Circuitos Electrnicos I

Laboratorio no1
Rodrguez, Santiago

1.

Objetivos del Laboratorio:

Estudio de la polarizacin.
Estudio de la estabilidad de la polarizacin.
Rectas de carga esttica y dinmica.

+VCC

+VCC
RC

RB

VSal

RB

RC

VEnt

CB

VSal
VEnt
RA
(a)

RE

CE

(b)

Figura 1

2.

Introduccin:

Se realiz el Laboratorio no 1 basado en el ejercicio no 4 de la Prctica 0. En el mismo, a grandes rasgos,

se compararon los resultados analticos con los resultados experimentales. Luego se determinaron las debidas
conclusiones segn lo observado.

3.

Consignas del Laboratorio:

1. Verifique experimentalmente la polarizacin de los transistores de la Figura 1 (a) y de la Figura 1 (b).
Justifique cualquier diferencia entre lo medido y lo calculado analticamente.
2. Incremente el valor de VCC en 0, 5 V y mida la corriente IC . Concuerda con lo obtenido en forma
terica en el ejercicio No 4?
3. Recta de carga y punto de funcionamiento esttico. Inyecte una seal sinusoidal de 1kHz a la entrada.
Con el osciloscopio en modo XY , conecte en el canal X una seal proporcional a VCE (invierta
despus el canal en el osciloscopio) y en el canal Y una seal proporcional a IC . Qu observa?. Vaya
luego aumentando la amplitud de la seal hasta que no vea cambios. Si desconecta momentneamente
el generador de seal, Qu es lo que ve en el osciloscopio? Caliente el transistor con alguna fuente de
calor, Qu es lo que observa? Concuerdan los datos experimentales con lo que usted esperaba?
1

4.
4.1.

Procedimiento:
Polarizacin:

Con los circuitos de polarizacin ya en condiciones como para empezar en laboratorio y disponiendo de
un tester digital se comenz por determinar el punto Q de polarizacin. Con el tester se comenz por medir
la tensin VCE Q y luego para determinar ICQ se midi la tensin sobre el resistor RC y dividiendo por el
valor de dicho resistor, se obtuvo el valor de la corriente de colector para ese punto de polarizacin. En esta
tabla se comparan los valores analticos y experimentales para VCE Q e ICQ referidos a ambos circuitos. Cabe
destacar que las diferencias en el resultado experimental comparado con el analtico se deben en gran parte a
las aproximaciones hechas en los clculos. La aproximacin para facilitar los clculos hecha en los circuito fue
la de suponer que IE = IC . Pareciese que para el circuito de la Figura 1 (a) esto no se cumple tan bien como
en el circuito de la Figura 1 (b) dada la diferencia entre los valores en cada caso. La menor diferencia entre
el clculo analtico y el experimental en el circuito de la Figura 1 (b) se debe tambin a que este circuito es
ms estable ante cambios en el hF E del transistor.

VCE Q
ICQ

Analtico
5.23 V
2.05 mA

Experimental
6.83 V
1.57 mA

Cuadro 1: Tabla referida al circuito de la Figura 1 (a)

Analtico Experimental
VCE Q
6.13 V
6.41 V
ICQ
8.86 mA
8.66 mA
Cuadro 2: Tabla referida al circuito de la Figura 1 (b)

4.2.

Variacin en IC debido a VCC = 0,5 V

Una vez finalizado el anlisis de los Q, se procedi con el punto 2. Se increment a VCC en un VCC =
0,5 V y se procedi con la medida de IC con el objetivo de calcular su variacin ante este cambio de VCC
(IC ). Para el clculo analtico de este incremento en la corriente del colector, se utiliz la aproximacion:
IC

IC
VCC
VCC

(1)

Los resultados fueron:

ICQ
ICQ

Analtico
2.05 mA
90 A

Experimental
1.64 mA
70 A

Cuadro 3: Tabla referida al circuito de la Figura 1 (a)

Analtico Experimental
ICQ
8.86 mA
9.1 mA
ICQ
465 A
440 A
Cuadro 4: Tabla referida al circuito de la Figura 1 (b)

4.3.

Recta de carga:

Al conectar los respectivos canales del osciloscopio y configurarlo en modo XY se apreciaba en pantalla
el punto Q del transistor. Una vez que se conect la seal de 1kHz el punto Q comenz a desplazarse a lo
largo de la recta de carga dinmica del circuito. Variando la amplitud de la seal de entrada, hasta que no
se vean cambios en la recta de carga se aproxim el valor mximo de amplitud de la seal a amplificar sin
que esta se deforme. Para el circuito de la Figura 1 (a), la mayor amplitud posible de seal a amplificar sin
que sta se deforme es de 60mV . Para el circuito de la Figura 1 (b) es de 200mV .
2

5.

Conclusiones:
Al aumentar la temperatura sobre el transistor, el Q2 del circuito de la Figura 1 (b) se desplaza en
menor cantidad que lo que se desplaza el Q1 del circuito de la Figura 1 (a). Esto se debe al circuito
de polarizacin escogido. El circuito que posee el divisor resistivo y una resistencia en el emisor (RE )
presenta mejor estabilidad frente a cambios de temperatura (cambios en el del transistor).
A igual variacin de la tensin VCC , el primer circuito presenta menor variacin de IC que el segundo.
Podemos mostrar este hecho si se expresan los coeficientes de sensibilidad de la corriente de colector
respecto a la tensin VCC para ambos circuitos:
IC
hF E
A
=
0,18m
VCC
RA
V

(2)

A
hF E RA +R
IC
A
B
=
0,93m
VCC
RT H + RE (1 + hF E )
V

(3)

Como se puede apreciar, el segundo circuito es ms sensible a cambios de VCC que el primero. Cabe
destacar que, eligiendo adecuados valores de RA ,RB y de RE (trminos presentes en el factor de
sensibilidad del segundo circuito) puede disminuirse dicho factor.
Tambin se
osciloscopio
la amplitud
de 60 mV y

investig para cada circuito cul era la mayor amplitud de la seal a amplificar. Con el
en modo XY se observ la modificacin de la recta de carga a medida que se aumentaba
de la seal mediante el generador de seales. Para el primer circuito, el valor mximo es
para el segundo es de 200 mV .

Prescindiendo del capacitor CE , disminuye la pendiente de la recta de carga, con lo que aumentar la
mayor amplitud posible de la seal a amplificar por el circuito de la Figura 1 (b). El valor mximo, en
estas condiciones es de aproximadamente 1 V .