ROMEU HAUSMANN

SISTEMA INTELIGENTE DE ILUMINAO PARA

DUAS LMPADAS FLUORESCENTES DE 40W

FLORIANPOLIS
2000

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

CURSO DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

SISTEMA INTELIGENTE DE
ILUMINAO PARA DUAS LMPADAS
FLUORESCENTES DE 40W

Dissertao submetida
Universidade Federal de Santa Catarina
como parte dos requisitos para a
obteno do grau de Mestre em Engenharia Eltrica.

ROMEU HAUSMANN

Florianpolis, dezembro de 2000.

Resumo da Dissertao apresentada UFSC como parte dos requisitos necessrios

para a obteno do grau de Mestre em Engenharia Eltrica.

SISTEMA INTELIGENTE DE ILUMINAO

PARA DUAS LMPADAS FLUORESCENTES
DE 40W
ROMEU HAUSMANN
Dezembro/2000
Orientador: Prof. Arnaldo Jos Perin, Dr. Ing.
rea de Concentrao: Eletrnica de Potncia.
Palavras-chave: reatores eletrnicos, inversor, controle de luminosidade, PFC,
Nmero de Pginas: 137

RESUMO:

Trata-se de um sistema de iluminao para duas lmpadas

fluorescentes de 40W. composto por um estgio de correo de fator de potncia,

inversor meia-ponte ressonante para o acionamento das lmpadas, circuito para
deteco de presena e sensor para o controle de luminosidade. Inicialmente,
apresenta-se um estudo comparativo envolvendo os principais sensores de
luminosidade disponveis comercialmente. So tambm apresentados os mtodos
mais empregados na deteco de presena. A seguir apresentada a anlise do prregulador boost operando no modo de conduo crtica, para tenso de alimentao
desde 90 at 260V. Esta anlise compreende equacionamento, exemplo de projeto e
simulao. Na seqncia, apresenta-se a anlise do inversor meia-ponte ressonante
seguido de exemplo de projeto e simulao. Para o comando, controle e proteo do
inversor ressonante empregado um microcontrolador, o qual tambm tem seu
funcionamento analisado. Na seqncia, apresentado um estudo sobre fontes
auxiliares para a estrutura proposta, contendo as principais alternativas encontradas na
bibliografia, com suas vantagens e desvantagens. E, para finalizar, so mostrados os
resultados experimentais contendo as principais formas de onda que caracterizam o
funcionamento da estrutura. Com isto valida-se a metodologia empregada.

ii

Abstract of Dissertation presented to UFSC as a partial fulfillment of the

requirements for the degree of Master in Electrical Engineering.

INTELLIGENT LIGHTING SYSTEM TO TWO 40W

FLUORESCENT LAMPS
ROMEU HAUSMANN
December/2000

Advisor: Arnaldo Jos Perin.

Area of Concentration: Power Electronics.
Keywords: electronic ballast, resonant inverters, lighting control, PFC.
Number of Pages: .

ABSTRACT: This work presents a dual 40W fluorescent lamp lighting

system. This converter consists in a power factor correction stage, a half-bridge
resonant inverter, a detection motion circuit

and a lighting control sensor. It is

presented a comparative study involving the main lighting sensors commercially

available. The most used methods in motion detection are also mentioned. After that
an analysis of the boost pre-regulator operating in the transition mode from 90 to
260V power supply is presented. This analysis comprises an equationement, a
project example and a simulation. It is presented an analysis of a half-bridge resonant
inverter, followed by an example of project and simulation. A microcontroler is used
to drive, control and protect the resonant inverter, which has also been analyzed
according to its operation. After that it is carried out a study about secondary power
sources to the proposed structure. This study contains the main alternatives mentioned
by the bibliography, showing its advantages and disadvantages. Finally, the
experimental results containing the main waveforms that characterize the structure
operation are showed, validating the applied methodology.

iii

Sumrio

SIMBOLOGIA

vii

INTRODUO GERAL

xi

CAPITULO 1 - Sensores de luminosidade e de presena

1.1 - Introduo

1.2 - Controle de luminosidade

1.2.1 Controle de luminosidade para lmpadas fluorescentes

1.2.2 Fotodetectores

1.2.3 Detectores Fotocondutivos

1.2.4 Detectores fotovoltaicos

1.2.5 Escolha do fotosensor

1.2.6 Tipos de fotodetectores

1.2.7 Critrios de seleo

10

1.3 - Detectores de presena

12

1.3.1 Infravermelho Ativo

12

1.3.2 Efeito Doppler

13

1.3.3 Infravermelho passivo

14

1.3.4. Deteco de movimento pelo sensor PIR

16

1.3.5 Princpio de Funcionamento da deteco de movimento

17

1.3.5 Sensores de infra-vermelho (IR infra red)

18

1.3.6 Radiao eletromagntica e luz

20

1.3.7 Lentes

21

1.3.8 Projeto Eletrnico

23

1.4 - Concluso

24

CAPITULO 2 - Estgio de Correo do Fator de Potncia

2.1 Introduo

25

2.2 Fator de Potncia

25
iv

2.3 Pr-Regulador Empregando o Conversor Boost Operando no Modo de

Conduo Crtica

27

2.4 Etapas de operao

28

2.5 Correo do Fator de Potncia Empregando o Circuito Integrado L6560

29

2.6 Princpio de funcionamento do circuito integrado L6560

30

2.7 Descrio dos principais blocos do L6560

32

2.7.1 Circuito de alimentao interna

32

2.7.2 Amplificador de Erro e detector de sobretenso

33

2.7.3 Deteco de Corrente Zero e Estgio de Sada

35

2.7.4 Multiplicador

36

2.7.5 Comparador de Corrente e Latch

36

2.7.6 Driver

37

2.8 Dimensionamento do estgio de potncia

37

2.8.1 Ponte retificadora

38

2.8.2 Capacitor de entrada

38

2.8.3 Capacitor de sada

38

2.8.4 Indutor Boost

39

2.8.5 Esforos de corrente no interruptor comandado

40

2.8.6 Esforos de corrente no diodo boost

40

2.8.7 Filtro de entrada

41

2.8.9 Filtro de EMI (Eletromagnetic Interference)

42

2.9 Exemplo de projeto

44

2.10 Resultados de simulao

54

2.11 Concluso

58

CAPTULO 3 - Inversor Ressonante

3.1 Introduo

60

3.2 Estgio Ressonante

60

3.3 Etapas de Operao

62

3.4 Anlise do circuito ressonante

65

3.4.1 Transitrio de partida

66

3.4.2 Anlise em regime permanente

68

3.5 Metodologia de projeto do circuito ressonante

v

69

3.6 Exemplo de projeto

71

3.7 Comando, controle e proteo do inversor ressonante

77

3.7.1 Projeto de software e de hardware

77

3.7.2 Funcionamento da estrutura

78

3.7.3 Controle de intensidade luminosa

80

3.7.4 Controle de presena

84

3.7.5 Proteo do circuito ressonante

86

3.8 Resultados de simulao

88

3.9 Concluso

90

CAPTULO 4 - Fontes de Alimentao Auxiliares

4.1 Introduo

91

4.2 Circuitos que necessitam de fonte de alimentao

91

4.2.1 Circuito de deteco de presena

92

4.2.2 Circuito de comando/controle do conversor boost

92

4.2.3 Circuito de comando/controle do inversor ressonante

93

4.2.4 Propostas de fontes auxiliares

94

4.3 Configurao adotada para fonte de alimentao auxiliar

98

4.4 Concluso

103

CAPTULO 5 - Resultados Experimentais

5.1 Introduo

104

5.2 Diagrama esquemtico

104

5.2 Principais formas de onda

108

5.3 Concluso

117

CONCLUSO GERAL

118

ANEXO

120

REFERNCIA BIBLIOGRFICA

134
vi

SIMBOLOGIA

1. Smbolos adotados nos equacionamentos

Smbolo

c
s

vi
vo
Vom
Ae
AeAw
Aw
B
Bw
Bmax
Ceq
Cf
Cin
Co
Cp
Cs
D
Dmin
E
F
f
Fr
fRR
fRT
fs
fsw
Fsw(min)
ID
Id1rms
IDbmed
IDbrms
Iipk
Ilpk
Ilpk(max)

Significado
Coeficiente de amortecimento do filtro
Freqncia angular
Freqncia angular de comutao
Rendimento
ngulo de deslocamento entre tenso e corrente na rede CA
Permeabilidade do ar
Profundidade de penetrao da corrente
Ondulao de alta freqncia na tenso na entrada
Ondulao da tenso na sada do barramento CC
Mximo valor de sobretenso admissvel na sada do
conversor boost
rea da perna central do ncleo
Produto das reas
rea da janela do ncleo
Densidade de fluxo mxima
Largura da banda de freqncia que controla a
realimentao do conversor boost
Mxima densidade de fluxo
Capacitncia equivalente da associao srie de Cs e Cp
Capacitncia do capacitor do filtro de entrada
Capacitncia do capacitor de entrada
Capacitncia do capacitor de sada do barramento CC
Capacitncia do capacitor ressonante paralelo
Capacitncia do capacitor ressonante srie
Razo cclica
Mnima razo cclica
Tenso no barramento CC
Freqncia de entrada do retificador
Freqncia da rede
Freqncia de ressonncia no transitrio de partida
Freqncia de ressonncia em regime permanente
Freqncia de ressonncia no transitrio de partida
Freqncia de comutao
Freqncia de comutao
Mnima freqncia de comutao
Corrente de dreno do interruptor Mosfet
Corrente eficaz no diodo D1
Corrente mdia no diodo boost para um perodo de
funcionamento
Corrente eficaz no diodo boost para um perodo de
funcionamento
Corrente mxima de entrada
Corrente de pico no indutor boost
Corrente de pico mxima no indutor boost
vii

Unidade
rad/s
rad/s

cm
V
V
V
cm2
cm4
cm2
T
Hz

T
F
F
F
F
F
F
V
Hz
Hz

Hz
Hz
Hz
Hz
Hz
A
A
A

A
A
A

Smbolo
Ilr
ILrmax
ILrrms
Ilrms
ILRMS
IT1max
IT2max
Io
Irms
Irms(max)
IRspk
ITmed
ITrms
IT1rms
IT2rms
J
Jmax
k
Kw
L
Lb
Lf
Lg
Lr
N
ncond
Pi
Po
R
Req
RDSON
S
Scon
TDH
ton
Vab
Vceq
VCS
VCSpk
VDsmax
VDST1
VDST2
Virms

Significado
Corrente no indutor ressonante
Corrente mxima no indutor ressonante
Corrente eficaz no indutor ressonante
Corrente eficaz no indutor boost
Valor eficaz da corrente de operao da lmpada
Corrente mxima no interruptor T1 do inversor ressonante
Corrente mxima no interruptor T2 do inversor ressonante
Corrente mdia de carga
Corrente eficaz de entrada para um semiciclo da rede
Valor mximo da corrente eficaz de entrada para um
semiciclo da rede
Corrente mxima que flui atravs do sensor de corrente do
conversor boost
Corrente mdia no interruptor controlado para um perodo de
funcionamento
Corrente eficaz no interruptor controlado para um perodo de
funcionamento
Corrente eficaz no interruptor T1 do inversor ressonante
Corrente eficaz no interruptor T2 do inversor ressonante
Densidade de corrente
Mxima densidade de corrente
Ganho do multiplicador
Fator de utilizao do ncleo
Indutncia do indutor boost
Indutncia do indutor boost
Indutncia do indutor de filtragem
Comprimento do entreferro
Indutncia do indutor ressonante
Nmero de espiras
Nmero de condutores
Mxima potncia de entrada
Mxima potncia de sada
Resistncia equivalente da lmpada
Resistncia equivalente vista pelo filtro de entrada
Resistncia de conduo do interruptor Mosfet
Seco transversal
Seco transversal do condutor
Taxa de distoro harmnica
Tempo de conduo do interruptor boost
Componente fundamental da tenso entre os pontos a e b
Tenso sobre a capacitncia equivalente
Tenso sobre o sensor de corrente do conversor boost
Mxima tenso sobre o sensor de corrente do conversor boost
Mxima tenso dreno-source
Tenso dreno-source no interruptor T1 do inversor
ressonante
Tenso dreno-source no interruptor T21 do inversor
ressonante
Valor eficaz da tenso de entrada
viii

Unidade
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A

A
A
A/cm2
A/cm2
H
H
H
mm
H
W
W

Cm2
Cm2
%
s
V
V
V
V
V
V

Smbolo

Significado
Menor valor eficaz da tenso de entrada
Maior valor eficaz da tenso de entrada
Valor eficaz da tenso de operao da lmpada
Tenso no pino 3 do CI L6560
Mxima tenso no pino 3 do CI L6560
Tenso mdia na sada do barramento CC
Tenso na sada do filtro de EMI

Virms(min)
Virms(max)
VLRMS
VMULT
VMULTpkx
Vo
Vout

2. Acrnimos e abreviaturas
Smbolo
CNPQ
CA
CC
IEEE
IGBT
INEP
LDR
Mosfet
PIR
PWM

Significado
Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e
Tecnolgico
Corrente Alternada
Corrente Contnua
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Insulated Gate Bipolar Transistor
Instituto de Eletrnica de Potncia
Light Dependent Resistor
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
Passive Infrared
Pulse Width Modulation

3. Smbolos usados nos diagramas de circuitos

Smbolo
Cf, Cin, Cp, Cs,
C, Co, Cy, Cx
D, Db, Dret
Dz
E
F
IC, U
L, Lr, Lb, Lf
R, Rs, Ro, Req,
Rd
T
Tr
Vi, Vab, Vo, V1

Significado
Capacitor
Diodo
Diodo Zener
Fonte de tenso
Fusvel
Circuito integrado
Indutor
Resistor
Interruptor Controlado
Transformador
Fonte de tenso

ix

Unidade
V
V
V
V
V
V
V

4. Smbolos de unidades de grandezas fsicas (SI)

Smbolo

A
F
H
Hz
m
rad
s
T
V
W

Significado
Ohm
Ampre
Farad
Henry
Hertz
Metro
Radiano
Segundo
Tesla
Volt
Watt

Introduo Geral

A diversificao das fontes energticas e a utilizao racional da energia

eltrica est cada vez mais no centro das atenes em todo o mundo. Isto se deve, em
parte, ao esgotamento de algumas fontes de energia e ao elevado custo de produo de
outras. Em diversas partes do mundo surgem diferentes alternativas energticas, sendo
que cada qual melhor adaptada uma determinada caracterstica, seja ela climtica,
geogrfica, econmica, etc.
Um elevado percentual da energia eltrica produzida destinado
iluminao artificial (cerca de 25%). Em virtude disso, muitos esforos so
concentrados no sentido de melhorar a eficincia dos sistemas existentes e criar novas
formas de iluminao artificial. Cada contribuio nesse sentido importante, pois
dificilmente haver uma soluo definitiva.
A iluminao artificial pode ser resumida em trs grandes reas:

Iluminao de reas externas;

Iluminao residencial;

Iluminao industrial/comercial.

Cada uma dessas reas possui um tipo de iluminao que melhor se adapta s
suas necessidades.
Uma grande parcela da iluminao artificial feita a partir de lmpadas
fluorescentes. Elas possuem elevada eficincia e maior tempo de vida, se comparadas
s lmpadas incandescentes. O maior problema a complexidade de instalao,
quando comparadas s lmpadas incandescentes, pois necessitam de um elemento que
estabilize a corrente atravs delas e fornea a tenso necessria para sua ignio.
Atualmente no Brasil, os reatores convencionais so os mais difundidos. Porm eles
apresentam alguns inconvenientes, tais como:

Rudo audvel;

Ocorrncia do efeito estroboscpico;

Elevado peso;

Eficincia relativamente baixa.

Neste trabalho ser apresentado um reator eletrnico operando em elevada

freqncia para o acionamento de duas lmpadas fluorescentes tubulares de 40W. O
xi

acionamento em alta freqncia faz com que haja um aumento do fluxo luminoso da
lmpada, se comparado ao acionamento em baixa freqncia. Somente esta
caracterstica faz com que se tenha uma economia de 15%, considerando o mesmo
fluxo luminoso [24].
Como objetivos deste trabalho, pode dizer que as caractersticas esperadas
so:

Elevado fator de potncia;

Operao em uma faixa de tenso de entrada variando desde 90 at

260V;

Ausncia de efeito estroboscpico;

Boa reprodutibilidade;

Custo competitivo dentro de seu segmento;

Possibilitar a troca das lmpadas com o circuito energizado;

Controle automtico da intensidade luminosa em funo do nvel de

luminosidade ambiente;

Desligar automaticamente as lmpadas na ausncia de pessoas no

ambiente iluminado;

Ausncia de rudo audvel;

Baixo fator de crista sobre a lmpada;

Proteo de curto-circuito na sada.

Para abranger todas as caractersticas citadas este estudo dividido em cinco

captulos.
No captulo1 so abordados os sensores de intensidade luminosa, com o
objetivo de se obter a melhor soluo para cada aplicao. Tambm nesse captulo
apresentado um estudo sobre os principais mtodos de deteco de presena
disponveis comercialmente.
O captulo 2 aborda o estgio de correo do fator de potncia. Este estgio
deve apresentar elevado fator de potncia para uma faixa de tenso de entrada
compreendida desde 90 at 260V. Alm do equacionamento, exemplo de projeto e
simulao, ser mostrado todo o circuito de controle/comando e proteo para esta
estrutura.
O estgio que far o acionamento das lmpadas ser apresentado no captulo
3. Assim como no captulo 2, coloca-se um exemplo de projeto baseado no

xii

equacionamento desenvolvido e valida-se a metodologia atravs de simulao. O

circuito responsvel pelo comando/controle e proteo da estrutura tambm so
destacados neste captulo.
No captulo 4 mostra-se o resultado do estudo feito sobre fontes de
alimentao auxiliares. Estas fontes merecem destaque, pois tem grande influncia no
custo total, rendimento e funcionamento da estrutura.
E, finalmente, no captulo 5 so apresentados os resultados experimentais
obtidos a partir da construo de um prottipo. Este prottipo apresenta as mesmas
especificaes dos exemplos de projeto e simulaes feitas no decorrer dos demais
captulos. Confrontando-se os resultados experimentais com os tericos e de
simulao, pode-se verificar a validade da metodologia de projeto adotada.

xiii

Captulo 1
Sensores de luminosidade e de presena

1.1 Introduo
Neste captulo sero abordadas algumas tcnicas para controle da intensidade
luminosa, bem como os sensores mais difundidos para esta finalidade. Sero tratados
aspectos relativos ao funcionamento dos sensores, suas aplicaes, custo e outros
pertinentes a esta aplicao.
Em um segundo momento, sero abordados os detectores de presena. Da mesma
forma, como nos sensores de luminosidade, ser apresentado um estudo que permita a
melhor escolha para uma determinada aplicao. O circuito eletrnico necessrio para o
tratamento do sinal proveniente do sensor tambm ser abordado.

1.2 Controle de luminosidade

As primeiras tcnicas de controle de luminosidade foram desenvolvidas para o uso

em lmpadas incandescentes. Inicialmente os controles eram efetuados atravs de
potencimetros conectados em srie com a lmpada em questo, fazendo assim circular
uma corrente maior ou menor por seu filamento. Por efeito disso, sua luminosidade variava
proporcionalmente a esta corrente.
Essa tcnica surtiu a princpio o efeito desejado, mas tinha no entanto um
inconveniente: o de consumir a mesma quantidade de energia para qualquer intensidade
luminosa. A explicao para isso bastante simples, e toma por base uma das leis de
Kirchoff, onde toda potncia entregue a um circuito deve ser consumida por este. Com
isso, independente das resistncias dos componentes passivos do circuito (lmpada e
potencimetro), a soma da energia dissipada nestes elementos ser sempre a mesma, uma
vez que a tenso aplicada sobre o conjunto a mesma.

2
Posteriormente, um novo tipo de controle veio sanar esse problema. Com a
utilizao de tiristores e triacs, tornou-se possvel controlar a quantidade de energia
entregue a uma carga (neste caso, a lmpada) e, com isso, a potncia consumida pela
mesma.
Para conseguir realizar tal operao, utilizam-se os prprios comandos de controle
desses dispositivos, chamados de gate. Com eles, possvel estabelecer intervalos
especficos de tempo nos quais esses componentes permanecero ativos, de modo que
faam a alimentao do circuito em uma parte do perodo.
Assim, com a limitao da tenso de entrada, obtm-se o controle de luminosidade
sem o desperdcio de energia, j que se pode direcionar uma quantidade especfica da
corrente total para o acionamento da lmpada.

1.2.1 Controle de luminosidade para lmpadas fluorescentes

Existem vrias tcnicas de controle da luminosidade, empregadas para os diversos
tipos de lmpadas. Este estudo concentrar os interesses na iluminao fluorescente.
Para o acionamento a partir de reator eletrnico, empregando um inversor meiaponte ressonante assimtrico, tem-se a alimentao da lmpada feita por dois transistores,
como mostra a Fig. 1.1.
a
Cs
T1
D1

C1

Lmpada

Cp

Lr

E
-

b
T2
D2

C2

Fig. 1.1 Esquema bsico de um Reator Eletrnico.

Como se pode perceber na figura, a entrega de energia lmpada feita pelos

transistores T1 e T2. No entanto, para que o sistema funcione adequadamente e a

3
transferncia de energia ocorra de modo eficiente, necessrio que esses componentes
trabalhem de forma complementar e durante curtos intervalos de tempo. Ou, em outras
palavras, que sejam ativados e desativados alternadamente em alta freqncia.
A variao do fluxo luminoso proporcional potncia entregue para a lmpada.
Com o emprego de inversores pode-se efetuar a variao da potncia entregue lmpada de
trs formas:
Variando-se a freqncia de comutao;
Variando-se a tenso do barramento CC (tenso da fonte E da Fig. 1.1);
Variando-se a razo cclica.
Cabe ressaltar que as diferentes formas de atuao no conversor, com o objetivo
de variar a potncia entregue lmpada, dependem da topologia do conversor.
A variao da luminosidade de uma lmpada fluorescente em uma ampla faixa de
potncia uma tarefa difcil, visto que abaixo de 30% de sua potncia nominal podem
ocorrem problemas de estabilidade[1]
Outros fatores de interesse no desenvolvimento de um sistema para o controle
automtico da intensidade luminosa so: baixo custo, fcil reprodutividade, boa robustez e
simplicidade de instalao.

1.2.2 Fotodetectores
O termo fotodetectores geralmente aplicado para transdutores que operam em
uma pequena faixa do espectro eletromagntico a faixa visvel e prxima do
infravermelho.
Existem dois tipos principais de fotodetectores, chamados de detectores trmicos e
detectores de ftons:
Detectores trmicos - o princpio de deteco essencialmente um anteparo, que
por ser negro, idealmente absorve toda radiao incidente, elevando sua temperatura. O
aumento de temperatura medido atravs de algumas formas de transduo. Os
fotodetectores so geralmente classificados conforme sua utilizao, sendo que os mais
populares so os termopares e piroeltricos. Fotodetectores trmicos geralmente tem uma
baixa confiabilidade quanto a resposta, mas esta resposta constante para uma grande faixa

4
de comprimento de onda. Esta grande faixa de resposta caracteriza a principal diferena
para com os detectores de ftons.
Detectores de ftons - estes componentes utilizam vrias formas de efeito
fotoeltrico, como o efeito fotoemissivo, fotocondutivo ou ainda fotovoltico. A sua
resposta aumenta linearmente com o aumento do comprimento de onda at um valor
mximo, onde cai rapidamente a zero. A causa deste comportamento devido ao efeito
ocorrer apenas se a energia do fton, da radiao incidente, maior ou igual quela de
relevncia para que o fotoefeito ocorra. A quantidade de energia til funo da rea da
janela do elemento detector. Para este trabalho sero estudados com maior profundidade os
detectores de efeito fotocondutivo e fotovoltico.

1.2.3 Detectores Fotocondutivos

Detectores fotocondutivos so compostos de materiais semicondutores nos quais

os ftons incidentes na janela do fotosensor excitam os eltrons fazendo com que o
dispositivo entre em conduo. importante notar que eltrons excitados tem um tempo de
vida limitado. Quando so atingidos por radiao luminosa, a condio de equilbrio
rapidamente alcanada. Nesta condio a variao do nmero de eltrons na banda de
conduo proporcional excitao. A principal conseqncia um aumento de sua
condutividade, quando passa de no iluminado a iluminado. A mudana proporcional da
resistncia de carga dada por:
R qW
=
R
hN
Onde:
q : eficincia do quantum;
W : potncia da radiao incidente;
: freqncia espectral;
h : constante de Planck;
N : nmero de eltrons na banda de conduo na ausncia de radiao;
: tempo de vida;
N regido pela excitao trmica e dado por:

(1.1)

5
Eg

N = N 0e

2 KT

(1.2)

Onde:
N0 : nmero total de eltrons;
Eg : gap (janela) de energia;
Contudo N aumenta com a temperatura e ser relativamente maior em uma dada
temperatura se Eg for pequeno.
Detectores fotocondutivos so transdutores que variam sua grandeza e
normalmente so conectados outro componente. A Fig. 1.2 mostra um arranjo tpico deste
tipo de transdutor.

+V
Radiao
incidente

Rc

Vo

R
-V

Fig. 1.2 Esquema de ligao de um detetor fotocondutivo (LDR).

Existem vrios tipos de detetores fotocondutivos e cada um apresenta vantagens

para uma aplicao especfica. A resposta de cada um deles varia de acordo com o
comprimento de onda da radiao incidente. Os fotodetectores so conhecidos basicamente
pelo material empregado na sua construo, como por exemplo: silcio, germnio, sulfato
de chumbo, sulfato de cdmio, ouro (dopado com germnio).

1.2.4 Detectores fotovoltaicos

Estes

componentes

so

construdos

de

forma

similar

aos

detectores

fotocondutivos. So constitudos de junes p-n e quando submetidos luz sua corrente

reversa aumenta. Quando no esto submetidos a iluminao comportam-se como diodos
semicondutores comuns.

6
O funcionamento deste componente no depende de fonte externa, funcionando
apenas com a presena de iluminao. Em condies de curto circuito seu funcionamento
pode ser observado pela corrente que nele flui, que proporcional intensidade luminosa
aplicada. Quando em circuito aberto pode se constatar a presena de uma tenso em seus
terminais, da a designao fotovoltaico.
A maneira mais comum de utilizao como fonte de corrente, pois esta
diretamente proporcional iluminao. Sua utilizao como fonte de tenso no to
atraente pois no existe uma relao linear entre intensidade luminosa e tenso gerada.
Os fotodetectores formados por uma nica juno p-n so conhecidos por
fotodiodos e normalmente esto conectados a um circuito amplificador para aumentar sua
capacidade de atuao. A Fig. 1.3 apresentada uma configurao tpica empregando
fotodiodo.
R2

Radiao
incidente

U1

D1

Vo

+Vd
+Vcc

R1

-Vcc

Fig. 1.3 circuito amplificador para fotodiodo.

Outro componente fotovoltaico o fototransistor. Ele similar ao transistor de

juno. A diferena que no fototransistor existe uma janela na juno base-coletor, que
com incidncia de luz produz uma corrente de base que amplificada pelo transistor. Este
componente compacto e til em diversas aplicaes, mas com uma pobre resposta em
freqncia e uma grande corrente quando no iluminado. Pode-se obter caractersticas
melhores quando se empregar o fotodiodo conectado um amplificador.
Na famlia dos detectores fotovoltaicos podem ainda ser citados os duplo-diodos
que nada mais so que fototransistores sem o terminal de base; os fotodiodos PIN que
possuem uma camada extra de material intrnseco entre a juno p-n; os fotoFETs que
possuem uma janela na regio do gate e caracterizam-se pelo timo produto ganho x banda
de passagem.

1.2.5 Escolha do fotosensor

Como pde ser observado, existem inmeras opes de escolha para

fotodetectores. Dentre as opes j mencionadas, somadas outras ainda no mencionadas,
podem ser encontrados fotodiodos, fototransistores, fotorresistores, fotodarlingtons,
circuitos integrados, vlvulas fotomultiplicadoras e vrios outros circuitos hbridos. As
principais caractersticas que devem ser observadas na escolha de um fotodetector so:

Caractersticas espectrais da fonte de luz;

Potncia ptica;

Circuitos eletrnicos auxiliares;

Encapsulamento;

Dimenso da fonte de luz;

Relao sinal rudo;

Faixa de freqncia;

Custo.

1.2.6 Tipos de fotodetectores

Sero apresentados alguns dos tipos mais conhecidos de fotodetectores, com um

breve resumo das suas principais caractersticas para que seja possvel fazer a melhor
opo para cada situao.
1. Vlvulas fotomultiplicadoras
So vlvulas a vcuo que possuem uma superfcie sensvel luz, conhecida por
fotocatodo. Esta superfcie absorve os ftons da luz incidente e emite eltrons secundrios.
Estes eltrons secundrios so acelerados e multiplicados dentro da vlvula.
As vlvulas fotomultiplicadoras so o que de melhor h em termos de
sensibilidade. Elas podem detectar a menor quantidade de energia ptica, ou seja um fton
individual.

8
A seguir as suas principais caractersticas.

Fragilidade mecnica;

Necessita de tenso de alimentao estvel e muito elevada;

Custo muito elevado (aproximadamente U$100,00);

Formas e tamanhos muito limitados;

Susceptvel campos magnticos externos;

Funcionam na faixa de 190nm at 900nm.

2. Fotodiodos
Fotodiodos so componentes semicondutores sensveis luz, fabricados de modo
semelhante aos diodos semicondutores comuns. A principal diferena consiste na presena
de uma janela que permite a incidncia de luz sobre a juno p-n.
Eles oferecem uma srie de convenincias que os torna muito atrativos para
diversas aplicaes:
Podem facilmente medir potncias luminosas de pico watts at mili watts;
So fabricados com encapsulamento padro ou sob encomenda;
Podem detectar comprimentos de onda desde 190nm at 2.000nm;
So pequenos e leves;
Boa reprodutibilidade;
Custo acessvel (aproximadamente U$1,00) para grandes quantidades e para
componentes com pequenas janelas de deteco na faixa do infravermelho. Para faixa de
luz visvel o custo pode triplicar;
Podem ser fabricados com grandes janelas de deteco (> 10cm2, com aumento
de custo conforme a rea);
Possuem tima resposta com tempos de transio de 10ps.
Quando houver problemas de rudo em nveis de iluminao que proporcionam
apenas alguns picowatts de potncia luminosa, a melhor opo so os fotodiodos de
avalanche que apresentam um ganho na ordem de 100.
Os fotodiodos comuns geralmente necessitam de um circuito pr-amplificador
para operar com nveis de iluminao muito pequenos, o que representa um aumento de
custos. Porm para potncias maiores, na ordem de 10 microwatts, um simples resistor de
carga suficiente para que os nveis de tenso sejam compatveis com a tecnologia TTL.
3. Fototransistores e fotodarlingtons

9
So componentes desenvolvidos para serem sensveis iluminao, haja visto que
seu encapsulamento transparente. Em determinadas situaes so mais vantajosos que os
fotodiodos, pois possuem um ganho que varia desde 100 e pode chegar 100.000 no caso
dos fotodarlingtons.
Devido a seu elevado ganho basta que seja conectado um resistor de carga para
que o nvel de sinal possa ser utilizado na maioria das aplicaes. Os fototransistores se
tornaram mais populares nas aplicaes onde o nvel de luz a ser detectado muito baixo.
As principais caractersticas destes componentes so:

Banda de freqncia limitada, 350nm at 1.100nm;

No possui boa linearidade;

Apresenta grande variao de sensibilidade entre componentes do mesmo tipo;

Poucas opes de encapsulamento.

Baixo custo (aproximadamente U$0,50)para faixa de luz visvel.

No necessitam de circuitos eletrnicos auxiliares;

4. Fotorresistores - LDR (Light Dependent Resistors)

So sensores fotocondutivos construdos com uma fina camada de material
semicondutor, onde a resistncia inversamente proporcional radiao luminosa
incidente.
Tambm conhecidos como sensores fotocondutivos de sulfato de cdmio (CdS),
apresentam curvas de sensibilidade parecidas com as da viso humana. So indicados
portanto para aplicaes onde esta caracterstica se torna necessria, como por exemplo
controle automtico de intensidade luminosa em sistemas de iluminao. Estes sensores
podem ser empregados para medir potncias luminosas desde microwatts at miliwatts,
apresentando um custo muito reduzido quando adquiridos em quantidades elevadas. As
caractersticas at aqui relacionadas fazem do LDR o sensor mais empregado na rea de
brinquedos eletrnicos e sistemas automticos de iluminao urbana, onde o custo um
fator decisivo.
Existem entretanto consideraes que limitam o uso dos sensores fotocondutivos
em aplicaes mais sofisticadas, so elas:
Aplicaes onde se exige boa sensibilidade em uma grande faixa de freqncia;
Grandes variaes entre componentes do mesmo modelo resposta dependente
do histrico de luz;

10
Por outro lado, suporta elevados picos de tenso( 300V) CA ou CC, o que lhe
confere grande robustez.
A resistncia destes componentes depende da espessura do material semicondutor,
dessa forma a especificao da resistncia tem uma grande tolerncia uma proporo
mximo/mnimo de 3. A resistncia tambm possui uma grande memria trmica, e
depende em um determinado momento da quantidade de luz incidente sobre o dispositivo
mais o histrico da quantidade de luz dos dias anteriores. Esta uma propriedade particular
destes componentes, a de memorizarem as condies de iluminao nas quais estavam
armazenados antes de serem utilizados. Este efeito de memria pode ser minimizado
armazenando-os em ambientes iluminados antes de serem utilizados.
Outro inconveniente apresentado pelos fotorresistores sua variao com a
temperatura, mesmo mantidas as mesmas condies de iluminao.
5. Circuitos integrados
Incorporando circuitos eletrnicos diretamente no mesmo sensor possvel
aumentar o nmero de funes do sensor. Um circuito integrado ptico compreende um
fotodiodo e um circuito eletrnico para processamento de sinais.
Algumas das funes adicionais so, por exemplo, converso corrente-tenso e
detetor de nvel. Estes componentes podem fornecer sinais com grande imunidade rudo.
As principais vantagens so a facilidade de utilizao, tamanho reduzido e grande
imunidade rudo se comparado ao fotodiodo com circuitos eletrnicos auxiliares.
As principais desvantagens so seu elevado custo e uma limitada rea da janela de
deteco.

1.2.7 Critrios de seleo

Para sensores com comprimento de onda abaixo de 1.100nm, as clulas
fotocondutivas ou os fotosemicondutores so os mais apropriados.
Para comprimentos de onda acima de 1.100nm as opes de tecnologia e custos
no so simples e necessitam de uma cuidadosa avaliao.
Quando se deseja apenas detectar a presena ou no de luz na faixa visvel, a
melhor opo sem dvida nenhuma so os sensores fotocondutivos (LDRs). Estes

11
componentes apresentam uma tima relao custo-benefcio e alguns fabricantes fornecem
inclusive os circuitos eletrnicos completos para essa finalidade.
Quando se tratar de uma fonte luminosa com baixa intensidade (na ordem de
nanowatts de potncia luminosa), a melhor opo so os fototransistores e fotodarlingtons.
A seguir, a tabela 1 mostra um resumo dos principais componentes que podem ser
aplicados no controle de luminosidade automtico em um reator eletrnico, mostra tambm
as suas principais caractersticas.

Tabela 1 Comparativo entre os principais sensores de luminosidade.

(
m)
Custo-benefcio
Sensibilidade
Linearidade
Estabilidade
trmica
Custo

Reprodutibilidade

Fotodiodos
0,2 2,0
boa
muito boa
excelente
Muito boa

Fototransistores
0,4 1,1
excelente
muito boa
boa
boa

LDRs
0,4 0,7
excelente
muito boa
boa
baixa

CIs
0,2 1,1
regular
muito boa
boa
muito boa

Baixo
U$3,00

Muito baixo
U$0,50

Mdio
U$14,00

excelente

regular

Muito
baixo
U$0,50
ruim

muito boa

Pode-se afirmar que para a aplicao desejada, ou seja controle automtico de

intensidade luminosa em um reator eletrnico, so trs os tipos de sensores mais
adequados: LDR, fototransistor e fotodiodo.
Em aplicaes onde a intensidade luminosa maior e no h necessidade de
grande preciso e linearidade, o LDR sem dvida a melhor opo.
Quando forem requeridos preciso e boa linearidade o fotodiodo a melhor
opo, mas o custo se torna um pouco maior.

1.3 Detectores de presena

A utilizao de sistemas eletrnicos para monitoramento de presena, empregando
sensores de infravermelho passivos (PIR), comeou intensivamente a ser utilizado em
alarmes anti-furtos. O incremento significativo na utilizao desta tecnologia deve-se

12
sensvel reduo de custo ocorrido em funo da demanda de utilizao destes sensores e
necessidade de se economizar energia eltrica, pois a iluminao artificial responsvel
por mais de 25% do consumo de energia eltrica.
O uso de detectores de movimento para acionamento dos sistemas de iluminao
ou outros dispositivos, tem como caracterstica principal comodidade e economia. Em
reas de circulao, por exemplo, no h necessidade de se manter ativa a iluminao na
ausncia de transeuntes.
Em aplicaes mais crticas onde no permitida uma falsa deteco, ocasionada
por exemplo por um animal domstico ou uma corrente de ar, muitas vezes interessante
utilizar sensores combinados. Desta forma, o sinal considerado vlido apenas se
confirmado por ambos os sensores.
Assim, torna-se interessante estudar as diferentes tcnicas de deteco e seus
respectivos sensores, seu funcionamento e principais problemas.

1.3.1 Infravermelho Ativo

Os circuitos infravermelhos ativos utilizam-se de um emissor de radiao
infravermelha e um receptor, opticamente acoplados, sendo ativado quando o feixe entre
ambos cortado, ou alterado. Normalmente utilizado um feixe pulsado para eliminar a
interferncia da luz ambiente sobre o detector, sendo ento filtrado o sinal na freqncia do
sinal emitido e eliminada a variao do ambiente.
Ainda possvel dividir esse tipo de sensor em trs tipos, de acordo com o
posicionamento relativo entre o receptor e o emissor, e o modo de atuao.
No acoplamento direto tem-se o receptor e o emissor separados, frente a frente,
permanecendo assim o feixe entre eles, e atuando quando o feixe cortado. Embora
bastante simples, esse detector necessita estar bem acoplado, uma vez que pequenos
desalinhamentos entre o receptor e o emissor podem manter o sistema continuamente
ativado.
O acoplamento pode tambm ser reflexivo, onde o emissor e receptor encontramse na mesma posio. Neste tipo de acoplamento o sensor pode ser ativado de duas formas:

13
Utilizando-se uma superfcie espelhada para refletir o sinal do transmissor ao
receptor. Quando o feixe for cortado o sensor ser ativado. Dependendo da superfcie
utilizada como refletor, pode-se tornar o sistema mais sensvel usando uma superfcie
bastante brilhante, ou mais flexvel, usando superfcies que causem um espalhamento do
feixe.
A outra forma de utilizao consiste em deixar uma superfcie opaca no lugar
do espelho e ento o sistema ativa-se com a alterao no feixe decorrente da passagem de
algum, que ir refletir o feixe.
O sensor infravermelho ativo, por ter sua instalao mais complexa e mais
sensvel, tem seu uso restrito em detectores de presena. Outro problema encontrado com
este tipo de sensor quando se deseja cobrir uma rea grande, neste caso seria necessria a
presena de um grande nmero de feixes e, consequentemente, de sensores. Nota-se
tambm que mudanas no layout do ambiente poderiam requerer mudanas de
posicionamento dos sensores. Desta forma, descarta-se sua utilizao para a aplicao
desejada.

1.3.2 Efeito Doppler

Os circuitos de efeito doppler emitem um sinal ondulatrio no ambiente a ser

supervisionado e lem o sinal refletido. Quando h movimento nesse ambiente gera-se o
efeito doppler, ou seja, a onda que retorna apresenta freqncia diferente da enviada.
Combinando-se a freqncia das duas ondas, na presena de movimento obtm-se uma
outra onda, de freqncia menor, resultante do batimento entre as duas ondas. Desta forma,
ativa-se o sensor quando h essa onda de menor freqncia [18].
Geralmente so utilizados sinais ultra-snicos ou microondas. A utilizao de
sinais ultra-snicos mais antiga e est sendo quase que totalmente substituda pela
utilizao de microondas, que apresentam melhor desempenho.
Esse tipo de sensor pode eventualmente detectar movimentos fora da rea
pretendida, atravs de paredes ou vidros, ou mesmo ativar-se com o movimento de insetos,
cortinas, fluidos em canalizaes ou outro objeto que esteja em movimento.

14
Sua leitura d-se mais facilmente quando o movimento ocorre na direo do
sensor, aproximando-se deste ou afastando-se. Alm disso, possui uma certa capacidade de
monitoramento atravs de obstculos.
Os sensores de efeito doppler so facilmente adaptveis aos sistemas de
iluminao com acionamento automtico por presena, sendo que o maior inconveniente
seu alto custo que pode fazer com que o produto final no seja competitivo. Por outro lado,
em sistemas com maior valor agregado, onde o custo deste sensor tem menos influncia
sobre o custo final do produto, ele se apresenta como uma boa alternativa.

1.3.3 Infravermelho passivo

Os circuitos infravermelhos passivos utilizam-se apenas de um receptor de

radiao infravermelha e so ativados quando h alterao nesta. Como essa radiao est
ligada a temperatura, o que o sensor detecta a alterao da temperatura. So usualmente
denominados de detetores PIR (passive infra-red).
Para funcionar, o detector l, atravs de um sensor de infravermelho, a intensidade
dessa radiao emitida por um fundo (ambiente). Ao sobrepor-se um objeto de temperatura
diferente entre o fundo e o sensor, variar tambm a radiao recebida por este e, assim,
determina-se a passagem de algum no seu raio de atuao. utilizado um sistema de
lentes para definir o campo de atuao deste sensor. Isso obtido pela distribuio de
vrios feixes de atuao que so completamente cobertos pelo objeto a ser detectado
(pessoa). Na Fig. 1.4 tem-se a representao completa de um detector de movimento
empregando o sensor PIR e a Fig 1.5 mostra como acontece a deteco em um sensor
passivo de infravermelho.

Fig. 1.4 - Representao resumida do processo de deteco.

15

Fig. 1.5 - Representao da ao do sensor.

Geralmente necessita-se de uma variao da ordem de 3C para que o sensor atue.

Deve-se cuidar na sua instalao, pois correntes de ar podem ativ-lo, bem como animais
domsticos. Assim sendo, no se recomenda sua instalao prximo a janelas ou aparelhos
de ar-condicionado. Para melhorar sua eficincia pode-se instalar dois sensores separados,
e considerar o sinal vlido apenas quando ambos forem acionados. importante notar que
estes cuidados so muito importantes quando o sensor empregado em alarmes anti-furtos.
Quando se deseja utiliz-lo em sistemas de iluminao que possuam custo final reduzido,
uma eventual deteco errnea no compromete a confiabilidade do sistema.
A principal vantagem do sensor PIR em relao ao sensor ativo que sua atuao
no est restrita a um feixe, mas sim tem uma ampla rea de cobertura no ambiente. Alm
disso, no h necessidade de ter-se dois lugares distintos de instalao para um nico
sensor.
Seu funcionamento proporciona uma sensibilidade maior quando a movimentao
lateral em relao ao sensor. Alm disso, requer um campo de viso direto, ou seja, no
detectar caso houver moblia, divisrias ou outro obstculo entre o sensor e o alvo.

16

1.3.4. Deteco de movimento pelo sensor PIR

A primeira aplicao comercial para os detetores de movimento passivos
infravermelho (PIR) foi em sistemas de segurana anti-furto. Os primeiros sistemas
comerciais foram disponibilizados no final da dcada de 60 e eram baseados em um arranjo
de termopares ou termistores.
Com o aumento do mercado, os fabricantes comearam a diferenciar-se pela
sensibilidade de seus dispositivos. No entanto, esse aumento de sensibilidade acrescentou
tambm problemas de falsos alarmes devido a variaes de temperatura ambiente,
interferncia de rdio-freqncia (RFI), interferncia eletromagntica (EMI), umidade,
correntes de ar e quaisquer outros fatores que alterassem a potncia de radiao
infravermelha vista pelo sistema. Logo houve ento a necessidade de aprimoramento
desses sistemas iniciais nesse aspecto. Isso foi obtido mantendo-se o mesmo ncleo dos
sistemas anteriores e acrescentando-se sistemas auxiliares para evitar deteco errnea.
Nos ltimos anos, a deteco de movimento PIR tornou-se o principal mtodo de
monitoramento de presena. Isso foi possvel com a reduo dos custos, mantendo-se a um
custo no mercado mundial inferior a $25 para o usurio final. Essa reduo foi alcanada
com a substituio dos detetores inicialmente utilizados por detetores de menor custo
baseados no efeito piroeltrico, desenvolvimento de novos materiais de baixo custo para as
lentes, reduo dos custos dos componentes utilizados nos circuitos auxiliares e produo
em massa.

1.3.5 Princpio de Funcionamento da deteco de movimento

A deteco de movimento baseia-se no princpio de que existe uma variao na

radiao emitida por corpos a temperaturas diferentes, como por exemplo uma pessoa e
uma parede. H ento um corpo que ser chamado de fundo (parede), pois sempre estar
como referncia, e um que ser chamado de alvo (pessoa), pois ser o alvo da deteco e
gerador do contraste.

17
A potncia irradiada de um corpo pode ser calculada pela equao de StefanBoltzmann:
P = T 4

(1.3)

Onde:
P = Potncia irradiada;
= Constante de Stefan-Boltzmann;
= Emissividade do corpo (tipicamente 0,75);
T = Temperatura do corpo, em Kelvin.
No entanto, a aplicao pede pela determinao da variao de potncia a fim de
determinar a passagem de um corpo na frente de outro. Logo pode-se obter essa expresso
a partir da anteriormente exposta:

P = a Ta f T f
4

(1.4)

Considerando as emissividades iguais, ou muito parecidas, e sabendo que a

temperatura, expressa em Kelvin, tem fortssima predominncia do termo cbico, pode-se
rescrever ainda a equao acima de forma a simplific-la:
P 4 T 3 T

(1.5)

Ainda, a variao acima expressa a potncia sobre todo o espectro. Devido

ocorrncia de falsos alarmes ocasionados pela variao de luminosidade ambiente na faixa
visvel, essa deve ser eliminada do sensor. Logo haver um limite inferior do filtro de luz
visvel e um limite superior do sensor e do circuito ptico no comprimento de onda e esses
limites devem ser levados em considerao.
Definindo como Af a atenuao do filtro, que pode ser calculada atravs da relao
entre as integrais da composio entre a resposta dos filtros e a equao de Planck e a
prpria equao, tem-se ento o contraste (variao de potncia) entre o alvo e o fundo:
P 4 A f T 3 T

(1.6)

Obtm-se ento uma relao linear entre P e T. O menor valor de T que

detectvel denomina-se sensibilidade do detector PIR.
Ainda restam as consideraes referentes ptica do sensor. Sem nenhum sistema
ptico auxiliar o campo de viso do sensor ilimitado, teoricamente, uma vez que na
prtica limitado pelo encapsulamento. A rea coberta pelo campo de viso do sensor
cresce quadraticamente com a distncia ao sensor e a rea do alvo permanece inalterada.

18
Isto implica em uma variao no contraste inversamente proporcional ao quadrado da
distncia entre o alvo e o sensor. Assim, os nveis de sinal tornam-se muito pequenos e
prximos ao rudo intrnseco do sensor, sendo impraticvel a amplificao do sinal de
interesse, podendo ocasionar falsas deteces. A soluo para tal problema utilizar uma
lente para reduzir o campo de viso do sensor, de forma a deix-lo menor ou igual ao alvo.
Utiliza-se um sistema de lentes, que distribui por uma rea grande diversos feixes, com um
campo de viso limitado para cada feixe, bem como para o conjunto de feixes. Este
procedimento acarreta em uma reduo da rea coberta pelo sensor.

1.3.5 Sensores de infra-vermelho (IR infra red)

Inicialmente eram utilizados como sensores conjuntos de termopares, dispostos de

modo a obter-se uma rea considervel coberta por estes e ligados de forma a ter sua
sensibilidade maximizada. Esse tipo de sensor apresentava baixssima sensibilidade.
Ento optou-se pela utilizao de termistores. Estes apresentavam variao de uma
caracterstica fsica (a resistncia) com a temperatura, logo sua leitura baseava-se no
aumento desta, decorrente da radiao incidente. Assim sendo, a massa do leitor
necessitava ser a menor possvel, para que o aumento da temperatura e, consequentemente,
da sensibilidade, com a radiao fosse o maior possvel. Ainda, a leitura tinha grande
variao com a temperatura ambiente, problema solucionado colocando-se dois sensores de
forma oposta, de modo a uma variao na temperatura de ambos no alterar a sada. Deixase ento um exposto radiao e o outro no, impedindo que variaes devidas
temperatura ambiente influenciem a sada.
Atualmente utilizam-se sensores baseados no efeito piroeltrico, ou seja, na
variao de carga que certos materiais dieltricos sofrem com a variao da temperatura.
Como a corrente a variao da carga, tem-se que esse efeito gera uma corrente,
dependente da variao da temperatura sentida pelo sensor. Ainda assim, o sensor
capacitivo, o que causa uma resposta de primeira ordem para o sensor, de acordo com o
modelo apresentado na Fig. 1.6.
Como o efeito piroeltrico desaparece acima da temperatura de Curie, estes
sensores podem ser tanto de estado slido quanto resfriados, dependendo do material

19
utilizado. possvel encontrar no mercado dispositivos de estado slido com temperaturas
de Curie acima de 400K.

Fig. 1.6 - Modelo do sensor piroeltrico.

notada a necessidade de uma carga para a leitura da sada do sensor, no entanto,
esta tem sua sensibilidade dependente do valor da carga, sendo tanto maior quanto maior
for a resistncia desta. Ainda, como as correntes geradas so de baixa amplitude,
necessrio um valor muito alto de resistncia para tornar o sinal utilizvel. Assim utiliza-se
um transistor JFET como amplificador, incluso no encapsulamento do sensor, conforme
apresentado na Fig. 1.7.

Fig. 1.7 - Modelo do sensor piroeltrico com JFET.

Observando-se a Fig. 1.7 pode-se notar a presena de dois sensores em srie, mas
opostos, antes do JFET. Essa a estrutura usual destes sensores, de forma que uma
variao que ocorra em ambos, por exemplo mudana de temperatura ambiente, no seja
observada na sada.
Estes sensores apresentam atualmente sensibilidade acima de 3kV/W @ 1Hz. So
apresentados usualmente em um encapsulamento tipo TO-5, com uma janela de silcio na
parte superior, onde internamente so dispostos dois sensores de 2mm por 1mm, espaados
em 1mm.

20

1.3.6 Radiao eletromagntica e luz

Luz uma forma de energia que pode ser transmitida sem a necessidade de um
meio material. Esta transferncia de energia conhecida como radiao, ou seja, a energia
flui em linha reta em todas as direes a partir da fonte. Quando esta forma de energia
atravessa um meio material ela pode no ter mais trajetria reta.
Algumas formas de radiao conhecidas so constitudas por partculas, como por
exemplo os materiais radioativos. At aproximadamente 100 anos atrs pensava-se que a
luz tambm era constituda por partculas e no por ondas eletromagnticas.
Espectro visvel - A poro visvel do espectro eletromagntico est situada em
uma faixa que vai de 380nm at 780nm e a viso distingue os diferentes comprimentos de
onda atravs da sensao de cor. As cores azul e violeta correspondem aos menores
comprimentos de onda e a cor vermelha ao maior comprimento de onda.
A luz dita monocromtica quando composta por um nico comprimento de
onda, e no pode ser obtida na prtica pois todas as fontes de luz produzem ao menos uma
banda estreita do espectro visvel. A fonte luminosa mais prxima da luz monocromtica
o laser.
A radiao que alcana a superfcie da terra proveniente do sol est compreendida
entre 290nm at 1700nm. Pode-se notar portanto que essa radiao tem uma faixa bem
mais ampla que a luz visvel. Para comprimentos de onda menores que 290nm, a radiao
solar absorvida pelo oznio no nvel superior da atmosfera terrestre. Na regio acima de
1700nm h uma forte absoro devido ao vapor da gua e dixido de carbono na baixa
atmosfera.
Radiaes ultravioleta e infravermelha - Radiaes eletromagnticas com
comprimentos de onda alm da faixa compreendida entre o vermelho e o violeta do
espectro visvel so conhecidas como infravermelho e ultravioleta respectivamente. A
radiao considerada ultravioleta at o comprimento de onda de 1nm, a partir da as
ondas so denominadas raios x. A radiao infravermelha vai at o comprimento de onda
de 1nm, aps comeam as freqncias de rdio.
Apesar de no serem perceptveis para a viso, tanto o infravermelho como o
ultravioleta podem ser detectados fisiologicamente, se forem de intensidade suficiente,

21
atravs da sensao de calor. Isto mostra que toda radiao pode ser convertida em calor
quando absorvida, mostra tambm que o efeito de aquecimento no exclusivo da radiao
infravermelha, como normalmente suposto.

1.3.7 Lentes
A fim de restringir o campo de viso do sensor, deve-se utilizar um sistema de
lentes. A importncia da reduo do campo de viso deste provm do conseqente aumento
da sensibilidade advindo desta.
As lentes devem ser escolhidas de forma a permitirem a passagem das faixas
desejadas do espectro infravermelho, rejeitar as outras, e permitir a maior cobertura do
ambiente. Essa faixa coberta de maneira excelente por lentes de silcio, como as
utilizadas no encapsulamento dos sensores, no entanto, esse material apresenta custos
muito elevados. Assim sendo, a soluo utilizada para tal fim fica por conta de lentes de
Fresnel feitas de plstico. Alm de mecanicamente mais resistentes que o silcio,
apresentam-se com custo inferior. A necessidade de utilizar-se lentes de Fresnel advm de
que o plstico transparente ao infravermelho apenas at uma espessura, a qual seria
obrigatoriamente ultrapassada em caso de utilizar-se lentes esfricas. Ainda, as lentes de
Fresnel so fisicamente mais adequadas por sua espessura reduzida e, conseqente, reduo
de custos materiais na sua construo.

22
VISTA SUPERIOR

VISTA FRONTAL

VISTA LATERAL

Fig.1.7 - Exemplo de cobertura de uma lente para parede.

Tradicionalmente possvel executar um projeto especfico de uma lente para um

determinado sensor. No entanto, com a padronizao dos sensores e o grande volume que
existe no mercado deste tipo de sensores, algumas empresas j mantm catlogos de lentes
especficas para este fim, com diversas posies de montagem, adequao de cobertura do
ambiente e material. Pode-se observar o exemplo extrado do catlogo da Fresnel
Technologies Inc. apresentado na Fig. 1.7. Assim, a escolha das lentes resume-se a uma
pesquisa de mercado, avaliando o custo e adequao tcnica das lentes disponveis
aplicao desejada.

1.3.8 Projeto Eletrnico

23

O projeto eletrnico do detector consiste apenas em determinar a menor taxa de

variao em termos da movimentao no campo de viso, bem como a maior. Com base
nestes dois dados, pode-se determinar um filtro passa faixa de modo a permitir apenas a
passagem do sinal quando este ocorrer dentro da faixa de variao prevista, a fim de
minimizar os falsos alarmes. Aps o filtro, deve-se acrescentar um estgio amplificador
com ganho elevado, a fim de obter a deteco com a menor variao de temperatura
possvel.
A Fig. 1.8 apresenta o diagrama em blocos do circuito eletrnico para o sensor
passivo de infra vermelho:
Sensor
IR

Filtro
Passaalta

Amplif.
com filtro
passa baixa

Amplif.
com filtro
passa baixa

Sada

Fig. 1.8 - Diagrama em blocos do circuito eletrnico para o sensor.

+
C2
+

T1
R2

U1

V1

C3

C1

R1

C5

V+

V-

V+
U2 V-

R4

R3

R7
R6
R5

Sada

R8
R9

C4
C6

Fig. 1.9 - Diagrama esquemtico.

Na Fig. 1.9 observa-se o diagrama esquemtico do amplificador do sensor. Este

deve ter o maior ganho possvel, conquanto que mantenha sua imunidade a rudo e
estabilidade. Os filtros devem ser dimensionados a fim de evitar rudos, eliminar a
componente DC e permitir a mais rpida resposta possvel. Assim sendo, os filtros passaalta devem ter sua freqncia de corte o menor possvel, de modo que no atenue o sinal
advindo de um movimento que deva ser detectado, assim como os filtros passa-baixa
devem tambm ter sua freqncia de corte o maior possvel sem atenuar indevidamente
sinais que deveriam ser detectados. Podem ser utilizadas freqncias da ordem de 0,1Hz
para os passa baixa e 20Hz para os passa alta.

24
O ganho dos amplificadores, determinado pela relao R6/R5 no primeiro estgio
e R9/R8 no segundo estgio, dever ser da ordem de 100 para cada estgio. Como a
alimentao do circuito no simtrica torna-se necessria a criao de uma rede simtrica,
formada por: R1,R2,C1,C2. Esta rede simtrica permite que sejam amplificados tanto os
sinais positivos e negativos.

1.4 Concluso
Foram abordados neste captulo alguns mtodos para controle da intensidade
luminosa para lmpadas fluorescentes. Dando continuidade, apresentou-se um estudo sobre
os sensores mais empregados para esta aplicao, enfocando aspectos tcnicos e
econmicos.
Na seqncia foi apresentado um estudo sobre as principais tcnicas para deteco
de presena. Tambm foram apresentados os aspectos mais importantes que podem
influenciar em seu funcionamento. Com isso foi possvel definir qual a tecnologia que seria
empregada para a aplicao desejada, bem como o circuito eletrnico necessrio para seu
bom funcionamento.

25

Captulo 2
Estgio de Correo do Fator de Potncia

2.1 Introduo
Este captulo tratar do estgio de entrada, responsvel pela correo do fator de
potncia do circuito. Ser empregado um pr-regulador boost funcionando em conduo
crtica e com tenso de entrada universal. O controle deste conversor ser efetuado pelo
circuito integrado L6560 fabricado pela SGS-THOMSON.
Ser apresentado um estudo detalhado do referido circuito integrado, bem como
anlise do conversor boost contendo etapas de funcionamento, dimensionamento dos
componentes, metodologia de projeto e simulao.
Este estudo contempla tambm o filtro de entrada, apresentando algumas opes
para reduo da distoro harmnica e interferncia eletromagntica (EMI).

2.2 Fator de Potncia

Sabe-se que quando uma carga linear conectada a uma fonte senoidal, o fator de
potncia do conjunto pode ser medido em funo do ngulo de defasagem entre a tenso da
fonte e a corrente drenada pela carga. Assim sendo, o fator de potncia definido pelo
coseno do ngulo de defasagem entre as duas grandezas.
O circuito proposto neste trabalho, necessita de um estgio retificador que fornea
uma determinada tenso CC para o funcionamento do inversor, para que esse por sua vez
alimente a carga.
Neste caso, por se tratar de uma carga no-linear, o fator de potncia passa a ser
dependente tambm da Taxa de Distoro Harmnica (TDH) da corrente no-senoidal
resultante. Assim, o fator de potncia total definido em [20] como sendo:
FP =

cos( )
1 + TDH 2

(2.1)

26
A preocupao com a correo do fator de potncia surge porque no caso da
utilizao de um estgio retificador convencional, como o ilustrado na Fig. 2.1, que
composto por uma ponte retificadora e um filtro capacitivo, solicita-se da rede picos de
corrente durante o intervalo em que a tenso na entrada for superior ao valor da tenso no
capacitor, como pode-se ver na Fig. 2.1.

D1

D2

Vac

D3

Reator
Eletrnico

D4

Fig. 2.1 - Estgio Retificador Convencional.

A corrente representada na Fig. 2.2 apresenta uma taxa de distoro harmnica

muito alta, o que leva a um fator de potncia extremamente baixo. Alguns resultados
experimentais demonstram que este tipo de estrutura apresenta TDH em torno de 120% e
fator de potncia prximo a 0,6. Isto justifica o investimento em um estgio de entrada
mais sofisticado que assegure melhor desempenho e que atenda s exigncias das normas
que regulamentam o funcionamento dos reatores eletrnicos.
400
Tenso CC
200
Corrente

-200
Tenso CA
-400

Fig. 2.2 - Tenso e Corrente em um Retificador Convencional.

27
Existem vrias tcnicas que podem ser usadas a fim de se obter melhores valores
do fator de potncia. Dentre as tcnicas encontradas na literatura, a que melhor
desempenho apresenta o emprego de um pr-regulador [20] e [22].

2.3 Pr-Regulador Empregando o Conversor Boost Operando no

Modo de Conduo Crtica
Esta tcnica baseia-se na utilizao de um conversor elevador de tenso colocado
entre a ponte retificadora e o estgio de sada, a fim de se obter um fator de potncia
prximo unidade.
Optou-se pela utilizao de um pr-regulador utilizando o conversor boost
operando em modo de conduo crtica, o que facilita o projeto, uma vez que se dispem
da facilidade de trabalhar com um circuito integrado dedicado a essa aplicao.
Ressaltando que dentre os modos de operao do conversor boost, este modo rene
algumas caractersticas do modo de conduo contnua e conduo descontnua. Do modo
de conduo contnua tem-se a caracterstica da modulao PWM no comando do
interruptor.
O estgio pr-regulador proposto mostrado na Fig 2.3.

Lb
IL

Vac

contole

Db
Id

It
T

Ic

Io
Co

Ro

Cin

Fig. 2.3 - Estgio de Entrada Usando Pr-Regulador.

Esta tcnica de operao aplicada correo do fator de potncia no conversor

boost consiste na operao em conduo crtica da corrente no indutor boost. Para esta
aplicao, a tenso de entrada apresentar um grande faixa de variao (90 260 volts). O

28
conversor ir operar tambm com carga varivel, isto implica que tanto a freqncia como
a razo cclica iro variar.
Este modo de operao possui a vantagem da extino natural da corrente do
diodo boost, evitando assim o problema da recuperao reversa.

2.4 Etapas de operao

O conversor boost neste modo de operao possui apenas duas etapas de operao,
pois no ocorre a etapa descontnua como no modo de conduo descontnua. A Fig. 2.4
mostra a primeira etapa de funcionamento e a Fig. 2.5 mostra a segunda etapa de
funcionamento. A fonte alternada e o retificador de entrada podem ser substitudos por uma
fonte de tenso contnua para simplificar a anlise.

Lb

Db

+
Vin

Co

T1

Ro

Fig. 2.4 Primeira etapa de funcionamento.

Nesta etapa o interruptor T1 encontra-se em conduo e a corrente no indutor Lb

cresce linearmente. O capacitor Co cede energia carga neste intervalo.

Lb

Db

+
Vin
-

T1

Co

Ro

Fig. 2.5 Segunda etapa de funcionamento.

29
Esta etapa tem incio quando o interruptor T1 bloqueado. Ocorre ento a
transferncia da energia acumulada no indutor Lb carga e ao capacitor Co. Esta etapa
termina quando a corrente no indutor Lb zera, recomeando ento outro ciclo.

2.5 Correo do Fator de Potncia Empregando o Circuito

Integrado L6560
O circuito integrado L6560 fabricado pela SGS-THOMSON destina-se correo
ativa do fator de potncia, podendo ser aplicado a diversos tipos de conversores, sendo o
mais indicado o conversor boost [23].
A Fig. 2.6 apresenta o diagrama em blocos onde so mostradas as principais
funes deste componente.

COMP
2
INV 1

Vref 2,5V

Regulador de
tenso

Vcc

CS

MULT
3

Multiplicador

Deteco de
sobretenso

Fonte
interna de 7V

Vcc
R Q
S

R1

7
UVLO

Vref 2,5V

Driver

R2
Vref 2,5V

Deteco de
mnimo
6
GND

Partida

5
ZCD

Fig. 2.6 Diagrama de blocos internos do CI L6560.

GD

30
A seguir sero listadas as suas principais caractersticas [19]:
Proteo de subtenso com histerese;
Baixo consumo na partida (50A tpico), resultando em circuitos de partida
simples (somente um resistor) com baixo consumo;
Tenso de referncia interna com 1% de preciso;
Pino de enable (desabilitao) para realizao de shut-down (desligamento) e
reduzir o consumo de corrente;
Dois nveis de proteo em caso de sobretenso;
Starter (circuito de partida) interno e deteco de nvel zero de corrente;
Pode comandar diretamente o interruptor (Mosfet ou Igbt) do conversor;
Amplificador de erro estvel;
Operao no modo de conduo crtica;
Este circuito integrado otimizado para o controle de reguladores do tipo boost,
aplicado em reatores eletrnicos para lmpadas fluorescentes e conversores AC-DC.

2.6 Princpio de funcionamento do circuito integrado L6560

O objetivo no funcionamento da estrutura obter uma corrente de entrada
senoidal em fase com a tenso de entrada. Para obter isto o L6560/A emprega a tcnica de
conduo crtica.
O amplificador de erro (E/A) compara uma parcela da tenso de sada com uma
referncia interna, gerando um sinal de erro proporcional diferena entre as duas tenses.
Se a constante de tempo do E/A for grande, o sinal de erro um sinal DC durante cada
semiciclo.
O sinal de erro multiplicado por uma parte da tenso retificada no multiplicador.
O resultado ser uma senide cujo valor de pico depender do valor de pico da tenso de
entrada e da amplitude do erro.
A sada do multiplicador ento conectada ao terminal no-inversor (+) do
comparador de corrente representando, desta forma, uma referncia senoidal para o PWM.
Quando a tenso no resistor shunt (corrente instantnea do indutor vezes o valor de Rs) se
iguala ao valor na entrada no inversora (+) do comparador de corrente, o interruptor

31
externo bloqueado. Como conseqncia, a corrente de pico no indutor ter como
envoltria uma senide retificada.
Aps o interruptor ser desligado, o indutor transfere sua energia para a carga at
que sua corrente atinja zero. Neste instante o sinal no bloco ZCD dispara novamente o
interruptor e um outro ciclo se inicia.
A forma de onda da corrente e os intervalos de disparo e de bloqueio do
interruptor so mostrados na Fig. 2.7.

Fig. 2.7 Principais forma de onda.

Este tipo de operao, em comparao com a conduo descontnua, minimiza o

valor do indutor, uma vez que so necessrios baixos valores de indutncia para o bom
funcionamento da estrutura. Por outro lado, grandes variaes de corrente no indutor geram
correntes eficazes de valores elevados e tambm rudos na rede AC, fazendo-se necessrio
o uso de filtros para reduzir a interferncia eletromagntica (EMI). Estas caractersticas
restringem o uso desta topologia para aplicaes com potncia reduzida [19].

2.7 Descrio dos principais blocos do L6560

32

Na seqncia sero comentados os principais blocos internos deste componente

para possibilitar um melhor entendimento do seu funcionamento.

2.7.1 Circuito de alimentao interna

Na Fig. 2.8 pode-se observar um regulador linear de tenso alimentado por Vcc,
que gera uma alimentao interna de 7V utilizada para alimentar todos os blocos internos.
Apenas o estgio de sada alimentado diretamente por Vcc. Alm disto, um circuito
auxiliar gera uma referncia interna de 2,5V utilizada pelo controlador para garantir uma
boa regulao.
A Fig. 2.8 mostra o comparador de subtenso (UVLO) com histerese utilizado
para habilitar o CI enquanto a tenso Vcc alta o suficiente para garantir um bom
funcionamento do circuito integrado.

+ Vi

+
-

H = Tenso normal
L = Subtenso

Ref.

Fig. 2.8 Bloco de alimentao de energia.

Na mesma figura tambm apresentado o comparador de subtenso (UVLO) com

histerese, utilizado para habilitar o CI enquanto a tenso de alimentao do referido
componente mantm valor suficiente para garantir um bom funcionamento do circuito

33
integrado. O nvel alto (H) ocorre quando a tenso de alimentao est com seu valor
normal e o nvel baixo (L) quando ocorrer subtenso na tenso de alimentao.

2.7.2 Amplificador de Erro e detector de sobretenso

A entrada inversora do amplificador de erro (E/A), atravs de um divisor externo,

conectada ao barramento de sada DC (V0) e comparada com a referncia interna. A
Fig. 2.9 mostra a estrutura do amplificador de erro.

Ccomp.
+Vo
R1
1
R2

2
x

E/A

PWM

Driver

+
-

2,5V
3,1V

40uA

Fig. 2.9 Bloco amplificador de erro e detector de sobretenso.

A sada do E/A usada para compensao de freqncia, usualmente realizada

com um capacitor de realimentao conectado entrada inversora. A constante de tempo
deste compensador deve ser suficiente para manter a sada do amplificador constante
durante um semiciclo da rede para que se possa alcanar alto fator de potncia.
A faixa de valores de sada do E/A internamente grampeada de forma que varie
de 2V a 5,8V para acelerar a recuperao aps a saturao alta, provocada por uma
sobrecorrente, ou saturao baixa, provocada por uma sobretenso.
O L6560/A possui dois nveis de proteo. Caso ocorra uma sobretenso, a
deteco feita atravs da conexo existente aps a sada do E/A.

34
Na ocorrncia de sobretenso, a sada do amplificador de erro (E/A) tender
saturao em nvel baixo mas, como sua resposta muito lenta, um longo intervalo de
tempo ser necessrio at que sua sada alcance a saturao. Por outro lado, uma
sobretenso dever ser corrigida imediatamente. Ento se faz necessrio uma deteco
rpida de sobretenses.
Em operao normal, a corrente que circula atravs de R1 a mesma de R2 porque
o capacitor de compensao no permite a circulao de corrente contnua atravs de seus
terminais e a entrada inversora possui alta impedncia de entrada. Desta forma tem-se:
I R1, R 2 =

V0 2,5 2.5
=
R1
R2

(2.2)

Quando a tenso Vo aumenta, a corrente que circula atravs de R1 cresce, mas a

corrente que circula atravs de R2 mantida constante pela referncia interna de 2,5V. Isto
ocorre devido resposta lenta do E/A. A corrente em excesso ento desviada para o
capacitor de realimentao e a baixa impedncia de sada do E/A, onde ento detectada.
Neste caso duas aes podem ocorrer: soft breaking e sharp breaking.
Quando esta corrente em excesso alcana valores prximos a 37A, a sada do
multiplicador tem seu valor atenuado e assim a energia consumida da rede reduzida. Isto
diminui a taxa de subida da tenso de sada. Em alguns casos este fenmeno, denominado
soft breaking, capaz de evitar com que a tenso de sada ultrapasse os valores estipulados
em projeto.
Caso a tenso de sada continue subindo aps o soft breaking, e a corrente que
entra no E/A alcanar 40A, entra em ao o sharp breaking. A sada do multiplicador
forada a zero, desligando o estgio de sada e cessando os pulsos de gatilho para o
interruptor. O starter interno tambm desligado. O comparador interno possui histerese,
sendo a situao de sharp breaking revertida somente quando a corrente drenada pelo E/A
alcana nveis prximos de 10 A.
Esta proteo dinmica de sobretenso (OVP) suficiente para corrigir a maioria
das mudanas de carga, mas no oferece uma proteo completa. De fato, estas protees
so sensveis variaes dinmicas da tenso de sada, no atuando caso a sobretenso seja
permanente, como no caso de operao a vazio.

35
2.7.3 Deteco de Corrente Zero e Estgio de Sada

O bloco de deteco de corrente zero (ZCD) dispara o interruptor externo quando

a tenso no indutor boost inverte sua polaridade. neste instante que a corrente que circula
atravs do mesmo passa por zero. Essa caracterstica permite a operao em conduo
crtica. A Fig. 2.10 mostra a construo interna desse bloco.

+Vi
5

PWM
5V

7
Q

Driver

GD

1,3V

Fig. 2.10 Deteco de corrente zero e estgio de sada.

Em operao normal, o sinal para o ZCD obtido atravs de um enrolamento

auxiliar do indutor boost. Faz-se necessrio um circuito que dispare o interruptor externo
na partida, visto que no h sinal proveniente do ZCD. Isto implementado com um
starter interno, que fora o estgio de sada a disparar o interruptor, produzindo o sinal para
iniciar o funcionamento do ZCD.

4.2.4 Multiplicador

O multiplicador, representado na Fig. 2.11, possui duas entradas: na primeira

aplicada parte da tenso retificada e a segunda a sada do E/A. Se esta ltima for constante,
durante meio ciclo da rede, a sada do multiplicador ter a mesma forma da tenso

36
retificada da rede AC. Este sinal a referncia para o comparador de corrente, que define a
corrente de pico no interruptor a cada perodo de comutao.

Rs

4
I comp.

X
E/A

Fig.2.11 Multiplicador.

2.7.5 Comparador de Corrente e Latch

O comparador de corrente monitora a tenso no resistor shunt (Rs) e, comparando

esta tenso com o valor determinado pelo multiplicador, determina o instante exato em que
o interruptor externo deve ser bloqueado. O Latch evita que rudos acionem o interruptor
de forma involuntria.
A sada do multiplicador internamente grampeada em 1,7V, logo a limitao de
corrente ocorre caso a tenso em Rs alcance este valor (veja Fig. 2.12).

4
I Comp.

Rs

R
S

Fig. 2.12 - Comparador de Corrente e Latch.

2.7.6 Driver

Driver

37

Um buffer tipo totem pole, com capacidade de fornecer ou absorver 400mA,

permite acionar um interruptor do tipo MOSFET ou IGBT. Um circuito interno de pulldown mantm a sada em nvel baixo quando ocorrem subtenses (o CI desabilitado nesta
situao), garantindo que o interruptor externo no dispare acidentalmente (Fig. 2.13).

+Vcc

Driver

Fig. 2.13 Circuito de comando do interruptor boost.

2.8 Dimensionamento do estgio de potncia

A seguir sero apresentadas as principais equaes para o dimensionamento do
estgio de potncia conforme apresentado em [19] e [20].

2.8.1 Ponte retificadora

Os diodos D1 a D4 que compem a ponte retificadora apresentam caractersticas

de tempo de recuperao lento. A no necessidade de diodos rpidos faz com que haja uma
reduo de custos. A corrente que flui atravs de cada diodo em um ciclo da tenso de
entrada senoidal e seu valor eficaz definido pela equao (2.3).
id 1rms =

Ii pk
2

(2.3)

Cabe salientar que a corrente mxima nos diodos a prpria corrente mxima de
entrada e a tenso reversa sobre eles o valor de pico da tenso de entrada.

38

2.8.2 Capacitor de entrada

O capacitor de filtro para altas freqncias (Cin, Fig. 2.3) tem a funo de atenuar
o rudo de alta freqncia proveniente da comutao do interruptor comandado.
A pior condio de interferncia eletromagntica encontrada quando ocorre o
pico da menor tenso de entrada. O valor mximo da ondulao de tenso na alta
freqncia normalmente estipulado de 1 10% (r variando de 0,01 0,1). O capacitor de
entrada Cin pode ser determinado pela seguinte expresso:
C in =

I rms
2 f sw r Virms

(2.4)

Onde:
r=

Vi
Virms

(2.5)

Na maioria das aplicaes o capacitor Cin est incorporado ao filtro de EMI.

2.8.3 Capacitor de sada

O dimensionamento do capacitor de sada dever considerar a potncia requerida
na sada, a ondulao de tenso mxima permitida, a tenso DC e a sobretenso.
Desprezando os efeitos provocados pela RSE do capacitor, pode-se determinar o
valor do capacitor atravs da seguinte equao:
Co =

Po
4 f Vo Vo

(2.6)

2.8.4 Indutor Boost

O dimensionamento do indutor boost envolve vrios parmetros e diversas
aproximaes podem ser feitas para seu dimensionamento. O valor da indutncia
geralmente determinado considerando a menor freqncia de comutao. Esta freqncia

39
deve ser superior a freqncia do circuito de partida interno, no caso 23KHz, possibilitando
o correto funcionamento. Considerando o rendimento unitrio pode-se determinar o valor
da indutncia pela expresso:
L=

2 Po D
I Lpk f s
2

(2.7)

Onde:
Vit
Vo

(2.8)

f s = f s min

(2.9)

D = 1

D = Dmin =

Vo 2 Virms
Vo

(2.10)

Po
Virms

(2.11)

I Lpk = 2 2

A mnima freqncia de comutao pode ocorrer na mxima ou na mnima tenso

de entrada, assim o valor do indutor boost pode ser determinado pela seguinte expresso:
L

2
Virms
(Vo 2 Virms )
2 f sw(min) Po Vo

(2.12)

Onde o valor da tenso eficaz de entrada (Virms) pode assumir o valor mximo
(Virmsmax) ou mnimo (Virmsmin), sendo vlido o que resultar em um maior valor de L [19].
O valor mnimo da freqncia de comutao (fsw(min)) deve ficar em torno de
23KHz, o que evitar que ocorram interferncias com o circuito interno de partida.
A partir dos procedimentos anteriores possvel determinar o valor da indutncia
do indutor boost. Como o conversor opera em alta freqncia, ser empregado um ncleo
de ferrite para a construo do indutor. O equacionamento utilizado para a determinao do
indutor foi retirado da referncia [21].
AeAw =

L I Lpk I Lrms
k w Bmax J max

(2.13)

Com o valor AeAw faz-se a escolha do ncleo utilizando a tabela do fabricante. O

nmero de espiras pode ento ser calculado:
N=

L I Lpk
B Ae

10 4

Finalmente pode ser calculado o entreferro do indutor:

(2.14)

40

lg =

N 2 0 Ae
10 2
L

(2.15)

2.8.5 Esforos de corrente no interruptor comandado

Pela expresso (2.16) pode-se determinar a corrente mdia no interruptor
comandado.
4 a
I Tmed = I o
(2.16)

a
Onde:
a=

2 Virms
Vo

(2.17)

A corrente eficaz definida pela equao (2.18):

I Trms =

(3 ) (8 a )
Io
(2 )

3 a

(2.18)

2.8.6 Esforos de corrente no diodo boost

As correntes mdia e eficaz no diodo boost so determinadas pelas equaes
(2.19) e (2.20):
P
I o = I Dbmed = o
(2.19)
Vo
E a corrente eficaz :
I Dbrms =

8
3

( )

Io

(2.20)

2.8.7 Filtro de entrada

Para que se obtenha um fator de potncia prximo da unidade , torna-se necessrio
a incluso de um filtro de rede na entrada deste conversor. Dentre as diversas

41
configuraes possveis, optou-se por utilizar um filtro LC, devido sua simplicidade e
eficincia [20]. A estrutura de tal filtro pode ser observada na Fig. 2.14.

F
Lf
Cf

Req

N
Fig. 2.14 - Topologia do Filtro de Rede.

A resistncia Req vista na figura acima representa a resistncia equivalente do

estgio de entrada nos terminais de sada do filtro.
O ganho de tenso entre a entrada e a sada do filtro dado pela expresso (2.21):
Ganho( w, ) =

Vout
1
=
2
2
Vac
wc w + 2 wc jw

(2.21)

Onde :
=

1
2 wc Req C f

(2.22)

1
Lf Cf

(2.23)

wc =

O capacitor e o indutor so determinados pelas equaes (2.24) e (2.25)

respectivamente.
Cf =

1
Req 2 c

(2.24)

Lf =

1
Cf

(2.25)

Este um filtro com caracterstica passa-baixa, ou seja, h uma atenuao das

freqncias superiores freqncia de corte. Assim, conveniente adotar freqncias de
corte no mnimo 10 vezes menor que a freqncia de comutao e valores de maiores que
0,7. Consegue-se dessa forma atenuar de forma eficiente as altas freqncias, evitar
oscilaes em alta freqncia e deslocamento de fase em baixa freqncia.

42
A expresso (2.26) define a relao entre a corrente de entrada ILf e a tenso da
rede Virms. Esta expresso pode ser utilizada, se necessrio, para determinar a fase entre a
corrente e a tenso. Maiores detalhes sobre o filtro LC utilizado podem ser obtidos na
referncia [20].

ILf ( jw)
1
1

=
1
Virms ( jw) jw L wc 2 w 2 + 2 j wc w

(2.26)

conveniente lembrar tambm que devido ao fato do filtro apresentar uma fase
relativamente elevada, deve-se trabalhar com freqncias de corte pelo menos 50 vezes
maior que a freqncia da rede, evitando-se assim deslocamento da fase entre a tenso e a
corrente na entrada.

2.8.9 Filtro de EMI (Eletromagnetic Interference)

Apesar de ter sido apresentado o clculo do capacitor para eliminar as
interferncias eletromagnticas, esta soluo apresentada de baixo custo e eficincia
limitada. Para estruturas que requeiram maior eficincia quanto a adequao s normas de
EMI, podero ser adotados um dos filtros sugeridos a seguir.
Em estruturas onde existe o fenmeno da comutao, so geradas rdiointerferncias que podem ser transmitidas por radiao direta ou por conduo atravs dos
terminais de entrada e de sada.
A radiao direta facilmente eliminada blindando-se o equipamento.
Quanto as rdio-interferncias conduzidas, estas so mais difceis de serem
suprimidas. A maior preocupao com a interferncia que o equipamento pode produzir
est relacionada com os terminais de entrada. Estas interferncias acabam se propagando
para outros equipamentos, podendo provocar rudos e mau funcionamento.
Pode-se empregar um filtro com indutores acoplados, que por sua vez permitem
que haja uma reduo do tamanho do filtro e melhoria na rejeio s correntes de modo
comum. A Fig. 2.15 mostra o filtro citado. O ncleo do indutor toroidal com elevada
permeabilidade, permitindo conseguir valores elevados de indutncia com tamanho
reduzido.

43

Lf1
F
Cf

Req

N
Lf2
Fig. 2.15 Filtro de rede com indutor acoplado.

Outra topologia de filtro de rede muito empregada quando se deseja atender

normas internacionais de interferncia eletromagnticas, a do filtro da Fig. 2.16.

L2

L1

Cy
RD

Cx

Vac
L3

Cy

L1

Fig. 2.16 Filtro de rede completo.

Apesar da melhor eficincia desta topologia de filtro ela no ser adotada visto
que aumentaria o custo do reator proposto. Para maiores detalhes e procedimento de
projeto recomenda-se a bibliografia [21].

2.9 Exemplo de projeto

Nesta seo ser apresentado um exemplo de projeto onde ser dimensionado o
estgio de potncia e o circuito de controle e comando. Como citado anteriormente, para o
controle e comando do conversor boost ser empregado o circuito integrado L6560, que
um componente dedicado esta aplicao. Na Fig. 2.17 apresentado diagrama
esquemtico completo do estgio de correo do fator de potncia.

44
D5

Lba
D3

D1
F1

R3

R1

Lf

+V
Cf

Vac

8
3

Cin

C3

R4
5
IC1
6

1
4

R5
7

T1

D4

R2

C2

R10

C5

Req

R6

C1
D2

R9

Lbb

C4

R7

R8

R11

Fig. 2.17 Circuito pr-regulador completo.

Exemplo de projeto:
Faixa de tenso de entrada 90 260Vrms;
Freqncia mnima de operao 25KHz;
Potncia de sada 78W;
Tenso de sada Vo = 400V;
Rendimento estimado 95%
Tenso de ondulao - Vo = 5V;
Mxima sobretenso - Vom = 40V;
Freqncia da rede 60Hz;
Com a potncia de sada e o rendimento pode-se determinar a potncia de entrada:
Pi =

Po

(2.27)

Pi =

78
0,95

(2.28)

Pi = 82,1 [W]

(2.29)

Pode-se agora determinar a corrente eficaz de entrada para a mxima e mnima

tenses de entrada:
I irms (max) =
I irms (max) =

Pi
Virms (min)
82,1
90

I irms (max) = 0,912 [A]

I irms (min) =

Pi
Virms (max)

(2.30)

(2.31)
(2.32)
(2.33)

45

I irms (min) =

82,1
260

(2.34)

I irms (min) = 0,315 [A]

(2.35)

Aplicando a equao (2.4) pode-se calcular o capacitor de entrada Cin. Para tal
ser adotado Vi = 5%.
r=

4,5
90

(2.36)

r = 0,05
C in =

(2.37)

0842
2 * 25000 * 0,05 * 90

C in = 1,19 [F]

(2.38)
(2.39)

Pela expresso (2.6) calcula-se o valor do capacitor de sada:

Co =

78
4 50 400 10

(2.40)

C o = 25,8 [F]

(2.41)

A corrente mdia de sada do conversor boost :

Io =

Po
Vo

(2.42)

I o = 0,195 [A]

(2.43)

Pela expresso (2.12) pode ser determinada a indutncia boost:

90 2 400 2 90
L
2 25000 72 400

L 1,4 [mH]

(2.44)
(2.45)

O ncleo determinado calculando-se o produto AeAw para ento, pela tabela do

fabricante, fazer a escolha do ncleo.
necessrio que seja determinada a corrente de pico no indutor boost e, como
existe uma grande ondulao de corrente neste indutor, deve-se determinar tambm a
corrente eficaz.
I Lirms =
I Lirms =

4 Io
6 a
4 0,195
6 0,318

(2.46)
(2.47)

46
I Lirms = 1 [A]

(2.48)

Para que se possa determinar a corrente de pico no indutor boost necessrio que
seja conhecido o tempo de conduo do interruptor comandado. Como o referido conversor
opera com uma grande faixa de variao da tenso de entrada, deve-se adotar a menor
tenso.
t on =

t on =

4 L Po
2 Virms (min)

4 1,4 10 3 78

2 90 )

t on = 27,2 [s]
I Lpk =

2 Virms (min)
L

(2.49)

(2.50)
(2.51)

t on

(2.52)

Substituindo os valores da indutncia, tenso mnima de entrada e tempo de

conduo do interruptor comandado em (2.52), determina-se corrente de pico no indutor.
I Lpk =

2 90
27,2 10 6
1,4 10 3

I Lpk = 2,47 [A]

(2.53)
(2.54)

Para o dimensionamento fsico do indutor boost, assume-se:

Fator de utilizao da rea do enrolamento Kw = 0,7;
Densidade de corrente JMAX = 350[A/cm2];
Densidade de fluxo magntico BMAX = 0,2[T]
Substituindo-se os valores na equao (2.13), determina-se o produto AeAw para
ento atravs da tabela fornecida em [21] proceder a escolha do ncleo:
1,4 10 3 2,47 1
10 4
Ae Aw =
0,7 0,2 350

(2.55)

Ae Aw = 0,709 [cm4]

(2.56]

Pela tabela fornecida em [21] seleciona-se o ncleo:

EE-30/14; Material IP12; Fabricante Thornton.
AeAw = 1,02 com; Ae = 1,2[cm2]; Aw = 0,85[cm2].

47
Substituindo o valor Ae do ncleo selecionado na expresso (2.14) determina-se o
nmero de espiras do indutor boost:
1,4 10 3 2,47 10 4
N=
0,2 1,2

(2.57)

N = 144 [espiras]

(2.58)

O entreferro pode ser calculado pela expresso (2.59).

N 2 4 10 7 Ae 10 2
lg =
L
lg =

144 2 4 10 7 1,2 10 2
1,4 10 3

l g = 0,25 [cm]

(2.59)
(2.60)
(2.61)

Para determinar a bitola do condutor a ser utilizado, tem-se que:

S=

I Lrms
J max

(2.62)

S=

1
350

(2.63)

S = 2,85 10 3 [cm2]

(2.64)

Como se trata de um sistema com freqncia varivel dever ser considerada a

maior freqncia de comutao. A partir da equao (2.65) determina-se a mxima
freqncia de comutao.
f sw(max) =

f sw min
(1 a )

(2.65)

f sw(max) =

25000
(1 0,919)

(2.66)

f sw(max) = 309,55 [KHz]

(2.67)

Considerando que esta estrutura atinge elevada freqncia de comutao, deve-se

considerar a profundidade de penetrao da corrente. A expresso (2.68) mostra como
determinar este valor.
=
=

7,5
f sw(max)
7,5
309,55

(2.68)

(2.69)

48
= 0,0134 [cm]

(2.70)

Assim, pela tabela da referncia [21], adota-se o condutor com bitola 29AWG.
S cond = 0,000642 [cm2]

(2.71)

Para a determinao do nmero de condutores:

ncond =
ncond =

(2.72)

S cond
0,00285
0,000642

(2.73)

ncond = 4,44 [5 condutores paralelos]

(2.74)

Substituindo os valores na equao (2.16) pode-se determinar a corrente mdia no

interruptor comandado, como mostra a expresso (2.75).
I Tmed = 0,195

4 0,318
0,318

I Tmed = 0,585 [A]

(2.75)
(2.76)

A corrente eficaz no interruptor comandado determinada empregando a equao

(2.18). Atravs da substituio dos valores na referida expresso tem-se a equao (2.77):
I Trms =

3 0,318

(3 ) (8 0,318)
0,195
(2 )

I Trms = 0,855 [A]

(2.77)
(2.78)

A corrente mdia no diodo boost igual corrente mdia na carga Io. A corrente
eficaz por sua vez, determinada pela expresso (2.79):
I Dbrms =

( 0.318)

0,195

I Dbrms = 0,52 [A]

(2.79)
(2.80)

Uma vez dimensionados os componentes do estgio de potncia, sero

determinados a seguir os componentes do estgio de controle/comando.
O pino 1 do L6560 deve ser conectado ao divisor resistivo formado por R9, R10 e
R11 que por sua vez esto ligados sada regulada do conversor boost. A equao para
determinar os valores destes resistores encontrada na referncia [19].
R9
V
= o 1
R10 + R11 2,5

(2.81)

49

R9 =

Vom
40 10 6

(2.82)

Pela equao (2.82) determina-se o valor de R9.

R9 =

40
40 10 6

R9 = 1 [M]

(2.83)
(2.84)

Substituindo o valor de R9 na expresso (2.81) encontra-se o valor de (R10 + R11):

R10 + R11 = 6,29 [K]

(2.85)

Valor adotado: R105,6 [K] e R11680 [].

Os valores calculados destes resistores normalmente no coincidem com os
valores comerciais disponveis, sendo ento necessria uma associao de resistores. A
baixa tolerncia destes componentes tem importncia fundamental para o perfeito
funcionamento do conversor.
O procedimento a ser adotado para a atribuio de valores comerciais a seguinte:
Calcula-se o valor de R9 e ento atribui-se valor comercial mais prximo ou
faz-se associao de resistores;
Com o valor comercial de R9 ou sua resistncia equivalente, determina-se o
valor do outro resistor. Neste projeto foi necessrio a associao em srie de R10 e R11 para
se atingir o valor requerido.
A preciso dos resistores deve ser de 1% e sua potncia de 1/4W;
O pino 2 (COMP) do L6560 a sada do amplificador de erro (e uma das duas
entradas do multiplicador). Conectado entre os pinos 1 e 2 est o capacitor C3. Para
determinar o valor deste capacitor basta definir a largura da banda de freqncia (Bw) da
realimentao que controlar a ondulao da tenso de sada na freqncia de sada do
retificador. O fabricante sugere que o valor dessa faixa de freqncia fique entre 20 e
30Hz.
C3

1
2 R9 //( R10 + R11 ) Bw

(2.86)

C3

1
2 6240 30

(2.87)

C 3 = 850,18 [nF]
Valor adotado para C31[F] / 50[V].

(2.88)

50
Pode-se desabilitar o estgio de correo do fator de potncia atravs do pino 2 do
L6560, bastando para isso fazer com que aparea uma tenso inferior 2,5 V neste pino.
O pino 3 (MULT) a segunda entrada do multiplicador. Ele conectado atravs
de um divisor resistivo ao retificador da rede. A caracterstica do multiplicador descrita
pela equao (2.89):
V xcs = k (Vcomp 3,5) VMULTt

(2.89)

O divisor resistivo para a obteno da referncia de entrada para o

multiplicador formado pelos resistores R1 e R2. A equao (2.90) e (2.91) mostram,
respectivamente, como obter o valor de VMULT e o valor mximo desta tenso.
VMULT =

Vinrms (max) R2

VMULTpkx =

R1 + R2
Vinrms (max) 2 R2
R1 + R2

(2.90)

(2.91)

O ganho (k) do multiplicador pode variar ponto a ponto. A Fig. 2.18 mostra a
famlia de curvas do multiplicador, operando com entrada varivel. A sada do
multiplicador controla o pico da corrente atravs do resistor shunt (Rs ou R7 // R8), para
cada ciclo de operao.

Fig. 2.18 Caractersticas do multiplicador.

A operao linear do multiplicador garantida na faixa compreendida entre 0 e

3V (VMULT pino 3 do L6560) e de 0 1,6V para VCS, enquanto o valor mnimo garantido
da inclinao (VCS/VCOMP) de 1,65.

51
A partir destas consideraes pode-se determinar o melhor ponto de operao do
multiplicador. Primeiramente seleciona-se o valor de pico da tenso VMULT, que ser
VMULTpkx.. Este valor ocorre na mxima tenso de entrada, e deve ser no mximo de 3V.
Atribuindo VMULTpkx como sendo 2,8V e substituindo na expresso (2.92):
VMULTpk (min) = VMULTpkx

Virms (min)
Virms (max)

(2.92)

90
260

(2.93)

VMULTpk (min) = 0,969 [V]

(2.94)

VMULTpk (min) = 2,8

Este valor, multiplicado por VCS/VCOMP dar a mxima tenso de sada do

multiplicador, conforme a equao (2.95):
VCSpk = 1,65 VMULTpk (min)

(2.95)

VCSpk = 1,599 [V]

(2.96)

Importante: Se o valor VCSpk exceder o valor limite da linearidade do sensor

de corrente (1,65V), dever ser recalculado partindo-se de um valor menor de VMULTpkx.
Para determinar o valor de R2 atribui-se uma corrente atravs deste resistor de
algumas centenas de microamperes [19]. Substituindo os valores de corrente e tenso na
equao (2.97) tem-se:
R2 =

VMULTpkx

(2.97)

I R2

Onde IR2=500A.
2,8
500 10 6

(2.98)

R2 = 5,6 [K]

(2.99)

R2 =

Para determinar o valor de R1 substitui-se os valores na equao (2.100):

R1 =

R1 =

R2 2 Virms (max)
VMULTpkx
5600 2 260
2,8

R2

(2.100)

5600

(2.101)

R9 = 735,39 [K]
Valor comercial adotado para R9: 820 K.

(2.102)

52
O pino 4 (CS) a entrada inversora do comparador do sensor de corrente. A
corrente instantnea do interruptor comandado convertida em um sinal de tenso
proporcional. Compara-se este sinal com o limite definido na sada do multiplicador com a
corrente do interruptor comandado. Se a corrente no interruptor, que aparece sob forma de
tenso sobre Rs, exceder sada do multiplicador, o comando do interruptor ser
desabilitado.
O resistor sensor de corrente do interruptor determinado pela expresso (2.103):
Rs

VCSpk

(2.103)

I Rspk

Onde:
I Rspk = 2 2

Pi
Virms

(2.104)

I Rspk = 2 2

82,1
90

(2.105)

I Rspk = 2,58 [A]

(2.106)

Substituindo os valores na equao (2.103), determina-se RS.

1,599
2,58

(2.107)

Rs 0,619 []

(2.108)

Rs

Importante: Vxcspk no pode exceder 1,6V.

Rs=R7 // R8; Adota-se R7 = R8 = 1[] / 1[W]
O pino 5 (ZCD) a entrada do detector de zero da corrente. Conforme a Fig. 2.17
este pino est conectado, atravs de um resistor limitador, ao enrolamento auxiliar do
indutor boost. O CI processa o sinal proveniente do enrolamento auxiliar e aciona o
interruptor principal quando a tenso no pino 5 cruzar o limiar de 2,3V 1,1V.
O pino 6 (GND) a referncia do circuito.
O pino 7 (GD), a sada do circuito de comando do interruptor principal. Este
pino pode fornecer ou absorver uma corrente de 400mA para o acionamento do interruptor
principal.
O pino 8 (Vcc). a entrada da fonte de alimentao. A este pino deve ser
conectado um capacitor externo (C1) para evitar variaes de tenso e eliminar possveis
rudos.

53
Pode-se empregar uma fonte auxiliar para sua alimentao ou utilizar um
enrolamento auxiliar do indutor boost como apresentado no captulo 4.
Nota 1: Os componentes que no foram mencionados em nenhuma equao so
na sua maioria capacitores com a funo de filtro e seu valor fornecido pelo fabricante.
Nota 2: Para determinao do enrolamento auxiliar, quando este no for
empregado para gerar a alimentao do circuito de comando, basta que se tenha algumas
espiras com a menor bitola possvel. A existncia de um resistor limitador entre o
enrolamento auxiliar e o pino 5 faz com que este enrolamento no seja crtico, pois o
consumo de corrente extremamente baixo.

Na tabela 2.1 so apresentados os componentes e seus respectivos valores.

Componente

Referncia

Especificao

Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Transistor
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Circuito integrado
Indutor boost
Enrolamento principal

R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
R11
Cin
Cf
C2
C3 = CCOMP
C4
CO =C5
T1
Db =D5
D1
D2
D3
D4
IC1
Lba,

820K/500mW
5,6K/500mW
*100K/1W
*68K/500mW
*10/1W
*330/500mW
1/1W
1/1W
1M/500mW
5,6K/500mW
680/500mW
1F/400Vcc
390nF/400Vca
*10nF/50V
1F/25V
*1nF/50V
33F/450V
IRF840
MUR460
1N5404
1N5404
1N5404
1N5404
L6560
EE30/14 IP12 Thornton
Lba: 1,4mH - 145 espiras

54

Indutor boost
Enrolamento auxiliar
Indutor boost
Enrolamento auxiliar
Indutor de filtro

5 x 29AWG
Lbb: 7 espiras
1 x 29AWG
Lbc: 7 espiras
1 x 29AWG
EE42/15 IP12 Thornton
Lf: 11mH - 314 esp. - 23AWG

Lbb,
Lbc,
Lf

*Especificao fornecida pelo fabricante.

Os

componentes

disponibilidade

baixo

semicondutores
custo.

Isto

foram
significou,

especificados
em

em

alguns

funo

casos,

da
seu

superdimensionamento.

2.10 Resultados de simulao

Para comprovar o equacionamento empregado fez-se a simulao numrica
utilizando o programa PSPICE [31]. Sero apresentadas as formas de onda mais
significativas.
A Fig. 2.19 mostra a corrente no indutor boost para tenso de entrada de 260V.

1.0A

0.5A

0A
16.67ms

20.00ms

25.00ms

30.00ms

33.33ms

Tempo

Fig. 2.19 Corrente no indutor boost para tenso de entrada de 260V.

1.0A

0.5A

0A
20.347ms

21.479ms

Tempo

55
Fig. 2.20 Detalhe da corrente no indutor boost para tenso de entrada de 260V.

A Fig.2.21 apresenta a tenso e a corrente na entrada do conversor boost, a partir

de uma tenso de alimentao de 260V. importante notar que existe uma pequena
defasagem entre a tenso e a corrente, bem como uma pequena distoro na corrente de
entrada. Isto se deve ao fato de que o filtro de entrada deve obrigatoriamente ser o mesmo
para toda a faixa de tenso de entrada. Como neste projeto tem-se limitao de volume, o
indutor do filtro empregado na simulao tem uma indutncia de 3mH. Este valor foi
definido em funo do ncleo necessrio para a confeco do indutor.

400
0

-400
8.3ms

10.0ms
ILf x 300

15.0ms

20.0ms

25.0ms

Tempo

Vin

Fig. 2.21 Tenso e corrente na entrada para uma tenso de alimentao de 260V.

Na seqncia sero apresentadas as formas de onda da tenso e da corrente na

carga, Fig. 2.22 e Fig. 2.23 respectivamente.

600V
400V

200V
8.3ms

10.0ms

15.0ms

20.0ms

Tempo

Fig. 2.22 Tenso na carga para uma tenso de alimentao de 260V.

25.0ms

56
400mA
200mA

0A
8.3ms

10.0ms

15.0ms

20.0ms

25.0ms

Tempo

Fig. 2.23 Corrente na carga para uma tenso de alimentao de 260V.

Na seqncia sero apresentadas as mesmas figuras para uma tenso de entrada de

90V.
A Fig. 2.24 apresenta a corrente no indutor boost.
3.0A

2.0A

1.0A

0A
8.33ms

12.00ms

16.00ms

20.00ms

24.00ms

Tempo

Fig. 2.24 Corrente no indutor boost para uma tenso de entrada de 90V.

3.0A

2.0A

1.0A

0A
12.0ms

12.2ms

12.4ms

12.6ms

12.8ms

13.0ms

Tempo

Fig. 2.25 Detalhe da corrente no indutor boost para uma tenso de entrada de 90V.

57
A Fig. 2.26 mostra a tenso e a corrente de entrada para uma tenso de
alimentao de 90V. possvel notar uma melhora significativa da distoro e da
defasagem se comparada com a tenso e a corrente para o caso anterior (260V).

200
Vin
100

0
ILf1
-100
-200
8.3ms

10.0ms

ILf1 x 80

12.0ms

14.0ms

Vin

16.0ms

18.0ms

20.0ms

22.0ms

24.0ms

Tempo

Fig. 2.26 Tenso e corrente de entrada para o conversor alimentado em 90V.

E finalizando, so mostradas nas figuras (2.27) e (2.28) a tenso e a corrente na

carga na carga

500V
400V

200V

0V

12ms

14ms

16ms

18ms

20ms

22ms

Tempo

Fig. 2.27 Tenso na carga para o circuito alimentado em 90V.

24ms

58
500mA
400mA

200mA

0A

12ms

14ms

16ms

18ms

20ms

22ms

24ms

Tempo

Fig. 2.28 Corrente de carga para tenso de alimentao de 90V.

2.11 Concluso
Este captulo apresentou o estgio de entrada com pr-regulador boost operando
no modo de conduo crtica. Este modo de operao bastante interessante quando se
trabalha com potncias de at 150W. Acima desta potncia os esforos de corrente nos
semicondutores atingem valores elevados e o rendimento diminui consideravelmente [19].
Para operao no modo de conduo contnuo haveria um aumento de custos
devido ao maior nmero de componentes. O circuito integrado normalmente empregado no
controle para este modo de conduo (3854) tambm tem maior custo. A principal
vantagem em se utilizar o modo de conduo contnua a diminuio do volume do filtro
de entrada.
Foram apresentados os dimensionamentos do estgio de potncia e de
comando/controle. O filtro de entrada tambm foi contemplado neste captulo. Foram
tambm apresentadas sugestes de filtros para diminuir a interferncia eletromagntica.
Como grande vantagem desta topologia pode-se citar a possibilidade da entrada
universal de tenso. Outra vantagem no menos importante no emprego deste circuito
integrado sua grande flexibilidade.

60

Captulo 3
Inversor Ressonante

3.1 Introduo

Os estgios de converso de corrente contnua em corrente alternada so

tipicamente denominados de Inversores. Neste trabalho deseja-se acionar duas lmpadas
fluorescentes de 40W cada. Atravs de pesquisa bibliogrfica [22], [25], verificou-se que a
estrutura mais adequada o inversor ressonante Meia-Ponte Assimtrico.
O fato de ser um Inversor Meia-Ponte lhe confere comando simples e
funcionamento amplamente discutido e dominado. Os esforos de tenso sobre os
interruptores no ultrapassam o valor da tenso de barramento e apenas um dos
interruptores requer comando isolado de base ou gate, dependendo do tipo de interruptor
empregado.
O circuito ressonante que compe a carga do inversor formado de um indutor
ressonante, capacitor srie, capacitor paralelo e uma lmpada fluorescente. A lmpada ser
modelada por um circuito resistivo como sugere a bibliografia [22].
O comando do circuito ser por freqncia imposta e ser gerado a partir de um
microcontrolador. O projeto de software e hardware envolvendo o microcontrolador
apresentado no anexo.
O sinal de comando gerado tambm atuar no controle de luminosidade, deteco
de presena e proteo de sobrecorrente no circuito ressonante.

3.2 Estgio Ressonante

O conversor ressonante meia-ponte assimtrico, alimentado por tenso, uma das

estruturas mais difundidas para uso em reatores eletrnicos [22] e [25]. Seu baixo custo e
robustez so algumas das caractersticas favorveis a esta estrutura, aliado possibilidade

61
de se obter como tenso mxima nos interruptores, a tenso de barramento. A Fig. 3.1
mostra o digrama esquemtico do inversor e o circuito ressonante. importante atentar ao
fato que o reator a ser implementado alimentar duas lmpadas fluorescentes. Como as
lmpadas so iguais e alimentadas cada qual por um circuito ressonante prprio, procederse a anlise do circuito ressonante para apenas uma lmpada. Porm para o
dimensionamento dos interruptores ambas devem ser consideradas.
a
Cs
T1
D1

C1

Lmpada
Lr

E
-

b
T2
D2

C2

Fig. 3.1 Inversor e circuito ressonante.

Onde:
E Tenso de alimentao CC;
Lr Indutor ressonante;
Cs Capacitor srie;
Cp Capacitor paralelo;
T1 Interruptor de potncia 1;
T2 Interruptor de potncia 2;
D1 Diodo intrnseco do interruptor de potncia 1;
D2 Diodo intrnseco do interruptor de potncia 2;
C1 Capacitor de auxlio comutao;
C2 Capacitor de auxlio comutao;

Cp

62

3.3 Etapas de Operao

Na seqncia sero descritas as etapas de operao do circuito inversor. Pela

disposio dos interruptores de potncia pode-se observar que seu funcionamento deve ser
complementar. Isto significa que aparecer uma tenso retangular de amplitude E entre os
pontos a e b do circuito ressonante. Esta tenso, denominada Vab, possui uma componente
alternada em alta freqncia que ser submetida ao circuito ressonante.
A componente alternada de Vab provocar a circulao de corrente senoidal em
Lr, Cs, Cp e na lmpada. A componente contnua de Vab ser bloqueada pelo capacitor Cs.
Para auferir uma caracterstica indutiva ao circuito ressonante, permitindo a
entrada em conduo suave dos interruptores, a freqncia de comutao do inversor ser
maior que a freqncia de ressonncia. Visando a reduo das perdas por comutao no
bloqueio, so acrescentados os capacitores de auxlio comutao C1 e C2. A ao destes
capacitores consiste em atrasar a subida da tenso no interruptor que estiver sendo
bloqueado, fazendo com que se reduza ao mximo a presena simultnea de tenso e de
corrente no interruptor durante a comutao. Quando empregados interruptores do tipo
MOSFET, j existe uma capacitncia intrnseca com valor fornecido pelo fabricante. Esta
capacitncia deve ser considerada no dimensionamento dos capacitores de auxlio
comutao.
A Fig. 3.2 mostra a corrente no indutor ressonante bem como a tenso Vab
aplicada ao circuito ressonante. Tambm so mostrados os instantes que determinam as
etapas de operao.

Vab
ILr

t0

t1

t2

t3

t4

Fig. 3.2 Corrente no indutor ressonante e tenso Vab.

63

Para anlise das etapas de operao os capacitores C1 e C2 sero desprezados,

uma vez que no influenciam no funcionamento global da estrutura, apenas contribuem
para o bloqueio suave do interruptores T1 e T2.
a
Cs
T1
D1

C1

Cp

Lr

Lmpada

T2

D2

C2

Vab=E

Fig. 3.3 Primeira etapa de funcionamento.

Na primeira etapa de funcionamento o interruptor T2, que j estava habilitado a

conduzir, entra em conduo no instante t0, sob tenso e corrente nulas. A corrente evolui
de forma ressonante at o instante t1, quando o interruptor comandado a bloquear. O
diodo D1 entra em conduo assumindo a corrente do circuito ressonante, iniciando dessa
forma a segunda etapa de operao.

a
Cs
T1
D1

C1

Cp

Lr

Lmpada

T2

D2

C2

Vab=0

Fig. 3.4 Segunda etapa de funcionamento.

Esta etapa tem incio no instante t1 com a entrada em conduo do diodo D1. A
corrente mantm o mesmo sentido da etapa anterior, porm decresce de forma ressonante
at atingir zero no instante t2. Durante esta etapa o interruptor T2 habilitado a conduzir.

64
a
Cs
T1
D1

C1

Cp

Lr

Lmpada

T2

D2

C2

Vab=0

Fig. 3.5 Terceira etapa de funcionamento.

A terceira etapa de funcionamento tem incio no instante t2 com a entrada em

conduo do interruptor T1. De forma similar ao interruptor T2 esta comutao ocorre sob
tenso e corrente nulas, no havendo portanto perdas por comutao na entrada em
conduo. A corrente evolui de forma ressonante com sentido contrrio s duas primeiras
etapas. O trmino desta etapa, no instante t3, caracterizado pelo bloqueio do interruptor
T1.
a
Cs
T1
D1

C1

Cp

Lr

Lmpada

T2

D2

C2

Vab=E

Fig. 3.6 Quarta etapa de operao.

A ltima etapa de operao caracterizada pela entrada em conduo do diodo

D2, que ocorre com o bloqueio do interruptor T1 no instante t3. Nesta etapa o interruptor
T2 habilitado a conduzir. A corrente no diodo D2 evolui de forma ressonante at se
anular, iniciando assim outro ciclo de operao.

65

3.4 Anlise do circuito ressonante

Como visto na anlise das etapas de operao, a tenso aplicada ao circuito

ressonante varia de 0 a E. Isto vale dizer que se trata de uma tenso assimtrica e de
formato retangular, pois para cada metade do perodo de comutao ela assume os valores
0 e E. Tambm foi citado anteriormente que a componente contnua desta tenso
bloqueada pelo capacitor Cs. Isto permite que se faa uma anlise considerando que a
tenso aplicada ao circuito ressonante simtrica de valores que variam de E/2 a +E/2.
A Fig. 3.7 mostra o modelo simplificado do circuito ressonante.

Lr

Cs

Cp

Fig. 3.7 Modelo simplificado do circuito ressonante.

A tenso Vab pode ser escrita como um somatrio infinito de senides de acordo
com a srie de Fourier como mostram as equaes (3.1) e (3.2).
Vab(t ) =

4 Vp
1
1

sen(t ) + sen(3t ) + sen(5t ) + ...

3
5

(3.1)

Ou, rescrevendo de forma genrica:

Vab(t , n) =

4 Vp
1

sen((2n 1) t )

n =1 (2 n 1)

(3.2)

Estudos realizados em [24] e [25] mostram que permitido efetuar todo o

desenvolvimento matemtico do conversor atravs da considerao unicamente da
componente fundamental da tenso Vab. A contribuio das demais componentes
harmnicas bastante pequena em relao a componente fundamental. O autor da
bibliografia [24] sugere para um desenvolvimento matemtico mais apurado a
considerao da terceira harmnica.
A lmpada fluorescente ser modelada por uma resistncia, dado seu
comportamento em alta freqncia [22]. No transitrio de partida ser modelada por uma
resistncia de valor infinito. Durante o regime permanente a lmpada ser modelada por

66
uma resistncia de valor definido pelo valor eficaz de tenso e corrente fornecidos pelo
fabricante.

3.4.1 Transitrio de partida

Como a lmpada fluorescente possui um comportamento similar a um resistor ser

modelada como tal. No transitrio de partida a resistncia equivalente da lmpada infinita
fazendo com que os capacitores Cs e Cp possam tambm ser substitudos pela sua
capacitncia equivalente Ceq. Na Fig. 3.8 est representado o modelo equivalente do
circuito ressonante no transitrio de partida.

Lr

Cs

a
Cp

R=

Lr

Ceq
b

Fig.3.8 Modelo equivalente do circuito ressonante na partida.

Os circuitos da figura anterior representam o modelo simplificado do circuito

ressonante no transitrio de partida. Como mostra a referida figura, pode-se ainda
rearranjar o circuito eltrico de maneira que a anlise matemtica seja simplificada, sem
prejuzo nos resultados finais. A capacitncia Ceq representa a associao srie dos
capacitores Cs e Cp.
O circuito descrito pela seguinte equao diferencial de segunda ordem:
Vab max sen ( t ) = Lr Ceq

d2
Vceq(t ) + Vceq(t )
dt 2

(3.3)

Onde:
Vabmax : Amplitude da tenso de entrada.
: Freqncia angular da tenso de entrada.
A soluo da Equao (3.3) depende da relao entre a freqncia de entrada e a
freqncia de ressonncia do circuito LC (Lr e Ceq). A expresso (3.4) mostra como
determinada a freqncia de ressonncia do circuito LC.

67

Fr =

(3.4)

2 Lr Ceq

Classicamente so empregadas duas tcnicas de operao dos inversores no

comando de circuitos ressonantes: auto-oscilante e freqncia imposta.
Nos circuitos auto-oscilantes, onde a ao regenerativa ao comando dos
interruptores efetuada atravs de um transformador de pulso [27], a partida da lmpada
realizada fazendo-se com que a freqncia de comutao seja igual freqncia de
ressonncia. Isto far com que a tenso Vceq e a corrente no indutor ressonante sejam
sempre crescentes, at que atinjam o ponto de ignio da lmpada. Neste instante a
resistncia equivalente da lmpada, que se encontra em paralelo com o capacitor Cp,
diminuir fazendo com que a freqncia de ressonncia do circuito mude, permitindo desta
forma o funcionamento do circuito.
Nos circuitos com freqncia imposta o conversor operado com a freqncia de
comutao diferente da freqncia de ressonncia. Os valores mximos de tenso e de
corrente aplicados lmpada so determinados pela diferena entre as freqncias de
comutao e de ressonncia do circuito. Como citado anteriormente, o comando do
inversor ressonante aqui apresentado ser por freqncia imposta. Contar tambm com
controle automtico da intensidade luminosa. Este controle ser feito atravs da variao da
freqncia de comutao nos interruptores comandados do circuito ressonante.
Resolvendo-se a Equao (3.3) para a situao onde a freqncia de comutao
diferente da freqncia de ressonncia, ser encontrada a seguinte soluo para a tenso
sobre a capacitncia equivalente:
Vceq(t ) =

Vab max
s

sen (os t ) sen (s t )

2
Lr Ceq s os

(3.5)

e para a corrente no indutor ressonante:

ILr (t ) =

Vab max s
(cos(os t ) cos(s t ))
Lr s 2 os 2

(3.6)

Pode-se observar atravs das equaes a presena de duas freqncias sobrepostas

no circuito. A diferena entre estas freqncias controla os valores mximos de tenso e de
corrente no circuito ressonante. Deve-se no entanto, atentar para o fato de que a freqncia
de comutao no atinja valores muito prximos da freqncia de ressonncia do circuito
LC. As equaes (3.5) e (3.6) so representadas graficamente na Fig. 3.9:

68

Vceq_(t)

ILr_(t)
(t)

Fig. 3.9 Tenso no capacitor equivalente (Vceq) e corrente no indutor ressonante

(Ilr).
O fenmeno da modulao em amplitude nos valores da tenso e da corrente que
aparece na figura anterior chamado de batimento.

3.4.2 Anlise em regime permanente

Uma vez dada a ignio da lmpada encerra-se o transitrio de partida do circuito.

A partir de ento ela apresenta caracterstica de resistncia finita, quando operada em alta
freqncia.
O circuito pode agora ser representado pela Fig. 3.9.

Lr
ILr

Vab

Cs
Cp

+
Vo
-

Fig. 3.9 Modelo simplificado do conversor ressonante.

A funo de transferncia relacionando a tenso sobre lmpada (Vo) com a tenso

Vab apresentada na equao (3.7).
V o (s )
R CS s
=
3
Vab (s ) R Lr C P C S s + C S Lr s 2 + R (C P + C S ) s + 1

(3.7)

69
A equao (3.8) mostra a relao entre a corrente no indutor ressonante (ILr) e a
tenso Vab .
R C S C P s 2 + C S s
ILr (s )
=
Vab (s ) R Lr C P C S s 3 + C S Lr s 2 + R (C P + C S ) s + 1

(3.8)

3.5 Metodologia de projeto do circuito ressonante

Esta etapa do trabalho tem por objetivo apresentar uma metodologia de projeto
para os componentes ressonantes.
O reator proposto incorpora alguns diferenciais, tais como:

Controle da intensidade luminosa;

Possibilidade de ser desligado atravs de um sensor de presena;

Pr-aquecimento do filamento das lmpadas antes da ignio.

Estas caractersticas fazem com que se tenha maior valor agregado ao sistema de
iluminao, justificando um custo mais elevado.
Para que se dimensione os componentes do circuito ressonante (Lr, Cs e Cp),
algumas simplificaes so adotadas:

Apenas a componente fundamental da tenso Vab ser considerada;

A lmpada ser considerada uma resistncia de valor infinito na partida e de

valor finito em regime permanente;

No transitrio de partida, a freqncia de ressonncia do circuito :
f RT =

1
2 Lr C eq

(3.9)

Onde:
C eq =

CS CP
CS + CP

(3.10)

Para o regime permanente, assume-se que a impedncia da lmpada

desprezvel, se comparada com a impedncia do capacitor paralelo (Cp). Como estes
elementos esto associados em paralelo, somente o capacitor paralelo considerado na
anlise matemtica. Com essa simplificao introduzido um erro, mas consegue-se uma
simplificao significativa da anlise matemtica.

70
Outro fator a ser considerado quando se passa da anlise terica para a
implementao, o nmero limitado de valores comerciais de capacitores disponveis.
Os fatores supra citados justificam as simplificaes adotadas.
A freqncia de ressonncia em regime permanente expressa na equao
(3.11).
f RR =

(3.11)

2 Lr C S

desejado que se tenha as menores perdas possveis por comutao, com o

conseqente aumento de rendimento. Isto possvel fazendo com que a corrente no
circuito ressonante esteja atrasada em relao tenso. Desta forma, a entrada em conduo
dos interruptores ocorre sob tenso nula, como demonstrado da anlise das etapas de
operao. Para se obter caracterstica indutiva do circuito ressonante, deve-se operar com a
freqncia de comutao maior que a freqncia de ressonncia em regime.
f S = 4 f RR

(3.12)

A relao entre estas duas freqncias traz consigo um compromisso entre a

distoro harmnica da tenso aplicada lmpada e a quantidade de energia reativa
circulando no circuito. Quanto maior a relao entre as freqncias menor a distoro
harmnica. No entanto, quanto menor for esta relao, menor ser a quantidade de reativos
circulando. Na estrutura apresentada optou-se pela menor distoro harmnica, pois a
maior circulao de energia reativa no muito significativa, devido baixa potncia da
estrutura.
Adotando-se a metodologia apresentada em [25] e adequando-a para circuitos com
freqncia imposta, obtida uma relao entre Cp e Cs.
CS = 9 CP

(3.13)

Atravs da equao 3.14 calcula-se o valor de Lr.

Lr =

16
C S (2 f S ) 2

(3.14)

Par determinar o valor de Cs considera-se a operao em regime permanente, onde

s = js. Atravs desta considerao e tomando o mdulo da expresso (3.7), tem-se:
Vo ( j s )
=
Vab ( j s )

[1 C

R C S s

Lr s

] + [R s (C

2 2

+ C S Lr C P C S s

)]

(3.15)

71
onde:
s = 2 f S

(3.16)

Os parmetros ressonantes podem agora ser obtidos em funo da tenso e

corrente nominais da lmpada, tenso de entrada e freqncia de comutao. As equaes
(3.17), (3.18) e (3.19) possibilitam obter os valores dos componentes do circuito
ressonante.
CS =

VLRMS 15
Vab R s

(3.17)

CP =

CS
9

(3.18)

Lr =

16
C S s 2

(3.19)

2E

(3.20)

Onde Vab:
Vab =

3.6 Exemplo de projeto

Nesta etapa ser apresentado um exemplo de projeto empregando a metodologia
proposta. O projeto ser para um reator com duas lmpadas fluorescentes de 40W cada.
Como a eficincia luminosa maior para lmpadas operando em freqncia acima de
20KHz, a potncia que ser aplicada cada lmpada ser reduzida em 15% [24]. Isto far
com que sua eficincia luminosa seja equivalente uma lmpada alimentada em baixa
freqncia.
Parmetros de projeto:
E = 400[V] Tenso de barramento CC;
VLRMS = 111[V] Valor eficaz da tenso de operao da lmpada;
ILRMS = 0,315[A] Valor eficaz da corrente de operao da lmpada;
fS = 29,7[KHz] Freqncia de comutao;
A resistncia equivalente da lmpada determinada pelos valores de tenso e
corrente fornecidos pelo fabricante:

72

R=

VLRMS
I LRMS

(3.21)

R=

111
0,315

(3.22)

R = 352,38 []

(3.23)

Para determinar o valor de Cs necessrio que se tenha o valor de Vab, que

pode ser determinado substituindo-se os valores na equao (3.20).
Vab =

2E

(3.24)

Vab =

2 400

(3.25)

Vab = 180,06 [V]

(3.26)

O valor de s definido como:

s = 2 f s

(3.27)

s = 186610,6 [rd/s]

(3.28)

Substituindo (3.26) e (3.28) em (3.17), determina-se Cs.

CS =

111 15
180,6 352,38 186.610,6

C S = 140,2 [nF]

(3.29)
(3.30)

Como no se trata de um valor comercial, ser adotado o valor comercial mais

prximo:
C S = 150 [nF]

(3.31)

Determina-se ento o valor de Lr substituindo-se valores na expresso (3.19).

Lr =

16
150 10 (2 29.700) 2
9

Lr = 3,06 [mH]

(3.32)
(3.33)

E, finalmente, define-se Cp.

CP =

150 10 9
9

C P = 16,67 10 9
Atribuindo-se valor comercial:

(3.34)
(3.35)

73
C P = 18 [nF]

(3.36)

Para o dimensionamento fsico do indutor ressonante, assume-se:

Fator de utilizao da rea do enrolamento Kw = 0,7;
Densidade de corrente JMAX = 350[A/cm2];
Densidade de fluxo magntico BMAX = 0,2[T];
O equacionamento adotado para o dimensionamento fsico do indutor ressonante
ser o mesmo empregado no captulo 2.
Uma vez definidos os valores dos parmetros ressonantes, pode-se calcular as
correntes mxima e eficaz no indutor ressonante. Pela expresso (3.37) determina-se o
valor de pico da corrente neste indutor.
I Lr max

4 E
R Cs Cp s 2 + Cs s
=

2 R Lr Cp Cs s 3 + Cs Lr s 2 + R (Cp + Cs ) s + 1
I Lr max = 0,652 [A]

(3.37)
(3.38)

Considerando que a corrente no indutor ressonante senoidal, a corrente eficaz

pode ser calculada pela equao (3.39).
I Lrrms =

I Lrms
2

I Lrrms = 0,461 [A]

(3.39)
(3.40)

Substituindo-se os valores na equao (3.41),determina-se o produto AeAw para

ento atravs da tabela fornecida em [21] proceder a escolha do ncleo:
AeAw =

Lr I Lr max I Lrrms
k w Bmax J max

Ae Aw = 0,188 [cm4]

(3.41)
(3.42]

Pela tabela fornecida em [21] seleciona-se o ncleo:

EE-30/07; Material IP12; Fabricante Thornton.
AeAw = 0,48[cm4] com: Ae = 0,6[cm2]; Aw = 0,8[cm2].
Substituindo o valor Ae do ncleo selecionado na expresso (3.43) determina-se o
nmero de espiras do indutor ressonante:
N=

Lr I Lr max
B Ae

(3.43)

74

N=

3.06 10 3 0,652
10 4
0,2 0,6

N = 167 [espiras]

(3.44)
(3.45)

O entreferro pode ser calculado pela expresso (3.46).

lg =

N 2 4 10 7 Ae 10 2
Lr

(3.46)

lg =

115 2 4 10 7 0,6 10 2
3,06 10 3

(3.47)

l g = 0,032 [cm]

(3.48)

Para determinar a bitola do condutor a ser utilizado, tem-se que:

S=

I Lrrms
J max

(3.49)

S=

0,461
350

(3.50)

S = 1,317 10 3 [cm2]

(3.51)

Como se trata de um sistema com freqncia varivel devido dimerizao,

dever ser considerada a maior freqncia de comutao.
f SMAX = 42 [KHz]

(3.52)

Considerando a profundidade de penetrao da corrente, tem-se que:

=
=

7,5
f SNMAX )
7,5
42000

= 0,0365 [cm]

(3.53)

(3.54)
(3.55)

Assim, pela tabela da referncia [21], adota-se o condutor com bitola 25AWG.
S cond = 0,001624 [cm2]

(3.56)

Para a determinao do nmero de condutores:

ncond =
ncond =

S
S cond
0,001317
0,001624

(3.57)

(3.58)

75
ncond = 0,81 [1 condutor]

(3.59)

O comportamento do circuito no transitrio de partida pode ser observado

plotando-se as equaes (3.5) e (3.6) com os valores dos componentes ressonantes
encontrados.

800
640
480
320
160

Vceq (V)

0
160
320
480
640
800
0

1 10

2 10

3 10

4 10

Tempo (s)

Fig. 3.11 Tenso no capacitor equivalente no transitrio de partida.

A partir do grfico obtido pode-se retirar informaes importantes como por

exemplo a mxima tenso que o capacitor paralelo ter que suportar. Pode-se verificar a
partir da Fig. 3.11, a mxima tenso aplicada ao capacitor equivalente. Este, por sua vez,
a associao srie dos capacitores Cs e Cp. Sendo o capacitor Cp de menor capacitncia,
sobre ele ficar aplicado a maior parcela da tenso durante o transitrio de partida. A partir
destas consideraes pode-se dimensionar o capacitor paralelo para suportar um esforo em
tenso maior ou igual que a tenso sobre a capacitncia equivalente.
Outra informao importante a corrente mxima que os interruptores tero que
suportar durante o transitrio de partida. A evoluo da corrente no indutor ressonante
durante o transitrio de partida apresentada na Fig. 3.12.

76
2
1.67
1.33
1
0.67
0.33

I Lr (A)

0.33
0.67
1
1.33
1.67
2
0

1 10

2 10

3 10

4 10

Tempo (s)

Fig.3.12 Corrente no indutor ressonante durante o transitrio de partida.

Os interruptores empregados sero do tipo MOSFET. Esta escolha decorrente do

seu custo acessvel, disponibilidade, boa adaptao com a freqncia utilizada e ainda
possuir um diodo intrnseco. Interruptores do tipo IGBT tambm podem ser empregados.
Para o dimensionamento da corrente eficaz atravs dos interruptores ser
considerada apenas a componente fundamental da corrente no indutor ressonante, pois as
suas harmnicas tem uma contribuio muito pequena [26]. O circuito inversor alimentar
duas lmpadas fluorescentes de potncia igual 40W. A corrente eficaz em cada indutor
ressonante dividida simetricamente entre os interruptores do inversor. A partir dessas
consideraes pode-se determinar a corrente eficaz nos interruptores T1 e T2.
I T 1rms = I T 2 rms = 2 I Lrrms

(3.60)

I T 1rms = I T 2 rms = 0,652 [A]

(3.61)

Plotando-se a equao (3.6) possvel determinar o valor da corrente mxima em

cada indutor ressonante durante o transitrio de partida, como mostrado na Fig. 3.12.
Como cada interruptor dever suportar a corrente mxima total do circuito ressonante e
tendo-se dois circuitos ressonantes em paralelo (duas lmpadas), tem-se:
I T 1 max = I T 2 max = 2 I Lr max

(3.62)

I T 1 max = I T 2 max = 1,3 [A]

(3.63)

77

A tenso que cada interruptor ter que suportar ser a tenso de sada do conversor
boost mais a mxima sobretenso (Vom), prevista no projeto apresentado no captulo 2.
VDST 1 = VDST 2 = Vo + Vom

(3.64)

VDST 1 = V DST 2 = 400 + 40

(3.65)

VDST 1 = VDST 2 = 440 [V]

(3.66)

O transistor adotado foi o IRF840. A seguir so listadas as principais

caractersticas deste componente.
Corrente mdia ID = 8[A];
Mxima tenso entre dreno e source VDsmax = 500[V];
Resistncia de conduo RDSON = 0,85[].
Os circuitos responsveis pelo comando dos interruptores, protees e controle
sero tratados a seguir.

3.7 Comando, controle e proteo do inversor ressonante

Como citado anteriormente, o inversor ressonante ser comandado por freqncia

imposta. Deseja-se efetuar o controle de luminosidade em funo do nvel de intensidade
luminosa do ambiente. Outra funo que dever ser executada pelo reator eletrnico aqui
proposto a deteco de presena, que dever desligar as lmpadas quando no houver
presena no ambiente. Ser implementado tambm um circuito de proteo que desligar o
inversor ressonante caso uma das lmpadas no d ignio ou for retirada da luminria.
Para efetuar estas tarefas foi escolhido um microcontrolador. Esta escolha deve-se
a vrios fatores, que so apresentados a seguir e no anexo deste trabalho.

3.7.1 Projeto de software e de hardware

O contexto onde est inserido o microcontrolador apresentado na Fig. 3.13.

78

Retificador

Inversor

PFC

L6560
PIC12C671

LDR
PIR

Fig. 3.13 Diagrama em blocos da estrutura implementada.

O microcontrolador escolhido foi o PIC12C671 da MICROCHIP. A escolha devese grande disponibilidade de documentao tcnica, baixo custo, reduzido nmero de
pinos (8) e possibilidade de migrao para outro microcontrolador com maior capacidade
de processamento utilizando o mesmo cdigo fonte.

3.7.2 Funcionamento da estrutura

A seguir ser mostrada uma sntese do funcionamento da estrutura e da forma de

controle sobre a qual possvel ajustar a potncia entregue lmpada.
A Fig. 3.14 mostra uma das estruturas comercialmente mais utilizadas para
reatores eletrnicos.
a
Cs
T1
D1

C1

Lmpada

Cp

Lr

E
-

b
T2
D2

C2

Fig. 3.14 Inversor meia-ponte assimtrico com filtro ressonante.

79
Trata-se de um inversor half-bridge com filtro ressonante.
Para freqncias acima de 20kHz, a lmpada fluorescente modelada por uma
resistncia equivalente [24], cujo valor pode ser retirado a partir de seus valores de tenso e
de corrente eficaz. Durante o transitrio de partida, esta resistncia considerada infinita.
O comportamento da lmpada na partida fortemente dependente da temperatura
ambiente. Uma relao apropriada entre o aquecimento dos filamentos, responsveis pela
emisso de eltrons, e a tenso aplicada lmpada necessria para garantir a ignio da
lmpada.
Para uma temperatura ambiente de 25oC necessria uma tenso eficaz de
aproximadamente 1.500V para a ignio de uma lmpada fluorescente tubular de 40W. Se
realizado um pr-aquecimento dos filamentos durante 500ms este valor reduzido para
250V [24]. A realizao do pr-aquecimento proporciona um aumento da vida til da
lmpada.
Com base nas equaes (3.7) e (3.8) pode-se observar que para um dado circuito
ressonante, a tenso e a corrente sobre a lmpada so fortemente dependentes da
freqncia. Plotando-se estas expresses pode-se observar o comportamento da tenso e de
corrente na lmpada mediante a variao da freqncia.
A Fig 3.15 representa o comportamento da corrente no indutor ressonante para os
valores do projeto apresentado neste captulo
1.2
1.08
0.96
0.84
0.72

ILrpk (f)

0.6
0.48
0.36
0.24
0.12
0
0

4
1.67 10

4
3.33 10

4
5 10

4
6.67 10

4
8.33 10

5
1 10

freqncia (Hz)

Fig. 3.15 Comportamento da corrente em ILr em funo da freqncia.

A Fig 3.16 mostra a variao da tenso em funo da freqncia sobre a lmpada,
para os valores do projeto apresentado.

80
330
297
264
231
198

Vl (f)

165
132
99
66
33
0
0

4
1.67 10

4
3.33 10

4
5 10

4
6.67 10

4
8.33 10

5
1 10

freqncia (Hz)

Fig. 3.16 Comportamento da tenso na lmpada em funo da freqncia.

Se a corrente e a tenso aplicadas sobre a lmpada decaem com o aumento da
freqncia, a potncia entregue lmpada tambm sofre o mesmo tipo de influncia. O
controle da intensidade luminosa ento feito atravs do controle da freqncia de
comutao do inversor. Dependendo do tipo de lmpada e das caractersticas de
aquecimento do filamento pode-se obter um controle estvel do fluxo luminoso variando o
fluxo mximo de 100% at 25% [24].

3.7.3 Controle de intensidade luminosa

Tendo em vista a forte dependncia entre a freqncia de comutao do inversor e
a potncia entregue lmpada, o controle propriamente dito do sistema cair sobre o sinal
de comando dos interruptores. A freqncia de comutao sofrer variao na proporo
direta da variao da luminosidade do ambiente, pois esta quem determinar a quantidade
de energia que ser entregue lmpada.
Com base nesse princpio, parte-se ento para o projeto do sistema, que est
dividido em trs partes: projeto eletrnico, projeto do hardware e projeto do software.
a) Projeto Eletrnico
O projeto eletrnico consiste na interpretao do sinal lido pelo sensor (LDR) e
pela forma sobre a qual esta informao ir interferir na freqncia de comutao. Estas
duas variveis faro o ajuste do nvel de luminosidade emitido pela lmpada. Para isso,

81
como o controle ser realizado por um microcontrolador, preciso que a informao
recebida seja primeiramente convertida para o domnio digital. Aps essa operao,
realizada facilmente atravs de um conversor analgico-digital, o sistema compara a
informao obtida com uma referncia, previamente estabelecida. Isso evita que os limites
de operao sejam ultrapassados e, consequentemente, permite a gerao do sinal de
comando dos interruptores na freqncia desejada.
Dessa forma, pode-se esboar o diagrama em blocos do projeto eletrnico da
seguinte maneira:

Luminosidade
Ambiente

Conversor
A/D

Sensor

Sinal de
Controle

Comparador

Fig.3.17 Diagrama em blocos do projeto eletrnico para o controle de luminosidade.

b) Projeto de Hardware
Conforme apresentado no projeto eletrnico, trs dispositivos so necessrios para
a implementao do sistema:
Um sensor capaz de captar a luminosidade ambiente e convert-la para uma
varivel eltrica;
Um dispositivo que permita tratar esta varivel de maneira digital;
Um circuito para a gerao dos sinais de comando capaz de garantir a correta
operao do inversor.
Atualmente,

alguns

microcontroladores

apresentam

conversores

A/D

incorporados em seu encapsulamento, assim, a escolha do microcontrolador mais

apropriado pode significar, alm de uma reduo do volume final do prottipo, uma
reduo do custo total do reator. Conforme mencionado anteriormente um dos
microcontroladores disponveis no mercado e adequado para esta funo o PIC12C671,
da Microchip. Este modelo de microcontrolador possui apenas 8 pinos e apresenta um
consumo mdio de 25mA, freqncia mxima de operao de 10MHz, quatro conversores
A/D de 8 bits, alm de 1 timer tambm de 8 bits. Na escolha do sensor a busca do

82
dispositivo mais adequado nesta categoria, deve levar em considerao o tipo de sinal
utilizado para a realizao da converso A/D. Como o microcontrolador converte uma
tenso analgica entre 0 (zero) e 5 (cinco) volts em um sinal digital, o mais indicado seria
um sensor capaz de fornecer uma tenso, entre esses limites, para toda a faixa de variao
da intensidade luminosa. Contudo, tal dispositivo poderia ter um custo muito elevado,
inviabilizando o projeto. Como apresentado no captulo 1 o sensor escolhido o LDR
(Light Depending Resistor)

c) Projeto de Software
Para que se gere o sinal de acionamento em uma determinada freqncia, preciso
que o programa altere o nvel da porta de sada em intervalos definidos de tempo. Para a
contagem desse intervalo de tempo, utiliza-se o timer. Esse dispositivo, interno ao
microcontrolador, incrementa seu valor aps a execuo de cada instruo. Dessa forma
gera um sinal de interrupo ao ultrapassar seu limite superior (estouro). O tempo de
execuo de cada instruo conhecido (400ns para o microcontrolador operando em
10MHz), e o valor inicial do timer configurvel. Pode-se ento programar o sistema para
realizar a inverso do sinal a cada estouro, e simplesmente alterar o valor inicial quando
se desejar alterar a freqncia do sinal de sada.
Para melhor compreender este princpio, prope-se aqui um exemplo. Supondo
que se deseja gerar uma onda com uma freqncia de 29,7 kHz, considerando um timer de
8 bits e um tempo por instruo de 400 ns, o valor inicial do timer poder ser calculado da
seguinte forma:
freqncia = 29,7 kHz

perodo 33,67 s

E como:
perodo
= nmero de instrues num perodo ,
tempo por instruo
Tem-se que:
perodo
84
tempo por instruo

83
Isto significa dizer que o timer sofrer um estouro aps a contagem de 84
instrues. Contudo, deve-se lembrar que a sada deve permanecer metade do tempo no
estado alto, e a outra metade no estado baixo (razo cclica 0,5). Em funo do exposto,
pode-se dizer que a porta de sada do microcontrolador deve mudar de nvel a cada 42
instrues.
Desta forma, para gerar-se uma freqncia de 29,7KHz, deve-se complementar a
sada do microcontrolador aps 42 instrues. Quando ocorre a interrupo do estouro do
timer, o programa desviado para uma regio chamada tratador de interrupes. O
programa gasta 13 instrues para complementar a porta de sada e carregar novamente o
valor do timer. Este tempo deve ser considerado para determinar o valor carregado no
timer. Como o timer de 8 bits e, por conseqncia, pode contar 256 vezes (de 0 a 255), o
valor inicial a ser carregado nele ser:
255 (42 13) = 226
A variao de freqncia permitida para a estrutura 29,7kHz para a potncia
mxima, at 36kHz, nesta freqncia aplicada a mnima potncia sobre a lmpada. Se o
limite inferior de freqncia for ultrapassado, a potncia sobre a lmpada ser superior
potncia nominal. J o limite superior no deve ser violado por questes de estabilidade, j
que uma corrente mnima de manuteno deve ser mantida sobre a lmpada.
Sero apresentados a seguir possveis valores de freqncia que podem ser obtidos
segundo os clculos anteriormente descritos:

Tabela 3.1 Valores a serem carregados no timer para cada freqncia.

Timer
226
227
228
229
230
231
232
233

Freqncia (kHz)
29,761
30,487
31,250
32,051
32,894
33,783
34,722
35,714

O controle de luminosidade definido por nveis. Neste projeto, onde o

microcontrolador opera 10MHz, pode-se obter 8 nveis de luminosidade. Para aumentar o
nmero de nveis necessrio aumentar a capacidade de processamento do

84

microcontrolador. Deve-se atentar tambm para as diferenas entre os nveis, que para
serem reduzidas tambm dependem da capacidade de processamento.

3.7.4 Controle de presena

O controle de presena baseado no princpio de deteco de movimento descrito

no captulo 1. O ambiente a ser controlado monitorado atravs de um sensor
infravermelho passivo. Na condio de presena, a quantidade de radiao infravermelha
recebida pelo sensor perturbada sendo ento gerado um sinal indicando movimentao no
ambiente.
Sendo detectada a presena, esta informao deve ser lida pelo microcontrolador
que, por sua vez, realizar a partida da lmpada ou manter a mesma acesa.
A partida da lmpada consiste em duas etapas; o pr-aquecimento e o
acendimento da lmpada. A etapa de pr-aquecimento realizada aplicando-se uma
freqncia de 36,7kHz no inversor durante 400ms. Aps este perodo, o inversor
permanece sem sinal de comando durante 2ms para que cesse o transitrio gerado aps a
retirada da freqncia de pr-aquecimento. Para que se garanta o acendimento da lmpada
logo aps o perodo de pr-aquecimento, aplicada uma freqncia de 29,7KHz no
inversor durante 2s. Somente aps este perodo, que o controle de luminosidade pode
atuar.
O algoritmo de funcionamento deve garantir a melhor interao entre o controle
de presena e o de luminosidade. Deve garantir, por exemplo, que no sejam efetuados
processamentos desnecessrios como o caso da aquisio de dados para o controle de
luminosidade enquanto a lmpada no est acesa. A Fig. 3.18 mostra o fluxograma de
funcionamento do algoritmo implementado no controle.
Uma outra funo implementada no microcontrolador o circuito de proteo que
impede que a tenso atinja valores muito elevados em caso de falha das lmpadas. A Fig.
3.19 mostra o esquema simplificado de ligao entre o microcontrolador, o inversor e os
sensores de presena e de luminosidade.

85

Inicializao do Sistema

Decremento do Tempo de
Manuteno Ativa da Sada

NO

SIM

Tempo
Esgotado?

Apagar Lmpada
Adquirir Dados para
Verificao de Presena

H
Presena?

NO

SIM

Reiniciar Tempo de
Manuteno da Sada

NO

Lmpada
Acesa?

SIM

SIM

Lmpada
Acesa?

NO

Inicializar Lmpada
Adquirir Dados para
Controle de Luminosidade

Ajustar Freqncia de Sada

Fig. 3.18 - Fluxograma de funcionamento do algoritmo implementado no controle.

86
+400V
+15V
Lr2a

Tr1

R14

Lr1a
T3

5
2

Cp1

C13

Cs1

Xtal

3
IC3
7 84

C14

T2
T4

Cp2
Cs2

R15

+5V
+5V

Presena

Terra

Luminosidade
scr1

R18

diac1

R19

R20

D17

Lr1b

C17

R22

Proteo

R21

D18

Lr2b

Fig. 3.19 Circuito de controle/comando e proteo.

3.7.5 Proteo do circuito ressonante

A Fig. 3.20 apresenta o circuito de proteo do inversor ressonante.

5
2

C13

Xtal

3
IC3
7 84

C14
scr1

R15

R18
R22

+5V

diac1

R20

R19

D17

Lr1b

C17
Proteo

R21

D18

Lr2b

Fig. 3.20 Circuito de proteo do inversor.

A proteo aqui concebida funciona atravs da deteco da mudana do nvel da

porta de entrada do microcontrolador (pino 4 da Fig. 3.20). Em funcionamento normal o
scr1 encontra-se bloqueado, fazendo com que no circule corrente atravs de R15. Em
conseqncia disto aparecer uma tenso de +5V no pino 4 do IC3 (microcontrolador), que
interpretado como sendo nvel lgico 1 (nvel alto). Enquanto houver nvel alto nesta
porta o microcontrolador continuar habilitado a gerar sinal de comando para o inversor,
dependendo apenas do controle de presena e de luminosidade.

87
Os indutores ressonantes Lr1a e Lr2a possuem um enrolamento auxiliar, como
mostra a tabela a seguir.
Tabela 3.2 Indutores ressonantes com seus respectivos enrolamentos auxiliares.
Indutor ressonante
Lr1a
Lr2a

Enrolamento
auxiliar
Lr1b
Lr2b

A tenso induzida em cada enrolamento auxiliar retificada e filtrada, fazendo

com que aparea uma tenso contnua sobre o capacitor C17. Quando esta tenso atingir o
valor de disparo do diac1 (33V) o scr1 ser disparado causando a mudana do nvel lgico
da porta de entrada do microcontrolador. Esta mudana de nvel lgico gera uma
interrupo no microcontrolador, fazendo com que o sinal de comando do inversor seja
suprimido e o programa desviado para o incio. Como o scr1 continuar em conduo
enquanto houver corrente circulando atravs dele, o programa no permite que haja nova
ignio das lmpadas. Para que possa haver nova ignio das lmpadas necessrio que a
corrente no scr1 cesse. Isto pode ser implementado da seguinte forma:

Adicionando-se um reset ao circuito, atravs de uma chave push-button

normalmente aberta em paralelo com o anodo e o catodo do scr1;
Desligando o reator e religando-o em seguida.
Pode-se tambm alterar o programa do microcontrolador de maneira que se
permita um nmero definido de religamentos. Isto no alteraria em nada o hardware.
Como os circuitos ressonantes de cada lmpada so independentes, a retirada de
uma das lmpadas no interfere no funcionamento da outra. Retirando-se as duas lmpadas
o inversor apresentar funcionamento vazio, pois o filamento das lmpadas encontra-se
em srie com o circuito ressonante. Isto permite a troca das lmpadas com o reator
energizado.
Quanto ao dimensionamento dos componentes do circuito de proteo, cabem
algumas consideraes:
O nmero de espiras do enrolamento auxiliar de cada indutor ressonante
obtido atravs da relao de transformao. Obtm-se, atravs de simulao, o valor da
tenso sobre o indutor ressonante durante o transitrio de partida. Estipula-se ento uma
tenso mxima para o enrolamento auxiliar superior tenso de disparo do diac1. De posse

88
destes valores calcula-se a relao de transformao, para ento determinar o nmero de
espiras do enrolamento auxiliar;
Os diodos retificadores devem ser rpidos, pois a freqncia da tenso a ser
retificada elevada. A tenso reversa sobre estes diodos a mxima tenso do enrolamento
auxiliar e sua corrente mxima definida pelo resistor ligado em srie;
A definio do tempo em que a proteo atuar definida pela constante de
tempo RC (C17, R20, R21). A presena de R19 deve-se necessidade de descarregar o
capacitor C17 quando o reator for desligado;
O diac1 foi selecionado em funo da disponibilidade no laboratrio;
Os resistores R18 e R22 formam um divisor resistivo que limita a tenso a ser
aplicada ao gatilho do scr1.

3.8 Resultados de simulao

Sero apresentados nesta etapa os resultados obtidos a partir da simulao, mais
precisamente, as principais grandezas que determinam o funcionamento da estrutura em
questo.
A Fig.3.21 mostra o comportamento da corrente em Lr durante o transitrio de
partida.
3.0A
2.0A

0A

-2.0A

-3.0A
0s

1.0ms

2.0ms

3.0ms

4.0ms

5.0ms

I(Lr)
Tempo

Fig.3.21 Corrente no indutor ressonante durante o transitrio de partida.

Na Fig.3.22 apresentado o detalhe da corrente em Lr aps a ignio da lmpada.

89
800mA

500mA

0A

-500mA

-800mA
3.40ms
I(Lr)

3.44ms

3.48ms

3.52ms

3.56ms

3.60ms

Tempo

Fig. 3.22 Detalhe da corrente em Lr aps a partida da lmpada.

Na Fig. 3.23 mostrada a tenso sobre a lmpada durante o transitrio de partida e

na Fig. 3.24 apresentada a condio nominal de operao.
800V

500V

0V

-500V

-800V
0s

1.0ms

2.0ms

3.0ms

4.0ms

5.0ms

V(Cp)
Tempo

Fig. 3.23 Tenso sobre a lmpada durante o transitrio de partida.

170

100

-100

-170
3.40ms
V(Lmpada)

3.44ms

3.48ms
I(Lmpada)*200

3.52ms

3.56ms

3.60ms

Tempo

Fig. 3.24 Tenso e corrente na lmpada na condio nominal de operao.

90

400

-363
3.495ms

3.500ms

I(T1)*200

3.505ms
Vds(T1)

3.510ms

3.515ms

3.520ms

Tempo

Fig. 3.25 Tenso e corrente no interruptor T1.

3.8 Concluso
Neste captulo foi apresentada a estrutura a ser implementada para o acionamento
de duas lmpadas fluorescentes de 40W. Foram discutidas as etapas de operao e o
princpio de funcionamento.
O circuito ressonante foi analisado e uma metodologia de projeto foi apresentada.
Procedeu-se a anlise para o regime transitrio e para o regime permanente. Os esforos de
tenso e de corrente nos interruptores comandados tambm foram abordados.
Foram apresentados e discutidos os circuitos de controle/comando e proteo do
circuito ressonante.
Como resultado de simulao foram mostradas as formas de onda de maior
relevncia. Comparando os resultados obtidos analiticamente com os obtidos atravs da
simulao observa-se que no existe diferena significativa. Atravs do exposto valida-se a
metodologia empregada.

91

Captulo 4
Fontes de Alimentao Auxiliares

4.1 Introduo
Este captulo apresenta algumas alternativas de fontes auxiliares para a estrutura
proposta.
A necessidade de fontes auxiliares para a alimentao dos circuitos integrados
tem-se mostrado a principal desvantagem no emprego do comando por freqncia imposta
em reatores eletrnicos. Esta estrutura incorpora, como citado anteriormente, controle
automtico de luminosidade, deteco de presena e seu comando por freqncia
imposta. Para prover a alimentao destes circuitos necessrio a incorporao de uma
fonte auxiliar.
Muitos fatores devem ser observados para que seja feita a melhor escolha
possvel. Entres eles:

Custo;

Volume;

Robustez;

Influncia no rendimento;

Influncia na correo do fator de potncia.

Sero apresentadas algumas propostas e apontadas suas vantagens e desvantagens.

4.2 Circuitos que necessitam de fonte de alimentao

Devido ao uso de circuitos integrados para o controle do conversor boost e do
inversor ressonante, torna-se necessrio uma fonte de alimentao para fornecer as tenses
e os nveis adequados de corrente para o perfeito funcionamento da estrutura. O circuito de
deteco de presena tambm deve ser alimentado a partir do reator proposto.
Na seqncia sero apresentados os circuitos que devem ser alimentados com
fontes auxiliares.

92

4.2.1 Circuito de deteco de presena

A Fig. 4.1 mostra o circuito de deteco de presena.

+
T1

C2

R2

U1a

V1

(3 a 15V)

C1

R1

V-

V+
U1b V-

C3
-

C5

V+

R4

R3

Sada

R7
R6

R8

R5

R9
C4
C6

Fig. 4.1 Circuito de deteco de presena.

Este circuito amplifica sinais de pequena magnitude, e por isso opera com elevado
ganho em cada estgio de amplificao. A sua fonte de alimentao V1 deve portanto
fornecer uma tenso estvel com um mnimo de ondulao. Para evitar o uso de uma fonte
simtrica para este circuito optou-se por criar um terra virtual, atravs da rede resistiva R1
e R2. As principais fontes de consumo deste circuito so: o amplificador operacional e o
divisor resistivo formado por R1 e R2. Para otimizar o consumo do amplificador
operacional, fez-se uma pesquisa entre os principais modelos disponveis, adotando-se o
modelo que possusse o menor consumo. Foi escolhido o CI LM324. Para reduzir o
consumo do divisor resistivo optou-se entre o melhor compromisso entre baixa corrente e
melhor imunidade ao rudo. Quanto menor for a corrente que circula atravs de R1 e de R2
maior ser a susceptibilidade ao rudo, o que pode causar deteces errneas.

4.2.2 Circuito de comando/controle do conversor boost

D5

Lba
D1
F1

D3

Lf

+V

R3

R1

14 a 20V
Vac

Cf

C3

R4
8

Cin

5
IC1
6

R5

1
4

T1

D4

R2

C2

R10

R6

C1
D2

R9

Lbb

C4

R7

Fig. 4.2 Circuito de comando/controle do conversor boost.

R8

R11

C5

Req

93

Este circuito necessita de uma tenso de alimentao superior a 14V para seu
perfeito funcionamento. Abaixo desta tenso os pulsos de comando do interruptor so
desligados. O circuito integrado empregado neste conversor traz consigo a caracterstica de
gerar pulsos de pequena largura durante a partida. Atravs do resistor R3 conectado entre o
retificador de entrada e o pino de alimentao do CI, consegue-se fornecer a energia
necessria para o circuito integrado gerar estes pulsos. Desta forma faz-se com que circule
corrente atravs do indutor boost. A recomendao do fabricante deste CI [19] que se
utilize esta caracterstica para gerar uma fonte de alimentao a partir de um enrolamento
auxiliar do indutor boost. Esta proposta ser apresentada na seqncia deste captulo.

4.2.3 Circuito de comando/controle do inversor ressonante

+400V
+15V

+5V

Lr2a

Tr1

R14

Lr1a
T3

5
2

Cp1

C13

Cs1

Xtal

3
IC3
7 84

C14

T2
T4

R15

+5V

Cp2
Cs2

scr1

Fig. 4.3 Circuito de comando/controle do inversor ressonante.

Neste circuito so necessrias duas tenses distintas. A tenso de +5V indicada na

Fig. 4.3 tem a finalidade de alimentar o microcontrolador, o circuito de deteco de
presena e o sensor de luminosidade. Deve portanto, ter boa imunidade ao rudo e razovel
regulao (4,5 a 5,5V).
A tenso de +15V que alimenta o circuito de comando dos interruptores atravs
do transformador de pulso, pode ter valores compreendidos entre +12 a +17V.
Empregando-se um transformador de pulso com relao de transformao de 1:1, garantese que os transistores no iro operar na regio linear e no ser ultrapassada a mxima
tenso Vgs (tenso gate- source) permitida.

94

4.2.4 Propostas de fontes auxiliares

Para melhor compreenso da situao de operao da estrutura em questo, tornase importante considerar que todas as fontes de alimentao devero ser mantidas mesmo
quando as lmpadas forem desligadas pelo sensor de presena. Para apagar as lmpadas os
pulsos de comando provenientes do microcontrolador so retirados, cessando a operao
do inversor ressonante. Isto causa funcionamento vazio do conversor boost, que atravs
do circuito de proteo sobretenso, ser desligado (Ver captulo 2).

a) A referncia [19] propem a seguinte fonte auxiliar:

D5

Lba
Rlim

F1

Vac

D1

Lf

R9

D3

Cf

R3

R1

C3

R4

Dret
8

Cin

IC1
6

D4

R2

Dz1

C2

R5

7
4

C1
D2

Lbb

T1

R10

C5

Req

R6

C4

R7

R8

R11

+15V

Fig. 4.4 Fonte a partir de enrolamento auxiliar no indutor boost.

O funcionamento desta

fonte baseado na tenso induzida no enrolamento

auxiliar do indutor boost. A tenso induzida no enrolamento auxiliar do indutor boost

aplicada um retificador de meia-onda com filtro capacitivo. A presena do diodo zener
faz com que se tenha tenso estabilizada. O resistor conectado em srie com o diodo
retificador impede que surtos de corrente possam danificar o diodo zener.
Esta soluo de baixo custo e se adapta perfeitamente ao conversor boost
operando com tenso de entrada constante. Para grandes faixas de variao da tenso de
entrada esta no uma soluo bem adaptada. Sabe-se das etapas de operao do
conversor boost, que a tenso sobre o indutor boost :
VLb = Vin Vo

(4.1)

VLb = Vin

(4.2)

A tenso VLb est diretamente relacionada com a tenso de entrada e a estrutura

aqui proposta opera em uma larga faixa de tenso de entrada. A tenso induzida no
enrolamento auxiliar sofrer variao na proporo direta da variao sobre o indutor

95

boost. A soluo seria ento compensar esta grande variao da tenso aumentando-se o
nmero de espiras. Isto resolveria para a situao onde a tenso de entrada fosse mxima
(mnima tenso no indutor boost), mas ocasionaria um nvel muito elevado de tenso para
a mnima tenso de entrada do conversor boost. Este tipo de fonte apresenta seu problema
mais grave quando o conversor boost opera vazio. Nesta situao no circula corrente no
indutor boost e consequentemente a tenso da fonte no se mantm. A fonte de
alimentao obtida a partir do enrolamento auxiliar do indutor boost no capaz de gerar
energia suficiente para acionar os interruptores do inversor ressonante durante o transitrio
de partida. Por este motivo no poderia ser empregada nesta estrutura como sendo a nica
fonte de alimentao auxiliar.

b) Outra soluo amplamente empregada para fontes auxiliares apresentada na

Fig. 4.5.
D5

Lba
Rlim
F1

Lf1

Vac

D1

Cf

Dz1

Dret

D4

C1
R2

C3

R4
8
3

Cin

Rz1 D2

R9

R1

D3

C2
Dz2

2
IC1
6

1
4

C4

Lbb
R5
7

T1

R10

C5

R6
R7

R8

R11

R12

C6
T2

D6

Fig. 4.5 Fonte auxiliar utilizando transistor como regulador srie.

Esta fonte de alimentao utilizando um transistor com regulador srie aparece na

bibliografia como sendo uma boa soluo para estruturas que possibilitem a autoalimentao depois da partida. Ela resolve o problema da partida, que aparece na estrutura
anterior. Alm disto, garante a alimentao dos circuitos quando o pr-regulador for
desligado por falta de solicitao de energia do inversor. Apresenta-se bem adaptada
quando empregada com outra fonte que possa fornecer a energia necessria aps a partida.
importante notar que a tenso sobre o transistor elevada e a energia dissipada
sobre o conjunto transistor-R12 pode ter valores elevados.
A partir de medies feitas em laboratrio obteve-se um valor de corrente em
torno de 80mA para a fonte auxiliar. De posse desta informao e arbitrando-se a tenso da

96

fonte auxiliar como sendo 15V, pode-se determinar a potncia dissipada no conjunto
transistor-R12.
P = Vmd I md

(4.3)

Para uma faixa de tenso de entrada variando de 90VRMS 260VRMS, pode-se

determinar a potncia dissipada para a pior situao:
Vmd = (260 2 0,636) 15

(4.4)

Vmd = 218,8 [V]

(4.5)

Substituindo os valores em (4.3), tem-se:

P = 218,8 0,08

(4.6)

P = 17,5 [W]

(4.7)

A potncia dissipada bastante elevada e prejudicaria muito o rendimento do

sistema.
Para solucionar o problema da elevada potncia dissipada pode-se recorrer ao uso
de duas fontes, como mostra a Fig. 4.5. A fonte constituda pelo regulador srie fornece
energia para a partida e em seguida a fonte a partir do enrolamento auxiliar comea a suprir
o circuito, desligando o regulador srie atravs do bloqueio de D6. Este arranjo envolvendo
duas fontes ainda apresenta problemas. Quando as lmpadas so desligadas pelo sensor de
presena ou quando submetidas potncia reduzida (sensor de luminosidade), a fonte
proveniente do enrolamento auxiliar do indutor boost no mantm a tenso da fonte. Neste
instante o diodo D12, at ento bloqueado, entra em conduo fazendo com que o
regulador srie fornea a tenso da fonte, ressurgindo assim o problema das excessivas
perdas.
Outra considerao pertinente utilizao desta fonte a elevada tenso que o
transistor deve suportar, prximo 400V, o que elevaria o custo final do reator.

c) O circuito apresentado a seguir uma variao do circuito (a) aqui apresentado.

Novamente empregado um enrolamento auxiliar no indutor boost para gerar a fonte de
alimentao. Pode ser observado que isto implica em um terceiro enrolamento no indutor
boost.

97

D5

Lba

R9
D1

Lf

F1
Vac

D3

R1

C3

+15V
R4
8

Cin

Cf

2
IC1
6

Lbb
R5

1
4

T1

R10

C5

R6

Dz1
D2

R2 C1

D6

C6
C7

C2

D4

Lbc

C4

R8

R7

R11

C8
D7

Rz1

Fig. 4.6 Estrutura com fonte de alimentao a partir do enrolamento auxiliar do

indutor boost.

Comparando esta estrutura com a apresentada em (a), nota-se que neste caso a
tenso proveniente do enrolamento auxiliar do indutor boost aplicada um retificador de
onda completa. A influncia da variao da tenso de entrada sobre a tenso de sada deste
enrolamento no ocorre nesta configurao[34].
Desta forma obtm-se uma fonte de tenso de sada constante para toda a faixa de
variao da tenso de entrada. Isto resolve parte dos problemas citados na configurao (a),
entretanto, no soluciona o problema da partida e da operao vazio do conversor boost.
Experimentos efetuados em laboratrio apresentaram bons resultados no que se
refere estabilidade da tenso de sada desta fonte. Isto possibilita uma otimizao de
perdas no resistor Rz1.
Os diodos retificadores empregados nesta estrutura devem ser rpidos. A
especificao dos capacitores pode ser obtida em [34]. A tenso reversa nos diodos e a
tenso nos capacitores dependem da tenso de sada do enrolamento auxiliar.

98

d) Outra topologia encontrada na literatura como alternativa de baixo custo para

fontes de alimentao apresentada na Fig. 4.7.
D5

Lba
D1

Lf

F1
Vac

D3

C11

R4
8
3

Cf

C10

R9

R1

D2
D4

C1 Dz1 R2

C2

2
IC1
6

C3

Lbb
R5

1
4

T1

R10

C5

R6

C4

R7

R8

R11

D10 D8

D11

D9

C9

Rz1

Fig. 4.7 Estrutura empregando capacitores.

O emprego de capacitores para prover a adaptao ao nvel de tenso desejado,

uma opo de baixo custo e muito robusta. Quando a capacidade de corrente requerida pela
fonte auxiliar no for muito elevada (at 100mA) esta uma estrutura bem adaptada.
O princpio de funcionamento baseado na queda de tenso sobre a reatncia
capacitiva, formada por C9 e C10.
Como desvantagem pode-se citar a degradao do fator de potncia e a pssima
regulao mediante variao de carga.

4.3 Configurao adotada para fonte de alimentao auxiliar

Analisando as estruturas propostas, nenhuma atende todos os requisitos
necessrios. A estrutura que melhor se adapta a que emprega capacitores, pois de baixo
custo e no penaliza o rendimento. Para o dimensionamento dos capacitores dever ser
considerada a corrente e a tenso de sada da fonte auxiliar.

99

Rz1

D10

D8
Vac
C9
C10

D11

C1

Dz1

C11
D9

Fig. 4.8 Diagrama da Fonte auxiliar empregando capacitores.

Para simplificar a anlise pode-se representar o circuito da seguinte forma:

Vac

Carga

Fig. 4.9 Representao simplificada do circuito da Fig. 4.8.

Onde:

Vac - a tenso de alimentao do reator onde esta estrutura est inserida e

compreende uma faixa de tenso de 90V 260V;

Z - a impedncia formada pela associao srie dos capacitores C10 e C11;

Carga a entrada do retificador de onda completa

possvel estimar a capacidade de corrente que a fonte pode fornecer em funo

da tenso de entrada e da capacitncia equivalente (C10 e C11). Para isso assume-se que a
tenso de entrada Vac muito maior que a tenso de sada, podendo-se desta forma
desprezar a tenso de sada. O valor da corrente eficaz pode ento ser determinado:
I RMS =

Vac
Z

(4.8)

Onde:
Z=

1
2 f C eq

(4.9)

Assumido que f a freqncia da rede, Vac igual 90V e substituindo os

valores na equao (4.8):
I RMS = 90 (2 60 C eq )

(4.10)

100

I RMS = 34 [mA/F]

(4.10)

Para uma tenso de entrada de 260V :

I RMS = 260 (2 60 C eq )

(4.11)

I RMS = 98 [mA/F]

(4.12)

Pode-se notar que a capacitncia equivalente necessria para prover uma corrente
de 100mA 90Vca de tenso na entrada ficar em torno de 3F. Como os capacitores C10
e C11 esto associados em srie, seria necessrio que cada capacitor tivesse um valor de
6F. Isto inviabiliza seu emprego pois, segundo contato mantido com o fabricante
(EPCOS), o capacitor com maior valor comercial para esta aplicao de 3,3F. Por outro
lado, a associao de capacitores em paralelo para atingir o valor requerido teria volume
excessivo.
A soluo encontrada foi a utilizao de duas fontes auxiliares, como mostra a
Fig. 4.10.
D5

Lba
D1
Lf

F1
Vac

D3

R3

R1

R4
8 5

Cf

3
D2

D4

C1 Dz1 R2

2
IC1
6

C2

C3
1
4

R9

Lbb
R5
7

T1

R10

C5

R6

C4

R7

R8

R11

C11
C10
R12
D10

D12
R13
D6

D8

C6

C9
C8
D11

D9

D7

Lbc
C7

Fig. 4.10 Circuito para obteno da fonte de +15V.

A Fig. 4.10 apresenta o diagrama esquemtico mostrando as fontes de

alimentao empregadas.
Para que o circuito integrado L6560 opere, necessrio que seja alimentado com
uma tenso superior 14V. Quando o circuito energizado o capacitor C1 carregado
atravs de R3, quando a tenso atinge 14V o circuito integrado gera pulsos estreitos
fazendo com que circule corrente no indutor boost.
A Fig. 4.11 mostra o circuito completo do reator proposto.

101

D5

Lba
D1
F1

D3

C3

R4

Cin
Vac

R9

R3

R1

Lf

Cf

2
IC1
6

1
4

Lbb
R5
7

T1

C1
C10
R11
D6

C6

D2

D8

D10

D9

D11

D4

C2
Dz1

C4

R2

C5

R8

R7

R11

C9

C8

Lbc
C7

C11

R12

R10

R6

D7

D12

Cs2
C12

D15

Tr1

R14

T3

Cs1

C18
IC2
IN OUT

C15
1
6

GND

5
2

3
IC3
784

C13

R16

Xtal

D16

T2

R17

T4

C16

Dz4

Cp2

Lr2b

Dz5

+5V
Presena
Luminosidade

Cp1
Lr1a

Dz3

C14

R15

+5V

Dz2

Terra
R18

scr1

diac1

R20

D17

R21

D18

R19

Lr1b

C17

Dz6

Proteo

Lr2b

Fig. 4.11 Esquema completo do reator proposto.

O microcontrolador (IC3), circuito de deteco de presena e o sensor de

luminosidade so alimentados a partir do regulador linear 78L05 (IC2). Este regulador foi
empregado como forma de reduzir o consumo, que se mostrava elevado utilizando diodo
zener. A imunidade ao rudo e a excelente regulao colaboraram para a sua escolha.
Para que o microcontrolador opere sem problemas fundamental que sua tenso
de alimentao mantenha-se estabilizada. Quando o circuito energizado com uma tenso
de 90Vac, a tenso da fonte auxiliar atinge um patamar de 10V permitindo que o regulador
possa fornecer a tenso regulada de 5V ao microcontrolador. Este por sua vez gera o sinal
de comando ao transistor T2 que, atravs do transformador de pulso acionar os
interruptores do inversor ressonante.
Com a operao do inversor o conversor boost no estar mais vazio, desta
forma a fonte a partir do enrolamento auxiliar se estabilizar.
Quando houver atuao do detector de presena, o sinal de comando do inversor
ser desativado, fazendo com que novamente o conversor boost opere vazio. Como a

102

maior parcela de consumo da fonte auxiliar se deve ao acionamento dos interruptores do

inversor a fonte auxiliar se manter estvel.
Experimentos realizados em laboratrio mostraram que para tenses de entrada
superiores a 140V a fonte auxiliar empregando capacitores mantm-se estvel.
O problema da degradao do fator de potncia, gerado pelos capacitores da fonte
auxiliar, pode ser resolvido substituindo-se os capacitores por um transformador abaixador
de baixa freqncia. Este transformador deve ser do tipo ncleo saturado pois ter que
operar em toda faixa da tenso de entrada sem necessitar de ajustes. Testes feitos em
laboratrio mostraram que esta uma alternativa razovel, pois o volume do transformador
pouco superior ao volume dos capacitores e tem a vantagem de no deteriorar o fator de
potncia. O emprego do transformador permite a utilizao de uma fonte nica, como
mostra a Fig. 4.12.
D5

Lba
D1

D3

C3

R4

Cin
Vac

R9

R3

R1

Lf

F1

8
3

Cf

2
IC1
6

1
4

Lbb
R5
7

T1

Tr2

R12

D8

D10

D9

D11

D2

D4

C2
Dz1

C4

R2

R8

R7

C9
D12

Cs2
C12

D15

Tr1

R14

T3

Cs1

C18

C15
1

IC2
IN OUT
GND

5
2

C13

Xtal

3
IC3
784

C14

R16

D16

R17

T4

Dz4

Cp2

Lr2b

Dz5

+5V

Presena
Luminosidade

Cp1
Lr1a

C16
R15

+5V

Dz2
Dz3

T2

Terra
R18

scr1
Dz6

diac1

R19

Lr1b

R20

D17

R21

D18

C17
Proteo

R10

R6

C1

Lr2b

Fig. 4.12 Circuito empregando fonte auxiliar com transformador.

R11

C5

103

4.4 Concluso
Neste captulo foram apresentadas algumas estruturas de fontes de alimentao
auxiliares. Foram abordadas suas principais vantagens e desvantagens para o reator
eletrnico proposto neste trabalho.
De maneira geral, o uso de circuitos que requeiram fontes de alimentao auxiliar
sempre que possvel so evitados. Isto se deve principalmente ao aumento do custo e do
volume da estrutura.
Pode-se afirmar que no existe uma soluo ideal que possa ser empregada como
alternativa de fonte auxiliar. Cada topologia apresenta suas necessidades de tenso,
corrente, custo e conformidade com as normas.
Para a soluo adotada nesta estrutura foram considerados fatores como: robustez,
custo, influncia no rendimento, disponibilidade de material.

104

Captulo 5
Resultados Experimentais

5.1 Introduo
Este captulo apresenta os resultados obtidos em laboratrio para um prottipo
com as especificaes utilizadas nos exemplos de projeto (estgio de entrada e inversor
ressonante). Como estas especificaes tambm foram adotadas nas simulaes, torna-se
possvel comprovar a metodologia empregada e discutir as possveis diferenas.
As formas de onda que sero apresentadas sero todas referenciadas aos pontos de
onde foram obtidas. Para isto ser apresentado tambm neste captulo um diagrama
esquemtico completo do circuito implementado em laboratrio.

5.2 Diagrama esquemtico

Para maior clareza na interpretao dos resultados experimentais obtidos, a figura
a seguir mostra o esquema eltrico completo do circuito implementado.
Na tabela 5.1 so listados todos os componentes com sua especificao e
referncia no circuito.

105

D5

Lba

D1

Lf

F1
Vac

D3

R4

Cin

Cf

R5

2
IC1
6

T1

C6

D6

Lbc
C7

R13

R12

C11

D2

D8

D10

D9

D11

D4

C2

Dz1

R8

R7

C4

R2

R10

C5

R6

C1
C10

R9

C3 Lbb

R3

R1

R11

C9

C8
D7

D12
+15V
C12

Cs2

+5V

IC2
OUT
IN
GND

R14
C13

1 5
2
6
3
IC3
78 4

C18

Fonte auxiliar

D13

Tr1

Cs1

T3

Xtal

C15
R16

Cp1
Lr1a

Dz2

C14
Dz3
R15

D14

T2
+5V

R17

T4

Cp2
C16

Dz4

Lr2b

Dz5
scr1

LDR

R18
R22

C19

C21

D15

R21

D16

Lr1b

Lr2b

C24

C22

R25

R20

Proteo

J2
R23

R19

C17

Dz6

Sensor de luminosidade

C20

diac1

IC4/a
IC4/b

R26
R28

R24
R27

R29
R31

C23
R30

C25

Deteco de presena

Fig. 5.1 Circuito completo do reator eletrnico proposto.

Tabela 5.1 Relao dos componentes do circuito com a respectiva referncia.

Componente
Fusvel
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo

Referncia
F1
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13

Especificao
3A/pequeno
1N5404
1N5404
1N5404
1N5404
MUR460
1N4936
1N4936
1N4007
1N4007
1N4007
1N4007
1N4007
1N4936

106

Componente
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Transistor
Transistor
Transistor
Transistor
Circuito integrado
Circuito integrado
Circuito integrado
Circuito integrado
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Capacitor
Cristal

Referncia
D14
D15
D16
Dz1
Dz2
Dz3
Dz4
Dz5
Dz6
T1
T2
T3
T4
IC1
IC2
IC3
IC4
Cp1
Cp2
Cs1
Cs2
Cf
Cin
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
C17
C18
C19
C20
C21
C22
C23
C24
C25
Xtal

Especificao
1N4936
1N4936
1N4936
1N4744 15V/1W
1N4744 15V/1W
1N4744 15V/1W
1N4744 15V/1W
1N4744 15V/1W
BZX79C5,15,1V/500mW
IRF 840
BC550
IRF 840
IRF 840
L6560
LM78L05
PIC12C671
LM324
15nF/1600V
15nF/1600V
180nF/400V
180nF/400V
390nF/400V X2
220nF/400V X2
10F/25V
10nF/50V
1F/50V-polipropileno
1nF/50V
47F/450V
100nF/250V
100nF/250V
22F/50V
220F/40V
1,5F/250V
1,5F/250V
47F /25V
27pF/50V
27pF/50V
100pF/500V
100pF/500V
47F/50V
22F/16V
330F/10V
2,2F/16V
2,2F/16V
1F/50V-polipropileno
10nF/50V
1F/50V-polipropileno
10nF/50V
10MHz

107

Componente
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
SCR
DIAC
Indutor boost enrolamento
principal

Referncia
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
R11
R12
R13
R14
R15
R16
R17
R18
R19
R20
R21
R22
R23
R24
R25
R26
R27
R28
R29
R30
R31
scr1
Diac1
Lba,

Indutor boost enrolamento

auxiliar
Indutor boost enrolamento
auxiliar
Indutor filtro

Lbb

Especificao
680K/500mW
5,6K/500mW
100K/2W
68K/500mW
10/1W
330/500mW
0,68/1W
0,68/1W
1M/500mW
680/500mW
5,6K/500mW
15/1W
68/1W
1,2K/500mW
2,2K/500mW
47/1W
47/1W
8,2K/500mW
56K/500mW
2,7K/500mW
2,7K/500mW
2,2K/500mW
2,2K/500mW
2,2K/500mW
47K/500mW
3,3M/500mW
6,8K/500mW
680K/500mW
3,3M/500mW
6,8K/500mW
680K/500mW
2N5062
DB3
Ncleo : EE30/14 IP12
1mH - 145 espiras
5 x 29AWG
8 espiras 1 x 29AWG

Lbc

8 espiras 1 x 29AWG

Lf

Indutor ressonante
enrolamento principal

Lr1a =Lr2a

Indutor ressonante
enrolamento auxiliar

Lr1b = Lr2b

Ncleo : EE30/14 IP12

4,5mH - 248 espiras
1 x 23AWG
Ncleo : EE30/07 IP12
3mH - 167 espiras
1 x 25AWG
12 espiras 1 x 25AWG

108

Componente
Transformador de pulso

Referncia
TR1

Conector KRE
Conector KRE
Porta fusvel

10 pinos
2 pinos 2 unidades
pequeno

Especificao
EE-20 IP12
Primrio = secundrio 1 =
secundrio 2 50 espiras 1
x 29AWG
-

5.2 Principais formas de onda

A seguir sero apresentas as formas de onda da tenso e da corrente de entrada
para diversos valores da tenso alternada de alimentao. Isto torna-se necessrio pois a
estrutura proposta multitenso.
As Fig. 5.2 , 5.3, 5.4, 5.5, 5.6 e 5.7 mostram tenso de entrada, corrente de entrada
e tenso no barramento CC para diversas tenses de entrada. Para cada valor de tenso ser
apresentada a anlise harmnica da corrente de entrada.

Corrente

Barramento CC

Tenso

Fig. 5.2 Tenso no barramento, corrente e tenso de entrada 90Vac.

3.1%
2.8%
2.5%
2.2%
1.8%
1.5%
1.2%
0.9%
0.6%
0.3%
0.0%
2

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

Fig. 5.3 Anlise harmnica da corrente de entrada - 90Vac.

109

barramento CC

Fig. 5.4 Tenso no barramento, corrente e tenso de entrada 120Vac.

3.1%
2.8%
2.5%
2.2%
1.9%
1.6%
1.2%
0.9%
0.6%
0.3%
0.0%
2 4 6

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

Fig. 5.5 Anlise harmnica da corrente de entrada - 120Vac.

Barramento CC

Tenso

Corrente

Fig. 5.6 Tenso no barramento, corrente e tenso de entrada 150Vac.

3.8%
3.4%
3.0%
2.6%
2.3%
1.9%
1.5%
1.1%
0.8%
0.4%
0.0%
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

Fig. 5.7 Anlise harmnica da corrente de entrada - 150Vac.

110

Barramento CC

Tenso

Corrente

Fig. 5.8 Tenso no barramento, corrente e tenso de entrada 180Vac.

7.0%
6.4%
5.8%
5.1%
4.5%
3.8%
3.2%
2.6%
1.9%
1.3%
0.6%
0.0%
2

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

Fig. 5.9 Anlise harmnica da corrente de entrada - 180Vac.

Barramento CC

Tenso

Corrente

Fig. 5.10 Tenso no barramento, corrente e tenso de entrada 220Vac.

9.2%
8.4%
7.5%
6.7%
5.9%
5.0%
4.2%
3.4%
2.5%
1.7%
0.8%
0.0%
2

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

Fig. 5.11 Anlise harmnica da corrente de entrada - 220Vac.

111

Barramento CC

Tenso

Corrente

Fig. 5.12 Tenso no barramento, corrente e tenso de entrada 250Vac.

10.8%
9.8%
8.9%
7.9%
6.9%
5.9%
4.9%
3.9%
3.0%
2.0%
1.0%
0.0%
2

4 6

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

Fig. 5.13 Anlise harmnica da corrente de entrada - 250Vac.

A Fig. 5.14 apresenta a evoluo do fator de potncia conforme a variao da
tenso de entrada.

Fator de Potncia

0,98
0,96
0,94
0,92
0,9
0,88
0,86
75

100

125

150

175

200

225

250

275

Tenso de Entrada [Vac]

Fig. 5.14 Variao do fator de potncia em funo da tenso de entrada.

Verifica-se que o fator de potncia diminui com o aumento da tenso de entrada.

Isto pode ser atribudo, em parte, aos capacitores C10 e C11 que integram a fonte de

112

alimentao auxiliar. Entretanto a tenso no barramento CC mantm-se constante para toda

Rendimento

a faixa de variao da tenso de entrada.

86,5%
86,0%
85,5%
85,0%
84,5%
84,0%
83,5%
83,0%
82,5%
82,0%
75

100

125

150

175

200

225

250

275

Tenso de entrada

Fig. 5.15 Rendimento em funo da tenso de entrada.

A curva de rendimento apresentada na Fig. 5.15 mostra que para a menor tenso
de entrada obtm-se o menor rendimento e a medida que a tenso de entrada cresce o
rendimento tambm aumenta. Cabe salientar que o rendimento desta estrutura em parte
degradado pela presena dos circuitos auxiliares, tais como: circuito de deteco de
presena, sensor de luminosidade, circuitos de controle/comando do inversor e do
conversor boost.
A figura a seguir apresenta a corrente no indutor boost.

Fig. 5.16 Corrente no indutor boost para uma tenso de entrada de 90Vac.

113

interessante que se observe que o valor da corrente mxima obtido em

laboratrio muito prximo do valor obtido por simulao (Fig. 2.24). A Fig. 5.17 mostra
o detalhe da corrente no indutor boost, onde se pode verificar o modo de conduo crtico.

Fig. 5.17 Detalhe da corrente no indutor boost.

Na Fig. 5.18 apresentada a forma de onda da tenso e da corrente na lmpada.

Corrente

Tenso

Fig. 5.18 Tenso e corrente na lmpada.

Observa-se o formato praticamente senoidal da corrente que circula atravs da
lmpada, o que implica em baixa distoro harmnica.

114

Fig. 5.19 Ondulao da corrente na lmpada.

Pela Fig. 5.19 possvel determinar o fator de crista na lmpada, que de 1,325.
A Fig. 5.20 apresenta a tenso e a corrente no interruptor T4. Podese fazer um
comparativo entre os valores de corrente previstos no projeto (Equao 3.58 e 3.59), na
simulao (Fig. 3.25) e os conseguidos experimentalmente. Nota-se apenas pequenas
diferenas que so facilmente explicveis pelas idealidades adotadas no projeto e na
simulao.

tenso
Corrente

Fig. 5.20 Tenso e corrente no interruptor T4.

A Fig. 5.21 evidencia o bloqueio do interruptor T4.

115

Tenso
Corrente

Fig. 5.21 Detalhe do bloqueio do interruptor T4.

Os sinais de comando do inversor ressonante podem ser observados na Fig. 5.22.
Atentar ao detalhe da opo de baixo custo empregada, utilizando transformador de pulso.

Comando T3

Comando T4

Fig. 5.22 Sinais de comando dos interruptores do inversor ressonante.

Comando T4

Comando T3

Fig. 5.23 Detalhe do cruzamento dos sinais de comando dos interruptores do inversor.

116

Na Fig. 5.23 pode ser observado que os sinais de comando dos interruptores do
inversor ressonante possuem seu cruzamento abaixo de zero volts.
O objetivo da integrao do circuito de deteco de presena ao reator proposto
a conservao de energia. Na Fig. 5.24 e 5.25 pode-se observar a corrente, tenso e
potncia de entrada, quando as lmpadas so apagadas pela ao do circuito de deteco de
presena.

Tenso
Corrente

Potncia

Fig. 5.24 Tenso, corrente e potncia de entrada com as lmpadas apagadas 90Vac.

Fig. 5.24 Tenso, corrente e potncia de entrada com as lmpadas apagadas 250Vac.

Observa-se que conforme o aumento da tenso de entrada a potncia aumenta

consideravelmente.

117

5.3 Concluso
Neste captulo foi apresentado o diagrama esquemtico completo e a listagem de
todos os componentes empregados na estrutura.
Foram apresentados e discutidos os resultados experimentais atravs da
apresentao das formas de onda mais significativas. Os resultados obtidos ficaram dentro
das expectativas de projeto, uma vez que no ocorrem diferenas significativas com o
projeto.
Em funo do resultados obtidos valida-se a metodologia empregada, e mostra-se
que a estrutura proposta uma boa alternativa para sistemas de iluminao. Conseguiu-se
tambm conceber uma estrutura de fcil reprodutibilidade e custo razovel.

118

Concluso Geral
Este trabalho constitui-se pelo estudo terico e experimental de um reator
eletrnico para duas lmpadas fluorescentes de 40W, com controle de intensidade
luminosa e deteco de presena. O estgio de entrada, formado por um pr-regulador
boost operando no modo de conduo crtica, prov um elevado fator de potncia
estrutura.
Este modo de conduo pde ser adotado em virtude da baixa potncia da
estrutura e tambm pelo custo reduzido do seu circuito de comando, se comparado ao
modo de conduo contnuo. O problema em se empregar este modo de conduo o
volume do filtro de entrada. Para a estrutura proposta o indutor do filtro projetado no pde
ser implementado, pois seu peso e volume no eram compatveis com a proposta de
reduo de peso, volume e custo. Optou-se ento pela confeco de um indutor
considerando o tamanho do ncleo, isto contribuiu para o aumento da distoro harmnica
e consequentemente a degradao do fator de potncia. Pode-se dizer que a escolha do
melhor estgio de entrada um compromisso entre: potncia, custo, rendimento e correo
do fator de potncia.
Outra caracterstica necessria para o estgio de entrada a operao em toda a
faixa de carga, tendo inclusive que operar vazio quando as lmpadas so desligadas pela
ao do detector de presena. Os resultados obtidos experimentalmente para o estgio de
entrada ficaram dentro das expectativas, com exceo da distoro harmnica na corrente
de entrada.
Este mesmo estgio permite tambm que a entrada de tenso possa variar desde
90 at 260V sem necessitar de ajustes.
Atravs da reviso bibliogrfica foi possvel definir a melhor estrutura a ser
utilizada tanto para o estgio de entrada, como para o circuito de acionamento das
lmpadas.
Para realizar o controle da intensidade luminosa fez-se um minucioso estudo
sobre os sensores disponveis, analisando caractersticas como custo, robustez, linearidade,
etc. Devido seu baixo custo e grande robustez foi adotado o LDR como sensor de
intensidade luminosa.

119

Para implementar a deteco de presena foi realizado um estudo sobre as

tcnicas mais difundidas para este fim. A partir desse estudo optou-se pelo sensor passivo
de radiao infravermelho, com o respectivo circuito eletrnico necessrio para se obter
um sinal que pudesse indicar ou no a presena.
Para o acionamento das lmpadas foi empregado um inversor meia-ponte
ressonante, comandado por freqncia imposta. Este tipo de comando no habitual em
reatores eletrnicos devido seu elevado custo de implementao. A escolha se justifica
pelo maior valor agregado desta estrutura, possibilidade de controlar a intensidade
luminosa pelo prprio inversor atravs da variao da freqncia e pela boa
reprodutibilidade que este tipo de comando proporciona.
O circuito responsvel pelo controle, comando e proteo do inversor um
microcontrolador. Esta escolha deve-se sua grande flexibilidade pois permite alteraes
no funcionamento sem alteraes de hardware. O custo deste componente tambm est se
tornando cada vez mais competitivo e aliado sua grande capacidade de executar
diferentes funes, mostrou-se uma excelente alternativa.
Como pde ser observado, foram utilizados circuitos integrados nos circuitos de
comando do conversor boost, inversor ressonante e circuito de deteco de presena.
Todos estes circuitos integrados necessitam de uma fonte de alimentao estvel para que
possam funcionar contento. Isto originou o estudo sobre fontes de alimentao auxiliares,
tendo em vista que esta estrutura deve ter o menor custo possvel.
Foram analisadas e experimentadas algumas topologias sugeridas na bibliografia.
Para proceder a escolha foram analisados aspectos como custo, robustez, influncia no
rendimento, volume e influncia no fator de potncia. A topologia escolhida apresentou
bons resultados na maioria dos aspectos supracitados, mas prejudicou a correo do fator
de potncia.
Os resultados experimentais apresentaram-se muito bons, apesar dos problemas
relatados. Confrontando-se os resultados tericos e experimentais, pode-se verificar
pequena diferena entre eles.
Diante do exposto, pode-se afirmar que a estrutura proposta apresentou timos
resultados e certamente contribui para o avano dos projetos de reatores eletrnicos.

ANEXO NICO

Microcontroladores

121

1 Introduo
Neste trabalho ser realizado um estudo sobre as diversas famlias de
microcontroladores. A escolha do microcontrolador mais apropriado para realizar as
operaes desejadas um ponto importante quando deseja-se otimizao de custos. Assim,
o modelo escolhido deve apresentar a mnima quantidade de perifricos e apenas funes
necessrios para o controle desejado.
Atualmente estes componentes esto cada vez mais poderosos e seu custo vem
diminuindo com o avano da tecnologia. Tendo em vista sua grande versatilidade e a
simplicidade do controle necessrio para a realizao das funes desejadas, o
microcontrolador tem se mostrado uma opo cada vez melhor. Outro fator importante a
flexibilidade que proporciona a estrutura, ou seja, o funcionamento pode ser totalmente
modificado apenas alterando-se a programao, enquanto o hardware mantido sem
alteraes.

2 Escolha do microcontrolador
A escolha do microcontrolador mais apropriado para uma determinada aplicao
sem dvida uma tarefa complexa, pois pode determinar o sucesso ou no do projeto.
Existem muitos critrios a serem observados nesta escolha. Neste anexo pretende-se
mostrar os principais itens serem observados para que a escolha de um microcontrolador
seja a mais acertada possvel.
O principal objetivo selecionar o componente que minimize o custo total do
projeto/produto preenchendo as especificaes do sistema. Entenda-se por custo total do
sistema: pesquisa e desenvolvimento, produo, manuteno na garantia, atualizaes,
facilidade de utilizao, servio de campo, etc.

122

2.1 Processo de seleo

Para iniciar o processo de seleo deve-se fazer a seguinte pergunta: o que o
microcontrolador precisa fazer? A resposta a esta questo determina as caractersticas do
microcontrolador e servir de orientao para a escolha.
O segundo passo verificar a disponibilidade de componentes no mercado que
preencham os requisitos estabelecidos anteriormente. Isto normalmente envolve procura
em literatura especfica como : data books (livro de dados), data sheets (folha de dados) e
boletins tcnicos dos fabricantes.
O ltimo passo consiste em se reduzir o nmero de opes, preferencialmente
uma nica, considerando aspectos como: custo, ferramentas de desenvolvimento, suporte
na produo, etc.

2.2 Critrios de seleo

Sero apresentados os principais critrios de seleo em ordem de importncia.
Estes critrios so tcnicos e no abordam particularidades como, por exemplo, questes
polticas. Estas questes em muitos casos auxiliam na escolha, pois restringem o nmero
de opes e podem fazer com que o produto perca competitividade em alguns mercados.
Os principais critrios so:
a) Adequado para a aplicao pode-se perguntar: possvel utilizar um nico
componente ou so necessrios componentes perifricos? Para responder essa questo
deve-se observar:
Nmero adequado de portas I/O (entrada/ sada).
Se possuir nmero inferior ao necessrio no poder executar as tarefas e se o
nmero for superior elevar os custos.
Outros recursos necessrios como canal serial, memria RAM (memria de
escrita e leitura), memria ROM (memria de leitura), conversor A/D (analgico/digital),
etc.

123

Recursos desnecessrios.
Capacidade de processamento adequada.
Disponibilidade do componente no mercado. Se no houver disponibilidade do
componente todos os outros detalhes so irrelevantes, devendo-se procurar outro
componente.
b) Qual a disponibilidade?
Disponibilidade em quantidade suficiente.
Est sendo produzido atualmente.
Tempo que ainda ser produzido.
c) Existe suporte para desenvolvimento?
Assembler (linguagem de programao).
Compiladores.
Ferramentas para detectar e localizar erros.

2.3 Recursos
Por definio, todos os microcontroladores possuem recursos on-chip (dentro do
componente) que conferem elevado nvel de integrao, confiabilidade e baixo custo. Estes
recursos dentro de um nico componente aumentam a confiabilidade porque no h
necessidade de circuitos externos para seu funcionamento.
Os recursos on-chip mais empregados so memrias, timers (temporizadores),
osciladores e portas I/O.
Dentro do grupo de memrias esto as memrias RAM, ROM, EPROM e
EEPROM.
As portas I/O incluem conversores A/D e D/A, portas paralelas e drivers para
mostradores de cristal lquido.
Os timers por sua vez incluem clock em tempo real e temporizadores de
interrupes peridicas.

124

2.4 Atribuies gerais

Geralmente os microcontroladores so classificados em grupos de 8, 16 e 32 bits,

baseados pelo tamanho de seus registradores aritmticos e indexados. Alguns especialistas
argumentam que o nmero de bits determinado pelo tamanho da via de dados.
Uma das questes a serem analisadas quando da escolha de um microcontrolador
se, com uma arquitetura de 8 bits, de menor custo, as necessidades do sistema sero
atendidas. Se for necessrio deve-se optar por arquiteturas de 16 ou 32 bits,
consequentemente de maior custo.
Pode-se tambm simular as feies de um software para 16 ou 32 bits a partir de
uma arquitetura de 8 bits. Neste caso sacrifica-se o tamanho do cdigo fonte e a velocidade
de execuo do programa.
A freqncia de clock determina quanto processamento pode ser executado em
um determinado tempo. Alguns microcontroladores possuem uma faixa limitada de
freqncias de clock, em outros so encontradas faixas amplas de variao. As vezes existe
uma freqncia definida que utilizada como referncia para gerar outras freqncias
utilizadas no sistema.

2.5 Conjunto de instrues

O set (conjunto) de instrues e registradores de cada microcontrolador deve ser
cuidadosamente analisado, pois tem papel fundamental no desempenho do sistema. Nem
sempre um microcontrolador com um set de instrues complexo a melhor soluo, tudo
depender do sistema onde ser aplicado.
Existem entretanto algumas instrues que facilitam a programao em muitas
aplicaes, como por exemplo: multiplicao, diviso, instrues para consumo reduzido
de energia quando em espera ou parado e manipulao de bits.
A real performance (desempenho) do microcontrolador medida pelo nmero de
pulsos de clock em que executa determinada tarefa e no pelo nmero de instrues

125

executadas. Uma forma simples de se testar implementando a mesma rotina em dois

componentes diferentes e verificar o nmero de pulsos de clock que cada um levou para
execut-la.

3 Arquitetura dos microcontroladores

Na maioria dos microprocessadores e em vrios microcontroladores atuais a

estrutura interna baseada na estrutura da mquina de Von Neumann, onde os dados
tratados pela CPU passam por uma via nica (barramento de dados). Desta forma, quando
a CPU est lendo algum dado ou uma instruo, no possvel utilizar-se as vias internas
para outras finalidades. Na Fig. 3.1 mostrado um modelo da mquina de Von Neumann.
Unidade Lgica
e Aritmtica
Unidade de
Controle

Memria
RAM

Memria
Portas I/O

EEPROM

Via de comunicao

Fig. 3.1 Modelo da Mquina de Von Neumann.

A execuo de uma instruo pela CPU segue o seguintes passos:

1. Leitura da instruo a executar: o cdigo da instruo localizada no endereo
contido no contador de programa (PC) copiado para o registrador de instruo (IR);
2. Atualizao do contador de programa (PC): a leitura da instruo no passo 1
permite a CPU determinar o seu tamanho (nmero de bits). Este valor ento somado ao
PC, que passa ento a apontar para a instruo seguinte;
3. Decodificao da instruo: nesta etapa, a CPU determina qual o tipo de
instruo e se so necessrios dados externos para a execuo, como por exemplo a leitura
de uma porta ou de um dado contido na memria;
4. Leitura dos dados: se necessrio, os dados externos so lidos para os
registradores apropriados para a manipulao;

126

5. Execuo da instruo: as aes representadas pela instruo so executadas;

6. Armazenamento dos resultados: os resultados, se houverem, so transferidos
para os seus destinos;
7. Retorno ao passo 1: para que seja lida outra instruo retorna-se ao passo 1.
Com este tipo de concepo o tempo de execuo de uma determinada instruo
fica reduzido pois no possvel por exemplo realizar simultaneamente a leitura da
operao a ser realizada, o dado a ser modificado e o local onde o resultado da operao
ser armazenado.
Nos microcontroladores atuais a arquitetura utilizada conhecida como Harvard.
Nesta arquitetura so previstas vrias vias de comunicao entre CPU e perifricos, como
mostra a Fig. 3.2. Isto possibilita a realizao de vrias operaes simultneas, aumentando
a velocidade e a eficincia deste tipo de microcontrolador, alm de permitir que a memria
de dados e a de programa possuam tamanhos diferentes. Como exemplo pode-se citar o
microcontrolador PIC 16F84, onde os dados so de 8 bits enquanto as instrues so
palavras de 14 bits. Esta diviso do espao de memria permite que, em uma nica palavra
de 14 bits, seja especificado o cdigo da instruo, o local de atuao e o eventual dado ou
operando. Isto diminui o nmero de instrues diferentes contidas neste tipo de
microcontrolador para aproximadamente 35 enquanto alguns modelos tradicionais chegam
a apresentar mais de 100 instrues. Em virtude disto, este tipo de estrutura conhecida
como RISC (Reduced Instruction Set Computer).

Unidade Lgica
e Aritmtica
Unidade de
Controle

barramento de I/O

barramento de memria

Portas I/O

Memria

Memria

RAM

EEPROM

Conversor A/D

Fig. 3.2 Modelo de Mquina com arquitetura Harvard.

A velocidade de operao do relgio do microcontrolador depende diretamente da
freqncia do oscilador utilizado (freqncia de clock). Nos PICs encontrados atualmente

127

no mercado, as freqncias mximas de oscilao variam entre 4MHz e 20MHz.

Independente do modelo a entrada do relgio divida por 4, gerando os nveis chamados
de Q1, Q2, Q3, e Q4. No nvel Q1, a instruo lida para o Instruction Register (IR) e o
PC incrementado. A anlise da instruo feita em Q2. Os dados na memria so lidos
durante Q3 (leitura do operando). Em Q4 a operao realizada e gravada no endereo de
destino.
Cada um destes nveis pode ser analisado como uma unidade responsvel por uma
funo especfica. A cada ciclo de clock, uma nova instruo lida pela CPU e as
instrues em andamento caminham para a unidade seguinte. Neste processo, conhecido
por pipeline, estabelece-se uma situao de regime permanente em que a cada ciclo do
relgio termina a execuo de uma instruo. Numa mquina sem este recurso, cada
instruo levaria quatro ciclos para ser executada. A Fig. 3.3 permite acompanhar esta
seqnciA.
Q1
unidade de
carregamento
da instruo

Q2
unidade de
anlise da
instruo
Q1
Q2

Q4

unidade de
carregamento
de dados

unidade de
execuo
da instruo

Q3
Q4
ciclos 1

Q3

instruo

regime

Fig. 3.3 Funcionamento da Estrutura Pipeline.

4 As famlias PIC
As caractersticas descritas anteriormente, tais como instrues de 14 bits
(tambm existem alguns modelos de 12 e de 16 bits) e tecnologia RISC (arquitetura com
nmero de instrues reduzidas) aplicam-se a todas as famlias de microcontroladores PIC.
Em todos os modelos o Watchdog (rotina de superviso do sistema) encontrado.
As memrias de programa variam desde 512x12 (512 palavras de 12 bits) at
16.384x16 (16K palavras de 16 bits). Alm disto, em alguns modelos mais sofisticados,

128

podem ser encontrados alguns dispositivos bastante teis tais como vrios canais seriais,
sada PWM, timers (temporizadores), comparadores, prescalers (pr-escala), etc.
Na seqncia ser feito um detalhamento das famlias PIC encontradas atualmente
no mercado.
Conforme o tempo necessrio para a execuo de uma nica instruo tem-se a
designao de uma determinada famlia, ou seja a principal caracterstica comum em uma
famlia a velocidade de execuo das instrues.

4.1 PIC 12CXXX

Nesta famlia, com 11 modelos diferentes, para a execuo de uma instruo so
necessrios 400ns. Estes so os PICs mais lentos.
Apesar de todos os modelos possurem um oscilador interno, que opera em 4MHz
alguns podem funcionar em at 10MHz. A Tabela 4.1 mostra as caractersticas desta
famlia, cujo consumo mdio de 25mA.

Tabela 4.1 Caractersticas da famlia 12CXXX.

Memria de Programa
MODELO

Memria
Bytes

Flash

memria.

EEPROM

RAM

8-Bit

Portas

Timers

Mx.

Encapsu-

ROM

(dados)

Bytes

ADC

I/O

(8 bits)

(MHz)

lamento

chanels

Bytes

Clock

Memria de dados

PIC12C508

768

512x12

25

8 pinos

PIC12C508A

768

512x12

25

8 pinos

PIC12C509

1536

1024x12

41

8 pinos

PIC12C509A

1536

1024x12

41

8 pinos

PIC12CR509A

1536

1024x12

41

8 pinos

PIC12CE518

786

512x12

16

25

8 pinos

PIC12CE519

1536

1024x12

16

41

8 pinos

PIC12C671

1792

1024x14

128

10

8 pinos

PIC12C672

3584

2048x14

128

10

8 pinos

PIC12CE673

1792

1024x14

16

128

10

8 pinos

PIC12CE674

3584

2048x14

16

128

10

8 pinos

Nota: As informaes a respeito de sadas PWM nesta famlia de microcontroladores

encontram-se na folha de dados do componente.

129

4.2 PIC 16C5XX

Esta famlia um pouco mais rpida que a anterior, apresentando um tempo de
execuo de instruo de 200ns e apenas 33 instrues, todas de 12 bits. constituda de
21 modelos diferentes.
importante salientar que o PIC 16C505 possui oscilador interno, que opera em
4MHz, e o PIC 16HV540, por sua vez possui tenso de alimentao de 15V, o que explica
a introduo dos caracteres HV (High Voltage) na sua designao.

4.3 PIC 16CXXX

Possui basicamente as mesmas caractersticas da PIC16C5XX, porm algumas
funes foram incorporadas resultando em mais duas instrues, sendo assim, tem-se um
total de 35 instrues diferentes, porm de 14 bits. O tempo de execuo de instruo
continua sendo de 200ns. Nestes microcontroladores podem ser geradas de 4 a 12
interrupes.
Estes modelos so compatveis com os PIC16C5X e PIC12CXXX,
possibilitando um up-grade na parte de hardware com poucas alteraes no software de
um equipamento onde era utilizado um dos outros modelos mais simples.

4.4 PIC 17CXXX

Nesta famlia, com 10 modelos diferentes, para a execuo de uma instruo so
necessrios apenas 120ns, inclusive multiplicao.
Com relao a famlia PIC16CXX a grande novidade a incluso de instrues
para a realizao de operaes de multiplicao, desta forma tem-se um total de 58
instrues diferentes. A memria de programa pode ser expandida externamente para at
64Kx16 bits, e os cdigos gerados para os PIC16CXX, PIC16C5X, PIC12CXXX podem
funcionar perfeitamente neste modelo sem a necessidade de alteraes.

130

4.5 PIC 18CXXX

o microcontrolador da famlia PIC que apresenta o maior e mais eficiente
conjunto de instrues, em um total de 77 instrues.
Nesta famlia, com 4 modelos diferentes, para a execuo de uma instruo so
necessrios apenas 100ns ou seja, 10 milhes de instrues por segundo.
Pode ainda fazer operaes com tabelas, manusear pilhas e seu cdigo fonte
compatvel com o PIC 17CXXX / PIC 16CXX / PIC 16C5X / PIC 12CXX.

5 Outras famlias
Como na maioria dos componentes eletrnicos, sempre existem mais de uma
alternativa para uma mesma aplicao. Em se tratando de microcontroladores isto no
diferente.
Sero apresentados nesta etapa do trabalho outros fabricantes que oferecem
microcontroladores com caractersticas parecidas s estudadas at o presente momento. A
escolha ser em funo da capacidade de processamento necessria, custo, simplicidade de
hardware, disponibilidade do componente e possibilidade de migrar para modelos com
maior capacidade de processamento utilizando o mesmo cdigo fonte.

5.1 National COP8

Com arquitetura Harward modificada, estes microcontroladores possuem
memria de programa separada da memria de dados e possuem tambm endereos com
vias separadas. Neste tipo de arquitetura possvel transferir informaes da memria de
programa para a memria de dados.
A famlia COP8 compreende microcontroladores de 8 bits (OTP) programveis
uma vez, com capacidade de memria de programa variando de 1 Kbyte 4 Kbytes. Estes
componentes possuem alto grau de integrao e baixa EMI (interferncia eletromagntica).

131

Concebidos com tecnologia CMOS so componentes prprios para uso onde se requer
baixo custo.
Os componentes da linha COP8ACC7 so compatveis pino pino e em software,
mas podem possuir diferentes valores de tenso de alimentao. Verses com janelas para
apagamento e reprogramao so possveis de serem obtidas mediante encomenda.
Dentre as caractersticas desta famlia esto:
Arquitetura de memria mapeada de 8 bits;
Clock de 4 MHZ com ciclo de instruo de 2,5s;
6 canais A/D com resoluo de 12 bits;
Timer de 16 bits;
Set de instrues verstil e de fcil utilizao;
Encapsulamento de 16, 20 e 28 pinos;
Memria de programa de 1, 2 e 4 Kbytes;
Memria RAM de 64 e 128 bytes;
Watchdog e monitoramento de clock;
Interface serial, compatvel com padro SPI (Serial Peripheral Interface
Interface serial perifrica);
Opes selecionveis por software para as portas I/O: sada em tri-state (trs
nveis lgicos), sada na configurao push-pull, alta impedncia de entrada;
Oscilador R/C on-chip.

5.2 Motorola 68HC05

Este componente membro da famlia de microcontroladores de 8 bits, de baixo
custo e alta performance, da Motorola. Estas famlias com 16 e 20 pinos provem baixo
custo devido ao tamanho reduzido.

132

Outras caractersticas que lhe conferem bom desempenho so a poderosa CPU

68HC05, timers multifuno com 15 estgios e capacidade de interrupo em tempo real.
Da linha de microcontroladores de 8 bits OTP (one time programable) este
componente o que oferece menor custo efetivo.
Na seqncia sero listadas algumas de suas caractersticas.
Memria RAM de 64 bytes;
Memria EPROM /OTP de 1.240 bytes;
Instrues de aprendizado fcil, inclusive multiplicao;
Freqncia de operao interna de 4 MHz para alimentao de 5V;
Concebido para ter boa imunidade rudo;
10 portas I/O bidirecionais com capacidade de corrente de 10 mA cada uma;
Interrupes vetoradas;
Modos de baixo consumo de energia STOP (parado) e WAIT (espera);
Watchdog;
Timer de 8 bits com prescaler de 7 bits.

5.3 Philips P87LPC767

O microcontrolador P87LPC767 um componente com alto grau de integrao,
desenvolvido para sistemas onde o baixo custo fundamental. membro da famlia de
microcontroladores 51LPC.
Este componente oferece conversor A/D de 8 bits com 4 canais multiplexados e
duas entradas analgicas com duas entradas multiplexadas. Outra caracterstica a
programao em alto nvel para os 4 Kbytes de memria de programa, alm de 128 bytes
de memria RAM.
Possui tambm oscilador RC muito estvel variaes de tenso e de temperatura
e tambm detetor brownout (reset em funo da variao do nvel da tenso de
alimentao) ambos on-chip (dentro do componente), o que diminui a necessidade de
componentes externos.

133

A CPU deste microcontrolador totalmente compatvel com o j conhecido

80C51, mas com o dobro da performance ou seja para uma freqncia de clock de 20MHz
realiza as mesmas tarefas do 80C51 40MHz. Esta caracterstica faz com que haja reduo
de EMI (interferncias eletromagnticas) e de consumo de energia. A seguir as principais
caractersticas deste microcontrolador:
Encapsulamento de 20 pinos;
Possui CPU do 80C51 acelerada que prove ciclos de instruo com tempos de
300-600ns para todas as instrues, exceto diviso e multiplicao.
Dois timers de 16 bits;
Dois comparadores analgicos;
Oito entradas de interrupes por teclado, mais duas entradas externas;
Quatro canais multiplexados para conversor A/D de oito bits, com tempo de
converso de 9,3s para um clock de 20MHz;
Quatro nveis de prioridade nas interrupes;
Porta de comunicao padro I2C;
Porta de comunicao assncrona;
Power down (funo para reduo do consumo de energia quando em espera);
Capacidade de corrente de 20mA em cada porta;
15 pinos de I/O (mnimo), podendo chegar a 18;

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