1.

3 ETAPAS DE SALIDA EN CLASE B Y AB

ORGANIZACIN:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Introduccin
Etapas en clase B y AB
El amplificador push-pull
Rendimiento de la etapa de salida en clase B
Etapas en clase AB
Reduccin de la distorsin de cruce mediante la realimentacin negativa
Circuitos con una sola fuente de alimentacin

REFERENCIAS
- A.R. Hambley: Electrnica, 2 ed., Prentice Hall, 2000; apartado 10.4
(consultar tambin el apartado 9.2: Un ejemplo con distorsin de cruce)
- A. Sedra, K.C. Smith: Circuitos Microelectrnicos, McGraw-Hill
5 ed. (2004): secciones 14.1, 14.3, 14.4, 14.5
4 ed. (1998): secciones 9.1, 9.3, 9.4, 9.5
- J. Pleite Guerra (y otros): Electrnica Analgica para Ingenieros, McGraw-Hill, 2009; captulo 17 (pgs. 207-214)
- A.P. Malvino, Principios de Electrnica, McGraw-Hill, 2000; captulo 12
1

1. Introduccin
Etapas en clase A: transistor de salida polarizado en zona activa
El transistor conduce sin aplicar seal al circuito (vg = 0): esta es la corriente de polarizacin ICQ

El transistor disipa potencia en continua

Forma de onda de la corriente de colector (clase A)

(potencia disipada en continua VCEQICQ)

ICQ (corriente de polarizacin)> Icp (amplitud de la seal):

el transistor conduce durante el ciclo completo de
la seal de entrada (ngulo de conduccin 360o)
Rendimiento de la etapa: limitado al 25 %

iC
ICp

ICQ

+ VCC

iC

vI

Vbias
0.6 V

iE

vO

iL
Ibias

- VCC

iC = ICQ + ICpsen(t)

Q
vg

ICQ( Ibias): nivel de continua (DC)

ICpsen(t): seal
(AC)

RL
Cuestiones:
(1) En qu condiciones disipa el transistor Q la mxima potencia? Qu
valor tiene esta potencia?
(2) Cul es la mxima corriente que puede circular por Q?
(3) Cul es la mxima cada colector-emisor posible en Q?
2

2. Etapas en clase B y AB
Etapas en clase B: transistor de salida polarizado
con corriente DC cero (en la regin de corte)

iC

Conduce durante un semiciclo de la seal de

entrada (ngulo de conduccin de 180o)

ICp
0

Para reproducir los semiciclos negativos se emplea otro transistor que tambin opera en clase B

Etapas en clase AB:

- los transistores estn polarizados en zona activa, pero cerca del corte (ICQ << ICp)
- conducen durante algo ms de un semiciclo (ngulo de conduccin > 180o, pero << 360o)
Etapas en clase A, B y AB: se emplean en amplificadores de audio y como etapas de salida en los
amplificadores operacionales
Etapas en clase C: los transistores conducen durante menos de un semiciclo.
Aplicacin en amplificadores de radiofrecuencia (RF): telefona mvil, transmisores de TV,
La forma de onda es una corriente pulsante.
Para obtener una tensin de salida senoidal se utiliza un circuito LC paralelo sintonizado a la frecuencia de la seal
de entrada. El circuito LC acta como un filtro pasa banda: produce una seal con igual frecuencia que la de
3
entrada, y rechaza las componentes con una frecuencia distinta.

3. Etapas en clase B: el amplificador push-pull

En la etapa push-pull se utilizan dos transistores,

Q1 y Q2 , polarizados en la regin de corte.
Si vg = 0, con las bases a 0 V, las cadas BE de Q1 y Q2
son de 0V: los transistores no conducen en continua

+ VCC

Q1

Slo conducen aplicando tensiones suficientes a la

base (como mnimo 0.5 V en transistores de silicio)
Cuando vg tiene una amplitud superior a 0.5 V,
Q1 y Q2 conducen en semiciclos alternos

vO
vg

|vg| > 0.5 V:

Q1 conduce durante el semiciclo positivo
Q2 conduce durante el semiciclo negativo

Q2

RL

- VCC

Cuestin.Justificar que si las bases estn a tierra (vg = 0), entonces el nico estado posible para
los dos transistores es el de corte, siendo de 0 V las cadas base-emisor.

3. El amplificador push-pull: funcionamiento

+ VCC
Q1
conduce

Semiciclo positivo (con vg > 0.5 V):

Q1 conduce - Q2 en corte

Q1 entrega la corriente a la carga

(push)

vO
vg

Como iL = iE1 iC1, la fuente +VCC aporta casi

toda la corriente a la carga

Q2
en corte

RL

- VCC
+ VCC
Semiciclo negativo (con vg < -0.5 V):
Q1 en corte - Q2 conduce

Q1
en corte

La corriente de carga se cierra

entrando en Q2 (pull)
Como iL = iE2 iC2, la fuente -VCC aporta casi
toda la corriente a la carga

vO
vg

Q2
conduce
- VCC

RL

3. El amplificador push-pull: formas de onda de entrada y salida

Tensin de entrada (vg)
0.5 V
0
- 0.5 V

Tensin de salida (vO)

Q1 conduce
Q2 en corte

Q1 y Q2 en corte:
distorsin de cruce

Q1 en corte
Q2 conduce

Distorsin de cruce: la seal de salida se mantiene a 0 V en el cruce por cero de la seal de entrada, y ya no es una rplica
fiel de la seal de entrada.
Esto se debe a que mientras la tensin de entrada no alcanza un valor suficiente, los transistores se mantienen en corte.
El efecto es ms perceptible cuanto menor amplitud tenga la seal de entrada.
6

+ VCC

3. El amplificador push-pull: curva de transferencia

vO

Q1
+
VBE1 vI

VCC VCE1sat

VEB2 +
-

vO
Q2

RL

1
1
vO = vI - VBE1

-0.5 V

-VCC + VEC2sat VEB2

VCC VCE1sat + VBE1

+0.5 V

vI

- VCC
Suponemos que cuando Q1
(Q2) conduce, la tensin en el
diodo emisor es constante:
VBE1(VEB2)

1
1
vO = vI + VEB2

-VCC + VEC2sat
Fuente: A. Sedra, K.C. Smith, Circuitos Microelectrnicos, McGraw-Hill (2004)

Ejercicios.
(1) Representar la recta de carga correspondiente al transistor Q1. Suponer VCE1sat = 0 V.
Marcar la posicin del punto de trabajo sobre el sistema de ejes iC1-vCE1. Indicar tambin el valor de la pendiente.
Suponiendo que se produce la mxima excursin de seal, completar la grfica con las formas de onda de iC1 y vCE1.
(2) En los transistores de la etapa push-pull, cules son los mximos valores posibles de: (a) la corriente de pico de colector;
(b) la tensin entre colector y emisor?

+ VCC

4. Rendimiento de la etapa de salida clase B

iC1

Suponemos que vO es senoidal

Vop2
con amplitud Vop
PO =
2RL

Q1
vO

iC1
vg

Q2

ICp

RL

iC2
- VCC
T/2

3T/2

Potencia media entregada por las fuentes de alimentacin:

iC2

PS + = VCC IC 1avg ;

ICp

PS = VCC IC 2 avg

iC1 e iC2 son seales rectificadas en media onda(*):

IC1avg = IC 2avg =
0

T/2

3T/2

2T t

ICp

(*) Matemticamente:
T

IC 1avg

1
1
= iC 1dt =
T0
T

T /2

Cp

sentdt =

I
1
( 1 )
ICp
[cos t ]T0 / 2 = Cp
T

ICp
ICp
ICp
T

cos
cos 0 = (cos cos 0 ) = ( 2 ) =
2
2

T = 2

4. Rendimiento de la etapa de salida clase B (cont.)

PS + = VCC IC1avg =

VCC ICp

VCCVop

Tambin: PS = VCC IC 2 avg = VCCVop

RL

RL

Vop2
V
PO

2RL
Rendimiento: =
=
= op
Valor mximo para Vop = VCC: max = 0.785 (78.5 %)
V V
PS + + PS
4VCC
4
2 CC op
RL
PD
Potencia disipada por los transistores:
ICp ILp = Vop/RL

PD = PQ1 + PQ 2 = PS + + PS PO =

2VCCVop

RL

2
op

2RL

PDmax

PD max

= 50%

2V 2
= 2 CC
RL

= 78.5%

Esta potencia vara con Vop.

El mximo lo tenemos cuando Vop = 2VCC/ (*)

PD max

2VCC2
= 2
RL

PQ1max = PQ 2 max

VCC2
= 2
RL

2VCC

VCC

Vop

Ejercicio.- Justificar que si Vop = 2VCC/, entonces el rendimiento es del 50 %

(*)

Esto se comprueba calculando el mximo de la funcin PD = f(Vop):

2
dPD
d 2VCCVop Vop 2VCC Vop
2VCC

=
=

=
0

V
=
op
dVop dVop RL
2RL RL RL

5. Etapas en clase AB
Fuente: A.R. Hambley, Electrnica, 2 ed., Prentice Hall, 2000

Se puede reducir la distorsin de cruce polarizando los

transistores con una pequea corriente, lo que se consigue con
las fuentes de tensin Vbias

+VCC
Vbias

Para vg = 0, vo = 0, de forma que cae una tensin Vbias en las

uniones base-emisor de Q1 y Q2

Q1
vO

El valor de Vbias determina la corriente de reposo IQ:

IC1 = IC 2 = IQ I S e

Vbias VT

Para conseguir que el punto de trabajo est cerca de la regin

de corte, en la prctica IQ se elige de forma que sea mucho
menor que la mxima corriente por la carga

vg

Q2

RL

Vbias
-VCC

Si aumenta la temperatura, las tensiones base-emisor caen en unos 2.5 mV/oC . Si las tensiones Vbias se mantienen constantes y aumenta la
temperatura, se puede producir un aumento de la corriente por los transistores. Mayor corriente implica mayor disipacin de potencia en los
transistores y a su vez un mayor incremento de la temperatura. Puede producirse un efecto de embalamiento trmico (thermal runaway) y
llegar a destruirse los transistores. Esto ltimo va a depender de la forma de eliminar el exceso de calor. Como veremos, para que no se
calienten excesivamente los transistores, stos deben montarse sobre disipadores.
Veremos despus que existen otras formas de polarizar los transistores. Tambin veremos que el rendimiento de este tipo de circuitos es en
la prctica inferior al de una etapa en clase B
10

5. Realizacin de las etapas en clase AB

+ VCC

R1

Las cadas de tensin para polarizar en directa las

uniones base-emisor de los transistores se pueden
generar con una pareja de diodos.
Conectando en serie con D1 la resistencia R2, la
tensin de polarizacin en la base de Q1 es la suma
de las cadas en D1 y R2.
Montando los diodos sobre los mismos disipadores que Q1 y Q2
los dispositivos tienen casi la misma temperatura. Si sta
aumenta, la tensin de polarizacin disminuye, ya que las
cadas de tensin en los diodos disminuyen.

Las resistencias RE se emplean para mejorar la

estabilidad del punto de trabajo de Q1 y Q2 (en
particular, la estabilidad frente a cambios de
temperatura).
En la bibliografa encontramos otras versiones del circuito que
no incluyen la resistencia R2.

Q1
D1
R2

RE
vO

R2
vg

RE

D2

RL

Q2
R1
- VCC
Fuente: A.R. Hambley, Electrnica, 2 ed., Prentice Hall, 2000

11

Amplificador en clase AB: ejemplo

Dado el circuito de la figura:

R1
VCC

Q1
CB

D1

D2

vi

RL

+
vo
--

Q2
R2

VCC

(a) Calcular R1 y R2 para que el valor de vo en reposo

sea 0 V.
(b) Indicar la mnima y mxima tensin que
soportan los transistores.
(c) Si la tensin de entrada tiene un valor de pico de
6 V, indicar la corriente de pico de salida.
(d) Obtener la potencia media entregada a un
altavoz de 8 (RL = 8 ).
(e) Obtener la potencia suministrada por las
fuentes, la potencia disipada por los transistores y
el rendimiento del circuito.

Datos:

Notas:
No se tiene en cuenta la potencia disipada por los diodos ni
por las resistencias R1 y R2.
Las corrientes inversas de saturacin de los diodos y de las
uniones base-emisor de los transistores se suponen iguales.

Q1 y Q2: VBE1 = VEB2 = VD1 = VD2 = 0.6 V

VCC = 10 V
CB

Consultar:
J. Pleite Guerra (y otros): Electrnica Analgica para Ingenieros,
McGraw-Hill, 2009; Problema 17.1 (pgs. 345-348)

12

Amplificador en clase AB
RESOLUCIN
Representamos el circuito equivalente en continua. Suponiendo IBQ1 = IBQ2 = 0,
las corrientes por los diodos estarn determinadas por R1 y R2. Adems:
ID = IS (eVD VT 1); IE = I S (eVBE

VT

1)

Como las corrientes IS coinciden y VBE1 = VEB2 = VD1 = VD2 , las corrientes de
emisor de los transistores son iguales a las corrientes de los diodos.
De forma similar a como ocurra con el espejo de corriente.

ID

R1
IBQ1

(a) Si VO = 0 V, las tensiones en las bases deben ser:

VBQ1 = VBE 1 = 0.6V ; VBQ2 = VEB2 = 0.6V

D1

Las corrientes por R1 y R2 deben ser iguales:

VCC VBQ1 10 0.6 9.4V

=
=
ID
ID
ID
V ( VCC ) 0.6 + 10 9.4V
R2 = BQ2
=
=
= R1
ID
ID
ID
Por tanto las resistencias de polarizacin deben elegirse del mismo valor.
R1 =

(b) La mnima cada de tensin entre colector y emisor en los dos transistores
se produce cuando entran en saturacin
La cada de tensin mxima en Q1 se produce con Q1 en corte y cuando Q2
entra en saturacin:

+
VBE1 -

VCC

Q1
IE1

ID
IE2

D2

VEB2 +
-

RL
Q2

+
VO
--

VCC

IBQ2
ID

R2

VCE1(max) = VCC (-VCC + VEC2sat) 2VCC = 20 V

De forma similar, con Q2 en corte y Q1 en saturacin tendremos:
VEC2(max) = (VCC VCE1sat) (-VCC) 2VCC = 20 V

13

Etapa en clase AB: resolucin

(c) Si la tensin de entrada tiene un valor de pico de 6 V, la tensin de pico en la salida es: Vop = Vip + VD VBE = Vip = 6 V.
Por tanto, la corriente por la carga tiene como valor de pico: ILp = Vop/RL = 6/8 = 0.75 A
(d) La potencia media entregada a la carga ser: PL = I

0.752 8
R =
=
= 2.25W
2
2

2
L( ef ) L

ILp2 RL

(e) Cuando la tensin de entrada es positiva, la corriente por la carga la entrega principalmente Q1 (que acta como
seguidor por emisor). Como IC1p ILp, la potencia media entregada por la fuente +VCC ser:
PS + = VCC IC 1avg =

VCC ICp

VCC ILp

10 0.75

= 2.39W

Durante el semiciclo negativo, la corriente la suministra principalmente Q2 (transistor que acta ahora como seguidor).
Igual que antes:
PS = VCC IC 2 avg = 2.39W
Al despreciar la potencia disipada en los diodos y las resistencias R1-R2, tendremos:
PD = PQ1 + PQ2 = PS + + PS PL = 2 2.39 2.25 = 2.53W

Finalmente, el rendimiento ser: =

PL
2.25
=
= 0.471 (47.1 %)
PS + + PS 2 2.39

14

6. Correccin de la distorsin de cruce mediante la realimentacin negativa

Podemos emplear un amplificador operacional (o un

+ VCC

amplificador diferencial) para corregir la distorsin de

cruce).

Q1
+
vg

vO

A
-

Q2

RL

- VCC

Gracias a la realimentacin negativa, el amplificador

operacional tiende a mantener a la misma tensin las
dos patillas de entrada (porque la ganancia A tiene un
valor grande).

Las formas de onda de vg y vO tendrn
prcticamente la misma forma. Idealmente, el circuito
funciona como un seguidor de tensin, pero con la
ventaja de que los transistores permiten entregar una
corriente mucho mayor a la carga.
Un amplificador operacional como el LM741 puede entregar
una corriente mxima de unos 25 mA.
Al utilizar los transistores, las corrientes de base se amplifican
en un factor igual a la de los transistores. Es decir, ILp IBp

Q1 y Q2 estn simultneamente en corte para un rango de tensiones muy estrecho.

La tensin de pico Vgp necesaria para poner en conduccin los BJT ya no es VBEon, sino VBEon/A
Por ejemplo, con A = 2105 V/V (LM741) y VBEon = 0.6 V:
Q1 conduce para vg 3 V
Q2 conduce para vg -3 V
15

6. Correccin de la distorsin de cruce mediante la realimentacin negativa

Se puede amplificar la tensin utilizando dos resistencias en el
lazo de realimentacin

+ VCC

Idealmente, un amplificador operacional tiene una ganancia

infinita. Esto hace que, al realimentarlo negativamente, las dos
patillas de entrada estn a la misma tensin (propiedad del
cortocircuito virtual)

Q1
+

vg

vO

Q2

- VCC
R1

RL

Las corrientes de entrada en el operacional son nulas, de modo

que R1 y R2 forman un divisor de tensin. Por tanto vN se relaciona
con vO segn:
R2
vN =
vo
R1 + R2
En el circuito tenemos vg = vP. Y como las tensiones de entrada
del operacional coinciden, tenemos tambin vg = vN. As:

vg =

R
R2
v o v o = 1 + 1 vg
R1 + R2
R2

La ltima relacin pierde validez si tenemos en cuenta las desviaciones del

comportamiento ideal: por ejemplo, el valor finito de la ganancia A.

R2

Otro aspecto a tener en cuenta en los circuitos prcticos es el slew-rate

(velocidad de respuesta) del operacional.

16

6. Circuitos con una sola fuente de alimentacin

+ VCC

2VCC

Q1

Q1
0 V (en DC)

VCC (en DC)

+

vO

Q2

RL

Q2

vO
RL

- VCC

Si solo se utiliza una fuente de alimentacin, sta debe tener el doble de tensin para entregar la misma potencia a RL.
Para obtener seales con la mxima amplitud, la tensin de reposo en los emisores debe ser VCC (la mitad de la tensin
de alimentacin). La forma de onda en los emisores tiene un nivel de continua VCC, pudiendo variar la tensin en los
emisores entre 0 y 2VCC: la componente alterna tiene una amplitud VCC.
El condensador bloquea la componente continua y deja pasar la alterna. As puede conseguirse una seal de salida de
amplitud mxima (VCC ) y entregar a la carga una potencia mxima de valor:

VCC2
PO(max) =
2RL

17

6. Etapa en clase AB con una sola fuente de alimentacin

El condensador C2 permite acoplar la tensin alterna a la carga y
bloquea la tensin continua. El condensador de acoplo de entrada C1
puede ser o no necesario, dependiendo de cmo se obtenga la seal de
excitacin vI.
Debe respetarse la polaridad al conectar estos condensadores.
Ajustando el circuito de forma que la tensin de reposo en los
emisores sea VE = VCC/2, se puede obtener una seal de amplitud
mxima en la carga:

+VCC
R1
Q1

vI

C1

D1
E

vO
C2

D2

vE

RL
VCC

Q2

vO

VCC/2
VCC/2

VCC/2

R2

Las expresiones obtenidas para la etapa push-pull con alimentacin doble (+VCC y -VCC) deben modificarse. Pero basta

con reemplazar VCC por VCC/2. Por ejemplo:

2

PO max

VCC

VCC2
2

=
=
2RL
8RL

PQ1max = PQ 2 max

VCC

VCC2
2

= 2
= 2
RL
4 RL
18

6. Etapa en clase AB (una sola fuente

de alimentacin)
Circuito de
polarizacin:

+VCC

+VCC

R1
R1

Q1
+

vI
C1

D1

Q1
+
C2

D2

vO
RL

D1
D2

Q2

+
2VBE

Q2

R2
R2

Circuito de polarizacin:
Los diodos de compensacin establecen una tensin entre las entre las bases igual a 2VBE.
Si los diodos y los BJT tienen la misma corriente inversa de saturacin (IS), las corrientes por los diodos y las
corrientes de colector son iguales, como ocurra con los espejos de corriente.
R1 y R2 se eligen del mismo valor, R. Entonces la corriente por los diodos se expresa:

ID

VCC 2VBE VCC 2VBE

=
R1 + R2
2R
19

Otras relaciones para los clculos de potencia

Se indican dos relaciones que pueden ser tiles para calcular
- la mxima potencia que se puede entregar a la carga
- la disipacin mxima de potencia de los transistores
Se pueden aplicar a las etapas en clase B o AB, con una o dos fuentes de alimentacin.

PO max

MPP 2

8RL

PQ max

MPP 2

40RL

MP (MPP): mxima tensin de pico (pico a pico) en la salida.

Las relaciones anteriores se justifican fcilmente. Por ejemplo:
Etapa en clase B (amplificador push-pull),
alimentada a +VCC y VCC

+ VCC

MP = VCC ; MPP = 2MP = 2VCC

vO

PO max
PQ max

MPP

V
MP 2 MPP 2

=
=
=
2RL 2RL
2RL
8RL
2
CC

VCC

vO

RL

V2
MP 2 MPP 2 MPP 2
= 2CC = 2 = 2
RL RL 4 RL 40RL
- VCC

Etapa en clase AB con una sola fuente de alimentacin

MP =

+VCC

VCC
; MPP = VCC
2

vO

PO max

VCC

MP 2 MPP 2
2

=
=

2RL
2RL
8RL

vO

VCC/2

RL

PQ max

VCC

V2
MPP 2
2
= 2 = CC2
4 RL 40RL
RL

20

Ejemplo: Calcular el rendimiento mximo de la etapa de la figura

Se va a tener en cuenta la corriente i1 que entra en el circuito de polarizacin.
iCC

Resolucin.- Necesitamos conocer la potencia media entregada a la carga (PO) y la

potencia media que entrega la fuente +VCC (PS): = PO/PS

+VCC

i1

Clculo de PS .Llamamos iCC a la corriente instantnea que entrega la fuente +VCC e ICC al valor
medio de esta corriente. De la misma forma:
i1 es la corriente instantnea que pasa por R1 e I1 su valor medio.
iC es la corriente instantnea de colector de Q1 e ICavg su valor medio.

iC
R1
B1

Q1

D1
vI

E +

vO

C2

C1
D2
B2

RL

ICavg se calcula teniendo en cuenta que en el semiciclo positivo Q1 acta como

seguidor, entregando prcticamente toda la corriente de carga en este semiciclo. En
cambio, durante el semiciclo negativo la corriente de carga se cierra por Q2.
Entonces, iC es una seal rectificada en media onda. Por tanto: ICavg = ICp/

Q2

R2

Para calcular I1 aplicamos la regla que vimos antes: I1 = ID = (VCC-2VBE) / (R1+R2)

VCC = 12 V
R1 = R2 = 510
VBEon = 0.7 V

Adems, para calcular el rendimiento mximo suponemos que la seal en la carga

tiene amplitud mxima.
As:

(*) R

va conectada a +VCC y a B1. Si la cada

en el diodo es de 0.7 V (constante):
1

vB1 (VCC/2) + 0.7 V + vi ,

siendo vi la parte alterna de vI. La cada de
tensin en R1, y por tanto i1, se expresan
como suma de una componente continua y
una seal senoidal. Calculando el valor
medio de i1 vemos que slo sobrevive la
componente continua, que coincidir con ID.

(*)

iCC = i1 + iC
ICavg =

ICp

ICC = I1 + ICavg

; ICp =

Vop

; Vop =

VCC
2

ICavg =

RL
V 2VBE 12V 1.4V
I1 = CC
=
= 10.4mA
R1 + R2
1020
ICC = I1 + ICavg = 10.4mA + 239mA 249mA

VCC
12V
=
= 239mA
2RL 2 (8 )

PS = VCC ICC = (12V )(249mA ) 2.99W

21

Ejemplo (cont.)
Clculo de PO .- Si la seal en la carga es de amplitud mxima:
PO max

VCC2 (12V )2
=
=
= 2.25W
8RL 8 8

Rendimiento.- Sustituyendo valores:

max =

PO 2.25W
=
= 0.753
PS 2.99W

(75.3% )

Discusin.- El rendimiento mximo de esta etapa es algo inferior al mximo que una etapa en clase B puede alcanzar
idealmente (el 78.5 %). Parte de la potencia que entrega la fuente se disipa en los transistores y en el circuito de
polarizacin. Respecto a este ltimo, cuanto menores sean las resistencias, mayor valor tendr la corriente de reposo I1 y
ms se alejar el rendimiento del valor ideal.

Cuestin:

Si en el circuito anterior las corrientes de reposo de Q1 y Q2 se fijan al 5% de la mxima corriente por la carga, qu
valores deberan tener las resistencias R1 y R2? Cul sera entonces el rendimiento mximo?

22