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Transistor bipolaire
I. Introduction :
Le transistor fait partie des composants que l'on retrouve sans exception dans toutes les applications
de l'lectronique.
Amplification de tension,
amplification de courant,
amplification de puissance,
interrupteur,
oscillateurs,
convertisseurs AC-AC, AC-DC, DC-DC, DC-AC,
micro-contrleurs,
micro-processeurs, etc...
Il existe plusieurs types de transistor :
Composant
commande
Application type
A max1
Bande passante1
Bipolaire
courant
Amplification,
commutation
10A
0 GHz
tension
Commutation
5A
0 10MHz
200A
0 MHz
Commutation en
lectronique de
puissance
Nous nous intresserons ici simplement au transistor bipolaire.
IGBT
courant
II. Objectifs :
tude des montages en forts et petits signaux
base commune,
metteur commun,
collecteur commun.
III. Gnralits :
Le transistor bipolaire est constitu par 2 jonctions PN mises bout bout. Il est possible d'associer
ces 2 jonctions de manire constituer 2 composants :
le transistor NPN,
le transistor PNP.
Le transistor est un composant compos de 3 connexions :
base, zone faiblement dope et de taille trs faible (par rapport aux 2 autres),
metteur, zone trs dope -ie zone extrinsque collecteur, zone trs dope, et d'une taille presque 1,5 fois plus grande que l'metteur.
B
E
Figure 1 : Botier
TO39.
1 Ce ne sont que des ordres de grandeurs.
Fait sous Linux et OpenOffice/StarOffice
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TP Transistor bipolaire
Porteurs majoritaires
IE
Idp
IdnPorteurs minoritaires
IS
I'i
N
Idp1
IC
IC
IB= Idp-Idp1+Idn-I'i-IS
B
Porteurs majoritaires
Porteurs majoritaires
IE
Idn
N
IdpPorteurs minoritaires
IS
I'i
P
Idn1
N
IB= -(Idn-Idn1+Idn-I'i-IS)
B
I E =I dp I dn I ' i
loi des noeuds au point B , I B I C =I E
I C =I dp1I S
I B =I dp I dn I ' i I dp1 I S
I
posons = dp1 I E =I dp1 , avec [0,95 ; 0,999]
IE
I C = . I E I S = . I B . I C I S I C . 1 = . I B I S
1
I C=
. I B
. I S , posons =
, avec [20 ; 500]
1
1
1
1
1
I C =. I B
. I S , . I B
. I S puisque I S est de l ' ordre du nA.
1
1
I C = . I B
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TP Transistor bipolaire
Nous allons tudier dans ce TP le transistor bipolaire NPN 2N3053. A partir des informations
donnes sur le Data Sheet du constructeur relever :
la puissance maximale dissipable,
le courant collecteur maximal ne pas dpasser,
la tension collecteur base maximale.
IV. tude des caractristiques statiques ou forts signaux du transistor :
A- montage base commune :
Un montage quivalent fort signal est utile pour fixer le point de fonctionnement du
transistor. On nglige souvent la rsistance Rd.
E
Rd
0,6V
.IE
VEE
0 20V +
C 1k
IE
IC
VCC
- 0 20V
Tracer la courbe IC= f(VCB) pour des courants metteurs IE = 1, 3, 5, 10mA. Pour cela :
on fixe le courant metteur avec l'alimentation VEE et la rsistance variable associe,
puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 20V.
A partir de ces courbes en dduire la valeur du paramtre .
Conclure sur la validit des mesures effectues.
En dduire la valeur approximative de la rsistance de sortie RS.
Remarques
Pour ce montage le courant collecteur ne s'annule que pour une tension inverse de 0,5 0,8V
-fonction du type de transistor-. Expliquez pourquoi ?
Une rsistance est place en srie entre le collecteur et VCC. Cela signifie que les caractristiques
IC= f(VCB) s'arrtent pour une tension gale VCC-RC.IC.
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TP Transistor bipolaire
1M 500
E
B
+
VEE
0 20V -
IB
VCC
0 20V
Tracer la courbe IE= f(VEC) pour des courants de base IB = 10, 50, 100, 500A, 1mA. Pour cela :
on fixe le courant metteur avec l'alimentation VEE et la rsistance variable associe,
puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 20V.
Ce rseau de courbes est-il convergent en un point particulier VA'?
Donner sa valeur.
Tracer la courbe IE=f(IB).
A partir de ces courbes en dduire la valeur du paramtre .
Conclure sur la validit des mesures effectues.
B
0,6V
C
F.IB
1M 500
C
B
+
VEE
0 20V -
IB
+
-
VCC
0 20V
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TP Transistor bipolaire
Tracer la courbe IC= f(VCE) pour des courants de base IB = 10, 50, 100, 500A, 1mA. Pour cela :
on fixe le courant metteur avec l'alimentation VEE et la rsistance variable associe,
puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 20V.
Peut-on partir de ce rseau de courbes valuer la valeur de la tension de Early VA ?
Donner la valeur de la tension d'Early VA.
Tracer la courbe IC=f(IB).
A partir de ces courbes en dduire la valeur du paramtre .
Conclure sur la validit des mesures effectues.
h11=re
C
H21=.IE
B
h22=r0
Le fonctionnement n'est que correctement dcrit par le paramtre mais en rgime dynamique on
utilise plutt le paramtre de transconductance gm qui va lier les variations du courant de sortie avec
les variations de la tension d'entre.
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TP Transistor bipolaire
v e =r e . i e =r e.
ic
re
La sortie du transistor est charge par une rsistance RC, les gains en tension et en courant peuvent
R
A v =g m . R c = . c
re
s'exprimer par
A i ==g m . r e
Dans ce modle on suppose qu'il n'existe pas de dpendance entre le circuit d'entre et de sortie. En
ralit c'est faux il existe une capacit parasite entre le collecteur et l'metteur, que nous ngligerons
ici dans l'ensemble des calculs.
Raliser le montage de la Figure 9. On fixera la tension VCC 10V pour TOUTES les questions qui
vont suivre.
i c =g m . v e avec g m =
1M 500
VEE
0 20V +
Vac1
R1=15k
Vac2
IC
RC=1k
+
IE
B
Vac3
Vac4
VCC
- 0 20V
Vac2 = 50 100mVeff
1kHz
Figure 9 : Montage base commune.
Remarque :
La rsistance d'entre du transistor varie entre 250 et 5 lorsque le courant de polarisation passe
Fait sous Linux et OpenOffice/StarOffice
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TP Transistor bipolaire
4- Rsistance de sortie r0 :
Supprimer le gnrateur Vac1 ainsi que la rsistance R1.
Placer entre le collecteur du transistor et le court-circuit un transformateur en position abaisseur
de tension.
Remplacer le court-circuit de la maille de sortie par la rsistance de RC= 1k.
Brancher le gnrateur l'entre du transformateur.
Rgler le gnrateur de manire que la tension de sortieVac3 soit de l'ordre de 1 2Veff.
Rgler les gnrateurs de tension continu pour avoir un courant IC= 1mA et une tension
VCB= 10V.
L'entre tant en circuit ouvert vis vis de l'alternatif. La tension du gnrateur alternatif fait
v ac4
v
v
et r 0 = ac3 = ac3 . R C .
circuler un courant is dans la maille de sortie tel que : i s =
RC
is
v ac4
Faire varier la frquence du gnrateur de 50 10kHz et mesurer la rsistance de sortie.
Conclusion.
B- metteur commun :
1-Modlisation en rgime dynamique :
Rsistance d'entre : h11e rsistance d'entre du quadriple actif la sortie tant en cours circuit
v1
=r ou r e ou r i input ,
pour l'alternatif (v2= 0) h 11 e =
i 1
Gain en courant : rapport des courants sortie/entre, la sortie tant en cours circuit (v2= 0)
i
h 21 e = 2 = f ,
i 1
i 2 1
=
Admittance de sortie : rapport des courants et tension de sortie pour i1= 0 h 22 e =
,
v2 r 0
Rapport de transfert inverse en tension : rapport des tensions d'entre et de sortie pour i1= 0
v
h 12 e = 1 =r .
v2
On obtient le schma
i1
i2
h11
v1
1
h 22
i1h21
v2h12
Figure 10 :
{ }{
v1 = h
h
i 2
11
21
h
h
12
22
v2
}{ }
. v2
i 1
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TP Transistor bipolaire
Mthodologie appliquer :
1- Rgler le courant IB par le gnrateur VEE, cela fixera automatiquement le courant IC. Expliquez
pourquoi ?
2- Vrifier de manire permanente la tension VCE pour avoir 5V. Expliquez ?
3- Vrifier que la tension de sortie du gnrateur reste constante. On rglera sa frquence 1kHz.
2- Rsistance d'entre h11e :
Raliser le montage suivant :
R1=47k
+
VEE
0 20V -
Vac1
RC=1k
1M 500
IC
B
IB
Vac2
+
E
Vac3
Vac4
VCC
- 0 20V
3- Mesure de ou h21e :
Remplacer la rsistance variable par une rsistance en srie dans la maille d'entre de valeur trs
grande 100k ou 1M. Rgler le gnrateur de manire avoir une tension de l'ordre de 3
10mVeff en sortie de cette rsistance.
Remplacer la rsistance collecteur par une rsistance de 100.
Le courant de sortie est mesur aux bornes de cette rsistance. Puisqu'elle a t choisie
suffisamment faible par rapport la rsistance de sortie r0 du transistor pour que la maille de
sortie soit assimilable un court-circuit.
Tracer la courbe de variation du gain en courant en fonction du courant continu de polarisation IC
pour 0,1mA 10mA.
4- Rsistance de sortie r0 ou h22e :
Supprimer le gnrateur BF et la rsistance correspondante.
Insrer dans la maille de sortie entre le collecteur et la rsistance RC un transformateur en
position lvateur de tension.
On rglera le gnrateur afin d'obtenir une tension de l'ordre de 3Vcc en sortie du transformateur.
Mesurer la rsistance de sortie du transistor r0 pour de courants de polarisation de 1, 5 et 10mA.
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TP Transistor bipolaire
Rg
h11
i1h21
v2h12
eg
v1
i1
1
h 22
E
RC
i2
v2
v2
1
=
e g 1R g r 1 . R C .
Si on suppose que . R C R g r .
la rsistance d'entre devient R 1 =r 1 . R C ,
R g r
le rsistance de sortie R 2 =
.
1
2- Impdance d'entre ri :
Raliser un montage identique celui de la Figure 11. En plaant le transistor en collecteur
commun.
Le gnrateur BF est plac dans la maille d'entre.
Mesurer la rsistance d'entre par la mthode de la demi-tension pour des courant de polarisation
entre 1 et 100mA.
Remplacer la rsistance RC par un court-circuit et refaire les mmes mesures pour les mmes
points de polarisation. On doit retrouver la valeur de r ou h11e.
La loi r i =r 1 . R C est-elle vrifie?
Il faut vrifier en permanence les conditions de polarisation du transistor, sous peine
d'erreurs de mesure et de lecture.
3- Impdance de sortie :
Raliser un montage identique au montage metteur commun mesure de la rsistance de sortie.
Mesurer la rsistance de sortie pour des courants de polarisation variant de 1 100mA
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