ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

LABORATORIO DE
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

TRABAJO PREPARATORIO

Prctica #: 10
Tema: Polarizacin de JFETs y amplificadores usando
JFETs.

Ismael Kastillo
GR 6

1. Consultar las principales caractersticas de los transistores

de efecto de campo y presente un cuadro con las
semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y
los de juntura bipolar.
El transistor de efecto campo es en realidad una familia
de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de
procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea mono
cristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin
activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es
una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio,
puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de
cristal lquido o LCD).
Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi
100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad
trmica.
DIFERENCIAS
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho
de que el BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que
el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras
palabras, la corriente IC es una funcin directa del nivel de IB. Para el
FET la corriente ID ser una funcin del voltaje VGS aplicado a la
entrada del circuito.

SEMEJANZAS
La semejanza que hay entre el JFET y un transistor bipolar es que
ambos dispositivos tienen tres terminales de conexin externas,
ambos tiene dos diodos internos con una barrera de potencial de 0.7 V
y ambos tienen tres regiones de inters. Adems ambos pueden
amplificar una seal de entrada y son dispositivos de control de
corriente IC ID.
2. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N5457 y
2N3819 y K161, presente un cuadro con los valores de los
parmetros ms importantes.

Vdd
VALUE=16

R1
2k
+88.8

Vo

Volts

Q1

C2

2N3370

R2

100u

+88.8

1000k

Volts

+88.8

BAT1

Volts

2V

3. Calcular los voltajes de polarizacin para los circuitos de la

Figura 1.
Vdd
VALUE=18

Vdd
VALUE=20

R7

R3

910k

2.4k

R3
3.3k

Q2

Q2

2N3819

R4
220k

2N3819

R4

R5

R5

1000k

1k

1.2k

Figura 1:

a)

b)

Circuito

VD

VG

VS

Fig. 1a)

10.1 V

3.5 V

3.93 V

Fig. 1b)

17.6 V

2 mV

0.732 V

4. Disee un circuito usando un JFET canal n polarizado con

divisor de voltaje con los siguientes datos: ID=IDSS/2,
VDS=10V, VDD=20V, VG=1.5V y R2=100K. Considere el Vp de
su transistor.

R1(1)

R1

R3

Parmetros

Valor

Vdd

20 V

R1

1.2 M

R2

100 k

RD

680

RS

390

2.4k

910k

Q1
2N3819

R2

R4

220k

1.2k

5. Disee un circuito usando JFET canal n auto polarizado con

los siguientes datos: ID=IDSS/2, VDS=6V, VDD=12V, y RG=1M.
Considere el Vp de su transistor.

R5(1)

Parmetros

Valor

Vdd

12 V

RD

330

RS

220

RG

1 M

R5
3.3k

Q2
2N3819

R6

R8

1000k

1k

6. Realizar la simulacin del circuito diseado en la figura 2 en

un software computacional y presentar las formas de onda
de entrada y salida.

R3

R5(1)

2.7k

C3
C2(2)

R1
2.2M

C2(2)
AMP=200m
OFFSET=0
FREQ=1k
PHASE=0
THETA=0

BAT1

10uF

Q1

C2

R5

2N3819

15V

10M
0.1uF

R2

R4

270k

1.5k

C1
47uF

Figura 2.- Amplificador con FET.

Grficas

Vent

Bibliografa:
http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/5/4/2N5457.shtml
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/polarizacion_fet.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo

Vsal