Rectificadores monofsicos de media onda

Un rectificador monofsico es el tipo ms sencillo, pero no se utiliza normalmente en

aplicaciones industriales. Sin embargo, resulta til para comprender el principio de la operacin
de los rectificadores. En la figura 1a) aparece el diagrama de circuito con una carga resistiva.
Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, el diodo D1 conduce y el voltaje de
entrada aparece a travs de la carga.

Figura 1- Rectificador monofsico de media onda

Durante el medio cilo negativo del voltaje de entrada, el diodo est en condicin de bloqueo y el
voltaje de salida es cero. Las formas de onda para los voltajes de entrada y de salida se
muestran en la figura 1b) .
Parametros de rendimiento
Aunque el voltaje de salida, tal y como aparece en la figura 1b), es cd, es discontinuo y
contiene armnicas. Un rectificador es un procesador de potencia que debe proporcionar una
salida de cd con una cantidad mnima de contenido armnico. Al mismo tiempo, deber
mantener la corriente de entrada tan sinusoidal como sea posible y en fase con el voltaje de
entrada, de tal forma que el factor de potencia est cercano a la unidad. La calidad del
procesamiento de energa de un rectificador requiere de la determinacin del contenido
armnico de la corriente de entrada, del voltaje de salida y de la corriente de salida.
Utilizaremos las expansiones de la serie de Fourier para encontrar el contenido armnico de
voltajes y corrientes. Hay distintos tipos de circuitos de rectificadores y los rendimientos de un
rectificador se evalan normalmente en funcin de los parmetros siguientes:
El valor promedio del voltaje de salida (o de carga), Vcd
El valor promedio de la corriente de salida (o de carga), Icd
La salida de potencia en cd,

Pcd=VcdIcd(Ecuacin 1)
El valor medio cuadrtico (rms) del voltaje de salida, Vrms
Rectificadores monofsicos de onda completa
En la figura 5a) aparece un circuito rectificador de onda completa con un transformador de
derivacin central. Cada mitad del transformador con un diodo asociado acta como si fuera un
rectificador de media onda. La salida de un rectificador de onda completa aparece en la figura
4b). Dado que a travs del transformador. El voltaje de salida promedio es
Vcd=2TT/20Vmsintdt=2Vm=0.6366Vm (Ecuacin 18)

Figura 5- Rectificador de onda completa con transformador con derivacin central

En vez de utilizar un transformador con toma o derivacin central, podemos utilizar cuatro
diodos, como se muestra en la figura 6a). Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada,
se suministra potencia a la carga a travs de los diodos D1 y D2. Durante el ciclo negativo, los
diodos D3 y D4 conducirn. La forma de onda del voltaje de salida aparece en la figura 6b) y es
similar a la de la figura 5b). El voltaje de pico inverso de un diodo es solo Vm. Este circuito se
conoce como rectificador puente, y es de uso comn en aplicaciones industriales.

Figura 6- Rectificador puente de onda completa

El rendimiento de un rectificador de onda completa representa una mejora significativa en comparacin con el de
un rectificador de media onda.
Rectificador monofsico de onda completa con carga RL
Con una carga resistiva, la corriente de carga tiene una forma idntica al voltaje de salida. En la
prctica, la mayor parte de las cargas son en cierta cantidad inductivas, la corriente de carga
depende de los valores de la resistencia de carga Ry de la inductancia de carga L. Esto
aparece en la figura 7a). Se aade una batera de voltaje E para poder desarrollar ecuaciones
de tipo general. Si el voltaje de entrada
es vS=Vmsin t=2VSsin t, si la
corriente de carga iL se puede deducir de
LdiLdt+RiL+E=2VSsint
ECCION 5 CIRCUITOS
RECTIFICADORES POLIFASICOS
CIRCUITO RECTIFICADOR CON
TRANSFORMADOR DE TAB CENTRAL
(Rectificador de media onda bifsico)
Para un transformador con tab central,
tomando el tab central como referencia se
tiene:

Se toma como un sistema bifsico de

voltajes alternos, adicionamos diodos para
hacer rectificacin:

En el primer semiciclo VA es ms positivo que VB, conduce el diodo D1 y VR VA, en el segundo

semiciclo conduce el diodo D2 y VR VB, se repite el proceso cada ciclo, aparece en la
resistencia el voltaje rectificado mostrado en la grfica de V R.

En este caso:

Como cada diodo conduce la mitad del tiempo:

Pero el voltaje pico inverso es: VD = 2VP

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA TRIFSICO

que reciba el voltaje positivo ms alto, cuando otro voltaje se hace mayor cambia el diodo que
conduce, esto se llama conmutacin automtica.
Si se usa la red de 60Hz en la carga la seal es de 180Hz con un valor medio
VLM = 0.827VP
Corriente pico en el diodo:

Voltaje inverso en el diodo VDP = 1.5VP

Transistores de potencia

El transistor de potencia

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores

normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar.

unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).

IGBT.

Parmetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturacin)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura de operacin

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

Transistores de potencia
El transistor de potencia
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar.

unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).

IGBT.

Parmetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturacin)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura de operacin

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga
en corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensin.

Tiempos de conmutacin bajos.

Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Pequeas fugas.

Alta potencia.

Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.

Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.

Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada).

Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los

transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas
fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
Principios bsicos de funcionamiento
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de
actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una

corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control
se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia
vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son
substancialmente distintas.
Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada
en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.

En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.

Tiempos de conmutacin

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero
si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a
otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x
VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el
transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido
a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el paso de
un estado a otro.
Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado
(toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que
se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida
alcanza el 10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita
la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor
final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las
siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que

el tiempo de apagado (toff) ser
siempre mayor que el tiempo de
encendido (ton).
Los tiempos de encendido (ton) y
apagado (toff) limitan la frecuencia
mxima a la cual puede conmutar el
transistor:

Otros parmetros importantes

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. I CAV,
corriente media por el colector).
Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con
este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y
emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).

Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin R DSon en el FET. Este
valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en
saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia
esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
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Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :

gin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y
a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin
normal del transistor para amplificacin

Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada
raramente.

Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La

operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La

operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).