Prctica 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS

DEL DIODO CON SEAL DE CD.

OBJETIVO: El alumno armar los circuitos que permitan obtener las caractersticas
elctricas en CD de diodos de Si (silicio), LED, como voltajes, corrientes, resistencia
interna y potencia de consumo, e interpretar las mediciones realizadas con el multmetro
y/u osciloscopio. Tambin reportar los resultados medidos en tablas y/o grficas segn lo
indique el desarrollo.
TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRCTICA
Investigar las caractersticas de funcionamiento y limitaciones de los diodos de silicio
(Si), y LED rojo de baja intensidad en CD.
Investigar que es y cmo se obtienen la recta de carga y el punto de operacin, en un
dispositivo semiconductor en CD.
Investigar que es y cmo se calculan la resistencia esttica y dinmica, en un
dispositivo semiconductor en CD.
Investigar que es y cmo se calculan la potencia promedio y eficaz, en un dispositivo
semiconductor en CD.
Realizar la simulacin de los circuitos para obtener las caractersticas elctricas del
diodo de (Si).
Traer hojas de especificaciones de los diodos de (LED rojo baja intensidad y Si, que
se emplear el la prctica).
Traer el circuito de la fig.1 armado.
MATERIAL:

Protoboard

Resistencia de 330

Diodo rectificador 1N4001

Led rojo de baja intensidad

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DEL DIODO CON SEAL DE CD.

DESARROLLO:
1. Proponer el dispositivo (diodos de Si comercial y valores de resistencias comerciales)
que se deseen emplear en la prctica, y consultar las hojas de especificaciones del diodo
(de Si y LED) que se utilizar para el desarrollo de la prctica. Preferentemente que los
diodos y resistencias sean de I/2W ms Watts.
2. Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, as como la serie del diodo y las
caractersticas del LED rojo.
3. Armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las mediciones, como
se indica en la tabla. Realizarlo con el Diodo de Si y LED rojo.

D (Si)
+

Vs

+
D

Fig. 1 Circuito de prueba

Tabla 1 mediciones
LED

VS

VD

ID

VLED

ILED

0V

0.2V

.23

.223

0.4V

.456

42.42

.438

0.6V

.527

257

.61

0.8V

.566

815

.830

1V

.594

1.4 m

1.055

2V

.648

4.08 m

1.675

32

3V

.675

7.14 m

1.751

3.79 m

4V

.691

10.17 m

1.796

6.04 m

5V

.702

13 m

1.836

9.65 m

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3.1 Graficar en papel milimtrico, los datos de la tabla 1, considerando el eje vertical para
I (corriente) y el eje horizontal para V (voltaje), tanto para el diodo de silicio, como para el
LED rojo. A Partir de la grfica realizada en papel milimtrico, efectuar los clculos
correspondientes para obtener la resistencia esttica (RD), resistencia dinmica (rD) y
potencia de consumo del diodo PD. Anexar los clculos realizados. Trazar la recta y punto
de operacin en la grfica que se obtuvo con los datos de la tabla.
3.1.1 invertir la polaridad de la fuente y realizar el mismo procedimiento que en los puntos
anteriores (3 y el 3.1). Mostrar los resultados en la tabla 2 y grfica de los valores
medidos, en la misma grafa en donde graficaste los valores de la tabla 1.
Tabla 2 mediciones
D (Si)
LED
VS

VD

ID

VLED

ILED

-1V

-1

-1

-2V

-2

-2

-3V

-3

-3

-4V

-4

-4

-5V

-5

-5

3.2 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

Como se puede ver en los resultados tanto simulados como los medidos se puede
apreciar que los valores son algo parecidos. Pero esto es a consecuencia de que los
datos de la tabla 1 son mediciones indirectas ya que las directas eran muy diferentes a la
de la simulacin y decidimos tomar las indirectas.
Por lo tanto como se muestra en las graficas tanto los clculos como los dispositivos
operaron de manera correcta ya que el punto de operacin corresponde con la recta de
carga.

Circuitos Simulados

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Tabla 3 Simulacin
D (Si)

LED

VS

VD

ID

VLED

ILED

0V

0.2V

.2

1.449

.2

.56

0.4V

.383

52

.4

0.6V

.482

357

.6

0.8V

.526

831

.8

.111

1V

.551

1.359 m

.111

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2V

.610

4.212 m

1.67

.999 m

3V

.638

7.119 m

1.74

3.818
m

4V

.656

10 m

1.77

6.759
m

5V

.669

13 m

1.78

9.732
m

Graficas de recta de carga y punto de operacin

0.02
0.01
0.01
0.01
0.01

Corriente del Diodo

0.01
0
0

-6

-4

-2

Voltaje del Diodo

Curva (Diodo)

Recta de carga

Inversa (Diodo)

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0.01
0.01
0.01
0.01

Corriente del Diodo

0
0

-6

-5

-4

-3

-2

-1

Voltaje del Diodo

Recta de carga

Curva (LED)

Calculos

Resistencia estatica del diodo = RD

R Dmax=

V Dmax 0.702 v
=
=54
I Dmax 13 mA

Resistencia dinamica del diodo = rD

Inversa (LED)

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r D=

V D V DmaxV Dmin 0.702 v0.456 v

=
=
=18.98
I D
I DmaxI Dmin 13 mA42.42 A

Potencia de consumo del diodo = PD

Dmax [ r D x I Dmax +Vu ] x I Dmax =[ ( 18.98 )( 13 mA ) +0.456 v ] ( 13 mA ) = 9.13 mW

P