AU

ULA3

ELETR
NICADEPO
OTNCIA
EVANDRODECARV
VALHOGOM
MES
PERDASNASC
CHAVESSEMICONDUTOR
RAS

1 CARACTEERSTICASDA
1.
ASCHAVESCONTROLADA
AS
a) Bloqu
uearaltastensesdiretasereversascomcorrenttezeroquan
ndodesligadaas;
b) Cond
duziraltascorrentescomtensozero
oquandoligaada;
c) Ligaredesligarin
nstantaneam
mentequando
odisparado;
d) Nocconsumirpotnciadocirrcuitodecon
ntrole.

2 PERDASN
2.
NASCHAVESS(APROXIMA
AOLINEAR
R)
2.1. A fim
m de avaliar a dissipao de pot
ncia em um
ma chave semicondutora de
potn
ncia(genricca),utilizaseeocircuitom
mostradoabaaixocomom
modelolinearr.

Modelollinearparaa
anlisedapeerdadepotn
ncianaschavessemicondutoras.

2.2. Aoseerdisparadaoubloquead
da,achaveccontroladaap
presentaum
mtempodeaatraso
paarainiciaracconduooubloqueio;
2.3. Ointervalodechaveamentodoestadode
esligadoparaaoestadoliggadodefinido
por:

2.4. Aeneergiadissipad
daduranteeessatransiodadapor:
1
2
2.5. Aeneergiadissipad
daduranteo
operododeconduop
podeserapro
oximadapor:

2.6. Ointervalodechaveamentodoestadoliggadoparaoeestadodesliggadodefinido
por:

2.7. Aeneergiadissipad
daduranteeessatransiodadapor:
1

2
2.8. Aperrdadepotn
nciamdiano
ochaveamentopodeserraproximadaapor:
1

2
2.9. Apottnciamdiaadissipadaduranteoesttadoligadodadopor:

2.10.

A
Aperdadepo
otnciamdiatotal:

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Caractersticasdechaveamentolinearizadasdeumachavegenrica:
a) Circuitodeaoindutivasimplificado;
b) Formasdeonda;
c) Perdasdepotnciainstantneasnaschaves.

3. CONTROLEDETEMPERATURADOSCOMPONENTESSEMICONDUTORESDEPOTNCIA
3.1. O limite superior terico na temperatura de um dispositivo semicondutor
chamadodetemperaturaintrnseca ;
3.2. Osfabricantesdesemicondutoresdepotnciagarantemosvaloresmximosdos
parmetrosdosdispositivosnatemperaturamximaespecificada,quepodevariar
comotipodedispositivo,masquegeralmenteestem125C;
3.3. A escolha do dissipador de calor (menor e mais econmico) faz parte do projeto
dossistemasdeeletrnicadepotncia.

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4. TRANSFERNCIADECALORPORCONDUOeRESISTNCIATRMICAPORCONDUO
4.1. Quandoummaterialpossuiumadiferenadetemperaturaemsuasextremidades,
h um fluxo de energia (calor) da extremidade de temperatura mais alta para a
extremidadedetemperaturamaisbaixa.

4.2. ALeideFourierparaatransfernciadecalorporconduodadapor:

Onde:
atemperaturamaisaltaem(C);
atemperaturamaisbaixaem(C);
areadasecotransversalem(m2);
ocomprimentoem(m);
ocoeficientedecondutividadetrmica.

4.3. Ocoeficientedecondutividadetrmicaelevadoparaosbonscondutoresebaixo
para os isolantes trmicos. Para o alumnio com 90% de pureza, geralmente
utilizado na fabricao de dissipadores de calor, a condutividade trmica
220W/(mC).
4.4. Aresistnciatrmicadeconduoem[C/W]definidacomo:

,
Assim:

4.5. Nos dispositivos semicondutores, o fluxo de calor deve atravessar materiais

diferentes, com diferentes coeficientes de condutividade trmica, reas e
espessuras.
,

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dadapor:

4.6. Aresistnciatrmicatotaldajunoparaoambiente

4.7. Atemperaturaresultantedajuno,assumindoumadissipaodepotncia :

5. IMPEDNCIATRMICATRANSITRIA
5.1. Seapotnciadeentrada
estiveremfunodotempo,deveroserutilizados
os grficos da impedncia trmica transitria fornecida pelo fabricante nos
datasheets.

5.2. Atemperaturatransitriadajuno,assumindoumadissipaodepotncia

6. DISSIPADORESDECALOR
6.1. Manter a temperatura da juno dos dispositivos de potncia dentro dos limites
aceitveis uma responsabilidade conjunta do fabricante do dispositivo e do
atravsdo
usuriododispositivo.Ofabricanteminimizaaresistnciatrmica
encapsulamento.Ousuriodeveproporcionarumcaminhodeconduoafimde
deumamaneiraefeciente.
minimizararesistnciatrmica
6.2. Aresistnciatrmicajunoambientemximapermitidapodeserestimadapor:

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6.3. Existem inmeros modelos de dissipadores de calor com diferentes resistncias

trmicas
.

7. TRANSFERNCIADECALORPORRADIAOECONVECO
7.1. Asresistnciastrmicas
sofornecidaspelosfabricantesdedissipadoresde
calor. No entanto, para entender como o dissipador de calor pode ter seu
desempenho melhorado sob deferentes condies, devese entender os
mecanismosdatransfernciadecalornoscorposatravsdaradiaoeconveco.
7.2. AtransfernciadecalorporradiaodadapelaLeideStefanBoltzman,ouseja:

5,7. 10
Onde:
apotnciaradiadaem(W);
aemissividadedasuperfcie(W/m2K4);
atemperaturadasuperfcieem(K);
atemperaturadoambienteem(K);
areadasuperfcieexternadodissipadordecalor,incluindoosfins,em(m2).

7.3. Aemissividadedadanaliteraturaparadiferentessuperfcies 0 1 .Parao

dissipadordecalorcomalumniorevestidoporcamadadexidopreto,ovalorde
0,9,enquantoparaoalumniopolidocorrespondea
0,05;

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7.4. Aresistnciatrmicaporradiaodadapor:

5,7

100

100

7.5. A transferncia de calor por conveco dada por uma modificao da Lei do
ResfriamentodeNewton,ouseja:
1,34

Onde:
apotnciaperdidaporconvecoem(W);
areadasuperfcievertical(oureadasuperfcietotaldocorpo)em(m2);
adiferenadetemperaturaentreasuperfciedocorpoeoardoambiente
em(CouK);
aalturadocorpoem(m).

7.6. A equao da potncia de conveco vlida apenas para corpos com altura
inferiora1metro.
7.7. Aresistnciatrmicaporconvecodadapor:
,

1
1,34

7.8. Aresistncia trmicadodissipadorconstitudapelacombinaodosefeitosda

radiaoeconveco,resultandoem:
,
,

,
,