CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR

(SILICIO Y GERMANIO)
EXPERIMENTO 3

1. Objetivos:

Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

2. Introduccin terica:
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica
direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea
resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar
rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en
corriente continua.
Diodo PN o unin PN:
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n,
por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno
de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero
de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales,
tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos cristales, se
manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).

Formacin de la zona de carga espacial:

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin
embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y
terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V
en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le
denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a
una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le
denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C.

A (p)

C (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
POLARIZACIN DIRECTA:

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la

diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta el final.
POLARIZACIN INVERSA:

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la

zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la

zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos
lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada
corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente
superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no
estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo,
tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente
inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO:

Tensin umbral, de codo o de partida (V).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se
va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de
tensin se producen grandes variaciones de la intensidad.

Corriente mxima (Imax).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse
por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por
la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que
se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de

saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan

pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la

tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa

cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su
salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran
por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos
a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor
es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede
expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del
orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
MODELOS MATEMTICOS:
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:
qV

I I S e nKT / 1

Dnde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de

tensin entre sus extremos.

IS es la corriente de saturacin

q es la carga del electrn

T es la temperatura absoluta de la unin

k es la constante de Boltzmann

n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del

diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2
(para el silicio).

El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del

orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

OTROS TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES:

Diodo avalancha

Fotodiodo

Diodo Gunn

Diodo lser

Diodo LED

Diodo p-i-n

Diodo Schottky

Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)

Diodo tnel

Diodo Varactor

Diodo Zener

3. Materiales y equipos:
Un Multmetro digital.
Los multmetros digitales se identifican principalmente por un panel numrico para leer
los valores medidos, la ausencia de la escala que es comn en los analgicos.

Multmetro Digital:
Marca: Fluke
N de serie: 64680428
Cables y conectores.

Resistores.

Un Miliampermetro y un Micro ampermetro

Una Fuente de Corriente Continua Variable

Un Voltmetro de c.c.

4. Procedimiento experimental:

1. Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar
los datos en la Tabla 1
2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla 2
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder como en a) registrando los datos en la Tabla 3.
Tabla 1 (Si)
R directa()
849

R inversa(M)
> 40 M

Tabla 2
Vcc
Id(mA)
Vd(v)

0.50
0.1
0.471

Vcc(v)
Vd(v)
Id(uA
)

0.0
0.0
0.0

0.57
0.2
0.501

0.59
0.4
0.531

2.0
1.972
0.0

0.65
0.8
0.566

0.75
1.6
0.600

4.0
3.973
0.0

6.0
5.96
0.0

0.84
2.5
0.623

1.15
5.0
0.657

8.0
7.91
0.0

1.46
8.0
0.679

10.0
9.97
0.0

1.64
10.0
0.689

12.0
11.92
0.0

1.83
12.0
0.698

2.15
15.0
0.708

15.0
14.14
0.0

2.63
20.0
0.720

20.0
19.85
0.0

Tabla 3
3.- Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los
datos en la Tabla 4
Tabla 4 (Ge)
R directa()
313.9

R inversa(M)
0.059 M

4.- Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera similar al

paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6
Tabla 5

Vcc(v)
Id(mA)
Vd(v)

0.15
0.1
0.151

0.20
0.2
0.188

0.24
0.4
0.212

Vcc(v)
Vd(v)
Id(uA)
Tabla 6

0.0
0
0

1.0
0.985
0.4

0.31
0.8
0.239

2.0
1.972
0.6

0.41
1.6
0.270

4.0
3.975
0.8

0.52
2.5
0.292

6.0
5.91
1.0

0.82
5.0
0.332

8.0
7.90
1.15

1.15
8.0
0.363

10.0
9.94
1.5

1.32
10.0
0.377

12.0
11.96
1.9

1.52
12.0
0.390

1.83
15.0
0.406

2.23
20.0
0.429

15.0
14.76
4.4

18.0
17.74
15.2

20.0
19.61
32

5. Cuestionario final:
Vd
I d=f ) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si)

1. Construir el grafico

Calcular la resistencia dinmica del diodo.

rd =

V d V d

( i+1)

I d I d
( i+1)

i=1,2,3. .

Para la tabla 2 :
Vcc

0.50

0.57

0.59

0.65

0.75

0.84

1.15

1.46

1.64

1.83

2.15

2.63

Id(mA)

0.1

0.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

10.0

12.0

15.0

20.0

Vd(v)

0.471

0.501

0.531

0.566

0.600

0.623

0.657

0.679

0.689

0.698

0.708

0.720

Aplicando la formula tendremos las resistencias directas en el siguiente cuadro:

i

rd

10

11

0.300

0.150

0.087

0.043

0.026

0.014

0.007

0.005

0.005

0.003

0.002

()

Para la tabla 3:
Vcc(v)

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

15.0

20.0

Vd(v)

0.0

1.972

3.973

5.96

7.91

9.97

11.92

14.14

19.85

Id(uA)

0.0

0.0

0.0

0.0

0.0

0.0

0.0

0.0

0.0

i
rd

()
Aplicando la formula tendremos las resistencias directas en el siguiente cuadro:

Vd
I d=f ) con los datos de las tablas 2 y 3. (Ge)

2. Construir el grafico

Calcular la resistencia dinmica del diodo.

Para la tabla 5:
Vcc(v
)
Id(m
A)
Vd(v)

0.15

0.20

0.24

0.31

0.41

0.52

0.82

1.15

1.32

1.52

1.83

2.23

0.1

0.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

10.0

12.0

15.0

20.0

0.15
1

0.18
8

0.21
2

0.23
9

0.27
0

0.29
2

0.33
2

0.36
3

0.37 0.390
7

0.40
6

0.429

Aplicando la formula tendremos las resistencias directas en el siguiente cuadro:

i

rd

10

11

0.37
0

0.120

0.068

0.039

0.024

0.016

0.010

0.007

0.007

0.005

0.005

()

Para la tabla 6:
Vcc(v)

0.0

1.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

15.0

18.0

20.0

Vd(v)

0.985

1.972

3.975

5.91

7.90

9.94

11.96

14.76

17.74

19.61

Id(uA)

0.4

0.6

0.8

1.0

1.15

1.5

1.9

4.4

15.2

32

Aplicando la formula tendremos las resistencias directas en el siguiente cuadro:

i
rd

()

10

11

2.46
3

4.935

10.015

9.675

13.267

5.829

5.050

1.120

0.276

0.111

0.613

3. Interpretar los datos obtenidos de la tabla

Para ambos casos (diodo de silicio y diodo de germanio) se dan dos situaciones cuando
se encuentran polarizados directamente e inversamente.

Cuando se encuentran polarizados directamente la resistencia dinmica es

pequea por lo que se comportara como un circuito cerrado dejando que fluya la
corriente.

Cuando se encuentran polarizados inversamente la resistencia dinmica es

grande por lo que se comportara como un circuito abierto impidiendo el paso de
la corriente.

6. Conclusiones:

El diodo de Si es ms robusto y ms ideal en lo que a corrientes se refiere. Es

mejor para funcin de rectificacin.

El diodo de Germanio al tener menos capacidad ser de conmutacin ms rpida

por tener menos capacidad y funcionar mejor en frecuencias muy altas.
La estabilidad trmica del de Silicio es mejor que la del de Germanio. El Germanio
apenas se utiliza en la actualidad por esta causa, y por qu tienen un competidor
entre los de Silicio, los llamados Diodos Schotfky

Un diodo permitir la conduccin de corriente cuando se encuentra polarizado

directamente. Se comportara como un circuito cerrado.

Un diodo impedir la conduccin de corriente cuando se encuentre polarizado

inversamente. Se comportara como un circuito abierto.

7. Bibliografa:
http://www.unicrom.com
http://es.wikipedia.org

Gua para mediciones electrnicas y prcticas de laboratorio.

Stanley Wolf y Richard Smith.

https://espanol.answers.yahoo.com/question/index?
qid=20100228181015AAF0KqC
http://html.rincondelvago.com/diodo-semiconductor.html