Sensores pticos

Cap. Radiometra Espectral

Fuentes Trmicas de Radiacin: Mtodo de dos longitudes de
onda, para clculo de temperatura
Dr. Luis Arias Parada, luiarias@udec.cl
Profesor Asistente
Dpto. Ing. Elctrica
Universidad de Concepcin

Introduccin
Asumamos un bb emitiendo segn su modelo:
8 h c 2
1
2 h c2
1
RT ( )
W

d =
d =
d 2
hc k T
hc k T

5
5

4
4 e
e
1
1
m sr nm

El objetivo es estimar la temperatura de este cuerpo

una vez que esta radiacin es medida con un sensor.
Cmo se le ocurre?

Clculo de temperatura
Asumamos un bb emitiendo segn su modelo:
8 h c 2
1
2 h c2
1
RT ( )
W

d =
d =
d 2
hc k T
hc k T

5
5

4
4 e
e
1
1
m sr nm

Cmo usar la ley de Stefan Boltzmann?

Por ejemplo: Sensor que integre en todo (un

fotodetector de banda ancha) Es posible?

Cmo usar la ley de Desplazamiento de Wien?

Sensor espectral en todo para encontrar el max donde se

produce el mximo Es posible?

Clculo de temperatura
Asumamos un bb emitiendo segn su modelo:
8 h c 2
1
2 h c2
1
RT ( )
W

d =
d =
d 2
hc k T
hc k T

5
5

4
4 e
e
1
1
m sr nm

Y que nos encontramos en un rango de T 800

2000K. Por lo tanto: exp(c /T)>>1
2

RTbb ( )d =

2 h c2

e hc k T d 2

m sr nm

Clculo de temperatura
En el pizarrn

Sensores pticos

Cap. Propiedades radiomtricas de materiales

TRANSMISSION, REFLECTION, EMISSION AND ABSORPTION
Dr. Luis Arias Parada, luiarias@udec.cl
Profesor Asistente
Dpto. Ing. Elctrica
Universidad de Concepcin

Introduccin
Un material puede transmitir, reflejar, emitir o
absorver radiacin y generalmente se manifiestan
mas de uno de estos verbos a la vez.
Primero nos pondremos de acuerdo en la
etimologa usado en cada uno de estos verbos.
Note que cada uno de los tminos dados a conocer
en la diapositiva siguiente son usados (o mal usados)
en las memorias o tesis sin tener en cuenta su
significado incluso al traducirlos al castellano se
entienden menos

Introduccin
ion

ance

ivity

Emission

Emittance

Emissivity

Absorption

Absorptance

Absorptivity

Transmission

Transmittance

Transmissivity

Reflection

Reflectance

Reflectivity

Introduccin
Terminacin Significado
ions

Es generalmente aceptado que esta terminacin significa

un proceso. As uno habla del proceso de Emisin,
Absorcin, transmisin o refle(?)xin (sobre refleccin o
reflexin haga una breve bsqueda en google)

ance

Es generalmente aceptado que esta terminacin reporta

la propiedad de una muestra en particular. As uno habla,
por ejemplo, de la reflectancia de madera hmeda en la
banda de NIR.

ivity

Esta terminacin es la mas confusa y sujeta a

controversias. Por lo general con esta terminacin nos
referimos a muestras puras. Por ejemplo, uno habla de la
emissivity de la molcula de hidrgeno.

Conservacin de potencia

La Fig. muestra luz incidente sobre un plano de caras

paralelas. Parte de la potencia incidente (0) es
reflejada (r), parte se absorbe (a) y parte se transmite
(t). Por conservacin de potencia, tenemos:

0 = a + r + t

1=

a r t
+
+
= ( ) + ( ) + ( )
0 0 0

Tal que es la Absorptivity, es la Reflectivity y es la

Transmissivity (note que estas variables tienen
dependencia espectral)

Sensores pticos

Cap. Sensores de Fotodeteccin

Dr. Luis Arias Parada, luiarias@udec.cl
Profesor Asistente
Dpto. Ing. Elctrica
Universidad de Concepcin

Recordemos: Qu es un sensor ptico?

Es un sistema de visin capaz de obtener
informacin
Espacial
Temporal
Espectral
de energa irradiada en los procesos en forma
inalmbrica.

Fotodetectores
Idealmente, un fotodetector debe detectar todos los
fotones incidentes sobre su rea activa, responder lo
ms rpido posible a los cambios en la seal
incidente de inters y no introducir ruido adicional.
Adems de esto, otras caractersticas son buscadas
por los diseadores de tecnologa optrnica: un
fotodetector debe ser pequeo, liviano, robusto,
confiable, cuyos parmetros varen lo menos posible
y de un costo efectivo para los requerimientos
deseados.

Anlisis de Fotodetectores
En este curso, el anlisis
lo haremos desde lo
ms profundo hasta lo
mas externo:

Modelos de Fotodeteccin

Modelos espectrales

Modelos de respuesta sin

Considerar caractersticas
espectrales

Clasificacin de Fotodetectores
Fotodetector

Efecto

Estructura tpica

Photomultiplier (PMT)

Fotoelctrico

Ctodo fotodetector con su

funcin de trabajo

Fotoconductores

Abs. de fotones material

semiconductor

Placa fotoconductora

Fotodiodos

Abs. de fotones material

semiconductor

Juntura PN, PIN o APD

(Diodo fotoconductor)

Clasificacin de Fotodetectores

PMT

Efecto que produce la emisin de fotones

sobre un tomo. Este fotn se hace incidir
sobre el tomo con una energa mayor a hv0
para que logre desprender un electrn.

La energa cintica (EC) de un electrn expulsado es igual a la energa incidente del fotn hv, menos la energa mnima requerida para desprender el electrn de la
superficie del metal (). Esta energa mnima es conocida como Funcin Trabajo del Metal.

EC =

1
m v2 = h v
2

Considerando que la Funcin Trabajo del Metal est dada por hv0 , donde v0 es la frecuencia de Umbral (frecuencia mnima de la seal irradiada sobre el metal para
desprender un electrn), entonces la energa cintica (EC) de un electrn expulsado del metal es igual a:

EC = h (v vo )

Dado que la energa cintica es siempre positiva, necesariamente debe cumplirse que v vo. Con ello se concluye que existe l a frecuencia de umbral v0, diferente
para cada material, tal que al emitir una seal de luz (fotones de energa ) sobre ella, se desprenden electrones cuando se cumple v v0.

Una vez que se ha desprendido el electrn del cuerpo, su EC aumenta al aumentar la frecuencia v en forma lineal, con pendiente h (constante de Planck).

Clasificacin de Fotodetectores
Fotoconductores: Absorcin de fotones por una barra
semiconductora:

Corriente por difusin de portadores n y p y por

desplazamiento de portadores n y p. Note la
dependencia espacial x

dn(x )
dx
dp(x )
J h ( x ) = q h p ( x ) E ( x ) q Dh
dx

Configuracin tpica

dn(x )
dx
dp(x )
J h ,difusion ( x ) = q Dh
dx

J e ( x ) = q e n ( x ) E ( x ) + q De

J e ,difusion ( x ) = ( q ) De

J e ,desplaz (x ) = q e n(x ) E (x )

J h ,desplaz (x ) = q h p(x ) E (x )

Definimos Conductividad () y la Resistividad () de un

material semiconductor:

e = q e n( x ) =
h = q h p(x ) =

e
1

El Coeficiente de Difusin de cada material est tabulado,

y corresponde al rea barrida por los portadores formados en
unidad de tiempo a lo largo de la barra semiconductora.

Clasificacin de Fotodetectores

Fotodiodos: juntura de materiales intrnsecos P y N

La corriente total en un diodo (juntura p-n) est

dada por:
qV f

Dh
K T
De
pn +
n p e
1
I d = q A

Le
Lh

Luego, la corriente total de esta juntura iluminada est

dada por:
I fd

qV

Dh
K Tf
De

= q A
pn +
n p e
1 q A g op (Lh + Le )

Le
Lh

Tal que el trmino:

generada:

q A g op (Lh +es
Le ) la

fotocorriente

gop: tasa de generacin de portadores #peh/cm3seg

Fotodiodos (modelos de fotodeteccin)

Por lo tanto:
I fd

qV

Dh
K Tf
De
= q A
pn +
n p e
1 q A g op (Lh + Le )

L
h
L

e

I0

I fd =
I fd

I0

qV f
e K T 1 q A (Lh + Le ) g op

qV f
# peh
= I 0 e K T 1 q A (Lh + Le ) 3

cm seg

qV f
qV f
peh
#

K
T
I fd = I 0 e
= I 0 e K T 1 q peh
1 q

seg

qV f
I fd = I 0 e K T 1 i f ( Amp )

( Amp )

Fotodiodos
Por lo tanto:

qV f
I fd = I 0 e K T 1 i f

tal que :
# peh
i f = q peh = q
T

( Amp )
( Amp )

Luego, una potencia ptica Popt incidente en la

juntura puede ser representada por:
Popt

E
= n fot = E fot = h v fot (w)
T

Tal que E es la energa del flujo de fotones nfot por

unidad de tiempo, fot

Fotodiodos
Entonces, asumamos que este flujo de fotones que ingresa a la juntura, genera la
misma cantidad de flujo de peh. Aceptamos entonces que: fot = peh. Por lo
tanto:
i f = q peh = q fot = q
considerando v =

Popt
hv

( Amp )

if = q

Popt
hc

( Amp )

Ahora, volviendo a la realidad, la razn (llamada Eficiencia Cuntica):

0<

peh
if hc
A
=

= ( )
= R( )

P
h

w
P
q

opt
fotones
fotones deopttransferencia)
() es la responsividad
del fotodiodo (su funcin

if

q peh

peh
= ( ) < 1
fot

Fotodiodos
Ejemplos de curvas de responsividad

Ojo: no confundir su definicin con Spectral Sensitivity.

Fotodiodos (modelos de fotodeteccin)

Por lo tanto:

i f = R( ) Popt

( Amp )

Finalmente, la corriente generada por el fotodetector ser:

I fd

qV f

K
T
= I0 e
1 i f

( Amp )

Fotodiodos (modelos de fotodeteccin)

I fd

qV f

K
T
= I0 e
1 i f

Casos de Anlisis:
1. Vf = 0: I fd = i f

( Amp )

i f = R( ) Popt

( Amp )

( Amp ) (conocido como Modo Fotoconductivo)

2. Vf = -Vf Operacin en tercer cuadrante (conocido como Reverse bias). Si el

voltaje es suficientemente grande (sin que se produzca la ruptura de juntura:
I fd = I 0 e

qV f
K T

I0 i f I0 i f

Por lo general el modo de polarizacin inverso se realiza

junto a una resistencia en serie al fotodiodo.

Fotodiodos (modelos de fotodeteccin)

Casos de Anlisis:
3. Ifd = 0 (terminales de nodo y ctado abiertos) conocido como Modo
Fotovoltaico.

K T R( ) Popt

v f =
ln
+ 1
q
Io

Este modo de operacin es usado por los paneles fotovoltaicos