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LABORATORIO 1: SENSORES
Fernando Antonio Martnez
2042614
INTRODUCCIN
La temperatura es una variable crtica en
muchos procesos industriales. Muchos procesos
requieren el control preciso de la temperatura
para producir resultados de calidad o prevenir
sobrecalentamientos, rupturas, explosiones y
otros tipos de problemas. Las temperaturas
elevadas son necesarias para ablandar metales
y fundir plsticos, As mismo las bajas
temperaturas son necesarias para conservar los
productos perecederos en una industria de
alimentos. Actualmente se dispone de una gran
variedad de dispositivos e instrumentos para la
medicin precisa de la temperatura, en este
informe se dar a conocer como algunos
sensores de temperatura convierten la
temperatura en una seal de voltaje, cuya seal
es utilizada para el control de la temperatura
misma.
Marco Terico
Los sensores de temperatura son dispositivos
que transforman los cambios de temperatura en
cambios en seales elctricas. Son tres tipos de
sensores de temperatura los ms usados:
OBJETIVOS
General.
Especficos
Usualmente, los termistores se fabrican a partir
de xidos semiconductores, tales como el xido
1
1 =
(1 )
()
2300
5
1150
1150 0
0
1150 0
913
=
2300
1150
1150
1150 1150
0
1150
0
913
tenemos
las
1 =
Para 2
+ ( 2) 2 + ( 1) 1 = 0
+ 2 3 (2 ) 2 = 0
1 + (1 ) 1 = 0
De las ecuaciones obtenemos la siguiente matriz
(1 + 2 )
1 1
2
1
1 ( 1 )
0
=
0
0
2
0
1 (3 2 )
Reemplazando valores
2300
1150
= 1150 1150
1150
0
5
1150
0 = 0
0
913
2300
1 = 1150
1150
5
0
0
1150
0
913
2 =
(5249750 545100 0)
(777400 ( 1150) 1207442500)
2300
2 = 1150
1150
1150
1150
0
5
0
0
(2 )
()
2300
1150
5
1150 1150 0
1150
0
0
=
2300
1150
1150
1150 1150
0
1150
0
913
(2300 ( 1150) 0
+2645000 0 5750 ( 1150))
2 =
(777400 ( 1150) 1207442500)
2300 ( 1150) 0
(
)
+2645000 0 5750 ( 1150)
(777400 ( 1150) 1207442500)
=
(5249750 545100 0)
(777400 ( 1150) 1207442500)
(474 0 + 1185)
(5 2 0)
T_Exp
26,12
26,19
26,25
26,31
26,50
26,69
26,81
26,94
27,06
27,31
27,44
R_Exp
1121,33
1114,78
1108,32
1108,32
1101,96
1095,70
1089,52
1083,43
1077,43
1071,51
1065,67
R_Teo
1106,26
1104,30
1102,64
1100,98
1095,77
1090,64
1087,44
1084,01
1080,87
1074,43
1071,14
V_Exp
3,84
3,85
3,86
3,86
3,87
3,88
3,89
3,90
3,91
3,92
3,93
Err
1,36
0,95
0,52
0,67
0,56
0,46
0,19
0,05
0,32
0,27
0,51
27,69
27,87
28,00
28,31
28,50
29,00
29,31
29,69
29,87
30,00
30,37
30,69
31,00
31,19
31,75
32,25
32,38
32,88
33,06
33,50
33,94
34,38
35,19
35,69
36,19
36,75
37,25
38,00
38,69
39,44
40,19
40,94
1059,92
1054,24
1048,64
1043,12
1037,68
1027,00
1021,77
1016,61
1011,51
1006,48
1001,52
996,62
991,78
987,00
982,28
977,63
973,02
968,48
963,99
959,56
955,18
950,86
946,58
942,36
938,18
934,06
929,98
925,95
921,97
918,03
914,14
910,30
1064,90
1060,49
1057,35
1049,99
1045,59
1034,36
1027,66
1019,73
1016,08
1013,48
1006,29
1000,30
994,71
991,38
982,01
974,20
972,26
965,11
962,67
956,98
951,71
946,84
938,94
934,75
931,09
927,62
925,08
922,25
920,69
920,14
920,77
922,59
3,94
3,95
3,96
3,97
3,98
4,00
4,01
4,02
4,03
4,04
4,05
4,06
4,07
4,08
4,09
4,10
4,11
4,12
4,13
4,14
4,15
4,16
4,17
4,18
4,19
4,20
4,21
4,22
4,23
4,24
4,25
4,26
0,47
0,59
0,82
0,65
0,76
0,71
0,57
0,31
0,45
0,69
0,47
0,37
0,29
0,44
0,03
0,35
0,08
0,35
0,14
0,27
0,37
0,42
0,81
0,81
0,76
0,69
0,53
0,40
0,14
0,23
0,72
1,33
RESULTADOS
Expresin que
Temperatura
relaciona
la
Voltaje
la
R_Exp Vs T_Med
Regresion Polinomica
1050,00
1100,00
1000,00
1050,00
950,00
900,00
25,00
30,00
35,00
40,00
45,00
Temperatura
Resistencia
Resistencia
1100,00
1000,00
950,00
900,00
25,00
Resistencia
30,00
35,00
40,00
45,00
Temperatura
4,30
4,25
4,20
4,15
4,10
4,05
4,00
3,95
3,90
3,85
3,80
25,00
Resistencia
Voltaje
V_Med Vs T_Med
30,00
35,00
40,00
45,00
1100,00
1080,00
1060,00
1040,00
1020,00
1000,00
980,00
960,00
940,00
920,00
900,00
25,00 30,00 35,00 40,00 45,00
Temperatura
Temperatura
R_Med
R_Teo
% =
100
31,00
36,00
41,00
ANLISIS DE RESULTADOS
El comportamiento de la grfica de R y
Rteo [K] vs T[C] se debe al semiconductor que
compone
el
termistor.
Este
tipo
de
Semiconductores al aumentar la temperatura,
disminuyen la concentracin de portadores, lo
que hace que se aumente la resistencia, esto
hace que la variacin de la temperatura sea
forma exponencial de la forma:
Rb @= 1/a .e^(e.Vb/KT)
(@ = directamente proporcional a)
Donde a representa el tamao de los cristales,
y as 1/a es el nmero de barreras por unidad de
longitud del termistor, y Vb representa el
potencial de las barreras. Como Vb es
inversamente proporcional al valor de la
constante dielctrica de los cristales, Rb es
sumamente sensible a las variaciones de dicha
constante dielctrica. Tal variacin en la
constante dielctrica es una propiedad especial
de materiales que tienen una naturaleza ferro
elctrica como es el caso en el compuesto
BaTiO3 y sus soluciones slidas. Si por su ferro
er = C / (T - )
Donde C tiene un valor aproximado de 105 K.
Como resultado, la resistividad aumenta
fuertemente al subir la temperatura de Curie .
Ms all de la temperatura de Curie, las barreras
son dbiles o no existen, debido por un lado a
los altos valores de la constante dielctrica del
BaTiO3 en esas zonas, y por otro lado al
resultado de la polarizacin espontnea de los
cristales para poder compensar los intercambios
de la zona de unin. Los electrones son
capturados en la zona de unin y gradualmente
liberados en proporcin al aumento de la
temperatura del termistor PTC con el respecto a
su temperatura de conmutacin, ocasionando
una disminucin de las barreras de potencial.
Esto significa que el termistor PTC pierde sus
propiedades
y
puede
comportarse
eventualmente de una forma similar al termistor
NTC si la temperatura llega a ser demasiado
alta.
CONCLUSIONES
determinantes, asumiendo
resistencias fijas:
R1=1150
R2=1150
R3=237
los
valores
de