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PRCTICA 5 : EL DIODO
Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca
Cindy Herminia Romero Tinoco
cromerot1@est.ups.edu.ec

AbstractIn this practice we will analyze the diode comportment, also we will see the variation of the diode curve.

I. OBJETIVOS
1) Obtener la curva caracterstica del diodo de silicio.
2) Ic vs Vbe
II. INTRODUCCIN

tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite

electrones al vaco circundante los cuales son conducidos
electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle
doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as
la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta,
no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que
utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las
vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas
se quemaban con mucha facilidad.[1]

A. DIODO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales
que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs
de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en
la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor
conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta
potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina
como nodo, y un ctodo.

1) POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO: En este caso,

la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a
travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe
conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo
y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que:

Figure 1. Configuracin de un Diodo

De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo

(I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce),
y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento,
se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como
paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente
continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin
llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos
rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar
al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado
en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa
Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas
Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de
vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula
la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est

El polo negativo de la batera repele los electrones libres

del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia
la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de
la batera es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona
p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los
mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn
de valencia.
Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce
en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la

zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece
a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el
final. [4]

obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie

del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan
sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la
corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga
es despreciable. [3]

Figure 2. Polarizacin directa del diodo

2) POLACIN INVERSA DEL DIODO: En este caso, el

polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga
espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones
libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que
antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn
en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y
tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

B. CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO

El polo negativo de la batera cede electrones libres a

los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que
estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes
con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrn que falta el denominado
hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona

de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico
que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente;
sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn
pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unin produciendo una pequea corriente (del orden de
1A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de fugas
la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie,
los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos
para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para

Figure 3. Polarizacin directa del diodo

Figure 4. Curva caracterstica del diodo

1) Tensin umbal, de codo o de partida (Vb ): La tensin

umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga
espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente
el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de
la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera
la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de
forma que para pequeos incrementos de tensin se producen
grandes variaciones de la intensidad de corriente.

2) Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente

mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.

5V = 0.1RL + 0.7V
RL = 43 47

3) Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea

corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la
temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento
de 10 C en la temperatura.

P = V I = I 2R
P = (0.1)2 (47)
P = 0.47W

4) Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente

que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente
superficial de fugas.

VDC
-5V
-2V
0.2V
0.4V
0.6V
1V
2V
5V

5) Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima

que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad,
a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los
Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha : En polarizacin inversa se generan

pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones
se aceleran incrementando su energa cintica de forma
que al chocar con electrones de valencia pueden provocar
su salto a la banda de conduccin. Estos electrones
liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos
a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que
provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce
para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener : Cuanto ms dopado est el material,

menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que
el campo elctrico E puede expresarse como cociente
de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz
de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V
o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos

especiales, como los Zener, se puede producir por ambos
efectos. [2]
III. DESARROLLO
Realizar la curva caracterstica del diodo.
VDC = IC RL + VD

IC
-0.2uA
-0.2uA
0.3uA
25.2uA
260.8uA
851uA
23.07mA
73.9mA
Table I

VD
-4.7V
-1.7V
0.21V
0.41V
0.58V
0.66V
0.71V
0.75V

VOLTAJES Y CORRIENTES MEDIDAS

Figure 5. Curva caracteristica del Diodo

IV. CONCLUSIN
ESPAOL
En el presente informe pudimos obtener la curva caracterstica
del diodo, con diferentes voltajes de entrada y de la misma
forma aplicamos los conceptos respectivos de la materia.
INGLS
In the present report could Get The diode characteristic curve
, with different input voltages and apply the concepts Same
respective form of matter.

R EFERENCES
[1] INTRODUCCIN AL ANLISIS DE CIRCUITOS, Boylestad, 10ma
Edicin.
[2] http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Curva_caracter.C3.ADstica_del_diodo
[3] http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Polarizaci.C3.B3n_inversa_de_un_diodo
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Polarizaci.C3.B3n_directa_de_un_diodo