Tiri Storesuni

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL ROSARIO

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA
ELECTRONICA APLICADA
(Ingeniera Qumica)
Tiristores
Ing. Alfredo Castro

Ing. Alejandro Bonanno
CATEDRA DE ELECTRONICA APLICADA
- 2001 El tiristor
1.1.
INTRODUCC1ON:
La aparicin del tiristor, o ms concretamente rectificador controlado de silicio (S.C.R.), ha

materializado un cambio decisivo tanto en la concepcin como en la realizacin de inversores y
conversores de potencia elctrica
Desde el punto de vista de su utilizacin el S.C.R vino inicialmente a sustituir al tiratrn en los
circuitos empleados en electrnica industrial en este sentido, puede decirse que, como componente
activo de los circuitos electrnicos, el S.C.R represento un gran adelanto respecto a aqul.
Si bien ambos componentes son semejantes en cuanto a su forma de actuar, no lo son en sus
caractersticas elctricas, en las que resulta muy superior el S.C.R., ni en sus caractersticas mecnicas,
donde el peso, volumen y robustez no admiten competencia.
1.2.
DESCRIPCIN BSICA:
El S.C.R. est constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con impurezas del tipo
P y del tipo N, cmo se indica en la Figura 1.la, estando su smbolo representado en la (Figura 1.l. b).
La regin terminal P2 es el nodo (A) y la otra regin terminal N 1 el ctodo (K). La puerta (G) se sita
en la zona P1
Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el S.C.R. vienen determinados por la
polarizacin a la que est sometido y, como su nombre indica (controlado), mediante una seal exterior
se le puede cambiar de uno a otro.
TIRISTORES - PAG. 2 DE 35

Con polarizacin inversa (A negativo respecto a K) las uniones U 1 y U3 quedan polarizadas
inversamente; la corriente a travs del dispositivo ser debida a portadores minoritarios, siendo muy
pequea y pudindose considerar casi nula para cualquier valor de la tensin de polarizacin menor
(a)
U3
U2
U1
(b)
Anodo
(A)
P2
N2
P1
N1
(A)
Puerta
"Gate"
(G)
(K) (G)
Ctodo
(K)
Figura 4.1. (a) Cunstitucin interna del S.C.R (b) Simbolo
que la mxima inversa aplicable VBOR, a la que se produce la ruptura por avalancha, con posibilidad de
destruccin del componente. El S.C.R. se comporta como un circuito abierto (Fig. 1.2a) y se dice que
est en estado de bloqueo inverso.
Con polarizacin directa (VA > VK) solamente la unin U2 queda polarizada inversamente, por lo que la
nica corriente que circula por el dispositivo es la inversa de saturacin correspondiente y, tambin,
muy pequea hasta un valor de polarizacin VBO llamado de avalancha, ruptura o de cebado, en el que
la corriente a travs del dispositivo crece de forma abrupta, no siendo recomendable establecer dicha
conduccin por este mtodo. Hasta dicho valor V0, el S.C.R. sigue comportndose como un circuito
abierto (Figura 1.2. a), pero ahora se encuentra en el llamado estado de bloqueo directo.
Si con polarizacin directa se introduce una corriente en la puerta (G) que contribuya a aumentar el
tipo de portadores que predominan en esa zona (siendo P 1: la corriente ser positiva), se conseguir
que, por efecto de la difusin, aumente tambin el nmero de portadores mayoritarios que constituirn
una corriente de elevado valor que cebar el S.C.R., siendo sta limitada exclusivamente por la
impedancia exterior al dispositivo. El S.C.R. se encuentra ahora en estado de conduccin y se
comporta casi como un cortocircuito (Fig. 1.2 b) siendo la tensin VAK entre sus extremos muy
pequea ( V para tiristores de media-baja potencia) y denominada VT.
(a)
(b)
(A)
(A)
En la Figura 1.3, se hace otra representacin equivalente

del S.C.R. en la que ste se ha desdoblado en dos partes
(K) (G)
(K) (G)
Figura 4.2. Estados de S.C.R. (a) Bloqueo directo

Inverso. (b) Conduccin.
desplazadas
fsicamente,
pero
que
permanecen
elctricamente conectadas. Este desdoblamiento se ha

hecho con la intencin de que el dispositivo pueda
considerarse como dos transistores en oposicin (un PNP y un NPN), siendo las regiones N 2 y P1 bases
y colectores, a la vez y respectivamente, de ambos transistores.
Al polarizar el nodo positivamente respecto
(A)
P2
N2
P1
al ctodo, se inyectan electrones y huecos en
(G)
sus extremos, estos portadores se difunden,

respectivamente a travs de las uniones N1-P1
(K)
N2
P1
y P2-N2, realimentndose en el bucle interno
N1
de
Figura 4.3. Circuito equivalente al tiristor.
ambos
transistores.
Mientras
dicha
polarizacin permanezca dentro de ciertos
limites la cantidad de portadores se mantiene estable y de valores pequeos.

Cuando la tensin nodo - ctodo aumenta hasta un valor critico V BO, se generan tal cantidad de
portadores que, por efecto de la realimentacin y los factores de amplificacin de los transistores, el
tiristor pasa al estado de conduccin. Esta forma de establecer la conduccin (cebado) es
desaconsejable en la mayora de los casos, ya que el elemento no ha sido diseado para soportar esa
corriente inversa de fugas.
Supongamos que se aplica al S.C.R. una tensin entre nodo y ctodo V B1 menor que VB0 (Grfica 1.1);
entonces el tiristor permanecer bloqueado y puede cambiar a conduccin aplicando a la puerta una
corriente de disparo IG1. Aplicando una tensin VB2, menor que VB1 SC requerir una corriente IG2
+IK
IL
IH
-VAK
VBOR
VH VT
IG2
IG1
IG0
VB2
VB3
VB0
+VAK
-IK

Grfica 1.1 Curvas caractersticas del S.C.R.
mayor que IG1 para cebar al componente.
Una vez cebado, la puerta pierde el control sobre el estado del S.C.R. hasta tal punto que es posible
desconectara sin que cambie de estado.
El paso al estado de bloqueo se conseguir nicamente cuando la tensin nodo ctodo disminuya por
debajo de un valor de mantenimiento (V H), tal que la corriente de nodo alcance un nivel inferior a I H
(llamada tambin de mantenimiento), en el que el S.C.R. se bloquea y la puerta vuelve asumir el
control del cebado.
Se debe advertir que, aun cebado el tiristor, si la corriente de nodo, determinada por el circuito
exterior, es inferior a un valor IL llamado corriente de enganche y desaparece la corriente de puerta,
el componente vuelve al estado de bloqueo. Dicho valor IL es ligeramente mayor que IH
Entre la informacin que ofrecen los fabricantes en sus hojas de datos podemos destacar:
VDRM/VRRM mx.: Voltaje de pico (nodo-ctodo) directo / inverso repetitivo, al cual el fabricante
garantiza que no hay conmutacin con la puerta desconectada.
VD/VR mx.: Similar al anterior pero en c.c.
VT: Tensin nodo-ctodo en estado de conduccin.
VGT: Tensin puerta-ctodo de disparo para una VD determinada.
VGD: Tensin de puerta que no provoca el disparo para VDRM mx. a una temperatura determinada.
VRGW: Voltaje inverso de puerta mximo permitido.
IT(AV) mx.: Intensidad directa media para unas condiciones de frecuencia y temperatura.
ITSM: mx.: Corriente de pico no repetitivo.
IH: Corriente de mantenimiento para una determinada temperatura.
IGT: Corriente de puerta de disparo para un voltaje determinado.
PG(AV): Potencia media disipada por la puerta.
PGM: Potencia de disipacin de pico por la puerta
1.3. FUNCIONAMIENTO

Caracterstica tensin corriente:
Sobre el circuito de la Figura 1.4 desarrollaremos nuestro estudio para la obtencin de los puntos
caractersticos del funcionamiento del S.C.R., una aproximacin a la caracterstica tensin-corriente
(Grfica 1.1)
En este circuito se presenta un ejemplo de utilizacin donde, mediante la posicin del conmutador (S),
Fig.1.4 Circuito Prctico parala obtencin de la caracterstica directa del S.C.R.
se controla la aplicacin de potencia a la carga (R1):

R1 limitar la corriente que circule por el circuito nodo-ctodo cuando el tiristor est en conduccin.
R2 limita la corriente de puerta a un valor mximo cuando el potencimetro P est situado al mnimo, y
con ste se consigue ajustar dicha corriente.
Suponemos inicialmente el interruptor S abierto, por lo que la corriente de puerta I G = 0 Aumentando
lentamente VAA, a partir de cero, por el tiristor habr una circulacin despreciable de corriente y la
cada de tensin en R1 ser prcticamente cero, luego VAK = VAA, hasta que alcanzado un valor VAK =
VAA = VBO el tiristor pasa al estado de conduccin y su tensin nodo-ctodo ha disminuido a un valor
VT. En esa situacin; la corriente de nodo IA presenta un valor:
IA
VAA VT
R1
Si en esas circunstancias disminuimos progresivamente VAA, tambin lo har IA hasta alcanzado un

valor IH, a partir del cual el tiristor pasa al estado de bloqueo o descebado extinguindose la corriente

de nodo.
Aumentando posteriormente VAA, se observa que estamos en las condiciones iniciales, no alcanzndose
el cebado hasta no llegar a un valor de VAA = VBO
Si con VAA = 0 cerramos S y, mediante P, ajustamos I G a un valor IG1 y repetimos el proceso anterior,
observaremos que el S.C.R. se ceba a una tensin V3 < V30.
Una vez alcanzada dicha situacin, la corriente que circule por el circuito de nodo depender del
valor de R1 y del actual de VAA.
Abriendo S, no varan las condiciones del circuito de nodo, ya que al estar el tiristor en estado de
conduccin, dicho circuito es independiente del de puerta.
Se observa, igualmente, que en el estado de conduccin, para el mismo valor de V AA que en el caso de
IG = 0, se obtiene el mismo valor de VT y que disminuyendo VAA, para conseguir el bloqueo,
encontramos que ste ocurre para valores sensiblemente iguales de I H y VH a los obtenidos
anteriormente.
Reiterando los pasos anteriores para valores de IG1 tales que:
IG1 < IG2 < IG3
se irn obteniendo tensiones de cebado nodo-ctodo cada vez menores, de tal forma que:
VB1 > VB2 > VB3
Hasta que alcanzado un valor determinado de I G1 relativamente grande, el tiristor se ceba directamente
al alcanzar VAK un valor igual a VT y, para este caso, su comportamiento ser similar al de un diodo.
De todo lo anterior podemos resumir que:
La magnitud de la corriente de puerta controla el valor de la tensin nodo-ctodo a la que se

ceba el S.C.R.
Una vez cebado, la corriente IA que circula por el S.C.R. depende exclusivamente del circuito
exterior.
El tiristor volver al estado de bloqueo cuando la corriente de nodo descienda por debajo de la
de mantenimiento IH.
Con pequeas corrientes de puerta, se pueden controlar grandes corrientes de nodo.

Circuitos de descebado:
Las dos grandes ventajas que presentan los tiristores son el poder determinar el valor de tensin a
partir del cual se aplica potencia a una carga (de ah su nombre de S.C.R.) y el controlar corrientes de
carga (IA) importantes, mediante corrientes de control (IG) sensiblemente inferiores.
Cuando el S.C.R. encuentra aplicaciones en c.c. (al presentar dicha tensin valores constantes), la
corriente de puerta deber presentar dos niveles perfectamente diferenciados, es decir, todo o nada de
tal forma que, cuando se introduzca corriente por dicho terminal, el componente se cebe aplicando
potencia a la carga; ahora bien, en estas condiciones permanecer mientras, de algn modo, no se
reduzca la corriente de carga por debajo de IH, misin de la que se encargan los circuitos de descebado.
Cuando el descebado se ha de producir manualmente o por medios mecnicos, la Figura 1.5 representa
las dos formas ms elementales de conseguirlo.
En el circuito de la Figura 1.5a, y mediante la actuacin sobre el pulsador S, se interrumpe
directamente la corriente de nodo, quedando por tanto, el tiristor dispuesto para ser cebado de nuevo.
Este sistema encuentra aplicacin en el control de pequeas corrientes.
(b)
(a)
RL = 470 , 4W.
R1 = 39K, W.
C = 470nF, 63V.
TH = BT106D.
S = Pulsador NA
VAA = 25 V, 0,5A
Cuando la corriente a conmutar es de valores considerables, no parece lo ms conveniente

interrumpirla directamente, ya que seria necesario colocar un interruptor o pulsador cuyos contactos
soportarn dicha interrupcin dejando sin sentido el empleo del tiristor. En ese caso se emplear el
circuito de la Figura 1.5b del que analizaremos su comportamiento.

Cuando el S.C.R. conduce, C se carga, a la tensin V AA, a travs de R1 y del mismo tiristor con la
polaridad indicada. Al cerrar S, el condensador queda conectado en paralelo con el S.C.R. y sus
tensiones respectivas en oposicin: como C se ha cargado a una tensin VAA, valor mayor que VT, el
tiristor queda momentneamente sometido a una polarizacin inversa de valor
VAK = VT VAA
Asegurando el bloqueo.
El valor de R1 ha de ser elevado con el fin de no absorber innecesariamente corriente de la fuente
durante la actuacin de S.
Cuando el descebado haya de ser controlado por procedimientos electrnicos, es decir, venga
controlado por una seal, la idea fundamental es sustituir S por un elemento de conmutacin
(transistor, tiristor o cualquier elemento que presente un sbito paso de corriente mediante la
aplicacin de una seal de control). La Figura 1.6a muestra el empleo de un transistor donde la
presencia de un pulso, en el circuito de base de T, provoca la saturacin del mismo y la derivacin del
punto de unin de R1 y C a masa.
(a)
(b)
Figura 1.6. Circuitos de desebado activados por elementos comunes.

(a) Mediante transistor.
(b) Mediante tiristor.
Ntese que la especificacin de VCEO del transistor ha de ser mayor que VAA.
En la Figura 1.6b el transistor se ha sustituido por un segundo tiristor (TH2), donde la presencia de
pulsos en su circuito de puerta provoca el paso a su estado de conduccin y su posterior bloqueo se

asegura, ya que una vez descargado C, la corriente a travs de R 1 es inferior a la de mantenimiento de
TH2 (requisito que ha de cumplir el valor de dicha resistencia).
Estos dos circuitos ofrecen como ventaja adicional el que se puedan emplear para actuacin manual,
siendo las corrientes de control de descebado que se gobiernan muy inferiores a las de carga.
La Figura 1.7 muestra dichos circuitos para actuacin manual:
Figura 1.7 Circuitos de desebado de actuacin manual mejorados.

(a) Mediante transistor.
(b) Mediante tiristor.
Componentes de (a)
RL
Caractersticas
Caractersticas
470, 4W.
Componentes de (b)
RL
R1
39k, W.
R1
39k, W.
R2
4k7, W.
R2
10k, W.
C
Transistor
TH
S
VAA
470nF, 63V.
BD137
BT106D
Pulsador NA
25V 0,5A
C
Transistor
TH
S
VAA
470nF, 63V.
BD137
BT106D
Pulsador NA
25V 0,5A
470, 4W.

1.4
CONSIDERACIONES GENERALES
Una vez mas, insistimos en la necesidad de respetar de manera generosa las especificaciones
mximas dadas por los fabricantes para garantizar larga vida a los componentes.
En el caso concreto de los tiristores, su punto ms dbil es el circuito de puerta, ocurriendo que
la mayora de las destrucciones son debidas a sobre-tensiones o sobre-corrientes en dicho circuito,
en definitiva: por una disipacin de potencia elevada.
En la informacin de los fabricantes es muy usual encontrar grficas similares a la Grfica 1.2
que representan las posibles situaciones y reas correctas de trabajo
En dicha grfica se observan como regiones principales:
Las prximas a ambos ejes en las que el disparo no se produce.
rea en la cual no se garantiza el disparo.
rea de disparo ms conveniente cuando la seal de cebado se aplica de forma continua.
Curva de mxima potencia para aplicacin, durante todo ejemplo ciclo de cebado, de seal de
disparo.
Curva de mxima potencia para cebado mediante pulsos de duracin no superior al l0 por l00
del ciclo de conduccin.

Grfica 1.2 Caracterstica de puerta
En general, se debe asegurar el disparo cuando ello sea requerido, pero sin llegar a las zonas de
mxima disipacin, para evitar situaciones limites.
Por otra parte, cuando el tiristor se incluya en circuitos cuya seal de cebado pueda presentar fuertes
variaciones, se han de habilitar medios para limitar la tensin y corriente a valores de seguridad
inferiores a los mximos especificados.
1.5
TRABAJO PRACTICO PROPUESTO
1. Conectar el circuito de la Figura 1.4. Abrir S y ajustar VAA a cero. Ir aumentando VAA hasta un
posible cebado del tiristor (VAK 1V). Anotar en la Tabla 1.1 el valor de la tensin anterior (nodoctodo) al posible cebado. Anotar igualmente ci nuevo valor (VT) si lo hubiera. Disminuir lentamente
VAA hasta que se descebe el S.C.R. (caso de haberse cebado). Anotar la lectura de IA (IH).
2. Ajustar VAA a cero, con S cerrado. Probar distintos valores de IG1 mediante el ajuste de P, para
conseguir cebar el tiristor a distintas tensiones VAK Completar la Tabla 1.1.
3. En el circuito anterior, incluir un pulsador NC entre la fuente de alimentacin y el ctodo. Cebar el
S.C.R. conectando una resistencia de l0k en serie con un pulsador NA entre + VAA y la puerta, previo
ajuste de VAA a 25 V.
4. Conectar el circuito de la Figura 1.5b. Cebar el tiristor. Medir la tensin en extremos de C y
observar su polaridad. Actuar sobre S y comprobar el descebado.
5. Repetir el punto anterior para los circuitos de la Figura 1.7.
IG = A
VAA
VB
VR1
VT
IH
0
IG1
IG2

CUESTIONES:
1. Razonar el efecto de la corriente de puerta sobre la tensin de cebado nodo-ctodo.
2. Qu sentido tiene el nombre de S.C.R?
3. Serian necesarios circuitos de descebado en c.a.? Por qu?
4. Dar una explicacin de por qu no se ha cebado el tiristor en el punto 1 del proceso operativo.
5. Razonar e interpretar los resultados de la Tabla 1.1
CONCLUSIONES:
Un tiristor es un elemento semiconductor de silicio con cuatro capas dispuestas: PNPN.
Cada valor de la corriente de puerta determina una tensin de cebado nodo-ctodo

distinta, de tal forma que: a mayor corriente de puerta, menor tensin de cebado.
Una vez cebado el tiristor se puede desconectar el circuito de puerta y aqul seguir
cebado hasta que la corriente de a nodo disminuya por debajo de la de mantenimiento (IH)
En aplicaciones de c.c es necesario disponer de circuitos de descebado, ya que la

corriente se mantiene constante una vez que el tiristor se ha disparado.
INFORMACIN ADICIONAL:
TIRISTOR BT106D
CPSULA
TO - 126
VDRM
400 V
VT
2,2 V
MX
VG
ITSM
MX
MX
6V
18 A
IH
IGD
PG(VA)
PGM MX
VGD
MX
< 3mA < 2mA
0,1 W
0,5 W
(10 ms)
(10 ms)
> 0,2 V
Control de Corriente Alterna con Tiristor

2.1.
INTRODUCCIN
El control o regulacin de potencia entregado a una carga a travs de un tiristor o S.C.R. se consigue
realizando un gobierno del mismo por el ngulo de conducci6n o, lo que es igual, retardando el
instante de disparo mediante un circuito RC, por medio de un oscilador de relajacin (por UJT o por
PUT). o por otros medios.
Como tal dispositivo regulador puede utilizarse en:
Control de temperatura.
Encendido de motores.
Control de velocidad de motores.

Y, en general, en todas aquellas aplicaciones que requieran un control de potencia.
2.2.
DESCRIPCIN BSICA
Control de media onda con S.C.R.

Segn la Figura 2.1, observamos una carga dispuesta en serie entre la alimentacin y el S.C.R.. ms un
circuito de control que gobernar el disparo. Una vez producido ste, se origina una corriente
pulsatoria que al mismo tiempo estar regulada por los tiempos de conduccin del S.C.R decididos o
gobernados por el circuito de control.
En el instante de producirse el impulso de control, se provoca el cebado del S.C.R.. cayendo su tensin
VAK prcticamente a 0V y permitiendo el paso de corriente IL que, al atravesar la carga RL, determina la
tensin.
Figura 2.1. Control de onda S.C.R.
Control de doble onda con S.C.R.

Como ya sabernos, el S.C.R. es un elemento unidireccional. razn por la que el circuito genrico de la
Figura 2.1 no puede ser aplicado para el control de doble onda mediante un S.C.R. En estos casos se
recurre a la disposicin mostrada en la Figura 2.2a. en la que el tiristor se conecta en la diagonal de
continua de un puente rectificador, dando como resultado un control electivo sobre la carga en ambos
Figura 2.2. Control D.O. con S.C.R.

(A)
Para cargas C.C.
(B)
Para cargas C.A.
semiciclos de la tensin de alimentacin.

La disposicin mostrada en la Figura 2.2a es conveniente en aquellas aplicaciones en las que la carga
debe alimentarse con una tensin de nica polaridad. siendo su equivalente para cargas de debe
polaridad la mostrada en la Figura 2.2b y quedando. en este caso, la carga conectada en serie entre la
tensin alterna de alimentacin y el puente rectificador.
Tanto en el Control de D.O. como en el de M.O, la funcin del circuito de control es la de producir el
impulso de cebado del S.C.R existiendo mltiples formas de realizar este cometido, siendo la ms
sencilla la de control por variacin del ngulo de conduccin. que es el objetivo de esta prctica.
Esta variacin del ngulo de conduccin (o variacin del tiempo que tarda en producirse el disparo de
cebado) puede lograrse mediante una red desfasadora RC, o bien mediante un oscilador de relajacin
sincronizado con la frecuencia de la tensin de alimentacin. En este ltimo caso, el oscilador utilizado

para la produccin del impulso de cebado puede estar basado en cualquiera de los elementos vistos
anteriormente, capaces de implementar este circuito, limitando el estudio de esta prctica a los
realizados con transistores UJT y PUT, debido a su simplicidad y ptimo rendimiento.
2.3
FUNCIONAMIENTO
El principio general del control por ngulo de conduccin consiste en retardar sistemtica-mente el
instante del disparo.
Veamos este control de la c.a., y para ello lo dividiremos en: control de media onda y de doble onda.
Control de media onda con S.C.R.
En principio, el retardo de control podra conseguirse al alcanzar la puerta un determinado nivel de
tensin. La forma inmediata de realizarlo consiste en obtener el nivel requerido a partir de la
alimentacin y por medio de un divisor de tensin, tal como se muestra en el circuito de la Figura 2.3.
Figura 2.3. Control del
S.C.R. por ngulo de
conduccin, mediante
divisor de tensin
resistivo.
Componentes:
RL = 470, 5W
R1 = 2k2, W
R2 = 1k, W
R3 = 10k, W
P = 10k
D = 1N4007
TH = BT106
VI = 24V, 50Hz
La tensin en el punto B (V B), determinada por el divisor de tensin formado por R 1 + P y R3, produce
el cebado del S.C.R. transcurrido un tiempo determinado. La variacin del potencimetro P nos
permite un margen de control exclusivamente entre 0 y 90, ya que cualquier valor de tensin (punto 2
de la Grfica 2.1) comprendido entre 90 y 180 se habr alcanzado anteriormente (punto 1 de la misma
grfica), por lo que el S.C.R. estara previamente cebado.

Este inconveniente queda resuelto cambiando R3 por un condensador C. El retardo sistemtico se
consigue por la clula RC introduciendo una constante de tiempo; mostrando la Figura 2.4 el circuito
as obtenido.
En este circuito, C se carga a travs de la resistencia R 1 y el potencimetro P, retardando el momento
en el que se alcanza la tensin de cebado.
En el semiciclo positivo y sin conducir el S.C.R el valor de la corriente de carga es
IL
VAK
R1 P X C
Grafica 2.1. Tensin en el punto B del circuito de

la Figura 2.3.
Con un desfase de:
Tang 1
XC
R1 P
respecto a VAK o tensin de alimentacin.

La tensin en extremos de condensador es:
VC I L X C
y estar retrasada + 900 respecto a la de alimentacin, por lo que a partir de su inicio (y dadas las
caractersticas del S.C.R.) se puede establecer el instante del disparo, con un ngulo a comprendido
entre 0 < < 1800.
La forma de onda de la seal de salida en la carga es, entonces, slo una fraccin del semiciclo
Figura
2.4 Control del
positivo, controlando as el valor medio de la corriente de carga IL y, por tanto,
su potencia.
M.O. con S.C.R. por
RC.
Componentes:
RL = 470, 5W
R1 = 1k, W
R2 = 1k, W
P = 470k
C = 100nF, 100V
D = 1N4007
TH = BT106
VI = 24V, 50Hz
Con ms detalle podemos observar en la Grfica 2.2 las formas de onda de alimentacin (V I). tensin
en la carga (VRL) tensin nodo-ctodo (VAK) tensin de control (VG) y corriente en la carga (IL). con
sus respectivas relaciones de fase.
El diodo D impide la descarga del condensador durante el semiciclo negativo, evitando la aplicacin
de una tensin negativa a la puerta del S.C.R.
Al actuar sobre P, variamos el ngulo de disparo y con ello la potencia media entregada a la carga,
siendo el ngulo (ngulo de conduccin) el correspondiente a:
= 1800
admitiendo que el descebado del S.C.R. se produce al paso por cero de la tensin de entrada.
Las formas de onda del circuito anterior pueden apreciarse en la figura siguiente:
Fig. 2.2 Formas de onda del circuito de la Fig. 2.4
Control de doble onda con S.C.R.

Para estudiar los circuitos de control de doble onda con S.C.R.. nos apoyaremos en el esquema de
principio del circuito de la Figura 2.2a, siendo aplicables al de la Figura 2.2b, sin ms que cambiar la
carga de sitio.
En el circuito de la Figura 2.5 se muestra un esquema tpico de control de D.O por RC en el que la
tensin pulsatoria dada por el puente de diodos es la tensin a controlar por el S.C.R. Esa misma
tensin pulsatoria nos va a servir para provocar el disparo o cebado.
Si atendernos al proceso de control tratado anteriormente y teniendo en cuenta que la corriente en la
carga es una tensin pulsatoria de doble onda. obtenemos un control efectivo sobre los dos semiciclos.
La Grfica 2.3 muestra las formas de onda de las tensiones desarrolladas en este circuito.
Figura 2..5
Control D.O. por
RC.
Componentes:
D1 = D2 = D3 = D4
= 1N4007
RL = 470, 5W
R1 = 1k2, W
R2 = 1k, W
P = 470k
C = 100nF, 100V
Modificando convenientemente el circuito de la Figura 2.5, de manera que se sustituya la clula RC

por un oscilador de relajacin por UJT, se obtiene el circuito mostrado en la Figura 2.6 y cuyo
comportamiento es bastante similar al descrito anteriormente.

En este circuito, el condensador se carga a travs de R 2 y P hasta que la tensin de emisor del UJT
alcanza su nivel de disparo.
Grafica 2.3 Forma de onda del circuito

de la Figura 2.5
En ese momento, el UJT basculo y el condensador C se descarga sobre la resistencia R B1, mandando el
impulso necesario a la puerta del S.C.R. para provocar su cebado
Las variaciones del potencimetro controlan el basculamiento del UJT que a su vez se refleja en el
control del cebado del S.C.R. y, por consiguiente, en la potencia entregada a la carga.
Pudiera pensarse en principio que con este circuito Si en un determinado Semiciclo no se llegara a
producir ti cebado del S.C.R., la tensin almacenada en el condensador fuera suficiente como para
variar el punto de disparo en ci siguiente semiciclo. Esto no es cierto, ya que la frecuencia del
oscilador de relajacin est sincronizada con la tensin de alimentacin del circuito, producindose, en
Figura 2.6 Control

D.O. por UJT.
Componentes:
D1 D4 = 1N4007
RL = 470, 5W
R1 = 220, W
R2 = 1k2, W
RB1 = 33, W
RB2 = 470, W
P = 470k
C = 100nF, 100V
TH = BT106
el peor de los casos, el basculamiento del UJT al paso por cero de la tensin de alimentacin y
descargando con ello al condensador, motivo por el cual al inicio del siguiente semiciclo siempre se
partir de las mismas condiciones iniciales.
Si en el circuito anterior se sustituye el UJT por un PUT, obtenemos un circuito de control de S.C.R. en
C.A. por PUT, tal como se muestra en la Figura 2.7
El condensador C se carga a travs de la resistencia R 1 al igual que en los circuitos anteriores, pero en
Figura 2.7 S.C.R.
Disparado por PUT.
Componentes:
D1 D4 = 1N4007
RL = 470, 5W
R1 = 150k, W
R2 = R3 = 1k, W
P = 2k5
C = 56nF, 100V
TH1 = BT106
TH2 = BRY56
esta ocasin el paso al estado conductor del PUT se produce cuando la tensin almacenada en C supera
a la tensin de puerta andica determinada por el divisor de tensin formado por R 2 y P. En ese
momento, el PUT bascula produciendo un impulso en la puerta del S.C.R. que provoca su disparo.
El control del ngulo de conduccin del S.C.R. se logra variando el potencimetro P ya que de este
modo se varia la tensin de puerta y, por tanto, la tensin a la que ha de cargarse C.
2.4
Tanto en el circuito con UJT como en el de PUT, se ha supuesto una tensin alterna de 24V eficaces. Si
fuera necesario aumentar dicha tensin, habr le tenerse en cuenta que estos elementos no soportan una
tensin de alimentacin elevada, teniendo que modificarse los circuitos anteriores, tal como se muestra
en la Figura 2.8, en la que se ha incluido un diodo zner y una resistencia limitadora para proporcionar
la tensin de polarizacin del elemento.
Figura 2.8 Alimentacin del

circuito de control para tensin
de C.A. elevadas.
Componentes:
RLim = 10k, 2W
Dzner = Zner 12V, 1W
Dzner
Es posible utilizar los circuitos de disparo por UJT y por PUT para el control de M.O. debindose, en
este caso, intercalar un diodo en serie con la resistencia R1. para evitar el paso de corriente por aquellos
elementos durante los semiciclos negativos.
2.5
1.
Conectar el circuito dc la Figura 2.3. Ajustar P a su valor mnimo. Determinar cl ngulo de

conduccin del S.C.R.
2.
Variar P progresivamente hasta su mximo valor y verificar que el ngulo de conduccin es

superior en todos los casos a 90.
3.
Montar el circuito de la Figura 2.4 Poner P a su mnimo valor. Medir y anotar en una tabla las
formas de onda de VAK, VRL y VGK.
4.
Fijar los valores de P medio y mximo. Medir y anotar en una tabla las formas de onda en los
mismos puntos del punto anterior.

5.
Fijar P a su valor mximo y cambiar C por otro condensador de valor 47 nF. Dibujar las formas
de onda en los mismos puntos del punto anterior.
6.
Montar el circuito de la Figura 2.5 y repetir los puntos 3, 4 y 5.
7.
Montar el circuito de la Figura 2.6 y hacer las mismas medidas de los puntos 3, 4 y 5.
8.
Repetir el punto anterior para el circuito de la Figura 2.7.
CUESTIONES:
1.
En el circuito de la Figura 2.4. qu sucede si variamos C?
2.
Qu funcin realiza el potencimetro P? Y el diodo?
3.
Comparando el circuito de la Figura 2.5 con el de la Figura 2.4, por qu se ha suprimido el

diodo?
4.
En el circuito de la Figura 2.6, existe alguna relacin entre R y el ngulo de cebado?
5.
Qu se regula en el circuito de la Figura 2.7 mediante el potencimetro?
CONCLUSIONES:
En los circuitos estudiados, se consigue un control de la potencia media entregada a la
carga.
En el control de M.O. por S.C.R. la potencia en la carga ser la mitad de la potencia de

entrada, en el mejor de los casos.
El control de S.C.R. por variacin del ngulo de conduccin se consigue mediante una
clula RC, pudindose conseguir una variacin del ngulo de cebado entre 0 y 180.
En los circuitos de disparo con UJT y PUT se tiene un comportamiento ms fiable por
la exactitud de su disparo.
Adaptando convenientemente el valor de los componentes, es posible utilizar los

circuitos vistos anteriormente para cualquier valor de tensin alterna de entrada.
Triacs y Diacs
3.1
INTRODUCCIN
En las prcticas anteriores se ha visto el funcionamiento de un componente el tiristor. que poda

utilizarse de muy diversas maneras:
Como interruptor de corriente reemplazando ventajosamente a los contactos mecnicos.
Como rectificador, debido a que es un elemento de funcionamiento unidireccional realizando la

funcin de un diodo.
Como regulador eligiendo convenientemente el momento del cebado poda regularse la potencia
media de salida.
A pesar de sus posibilidades, presenta un inconveniente estar polarizado, con lo que slo puede
utilizarse con tensiones continuas o pulsatorias sin necesidad de circuitos de rectificacin. Para obviar
este inconveniente, en corriente alterna se recurre a un nuevo componente, el triac, que es el objeto de
esta prctica.
3.2.
DESCRIPCIN BSICA
Triacs
El triac (triodo de corriente alterna) es un componente con tres terminales y derivado del tiristor, que
puede considerarse elctricamente como dos tiristores en anti-paralelo. Presenta, sin embargo, dos
ventajas fundamentales sobre este circuito equivalente:
El circuito de control resulta mucho ms sencillo al no existir ms que un electrodo de mando.
Puede bascular al estado conductor independientemente de la polaridad de la tensin aplicada al

terminal de control.

Al igual que ocurra en el tiristor, el paso del estado de bloqueo al estado conductor slo se realiza por
aplicacin de un impulso de corriente en el electrodo de mando: y el paso del estado conductor al
estado de bloqueo se produce por aplicacin de una tensin de polaridad inversa, o por la disminucin
de la corriente por debajo del valor de mantenimiento IH, siendo este ltimo el caso ms utilizado.
En la Figura 3.1a se representa su estructura interna, formada por seis capas de semiconductor, y en la
Figura 3.lb, su smbolo ms usual. Los electrodos a los que se aplica la tensin principal a controlar se
les denomina nodo 2 (A2) o terminal 2, y nodo l (A1) o terminal 1; al electrodo de control se le les
denomina nodo 2 (A2) o terminal 2, y nodo l (A1) o terminal 1; al electrodo de control se le
denomina puerta (G) o compuerta.
Figura 3.1 El triac. (a) Estructura interna (b) Smbolo.
El paso de la corriente principal se efectuar entre A2 y A1, siendo el circuito de control el formado por
G y A1.
Si dividimos la estructura interna del triac segn un eje vertical, obtendremos los dos tiristores que lo
forman:
P2 - N2 - P1 - N1, para tensiones de A2 positivas respecto de A1.
P1 - N2 - P2 - N3, para tensiones de A2 negativas respecto de A1.

N4 y P1 forman la puerta para las distintas polaridades de este terminal. En la Figura 3.la se puede ver
esta divisin, as como el sentido de circulacin de la corriente (representado por una flecha) para
ambas mitades del elemento.
Si se polariza al trin con una tensin positiva en A1 respecto de A1 con el terminal O al aire, y
aumentamos el valor de esta polarizacin. se obtendr una curva caracterstica idntica a la del tiristor
en polarizacin directa, pero al contrario que ste, si se invierte el sentido de esta polarizacin se
observa una curva simtrica de la anterior respecto del origen, tal como se muestra en la Grfica 3.la.
Al igual que ocurra con el tiristor, si el terminal G se conecta a una fuente de tensin respecto de A 1,
vemos que el momento del cebado del triac se adelanta respecto al anterior. Lo excepcional del triac es
que este cebado se produce independientemente del sentido de la tensin aplicada a la puerta.
Tomando como referencia el terminal A1 y en funcin del sentido de las polarizaciones de los circuitos
principales y de arranque, cabe hablar de los cuatro cuadrantes de disparo del triac, tal como se ve en
la Grfica 3.1b.
Grfica 7.1. (a) Curvas caractersticas del triac. (b) Cuadrantes de disparo.
Del anlisis de las Grficas 3.la y 3.lb se deduce que hay tres posibles modos de aplicar el impulso de
disparo de un triac:

Disparo por impulsos siempre positivos (cuadrantes I y IV). Es la forma; ms cmoda si se
dispone de una fuente de seal de disparo suficientemente potente, ya que presenta el
inconveniente de la menor sensibilidad al cebado del elemento en el cuadrante IV.
Disparo por impulsos siempre negativos (cuadrantes II y III). Presenta el inconveniente de la
mayor intensidad de cebado requerida en el cuadrante II.
Disparo por impulsos alternativamente positivos y negativos (cuadrantes I y III). Es el caso
ms favorable, sobre todo si la polaridad de los impulsos coincide con la polaridad de la
tensin del circuito principal.
Por lo visto anteriormente, se trabaja preferentemente con la misma polaridad para la tensin A 2 - A1
(V21) que para la tensin G - A1 (VG1) o bien, si silo es posible disponer de impulsos de control de una
nica polaridad, con impulsos siempre negativos
El Diac
Si a la estructura de la Figura 3.la se le quita la capa N 4 y el terminal de puerta, obtenemos un nuevo
elemento compuesto por dos tiristores en anti-paralelo. Dicho elemento est preparado para conducir
en los dos sentidos de sus terminales, y se le conoce como diac, diodo de corriente alterna. En la
Figura 3.2a se representa la estructura resultante, y su smbolo, en la 3.2b, siendo d nombre de sus
terminales los de A2 y A1.
Al igual que en el triac, si dividimos la estructura segn un eje vertical, se observan los dos tiristores
que lo componen:
P2-N2-P1-N1 para V21 > 0.
P1-N2-P2-N3 para V21 < 0.
Figura 3.2. El diac (a) estructura interna.

(b) Smbolo.
La curva caracterstica del diac es igualmente simtrica respecto del origen, pero slo cuenta con una
curva, ya que no dispone de terminal de puerta. Otra diferencia respecto del triac es que la tensin a la
que se produce el cebado es considerablemente menor y suele estar alrededor de los 30 voltios. Esta
curva se representa en la Grfica 3.1
Debido a su comportamiento bidireccional y a su bajo valor
de tensin de cebado, se suele emplear como elemento de
disparo de un tiristor o un triac De hecho esta prctica est
limitada al control y cebado de un triac mediante el disparo
de un diac.
Grfica 3.2. Curva caracterstica del diac.
3.3
FUNCIONAMIENTO
El principal empleo del triac es como regulador de la potencia media entregada a una carga, pero
debido a sus caractersticas de conduccin bidireccional, slo ser ventajoso respecto al tiristor en
aquellas cargas que no requieran rectificacin de la corriente alterna:
Por ejemplo, lmparas, radiadores elctricos, etc.; o en aquellas que no puedan ser controladas
mediante corriente continua, por ejemplo; motores.
Existen dos formas bsicas de controlar la potencia entregada a la carga por un triac:
Por variacin del ngulo de conduccin.
Por paquetes de semi-ondas a. tensin cero.

De estas dos posibles roanas, el presente capitulo trata de la primera de ellas. existiendo una amplia
variedad de circuitos integrados especficos para el control de un triac mediante la segunda. Una
representacin de estas formas bsicas se da en la Grfica 3.3.
Grfica 3.3. Control de potencia con triac.

(a) Por variacin del ngulo de conduccin.
(b) Por paquetes de semi-ondas a tensin cero.
Control de potencia por variacin del ngulo de conduccin:

Al igual que con el tiristor, el cebado del triac se realiza mediante una clula R-C. que introduce un
desfase debido a la constante de tiempo de carga del condensador. En el circuito de la Figura 3.3. se
observa que la constante de tiempo est determinada por los valores de R + P y de C.
El funcionamiento de este circuito es bastante sencillo. En el semiciclo positivo (A 2 positivo respecto a
A1), el condensador se carga a travs de R + P con la misma polaridad que la tensin entre nodos.
Cuando se alcanza la tensin de cebado del diac, permitiendo que el condensador se descargue y
produciendo un impulso de corriente que ceba al triac, la tensin de este ltimo cae prcticamente a
cero. aplicando. por tanto, toda la tensin de red a la carga.
Durante el semiciclo negativo, el funcionamiento es idntico al descrito anteriormente. con las
polaridades invertidas. La Grfica 3.4 muestra las formas de onda implicadas en el circuito de la
Figura 3.3.
Figura 7.3. Control de potencia con triac.
Lgicamente, el retraso introducido por el circuito A-C puede ser variado mediante P y con ello, la
potencia media que recibe la carga, que como se ha dicho puede ser una lmpara, un radiador elctrico
o un motor de alterna. La resistencia R se ha intercalado en el circuito para asegurar un ngulo de
conduccin no demasiado alto.
Grfica 7.4. Formas de onda del circuito de la Figura 3.3.
En la Grfica 3.4 se observa que la tensin aplicada en la carga no es igual en todos los semiciclos.
siendo menor en el primero de ellos. Esto se debe la descarga parcial que sufre C en el momento del
cebado del triac, con lo que en el siguiente semi-ciclo se alcanzar antes la tensin de cebado del diac,
y se conoce con el nombre de histresis. efecto totalmente indeseable en cualquier circuito de

regulacin de potencia, ya que no permite una regulacin precisa desde el principio, siendo necesario
ajustar primero un ngulo de conduccin elevado, para posteriormente aumentar P, silo que se pretende
es una baja potencia de carga.
Figura 3.4. Circuito de control con doble constante de tiempo.
Una de las soluciones para evitar en lo posible el efecto de la histresis es la que se muestra en el
circuito de la Figura 3.4, en el que se ha aadido otra clula R-C, la formada por R 2 y C2. A este
circuito se le conoce con el nombre de control de doble constante de tiempo. Su principio bsico de
funcionamiento consiste en que cuando C2 alcanza la tensin de cebado de D, sta no cae tan
abruptamente como en el circuito anterior, debido a la recarga parcial de C 2 gracias a la corriente
procedente de C1. Este mecanismo permite que la reduccin de la tensin de C 2 sea bastante menor que
en el circuito anterior, reduciendo con ello el efecto de la histresis.
Si la carga que se controla es fuertemente inductiva, puede ocurrir que ci desfase de la corriente sobre
la tensin de red introducido por la carga sea tal, que el paso por cero de la corriente coincida con una
tensin grande aplicada al triac. En estas condiciones, el triac debe variar su tensin entre nodos
desde la tensin de cebado, prcticamente cero hasta algunos cientos de voltios en una fraccin de
tiempo extremadamente pequea, pudiendo producirse un nuevo cebado indeseado del triac. El
parmetro dVcom/dt, especificada por el fabricante, indica la pendiente mxima de variacin de la

tensin de paso del estado conductor al estado de no conduccin, que es capaz de soportar el triac sin
peligro de recebado.
En tales casos se debe emplear un circuito de amortiguamiento de la velocidad con que debe crecer la
tensin entre extremos del triac, tal como se muestra en la Figura 3.5.
Figura 3.5. Uso de una red amortiguadora para evitar el recebado indeseado del triac.
Los valores de R y de C de la Figura 3.5 pueden obtenerse de los bacos mostrados en las Grficas
3.5a y 3.5b, respectivamente, realizados en funcin de la corriente eficaz de carga y de la mxima
dVcom/dt admisible por el triac.
Grfica 3.5. bacos para obtener el valor de la red amortiguadora con VRED = 220V, 50 Hz
a) Resistencia R.
b) Capacidad C.
3.4
En los circuitos de regulacin de iluminacin con lmparas de incandescencia, se ha de tener
presente, a la hora de elegir el triac, la breve, pero fuerte, corriente que se produce al conectar estas
lmparas, debido a la baja resistencia en fro que presentan. La relacin entre la corriente de
choque y la corriente normal de servido puede llegar a valer 15:1 en lmparas de elevada potencia,
siendo una relacin normal la de 10:1, para potencias medias y bajas.
Los circuitos de variacin del ngulo de conduccin pueden producir interferencias de

radiofrecuencia en el momento de la conduccin, debido a los picos de corriente producidos por la
conexin de la carga a una tensin no nula. Para evitar estas interferencias, se puede emplear el
filtro mostrado en la Figura 3.6, o cualquier filtro de red comercial.
Figura 3.6 Filtro de red contra interferencias.

3.5
1) Conectar el circuito de la Figura 3.3. Ajustar P a su valor mnimo.

2) Medir con el osciloscopio, empleando una sonda atenuadora, las formas de onda de VRL de V21 y de
VG1, dibujarlas.
3) Repetir el punto 2 para el mximo valor de P.
4) Conectar el circuito de la Figura 3.4. Ajustar P a su mnimo valor.
5) Repetir los puntos 2 y 3.
CUESTIONES
1) Razonar las ventajas del triac en corriente alterna respecto del tiristor.
2) Qu se entiende por cuadrantes de disparo de un triac?
3) Qu significa diac? Cul es su utilidad?
4) Enumerar las formas de controlar la potencia entregada a una carga mediante triac, citando las
ventajas de cada forma.
5) Qu se conoce por histresis en un regulador de potencia? Cmo se evita?
CONCLUSIONES
El triac es el componente que realiza una funcin anloga al tiristor para corriente alterna. Se puede
considerar constituido como dos tiristores en anti-paralelo. pudindose bar con impulsos de puerta en
cualquier polaridad.
Si a un triac se le quita el terminal de puerta y la capa N 4, obtenemos el diac, elemento bidireccional
que se ceba cuando la tensin entre sus terminales supera cierto valor, normalmente alrededor de 30
voltios.
Los circuitos de regulacin de potencia por variacin del ngulo de conduccin basan su
funcionamiento en el retardo sistemtico de la seal de disparo mediante clulas R-C.
La histresis se produce por la reduccin de la tensin almacenada en el condensador en el momento
del cebado del triac. Para reducirla se emplean circuitos con doble constante de tiempo.

Tiri Storesuni

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UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL ROSARIO

Ing. Alfredo Castro

CATEDRA DE ELECTRONICA APLICADA

La aparicin del tiristor, o ms concretamente rectificador controlado de silicio (S.C.R.), ha

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En la Figura 1.3, se hace otra representacin equivalente

Figura 4.2. Estados de S.C.R. (a) Bloqueo directo

elctricamente conectadas. Este desdoblamiento se ha

al ctodo, se inyectan electrones y huecos en

sus extremos, estos portadores se difunden,

y P2-N2, realimentndose en el bucle interno

Figura 4.3. Circuito equivalente al tiristor.

polarizacin permanezca dentro de ciertos

limites la cantidad de portadores se mantiene estable y de valores pequeos.

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Fig.1.4 Circuito Prctico parala obtencin de la caracterstica directa del S.C.R.

se controla la aplicacin de potencia a la carga (R1):

Si en esas circunstancias disminuimos progresivamente VAA, tambin lo har IA hasta alcanzado un

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La magnitud de la corriente de puerta controla el valor de la tensin nodo-ctodo a la que se

Con pequeas corrientes de puerta, se pueden controlar grandes corrientes de nodo.

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Cuando la corriente a conmutar es de valores considerables, no parece lo ms conveniente

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Figura 1.6. Circuitos de desebado activados por elementos comunes.

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Figura 1.7 Circuitos de desebado de actuacin manual mejorados.

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En dicha grfica se observan como regiones principales:

Las prximas a ambos ejes en las que el disparo no se produce.

rea en la cual no se garantiza el disparo.

rea de disparo ms conveniente cuando la seal de cebado se aplica de forma continua.

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TRABAJO PRACTICO PROPUESTO

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Un tiristor es un elemento semiconductor de silicio con cuatro capas dispuestas: PNPN.

Cada valor de la corriente de puerta determina una tensin de cebado nodo-ctodo

En aplicaciones de c.c es necesario disponer de circuitos de descebado, ya que la

< 3mA < 2mA

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Control de Corriente Alterna con Tiristor

Control de velocidad de motores.

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Y, en general, en todas aquellas aplicaciones que requieran un control de potencia.

Control de media onda con S.C.R.

Figura 2.1. Control de onda S.C.R.

Control de doble onda con S.C.R.

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Figura 2.2. Control D.O. con S.C.R.

semiciclos de la tensin de alimentacin.

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Grafica 2.1. Tensin en el punto B del circuito de

Con un desfase de:

respecto a VAK o tensin de alimentacin.

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Fig. 2.2 Formas de onda del circuito de la Fig. 2.4

Control de doble onda con S.C.R.

Modificando convenientemente el circuito de la Figura 2.5, de manera que se sustituya la clula RC

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