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Temario

Trabajos
Grupos 2-4 alumnos
jogomez@fis.upv.es

Diodo

6. Diodo

1. Diodo Zener

7. El transistor

2. Diodo LED

8. Magnetismo

3. Fotodiodo

9. Induccin electromagntica

4. Diodo tnel
5. Diodo Schottky

10. Circuitos de corriente alterna

El transistor

11. Ondas electromagnticas

6. El JFET, fundamentos y aplicaciones

12. Aplicaciones pticas

7. El MOSFET, fundamentos
8. El MOSFET, aplicaciones: circuitos lgicos, memorias, CCDs, TFTs, ...

Presentacin: 31 de marzo
Revisin:
30 de abril

30 % nota segundo parcial


Materia examen: 2 preguntas

Tema 6. El diodo

Tema 6: El diodo

Objetivos:

Comprender cualitativamente los fundamentos fsicos de la


unin p-n en equilibrio y polarizada.

Conocer la curva caracterstica I-V de los diodos.

Saber utilizar las distintas aproximaciones del diodo para


resolver circuitos con diodos.

Conocer algunos diodos especiales: Zener, LED y Schottky.

Tema 6. El diodo
6.1 La unin p-n en equilibrio.

Introduccin

6.2 Polarizacin del diodo.

Rectificacin de corriente alterna: puente de


diodos.

6.3 Curva caracterstica del diodo.


6.4 Diodos especiales: Zener, Schottky, LED.
6.5 Aplicaciones: limitador de tensin, rectificador,
puertas lgicas.

Ve

Vs

Ve C
0

D2

D1

T/2

T t
-Vm

Seal de entrada

D3

Vs

Vm

R
D4

T/2

T t

Puente de diodos

Seal de salida

Introduccin

Introduccin: corriente

Rectificacin de corriente alterna: puente de


diodos.
A

Ve

D2

D1
Vs

Ve C
0

T t

T/2

D3

Vs

Jdes =pe E
p
p

Vm

D
0

D4

T/2

Puente de diodos
+ condensador

Seal de entrada

p
Jdif =eD
p
p

Seal de salida

6.1

-1

Ev

Densidad de corriente total:

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

Banda
prohibida

Ec

Ec

Ev

-1

Ev

-2

-2

Escala
de energa
aproximada

Escala
de energa
aproximada

La unin p-n en equilibrio


P

n
Jdif =eD
n
n

Ec

6.1

Ev

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

Ec

Ec

Ec

-1

Ev

Ev

-1

Ev

Jdes =ne E

n
n

Escala
de energa
aproximada

p
Jdif =eD
p
p

-2
Escala
de energa
aproximada

n
Jdif =eD
n
n

-2

Electrones

Huecos

Banda de
valencia

E (eV)

6.1

Banda de
conduccin
Ec

n
Jdif =eD
n
n

peD
n
J=e p n EeD
p
n
p
n

Jdes =ne E

n
n

Difusin:

T t

La unin p-n en equilibrio

Desplazamiento:

-Vm

E (eV)

Ec

+
Ev

p
Jdif =eD
p
p

Jdes =pe E
p
p

6.1

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

6.1

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

N
E =q V 0=eV 0

E =q V =e V

0
-1

Ev

-2

1
Ec

Ec

Ec

E =q V =eV

Escala
de energa
aproximada

E =q V =e V

Ec
Ev

-1

Ev

Ev

E =q V =eV

-2
Escala
de energa
aproximada

V0

V0

e=1,61019

e=1,61019

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

6.1

E =q V 0=eV 0

Ec

E =q V 0=eV 0

Ec

Ev
Ev

Escala
de energa
aproximada

E =q V =e V
Ec

Ev

-1

-2

Ec

E =q V =eV

E =q V =e V

Ev

E =q V =eV

-2

+
0

e=1,61019

La unin p-n en equilibrio


1
Ec

E =q V =e V

Ec
Ev
E =q V =eV

-2
Escala
de energa
aproximada

6.1

-q N A

e=1,610

J p =p p eE x eD p

Ec

0
Ev

Jdes =pe E
p
p

p
Jdif =eD
p
p

-2
Escala
de energa
aproximada

19

e=1,610

dp
p

p dV =V T p

n
V0

dp
=0
dx

D p dp
dV
=E x =
dx
p p dx

dV =V T

Ev

VT = 0,026 V (300 K)
19

N
E =q V 0=eV 0

-1

6.1

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

N
E =q V 0=eV 0

-1

e=1,61019

+
q N D

V0

E (eV)

Escala
de energa
aproximada

6.1

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

-1

6.1

dp
p

V n V p =V T ln

pn
pp

V 0=V n V p =V T ln
p p=p n e

V 0 /V T

pp
pn

6.1

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

E =q V 0=eV 0

1
Ec

0
Ev

-1

Jdes =pe E
p
p
p
Jdif =eD
p
p

V 0=V T ln

Escala
de energa
aproximada

p pN A

e=1,610

pn

Escala
de energa
aproximada

2
i

VT = 0,026 V (300 K)

Ec

0
Jdes =ne E

n
n

p pN A

19

p dV =V T p

V nV p =V T ln

dn
n
nn
np

V 0=V n V p =V T ln

V0

n p =nn e

np
nn

V 0 / V T

6.1

Ejemplo 10-1
Calcula la diferencia de potencial en la unin pn de un
diodo de germanio, dopado con antimonio en una
concentracin de 41022 m-3 en su zona n, y con indio en
una concentracin de 31022 m-3 en su zona p, a 300 K.

np
nn

N A ND

nn N D

V 0=V nV p=V T ln

n2i

N A ND
n2i

=0, 026ln

22

22

310 410
=0,379 V
2,361019 2

p pN A , np

ni
NA

nnN D , p n

ni
ND

VT = 0,026 V (300 K)

e=1,610

dn
n

n
Jdif =eD
n
n

V 0=V T ln

Escala
de energa
aproximada

e=1,610
6.1

V 0=V T ln

Dn dn
dV
=E x =
dx
n n dx

19

E =q V 0=eV 0

-2

dn
dx

-1

n
Jdif =eD
n
n

dV =V T

La unin p-n en equilibrio

Ev

Jdes =ne E

n
n

n2i

n
nnN D , p n
ND

pn

Ev

-1

N A ND

n
p pN A , np i
NA

E (eV)

J n=ne n E x e D n

Ec

pp

nn N D

np

N
E =q V 0=eV 0

-2

VT = 0,026 V (300 K)
19

V 0=V T ln

-2

La unin p-n en equilibrio


E (eV)

6.1

np

pn

6.1

La unin p-n en equilibrio


La unin p-n: efecto
fotovoltaico

La unin p-n en equilibrio


La unin p-n: efecto
fotovoltaico

6.1

N
-

Jdes

Ec

Jdif

Ec

Ev

Ev

V
V0

V0

6.1

La unin p-n en equilibrio


La unin p-n: efecto
fotovoltaico

Polarizacin del diodo

6.2

N
Polarizacin
directa

Ec

Ev

Polarizacin
inversa

n
- +

+ -

V0

Polarizacin directa
Equilibrio:

6.2

Polarizacin directa
+ -

VD<V0

E =q V 0=eV 0

-+

VD=V0

VD

6.2

6.2

Polarizacin directa
+ -

P
E =q V 0V D =0

VD>V0

E =q V 0V D =eV 0 V D 0

V0 - VD

VD

+ -

Polarizacin directa

N
E =q V 0V D =eV 0 V D

V0

6.2

0
VD

V0 - VD

VD

6.2

Polarizacin inversa
Equilibrio:

Polarizacin inversa
- +

P VI

N
E =q V 0=eV 0V I

E =q V 0=eV 0

V
V0

Polarizacin inversa

V0+VI

VI

VI

6.2

6.2

Polarizacin inversa

- +

Portadores minoritarios

VI

- +

VI

E =q V 0=eV 0V I

E =q V 0=eV 0V I

Portadores minoritarios

6.2

Portadores minoritarios

V0+VI

V0+VI

VI

Curva caracterstica
del diodo

V T

diodo
ideal

22
20
18

14

I (mA)

10
8

10
8

-2
-0,6

12

6.3

16

12

I=I0 e

16

14

Polarizacin
inversa:
I

18

I (mA)

20

Polarizacin
directa:

Diodo rectificador:
1a aproximacin

6.3

22

VI

I0 (A)
-0,4

-0,2

0,0

0,2

V(V)

I0 corriente mxima en
polarizacin inversa (A)

0,4

0,6

Vu

-2
-0,6

-0,4

-0,2

0,0

Tensin
umbral

0,2

V(V)

0,8

0,4

0,6

0,8

Diodo rectificador:
2a aproximacin

Diodo rectificador:
3a aproximacin

6.3

22

22

20

16

16

10
8

10
8
6

0
-0,4

-0,2

0,0

0,2

0,4

0,6

Vu

0
0,8

V(V)

Tensin
umbral

-2
-0,6

-0,4

-0,2

0,0

0,2

0,6

Vu

0,8

Tensin
umbral

Recta de carga
Punto de trabajo Q

6.3

6.3

22

22

VS
R

20
18
16

20
18

Vd

Vd

16
14

12

VS

10

8
6

I (mA)

14

VS

0
-0,4

-0,2

0,0

0,2

0,4

0,6

0,72 V

10

0,8

V(V)

V S =V d I R
I=

VS
R

I=I0 e

V d / V T

V S =V d I R

0
-2
-0,6

Vd

-0,4

-0,2

0,0

0,2

0,4

V(V)

Puntos de corte con los ejes:

0,6

0,8

I=

VS

V d =0 I=

I=0 V d =V S

V S 0,72
=
=60mA
12
R

I=0 V d =V S =0,72

Al punto de corte con el eje Vd se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje I se le llama "Saturacin".

Recta de carga
Punto de trabajo Q

Recta de carga
Punto de trabajo Q

6.3

6.3

Primera aproximacin:

22
20

Vd

18

V d =0

16
14

0,72 V

12
10
8

V S =V d I R

2
0
0,50 0,52 0,54 0,56 0,58 0,60 0,62 0,64 0,66 0,68 0,70 0,72 0,74

V(V)

0,664 V

Recta de carga:
I=4,37 mA

VS

V
V
I= S d
R
R

Puntos de corte con los ejes:


V d =0 I=

V S 0,72
=
=60mA
12
R

I=0 V d =V S =0,72

I=

0,72
=60 mA
12

Segunda aproximacin:
12

4,37 mA

V d =0,664 V

VS Vd

R
R

Puntos de corte con los ejes:

V
V d =0 I= S
R

VS
=60mA
R

12

-2
-0,6

12

I (mA)

0,4

V(V)

Aproximacin lineal

Recta de carga
Punto de trabajo Q

I (mA)

12

-2
-0,6

V =0 + Ird

14

I (mA)

12

V = Vu+ Ir d

18

V =0

14

I (mA)

20

V = Vu

18

6.3

V d =0,68

0,720,68
I=
=3,33 mA
12

Tercera aproximacin:
V d =0,68

I=

0,720,68
=2,8 mA
122,27

Recta de carga:
V d =0,664 V

I=4,37 mA

0,72 V

Vd

12

Influencia de la
temperatura

Parmetros del diodo

6.3

22
20

0.2

18
16

12
10

V 0,05 V
r=
=
=2,27
I 22mA

6
4

0.1

I (mA)

I (mA)

14

0
0,50 0,52 0,54 0,56 0,58 0,60 0,62 0,64 0,66 0,68 0,70 0,72 0,74

300 K
310 K
320 K

V(V)

V d =0,68 V

-0.1
-70
6.3

Ejemplo 10-2
Calcula la intensidad que circula por el diodo de la figura,
utilizando las tres aproximaciones del diodo.

i=

30

V (mV)

0,7 V
0,23
i

80
6.3

Ejemplo 10-3
Calcula la intensidad que circula por el
diodo de la figura.

10 V

10
=0,286103 A=0,286 mA
35103

-20

70 k
0,7 V
0,5

20 V

20 = 80 10 I1
0,7 10 40,005 I2

10 k
30 k

35 k

100,7
i=
=0,265 mA
35103

i=

70 k

0,7 V
0,23

100,7
=0,2657 mA
3
3510 0,23

I 2=

10 V

35 k

Calcula la corriente que circula por el circuito de la figura, utilizando las


tres aproximaciones para el diodo:
a) Diodo ideal.
b) Segunda aproximacin.
c) Tercera aproximacin.
La tensin de codo del diodo es de 0,7 V, y su resistencia de 0,23 .

5
I=
=0,005 A=5 mA
1000

1k

5V

1k

5V

50,7
I=
=0,0043 A=4,3 mA
1000

0,7 V

0,5

=46,4 A

20 V

30 k

6.3

Calcula la corriente que circula por


el diodo de la figura, sabiendo que
se trata de un diodo de Germanio
cuya tensin de codo o tensin
umbral es de 0,3 V.

30 k

12V

10 k
5 k

12 = 40
10 I1
0,3 10 15
I2

12V

30 k
0,3V

10 k
c)

50,7
I=
=4,299103 =4,299 mA
10000,23

J2

10 k

Ejercicio 7

1k

5V

80
10
10 40 ,005

I
0,7V

b)

80 20
10 0,7

6.3

Ejercicio 4

a)

0,7V
0,23

5V

1k
I

40 12
10 0,3

12120 108 27
I 2=
=
=
=
=0,216 mA
40 10 600100 500 125
10 15

I1

I2
5 k

6.5

Aplicaciones del diodo


Rectificacin de media
onda:

6.5

Aplicaciones del diodo


Puente de diodos: rectificacin de onda
completa

~Ve A
Vs
C

Vs

Ve
Ve~

Vs

Vs

Vsalida

6.5

Aplicaciones del diodo

Ve

Curva caracterstica de un diodo Zener

0.1

V
D

I (mA)

0.2

V
C

6.4

Diodo Zener

Puente de diodos: rectificacin de onda


completa
A

Vz
0.0
-0.1

-0.2

Tensin a la salida de
un puente de diodos
con condensador

Vz

6.4

Diodo Zener
Modelizacin del diodo Zener en inversa:

-100

-50

Tensin Zener

50

100
V (mV)

6.5

Diodo Zener
Aplicacin del diodo Zener: mantener
constante un valor de la tensin.

Curva caracterstica de un diodo Zener

0.2

I (mA)

Vz

Vrizada

-0.2
-100

Vs< Vz

0.0
-0.1

Vz

V0

0.1

-50

Tensin Zener

50

V0
t

100
V (mV)

V0

Vz

Vs = Vz

V
Vz

Vs =Vz

Vs
t

6.1

Diodo Schottky
conductor

Ec

Banda de
conduccin

Ev

Banda
prohibida

6.1

Diodo Schottky
conductor

Ec

Ec

Ev

Ev

Banda de
valencia

6.1

Diodo Schottky
conductor

6.1

Diodo Schottky

N
conductor

Ec

Ec

Ec

Jdes =ne E
n
n

Ev

Ec

Ev
Ev

Ev

V
V0
6.1

Diodo Schottky
conductor

Diodo Schottky: directa


conductor

vD

E =q V 0=eV 0

Ec

E =q V 0v D =eV 0 v D

Ec
Jdes =ne E
n
n

Jdes =ne E
n
n

Ec
Ev

Ev

Ev

V
V0

6.1

V0

Diodo Schottky: inversa


conductor

vI

6.1

6.4

Diodo Led

LED
Light Emitting Diode

E =q V 0V I =eV 0 V I

Ec
Jdes =ne E

n
n

Ev

V0

Polarizacin directa

6.2

Diodo Led

+ VD

E=hf h = constante de Planck

6,610-34Js

E =q V 0V D =eV 0 V D

Jdes

6.4

Jdif
+
P

-+

V0 - VD

6.4

Diodo Led
Material

Dopante

Long. de onda
(nm)

Color

GaAs

Zn

900

IR

GaAs

Si

900 1020

IR

GaP

570

Verde

GaP

N, N

590

Amarillo

GaP

Zn, O

700

Rojo

GaAs0.6P0.4

--

650

Rojo

GaAs0.35P0.65

632

Naranja

GaAs0.15P0.85

589

Amarillo

SiC

--

490

Azul

ZnSe

--

490

Azul

longitud de onda

c ch
= =
f E

6.4

Diodo Led
I

V (V)
Ctodo

nodo

6.4

Diodo Led
diodo rectificador
diodo LED

Ve
4E-06

2VV c 3V

Vs

T
2

0.5
0

0
Vc

Io

E=E g e=3,21019 J

I(A)

AsGaP

20V

R=2k

1.5

2 eV

Ve

2E-06

Eg

Ejercicio 12

-2E-06
-0.5 -0.3 -0.1 0.1
V(v)

-0.5

-1
0.5

0.3

fotn

Vs

Ve
Ve

20 V

Vs

+
0

Ve

Vs

T
2

Ejercicio 12
Ve

0V

R=2k

ch 3108 ms1 6,61034 Js


= =
=619 nm
E
3,21019 J

T
2

Ejercicio 12
Ve

20V

Vs

R=2k

Ve

20V

T
2

R=2k
0

T
2

Vs
Ve

Ve

Vs

Vs

T
2

R=2k T
2

20 V

20V

20 V

Ejercicio 12
Ve

T
2

Vs

Ve

Ejercicio 14
A

20V

Vs

R=2k
0

T
2

R
D3

20V

Ve

Ve

D2

D1

T
2

D4

Vs

A
Ve

T
2

Vm

+
Ve C

20-0,7=19,3V

T/2
B

Vs
_

Vs +

Vm

D
0

T/2

Ejercicio 14
A

Vs
Ve

Ve

D2

D1

20V

Vs

T
2

D4

Ve

20V

R
D3

Ve

D2

D1

C
D3

Ejercicio 14

D4

T
2

Ve
0

Vs

A_

T/2

T t
-Vm

Ve
B+

_ Vs +

Vs

(Vm 1.4) (V)

Vm

T/2

T t

T/2