos expresar a travs de la ecuacin
~dQ
[IV.48]
donde con dQ representaremos la variacin en la carga total de cada uno de los electrodos del
condensador efectivo y con dV la correspondiente variacin de potencial. La densidad de carga la
expresaremos mediante la relacin
Q=en(B)
siendo n(B> la densidad de portadores a un campo magntico dado. Empleando ahora una
aproximacin variacional que ignore efectos de imagen, efectos de muchos cuerpos, la penetracin
de la funcin de onda en la barrera y los efectos de no parabolicidad de la estructura de bandas,
(4
(4
u
(4
(4
81
podremos escribir el potencial en funcin del nivel de Fermi de la forma, [Moloney,85],[Smith,85,1],

[Mosser,86]:
E,. E0
e
siendo E0la energa de la subbanda, [Parte 1]. El trmino de la magnetocapacidad &I~ estar entonces
dado por
da
fE,.
Desarrollando la derivada, es inmediato llegar a la expresin

di
2eBw
= g0 +~2XAs,Arp
hO> rl
co4x,.J
que tras reagrupar trminos queda

01
-f-=g
+~-2ZA5A~
cos[X,.j
E,. r~P~F
= g1y1+2~A5A~
~.P.P
1]
cos[Xj?~
Fj
es decir
Por tanto, el trmino adicional, [Ec.48]es
SC=e2g(E,.)
[15/.49]
Y as, la magnetocapacidad del S2D puede expresarse de manera general por la ecuacin
Sa2g(E,.)
[IV.50]
e2d0g(E,.)+e
En la [Fig.23] representamos esta magnetocapacidad en funcin del campo magntico. Se puede

comprobar que su comportamiento general coincide perfectamente con las medidas existentes en la
bibliografla, [Goodall,85],[Smith,85,1], [Smith,86,2],
Recientemente, Takaoka et al., [Takaoka,94,2], han realizado un estupendo estudio
experimental del comportamineto de la magnetocapacidad sobre muestras similares pero con
diferente superficie de puerta, 5. Variando la superficie en la [Ec.50] hemos conseguido simular
completamente sus resultados, [Fig.24]
82
180
160
140
120
100
~80
60
40
20
0
10
CAMPO MAGNTICO (T)

Figura 23: Simulacin de la magnetocapacidad para un 521) con
u
u
(4
u
(4
(4
(4
u
(4
(4
(4
(4
0, do=104m, S=1.4x1&m, el resto de condiciones son

c=J.088x117
las mismas que las correspondientes a la [Fig.21jJ.
250
200
150
os
(4
(4
(4
100
50
0
0
10
CAMPO MAGNTICO (T)
Figura 24: Comparacin de la magnetocapacidad para un S2D con

diferentes superficies de puerta. e=J.088x10t d
8m, S=J.4x1
vn?, el resto de condiciones son las mismas que las0=J<Y
correspondientes a
la [Fig.21]. (a)S=t77m2, (b) S=J.SxJm2, (c) S=2x107m2.
12
(4
(4
u
(4
3
83
Como conclusin de este apartado presentamos la simulacin en las mismas condiciones de

las curvas de la magnetocapacidad y la magnetorresistencia Hall. Se observa la coincidencia de las
mesetas Hall con los mnimos de la magnetocapacidad debido a la depedencia de esta ltima con la
densidad de estados.
.30
160
.25
120
e.
-
.20
.15
so
.10
40
.05
0.00
0
0
10
CAMPO MAGNTICO (T)
Figura 25: Comparacin de la magnetocapacidad de un S2D con la

correspondiente magnetorresistencia Hall. rl. 088x1<Y<% d0=J(Y8m,
S=J.4x1<Pm, el resto de condiciones son las mismas que las
indicadas en la [Fig.21].
12
a
a
a
a
a
a
a
a
a
a
a
a
a
4
ml
a
.1
a
J
a
A
y
TCNICA EXPERIMENTAL
Para llevar a cabo medidas de magnetorresistencia, tanto Hall como diagonal, se necesita,
adems de bajas temperaturas y la posibilidad de variar en un amplio rango el campo magntico, una
intensidad de corriente constante que permita, a partir de la medida de la caida de tensin en
diferentes puntos de la muestra, la determinacin precisa de cada una de las componentes de la
magnetorresistencia transversa. En la [Fig.26]damos un esquema de todos los elementos necesarios,
que pasaremos a describir a continuacin,
Muestra
Sabina
Supercanductora
Figura 26: Montaje experimental utilizado en las medidas de EHC
dnde detallamos cada uno de los instrumentos necesarios (vase
textoR.T.:Regulador de temperatura, F.LFuente de intensida4
V: Voltmetro, E. T. :Fuente de tensin.
Tcnica experimental
1. DESCRIPCIN DE LA INSTRUMENTACIN
1.1. DESCRIPCIN DEL CRIOSTATO
u
u
u
u
En nuestras experiencias hemos utilizado un criostato comercial OXFORD compuesto de

dos recintos intermedios que separan el contracriostato del exterior, [Fig.27J,lugar donde se aloja el
portamuestras. La misin de estos dos recintos es la de procurar un aislamiento trmico con el
exterior lo ms perfecto posible. Con este motivo, entre los dos se hace vaco con la ayuda de dos
bombas, una rotatoria y otra turbomolecular. El recinto exterior se rellena y mantiene durante toda la
experiencia con nitrgeno lquido y el interior con helio lquido. Este est, a su vez, conectado a
travs de una vlvula de paso con el contracriostato, lo que permite enfriar rpidamente la muestra a
4.2K o incluso, como hemos hecho en numerosas ocasiones, a 1.2K, la temperatura del helio lquido
bombeado.
1.2. GENERACIN DEL CAMPO MAGNTICO

En la parte inferior del recinto interior del criostato va instalada una bobina
(4
(4
(4
superconductora que permite alcanzar campos magnticos de hasta 11 Teslas, [Fig.27]. Est
constituida por un conjunto de dos solenoides concntricos, el exterior de una aleacin de Nb/Ti que
mantiene su resistencia elctrica nula aun en presencia de altos campos magnticos, y el interior de
Nb3Sn, que posee un mayor valor de campo crtico aunque tiene el inconveniente de ser una aleacin
menos dctil que la primera. Con el fin de conseguir la estabilizacin trmica, los hilos estn
provistos de un recubrimiento de cobre.
Una fuente de corriente estabilizada proporciona a la bobina la intensidad requerida para
alcanzar un determinado valor del campo magntico, cuya relacin caracterstica es 0.1 24T/A. As,
por ejemplo, para obtener 12T es necesaria una intensidad de 96.76A. El voltaje en sus terminales es
lo suficientemente grande para vencer la autoinduccin del solenoide, L=26.13H, En paralelo con los
dos extremos de la bobina superconductora se dispone de un filamento superconductor asociado a
una resistencia de hasta lm.A, suficiente para provocar la transicin del filamento al estado normal,
actuando as a modo de interruptor.
La forma de proceder es la siguiente: Se introduce en los dos recintos del criostato
nitrgeno lquido hasta conseguir que la bobina alcance una temperatura de 77K. Una vez alcanzado
(4
(4
(4
(4
(4
u
Tcnica experimental
87
La forma de proceder es la siguiente: Se introduce en los dos recintos del criostato

nitrgeno liquido hasta conseguir que la bobina alcance una temperatura de 77K. Una vez alcanzado
este punto, se extrae completamente el nitrgeno del recinto interior y comienza la operacin ms
delicada, el llenado de este mismo recinto con helio lquido. Con esta operacin conseguimos la
transicin superconductora de la bobina. La fase siguiente comienza con la insercin de la caa del
criostato, donde se dispone la muestra con sus contactos hechos. Es entonces el momento de aplicar
el campo magntico; calentando el filamento queda en estado normal y toda la potencia suministrada
por la fuente se invierte en variar la intensidad que circula por el solenoide superconductor,
permitindonos efectuar el barrido en campo magntico.
Sin embargo, para el estudio del EHC y SdH en tensin de puerta fijamos el valor del
campo magntico. As es, una vez alcanzada la intensidad necesaria, se deja enfriar el filamento
cerrando, de este modo, el circuito superconductor.
En la figura siguiente se hace un esquema simplificado del sistema de generacin de campo
magntico y criogenia, en donde se detalla cada elemento.
Helio Liquido
Nitr6geno Liquido
Contmacriastata
Vacio
Sabina
Superconductara
Figura 27: Esquema del sistema experimental de criogenia

generacin del campo magntico.
de
Tcnica experimental
88
1.3. ELECTRNICA DE MEDIDA

1.3.1. FUENTE DE INTENSIDAD
Su funcin es la de fijar el valor de la corriente elctrica que circula por el S2D. Para ello
utilizamos una fuente continua de intensidad Keithley modelo 220, (vase la [Fig.26]), cuyo rango
de intensidades est entre mA y lOOmA, con una estabilidad del orden de 10~3pA. No obstante, con
todas las heteroestructuras estudiadas hemos trabajado a una intensidad de lOpA.
1.3.2. VOLTMETRO
Con el voltimetro medimos la cada de tensin que se produce entre los diferentes puntos de
la muestra en los que se disponen los contactos (vase la [Fig.28]).
Nosotros hemos empleado un voltmetro Solartron 7081 con precisin de 109V, que en
ninguna de nuestras muestras ha limitado la precisin en la medida de las mesetas de efecto Hall.
1.3.3. FUENTE DE TENSIN

Todas las muestras que estudiamos disponen de puerta, [Parte 1]. Como ya hemos
u
(4
(4
(4
u
(4
(4
u
u
(4
(4
(4
(4
comentado, sta nos ofrece una forma alternativa de analizar el EHC y las oscilaciones 5dM ya que
aplicando una tensin de puerta sobre la heteroestructura variamos la densidad de electrones del
GE2D, lo que permite explorar la densidad de estados fijada a un determinado campo magntico a
medida que provocamos un llenado o vaciado de los niveles de Landau.
Con idea de conseguir esta tensin de puerta utilizamos una mente de tensin Keithley
modelo 230 con IEEE que proporciona tensiones estables en un amplio intervalo entre lOOmV y
100V, [Fig.26].
El rango en el que se puede variar la tensin est completamente determinado por el diseo
particular de la heteroestructura, [Parte VI]. As, por ejemplo, en nuestro caso disponiamos de up
reducido margen entre -1.2V y 1V, aunque suficiente para observar los efectos cunticos,
[Susana,95],[Gilprez,94J,[ParteVI].
(4
(4
(4
(4
u
3
Tcnica experimental
89
reducido margen entre -1.2V y 1V, aunque suficiente para observar los efectos cunticos,
[Susana,95],[Gilprez,94],[ParteVii].
1.3.4. REGULACIN DE TEMPERATURA

La temperatura en todas las experiencias ha sido controlada con un regulador ITC4 de
OXFORD con sistema manual de PID (proporcional, integral y derivado) de regulacin. Se procede
del siguiente modo: Programamos la temperatura a la que queremos llevar la muestra, una rampa de
acceso a esta temperatura y un tiempo de estabilizacin en la misma. Para realizar la rampa en
temperatura, el regulador dispone de un calentador que tomando como referencia la temperatura del
helio lquido se encarga de arrastrar el sistema a la temperatura final y mantenerla durante el tiempo
programado.
2. CONFIGURACIONES DE LOS CONTACTOS EN UNA MEDIDA

DE EFECTO HALL Y MAGNETORRESISTENCIA DIAGONAL
Es importante precisar un poco el tipo de posibles configuraciones de los contactos en las
medidas de magnetorresistencia diagonal y Hall. En la [Fig.28]hacemos un esquema de las ms
habituales.
El disco de Corbino, jjjFig.28(a)~, es la nica geometra con la que puede obtenerse
directamente la magnetoconductividad diagonal, o~, aunque, resulta imposible medir la

magnetoconductividad Hall. Sin embargo, la barra Hall, [Fig.28(b)],permite medir simultaneaniente
tanto la magnetorresistividad Hall, p,~ como la diagonal, p.
Salvo para la condicin de EHC,
a.=0,
la medida combinada de ambas
magnetorresistividades no da en la inversin los valores correctos de las correspondientes

magnetoconductividades, [Wakabayashi,78,l],[Wakabayashi,80,2],[Parte II]. Unicamente la barra
Hall es la que proporciona los valores correctos de estas ltimas en todo el rango del tensor de
magnetoconductividad, [Wick,54].
Tcnica experimental
90
Un tema abierto en la actualidad es el de las medidas no locales de la magnetorresistencia

diagonal, que implica una disposicin para los contactos de la forma que se indica en la [Fig.28(c)J,
[McEuen,90],[Tsukagoshi,91], [Takaoka,92,1].
1
y4
[a)
1<
u
(4
(4
u
u
u
(4
(hJ
1-
It
[c)
Figura 28: Posibles diseos de muestras para las experiencias de

EHC y SdbI (vase texto). (a)Disco de Corbino, (b)Barra Hall,
(c)Bana Hall con disposicin asimtrica de los contactos.r e 1 son
los contactos para la intensidact V~ y V para el voltaje y It y IT
para el voltaje Hall
u
(4
u
(4
u
(4
u
(4
(4
u
(4
u
(4
VI
DESCRIPCION DE LOS RESULTADOS
EXPERIMENTALES
Esta parte la dedicaremos a la presentacin de los resultados experimentales de

magnetorresistencia diagonal (R~< ) y Hall (Rq), obtenidos ntegramente en nuestro laboratorio. Estas
medidas han podido llevarse a cabo gracias a las muestras que nos proporcion el Departamento de
Ingeniera Electrnica de la E.T.S.I. de Telecomunicacin de la Universidad Politcnica de Madrid.
1. CARACTERSTICAS DE LAS MUESTRAS MEDiDAS

Las muestras son pozos cunticos de heteroestructuras semiconductoras de In~Ga,.,As. con
dopaje de tipo 6, [Parte1), y geometra en forma de barra Hall> [Apartado3] de la [Parte VI,
[Gilprez,94],[Susana,95].
Hemos dispuesto de tres series, todas ellas con puerta, y que se diferenciaban en la
concentracin de indio (x). Destacaremos cada una de ellas simplemente con los nmeros 1 (x0. 15), 2
(x=0.15) y 3 (x=0.2).
En la [Fig.29]se presenta un esquema del diagrama de bandas y la composicin de nuestras
heteroestructuras en la direccin; la de aplicacin del campo magntico.
Por otro lado, en la tabla 1 se detallan las caractersticas bsicas completas de cada una de ellas.
En la primera columna se indica la tensin de puerta aplicada sobre la heteroestructura, de manera que
con tensiones negativas (positivas) se reduce (aumenta) la densidad de electrones del GE2D.
92
Descripcin de los resultados
MUESTRA V5 (V)
1
-0.3
1
1
2
3
3
3
0
+0.15
0
0
+0.5
+0.8
T1.2
(K)
Ro903
(O)
4.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
588
586
2207
539
477
488
6mj ,u (cm2/Y~s)
n (10
1.045
23150
1.525
1.635
0.735
1.728
1.915
1.98
24400
22800
13500
23100
23400
23300
Tabla 1: Caracteristicas bsicas de las muestras analizadas y condiciones

en las que se han medido. Las muestras y 2 son pozos cunticos de
Al
0.,/3a0~ ,6AsIIn0~,,Gao85As, mientras que la 3 corresponde a uno de
A10.30a0.7As/Ino.20a0.sAs.
Al~Ga,.~As
Capa de inversin
In~Gau,As
Puerta
Dopaje 5 (Si)
Figura 29: Esquema global de la estructura de bandas y composicin de
las heteroesructuras medidas. Lo localizacin del dopaje 5 se indica
sobre elpropio dibujo.
Para obtener la masa efectiva, habitualmente, se efectan medidas de resonancia ciclotrn,

[Liu,88].No obstante, la bibliografia sobre el tema no es excesivamente abundante en relacin a pozos
u
u
(4
u
(4
u
(4
u
u
u
u
u
(4
u
u
u
u
u
u
(4
J
93
cunticos, aunque s respecto al material semiconductor en volumen. Se ha intentado un mtodo

alternativo, aunque aproximado e indirecto, que consiste en cuantificar la variacin de la amplitud de las
oscilaciones en la magnetorresistencia diagonal en funcin de la temperatura, [Lo,91,1]. Sin embargo, en
ltimo trmino sto exige disponer de un modelo con el que poder tratar el comportamiento de esta
amplitud con T.
Para el material en volumen correspondiente a nuestros pozas cunticas, la masa efectiva en el
semiconductor en volumen est dada por la ecuacin
= (0.067
0.044x)m0
[Vil]
donde x representa, como antes, la concentracin de Indio.

En su deteminacin terica, se han hecho algunos intentos partiendo de la aproximacin
triangular, [Ando,82,1],[Ando,82,2],[Parte1], que incluye la dependencia de la masa efectiva con la
no parabolicidad de la banda de conduccin. Su resultado fundamental puede resumirse en la expresin
siguiente para la masa efectiva al nivel de Fermi
siendo 4 el gap del InxGa,...4s en volumen, Lo la energia de la subbanda y E1el nivel de Fernii.
Sin embargo, con los ajustes efectuados a bajo campo atravs de nuestro modelo terico, hemos
comprobado que la masas efectivas del GE2D se ajustan muy bien a sus valores en volumen, obtenidos a
partir de la [Ec.1],y no ha sido necesario considerar efectos de no parabolicidad de la banda. As
encontramos que las masas efectivas para las muestras J y 2 poseen un valor de 0.0604m0 y para la 3 de
0.0582.
2. MAGNETORRESISTENCL&S R~ Y R>,, EN FUNCIN DE B

Las medidas experimentales bsicas han sido la determinacin de la magnetorresistencia Hall,
R,.,,,, y la diagonal, R~, ambas en funcin del campo magntico. En las tres figuras siguientes mostramos
resultados tpicos correspondientes a las muestras: 1 (V8=-fO. 15V), 1 (Vg-0.3V) y 2(V80V). Estas tres
medidas se han efectuado en las mismas condiciones de 1.2K de temperatura y lOpA de intensidad de
corriente. Podemos comprobar en la [TablaII que la [Fig.30(a)] corresponde a la muestra con mayor
densidad electrnica, I(V5+0.15V); y la [Fig.30(c)]a la de menor densidad electrnica, 2(V5=OV). El
valor en la muestra 1(V8=-0.3V) es intermedio, [Fig.30(b)];.
94
.20
.16
.12
-~
e
M
.08
u
u
u
(4
u
(4
(4
.04
0.00
.25
.20
e.u
~.
u
(4
(4
(4
.15
.10
.05
0.00
u
.4
.~
-;
~.
(4
u
u
.3
.2
.1
0.0
0
a
2
CAMPO MAGNTICO (1)
Figura 30: Medidas de magnetorresistencia Hall y SC!!! en .Ancin del

campo magntico correspondientes a muestras
concentracin de electrones (a>6 63SxO6m~2
(c)735x106n12
con djferente
045x106 .2
m
10
u
(4
(4
u
u
(4
u
u
95
En la figura anterior podemos observar la aparicin de las mesetas Hall caractersticas del EHCE
a valores enteros de un de la unidad fundamental de resistencia, la constante de Kliizing Rx=We2. Como
ya comentbamos en la [ParteIV] en relacin a la ausencia de ruptura de la degeneracin de espn de
cada nivel de Landau en sistemas electrnicos de movilidad baja y media (vase la [Tabla1]), en nuestros
experimentos, aparecen nicamente los valores correspondientes a pares.

Por otro lado, representando conjuntamente ambas magnetarresistencias, destaca la coincidencia
entre las mesetas Hall y los minimos, eventualmente ceros, de la magnetorresistencia diagonal, R~.
3. DETERM1NACIN DEL NMERO DE PORTADORES

Una vez obtenidas las curvas experimentales de ambas magnetorresistencias en funcin del
campo magntico, la primera informacin que puede extraerse es la densidad de electrones del GEfl).
Hay dos formas diferentes: apartir de la pendiente Hall a bajo campo magntica, o a travs del anlisis de
Fourier de las oscilaciones de la magnetorresistencia diagonal.
Analicemos cada uno de estos mtodos.
3.1. PENDIENTE HALL

La pendiente Hall a bajo campo magntico pennite obtener la densidad de electrones total a
travs de su expresin semiclsica
1
en<
siendo n
6 la densidad total de electrones en el GE2D y R,, la pendiente Hall.
3.2. TRANSFORMADA DE FOURIER

Siempre que tengamos una sefial peridica es posible efectuar un anlisis de Fourier que nos
proporcione la frecuencia fundamental. Como vimos en la [ParteIII] y en la [ParteIV], la densidad de
estados y, en consecuencia, todas las magnitudes fisicas presentan periodicidad en lIB. En nuestro caso,
96
analizando la frecuencia correspondiente a las oscilaciones de la magnetorresistencia diagonal, hemos
(4
(4
obtenido la densidad de electrones del GE2D, como describimos a continuacin.

Recordando la expresin general de los niveles de Landau, para un nivel de Ferm fijo en su
valor acampo magntico nulo, tenemos

E,
nh
hw<,
2eB
donde n es el ndice del correspondiente nivel de Landau.
Teniendo en consideracin que el nivel de Fermi permanece fijo, [ParteIV], la separacin entre
dos niveles de Landau consecutivos en funcin del campo magntico estar dado por la ecuacin
;.h(ilJ
u
u
de donde deducimos la siguiente relacin para la densidad de electrones

2eF
2e1 B1B2
h~B
1B2) h
n~=
(4
(4
siendo Fa frecuenciapropia de las oscilaciones.
Para efectuar el anlisis de Fourier y obtener F de las curvas de niagnetorresistencia hemos

utilizado el programa comercial Tablecurve. Una vez obtenida, es inmediato~ calcular la densidad de
electrones a travs de la ecuacin anterior.
4. Ra Y Rxy EN FUNCIN DE Vg A VARIOS B

El efecto de variar la tensin en un dispositivo HEMT con puerta o en un MC)SFET es variar la
densidad de electrones del GE2D, lo que nos oftece un enfoque diferente para abordar el EHC y el SdH.
En la [Fig.31] presentamos los resultados obtenidos sobre la muestra 1 a varios campos

magnticos, B6.3, 7.9 y l0.5T. En la curva de magnetorresistencia diagonal se definen cada vez mejor
las oscilaciones correpondientes a cada nivel de Landau a medida que aumentamos el campo aplicado. De
forma simultnea, en el efecto Hall las mesetas Hall aparecen con ms claridad.
u
u
u
(4
(4
(4
u
u
u
(4
97
.4
.3
ea
.2
~4
M
.1
0.0
.5
.4
e.u
.~
.3
.2
.1
0.0
.5
.4
e.
.c
.3
.2
.1
0.0
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
V,(V)
Figura 31: Medidas de magnetorresistencia Hally SdH enfincin de la

tensin de puerta para djferentes campos magnticos. (a)6.3T, (b)7.9T,
(a)O.ST
98
5. & Y Rxy EN FUNCIN DE VgA VARIAS TEMPERATURAS

Uno de los puntos ms controvertidos desde la aparicin del EHC ha sido el del papel que
juegan los estados localizados y extendidos de cada nivel de Landau. La forma experimental ms directa
de discriminar entre un tipo y otro es a partir de la diferencia de comportamiento de cada uno de los con
la temperatura
En la [Fig.32]resumimos nuestras medidas para ambas magnetorresistencias en funcin de la
tensin de puerta a las temperaturas T1.2, 4.2, 6.1, 10.6 y 15K. De estas curvas es importante destacar
el desplazamiento hacia la izquierda que experimentan los mximos de las oscilaciones SdH a medida que
(4
(4
(4
(4
(4
aumentamos la temperatura Sus implicaciones fisicas las discutiremos en la [ParteVII].

.5
e.
~
.4
(4
.3
(4
(4
u
.2
.1
0.0
-.6
-.5
-.4
-.3
-.2
0.0
0.0
.1
Vg(V)
Figura 32: Medidas de magnetorresistencia Hall y ScIH enfrncin de a
tensin de puerta a vahos temperaturas: T=1. 2K, 4.2K, 61K, 10.6K, 15K
(4
(4
(4
u
u
u
(4
99
6. & Y R>q EN FUNCIN DE B A VARIAS TEMPERATURAS

La [Fig.33(a)] representa el comportamiento de la magnetorresistencia diagonal a diferentes
temperaturas, en la que nuevamente se pone de manifiesto el progresivo desplazamiento con la misma de
los mximos de las oscilaciones, en este caso hacia campos elevados. En la [Fig.33(b)Japarece un detalle
de la desaparicin de las mesetas Hall a medida que aumenta la temperatura
.16
.12
4
.08
M
M
.04
0.00
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
CAMPO MAGNTICO (T)__

.14
.13
.12
e.u
.10
.09
.08
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
CAMPO MAGNETICO (1)

Figura 33: Medidas de magnetorresistencia Hall y SC!!! en funcin del
campo magntico a las temperaturas T=1.2K, 4.2K 7K 20K y 28K
8.0
u
III
.1
J
u
u
a
a
u
u
u
u
VII
ANLISIS DE LOS RESULTADOS
EXPERIMENTALES CON EL MODELO TERICO
Esta Parte, junto con la [Parte IV], constituye la parte fUndamental de la memoria. Por un
lado, destacaremos las caractersticas fundamentales de los diferentes experimentos que hemos
realizado sobre el EHCE, y que esbozamos en la [ParteVI]; por otro, compararemos los resultados
experimentales con los generados por nuestro modelo terico, lo que nos permitir extraer
consecuencias importantes en relacin al fenmeno y encontrar los limites del modelo.
Antes de comenzar con el anlisis de los datos experimentales abordaremos el problema del
transporte en las regiones de campo magntico que corresponden a una meseta Hall.
Para efectuar las medidas de EHCE es necesario, como ya comentbamos en la [Parte VI,
disponer de una fuente continua de intensidad que pennita fijar el valor de la intensidad de corriente
que circula por la muestra, 4, durante todo el experimento. De modo que la ley de Ohm puede
expresarse por la conocida relacin
a
siendo el trmino 1/a el factor geomtrico de la muestra, [Fig.4J.Supongamos ahora un GE2D de
alta movilidad. Si nos centramos en una regin de campo magntico para el que la
magnetorresistencia diagonal llega a hacerse cero sto implica, como se deduce de la [Ec.1], que la
cada de tensin entre los contactos situados a lo largo de la dimensin x se hace idnticamente cero.
Anlisis de los resultados
102
Recordando la [Ec.II.7J,vemos que el comportamiento de la magnetorresistencia diagonal es el

mismo que la correspondiente magnetoconductividad. As, si hacemos uso de estas condiciones en la
[Ec.ll.5], nos queda
=-a,E
[VII.2]
J=o
Busquemos las consecuencias que se pueden deducir de estas nuevas relaciones. El calor de Joule
que se desprende en el cristal al paso de la corriente est dado por, [Davdov,S1]:
[VII.3]
QJE
que depende nicamente de la resistividad del cristal sin campo magntico. Efectivamente,
sustituyendo las ecuaciones generales para la densidad de corriente en funcin de las componentes
4
4
4
4
del campo elctrico y debido a la relacin de Onsager [Ec.ll.3],[Caflen,81], podemos expresar esta
energa disipada como
Q=
<sr +E2) = a~ItI2
En el caso que nos interesa, al atravesar una meseta Hall, vemo que
[VII.4]
IX =
<2
y adems, a,
O,
de donde es inmediato deducir la relacin

es decir, que no se produce disipacin de energa en el S2D, lo que parece indicar un efecto
superconductor en el GE2D. Este es uno de los fenmenos asociados al EHC que ms han llamado
la atencin desde su aparicin, [Klitzing,86,4],[Riess,93].
Nosotros vamos a dar una interpretacin algo diferente, basada en un anlisis directo de la
[Ec.2].Hay que tener muy presente que durante toda experiencia de EHC la intensidad de corriente
mantiene en todo momento su valor fijado inicialmente. En la [ParteII], vimos que la consecuencia
fUndamental de la presencia de! campo magntico sobre las propiedades de transporte se resume en
la aparicin de una velocidad de deriva. Particularizando para la regin de la meseta Hall, tenemos
vn =
tXA
E,~
= fi
donde ~t es el vector unitario en la direccin x del sistema. De forma que la expresin para el
mdulo vendr dada por la ecuacin
= B
103
Llevando este resultado a la [Ec.3]y operando, la energa disipada en el sistema es nula, es decir, no
hay variacin neta de energa en el S2D. Sin embargo, del hecho de que la magnetoconductividad
diagonal tienda a cero no significa que no pueda pasar coniente. La idea implcita en la [Ec.II.5]es
la siguiente: Una berza electromotriz en la direccin x est asociada con una corriente Hall en la
direccin y. A su vez, la berza electromotriz necesaria para anular esta corriente da lugar a una
corriente Hall en la direccin x, que es precisamente la densidad de corriente que se observa al
atravesar una meseta, segn se deduce directamente de la [Ec.2].
En estas condiciones podemos concluir que el trabajo sobre los electrones lo efecta el
potencial Hall. Luego, no hay ningn efecto superconductor sino que el acoplamiento entre las dos
componentes de la densidad de corriente y los campos elctricos de transporte hace que la tensin
Hall acte como fUente de intensidad al atravesar una meseta.
Por otro lado, cuando un nivel de Landau pasa por el nivel de Femii, se produce una
disipacin de energa en el S2D. As es, en este caso la velocidad de deriva a un campo magntico
dado tiene la expresin
y-.
VD~U
x-.
+U
BXBY
con componentes x e y. Entonces, utilizando nuevamente el teorema de Poynting, nos quedara la

ecuacin
2S
=p0~JjS
di ~ E
donde 8 representa el rea del S2D. En este caso tenemos efecto Joule, por lo que para mantener la
densidad de corriente necesitamos una fUente externa que realice trabajo sobre los electrones.
Comenzaremos lo que es propiamente esta Parte de comparacin de nuestros datos
experimentales con el modelo con el anlisis detallado de las curvas que presentamos en la [Parte
VI]. De la [Fig.30],donde mostramos la magnetorresistencia de tres muestras con diferente nmero
de portadores en Uncin del campo magntico, tenemos que destacar la asimetra de las oscilaciones
a campo alto. Comparando a simple vista estas figuras y teniendo en consideracin sus respectivas
densidades de electrones, puede pensarse que la cola de cada oscilacin SdH es ms prolongada a
medida que disminuye la densidad. Sin embargo, lo que es significativo es contrastar oscilaciones
correspondientes al mismo indice de Landau. En la figura que viene a continuacin representamos la
oscilacin para el ndice de Landau
ini
de las muestras 1 (V
8z~~O.3V) y 2 de la [Fig.30]. Como
104
vemos, a pesar de las diferentes caractersticas de ambas muestras, (Tabla 1), la asimetra de la
oscilacin es similar.
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
.20
.15
e4
2~
5.0
5.5
6.0
lE:
6.5
7.0
7.5
CAMPO MAGNTICO (T)
Figura 34: Oscilacin correspondiente al nivel de Landau de indice

n=J para las muestras 1 (Vg=-O.3V)y2 (Labial).
La primera intencin que podemos tener es asociar esta asimetra a la forma de la densidad de
estados, en particular, en el comportamiento del ancho de los niveles de Landau, F con el campo
magntico. Sin embargo, si realizamos medidas de magnetorresistencia diagonal (Ra) en fbncin de
la intensidad de corriente que pasa por la muestra, IjHaug,87,2], [Nachtwei,93,ljj,[jNachtwei,94,2J, ~
[Fig.35], o en las geometras Corbino, de magnetoconductividad digonal (aa) en Uncin de la
tensin aplicada, ([Apartado 2] de la [Parte5]), [Haug,87,2],observamos un comportamiento que

excluye la posibilidad de relacionar de forma directa la asimetra de las oscilaciones con la
correspondiente a los niveles de Landau.
Al contrario de lo que ocurra con la componente Hall de la magnetoconductividad, que
dependa nicamente a alto campo magntico de la forma de la densidad de estados, tanto la
magnetoconductividad diagonal como ambas magnetorresistencias dependen de la forma de cada
nivel de Landau pero tambin del tiempo de vida del electrn en un determinado estado energtico,
tiempo de vida que est relacionado directamente con el carcter localizado o extendido de los
estados. Este es entonces el nico parmetro que puede explicar curvas como la que presentamos en
la [Fig.35]tomada de la bibliografia.
1
S
4
4
4
4
4
4
105
Pxx
<Q) 300
o0
1.2
4
8(1)
Figura 35: Medidas de R~ en funcin k la intensidad de corriente

que pasa por a muestra, [Haug,87,2]. La lnea continua corresponde
a l=J&A, la de trazos a 1=1(1 6A y lapunteada a I=J5A.
En la figura anterior observamos que la regin ms asimtrica de cada oscilacin es la ms

afectada por el aumento de intensidad o de voltaje aplicado, [Haugb,87,2],lo que es una
manifestacin del carcter localizado de los estados en esa zona.
La discriminacin entre estados localizados y extendidos es uno de los puntos ms
controvertidos del EHC y SdH, [Laughlin,81,1],[Smrcka,86,2],[Isihara,86,3],[Pruisken,87,1],
[Raikh,93,1].Acabamos de comprobar que los estados de las colas de cada nivel corresponden a
estados localizados. Una forma alternativa de llegar a esta misma conclusin es a travs del anlisis
de los efectos trmicos. La temperatura, al ser un concepto estadstico no se refleja en la densidad de
estados, sin embargo, s afecta al tiempo de vida del electrn en un estado determinado. En la
[Fig.32] y la [Fig.33] describimos un comportamiento tpico de ambas magnetorresistencias en
fUncin de la tensin de puerta y del campo magntico a varias temperaturas. Hay que destacar el
desplazamiento sistemtico de la amplitud de cada oscilacin en la magnetorresistencia diagonal,
[Lo,91,1].Recordemos el carcter activado de los estados localizados, que hace que un aumento de
temperatura lleve consigo una disminucin del tiempo de vida del electrn en uno de estos estados,
[Parte IV]. Por otro lado, los estados extendidos de cada nivel de Landau se ven afectados por la
temperatura a travs del trmino A
1.,,, [ParteIV], que tiene en cuenta la desaparicin de los efectos
cunticos, las rbitas ciclotrn, debido a T.
106
As, el efecto de desplazamiento de los mximos de las oscilaciones SdH con T es
consecuencia de la diferencia de comportamiento de los estados localizados y extendidos con la

temperatura: Al aumentar esta las rbitas ciclotrn comienzan a desaparecer, lo que lleva consigo
una disminucin de la amplitud de las oscilaciones reflejada en el trmino A,-,,,. Sin embargo, los
estados localizados reducen su tiempo de vida y, en consecuencia, aumenta su contribucin a la
magnetoconductividad diagonal.
Antes de analizar las curvas de ambas magnetorresistencias en tensin de puerta conviene
tener presente la dependencia de la densidad de electrones del GE2D con la misma, que es fUncin
de las caractersticas particulares de la heteroestructura como la concentracin de dopantes, la
distancia entre el S2D y la localizacin del dopaje, el tipo de pozo cuntico, triangular o cuadrado,
etc. La forma de conocer esta dependencia para una muestra determinada es a travs de su pendiente
Hall a campo bajo para diferentes tensiones de puerta aplicadas sobre el S2D, (vase el [Apartado
3.1] de la [Parte VI]). As, en general encontramos una relacin del tipo
4
4
4
4
4
n=f(V~)
siendoftl) en principio, una Uncin arbitraria del potencial de puerta aplicado. En la [Fig.36]est
representada esta dependencia para muestra la 3.
2.5
4
2.0
e.
4
4
4
1.5
-~
ca
1.0
.5
-1.0
-.5
0.0
.5
V(V)
E
Figura 36: Dependencia de la densidad de electrones con la tensin de

puerta de un pozo cuntico de Alo./Jao.7As/1n0.2Gao.gAs a bajo campo
magntico (la lnea es una gula para os ojos).
1.0
4
4
4
J
Anlisis de
los resultados
107
En la regin de comportamiento cuntico, la consecuencia ms inmediata sobre la

magnetorresistencia diagonal de esta dependencia no lineal del llenado con la tensin de puerta se
refleja en el ancho de las oscilaciones. La correspondiente a la muestra descrita en la figura anterior
se presenta en la [Fig.37J.As, a medida que aumentamos la tensin de puerta el ritmo de llenado es
ms lento, lo que obliga a incrementar ms la tensin para conseguir el llenado de cada nivel de
Landau. Esto exige tener cierta precaucin al interpretar fisicamente las curvas en tensin de puerta,
puesto que puede aparecer este ensanchamiento esprio de las oscilaciones de la magnetorresistencia
diagonal que, como vemos, no debe asociarse a la interaccin de los electrones del GE2D con las
impurezas ionizadas, [Parte III].
.30
.25
.20
4.?
.4
.10
.05
0.00
-1.4
-1.2
-LO
-.8
-.6
-.4
-.2
0.0
.2
.4
.6
Vg(V)
Figura 37: Magnetorresistencia diagonal para a muestra 3 con un
campo magntico aplicado de lOT.
De la comparacin de las tres curvas de la [Fig.31]para el comportamiento con la tensin de

puerta a diferentes campos magnticos de la muestra 1, queremos destacar la clara dependencia del
ancho de las oscilaciones con el campo magntico. Para esta muestra comprobamos que existe una
dependencia lineal del llenado con la tensin de puerta, y no se plantea el problema que acabamos de
describir.
a
108
Si nos fijamos en la oscilacin correspondiente a un mismo indice de Landau para las tres
u
curvas de magnetorresistencia diagonal a los distintos campos, observamos que el ancho de la

oscilacin aumenta con el mismo. Este comportamiento est relacionado con una dependencia de la
efectividad del potencial electrosttico debido a las impurezas ionizadas con el campo magntico.
En la frane III] concluimos que el efecto del campo magntico se resume en el radio de
Larnior generalizado dado por la [Ec.IIL13]:
RL
=(2n+R
siendo R la longitud magntica y n el correspondiente ndice de Landau. Este parmetro, junto con la
longitud de correlacin de impurezas, L,, [Parte1], permite establecer una importante condicin en
nuestro estudio del EHC. As, si tenemos campos no demasiado elevados el radio de Larmor
generalizado es grande y podemos asegurar que se cumple la relacin
RL
>zL1
En estas condiciones, el electrn, debido al radio de su movimiento orbital, ve el campo elctrico de

la unin como un campo promedio uniforme y homogneo, que nos lleva a reducir su contribucin al
hamiltoniano a un trmino de energa constante, Uo. Es decir:
u(F) u0
Por tanto, e! haniiltoniano quedara
1
2+H.+IJ
2m
H=.(+e)
+U
O
H +U
cuyos autovalores podemos resumir en la ecuacin
4
4
4
4
4
E =n4n+jjJ.!
4~.ffi.~nw~4-U0
Ahora bien, a medida que aumentamos el campo magntico el radio de Larmor generalizado se va
reduciendo de manera continua para cada nivel de Landau. Entonces, cuando el radio de la rbita se
reduce de forma que el electrn puede explorar el potencial local de unas pocas impurezas ionizadas
aparece una ruptura de la degeneracin de los niveles de Landau, [Apndice3). En el caso lmite
4
4
podemos considerar que el correspondiente trmino del hamiltoniano se simplifica a la expresin

U, (7), debido a una sola impureza ionizada, [Apndice8], [Parte VIII]. Expresaremos esta
condicin de la siguiente forma

con lo que el hantiltoniano queda
+ U(F)
4
4
109
donde el trmino H0 es el mismo que el de ms arriba, y ahora introducimos la dependencia espacial

explicita del potencial electrosttico de la umon.
La [Fig.31] confirma esta variacin que acabamos de explicar de la variacin de la efectividad
del potencial de la unin con el campo magntico.
Del anlisis cualitativo que acabamos de realizar sobre las curvas experimentales presentadas
en la [Parte VI], concluimos que, en correspondencia con el estudio terico que desarrollamos en la
[Parte IV], [Ec.IV.12],[Ec.IV.18),los nicos parmetros fisicos necesarios para explicar el efecto
Hall cuntico y el Shubnikov-de Haas son el tiempo de vida asociado a cada estado electrnico y el
ancho de cada nivel de Landau, debido fUndamentalmente a la presencia de impurezas ionizadas
comunes a cualquier S2D real, [ParteII.
Una vez establecida esta conclusin podemos comenzar con los ajustes de los datos
experimentales con el modelo. Conviene antes de nada hacer un esquema en forma de diagrama de
flujo de cmo se obtienen las diferentes magnitudes fisicas de transporte y equilibrio a partir de las
medidas experimentales de magnetotransporte, (Fig.3 8(a)], y del modelo terico, [Fig.38(b)]
M
C
II,
,0
(a]
t
[bj
Figura 38: Diorama de flujo para la obtencin de las d~ferentes

magnitudesfisicas.t(a)A partir del modelo terico, (b)A partir de os
2
i 10
En relacin con lo que acabamos de comentar, nuestro modelo terico es un modelo de dos
parametros, ambos en general dependientes del campo magntico: El ancho de los niveles de
Landau, fl y el tiempo de vida del correspondiente estado electrnico, r. No disponemos todava de
una mtodo automatizado de ajuste global y la forma en la que hemos llevado a cabo los ajustes no
es excesivamente rigurosa aunque, aun as, se obtienen buenos resultados. Por simplicidad tomamos
siempre un Fconstante y para el tiempo de vida una forma basada en la regla de oro de Fermi, la
conjentra de Pppard, [Shoenberg,84],que establece la siguiente relacin entre el tiempo de vida a
2
4
4
4
4
campo magntico nulo y el correspondiente a un valor determinado del mismo

1
ig(E~)
donde el cociente entre las densidades de estado est expresado por la [Ec.Ill.26).
4
4
Para correr el modelo necesitamos escoger un perfil que represente los niveles de Landau. En
la [Parte III] discutimos dos posibilidaders, un perfil gaussiano o uno lorentziano. Se ha hecho un
gran esfUerzo en el terreno terico para deducir cul es el que mejor represente la dependencia del
ancho de los niveles de Landau con e! campo magntico. Nosotros hemos utilizado el primero por
ser el ms aceptado en la bibliografia sobre los S2D, [Gerhardts,76,3],[Ando,85,4].
Por tanto, a partir del ajuste al trmino Hall de la magnetoconductividad, [Ec.IV.12],
podemos extraer, suponiendo conocida la temperatura, informacin directa sobre Ar, y, en
panicular, el ancho de cada nivel de Landau, esto nos permite reconstruir la densidad de estados. Por
otro lado, con la magnetoconductividad diagonal, [Ec.IV.18],el nico parmetro que queda por
ajustar es el tiempo de vida del correspondiente estado de energa, afectado por la temperatura, la
intensidad de corriente, etc.
En la [Fig.39]presentamos el ajuste para la muestra 3 con V8=OV, (Tabla 1 de la [ParteVI]).
Las discrepancias en el ajuste se debe a las condiciones que hemos impuesto para llevarlo a
cabo. El mtodo ms ptimo es, como tenemos pensado hacer en un fUturo, a partir de un ajuste
punto a punto en campo magntico o en tensin de puerta.
En la [Fig.40]mostramos un nuevo ajuste esta vez para la muestra 1 con V,=OV, (Tabla 1 de
la [ParteVI])
4
4
4
4
4
4
1
4
4
4
J
111
.14
.12
.10
e
.08
~d36
fl04
.02
0.00
o
CAMPO MAGNETICO (1)
Figura 39: Ajuste de la magnetorresistencia diagonal y Hall para la

muestra 3 (1/~ =0V) que posee una densidad de electrones
no==i. 728x106n12, =O.0582m3, p=23100, ro=O. 7Sps, T==J.2K El

parmetro de ajuste es fl=O26meV
.14
.12
.10
u
.08
~,
~.O6
>4
.04
.02
0.00
0
CAMPO MAGNTICO (T)
Figura 40: Ajuste de la magnetorresistencia

y Hall
para la
6m~ mdiagonal
=O.O6O4mo,
=24400.
muestra
(V~=OV):
no=i.52SxlO
ro=0.84ps,1 T=4.2K
Elparmetro
de ajuste es P=lJl8meV
*
a
112
En las medidas de magnetorresistencia Hall de la muestra 3 a V,+O.SV, (Tabla 1 de la [Parte

VI]), obtuvimos un comportamiento anmalo en las mesetas que el modelo puede reproducir
[Fig.41].
4
4
4
.14
4
4
.12
.10
.08
.06
fl04
.02
0.00
0
CAMPO MAGNTICO (1)

Figura 41: Ajuste de la magnetorresistencia Hall para a muestra 3
(j/~ = + 3. 8J-9.ng=J. 98x106mt =0. 0.582m
4,, =23300,
T=J.2K Elparmetro de ajuste es =0.16meV.
ro=O. 77ps,
u
4
4
4
4
4
4
J
VIII
EXTENSIONES DEL MODELO TEORICO
1. EFECTO HALL CUNTICO FRACCIONARIO

1.1. INTRODUCCIN
La aparicin del efecto Hall cuntico fraccionario (EHCF) en 1982 a dos altos del
descubrimiento del EHCE, [Tsui,82],[Chang,83,1], constituy una completa sorpresa. En este

nuevo fenmeno la magnetorresistencia Hall presentaba mesetas a valores de 1/3 y 2/3 de la unidad
fUndamental de magnetorresistencia, 1,/e2, es decir:
h
e
pxy=3i-
Adems, para los mismos intervalos de campo magntico, la magnetorresistencia diagonal pu, al
igual que ocurra en el EHCE, presentaba mnimos.
Posteriormente, se observaron mesetas a otros valores fraccionarios: 4/3, 5/3, 2/5, 3/5,
4/5, 2/7, [Strmer,83,1] 1/5, [Willet,88,2],[Sajoto,93],3/7, 4/7, 4/9, 5/9, [Chang,84,2],etc. Lo
,
primero que llam la atencin b la aparicin masiva de mesetas con valores de denominador impar.
No obstante, ms tarde se midieron mesetas a valores de denominador par: 1/2 y 5/2, [Willet,87,1],
[Eisenstein,92,3],[Suen,92J, [Strmer,94,31,aunque su aparicin siempre era mucho menos
frecuente en nmero y menor la profUndidad de los mnimos de la magnetorresistencia diagonal.
114
Extensiones del modelo terico
En un principio, se pens que la aparicin de valores de mesetas fraccionarias siempre

inferiores a la unidad era algo caracterstico del fenmeno. Sin embargo, los resultados
experimentales posteriores han demostrado que el EHCF no es algo asociado al ltimo nivel de
4
J
Landau, y puden aparecer a valores de 4/3, 7/3, 7/5, 8/5, 9/7, 10/7, 11/7, etc, de la unidad
fUndamental de magnetorresistencia, [Clark,86],[Morawicz,93].
La nica interpretacin terica existente es la debida a Laughlin, [Laughlin,83,3j],
[Laughlin,84,4],[Jain,92],[Apartado1.3], quien desarroll un modelo que interpreta el EHCF como
consecuencia de la interaccin electrn-electrn en el sistema electrnico, dando lugar a la formacin
de cuasi-partculas de carga fraccionaria. De este modo, gener una Uncin de onda que daba
cuenta de la meseta t~ Ms recientemente, se ha conseguido encontrar Unciones de onda que
-
justifican la existencia de otras mesetas como 2/3 y 2/5, [Chakraborty,88].

Ahora bien, no hay ningn modelo que trate globalmente el problema y en la actualidad
todo el esfUerzo se centra en la obtencin de nuevas fUnciones de onda que sean capaces de dar
explicar el resto de mesetas Hall.
La medida experimental de EHCF es complicada puesto que exige muestras de muy alta
movilidad y temperaturas del orden de decenas del milikelvin. Nosotros no disponemos de ninguna
de estas dos condiciones y nos hemos visto obligadas a utilizar la bibliografla
para tener de
informacin experimental. Destaquemos algunas de las condiciones couunes a todo S2D que
4
4
4
4
4
4
4
presente EHCF:
1)La densidad electrnica es muy baja.
2)Las mesetas de ndice entero de la magnetorresitencia Hall aparecen simultneamente a
las fraccionarias, y mucho mejor definidas.
3)Hay una desproporcin entre el nmero de mesetas con ndice fraccionario par e impar.
4)EI GE2D posee una alta movilidad, lo que no puede justificarse utilizando los argumentos
de Laughlin, [Laughlin,81,1],IjPrange.,81,1], en relacin a la necesidad de la existencia de una
proporcin de impurezas para la aparicin del EHCE; en el caso del EHCF las muestras son de
muy alta calidad.
El punto 2) nos hizo pensar que el EHCE y el EHCF estaban relacionados y eran dos aspectos de un
mismo fenmeno. De tal modo que si podamos explicar el primero dentro del marco de la
aproximacin de electrones libres, se podra hacer lo mismo con el efecto fraccionario.
4
4
4
4
4
4
4
4
J
115
En la figura que viene a continuacin presentamos una excelente curva experimental que
ilustra perfectamente el fenmeno del EHCF, obtenida por Willet et aL.
15
20
MAGNEIIC FIELD [T]
Figura 42: Magnetorresistencia Hall y diagonal en rgimen de EJICF

para una muestra de GaAs/A GaAs con una densidad de electrones
n6=3.ixlO5 ya una T=JSOmK, [Willet,87,1].
1.2. EFECTO HALL CUNTICO FRACCIONARIO

Desde la dcada de los cincuenta, ha atrado gran atencin el problema de la dinmica de
los electrones a muy altos campos magnticos. A pesar de ello, es un problema que an permanece
abierto. Los primeros esfUerzos los llevaron a cabo Kohn y Luttinger, [Luttinger,58],[Kohn,59],
introduciendo el concepto de hamiltoniano equivalente, [Ziman,64].Este procedimiento consiste en
la sustitucin del efecto del hamiltoniano sin perturbacin, el haniiltoniano de Bloch, por un
operador ~
(.PeA).Entonces, se efecta un desarrollo en serie del mismo en Uncin del
campo magntico que, sin embargo, es solamente vlido desde un punto de vista asinttico. Una
aproximacin diferente la llev a cabo Wannier, [Wannier,62,1],quien supone que la periodicidad no
se destruye con el campo magntico, y postula la existencia de autoflhnciones que se reducen a las de
Bloch cuando el campo magntico se lleva a cero.
116
En esta ltima lnea estn los trabajos de Zak y Brown, [Brown,M], [Zak,64,1],
[Zak,64,2],[Lifshitz,86],quienes dieron un cnfoque similar al problema imponiendo periodicidad
aun en presencia de campo magntico. Se propusieron obtener las propiedades generales exactas de
la simetra de traslacin de las fUnciones de onda de un electrn en la red cristalina bajo la aplicacin
de un campo magntico sin hacer ningn tipo de aproximacin (campo dbil o aproximacin
semiclsica). As, definieron lo que llamaron el operador de traslacin magntica del modo siguiente
T(R~)
exP{i-. (A eZ}
[VIII.1]
donde ~ es un vector de la red cristalina. Este nuevo operador conniuta con el hamiltoniano,
[Brown,64]:
+v(r)
para cualquier vector de la red. Sin embargo, presenta el inconveniente de que el conjunto de
operadores de traslacin magntica no forman un grupo debido a que
1)no conmutan unos con otros

IA~)T(A2)=7<4 +k)exp{-i~(i
xAIA}
2)el producto de dos traslaciones magnticas no es otro miembro del grupo

44A2)=7(D44)exp{-i~}4
4
4
xAJ.A}
En estas dos ecuaciones R1 y R2 representan dos vectores arbitrarios de la red, y hemos utilizado el
no influye sobre la simetra de traslacin del sistema, que permanece espacialmente peridica aunque,
4
4
sin embargo, el haniltoniano del electrn en el cristal, el electrn de Bloch, al estar sometido a este
gauge simtrico.
De este modo, Brown y Zak postularon que la aplicacin de un campo magntico uniforme
campo, pierde su simetra debido a que en l interviene el potencial vector que depende directamente
de las coordenadas espaciales. La no invariancia del hamiltoniano complica la ley de transformacin
para las fUnciones de onda, y las conclusiones a las que se puede llegar se refieren nicamente a la
forma general que debe adoptar el espectro energtico. As, una banda de Bloch (caracterizada por
todos los posibles vectores de onda, k), se divide en un conjunto de subbandas al aplicar un campo
magntico cuyo valor es un nmero racional, [Brown,64),jLifshitz,86], [Zak,86,3].
4
4
4
4
J
~tensionesdel modelo terico
117
Nosotros abordaremos el problema desde otro punto de vista, extendiendo los resultados
deducidos en la [Parte IV], donde llegamos a la conclusin que incluso para campos tan elevados
como 30T la aproximacin de masa efectiva sigue siendo vlida, y a pesar de que el radio de Larmor
generalizado puede alcanzar valores prximos a los de la constante de red del sistema
semiconductor, [Apndice8].
Comencemos planteando la cuestin de cmo es el espectro de energas del 52D por debajo
del nivel de Fermi cuando atravesamos el ltimo nivel de Landau.
En estas condiciones no se puede obtener una solucin analtica para el problema, de modo
que debemos intentar abordarlo de forma indirecta. Partiremos de dos de las conclusiones
fUndamentales que obtuvimos en la [Parte111] y [ParteIV]:
l)La posicin del nivel de Fermi para un S2D queda fijado por el resto de la
heteroestructura semiconductora.
2)EI parmetro que caracteriza el estado energtico de un electrn en presencia de un
campo magntico es la longitud magntica, R.
En este punto conviene recordar la expresin para la distribucin de impurezas ionizadas en
la [Parte IV], dada por
1
2
As, al hilo de la cuestin anterior, podemos preguntamos qu ocurre cuando el campo magntico
para una densidad de electrones determinada es tal que el correspondiente radio de Larmor
generalizado de la rbita ciclotrn es del orden de la longitud de correlacin de impurezas, Lf. Es
decir, cuando se cumple la condicin
RL=L
[V1U2]
Usando los argumentos que empleamos de la [Parte VII], esto puede interpretarse del
siguiente modo: al describir su rbita, cada electrn interacta nicamente con el potencial
electrosttico de cada impureza ionizada, U1 (E), [Apndice8].
Analicemos los rdenes de magnitud de los principales parmetros. Considerando la
longitud de onda del electrn como del orden de la longitud magntica, para un campo de lOT sera
del orden de ROK. Por otro lado, la distancia media entre dos impurezas ionizadas para una
2, es de aproximadamente 100k, es decir, el radio de la trayectoria que
concentracin de 2.6x10m
describe el electrn debido al campo magntico es ms pequefio que la distancia media entre las
impurezas. Esto es el punto flidamental de nuestra descripcin del EHCF. En estas condiciones, hay
que analizar en qu medida la perturbacin debida a un campo elctrico de la unin puede llevar a un
118
desdoblamiento de los niveles degenerados. Si la simetra de la perturbacin es menor que la del

sistema no perturbado, la simetra del hamiltoniano H coincidir con la simetra de la perturbacin,
4
4
4
en nuestro caso, (J~ (7), de simetra esfrica. As, las Unciones de onda que forman la base del
hamiltaniano sin perturbar,H0, sern tambin base del operador perturbado H, y como puede ocurrir
que esta representacin sea reducible, esto significa un posible desdoblamiento del nivel degenerado.
El hamiltaniano que estudiaremos es el siguiente
H(F)
1
2m
tx2
[VIII3]
%5-i.eA) -i-fI, +U,(r) +H~0
con el gauge simtrico. Seguiremos suponiendo que el campo elctrico, l, es lo suficientemente

dbil como para poder despreciar su efecto sobre el espectro electrnico. Por otro lado,
consideraremos que la interaccin electrn-electrn, al igual que en el caso del EHCE, hace finito el
tiempo de vida de cada estado estacionario.
En la [Parte IIIj expresbamos los niveles de Landau de forma general como sigue,
4
4
[Ec.llI.14]:
AsRI
Luego, con el campo magntico exploraranios los valores del cociente Rl /R2 En el caso del EHCE
.
encontramos que ste adoptaba la forma, [Ec.III.13]:
Rl
j~s-=(2n+1)
cuantizado a valores enteros. Por otro lado, en la [Parte IV] dedujimos que exista una relacin
directa en el EHCE entre el ndice del nivel de Landau y el correspondiente de la meseta Hall.
Siguiendo estos razonamientos, concluimos que el EHCF est caracterizado por la cuantizacin del
radio de Larmor generalizado debido a la accin del potencial electrosttico, U~ (*9, de forma que
nos queda
Rl
2
[V11L4]
2i
4
4
4
4
1
y que se traduce, a su vez, en una cuantizacin de los estados energticos del electrn, que seran
.
4 m
donde n=O, 1, 2, 3...corresponde al ndice de Landau descrito en la [Parte III] y los ndices ij
Qn
jJ
nmeros naturales que pueden tomar los valores 1,2,3,..., de modo que su cociente sea siempre
menor que uno.
4
4
4
4
J
119
La [Ec.5] es una generalizacin de la [Ec.III.6];donde el ltimo trmino corresponde al

desdoblamiento de espn debido al los trminos de espn y espn-rbita del hamiltoniano. As, si
suponemos que estamos en la regin de campo magntico para las que el ltimo nivel de Landau de
ndice entero aparece al nivel de Fermi, los posibles estados de energa para el electrn vendrn
determinados por la ecuacin
.
E=hcot
5.)
Cj
grn~
4 m
donde hemos tomado rrO y el trmino de espn de la forma indicada ya que todos los electrones
tienen orientado su espn en la misma direccin.
Por tanto, segn nuestra interpretacin, el EHCF se debe al desdoblamiento de los niveles
de Landau en subniveles de ndice fraccionario, de manera que en un 52D al aumentar el campo
magntico los niveles que atraviesan el nivel de Fermi son niveles fraccionarios de valor cada vez
menor.
Antes de seguir adelante analicemos cmo son los parmetros bsicos en condiciones de
EHCF para muestras que se encuentran en la bibliografia:
MUESTRA
p~fl9~mj)
0.03
0.05
2
288
223
d(A)
400
400
&(k)
150
140
0.17
121
400
122
0.112
150
400
115
0.21
110
400
105
0.3
91
100
87
Tabla 1: Densidad de electrones,longitud promedio de las impurezas

ionizadas, distancia entre el S2D y la regin de impurezas y radio de
Larmor generalizado para el ltimo nivel de Landau de indice entero.
Las muestras estn tomadas de la bibliografla: (a)[WiIIet,88,2],
(b)IjWillet,88,2], (c)[Morawicz,93], (d)jStrmer,94,3], (e)[Chang,83, 1],

(OIIXViIlet,87, 1].
Hay una consecuencia fUndamental que podemos extraer de esta tabla: en todas las
muestras, la aparicin del EHCF va acompaada de un radio generalizado de Larmor de los
electrones menor que la longitud de correlacin de impurezas. Esto apoya nuestra idea sobre la
importancia del campo elctrico de la unin de cada impureza ionizada en la formacin de estos
estados de energa de ndices fraccionarios.
120
En la figura siguiente hacemos un esquema de la accin del campo elctrico de cada

impureza ionizada sobre el electrn al recorrer su rbita ciclotrn
Plano de impurezas ionizadas
Figura 43: Campo elctrico debido a cada impureza ionizada

actuando sobre un electrn del SM) al describir su rbita ciclotrn.
La componente de campo elctrico en la direccin
4
4
4
4
4
4
4
4
4
z,
perpendicular al S2D, representa el
campo de deriva que aparece en cualquier heteroestructura semiconductora, y que est compensado
con el campo de difUsin. Sin embargo, su proyeccin sobre el S2D es el campo elctrico
fUndamental en la determinacin del EHCF.
Podemos establecer una analoga entre la energa potencial debida a la componente del
campo elctrico de la unin sobre el 52D y la energa potencial electrosttica de un electrn
sometido a la accin de un campo de Uerzas central, que se caracteriza por la cuantizacin del
momento angular orbital. Extrapolando esta idea, asociamos el fenmeno del EHCF a la ruptura de
4
4
4
4
4
4
4
4
j
121
la degeneracin del momento angular orbital de cada nivel de Landau debido a la proyeccin del
campo elctrico de la unin sobre el plano del S2D.
Una vez determinado el espectro energtico, como ocurra en el caso de las mesetas de la
magnetoconductividad de ndice entero, relacionadas directamente con los ndices enteros de los
niveles de Landau, (Parte 1V], las de ndice fraccionario no son ms que una consecuencia de la
aparicin de niveles de Landau de ndice fraccionario debido a la cuantizacin de las rbitas
ciclotrn.
As pues, las ecuaciones correspondientes al EHCF y SdH sern exactamente las mismas
que para el EHCE, es decir,
a,,, en0 g(E9
Bw0r
g0
para la magnetoconductividad diagonal, y

en
~iff=i?no
+
para la magnetoconductividad Hall, y la nica diferencia estar en la aparicin de una densidad de
oir
(Al)
estados con niveles de ndice fraccionario, dando lugar a una fluctuacin equivalente de la densidad
de electrones. En el [Apndice7] se presenta una simulacin del EHCF para la familia de ndices 1/3.
El que slo se pueda desarrollar para una familia se debe a las limitaciones de la frmula extendida
de la suma de Poisson.
Una de las cuestiones ms sorprendentes en relacin al EHCF es la mayor aparicin de
mesetas Hall con denominador impar. Sin embargo, dentro de nuestro esquema este fenmeno
aparece de forma natural. Efectivamente, si tomamos, por ejemplo, un mximo valor paraj de 15 en
la [Ec.5], y calculamos el conjunto de posibles nmeros racionales inferiores a la unidad que pueden
construirse con el cociente i/j, nos aparecen fracciones irreducibles con denominador impar en una
proporcin del 65% frente a las de denominador par.
Haciendo una representacin del cociente iii respecto a s mismo, [Fig.44],la secuencia e
importancia relativa de cada meseta fraccionaria que muestran las curvas experimentales de EHCF
queda justificada por la separacin existente entre los diferentes cocientes
122
1.0
.8
.7
4
4
4
.61~
.4.3
.1
.1
.2
.3
.5
6
f
.7
.8
.9
1.0
Figura 44: Representacin de todos los posibles cocientes, i/j, por

debajo de uno, con un valor mximo para j de 5. Hay que destacar
que la separacin existente entre los diferentes niveles de Landau de
indice fraccionario coincide perfectamente con la observada en esta
representacin. Adems, la estadstica de puntos con indice impar es
mucho mayor que las de ndice par.
Nos queda por acotar los lmites a los posibles valores fraccionarios que puede tomar el
espectro energtico del electrn. La condicin fisica que limita este nmero est determinada por la
ecuacin
RL
~a
donde a es el parmetro de la red cristalina y, como siempre, RL el radio de Larmor generalizado. En

estas condiciones el trmino cintico deja de ser el trmino flindamenta] del hamiltoniano, lo que
lleva a que los estados del electrn cambien de naturaleza, y se produzca una fUerte localizacin del
electrn en torno a cada tomo de la red. Esto explica las observaciones del rpido crecimiento de la
magnetorresistencia diagonal y Hall a altos campos magnticos cuando llegamos a este lmite,
[Strmer,83,1], [Eisenstein,92,3],[Goldman,93].Su carcter de estado localizado se pone de
claramente de manifiesto en el comportamiento con la temperatura, con la que ambas
4
4
4
4
4
4
4
4
magnetorresistencias decrecen rpidamente, [Clark,86],[Willet,88,2].
4
4
4
J
123
1.3. OTROS MODELOS TERICOS SOBRE EL EFECTO HALL
CUNTICO FRACCIONARIO
En la introduccin mencionamos el modelo de Laughlin, [Laughlin,83,3],[Laughlin,84,4],
que abord el problema del EHCF buscando Unciones de onda que describieran el estado
Undamental y excitado de objetos de carga fraccionaria.
Asoci los gaps en el espectro electrnico con la densidad de ceros permitidos en la Uncin
de onda de los N electrones,
!PQ~ ,i~
i~), Uncin del llenado del ltimo nivel de Landau. Se
supone en todo el desarrollo que se hace a continuacin que el campo magntico lleva a una
completa polarizacin de los electrones.
Analicemos el siguiente experimento gendanken. Tomemos uno de los electrones, por
ejemplo, el i-simo, y consideremos un circuito cerrado para el mismo,
Xi,,
que supondremos
define el permetro del 52D. Efectuemos la transformacin siguiente sobre la Uncin de onda
donde el operador T(a,) corresponde a los operadores de traslacin magntica que definimos en la
[Ec.1], [Brown,64], [Zak,64,1], [Zak,64,2].Entonces, podemos expresar la Uncin de onda
transformada por la ecuacin
fl .di
exp{2ni
= exp{2n1
-}!f
[VIII6]
donde 0=SB es el flujo total que atraviesa el rea S del sistema y 0=h/e, la unidad fUndamental de
!F=
flujo. Entonces, si tenemos que

0
00
mlV
siendo m un racional, podemos afirmar que para una fraccin de llenado v=Jn hay
y electrones
por
cuanto de flujo en el rea de la muestra. Como se deduce de la [Ec.6J,la fase de la Uncin de onda
cambia como resultado del experimento en la magnitud ..2mn para cada electrn contenido en la
superficie del sistema.
Por otro lado, como vimos en la [ParteIII], la Uncin de onda de un electrn en el nivel de
Landau ms bajo puede escribirse en el gauge simtrico, [Ec.III.8],como
124
P(z)exP{J4}
siendo P(z) un polinomio en la variable de posicin del electrn, z=xriy,, que viene determinado por
4
4
la cuantizacin del momento angular orbital. As, la Uncin de onda del electrn, y(i~), cambia su
fase en -2~ alrededor de un punto para el que F(z) tiene un cero simple y en -2nn alrededor de un
punto para el que el polinomio tiene un cero de orden n. Por otra parte, de la [Ec.6]se deduce que
para cada electrn del sistema, la Uncin de onda
~(,
~
E) de los N electrones debe tener mN
ceros en Uncin de las coordenadas de posicin z1. Esto es equivalente a un cero por cuanto de flujo
o m ceros por partcula.
As, el EHCF surge como consecuencia de la conexin de los ceros de la Uncin de onda
corno fUncin de la coordenada z~ con las coordenadas de cada uno del resto de electrones, lo que
ser solamente posible para ciertos valores impares, m, si la Uncin de onda ha de describir
fermiones y poseer forma analtica, [Halperin,83,2],[Isihara,91,4j],[Isihara,92,5],[Butcher,93].Esto
representa uno de los lmites ms fUertes del modelo de Laughlin y, por otro lado, lo que llev a
Halperin, [Halperin,83,2],a asociar un carcter bosnico a los electrones al atravesar una meseta
Hall con ndice de denominador par. La conexin entre los m ceros con las posiciones de las
panculas tender a minimizar la energa de interaccin entre dos ptculas puesto que la
4
4
4
4
4
probabilidad de que una partcula i est prxima a otraj podemos escribirla como
a medida que
-~
0. Si los ceros fUeran cercanos pero no coincidentes, la probabilidad de
proximidad de dos electrones sera pequefla.

Por tanto, es de esperar que aparezca un gap en el espectro electrnico para va]ores del
llenado prximos a hm, puesto que en este caso no sera posible variar el nmero de electrones o
cuantos de flujo sin sumar o quitar ceros a la Uncin de onda. Esta adicin o sustraccin de cuantos
de flujo llevara a excitaciones que se caracterizan por una carga fraccionaria. Efectivamente, como
los m ceros de la fUncin de onda del estado fUndamental estn asociados con las posiciones del
electrn, la adicin o sustraccin de un cero est relacionado con la aparicin de cargas electrnicas
de valores l/m,[Chakraborty,88],[Butcher,93].
Basndose en estas ideas Laughlin propuso la siguiente Uncin de onda de prueba
4
4
4
4
4
4
4
4
4
125
<1
en la que todos los ceros, en Uncin de la coordenada z1, son coincidentes con las coordenadas de
posicin del resto de electrones. ~t5~
nicamente puede describir electrones en el nivel de Landau ms
bajo ya que utiliza la Uncin de onda monoelectrnica para el primer nivel de Landau. Esto supone
una limitacin de la fUncin prueba de Laughlin toda vez que experimentalmente se han observado
mesetas de efecto Hall para indices fraccionarios mayores de la unidad.
Actualmente, los esfUerzos en el terreno terico se fUndamentan en la bsqueda de
Unciones de onda que puedan dar cuenta de los ndices superiores a la unidad, [Jain,92],
[Morawicz,93].
Escribiendo ahora
19<2 como una Uncin de distribucin clsica Y~z describira un fluido,
[Laughlin,83,3].Es decir, podemos expresar la [Ec.7]de la forma

[9<2
exp{fiV}
[VIII8]
siendo /3=2/m y
V=m2(~Zlnz
1119-..tiz1ij
Si /1 se considera como lIkT, la [Ec.8]representa el factor de Boltzxnan de un plasma bidimensional

de un componente (2DOCP) de energa potencial k [Isihara,92,5].Este posee particulas de carga m
con una interaccin logartmica entre ellas y sobre un fondo neutro de carga. Puede demostrarse que
para 2m<140 la [Ec.8]describe un fluido incompresible, [Laughlin,90,6],[Chakraborty,88],ya que la

longitud magntica, R, no puede modificarse sin introducir o quitar cuantos de flujo, lo que implica
excitaciones a travs del gap.

No vamos a profUndizar ms en la descripcin del modelo de Laughlin ya que nicamente
3
U
pretendamos reflejar las ideas bsicas en las que se basa actualmente e] estudio terico del EHCF. Y
aunque el campo se est haciendo extraordinariamente especializado en cuanto a aparato

matematico: teoras de escala, [Laughlin,85,5],teoras de campo y estadsticas intermedias (aniones),
[Jain,92],las ideas fisicas que se manejan son las que acabamos de exponer.
2. SISTEMAS CUASI-IJNIDIMENSIONALES
126
2.1 .INTRODUCCIN
El desarrollo de la tecnologa de semiconductores ha permitido en los ltimos aBos fabricar
sistemas electrnicos cuyo comportamiento puede asociarse al de un sistema tisico cuasiunidimensional (5D). Este Apartado lo dedicaremos a estudiar el transporte electrnico en estos
sistemas, [Wharani,8S],aunque los resultados que obtenemos son igualmente aplicables al llamado
transporte balstico, [Wees,88,1], [Wees,91,2], (en este ltimo artculo hay una excelente
4
4
4
4
4
recopilacin sobre el tema hasta 1991).

A lo largo de este apartado mostraremos cmo el fenmeno de cuantizacin en los SD est
basado en ideas similares a las que acabamos de discutir para los S2D.
Los primeros resultados experimentales sobre S2D en los que una de las dimensiones era
muy pequea fUeran obtenidos por Fang y Stiles al principio de la dcada de los ochenta y en plena
excitacin por la aparicin del EHC, lo que constituy el principal escollo para su difUsin,
[Fang,83,1],IjFang,84,2]. Sus resultados han permanecido lejos de las referencias habituales ya que
eran aparentemente contradictorios con los resultados esperados de EEC. Llevaron a cabo diferentes
medidas de magnetorresistencia diagonal en Uncin de la tensin de puerta a un campo magntico
fijo de 1 ST, cortocircuitando la muestra en diferentes puntos. En la figura siguiente se presentan sus
4
4
iiiaK
4
4
1/2
1/4-
20
30
40
V
50
60
70
80
90
(y>
Figura 45: Medidas de magnetorresistencia sobre un GEID de Fang y

Stiles, [Fang,84,2].
4
4
4
J
12?
De estas medidas hay que destacar

1)La aparicin de mesetas en lo que se supone son medidas de R~.
2)La obtencin de mesetas a valores que no son ni enteros ni siquiera, en muchos casos,
fraccionarios.
Sin embargo, en el [Apanado 2.3] vamos a comprobar que estos resultados coinciden con
los esperados para la cuantizacin de la magnetorresistencia de un 5 ID.
2.2. DENSIDAD DE ESTADOS DE UN SISTEMA CUASIUNIDIMENSIONAL

Landauer, [Landauer,70j],
fUe el primero que, desde un punto de vista terico, se plante el
problema de la conductividad en hilos. Sus ideas fUeron generalizadas por Buttiker, [Bttiker,86,1],
[Bttiker,88,2],extendindolas a sistemas ms complejos.
Nuestro enfoque es diferente y se inspira en el desarrollo llevado a cabo para los 52D en
fUncin de la tensin de puerta. Comenzaremos obteniendo la densidad de estados de un SID.
Cuando tenemos aplicado un campo magntico sobre un S2D, y aplicamos un potencial de
confinamiento para conseguir el SID producimos una ruptura de la degeneracin de los niveles de
Landau del S2D que nos permite asociar a cada electrn una velocidad de grupo, [Ec.II.11].
Consideremos un electrn movindose en el plano xy bajo la aplicacin de un campo
magntico constante y aplicado en la direccin z. Introduzcamos entonces un potencial de
confinamiento de tipo parablico que limite el movimiento del electrn en la direccin y de manera
que generemos un hilo en la direccin x. Hay que tener en cuenta que el tomar esta forma para el
potencial de confinamiento es una eleccin completamente arbitraria ya que es imposible determinar
cmo es en un sistema fisico real; sin embargo, parece razonable fisicamente y, sobre todo, permite
obtener una solucin analtica de la correspondiente ecuacin de Schrdinger. Por tanto, el
hamiltoniano para el electrn estar dado por la ecuacin
H=
______
2,1
En la direccin x del hilo impondremos condiciones de contorno peridicas. Para resolver la

ecuacin de Schrdinger tomaremos el gauge de Landau, dado por la [Ec.III.9].De esta forma, las
128
autoijinciones del hazniltoniano son productos de ondas planas y fUnciones del oscilador armnico,
dadas por los polinomios de Hermite. As, podemos llegar a la solucin
yi~
1
1
rrIY ~.Yk
(Y Yk)
(F) = vtexP<ikx> (472n!4..~) ~Y l~ j)exP{ 2k
1,
.~
donde L es la longitud del hilo cuntico, e y~ est dada por la expresin
4
4
wfik
___
Yk
m:
=(1+rYldL
con
Wfr
=(l+y)iw0
~ =(+y~R
siendoR la longitud magntica, [Ec.Ill.12].El parmetro adimensional ~caracterizala intensidad del

potencial de confinamiento y est definido por la ecuacin
>~
4
4
2c
mt
Por otro lado, los autovalores correspondientes son
~=4n+!)
donde el ndice
[VIII.9]
n puede tomar los valores n=O,1,2...,

k2
y 2m>.~~
donde mA
0 es una masa renormalizada y
definida por la expresin
cuyo comportamiento en Uncin del campo magntico est estudiado con todo detalle en la
bibliografla, [Tan,94]. De este modo, como ya comentbamos anteriormente, el potencial de

confinamiento rompe la degeneracin de los niveles de Landau a travs de la dependencia en k, por
lo que tenemos una relacin de dispersin que corresponde a la de una pancula libre pero con una
masa renormalizada. Cuando la intensidad del potencial de confinamiento va a cero, la masa mh0
tiende a infinito, en correspondencia con la degeneracin de los niveles de Landau; mientras que en
el limite opuesto, y
z, la masa renormalizada se hace igual a la masa efectiva del electrn, mi El
hecho de que aparezca una relacin de dispersin nos permite definir una velocidad de grupo para
4
4
4
los electrones en el cristal unidimensional de forma similar a su definicin en los 53D
4
2
129
1cE~k
dc
Iik
mfr
Si el potencial de confinamiento no es tan simple como un potencial parablico, la relacin entre la

velociadad de grupo y el vector de onda se hace ms complicada, aunque el mtodo que vamos a
desarrollar a continuacin es igualmente aplicable modificando nicamente la expresin para esta
velocidad.
Por otro lado, en un 5 D el efecto del campo magntico se reduce a la variacin de la
separacin entre cada subbanda, [Wharam,88],[Wees,91,2],[Apndice1].
A la vista del espectro energtico obtenido, y usando el resultado para la forma de la
densidad de estados de un SID que obtuvimos en el [Apndice1]:
1
[VIII 10]
donde se est teniendo en consideracin la degeneracin de espn. Podemos concluir que la forma de
la densidad de estados global de un SD tiene el perfil siguiente
Figura 46: Densidad de estados general para un SJD. La densidad de

estados de cada subbanda viene dadapor la [Ec.10].
2.3. MAGNETORRESISTENCL4 DE UN SISTEMA CUASiUNIDIMENSIONAL

Una vez que hemos obtenido la densidad de estados, podemos calcular la
magnetoconductividad. En este caso, puesto que el vector de onda vuelve a ser un buen nmero
cuntico, tenemos, [Ec.ll.20]:
130
2nr
e
Uw=~
donde, al escribirla de esta forma estamos teniendo considerando nicamente los electrones al nivel
de Fermi. En este caso el factor responsablede la aparicin de las mesetas es, como ocurra en los
82D en tensin de puerta, el perfil de la densidad de estados de los SD, IjFig.46].
4
4
Recordando que la magnetorresistividad est dada por la ecuacin

la magnetorresistencia de un SU puede expresarse de la forma
RID=Lp=
nr
que viene dada directamente en unidades de ls/e2. El hecho de que, al contrario de lo que ocurre en
los 52D, la magnetorresistencia dependa de las dimensiones del hilo cuntico, tiene una importancia
fUndamental para interpretar los resultados experimentales y en panicular el desplazamiento que
aparece en las mesetas de la magnetorresistencia respecto de sus valores enteros.
En la [Fig.47] presentamos una simulacin de los efectos cunticos de un GE ID para
diferentes dimensiones del sistema. Como vemos, el tipo de curvas que obtenemos coincide
perfectamente con las medidas efectuadas por Fang y Stiles, [Fg.451.
4
4
4
4
2.5
4
4
4
0.0
10
15
20
25
Vg(V)
Figura 47: Simulacin de los efectos cunticossobre hilos de diferente
longitud
4
4
4
j
131
As pues, podemos concluir que el fenmeno de cuantizacin de la magnetorresistencia de

los SD se debe, como ocurra en el caso del EHCE de los S2D en Uncin de la tensin de puerta, a
la estructura panicular de la densidad de estados. No obstante, en este caso, nunca se puede llegar a
conseguir una buena cuantizacin puesto que la densidad de estados se anula.
Por otro lado, la cuantizacin est directamente relacionada con el nmero de subbandas
ocupadas. Experimentalmente, [Wees,91,2],se observa que el ancho de las mesetas mejora a medida
que aumentamos el campo magntico, cuya razn, a la luz de nuestm modelo, reside nicamente en
el hecho de que la separacin entre cada subbanda aumenta con el campo magntico, jEc.9].
si
si
a
si
si
CONCLUSIONES
1 .Hemos realizado medidas experimentales de las componentes diagonal (Ra)
y no diagonal (R4) de la magnetorresistencia transversa en el gas de electrones
bidimensional y desarrollado un modelo para el clculo de las correspondientes
componentes de la magnetoconductividad: oj~ y Uq.
2.Las muestras del gas de electrones 2D son pozos cunticos con canal
bidimensional de
In~Ga..>As y barrera de AlyGau.As. Son
heteroestructuras
MODFET con procesado en forma de barra Hall.

3 .En la tcnica experimental se alimenta la muestra en comente continua
entre dos puntos y se mide la diferencia de potencial entre otros dos (tcnica de las
cuatro puntas). Hemos medido ambas magnetorresistencias tanto en fimeln del campo
magntico aplicado como la tensin de puerta y esto a varias temperaturas. El campo
magntico mximo es 121 y la temperatura mnima 1.2K.
4.La componente no diagonal presenta mesetas de efecto Hall cuntico a
valores de h/e2n, donde n es un nmero entero. Sin embargo, la componente diagonal
presenta oscilaciones Shubnikov-de Haas peridicas en lIB cuya ftecuencia depende
del nmero de electrones. A los valores del campo magntico donde se observan
mesetas en R~ aparecen mnimos, eventualmente ceros, en &.
5.Hemos analizado los perfiles de las oscilaciones SdH y observamos una
clara asimetra de las mismas en funcin del campo magntico. Sin embargo, esta
asimetra es similar para un mismo nivel de Landau de diferentes muestras.
6.En las medidas de la magnetorresistencia diagonal en tensin de puerta a
diferentes campos magnticos se observa una dependencia del ancho de las
oscilaciones con el campo magntico.
7.En los estudios en funcin de la temperatura observamos un desplazamiento
de los mximos de las oscilaciones SdH, tanto en funcin del campo magntico como
134
Conclusiones
de la tensin de puerta. Sin embargo, las mesetas Hall aparecen siempre a los mismos
valores.
8.Para interpretar los resultados experimentales hemos calculado las
componentes diagonal y no diagonal de la magnetoconductividad transversa. El
modelo se basa en la aproximacin de electrones independientes y desarrolla ambas
magnetoconductividades en serie de potencias de lIB para altos campos magnticos.
9.Una vez definidas las caractersticas del GE2D (densidad de electrones y
masa efectiva), el modelo tiene como parmetros ajustables el ancho de los niveles de
Landau y un tiempo de vida relacionado con el transporte. Aunque la posicin de las
mesetas de la magnetoconductividad no diagonal aparecen siempre a -ne2/h, el ancho
de las mesetas y la amplitud de las oscilaciones dependen de los dos parmetros del
modelo. En la memoria mostramos ajustes de los resultados experimentales con el
4
4
modelo, [Parte Vii].

lO.En el modelo interpretamos las mesetas de efecto Hall cuntico como una
fluctuacin de la densidad de electrones del GE2D alrededor de su valor a campo cero,
no.
11 .Los S2D reales que presentan efecto Hall cuntico tienen un entorno fisico
4
4
que sirve de reserva de electrones para la fluctuacin de la densidad de electrones.

Esto implica que en un S2D ideal no existe efecto Hall cuntico.
12.Hemos hecho extensiones del modelo:
1 .A propiedades de equilibrio como la imanacin, el calor especifico y

la magnetocapacidad del GE2D,
2.Al efecto Hall cuntico fraccionario,
3 .A los sistemas cuasi-unidimensionales.
4
4
4
4
2
APNDICE 1
DENSIDAD DE ESTADOS EN SISTEMAS iD, 2D Y 3D
En este Apndice nos proponemos deducir las exprexiones para las densidades de estado
correspondientes a sistemas fisicos de diferente dimensionalidad. Supondremos que no existen
campos externos aplicados y que es vlida la aproximacin de masa efectiva, (Apndice 2],
aproximacin que supone la siguiente relacin de dispersin para la energa de un electrn en el
cristal
2k/
u h
~,
[1]
2m
donde n1 ,2,3 dependiendo de las dimensiones del sistema. Estamos igualmente asumiendo que el
tensor de masa efectiva es istropo, [Apndice2].
Los sistemas D, 2D y 3D se diferencian en el tipo de confinamiento que sufren los

electrones en el espacio k. En el caso de SiD el nmero de estados por unidad de longitud del
espacio kes Li2,r, siendo L la longitud del SD. As, en el caso unidimensional la densidad de
estados vendr dada por la ecuacin siguiente
gQdk
ilciendo uso de la relacin [1] obtenemos:

(2mj~ ir
dE
hE2
y, por tanto, la densidad de estados expresada en fUncin de la energa y por unidad de rea estar
dada por
2
[2]
que aparece representada en la [Fig.1(a)].

En el caso de un sistema bidimensional el nmero de estados por unidad de rea del espacio
k es (L/2r9, y un crculo de radio st centrado en el origen del espacio st es una linea de energa
constante. El rea encerrada entre este crculo y un crculo concntrico con el anrterior de radio k+cLt
es
2nkdt. As, el nmero de estados contenidos en este anillo ser
136
Al:
g(k)c&
Densidadde estados ID, 2D, 3D
2nkdk
= (U
Puesto que E es una fUncin del vector st tenemos que considerar la expresin del diferencial de la
energa, dada por

dE =
Pero el gradiente de la energa representa una fUncin dirigida a lo largo del radio vector st. Por
tanto, tenemos que la densidad de estados por unidad de rea es
[3]
2nh2
representada en la [Fig.1(b)],y que es constante en energa. Ni en la [Ec.2] ni en la IjEc.3] se ha
tenido en consideracin la degeneracin de espn que contribuira en ambas ecuaciones con un factor
2 en el numerador.
El caso de los sistemas tridimensionales es ms usual en la bibliografla. Extendiendo las

ideas desarrolladas para los S2D, en este caso consideraremos esferas concntricas de radios
k+dk,
respectivamente, centradas en el origen del espacio
k.
1<
El volumen determinado por estas dos
esferas ser 4n*2&, de manera que el nmero de estados contenidos entre ambas vendr dado por
g(IOcLt
(L~
4IJ~2~ik
4
4
4
4
4
4
4
de donde, igual que en el caso de los S2D, obtenemos

g<E)
(2:~ ~
que aparece representada en la [Fig.1(c)].

g
(a)
E
(b)
4
4
4
4
(ci
Figura 1: (a)Densidad de estados para un S ID. (b)Densidad de

estados para un S2D. (c)Densidadde estados de un S3D.
4
~
o. ,
.,
Al: Densidad de estados D, 211, 3D
137
Como analizamos en la [Parte

1], los potenciales de confinamiento pueden dar lugar a ms
de un S2D. De modo que la densidad de estados para dos subbandas es de la forma
o
20o
ge
Figura 2: Densidad de estados para un S2D.
J
Iii
si
Ni
si
si
si
si
si
si
si
si
si
si
si
si
si
si
si
.1
APNDICE 2
ESTADOS DE ENERGA EN SLIDOS
2.1. ELECTRONES EXTENDIDOS
La ecuacin de Schrdinger del electrn en la red cristalina perfecta viene dada por la
siguiente expresin
~Ea(k)jY4~(F)=[H>(F)~Ea(k)Iw(F) = 0
donde
y(s)
es el potencial de la red cristalina que posee la simetra de la misma, es decir

y(s) =v(s+A)
siendo
[1]
[2]
A un vector de traslacin de la red. Los estados estacionarios de un electrn de masa m en
dicho campo se llaman estados monoelectrnicos. Habra que afirmar que estos estados son cuasiestacionarios ya que la interaccin con el movimiento de los iones, con el resto de electrones y con
los defectos estructurales originan procesos de relajacin. Sin embargo, a bajas temperaturas y en
cristales puros el tiempo de vida condicionado por estos procesos de relajacin es muy grande y, en
primera aproximacin, podemos despreciarlos. Las autoflinciones de esta ecuacin de Schrdinger lo
son igualmente del operador de traslacin de la red y son de la forma siguiente
que satisface la condicin de Bloch
A,,) = exp{/k A J~ (O
.
La amplitud de la flrncin de Bloch presenta la periodicidad de la red, es decir
VNv es el volumen del cristal, que contiene N celdillas elementales de volumen y. Estas fUnciones,
representan ondas planas moduladas. Estas fUnciones, que se conocen con el nombre defunciones de
Bloch, son estados de energa
Ea (k)
y de cuasi-impulso
111<,
que recorre N valores discretos para
cada valor de ~4y representan estados extendidos o deslocalzados puesto que verifican la relacin
Iw~(9)I2 =kv(F+)I
2
140
A2: Estados de energa en slidos
relacin que implica la existencia de orden de largo alcance. Por otro lado, estas fUnciones estn
normalizadas con la condicin
J v4.~}F)w~(fld2F=
5~p%~.
!Sut(F)U(FW2F=5
VV
Sustituyendo la expresin general de las funciones de Bloch en la Wc. 1], obtenemos la ecuacin para
F(~+~)2
las amplitudes
HU(F)ud
2m
[6]
+V(rjJc(r)=Ea(k)uc~G~)
Si tenemos en cuenta la interaccin espn-rbita, que es de la forma
e11.
4
4
..a
donde J es un vector cuyas componentes son las matrices de Pauli

~=
C~ J ~=C?
;J ~=(~
23
.VU(F)/e es el campo elctrico al que est sometido el electrn. De esta forma obtenemos
la ecuacin de Pauli para la fUncin u~(r), [Davidov,S1],[Kittel,87]

t,
2m ahora
+V(F)+i-[axV;U(F)KP+h)Ea(k{Ju
~ =~ este trmino de
donde u ab, (9) depende
del espn del electrn. En lo que sigue despreciaremos
-
interaccin espn-rbita.
Al ser
(9) una funcin peridica con periodo de la red, las ecuaciones pueden
considerarse solamente en una celdilla unidad introduciendo las condiciones de periodicidad en su

superficie. Adems, esto nos permite desarrollarla en un sistema de fUnciones ortonormalizado
completo en el volumen de la celdilla unidad y, cuya expresin general es
q,(F) =-J=exp{ii.s}
siendo ~ un vector de la red recproca. Es inmediato comprobar el carcter ortonormal de las
funciones anteriores ya que

$rSexpti(~
4
4
4
4
4
4
4
F}d~F =
4
J
141
As, el desarrollo de Fourier de u~(F) viene dado por
u~(F) =Z4 (g)exp{ig.s>

Sustituyendo el desarrollo anterior en la [Ec.6],obtenemos el siguiente sistema de ecuaciones
algebraicas
~1
Ea(k)j*4(~) =
Z< ~ /V(F) 1 q~.> A~(j)
siendo
<q.. 1 V(9) iq..
>
!Sv(9) exp{i(gg) . F}d~F

y
Si
V(F)
es suave, en el segundo miembro de la ecuacin anterior sern importantes varios sumandos
para los cuales ~ difiere poco de
Resolviendo el sistema de ecuaciones podemos determinar el
~.
valor medio cualquier otra magnitud fisica. As, encontramos que la energa est dada por
Ea (k)
=<
ak/H~ /alc >=
IAd(i)~2
+X4(~) <~, iv(ijip
2n
1> ~(g)
[7]
y para la velocidad media se encuentra

<
~j1 a
m
>
ZAm
que si no se tiene en cuenta la pequea dependencia de la amplitud A,~ respecto del vector de onda
1<,
comparando las expresiones anteriores para la energa y la velocidad media, podemos simplificar
a la ecuacin
Hagamos un estudio de la energa para una banda, es decir, para un valor determinado de a
Supongamos que tiene su valor extremo cuando st = st0. Introduciendo el vector
valores de
7 = it
it0,
si
los
son pequeos, podemos sustituir la ecuacin general anterior para la energa por la
expresin reducida
2q~q
Ea(ko+7)=Ea(ko)+Z h
1
~ 2m~,
[81
donde
(
____
21
o
142
El trmino I/m del denominador de la Wc.8] es el tensor de masa efectiva del electrn en la
correspondiente banda de energa. El segundo sumando de la ecuacin anterior tiene en cuenta la
variacin de la masa del electrn libre debida a la accin del potencia] peridico de la red. Si la banda
es istropa, que es el caso que nos interesa para nuestro anlisis del EHC, el tensor de masa efectiva
se reduce a un escalar.
4
4
4
2.2. APROXIMACIN DE LA MASA EFECTIVA

El haniiltoniano de la [Ec.1]
[10]
donde el operador V, viene dado por la ecuacin
y,
[fl]
tiene para pequeos valores de 1 (4 = o~ autovalores dados por la 11Ec.8] y autoinciones
representados de forma general por la [Ec.3]. Los mismos autovalores posee el hamiltoniano
efectivo
fi2
4
4
4
4
-~
[12]
suponiendo una nasa efectiva escalar, y donde E
0 es el valor de la energa para el vector de onda
it =
0. Sin embargo, las autoflmnciones son ondas planas de la forma
9) =j=exptir}
w~(
[13]
Esto quiere decir que cuando se estudian los estados electrnicos de onda larga, la influencia del
potencial peridico de la red puede tenerse en consideracin sustituyendo en el hamiltoniano total la
masa del electrn por la masa efectiva. Si sobre el cristal, adems, acta un campo externo que vara
de forma suave, U(S), al estudiar los estados de onda larga, tambin puede reducirse la influencia del
campo peridico de la red cambiando la masa del electrn libre por su masa efectiva. Es decir, puede
efectuarse la sustitucin
fi2
pV~+V(fl+U(f)zH~,~,
4
-~
4
4
4
fi2
2rVr+U(r)+Eo
Esta transformacin se conoce con el nombre de aproximacin de la masa efectiva.
[14]
4
4
4
2
143

2.3. APROXIMACIN k .
En una zona extremal de la relacin de dispersin Ea (k) podemos calcular el tensor de la

masa efectiva del electrn. Supongamos que el extremo de esta relacin de dispersin se encuentra
en el valor k0
0. Entonces la ecuacin de Schrdinger podemos reducirla a la expresin
[9 + y(s)
()]u(s) = ~!(.
donde
P~u~fr)
[15]
2k2
fi2m
Si los valores del vector de onda it son pequeos, el segundo miembro de la [Ec.15J se puede
considerar como una perturbacin pequea. Supongamos que conocemos la solucin de la ecuacin
sin este segundo miembro dentro de una celdilla elemental
[p2
=0
Si el nivel
~ao
no es degenerado, usando la teora de perturbaciones en primer orden de
aproximacin, tenemos como solucin

mia.
donde la suma se extiende a todos los valores de i=x, y, z y a todos los estados a (!=
a). Si
suponemos que el sistema tiene centro de simetra los elementos diagonales de la matriz
<4
/p~
1 4
>
son iguales a cero. Tomando los trminos hasta segundo orden respecto de it,
obtenemos para las bandas de energa del estado a, [Davdov,81]

lcik, <u/p,/4>cu%/p1/4>
1..\0hkh.rQ
2m
ni
i.J.a
ee.o
[17]
Comparando esta ecuacin con la [Ec.8], obtenemos la siguiente expresin para el tensor de masa
efectiva
rn6
m;
<4Ip,I4.><u~Ip,I4
e
a
si
si
al
.1
u
a
u
a
si
a
si
a
si
a
.1
si
a
u
APNDICE 3
EFECTO DE LAS IMPUREZAS SOBRE UN NIVEL DE LANDAU
Supongamos que existe una perturbacin en torno a un punto espacial ~ que podemos
caracterizar por una energa potencial local U(F
La ecuacin de Schrdinger que define los estados estacionarios del electrn en el cristal
bajo la aplicacin del campo magntico, teniendo en consideracin la perturbacin local quedar de
la forma
fr~ U(F-t9Efr(F>=0
donde HE es el hamiltoniano del electrn en el cristal perfecto sometido al campo magntico, [Parte
III], en el que supondremos vlida la aproximacin de masa efectiva, [Apndice8], y cuyos
autovalores corresponden a los niveles de Landau
E = fiw~(n + 1/2)
Suponiendo que la perturbacin local no es demasiado grande, podemos utilizar la teora de
perturbaciones para espectros degenerados de la Mecnica Cuntica [Landau,83,1], [Yndurain,88],y
desarrollar la solucin en funcin de las autoflinciones del hamiltoniano HE.
As, tenemos como solucin general del bamiltoniano perturbado la ecuacin
=
Xamwm(Fi
el ndice 2 recorre el conjunto de estados del correspondiente nivel de Landau cuya degeneracin ha
sido rota por la perturbacin. Por otro lado, las fUnciones base del desarrollo vienen dadas por
= A,,, (xw)m ex{~4jL{a-9

con x= x/R y y=y/R, y)? la longitud magntica cuya expresin est dada por la [Ec.Ill.12], L
son los polinomios de Laguerre. Con el subbndice m describimos los autovalores del momento
angular orbital del electrn de cada nivel de Landau. El resto de factores corresponden a
An.mt[2m(m:in)VI
y
.2
r =x
.2
.2
De manera que los autovalores del hamiltoniano perturbado estarn determinados por la expresin
146
A3: Efecto de los impurezas

E,~=E,, +E,,,
con
E,,,
<
y donde con el Indice 2 identificamos cada uno de los nuevos estados energticos surgidos a
u
u
u
consecuencia de la perturbacin.
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
APNDICE 4
ECUACIN DE BOLTZMAN. APROXIMACIN r
Si aplicamos a un cristal un campo exterior o un gradiente de temperaturas, el sistema de
electrones se describir por una fUncin de distribucin de desequilibrio, que depende de la energa
de las partculas, de sus coordenadas y del tiempo, (7, 1,4. En el espacio fasico del cristal de
volumen unitario se considera un elemento de volumen ar igual a, [Huang,87]:
dr =d2Fd2~=h2d2Fd2k
En este elemento existen dr//a2 celdas, en cada una de las cuales puede haber dos electrones
con espines en direcciones opuestas, de manera que tenemos 2dF ,/hI2 estados cunticos. Si la
fUncin de distribucin representa la probabilidad de que el electrn se encuentre en cada uno de
estos estados, el nmero tota] de electrones en ese elemento del espacio fasico en un instante
determinado 1 vendr dado por
2! fr,k,t)di-ET1 w264 436 m313 436 lSBT
dn=
/a2
El paso siguiente ser el deducir una ecuacin que nos permita determinar la fUncin de
distribucin. Para ello dividiremos el anlisis en dos partes. En la primera estudiaremos el
movimiento de los portadores en el espacio ordinario y, posteriormente, en el espacio del vector de
onda.
La expresin que se deduce para la variacin del nmero de electrones con velocidad
en un
elemento de volumen del cristal d29 durante el instante de tiempo di, viene dada por
Esta variacin se debe a los procesos de transporte que tienen lugar bajo la influencia de la difbsin
de electrones por posibles gradientes de temperatura o de concentracin que tienen lugar en el
material.
Para el caso del comportamiento en el espacio del vector de onda, la variacin del nmero de
electrones en un elemento de volumen del espacio recproco debido al movimiento de los mismos es
(vgr)d2i4dt
148
donde
A4:
Pfr, t)
Ecuacin de Bolznian
es la tUerza que acta sobre el electrn en el punto Y y en el instante
t.
Luego, la
ecuacin anterior expresa la variacin del nmero de portadores en el correspondiente elemento de

volumen del espacio reciproco debido a la accin de una fUerza exterior, asociada a campos
elctricos y magnticos.
Los electrones en un elemento de volumen del espacio de las fases d~ pueden cambiar a
causa de la interaccin con las perturbaciones locales de la periodicidad cristalina. El tiempo de
interaccin con los defectos estructurales es del orden de 1 (r4seg. Esta interaccin tan breve no
puede dar lugar a un cambio grande en la coordenada espacial, pero s alterar apreciablemente la
velocidad y el cuasi-impulso del electrn. Al producirse la colisin, el electrn pasa de estar en un
estado
(r,fl a otro (r, 9.
Como la coordenada espacial no sufre cambio, la probabilidad de
transicin en la unidad de tiempo no depender del vector posicin, y lo representaremos por
wQ, 9. As, tendremos en consideracin la variacin de
la fUncin de distribucin en el tiempo
debido a las colisiones con un trmino de la forma, [Ziman,79]:

d2k
fkt
y,
donde la integracin se extiende a todo el volumen de la primera zona de Brillouin y se ha hecho uso
del principio de reversibilidad microscpica
=
Reagrupando todos los trminos anteriores, obtenemos la ecuacin de Boltzman
4?
u
u
4
u
u
4
u
u
u
u
4
1
tg~rid2k
-V-j-+jbqkk9if--j-i
~ k
hkk~LkkJ2z2
Para procesos estacionarios, cuando las magnitudes que describen los fenmenos de
transporte no dependen del tiempo, el primer trmino de la ecuacin anterior se hace cero. Entonces,
u
u
u
4
u
u
u
se puede decir que en el estado estacionario la variacin de la fUncin de distribucin causada por la
accin de los campos exteriores sobre el movimiento del electrn est compensada por sus colisiones
con las perturbaciones locales de la periodicidad del campo de la red. A lo largo de la memoria no
vamos a estar interesados en el trmino difUsivo puesto que siempre trabajaremos en condiciones
para las que no existen ni gradientes de temperatura ni gradientes de concentracin de electrones a lo
largo del S2D.
La ecuacin de Boltzman es semiclsica ya que en la fUncin de distribucin aparecen
simultaneamente la coordenaday el vector de onda. Esto implica que slo es aplicable a los procesos
A4: Ecuacin de Boltzman
149
para los que tiene sentido la nocin de longitud de recorrido libre, es decir, siempre y cuando esta
longitud sea mayor que la longitud de onda del electrn en el cristal.
Un punto importante para la resolucin de la ecuacin es la obtencin del tiempo de
relajacin. La descripcin de los procesos de dispersin mediante un tiempo de relajacin es posible
si al colisionar se altera poco la energa de los electrones y si los procesos de dispersin dan lugar a
una distribucin aleatoria de las velocidades. Supongamos que en el instante inicial, descrito por la
funcin de distribucin de desequilibrio f, en el sistema han dejado de actuar las perturbaciones
exteriores y el trmino de campo tiende a cero, de modo que la funcin de distribucin se modifica
nicamente por las colisiones de los electrones con los defectos de la red. As, nos queda
Supongamos que la desviacin de la distribucin de electrones respecto del estado de

equilibrio es pequea.
Ahora, supongamos que la velocidad de variacin def debida a las colisiones es proporcional
a la magnitud de su desviacin respecto de la de equilibrio, es decir, proporcional a .4
4:
f-f
4)
cuya solucin est dada por la ecuacin
f~ -ti =k
y
4),=~ exp{~~L}
es el tiempo de relajacin y es un tiempo medio durante el que una vez que se han desconectado
los campos exteriores, el sistema tiene una distribucin de desequilibrio de electrones. Puesto que los
campos no llevan a grandes variaciones de la funcin de distribucin de equilibrio, f puede
expresarse como
h=t+fk~
donde el segundo trmino representa la correccin a la fUncin de distribucin de equilibrio debido a

Ita accin de los campos exteriores aplicados sobre el sistema. Funcin que expresaremos por
conveniencia a travs de la ecuacin
fI=k.i(E{
y cuya correspondencia con la [Ec.ll.14]es la siguiente
~J
150
A4: Ecuacin de Boltzman
.->ez14Q.i
5(E)
Supongamos que el tiempo de relajacin no depende de los campos exteriores. Esto significa
que 4) tambin determina los procesos de dispersin en presencia de campos exteriores. Entonces
1
-
4)
de donde obtenemos
t4L~~.
Sw(U)[f -ffl4Jr
De las das ecuaciones anteriores deducimos que el tiempo de relajacin es
_____
________
Las colisiones pueden ser elsticas o inelsticas. Vamos a suponer que las colisiones de los
electrones con defectos estructurales son elsticos, es decir, slo se modifica la direccin del vector
de onda y, por tanto, la direccin de la velocidad de movimiento del electrn. Entonces IcWc lo que
implica que v=v y, si las bandas son parablicas, E=E. En este caso, el tiempo de relajacin es
1fw({
Supongamos tora que los
~(~F)
.
vectores it, 5 y
kj(E) ]d2kI
estn dirigidos del modo indicado en la siguiente
figura
1
tf
r
Esto nos permite reducir la ecuacin anterior a
L- Iuk.~.~re1=ki
u
j
A4: Ecuacin de Bolzman
151
Luego,si se conoce el mecanismo de dispersin de los electrones se puede conocer el tiempo de

relajacin.
Consideremos el caso inelstico. Se puede demostrar que en este caso se tiene,
[Shalmova,75]:
~l*to~s ~
de donde se deduce que
1
u
a
u
MI
a
u
MI
a
u
u
a
u
u
ml
u
u
ml
APNDICE 5
FRMULA EXTENDIDA DE LA SUMA DE POISSON
Sea g(x) una fUncin arbitraria. En el intervalo nCx<n+1 podemos escribir
g(x) = Zg, expf2,~xi}
donde
= {~ gllx) exp{2npxi}dx
que no es ms que un desarrollo en serie de Fourier de la funcin g(x). As, podemos escribir
g(n+jJ= Zg,exp{-2nr{n+jjIi}
que, operando, se conviene en
4jjn+jjJ=
(~1)P~g(x)exp{2~xi}&
Sumando ahora sobre todos los intervalos posibles de la variable x, tenemos

gI(n +
) PJg(x) exp{2~xi}cfr +P g(x)dx + ~(I)Pg{x) exp{2,qx4dr
[1]
r-I
donde el ltimo trmino puede escribirse como

Pgoo
exp{2npxi}dr X() Lg<x exp{2,q,xi}cfr
en el que efectuamos un cambio de variable para establecer la segunda igualdad. As, si hacemos que
el desarrollo de Fourier de la funcin sea par, tenemos que este trmino se hace idntico al primero
de la [Ec.1].
De modo que, reagrupando obtenemos
~g(n
P g<x)dr + 2~(i)J
g{x) exp{2apxi}&
Para el caso de magnitudes fisicas reales debemos tomar nicamente la parte real de esta expresin,
es decir:
zg(n
4jJ
fisxcfr + 2Re{X(1) ~L~x exP(xi}de}
expresin que llamaremosfrmula extendida de la suma de Poisson.
fi
a
MI
.1
ml
u
u
u
Ml
ml
MI
u
ml
a
u
MI
a
u
u
u
APNDICE 6
TEOREMA DE CONVOLUCIN
Seanf y g funciones integrables en toda la recta real. Entonces, la funcin
4) = tf(th(x
se llama convolucin de estas dos funciones y se denota porffg. La funcin c(x) est definida para
todo valor de x y es integrable. Calculemos su transformada de Fourier
TF[dx)]
= h{x)
exp{2tlxi}&
entonces, tenemos
TF[dx)]
[Sf(49g(x
4)d~I exp(2zAxi}ck
donde, reagrupando trminos queda

LI(49[tjg(x
49 expb-2rzri}drjg
Haciendo un cambio de variables, obtenemos
LA49[L~{~)
exp{2n2q1} exp{2,r24}dqjd~
que puede simplificarse a la expresin

TF[c{x)I
LA49 exp{2xMi}ds~ Jg(q) exp{2n2qi}d~
Esta ecuacin representa el teorema de convolucin que expresaremos de forma compacta como
TF{f *g) = IF{f)
TF{gJ
As, la transformada de Fourier de la convolucin de dos funciones es igual al producto de sus

transformadas de Fourier, [Kolmogrov,78].Este resultado ser de gran utilidad en nuestro estudio
del EHC y SdH a la hora de incluir los efectos trmicos, de colisiones y de espn en las diferentes
magnitudes fisicas.
*3
u
ti
a
u
ml
ml
u
u
It
MI
a
u
MI
ej
ml
a
u
4
u
APNDICE 7
SIMULACIN DEL EHCF
En este Apndice simularemos el espectro energtico del EHCF para los niveles de
Landau fraccionados correspondientes a todos los armnicos de 1/3. Consideremos el primer nivel
de Landau, n=O, [Ec.VIII.5].As, que los posibles estados energticos estarn dados por la ecuacin
E1,
hw~
[1]
Utilizando la frmula extendida de la suma de Poisson, [Apndice5], desarrollada considerando la

variable continua en el intervalo n-j<Zxq~+1:
~g(n)
f g<x)dx +2 Re{~f
g(x) exp{2nri}*} = ~ g<x)dc +2 Re{Z TF[g<x)I}
y donde con TF[g<x)] representamos Ita transformada de Fourier de] trmino general de la densidad
de estados, obtenemos
g(E) = go{1 + 2xco{22v~j}
[2]
donde hemos tomado para cada nivel de Landau fraccionario de ndices i,/ (siendo j fijo), la
expresin
.~f.j
g{Ej=g3~
Luego, la densidad de estados correspondiente a los niveles
i/j,
[3]
considerando los trminos del
hamiltoniano correspondientes al espn, it, al acoplamiento espn-rbita, il,.,.,, y de ensanchamiento

debido a los defectos estructurales e impurezas, estar dada por
g(E) = g0{1 + 2ZASpArP co4XI}
[4]
con
jE
c
y donde para el clculo del factor A5,~ ya hemos tenido en consideracin el acoplamiento espnrbita.
De la densidad de estados es inmediato obtener el nmero de electrones del GE2D haciendo
uso de la [Ec.4]. As, para el caso que estamos considerando en el quej est fijo, queda
A 7: Simulacin del EHCF
158
n=n0 +&z=n0 +-j-.XAs.,4r.,Ar.,senlXr]
u
u
Li
donde
jE9
27,, =29
[7]
ha,
c
De esta expresin podemos calcular de forma inmediata la magnetoconductividad Hall a partir de la
ecuacin, [Ec.IV.13]:
a, =j(n>
+&t)
En la siguiente figura representamos esta magnetoconductividad para el caso de que aparezcan

niveles fraccionarios correspondientes a los armnicos de 1/3
1/3
4
4
4
-.5
-;
b
-1.0
-1.5
10
CAMPO MAGNTICO (T)

Figura 1: Simulacin de la magnetoconductividad Hall para las
mesetas correspondientes a los armnicos de 1/3. Las condiciones son
las siguientes: no=lxlOcmt T=0. 01K, =1meV
Como vemos aparecen mesetas a valores fraccionarios correspondientes a los armnicos

de 1/3.
u
u
4
u
u
u
4
u
u
1
APNDICE 8
HAMILTONLANO DE UN SISTEMA CUASI-BLDIMENSIONAL
La ecuacin de Schrdinger en presencia de un campo magntico y dos campos elctricos
constantes y uniformesjlFig.3] es de la forma
[1]
= EgF)
siendo
+e#+H~,
[2]
donde hemos hecho uso del principio de correspondencia y el postulado de sustitucin minima.
Pasemos a describir el significado y la forma de cada uno de los trminos del hanilitoniano:
1)EI trmino cintico, 1
+ a4,
con
ihV, y el potencial vector, representa el
anlogo cuntico de la relacin clsica entre la velocidad de un electrn y su momento lineal en

presencia de un campo magntico, [Jackson,75].El potencial vector est relacionado con ste a
travs de la expresin clsica
B=V, xA
[3]
donde el operador gradiente est definido en las variables espaciales

7,
De la definicin de campo magntico observamos una falta de unicidad en la eleccin del potencial
vector que puede determinarse salvo el gradiente de una funcin escalar arbitraria. As, si llamamosf
a esta funcin, puede demostrarse que se cumple la relacin
y, x(v,f)=o
Desde un punto de vista semiclsico, este trmino cintico del hamiltoniano corresponde a la fuerza
de Lorentz.
2)Con V(F) representaremos la energa potencial del electrn debido a su interaccin con la
red cristalina. Esta verfica la condicin de periodicidad dada por la ecuacin
vei=vfr+A)
siendo A un vector de la red.
[4]
A8: Hamiltoniano de un S2D
160
3We es el hamiltoniano de espn, con el que tendremos en cuenta el acoplamiento del espn
del electrn con el campo magntico externo. Suponiendo un campo magntico de la forma
B = (o,o, B), su expresin general vendr dada por
H~ =,ULB
[5]
donde Mt es el momento magntico de espn

[6]
PL
es la matriz de Pauli en la direccin z, p~ el magnetn de Bohr, igual a eh/2m,
g~ el factor
giromagntico, igual a 2 para electrones libres, pero que puede tener un valor mucho mayor si el
trmino de acoplamiento espn-rbita se hace importante, [Askerov,94],[Ridley,92],o incluso ser
oscilante a altos campos magnticos debido a la interaccin de intercambio, [Isihara,79,1],
[Isihara,81,2], [Chudinov,91].
J
u
1
4)U(F) es la energa potencial correspondiente al campo elctrico que en la [Parte 1]

denominamos campo elctrico de la unin,
fr,
cuyo origen se debe a las impurezas ionizadas
comunes a todos los sistemas fisicos en los que se presenta EHC. El trmino correspondiente del
hamiltoniano para esta interaccin es
e2
4reFffl
donde con los vectores
u
u
u
u
u
localizamos la posicin de cada una de las impurezas ionizadas, y e es la
permitividad elctrica del medio en el que se encuentra el GE2D (en el caso de nuestras muestras
In~Ga,.,,4s). Aunque este trmino del hamiltoniano no es esfricamente simtrico en la regin de
altos campos magnticos puede aproximarse por
e2
Ufr) =U,(r)
[8]
que representa unpotencial esfricamente simtrico y, por tanto, conmuta con el momento angular
orbital del electrn dado por la ecuacin
1=74
[9]
4
4
u
u
AS: Hamiltoniano
5)11....
de un S2D
161
es el trmino de acoplamiento espn-rbita que considera la energa de interaccin del
momento magntico con el campo elctrico de la unin, ; y que es grande a altos campos
magnticos. Su expresin general est dada por, [Messiah,75]
[101
eh
a.[~ xrj
donde 5 es el vector de Pauli, [Apndice2], y i el momento lineal generalizado, definido en el
punto 1). En relacin a la [Ec.8], el carcter esfricamente simtrico de este potencial permite
calcular de forma mmedata el campo elctrico de la unin, que expresaremos de la forma
1 dU(rh
[11]
edr
siendo 14
Sfr el vector unitario del vector posicin en coordenadas cilndricas. Escrito de esta
forma, permite simplificar el trmino de interaccin espn-rbita
con
2r
dU(r)
&
1 dU(r)~
2nf2r
&
1
[12]
=Fx i el operador de momento angular orbital generalizado y S = h/2 el operador de
11=
espn del electrn. El trmino
est dado por
2 =(Fxj=Fx(p+eA)=Fxp+eFxA
[13]
Usando el gauge simtrico, [Ec.23],se reduce a

L =r xp+rxl~Bxr)=L+?xI~Bxr)
*
2
2
L es el momento angular orbital del electrn, [Ec.9].Utilizando la identidad vectorial
rx(Axij = (F.F)~(F.)F=r2A
y el hecho de que el campo magntico tiene la direccin z respecto al 52D, obtenemos
e 2B
2
L2 =L+r
[14]
El primer trmino da origen en el haniiltoniano a un trmino de segundo orden en fi, es decir,

proporcional a fi2, y podremos prescindir de l en primera aproximacin. Considerando que la
direccin del momento de espn es la misma que la del campo magntico, a interaccin espn-rbita
estr descrita
II
siendo
e
dU(r)
=~-r.A=$r)B
4m
&
[15]
AS: Hamiltoniano de un 520
162
r dU(r
&
u
1
MEO
Englobaremos el trmino de espn y de espn-rbita en uno solo, definiendo un momento magntico

generalizado de espn
14
Mi. +~(r)
[16]
+g(r)
[17]
y un factor giromagntico generalizado

=g~
con
r dU(r
&
[18]
Vemos que la importancia del trmino de interaccin espn-rbita depende del gradiente de
energa potencial electrosttica correspondiente al campo elctrico de la unin.
6)IId. es el trmino debido a la interaccin de los electrones con los defectos estructurales del
4
j
S2D.
es el potencial elctrico correspondiente al campo elctrico de transporte,
=~
~,
(vase la [Fig.4]).
8)11... corresponde al trmino de interaccin electrn-electrn dado por la repulsin

culombiana
H~.
e2z1
4,re
<
[19]
A pesar de la forma del trmino cintico, a lo largo de la memoria emplearemos la

aproximacin de masa efectiva. Esto supone que el potencial de interaccin con la red cristalina
4
4
4
puede asumirse a una masa efectiva para el electrn. A continuacin, demostraremos que incluso
para elevados campos magnticos esta aproximacin est justificada.
Como
,~
no conmuta en general con
~, que
depende de las coordenadas espaciales, el
desarrollo del trmino cintico de la ecuacin de Schrdinger queda

2
[20]
2m2m
2m
Recordando la regla de conmutacin del operador momento lineal con una funcin arbitrada de las
coordenadas espaciales, [Landau,83,2]:
P.A.-A.pifi(divA)
[21]
u
4
163
AS.: Hamiltoniano de un S2D
llegamos a que el momento lineal y el potencial vector conmutan si se verifica la relacin

divi=O
[22]
Esto ocurre para un campo uniforme si se elige su potencial vector de la forma

1
2=2 fr ~A)
[23]
conocido con el nombre de gauge simfrico. Tomando este potencial vector, el trmino cintico del
hamiltoniano sera
(p+e)2 p2 +2eA.~+e2.42
Consideremos ahora como perturbacin el hamiltoniano, [jKittel,87],[Ridley,92]:
Ii =
f (22. ~
+ eAl)
[24]
[25]
Esta perturbacin es de carcter diferente a la energa potencial de la red cristalina, que lleva a la
aproximacin de masa efectiva, ya que es una perturbacin de la energa cintica. Probando que esta
perturbacin es pequefia, podemos usar la aproximacin de masa efectiva
~~Yean
ZjSr(22.hk+eiZ)
(26]
Llegando hasta segundo orden en la teora de perturbaciones, [Landau,83,2],
[Yndurain,88],
y manteniendo hasta el tnnino cuadrtico en el potencial vector, obtenemos
E~E,
0
+kJA
j<aieiilicii<
E~ E~
/<z.I+
[27]
donde los valores medios se efectan a partir de las funciones de Bloch, [Apndice
2]
w~)
1--exp(i. F)u~F) =
As, nos quedara

<a&/ffIak>=~(2A.mdk9+eA2) = ei.4fl+L2
2
2,
donde i(K) representa la velocidad de grupo asociada con el estado
en una banda, (Apndice 2].
Si suponemos bandas parablicas la velocidad de gn.ipo tiene la forma: k)

anterior se reduce a
e
e2
<ak/H/ak>=rA.hk+A2
m
2m
El otro trmino del desarrollo puede aproximarse de la forma
y la ecuacin
AS.: Hamiltoniano de un S2D
164
_________
z<&k%/ff/J>12
e~
____________
e2~I<alQ/A~P/ak)I
jA.<&kipiak)J
ak
~yl-jA
m a
E-E(mt,
Para el segundo paso utilizamos la ortogona]idad de las funciones de Bloch y la suposicin de que el
ak
dr
potencial vector vara poco a lo largo de la celda unidad, pudiendo tomarse como constante. Por
otro lado, para la ltima igualdad se ha hecho uso de la aproximacin
. para una banda esfrica
cerca del punto de la red recproca 0, [Apndice2]:
xka0P/c
a
ak
ak
+0-
Si sustituimos esta solucin en la [Ec.27],obtenemos

E-Edr
e
+wA hk+~drO,
2m7
4
4
4
u
[28]
que justifica la aproximacin del hamiltoniano efectivo, [Ec.26],siempre y cuando el potencial vector
vare de forma despreciable sobre cada celda unidad.
Para elevados campos magnticos, utilizando el potencial vector en el gauge simtrico,
podemos definir la variacin del momento lineal asociado al campo magntico en una celda unidad
de parmetro a de la forma 4,2
eBa. Por otro lado, teniendo en cuenta que al aplicar un campo
magntico elevado, el momento lineal del electrn estar dado aproximadamente por la ecuacin
p h/R, siendo R la longitud magntica, [Ec.Ill.12], tenemos que para un campo magntico de 15T
y un valor del parmetro de la red de 5.6A, correspondiente al AsCa, el cociente entre estas dos
magnitudes est dado por
4,2
10~
que nos garantiza la validez de la aproximacin de la masa efectiva incluso a altos campos
u
4
4
4
4
4
magnticos.
Un estudio del resto de trminos del hamiltoniano [Ec.1] lo efectuamos en la [Parte III],
[Parte IV] y [Parte VII].
4
4
u
u
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Fisica

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O.

FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS

CONTRIBUCIN AL ESTUDIO DE LOS

Memoria presentada por

Director: Dr. Francisco Batalin Casas

interminables horas de soledad ante el ordenador.

apoy incondicionalmente en los momentos dificiles.

La distancia ms cofta entre

dHvA: Efecto de de Haas-van Alphen.

E: Campo elctrico de la unin.

SiD: Sistema Cuasi-Unidimensional.

PARTE 1: EL GAS DE ELECTRONES BIDIMENSIONAL

PARTE II: EFECTOS GALVANOMAGNTICOS CLSICOS EN SISTEMAS

PARTE III: DENSIDAD DE ESTADOS DE UN SISTEMA CU14SI-BIDIMENSIONAL EN

PARTE IV: DESARROLLO DEL MODELO TERICO

2.Dependencia trmica de los efectos cunticos

3.Propiedades de transporte en funcin del campo magntico:

4.Propiedades de magnetotransporte en funcin de la tensin de puerta:

4.4.Magnetorresistencias Hall y diagonal

5.Efecto Hall cuntico y Shubnikov-de Haas para el caso dedos subbandas

6.Otros modelos tericos sobre el efecto Hall cuntico entero

PARTE V: TECNICA EXPERIMENTAL

1.2. Generacin del campo magntico

1.3 Electrnica de medida

1.3.1 .Fuente de intensidad.

PARTE VI: DESCRIPCIN DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES

2.Magnetorresistencias, R~ y Rr,, en funcin de B

3 .Determinacn del nmero de portadores:

4.R~ yR.<.~, en funcin de y8 a varios B

5.R~ y It, en funcin de y, a varias temperaturas

6.R~ y it, en funcin de B a varias temperaturas

PARTE VH: ANLISIS DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES CON EL

1 .Efecto Hall Cuntico Fraccionario (EHCF):

1.2.Efecto Hall cuntico fraccionario

1 .3.Otros modelos tericos sobre el efecto Hall cuntico fraccionario

2.Sistemas Cuas-unidimensionales (5 ID):

2.2.Densidad de estados de un sistema cuasi-unidimensional

2.3.Magnetorresistencia de un sistema cuasi-unidiniensional

1.Densidad de estados en sistemas iB, 2D, 3D

2.Estados de Energa en Slidos

2.1 .Electrones extendidos

2.2.Aproximacin de la masa efectiva

3.Efecto de las impurezas sobre un nivel de Landau

4.Ecuacin de Boltzman. Aproximacion

5.Frmula extendida de la suma de Poisson

7.Simulacin del efecto Hall cuntico fraccionario

8.Hamiltoniano de un sistema cuasi-bidiniensional

resultados sobre las componentes diagonal (Ra) y no diagonal (R~,) de la magnetorresistencia

altos campos magnticos. En su desarrollo hemos utilizado el conjunto de resultados experimentales

A continuacin pasamos a detallar brevemente el contenido de cada parte: En la [Parte 1]

definimos el concepto de gas de electrones cuasi-bidimensional (GE2D), describiendo los posibles

emplendolo, a su vez, para comprender los fenmenos asociados a ambas magnetorresistencias. En

conclusiones que se exponen estudiamos detalladamente la bibliografla experimental sobre el tema.

A lo largo de la memoria hemos tratado de cubrir el mayor nmero de aspectos

muestras con dos subbandas ocupadas, medidas no locales de magnetorresistencia diagonal,

experimentales correspondientes al EHCE (R~) y SdH (Ra), obtenidas en nuestro laboratorio.

CAMPO MAGNTICO (T)

Esta memoria se centra bsicamente en el estudio de los efectos galvanomagnticos de

subbandas, y su densidad de estados.

El gas de electrones bidimensional

Figura 1(a): Esquemade un transistor MOSFET.

Figura 1(b): Comportamiento del transistor MOSFET enfuncin de

la tensin de puertapositiva aplicada (vase texto).