Captulo 1

Componentes Eletr
onicos Ativos
Suelia Siqueira Rodrigues Fleury Rosa

Introduc
ao
Ativos: Podem gerar ou amplificar sinais. Exemplo: Transistores bipolares, Transistores de efeito de campo, Tiristores, IGBTs (transistores potencia).

1.1

Transistores

Transistores sao um dos desenvolvimentos mais importante da fsica de estado solido

e da engenharia de dispositivos dos u
ltimos 50 anos. A integracao dos transistores tem
sido a base de todo o desenvolvimento da ind
ustria de informatica. Cada processador e
composto por uma infinidade de transistores. O nome transistor vem do ingles, sendo
composto por trans(fer+res)istor, ou seja, apresenta caractersticas de uma resistencia
associada com capacidade de transferir a informacao. O transistor e um dispositivo ativo,
portanto ele e capaz de amplificar a potencia do sinal de entrada necessitando de uma
fonte de alimentacao.
Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletronica que sao muitos fracos, como
por exemplo, as correntes eletricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de
uma cabeca de gravacao, etc. E para transforma-los em sinais u
teis torna-se necessario
amplifica-los. Antes da decada de 50, a valvula era o elemento principal nesta tarefa.
Em 1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juncao, como uma alternativa em relacao as valvulas, para realizar as
funcoes de amplificacao, deteccao, oscilacao, comutacao, etc. A partir da o desenvolvimento da eletronica foi imenso. Dentre todos os transistores, o bipolar e muito comum,
com semelhancas ao diodo estudado anteriormente, com a diferenca de o transistor ser
formado por duas juncoes PN (Figura 1.1), enquanto o diodo por apenas uma juncao.
A regiao de emissor e fortemente dopada, e a regiao de base e fracamente dopada. Ja
a regiao de coletor apresenta uma dopagem mediana.
A regiao de coletor e muito maior que as outras regioes devido ao fato de ser nesta
regiao que se dissipa todo calor gerado durante o funcionamento do transistor.

1.1.1

Polariza
c
ao do transistor NPN

As juncoes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.

1

CAPITULO 1. COMPONENTES ELETRONICOS

ATIVOS

Figura 1.1: Estrutura interna de um transistor NPN.

DIRETA
JUNC
OES
COM POLARIZAC
AO
Na Figura 1.2 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2
polariza diretamente o diodo coletor. Os eletrons livres entram no emissor e no coletor,
juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eletrica e alto nas
duas juncoes.

Figura 1.2: Polarizacao direta de um transistor NPN.

REVERSA
JUNC
OES
COM POLARIZAC
AO
Na Figura 1.3, os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A corrente
eletrica circulando e pequena (corrente de fuga).

Figura 1.3: Polarizacao reversa de um transistor NPN.

Quando se polariza as juncoes reversamente como na Figura 1.3, as juncoes se comportam como diodos comuns sofrendo uma alargamento da largura das camadas de deplecoes,
expansao esta limitada somente pelas caractersticas das juncoes. A juncao BE normalmente e capaz de suportar tensoes de ate 30 V. Ja a juncao BC suporta tensoes de ate
mais ou menos 300 V.

DIRETA - REVERSA
JUNC
OES
COM POLARIZAC
AO

1.1. TRANSISTORES

Na Figura 1.4 o diodo coletor esta reversamente polarizado e diodo emissor diretamente
polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta
corrente no diodo emissor. No entanto isto nao acontece, nos dois diodos as correntes sao
altas.
No instante em que a polarizacao direta e aplicada ao diodo emissor, os eletrons do
emissor ainda nao penetraram na regiao da base. Se a tensao entre base e emissor (VBE)
for maior que 0,7V, muitos eletrons do emissor penetram na regiao da base. Estes eletrons
na base podem retornar ao polo negativo da bateria B1, ou atravessar a juncao do coletor
passando a regiao do coletor. Os eletrons que a partir da base retornam a bateria B1 sao
chamados de corrente de recombinacao. Ela e pequena porque a base e pouco dopada.
Como a base e muito fina, grande parte dos eletrons da base passam a juncao basecoletor. Esta juncao, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritarios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas nao dos eletrons livres. Esses
atravessam sem dificuldade a camada de deplecao penetram na regiao de coletor. La os
eletrons livres sao atrados para o polo positivo da bateria B2.

Figura 1.4: Polarizacao reversa-direta de um transistor NPN.

Em suma, com a polarizacao direta do diodo emissor, e injetado uma alta corrente
em direcao a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinacao, retorna
ao polo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o
polo positivo da bateria B2. Polarizando o transistor da forma acima nota-se que existe
uma corrente circulando de E para B, pequena devido ao fato da base ser pouco dopada
(poucas lacunas disponveis para recombinacao).

Figura 1.5: Fluxo de eletrons na polarizacao reversa-direta.

A relacao entre a corrente de coletor e a corrente de emissor e conhecida por:
cc =

IC
IE

EMISSOR COMUM (EC)

CIRCUITO DE POLARIZAC
AO

CAPITULO 1. COMPONENTES ELETRONICOS

ATIVOS

a forma mais utilizada de se polarizar um transistor. O emissor esta cheio de eletrons

E
livres (material tipo N). Quando VBE for maior do que 0,7 V, o emissor injeta eletrons
na base. A base fina e levemente dopada dando a quase todos os eletrons oriundos do
emissor o poder de se difundir atraves da camada de deplecao do coletor (Figura 1.6).

Figura 1.6: Polarizacao de emissor comum.

A relacao entre a corrente de coletor e a corrente de base e chamada de CC e e muito
utilizado nos calculos de polarizacao de transistores em todas as regioes de operacao. Um
exemplo claro da utilidade do CC e a determinac
ao da corrente de base de um
transistor, quando pelo coletor flui uma determinada corrente.
IC
cc =
IB
IE = IC + IB

Figura 1.7: Sentido das correntes em transistores NPN e PNP.

es de operac
o de um transistor
Regio
a
Os transistores operam em duas regioes distintas, uma chamada de fonte de corrente
(regiao linear) e outra chamada de regiao de corte/saturacao.
Usa-se o transistor como: Chave, Fonte de corrente, Amplificador;
Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funcoes e os transistores
para cada funcao tem um ponto de funcionamento correto.
Observando os smbolos acima deve-se lembrar que:
1. A corrente de emissor sempre sera a corrente de base mais a corrente de coletor.
2. A corrente de coletor e aproximadamente igual a corrente de emissor.
3. A corrente de base e sempre muito menor que a corrente de coletor ou corrente de
emissor.

1.1. TRANSISTORES

1.1.2

Tipos

TRANSISTORES BIPOLARES
O transistor bipolar e constitudo por tres materiais semicondutor dopado. Dois
cristais tipo N e um tipo P ou dois cristais tipo P e um tipo N. O primeiro e chamado de
transistor NPN e o segundo de PNP (Figura 1.8).
Os transistores podem ter aparencia externa completamente diferentes, dependendo
da aplicacao que se fara dele, por exemplo, um transistor de sinal nao possui a mesma
aparencia externa de um transistor de potencia, que controle grandes cargas.

Figura 1.8: Transistores NPN e PNP.

Cada um dos tres cristais que compoe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua
funcao. O cristal do centro recebe o nome de base, pois e comum aos outros dois cristais, e
levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por
emitir portadores de carga e e fortemente dopado; finalmente o u
ltimo cristal tem o nome
de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem media. O transistor tem
duas juncoes, uma entre o emissor a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso,
um transistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda e comumente designado
diodo emissor - base (ou so emissor) e o da direita de coletor - base (ou so coletor).
Sera analisado o funcionamento do transistor NPN. A analise do transistor PNP e
similar ao do NPN.
Na Figura 1.9 temos os aspectos visuais (reais) de alguns tipos de transistores, encontrados no comercio

(a)

(b)

Figura 1.9: (a) Diferentes tipos de encapsulamentos e (b) suas respectivas aplicacoes
segundo a potencia de trabalho.


CAPITULO 1. COMPONENTES ELETRONICOS
ATIVOS

1.1.3

Caractersticas

o do Transistor
Alimentac
a
Por ser um componente ativo, o transistor precisa obrigatoriamente ser alimentado por
fontes externas para que possa ser utilizado. Os circuitos de polarizacao de transistores
mais comuns sao formados por fontes de tensao e resistores para de limitacao da corrente.
A polarizacao do transistor e definida pela relacao entre as correntes de base, emissor e
coletor. Ha diversas configuracoes possveis.
Beta do Transistor
o seu fator de amplificacao, da corrente de base (IB ) IC = IB , onde:
E
IC : Corrente de coletor;
IB : Corrente de base;
: Beta (ganho).
es ba
sicas
Configurac
o
Existem 3: BC, CC e EC. Cada uma com suas vantagens e desvantagens.
Base comum (BC)
Baixa impedancia (Z) de sada.
Alta impedancia (Z) de entrada.
Nao ha defasagem entre o sinal de saida e ode entrada.
Amplificacao de corrente igual a um.
Coletor comum (CC)
Alta impedancia (Z) de sada.
Baixa impedancia (Z) de entrada.
Nao ha defasagem entre o sinal de saida e o de entrada.
Amplificacao de tensao igual a um.
Emissor comum (EC)
Alta impedancia (Z) de sada.
Baixa impedancia (Z) de entrada.
Defasagem entre o sinal de saida e o de entrada de 180o .
Amplificacao de corrente de 10 a 100 vezes.

1.1. TRANSISTORES

Corrente de fuga
Chamada ICO circula entre coletor e base com emissor aberto. Chamada ICE circula
entre coletor e emissor com base aberta.
Tipos de Transistores
Vejamos os mais importantes: FET (transistor de efeito de campo), MOSFET(transistor
de efeito de campo com metal oxido semicondutor), UJT (transistor de unijuncao),
IGBT(transistor bipolar de porta isolada).
o de transistores
Classificac
a
Sao classificados como transistores de baixa, media e alta potencia.
lucro dos transistores
Invo
Devido ao calor produzido os transistores e outros componentes sao produzidos em
diversos formatos (chamados involucros ou encapsulamento), para sua instalacao em dissipadores de calor. OS transistores usam os: SOT 37,SOT 3, TO 39, SOT 9, TO 3, SOT
18, SOT 32, SOT 82, SOT 93, entre outros.
Transistor CHAVE
A forma mais simples de se usar um transistor e como uma chave, significando uma
operacao na saturacao ou no corte.
Quando o transistor esta saturado, e como se houvesse uma chave fechada do coletor
para o emissor. Quando o transistor esta cortado, e como uma chave aberta.

(a)

(b)

Figura 1.10: Transistor funcionando como chave: (a) circuito caracterstico e (b) formas
de onda na sada.

1.1.4

Novidades

ncia
Transistores Darlington de alta pote

CAPITULO 1. COMPONENTES ELETRONICOS

ATIVOS

A Allegro Microelectronics (www.allegromicro.com) esta anunciando dois novos transistores Darlington de alta potencia, indicados especialmente para aplicacoes em amplificadores de audio. Esses componentes, especificados como STDO1N (NPN) e STDO1P
(PNP) sao fornecidos em involucros TO-3P de 5 pinos, conforme mostra a Figura 1.11.

Figura 1.11: .
Os principais destaques desses transistores sao:
Diodos de compensacao de temperatura internos;
Alta potencia (100 W) em involucro pequeno TO-3P, minimizando o tamanho do
dissipador;
Diodos driver e de compensacao interna, reduzindo a quantidade de componentes
externos em um projeto;
Versoes NPN e PNP;
Terminais de emissor dispostos simetricamente nos pinos NPN e PNP de modo a
facilitar o projeto das placas de circuito impresso;
As aplicacoes indicadas pela Allegro sao:
Amplificadores de uso geral;
Amplificador de audio profissionais;
Amplificadores de audio para carro;
Os transistores STDO1N e sTDO1P utilizam a tecnologia de producao Sanken thinwafer de maneira a se obter elevados nveis de potencia com resistencia termica reduzida
e, alem disso, manusear tensoes muito mais altas que os dispositivos similares. Os diodos
de compensacao de temperatura sao integrados no mesmo chip, o que permite eliminar
retardos na deteccao do calor e, portanto, no circuito de compensacao. Isso significa a
possibilidade de se usar esse componente em aplicacoes onde a estabilidade de temperatura
e crtica.
Originalmente publicado na revista Saber Eletronica - Ano 44 - N
umero 429 - Outubro
de 2008.

1.1. TRANSISTORES

ncia
Transistor de RF de Alta Pote
A Microsemi lancou recentemente o transistor TAN350 para aplicacoes em avionicas
de RF de alta potencia.
Esse componente consiste em um transistor bipolar de base comum projetado para
sistemas pulsantes na faixa de freq
uencias entre 900 e 1215 MHz.
O dispositivo tem uma metalizacao fina a ouro de modo a se obter melhor MTTF.
O transistor ainda inclui um pre-casamento de entrada e sada para maior capacidade
de ampliacao de faixa.
Caractersticas:
Dissipacao maxima: 1450 W;
Tensao maxima entre coletor e base: 65 V;
Tensao maxima entre emissor e base: 2 V;
Corrente maxima de coletor: 40 A;
Potencia de sada: 350 W (min);
Potencia de entrada: 70 W (max);
Ganho de potencia: 7,5 db (tip);
Descasamento mnimo admitido para 1090 MHz: 3:1;
Ganho estatico de corrente: 10 (min).
Veja na tabela da Figura 1.12 as caractersticas de impedancia para as diversas freq
uencias
de operacao:

Figura 1.12: .
Originalmente publicado na revista Saber Eletronica - Ano 44 - N
umero 422- Marco
de 2008

1.1.5

Problemas

1. Qual a diferenca entre um BJT tipo NPN e um PNP? Discuta a diferenca fsica de
construcao e as diferentes polaridades envolvidas na montagem.
2. Explique, por meio de esquemas o funcionamento de um BJT NPN:
i) Identifique a base, o coletor e o emissor;
ii) Caracterize as juncoes PN formadas;
iii) Explique as caractersticas necessarias `a base na construcao de um BJT;

10

CAPITULO 1. COMPONENTES ELETRONICOS

ATIVOS
iv) Em um diagrama de bandas, mostre a polarizacao das juncoes sem polarizacao,
ressaltando quem sao os portadores majoritarios e minoritarios em cada elemento
da construcao do transistor. Nao esquecam das bandas dos dopantes!
v) Polarize as juncoes e discuta o comportamento do transistor polarizado.
3. Explique como ocorre o ganho em corrente CC para um BJT.
4. Discuta, com valores numericos, todas as polarizacoes necessarias para a operacao
de um transstor na regiao ativa. Valores tpicos de VCE , VBE , VCB e CC para o
BD135, utilizado em classe. Todas as questoes numericas sobre BJT serao sobre o
BD135.
5. Desenhe a montagem para um transistor operando com uma tensao V CC = 10V ,
uma corrente na base controlada por uma resistencia RB, com RC = 470W , de
forma que passe uma corrente de 10mA sobre RC . Esta montagem e similar `a
realizada em classe.
i) Escolha o valor adequado de RB ;
ii) Desenhe toda a distribuicao de potencial sobre o circuito; como a tensao aplicada
VCC e distribuda sobre os componentes;
iii) Qual o menor valor possvel de VCC para que o transistor opere de forma correta;
controlando a corrente, polarizado em sua regiao ativa?
iv) Se RC fosse substitudo por uma resistencia de carga, qual seria o maior valor
possvel para esta carga, a fim de se garantir a passagem de 10mA no circuito?