Transistores MOSFET Universidad Técnica Ambato

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS, ELECTRONICA E INDUSTRIAL
UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO
F . I . S . E E. INDUSTRIAL
I
FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA
PERODO ACADMICO: OCTUBRE/2014 MARZO/2015

Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electrnica e Industrial
Ttulo:
Transistores MOSFET.
Carrera:
Ingeniera Industrial en procesos de Automatizacin
Ciclo Acadmico y Paralelo:

4 A
Alumno participante:
Agreda Jos
Cartagena Patricio
Guamn Andrs
Lpez Shirley
Naranjo Jos
Mdulo y Docente:
Electrnica Industrial Bsica Ing. lvarez Santiago
1.
PP
2.
YY
I
2.1 Ttulo
Transistores MOSFET
2.2 Objetivos
Determinar la estructura de los transistores MOSFET.

Establecer las aplicaciones que se pueden desarrollar con los MOSFET.
Analizar sus zonas de operacin; as como sus curvas caractersticas.
2.3 Resumen
El transistor de efecto campo metal-xido-semiconductor (MOSFET o MOS) puede
afirmarse que constituye el caballo de batalla del diseo digital actual. Sus
principales ventajas son su densidad de integracin y un proceso de fabricacin
relativamente simple, en comparacin con las tecnologas bipolares, lo que ha
hecho posible producir grandes y complejos circuitos de forma econmica.
2.4 Introduccin
En el presente documento se tratan las caractersticas principales sobre los
transistores MOSFET, para tener una idea ms clara de su uso, aplicacin y
conformacin, as como sus zonas de operacin; de la misma manera se van a
establecer los parmetros necesarios para que este transistor funcione de una
manera correcta.
2.5 Materiales y Metodologa
Transistores MOSFET
Historia del MOSFET
Fue ideado tericamente por el alemn Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque
debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca de cmo se
comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar
hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda
funcionar correctamente, la intercala entre el sustrato dopado y el aislante debe ser
perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es algo que slo se pudo
conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del silicio.
I
FUNCIONAMIENTO DEL MOSFET

Los transistores MOSFET son los tipos de conductores ms populares de la
actualidad. Han reemplazado a los transistores bipolares especialmente en los
ambientes elctricos de mucha carga que destruiran a los transistores bipolares.
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en
el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada
por una capa de conductor.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
INFLUENCIA DE VGS.
A diferencia de lo hecho con el JFET, vamos a comenzar en este caso con el efecto de
la influencia de la tensin VGS. Para ello vamos a suponer en un principio VDS = 0.
En primer lugar, si aplicamos una tensin VGS =0, aunque apliquemos una tensin
VDS no circular corriente alguna por el dispositivo, ya que la unin de drenador est
polarizada en inversa.
Sin embargo, cuando VGS >0 aparece un campo elctrico que lleva a los electrones
hacia la zona de la puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no pudindose
establecer una corriente por estar la puerta aislada. Para valores pequeos de esta
tensin VGS aplicada se crear una zona de carga de espacio (sin portadores), sin
embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensin, la acumulacin de
electrones se har lo suficientemente importante como para decir que tenemos una
zona n, es decir, se formar un canal de tipo n que unir los terminales de drenador y
fuente
De esta forma, cuanto mayor sea la tensin VGS aplicada mayor ser la anchura del
canal formado, es decir, de nuevo tenemos un efecto de modulacin de anchura del
canal con la tensin VGS. Por otra parte, vemos que en este dispositivo se produce
un efecto de variacin de una carga almacenada con una tensin aplicada. Este es
precisamente el efecto que se produce en un condensador. De esta forma, estamos
viendo que, de alguna manera, este dispositivo puede comportarse como un
condensador.
I
Si ahora nos fijamos en la Figura al estar los terminales de fuente, sustrato y drenador
a la misma tensin (por ser VDS = 0) las tensiones VGS y VGD sern iguales, y por lo
tanto el canal simtrico respecto de la puerta.
Vemos que con la tensin VGS podemos modular la anchura del canal, pero no basta
con que esta tensin sea positiva, sino que deber superar un de terminado nivel de
tensin. A esta tensin umbral a partir de la cual hay canal formado que permite la
circulacin de corriente entre el drenador y la fuente en algunos libros se le suele
llamar VT (tensin de threshold). Aunque en realidad tiene el mismo significado que la
tensin VGSoff vista para el transistor JFET, ya que en ambos caso se trata del valor
mnimo de tensin para el que existe canal que permite la circulacin de corriente. Al
igual que en el caso del JFET, si ahora aplicamos valores de tensin VDS pequeos,
la relacin entre la corriente ID y la tensin VDS aplicada ser lineal, es decir, de
nuevo el dispositivo se comporta como una resistencia cuyo valor depender de la
anchura del canal y por lo tanto de la tensin VGS .
La tensin VGS modula la anchura del canal. El dispositivo se comporta como una
resistencia controlada por VGS.
INFLUENCIA DE VDS.
I
Efecto de la tensin VDS. El canal se estrecha ms de la zona del drenador

De nuevo el comportamiento es el mismo que hemos visto anteriormente para el JFET.
Para valores de tensin VDS pequeos, el estrechamiento del canal no ser
importante, por lo que la relacin entre la tensin aplicada y la corriente que circula
ser lineal tal y como establece la Ley de Ohm. A medida que el valor de VDS
aumente, el estrechamiento comenzar a ser importante, variando la resistencia que
presenta el canal y perdiendo la linealidad de la caracterstica. Hasta que la tensin
VDS alcance el valor de VDSsat, momento en el cual el canal se habr cerrado por
completo. A partir de este instante, si seguimos aumentando la tensin VDS, por
encima de este valor VDSsat, la corriente ID se mantiene constante.
I
De nuevo, la corriente no se anula al cerrarse el canal, ya que si ello sucediese

drenador y fuente estaran al mismo potencial, lo que implicara que VGS y VGD sern
iguales y por lo tanto el canal simtrico respecto a la puerta, es decir, la situacin en la
que estbamos con VDS = 0
Estructura
La estructura de un MOSFET, consta de cuatro terminales: Drenador (D-drain), Fuente
(S-source), Puerta (G-gate) y Sustrato (B-bulk).
Generalmente, el sustrato se conecta a la fuente.
La puerta se halla aislada del sustrato por una fina capa de dixido de
silicio y por el terminal de la puerta fluye una corriente despreciable.
Cuando se aplica en G una tensin positiva respecto a S, los electrones se

ven atrados a la regin situada bajo G, inducindose un canal de material
de tipo n entre D y S.
Si se aplica entonces una tensin entre D y S, fluir una corriente desde S

a D a travs del canal. La corriente de drenador est controlada por la
tensin aplicada en G.
La corriente en el interior del dispositivo puede ser en forma de electrones o

huecos, fluye desde la fuente hasta el drenador, y es controlada por la
puerta.
El terminal sustrato se utiliza para fijar la tensin umbral del transistor,

mediante la aplicacin de una tensin constante.
Bajo la puerta existe una capa de xido (SiO2) que impide prcticamente el
paso de corriente a su travs; por lo que el control de puerta se establece
en forma de tensin.
I
TENSIN UMBRAL
Siendo la tensin umbral aqulla a la que se produce la formacin de canal en un
MOSFET, es imprescindible para el diseo de estos dispositivos analizar los factores
que determinan su valor. A efectos prcticos se pueden identificar cuatro componentes
que determinan el valor de VT:
1. La diferencia de las funciones de trabajo entre la puerta y el canal.
La diferencia de la funcin de trabajo entre puerta y canal (GC) refleja el potencial
implcito en el sistema MOS. Dependiendo del material de puerta, esta diferencia vale:
Siendo F el potencial de Fermi del semiconductor correspondiente y M la funcin de

trabajo del metal.
2. La componente de tensin en puerta necesaria para cambiar el potencial en la
superficie.
La tensin aplicada a la puerta debe conseguir la inversin en la superficie de la oblea
en contacto con el xido, es decir, cambiar el potencial en esta superficie en -2F,
donde F se refiere al potencial de Fermi del sustrato. Este valor constituye la
segunda componente de la tensin umbral.
3. La componente de tensin en puerta para compensar la carga de la regin de
empobrecimiento.
Si el sustrato est polarizado a una tensin diferente de la fuente, la densidad de carga
de la regin empobrecida podr expresarse en funcin de la tensin relativa fuentesustrato (VSB), de la siguiente manera:
I
Donde:
Si
Es la constante dielctrica del silicio
Es el potencial de fermi del sustrato tipo p y NA es su dopado
VSB la tensin entre la fuente y sustrato

4. La componente de tensin de puerta necesaria para compensar las cargas fijas
en el xido y en la interfaz xido-silicio.
Siempre existe una densidad fija de carga superficial (Qox) en la interfase entre el
xido y el silicio, que se produce de manera indeseada en el proceso de fabricacin
del transistor, debida a impurezas y/o imperfeccin de la red. La componente de
tensin necesaria para compensarlas es Qox/Cox.
Donde:
Cox es la capacidad por unidad de rea del sistema MOS
(Qox) es la densidad fija de carga superficial
Podemos ahora combinar todas estas componentes para obtener la tensin umbral.
Para una polarizacin nula del sustrato, la tensin umbral (que llamaremos en este
caso (VT0) vendr dada por la siguiente expresin:
Regin de Funcionamiento de MOSFET

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes
regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la
presente discusin se utiliza un modelo algebraico que es vlido para las tecnologas
bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se
requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms
complejo.
Regin de corte.
I
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor.
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin, el dispositivo se

encuentra apagado. No hay conduccin entre Drenador y Surtidor, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Regin hmica
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS(on) viene dado
por la expresin:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de Drenaje
(ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0'1 A; entonces,
I
Rds(on)
=
1V
3
100 mA
10 Ohms
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y

Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin
entre la Puerta y el Surtidor (VGS)
Regin de Saturacin.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el
Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensin de saturacin (V ds
sat
) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas caractersticas
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su

corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensin que haya entre el
Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de
corriente continua de valor ID.
VDS VGS - VT Regin de saturacin
I
Cuando la tensin entre Drenador y Fuente supera cierto lmite, el canal de

conduccin, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del Drenador y
desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial
entre ambos terminales.
Regin de Ruptura.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
I
Curvas Caractersticas del MOSFET

A continuacin, se muestran las curvas de entrada y salida de un transistor MOSFET
N con Vt= 2V conectado en Fuente comn (SC), es decir, el terminal de Fuente, es
comn la seal de entrada VGS y las seales de salida ID y VDS.
Estas curvas de salida, se obtienen al representar las variaciones de I D al aumentar

VDS, para diferentes valores de VGS, es decir, ID=(Vds)VGS=cte.
La curva ms baja es la curva de V GS(T). Cuando VGS es menor que VGS(T), la corriente
de Drenador es extremadamente pequea. Cuando VGS es mayor que VGS(T), fluye una
considerable corriente, cuyo valor depende de VGS.
Si VGSVT, el transistor MOSFET, estar en la regin de corte y la corriente

ID=0.
Si VGSVT, el transistor MOSFET, estar en la regin de conduccin y se

pueden dar dos casos:
a) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin de saturacin y la

corriente ser constante para un valor determinado de V GS. La curva de transferencia
de la figura que representa ID=(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir de las curvas de salida
para una tensin VDS constante que site al transistor en saturacin. Se observa que
I
aproximadamente corresponde a la curva de una parbola con vrtice en V T y por

tanto, la corriente puede determinarse de forma aproximada por:
ID = k(VGS-VT)2
donde k es el parmetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en mA/V2.
b) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin hmica de forma que, al
aumentar VDS, tambin lo harn la corriente y la resistencia del canal. El
comportamiento del transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el canal
entre Drenador y Fuente.
POLARIZACION DE UN MOSFET
Se polarizan de manera diferente. Este tipo de transistor se polariza de manera
diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con
respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente
con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms
difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source.
La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente
para cada FET
Tipos de Mosfet
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de
cmo se haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo
n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las reas de difusin se
denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la puerta.
Existen dos tipos de transistores MOSFET.
MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento
MOSFET de deplexin o empobrecimiento
I
MOSFET DE ACUMULACIN O DE ENRIQUECIMIENTO

Estructura Bsica._
Para analizar el funcionamiento de un MOSFET, comenzamos por estudiar la unin
capacitiva de la puerta y preguntarnos cul ser la distribucin de cargas en el
semiconductor para distintos potenciales de puerta. Observe que ahora nos interesa la
diferencia de potencial entre el electrodo de la puerta y el sustrato.
Si la puerta del sustrato est cargada positivamente, obtendremos una concentracin
de electrones entre los canales de tipo n de la fuente y del drenador y la corriente
podr circular. Estar formada, evidentemente, por portadores mayoritarios en las
zonas de la fuente y del drenador y por portadores minoritarios en la zona de la puerta,
all se trata, pues, del mecanismo normal de conduccin de los llamados MOSFET de
enriquecimiento.
Es preciso que notemos una caracterstica fundamental de este dispositivo y es que la
puerta est aislada elctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexin elctrica
entre
sustrato.
la
puerta
el
I
Smbolos._
Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los
MOSFET de acumulacin son los que aparecen representados a continuacin
Notar dos aspectos significativos del smbolo, en primer lugar que el terminal de puerta
no tiene conexin con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto
anteriormente, est aislado elctricamente del resto del dispositivo. En segundo lugar
que los terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea
discontinua, esta lnea hace referencia al canal que se va a formar y que veremos ms
adelante. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara la corriente en el caso
de que la unin pn estuviera polarizada en directa.
I
Funcionamiento._
Los transistores MOSFET de acumulacin de canal n se polarizan aplicando una

tensin positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin positiva entre puerta y
fuente (VGS). De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente.
En el caso del MOSFET de acumulacin de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser
negativa y la tensin VGS negativa, de esta forma la corriente fluir en el sentido de la
fuente hacia el drenador.
Curva caracterstica._
I
Igualmente, podremos distinguir las 4 zonas de funcionamiento del transistor.
Zona de corte o de no conduccin.
Zona hmica o de no saturacin.
Zona de saturacin o de corriente constante.
Zona de ruptura
MOSFET DE DEPLEXIN O DE EMPOBRECIMIENTO

Estructura Bsica._
La estructura bsica para un MOSFET de deplexin es similar al caso del de
deplexin, con la importante diferencia de que en este caso disponemos de un canal
inicial realizado en el proceso de fabricacin del dispositivo.
I
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar

corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar
totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se consigue
eliminar prcticamente la corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los
transistores JFET. En la siguiente
figura
se
puede
apreciar
la
estructura de un MOSFET de
canal N.
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la

fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho
de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD
aplicada por la fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin
negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al
empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador.
Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del efecto
del campo elctrico generado por la tensin VGG de la puerta.
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de
polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en
enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento
o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al
aumentar la tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.
I
Smbolos._
Al igual que en el caso anterior el terminal de puerta no tiene conexin con el resto de
terminales, ya que tal y como hemos visto anteriormente, est aislado elctricamente
del resto del dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en el MOSFET de
acumulacin los terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea
continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora si que existe desde un
principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara la corriente en el caso
de que la unin pn estuviera polarizada en directa.
Funcionamiento._
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores MOSFET de acumulacin se
polarizan tal y como aparece en la figura siguiente:
I
Los transistores MOSFET de deplexin de canal n se polarizan aplicando una tensin

positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin entre puerta y fuente (VGS) que
puede ser negativa o positiva, segn veremos al analizar el funcionamiento
deldispositivo. De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente.
En el caso del MOSFET de acumulacin de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser
negativa y la tensin VGS positiva o negativa, de esta forma la corriente fluir en el
sentido de la fuente hacia el drenador.
Curva caracterstica._
De nuevo las curvas caractersticas para el transistor MOSFET de deplexin (en este
caso de canal n) son en esencia iguales a las vista hasta ahora. Indicar que en este
caso, cuando la tensin VGS aplicada es cero, a la corriente por el dispositivo se le
denomina IDSS por analoga al caso del JFET, sin embargo, en este caso no se trata
de la mxima corriente que podemos extraer del dispositivo.
Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce
cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar
en no conduccin o apagado.
Aplicaciones
*Transistores MOSFET como interruptores de potencia
I
Son utilizados masivamente como conmutadores gracias a sus caractersticas de

tamao, facilidad de uso y bajo consumo de energa, lo cual los convierte en el ladrillo
constructor de los circuitos integrados digitales de hoy en da, estando presentes en
prcticamente todos los dispositivos electrnicos. Dichas caractersticas tambin los
hacen idneos para aplicaciones de potencia, en que se requiere gran capacidad de
corriente y conmutaciones veloces.
*Transistores MOSFET como inversor
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
caractersticas en conmutacin: pasando de la regin de corte a la regin hmica.
El transistor MOSFET en conmutacin, basado en un interruptor con resistencia de
Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutacin de corte a
saturacin y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran importancia en estos
sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal como
RD. En este circuito V (in) puede ser alta o baja.
Cuando V (in) est en nivel bajo, el MOSFET est en corte y V (out) es igual a la
tensin de alimentacin. Cuando V (in) est en nivel alto, el MOSFET est en
conduccin y V (out) cae a un nivel bajo. Para que este circuito funcione la corriente de
saturacin ID (sat) tiene que ser menor que ID (on).
I
Se denomina inversor, porque la tensin de salida, es de nivel opuesto a la tensin de

entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin, es que las
tensiones de entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya sea en nivel alto
o bajo.
*Transistores MOSFET (doble puerta) como mezclador de frecuencias
Para transistores de efecto campo la caracterstica no lineal se aproxima bien por una
ley cuadrtica, por lo que produce niveles de intermodulacin y de armnicos bajos. El
margen de frecuencias va de algunos MHz a 10GHz, pero con la constante mejora de
estos transistores este margen se extiende rpidamente. Presentan ganancia de
conversin (menor que los bipolares), mejores prestaciones de ruido e intermodulacin
y necesitan menos potencia del OL.
*Transistores MOSFET como resistencia variable
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin
entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
*Transistores MOSFET en circuitos para leds de potencia
I
Los reguladores de corriente se pueden hacer de diferentes maneras: con transistores,

con mosfet de potencia o con reguladores lineales de tensin conectados en modo
particular. Todos usan el mismo principio de funcionamiento: una resistencia de bajo
valor en serie con el led (generalmente llamada shunt) que mide la corriente que
pasa por ella y controla el circuito que regula la corriente.
La potencia disipada en el mosfet depende de la tensin que cae sobre este y de la
corriente que hacemos pasar para alimentar al led. Por lo tanto, podemos mejorar la
eficiencia del circuito disminuyendo la tensin de alimentacin.
Cul es la diferencia entre MOSFET y el JFET?

JFET La polarizacin de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las
uniones P Nestn inversamente polarizadas, para un JFET de canal N, el voltaje de
drenado debe ser mayor que el voltaje de la fuente para que exista un flujo de
corriente a travs del canal, adems el voltaje de compuerta debe ser ms negativo
que el de la fuente para que la unin PN se encuentre polarizada inversamente. Las
curvas del JFET SON muy parecidas a las de los transistores bipolares, con la
diferencia que los JFET SON controlados por tensin, mientras que los bipolares por
corriente. MOSFET Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo al
igual que los JFET utilizan un campo elctrico para crear un canal de conduccin. Son
dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos
integrados digitales se construyen con tecnologas MOS. Al igual que los JFET Y
MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente, pero sus ecuaciones analticas
son muy similares, por eso los transistores MOS Tiene las mismas regiones de
operacin que los JFET.
Diseo de JFET y MOSFET
I
Tanto el JFET (JFET, del ingls junction field effect transistor), o transistor de efecto de
campo de juntura, como el MOSFET (MOSFET, del ingls metal oxide semiconductor
field effect transistor), o transistor de efecto de campo de xido metlico
semiconductor, comparten un diseo comn de base unipolar. La tensin se lleva a
travs de un canal conductor desde la fuente y uniones de drenaje. La resistencia a
esta corriente vara en funcin de la entrada de tensin en el terminal de la compuerta.
La compuerta del MOSFET est aislada del material del canal por una capa de dixido
de silicio, que le permite funcionar tanto en el modo de agotamiento como en el de
enriquecimiento.
Tipo de canal
El diseo del JFET limita su canal de ser utilizado en un modo de agotamiento nico.
Un canal de agotamiento aumenta la resistencia en respuesta a la tensin detectada
en la compuerta principal. El canal de un MOSFET puede ser fabricado tanto en la
forma de agotamiento como en la de enriquecimiento. El canal de un MOSFET de tipo
incremental se vuelve menos resistente a medida que se aplica tensin a la
compuerta. Ambos transistores estn disponibles en las configuraciones del canal-n y
canal p.
Flujo de corriente
La configuracin bsica de los dos tipos de transistores muestra una diferencia
fundamental con respecto al flujo de corriente a travs del canal. Un JFET est
normalmente encendido, es decir, permite que la corriente fluya libremente entre los
terminales de fuente y drenaje cuando no hay entrada de tensin en la compuerta. El
agotamiento aumenta la resistencia en este canal hasta que la puerta llegue a la
"pizca" de tensin, que cierra el canal. Un dispositivo MOSFET de tipo de agotamiento
es tambin un canal normalmente encendido. El MOSFET del tipo de enriquecimiento
es normalmente un canal apagado. La tensin en la compuerta de este tipo de
dispositivo reduce la resistencia a travs de este canal que permite que la corriente
fluya.
Impedancia
La impedancia de entrada JFET es alta, lo que significa que el dispositivo drenar
poca o ninguna corriente desde el circuito al que est unido. No hay corriente
indeseada que ingrese en el circuito desde el dispositivo, haciendo que esta sea til en
una amplia gama de diseos de circuitos. El diseo MOSFET tiene una impedancia
I
an mayor que el JFET. El precio por esta caracterstica es que el dispositivo MOSFET
es ms susceptible a daos por una acumulacin de electricidad esttica.
Ventajas
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media

micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con

el ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los

nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta

frecuencias y baja potencia.
Amplifica seales muy pequeas.
Es un amplificador separador casi ideal porque el graduador aislado significa

que la resistencia de entrada se aproxima al infinito.
Excelentes propiedades de bajo ruido.
Tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que les permite detener fugas o

dispersiones trmicas
Desventajas
La capacidad de soporte de potencia es muy pequea.
2.6 Conclusiones
I
2.7
Los factores principales que afectan al valor de la tensin umbral de un

MOSFET son: el dopado del sustrato, el tipo de metal de la puerta (si es
metlica) o el dopado de la misma (si es de poli silicio), el espesor de la
capa de xido bajo la puerta, la orientacin cristalina del silicio, y la
densidad superficial de carga en el interfase.
La aplicacin de los mosfet es muy variada debido a sus propiedades,
puede ir desde un simple interruptor hasta formar parte de un circuito
mezclador de frecuencias.
Con los argumentos mencionados hemos logrado analizar el
funcionamiento del mosfet y resaltar que en la actualidad es el elemento
electrnico de mayor utilizacin en aparatos elctricos pues gracias a su
composicin y caractersticas a relegado de cierta manera a los transistores
BJT, adems mosfet presta varios beneficios en su funcionamiento respecto
a otros transistores llegando as a ser un elemento idneo para el uso
electrnico.
El mosfet es un semiconductor de varias funciones entre las cuales segn
su regin de funcionamiento puede comportarse como un interruptor
cerrado o abierto, y adems como una resistencia variable que funciona en
cuanto al voltaje que se le aplique entre sus patillas. Conociendo las curvas
caractersticas del transistor de efecto de campo se puede determinar las 4
regiones que este posee la cuales son la regin de corte, saturacin,
hmica y ruptura.
Los dos tipos de transistores mosfet existentes son: de enriquecimiento y
empobrecimiento. Se diferencia en que los de enriquecimiento poseen
portadores mayoritarios en las zonas de la fuente y del drenador y por
portadores minoritarios en la zona de la puerta, mientras que los de
empobrecimiento los electrones de la fuente pueden circular desde el
surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material
semiconductor tipo N.
Referencias bibliogrficas
I
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-7teoria.pdf
http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_MOSFET
http://www.ehowenespanol.com/diferencia-jfet-mosfet-info_146796/
https://es.scribd.com/doc/78677158/Cual-es-la-diferencia-entre-MOSFET-y-elJFET
http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf
http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html
http://smartdreams.cl/transistores-mosfet-como-interruptores-de-potencia/
http://www.iuma.ulpgc.es/~benito/Docencia/TyCEyF/PDF/apuntes/teoria/Cap4.pdf
ftp://wsdetcp.upct.es/FelixM/Doctorado/Diseno_Microelectronico/Tema_MOSFET.pdf
http://ocw.uma.es/ingenierias/dispositivos-electronicos/archivos/Tema6.pdf
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
http://electropotenciamei.blogspot.com/2011/12/dispositivos-utilizados-enelectronica.html

Transistores MOSFET Universidad Técnica Ambato

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