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Introduo.
1-Os princpios fundamentais da Eletrnica esto baseados na eletricidade, cujo
fundamento radica na estrutura da matria.Os tomos de todos o materiais constam de um
ncleo e de um envoltrio.No ncleo se encontram os prtons que so particulas com carga
eltrica positiva e os neutres . No envoltrio, girando em rbitas a grande velocidade,
esto os eltrons, que so particulas de carga negativa.Como h as mesmas cargas positivas
e negativas, o tomo neutro. Os eltrons das rbitas afastadas do ncleo , os qais podem
escapar-se da rbita , se houver uma fora de atrao externa maior que a do ncleo. Se um
tomo perder eltrons ficar carregado positivamente. A quantidade de eltrons que se
translata de tomo a tomo pela unidade de tempo, o que se chama intensidade eltrica. A
unidade de medida da intensidade o Ampre{A} e significa que passam 6,23 trilhes de
eltrons(1 coulomb) em um segundo.
A lei de Ohm.
3 -Quando dois corpos com diferente tenso se comunicam entre si mediante a um fio
condutor,produz-se uma corrente de eltrons para o corpo mais positivo que o atrai.A lei de
Ohm quantifica o valor da intensidade eltrica (A) que se cria ao se conectarem dois corpos
com diferena de potencial(V), atravs de um fio condutor que apresenta uma determinada
resistncia passagem dos eltrons. A oposio que oferecem os corpos passagem da
corrente eltrica chama-se "resistncia"e mede-se em ohms(R). A formula da lei de Ohm :
I (Amperes)=V(volts) / R(Ohms)
Resistncias:
5 -So componentes passivos fabricados com materiais isoladores que oferecem uma
resistncia determinada passagem da corrente eltrica, que vem definida pela lei de ohm.
Se lhes aplicarmos o dobro de tenso, circular o dobro de corrente. A funo entre estes
dois parmetros fundamentais linear.
As resistncias podem se associar em srie, colocando uma detrs das outras, oferecendo
uma resistncia equivalente, igual a soma das resistncias que se conectam em srie.
Quando se associam em paralelo, a resistncia equivalente mais baixa que a menor e seu
valor calculado conforme a frmula:
Exemplo:
Capacitores:
6-Um capacitor est formado por duas placas metlicas separadas por um diletrico. Ao se
aplicar uma diferena de tenso entre as duas placas ou armaduras, passam eltrons de uma
armadura outra, originandoa carga do capacitor. A relao entre a carga que adquirem as
armaduras e a diferena de tenso aplicada chama-se "capacidade"e mede-se em Farads,
sendo definida pela frmula:
Exemplo:
C=Q / V
C: Farads; V: volts e Q: Coulomb (6,23 trilhes de eltrons)
Quando se aplica uma diferena de tenso de corrente contnua a um capacitor, carregam-se
suas armadura atalcanar a mesma tenso que lhes aplicada. Nesse ponto deixam de
passar eltrons de uma armadura outra, por isso se diz que se bloqueia, ou ento, que no
deixa passar a corrente continua. Na realidade, deixa-a passar num primeiro instante, atque
a carga do capacitorcompense a diferena de tenso. O tempo que um capacitor demora
para carregar-se ao ser-lhe conectad a uma tenso de corrente continua proporcional ao
produto de sua capacidade pela resistncia do circuito. Ao aplicar uma tenso de corrente
alternada, a continua mudana de polaridade nas armaduras faz com que se carregue e de
descarregue em cada semiperiodo, ou seja, ao ritimo de trequncia da corrente alternada.
Essa circulao nos dois sentidos da corrente eltrica parece que deixa passar a corrente
alternada, comportando-se como uma resistncia que se chama reactncia de capacidade
Xc, cujo o valor em ohms vem dado pela seguinte formula.
Exemplo:
Xc=1 / 2.r.f.c
Xc se mede em ohms, f a freqncia da corrente alternada em Hertz e C so os farads.
Perante as correntes altenadas o capacitor oferece uma resistncia muito pequena as altas
freqncias. Os capacitores, assim como as resistncias, podem-se associar em srie e em
paralelo, mas as frmulas para calcular a capacidade equivalente so as inversas s usadas
Bobinas:
7-A bobina consiste em um fio de cobre enrolado em forma de espiral sobre um suporte
cilndrico.Sua propriedade mais importante a de comportar-se como um im quando por
ela circula uma intensidade eltrica. Perante a corrente continua a bobina se comporta como
um fio condutor de muito baixa resistncia , porque ao ser constante a corrnte, no se
produz efeitos de auto-induo.A bobina funciona, ao contrrio que o capacitor, com
corrente contnua, pois deixa-a passar em vez de bloque-la. Se se aplicar uma corrente
alternada a uma bobina, variar o magnetismo que ela gera e o que corta mesma bobina,
aparecendo o fenmeno da auto-induo, que apresenta uma certa resistncia ao passar a
corrente alternada, indutiva, cujo valor vem dado por:
Exemplo:
XL=2.r.f.L
Sendo XL a reactncia indutiva medida em ohms, f a freqncia e L o coeficiente de autoinduo da bobina medido em Hertz. Perante a corrente alternada, quando maior for a
freqncia, maior ser a resistncia da bobina, diferentimente do que acontece com o
capacitor.
O DIODO SEMICONDUTOR.
Semicondutores P e N.
8-Os componentes eletrnicos ativos, diodos e transistores, so construidos com materiais
semicondutores e no apresentam em comportamento linear quando a corrente eltrica os
atravessa. Os materiais semicondutores puros que mais se usam so o silcio e o germnio,
que se caracterizam por dispor, em sua ltima rbita atmica, de quatro eltrons na rbita
de valncia, estes materiais tm a propiedade de compartilhar outros quatro eltrons com
quatro tomos circundantes, conseguindo uma estrutura estvel com que se comportem
como materiais isoladores. Se a um semicondutor puro, de estrutura muito estvel,
agregam-hle tomos de impurezas que tenham em sua ltima rbita trs ou cinco eltrons,
estes passam a ocupar os postos de outros tomos semicondutores, que teriam quatro
eltrons perifricos. Quando chega a vez de um tomo de semicondutor puro compartilhar
letrons com um de impurezas, se este tiver trs eltrons na rbita de valncia, ser
necessrio um para tornar-se estvel. A ausncia de um eltron chama-se "oco". Se o tomo
de impurezas tiver cinco eltrons, um eltron ficar livre. Os semicondutores de tipo P
procedem da incluso de tomos de impurezas trivalentes na estrutura atmica do
semicondutor puro. Por cada tomo de impureza cria-se um oco. Se os tomos de
impurezas so pentavalentes, o semicondutor ao que se agrega chama-se de tipo N , e nele ,
por cada tomo de impureza, cria-se um eltron livre. Resumindo: os semicondutores de
tipo P tm ocos, o que a mesma coisa dizer que lhes faltam eltrons. Aos semicondutores
de tipo N lhes sobram eltrons livres em sua estrutura atmica.
A unio N-P.
No semicondutor de tipo P h muitos ocos livre. Tambm h alguns eltrons livres,
minoritrios, originados pela energia trmica. Pelo contrrio, no semicondutor de tipo N,
existem muitos eltrons livres majortrios e muito poucos ocos minoritrios. Se se unirem
os dois tipos de semicondutores, a lei da difuso tenta equilibrar as concentraes de
portadores e, consequentemente, origina-se uma corrente de eltrons majoritrios na zona
N, que se dirige zona P e uma corrente de ocos da zona P N. Ao se juntarem na zona de
unio os eltrons livres com os eltrons ocos, produz-se uma zona neutra estavl neste
espao, ao mesmo tempo que a zona N ao ficar sem eltrons e ser neutra, inicialmente,
acumula carga positiva e a zona P ao perder ocos acumula carga negativa.
Curva caracteristica.
Se se aplicarmos ao diodo uma tenso cujo o plo positivo se aplique ao nodo e o negativo
ao ctodo, aquele se comportar como um condutor,de maneira que quando mais tenso
direta se aplique mais corrente circular. Se se trocar a polaridade comportar-se- como um
dieltrico e s circularuma intencidade desprezivel, devido aos portadores minoritarios
que sempre existem nos semi-condutores devido agitao trmica.
DIODOS RETIFICADORES.
9-A principal aplicao dos diodos semicondutores a retificao da corrente alternada. As
companhias distribuidoras de energia eltrica fornecem-na, por sua convenincia, em
alternada e na Europa, especificamente, a 220V e 50 Hz. Os aparelhos eletrnicos, como
televisores, os computadores,funcionam com corrente continua e , portanto, estes aparelhos
devem dispor de um circuito que transforme a corrente alternada em continua. Este circuito
chama-se "fonte de alimentao". Para levar a cabo este trabalho de transformao
imprescindivel a atuao do diodo semicondutor, o qual elimina um dos semicicos da
corrente alternada. Com um s diodo retifica-se um semiciclo; este circuito chama-se
retificador de meia onda. Com os diodos e um transformador, cujo secundrio tenha uma
toma mdia, obtm-se o retificador de onda completa, que aproveita os dois semiciclos da
c.a.
A ponte de Graetz.
Uma conexo especial de quatro diodos semicondutores, chamada"ponte de
Graetz",permite contruir um retificador de onda completa, mas sem necessidade de usar um
transformador especial que disponha de um secundrio com toma mdia . Estas pontes se
utilizam muito na prtica e se comercializam em cpsulas com os quatro diodos j
interconectados.
O TRANSISTOR.
11-O revolucionrio descobrimento que deu passo eletrnica sucedeu em 1947, quando os
investigadores Barden e Brattain apresentaram ao mundo o transistor. At ento tinham-se
usado as vlvulas para amplificar os sinais eltricos. As vlvulas eram ampolas de vidro,
hermeticamente fechadas e das quais se extraia o ar para deixar circular mais livremente os
eltrons. Os eltrons se produziam aquecendo a vrias centenas de graus um metal de alto
poder emisor, ao qual se dava o nome de ctodo. Perante o ctodo, outro metal em forma
cilindrica, o nodo, se polarizava positivamente e atraa a corrente de eltrons que o ctodo
aquecido emitia. A vlvula formada por ctodo e nodo se comportava igual um diodo
semicondutor. Para conseguir a amplificao entre o ctodo e o nodo se enrolava entre
uma espiral metlica qual se aplicava o sinal a amplificar e que recebia o nome de grade.
A vvula amplificadora com ctodo, nodo e grade se chamava triodo. As vlvulas eram
muito custosas de construir, trabalhavam com altas temperaturas que afetavam todos os
elementos contguos, e para a emiso do ctodo consumiam muita energia e tinham uma
vida limitada , pois os metais emissores de eltrons tinham uma durao de uma 20.000
horas. O transistor um minusculo pedao de material semicondutor ou chip que realiza as
mesmas funes que o trodo , mas que tem uma durao limitada, quase no consome
potncia , trabalha com baixas temperaturas e muito barato. um grozinho de areia
encapsulado com trs pernas.
A ESTRUTURA INTERNA.
. Um transistor construido com trs capas alternadas de semi-condutores do tipo E e P,
por isso existem dois tipos de transistores: o NPN e o PNP. Cada pedao de um
semicondutor um eletrodo e cada um deles recebe o nome de emissor, base, e coletor,
respectivamente, estando conectado, cada um por sua conta, a uma das pernas da cpsula.
Embora o comportamento dos dois tipos de transistoers seja o mesmo, o sentido das
correntes que os atravessa, assim com a polaridade das tenses que os alimentam so
contrarias nos NPN e nos PNP. Os smbolos que representam os dois tipos de transistores
s se diferenciam no sentido da seta que identifica o emisor, que nos NPN no
penetra",enquando nos PNP sim"penetra".Uma propriedde que sempre se cumpre em
ambos os tipos de transistores que a intensidade do emisor igual soma da do coletor
mais a base. As cpsulas dos transistores adotam diferentes formas e contm referncias
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O pai desta familia pode ser considerado o micro 386 que apareceu em 1985,que constava de
275.000 transistores e se fabricava com uma tecnologia que superava o mcron.
Alimentava-se com uma tenso de 5VCC e consumia 2,5 W.
Quatro anos mais tarde,apresentou-se o 486 que j continha mais de um milho de
transistores,exatamente 1.200,000,e utilizava tecnologia de 2 micra.Outros quatro anos mais
tarde,em 1993,apresentou-se no mercado mundial o Pentium clsico,continua produzindo
inumerveis modelos at o dia de hoje.Apresentamos os dados relevantes desta saga de
microprocessadores,que no terminou e que cada ano apresenta cada vez mais modelos
diferentes,melhorando seu rendimento e seu preo.s vezes,esta vertiginosa carreira tecnolgica
confudem os usurios que tm a impresso de que no mesmo momento em que saem da
loja,depois de terem comprado um computador,entra um novo modelo muito mais rpido e mais
barato.
Modelo e
Ano
microprocessador
Milhes de
transistores
Tecnologia(Micra)
Pentium
1993 3,1
Pentium-Pro
Pentium MMX
1997 4,5
0,35
Pentium II
1997 7,5
0,25
Pentium III
1999 9,5
0,18
Pentium 4
2000
42
0,8
0,18
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