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SEMICONDUCTORES:
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
CANAL N (JFET-N)
UNIN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
SIMBOLOGA
BJT-Bipolar
JFET
MOSFET MOSFET
MOSFET
UJT
(Uniunin)
D
ID
UGS[V]
0
-10
-20
-30
VDS
POLARIZACIONES JFET
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin
positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin
VDS a aplicar debe ser negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido
de la fuente hacia el drenador.
MOSFET DE CANAL N
COMENTARIO:
D
Aunque a veces se dibuje el smbolo con un
diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID
G
UGS[V]
=+15 V
=+10 V
S
S
=+5 V
=0V
Diodo parsito
(Substrato - Drenador)
VDS
TIPOS DE MOSFET
MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento, el canal no existe en origen.
Debe crearse el canal acumulndose carga en la puerta.
MOSFET de deplexin o empobrecimiento, el canal existe en origen. Debe
vaciars
ID
- 30 V
+ 30 V
VGS
G
S
APLICACIONES
Los transistores FET pueden ser utilizados en circuitos de amplificacin, como fuentes de corriente
dependientes de tensin y como interruptores controlables. El mayor campo de aplicacin de los MOS
son las puertas digitales, de las que el inversor es un ejemplo.
Interruptor controlable:
Esta configuracin circuital es utilizada en Electrnica de Potencia y
Digital. Los transistores trabajan entre los modos de corte (OFF) y lineal
(ON), controlados por el valor de la tensin aplicada en el terminal de
puerta, Vi. Suponiendo un transistor N-MOS de acumulacin (VT=0):
Vi < VT; p.e. Vi = 0; NMOS en OFF: Vo VDD; IDS = 0;
Vi > VT+VDS; p.e. Vi = VDD; NMOS en ON: Vo 0; IDS = VDD/R;
Inversor CMOS:
Esta configuracin circuital
es utilizada en E.Digital, y se
denomina CMOS
(Complementary MOS) por
disponer transistores
complementarios.
Los dos transistores trabajan
en conmutacin de forma
opuesta: cuando el
NMOS conduce el PMOS
queda en corte, y viceversa.