INGENIERA ELECTRNICA EN

TELECOMUNICACIONES INGENIERA
ELECTRNICA EN CONTROL

SISTEMAS DE COMUNICACIONES
INFORME DEL DISEO Y SIMULACION DE UN
MODULADOR DE AM CON BJT

INTEGRANTES:

MICHELLE ARAUJO TORRES

JOSELYN GALLEGOS

FECHA: 24/11/2014

Informe de Sistemas de
Comunicaciones

NDICE
1. PROPOSITO: Aplicacin en la prctica del diseo y simulacin de amplificadores clase A
como moduladores en AM ............................................................................................................ 3
2.

MATERIALES: PSPICE, MATLAB .......................................................................................... 3

3.

PROCEDIMIENTO ................................................................................................................. 3

4.

ANALISIS DE RESULTADOS................................................................................................ 11
4.1. Explique las ventajas de diseo y funcionamiento del amplificador clase A de la
figura No. 1 ............................................................................................................................. 11
4.2.

Cules son las ventajas y desventajas del modulador estudiado en esta prctica?
11

4.3.

Cul es la potencia total en AM desarrollada en RL? ............................................. 11

4.4. Cul es la potencia de las seales de banda lateral cuando Fc=1MHz y Fm=
3Khz? 13
5.

CONCLUSIONES .................................................................................................................. 13

6.

RECOMENDACIONES .......................................................................................................... 14

7.

BIBLIOGRAFA .................................................................................................................... 14

TEMA: DISEO Y SIMULACION DE UN MODULADOR AM CON

AMPLIFICADOR CLASE A
2

Informe de Sistemas de
Comunicaciones
1. PROPOSITO
o

Aplicacin en la prctica del diseo y simulacin de amplificadores clase A como

moduladores en AM

2. MATERIALES:

o PSPICE, MATLAB
3. PROCEDIMIENTO
3.1.

Disee un modulador en AM con BJT en clase A como el que se muestra

en la figura No.1 con los siguientes datos: Vcc=12 Vdc, VceQ=5Vdc,
IcQ=15mA, transistor 123Ap, Re= 47Ohms. Transformador T1= 1:1.
Calcular R1, R2, C1, C2, C3 si RL=470 Ohms.

DATOS:

Transistor 123AP ; (ya que en pspice no hay este transistor, se cambia en la simulacin
por el transistor 2N222 debido a que al final la salida de los dos es la misma aunque tengan
diferente cobertura, el uno de platico y el otro de vidrio)

Transformador T1 1:1
CIRCUITO EN CD PARA EMPEZAR LOS CALCULOS

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CALCULOS:

(
(

)
)

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)
(

PARA CAPACITOR 1:

PARA CAPACITOR 2:

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PARA CAPACITOR 3:

3.2.

Verificar el punto de funcionamiento Q:[VceQ, IcQ] antes de verificar el

comportamiento de amplificador en clase A. Llene la tabla No. 1.

Ilustracin 1: Verificacin del VceQ en la simulacin

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Ilustracin 2: Verificacin de IcQ en la simulacin

Frec.(KHz)
VceQ(V)
IcQ(mA)
Vin(mV)
Vout(mV)
Av=Vin/Vout

1
4.79
15.43
9
115.823
12.86

5
4.79
15.43
8
437.99
54.75

10
4.79
15.43
10
833.55
83.35

50
4.79
15.43
8
844.475
105.55

100
4.79
15.43
7
756.27
108.04

500
4.79
15.43
4
439.136
109.78

1000
4.79
15.43
5
536.780
107.356

Tabla 1: Verificacin del punto de funcionamiento y comprobacin de la seal portadora amplificada

3.3.

Fije generador G1 de RF en 300KHZ y 0mV, conecte a la base de C1,

mientras que el generador G2 de baja frecuencia est en 0V. Suba
levemente la tensin de G1 hasta observar que aparece la seal de
entrada amplificada en RL. Esta seal debe aparecer sin distorsin. Anote
en la tabla No. 1 el valor de la tensin mxima de G1 que permite una
seal amplificada sin distorsin

Frec.(KHz)
Amax(V)
Amin(V)
Modulante
M%

0.5
3.3
3.2
0.1
3.03

0.5
3.13
2.45
0.1
21.72

0.5
1.51
1.28
0.05
15.23

1
1.96
1.47
0.044
25

Tabla 2: Datos de la modulacin

1
1.03
0.87
0.02
15.53

1
1.04
0.883
0.02
15.09

1
1.03
0.883
0.02
14.27

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3.4.

Dibuje la seal de entrada de G1 y la seal de salida en RL

Ilustracin 3: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 1KHz

Ilustracin 4: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 5KHz

Ilustracin 5: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 10KHz

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Ilustracin 6: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 50KHz

Ilustracin 7: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 100KHz

Ilustracin 8: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 500KHz

Ilustracin 9: Seal de entrada G1 y seal de salida en RL con frecuencia de 1000KHz

3.5.

Encienda G2 y suba levemente su tensin desde cero hasta un valor tal

que aparezca en RL una seal de AM

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Ilustracin 10: Salida modulada con frecuencia de portadora de 1kHz

Ilustracin 11: Salida modulada con frecuencia de portadora de 5kHz

Ilustracin 12: Salida modulada con frecuencia de portadora de 10kHz

Ilustracin 13: Salida modulada con frecuencia de portadora de 50kHz

10

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Ilustracin 14: Salida modulada con frecuencia de portadora de 100kHz

Ilustracin 15: Salida modulada con frecuencia de portadora de 500kHz

Ilustracin 16: Salida modulada con frecuencia de portadora de 1000kHz

4. ANALISIS DE RESULTADOS
4.1.

Explique las ventajas de diseo y funcionamiento del amplificador clase A

de la figura No. 1

4.2.

Cules son las ventajas y desventajas del modulador estudiado en esta

prctica?

4.3.

Cul es la potencia total en AM desarrollada en RL?

11

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Comunicaciones
La potencias total desarrollada seria:

DATOS DE LA GRAFICA SIMULADA CON FRECUENCIA DE 1KHz

Mediante la frmula de Ac en funcin de Vmax y Vmin tenemos:

Para calcular m usamos la formula en funcin de los voltajes mximos y mnimos:

12

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4.4.

Cul es la potencia de las seales de banda lateral cuando Fc=1MHz y

Fm= 3Khz?

Ilustracin 17: Seal de salida con Fm=3KHz y Fc= 1MHz

DATOS DE LA GRAFICA SIMULADA CON FRECUENCIA DE 1KHz

Mediante la frmula de Ac en funcin de Vmax y Vmin tenemos:

Para calcular m usamos la formula en funcin de los voltajes mximos y mnimos:

5. CONCLUSIONES
o
o

Se pudo tambin concluir que el amplificador clase A es el ms comn y sencillo de

utilizar, pero este presenta un problema de disipacin de potencia.
Se pudo observar mediante los clculos que el modulador presenta una caracterstica
de ganancia variable, en el que el voltaje amplificado es la seal portadora que entra
en G1 mientras que la ganancia es controlada por la seal moduladora de baja
frecuencia, logrando as una seal de AM a la salida.

13

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Comunicaciones
o

o
o

Se pudo demostrar mediante la tabla 1 que si se logr una amplificacin de la seal G1

a la salida en RL sin distorsin para lo cual fue necesario bajar la amplitud de la seal
de G1 hasta lograr que se elimine la distorsin para todos los casos de frecuencias ,
demostrando as que un amplificador clase A presenta a su salida una seal idntica de
la entrada pero amplificada y sin distorsin
Se comprob el punto de funcionamiento tanto para VceQ e IcQ llegando a obtener un
valor casi aproximado al correcto
Debido a que en pspice no hay el transistor 123AP para la simulacin se utiliz el
transistor 2N222 debido a que al final la salida de los dos es la misma aunque tengan
diferente cobertura, el uno de plstico y el otro de vidrio.
Se pudo lograr eliminar todas las distorsiones de las amplificaciones para las distintas
frecuencias debido a que es transistor 2N2222 si opera adecuadamente a todas estas
frecuencias debido a que segn el datasheet su frecuencias mxima de operacin es
de 100MHZ

6. RECOMENDACIONES
o

o
o

Se recomienda verificar en el datasheet del transistor que se est ocupando, la

frecuencia lmite a la que opera el mismo, debido a que a muy altas frecuencias
cuando se sobrepasa dicho lmite los elementos ya no responden correctamente y se
puede producir una distorsin.
Recordar que para lograr una correcta grafica en la modulacin, la amplitud de la
portadora debe ser mayor que la amplitud de la moduladora
Verificar que el transformador que estamos utilizando, para este caso tenga una
relacin 1:1 en su configuracin para evitar errores en la modulacin, ya que esto
influye en gran manera en la misma.

7. BIBLIOGRAFA
o

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet_pdf/fairchildsemiconductor/2N1613_to_PN2221A.pdf

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