Coleccion Problemas 2015

Coleccin de Problemas
Ciencia de Materiales II
2014-2015
2 Estructura y geometra
de materiales
2.1
Red de Bravais 2D
Demostrar que la siguiente red (2D) es de Bravais:
a
b

Solucin: por inspeccin se comprueba que el aspecto de la red es el mismo desde
cualquier punto de la misma (satisface la 1 definicin).
Eligiendo como vectores primitivos los que estn indicados en la siguiente figura, la red
se genera como combinacin lineal de ambos, con coeficientes pertenecientes a los
enteros (2 definicin).
a1 = (a, 0)
a2 = (b cos , b sen )
a2
a1
Respecto de los siguientes ejes coordenados, y numerando celdas como se indica:
2014-2015
x2
filas
(se numeran
con k )
2
k1 = 0
k1 = 1
k2 = 4
k2 = 3
k2 = 2
k2 = 1
k2 = 0
columnas
(se numeran con k1 )
k1 = 2
x1
se asocia un punto de red con el vrtice inferior izquierdo de cada celda; las coordenadas
del punto de red asociado con la celda de ndices k1 , k2 son:
x1 = (k1 1)a + (k2 1)b cos
x2 = (k2 1)b sen
Estas coordenadas se pueden construir como combinacin lineal:

R = n1a1 + n2 a2 = (n1a + n2b cos , n2b sen ) =
((k1 1)a + (k2 1)b cos , (k2 1)b sen )
donde k1 n1 + 1, k2 n2 + 1
que tiene la forma requerida.
Por ltimo, si se considera el conjunto de vectores de la forma:
Rk1 ,k2 = ((k1 1)a + (k2 1)b cos , (k2 1)b sen )
donde k1 y k2 son nmeros enteros, sumando dos de ellos se obtiene:
Rk1 ,k2 + Rk3 , k4 = ((k1 1)a + (k2 1)b cos + (k3 1)a + (k4 1)b cos , (k2 1)b sen + (k4 1)b sen )
= (( K1 1)a + ( K 2 1)b cos , ( K 2 1)b sen )
con K1 = k1 + k3 1 K 2 = k2 + k4 1
que es un vector que pertenece al mismo conjunto de vectores de red, es decir, el conjunto
es cerrado frente a la suma algebraica.
x1 = (k1 1)a + (k2 1)b cos
x2 = (k2 1)b sen
________________________________________________________________________
2014-2015
2.2
Red Hexagonal
Verificar si la siguiente red es una red Bravais (bidimensional, 2D):
Sol.: los puntos A y B no satisfacen la primera definicin (un conjunto infinito

enumerable de puntos que tiene exactamente el mismo aspecto cuando se observa desde
cualquiera de ellos). Luego no es una red de Bravais (para demostrar que no es una red de
Bravais, basta con un nico contraejemplo).
R2
A
B
R1
a2
a1
De otra manera: los vectores primitivos a1 , a2 generan puntos que pertenecen a la red, por
ejemplo el vector R1 = 3a1 + a2 pero tambin puntos que no pertenecen a la red, como el
R2 = a1 + a2 ; luego tampoco satisfacen la 2 definicin.
La red hexagonal no es una red de Bravais, sin embargo s es una estructura cristalina (red
+ base). La siguiente figura muestra cmo puede construirse la red hexagonal como una
red de Bravais + una base:
2014-2015
base
malla
El hexgono no es la celda unitaria del sistema hexagonal, ni en dos ni en tres

dimensiones. En 2D es un rombo de ngulo agudo 60. En 3D es un prisma recto
construido sobre este rombo.
________________________________________________________________________
2.3
Sistema Trigonal
Para describir la red del sistema trigonal pueden usarse dos celdas diferentes, la trigonal
(no primitiva) y la rombodrica R (primitiva).
1. representarlas grficamente,
2. cul es el elemento cristalogrfico de simetra caracterstico en ambos casos? y
3. verificar que ambas redes son invariantes respecto de los elementos del grupo de
simetra de este elemento cristalogrfico.
Sol.: la celda trigonal (no primitiva) es, en cuanto a los ngulos y distancias entre puntos
de red, igual que la hexagonal P, pero contiene tres puntos de red por celda (en vez de
uno, como en la hexagonal P, por eso la celda trigonal no es primitiva).
a=bc
= = 90 ; = 120
1 2 2
, ,
3 3 3 a
ca
a
x
c
120
y
2 1 1
, ,
3 3 3
La celda rombodrica R (primitiva) en cambio tiene un slo punto de red, las tres aristas
iguales y los tres ngulos iguales.
2014-2015
a =b=c; = =
Y, como debe ocurrir necesariamente, las dos celdas sirven para construir/describir
cristales del sistema trigonal. La figura siguiente muestra cmo estn relacionadas las dos.
El elemento caracterstico es un eje ternario de inversin, como corresponde al holohedro
del sistema trigonal, clase 3m . Se observa especialmente bien en la celda rombodrica R.
La red entera permanece inalterada al aplicar las operaciones de un eje ternario de

inversin. Por cada punto de red pasa uno de estos ejes.
1/3 de vuelta
2/3
1/ 3
eje ternario de inversin
2/3
1/ 3
2/3
1/ 3
2/3
2/3
inversin
1/ 3
1/ 3
2/3
En la siguiente figura se observa cmo tres celdas rombodricas R (con un punto de red
cada una) son equivalentes a una celda trigonal (con tres puntos de red).
2014-2015
Si esta equivalencia es cierta, es el volumen de las tres celdas rombodricas igual al

volumen de una trigonal?
(la respuesta est incluida en la figura anterior).
________________________________________________________________________
2.4
Representacin Matricial de Elementos de Simetra
Representar matricialmente los elementos del grupo de simetra de la clase 32 .
32
u
ez
d
x
c

Sol.: este problema sirve para ilustrar la diferencia entre:
elementos de simetra en sentido cristalogrfico y
elementos (operaciones) del grupo puntual de simetra
Los elementos de simetra en sentido cristalogrfico estn representados en el

estereograma correspondiente y son:
un eje ternario
tres ejes binarios
un eje monario (la identidad)
Para denominar los diferentes elementos de simetra del grupo puntual de simetra, se usa
a continuacin la siguiente nomenclatura estndar:
2014-2015
8
en caso necesario,
el exponente indica el
n de veces
que se repite el
generador
1
c
orden del eje
(en este caso,

un giro de 120)
direccin del eje de rotacin
Un eje ternario (elemento de simetra cristalogrfico): 3

genera en este caso dos elementos del grupo de simetra: 31c
3c2
Atencin: estos dos elementos son inversos entre s; el inverso de un tercio de giro es 2/3
de giro, NO -1/3 de giro; y viceversa.
Los 6 elementos (operaciones) de simetra del grupo puntual de simetra de la clase 32
pueden representarse por las matrices (ortogonales, de rotacin, expresadas en funcin de
los ejes cartesianos convencionales cde) que realizan las operaciones geomtricas
correspondientes:
1/ 2
L31 = 3 / 2
c
0
3 / 2 0
1/ 2 0
0
1
giro de 120 en torno a este eje
L32
c
1/ 2 3 / 2 0
= 3 / 2 1/ 2 0
0
0
1
1/ 2
L2
= 3/2
1210
3/2
1/ 2
0
0
1
ez
d
x
c
L2
2110
1 0 0
= 0 1 0
0 0 1
L2
1120
1 0 0
L1 = 0 1 0

1/ 2
= 3/2
0
3/2
1/ 2
0
0
1
0 0 1
elemento unidad
________________________________________________________________________
2.5
Pirmide de Base Triangular Equiltera
Para una pirmide de base triangular equiltera, determinar:

1. a qu clase cristalogrfica pertenece,
2. enumerar los elementos cristalogrficos de simetra,
3. dibujar los ejes cristalogrficos y los ejes cartesianos convencionales,
2014-2015
9
4. enumerar los elementos del grupo puntual de simetra,
5. verificar el orden del grupo,
6. escribir la tabla del producto de este grupo y
7. verificar que cumple los axiomas de grupo.
Sol.: puesto que la base es un tringulo equiltero, la pirmide tiene un eje ternario
perpendicular a la misma, y tres planos de simetra (figura A). Estos son los elementos
cristalogrficos de simetra de la clase 3m (comprobarlo en la tabla de estereogramas). La
orientacin de los ejes cristalogrficos y cartesianos convencionales (dibujados en la
proyeccin sobre la base) es la de la figura B.
3m
B
e
y
d
Los elementos del grupo puntual de simetra y su accin sobre un punto arbitrario de
coordenadas cristalogrficas ( x, y, z ) aparecen en la siguiente tabla:
elemento
cristalogrfico
de simetra
3z 3c 3[0001]
elemento del
grupo
de simetra
(operacin)
matriz de
representacin M
(referida a ejes x y z)
x
M y

z
1
c
0 1 0
1 1 0
0 0 1
y
x y
2
c
y x
x
1 1 0
1 0 0
0 0 1
33c E
1 0 0
0 1 0
0 0 1
x
y

z

1 1 0
0 1 0
0 0 1
y x
y
mx ma m( 2110 )
2014-2015
mx
notas
elemento unidad
el subndice en m
( 2110 )
identifica el plano
por sus ndices de
Miller
10
Nota importante: las coordenadas ( x, y, z ) estn medidas a lo largo de los ejes
cristalogrficos, en general NO CARTESIANOS: en la celda de este problema los ejes
x, y forman un ngulo de 120. No confundir la matriz M con la matriz ortogonal L del

problema anterior. Para las coordenadas cartesianas se usan exclusivamente los smbolos
x1 , x2 , x3 .
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra
(operacin)
matriz de
representacin M
(referida a ejes x y z)
m y mb m(1210 )
my
1
1
mu m(1120 )
mu
1
0
0
1
0
M
0
0
1
1
0
0
x
y
z

x
x
0
1
notas
y
x
En total 6 elementos orden del grupo es 6. Mientras que elementos cristalogrficos slo hay 4:
m y m(1210 )
3 z 3c 3[0001]
m x m( 2110 )
genera 3 elementos del

grupo
mu m(1120 )
generan 1 cada uno
Elementos cristalogrficos:
my
perpendicular al eje y
3m
e
3z
y
d
mu
mx
perpendicular al eje u
perpendicular al eje x
El producto del grupo corresponde:
en trminos fsicos (geomtricos) a realizar dos operaciones de simetra una tras otra
(el orden importa, en general no son grupos abelianos),
como grupo abstracto, al producto de las matrices de representacin.
Como ejemplo, se va a realizar el producto de los elementos 1 y 2: 3c2 31c .

Para visualizar el resultado se coloca en un punto arbitrario cualquier figura no simtrica
p.ej. a:
2014-2015
11
accin del elemento 1
(3 )
1
c
O bien se realiza el producto de las

matrices de representacin
1 1 0 0 1 0 1 0 0
1 0 01 1 0 = 0 1 0
0 0 1 0 0 1 0 0 1
3c2
( 3c2 )
31c
El resultado de las dos acciones devuelve el punto a la posicin inicial, es decir, el

producto de estos dos elementos es la identidad:
3c2 31c = E
importante: los factores del producto se ordenan de derecha a izquierda de acuerdo con el
orden en que actan.
El producto de los elementos 1 y 4: mx 31c :
my
accin del
elemento 4
( mx )
mx
(3 )
1
c
O bien se realiza el producto de las

matrices de representacin
1 1 0 0 1 0 1 0 0
0 1 01 1 0 = 1 1 0
0 0 1 0 0 1 0 0 1
mx
31c
my
El resultado es igual que una reflexin en el plano my (elemento 5). Luego el producto de
estos dos elementos es:
mx 31c = my
Procediendo de esta manera para todos los productos (son 36) se construye la tabla de
multiplicacin. Por convencin, el factor que opera primero, el que aparece ms a la
derecha en el producto, se coloca en la fila superior:
2014-2015
12
elementos
mutuamente inversos
E
31c
3c2
E
E
31c
3c2
mx
my
mu
mx
my
mu
31c
31c
3c2
E
my
mu
mx
3c2
3c2
E
31c
mu
mx
my
mx
mx
mu
my
E
3c2
31c
my
my
mx
mu
31c
E
3c2
mu
mu
my
mx
3c2
31c
E
este elemento es su
propio inverso
Se satisfacen los axiomas de grupo:
el producto est definido,
existe un elemento unidad nico,
el producto de dos elementos sigue perteneciendo al grupo (en la tabla no aparecen

elementos que no pertenezcan al grupo),
cada elemento tiene un inverso (en todas las filas/columnas aparece la unidad slo una vez),
es asociativo (no es evidente, hay que comprobarlo con la tabla).
________________________________________________________________________
2.6
Holoedro del Sistema Cbico
Para la clase de mxima simetra m3m (holoedro) del sistema cbico,

1. identificar y enumerar los elementos cristalogrficos de simetra sobre el estereograma
de la clase,
2. enumerar los elementos del grupo puntual de simetra y
3. verificar el orden del grupo.
Sol.: en las siguientes tablas se hace el recuento del nmero de operaciones o acciones
que se puede hacer con cada elemento de simetra cristalogrfico y se suman al final para
confirmar el orden de la clase. La identidad se cuenta slo una vez, y tambin aquellas
operaciones que son sinnimo de otra incluida anteriormente en el recuento.
2014-2015
13
elemento
cristalogrfico
de simetra
4 a 4 x 4[100]
elemento del
grupo
de simetra
4 a2
43a
4 4a
4b 4 y 4[010]
sinnimo de
21a
sinnimo de E
41b
4b2
43b
4 c 4 z 4[001]
4 c2
10
43c
sinnimo de
21b
sinnimo de E
x
c
41c
y
d
4b4
8
notas
41a
representacin en el
estereograma
sinnimo de
y
d
4c4
sinnimo de E
x
c
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra
2[110]
21[110]
11
representacin en el
estereograma
notas
2
[110 ]
y
d
sinnimo de E
c x
12
2 1 10
211 10
13
14
2[101]
2 101
2
1 10
21[101]
21 101
c x
sinnimo de E
y
d
c x
2014-2015
sinnimo de E
2 2 101
y
d
c x
2[2101]
sinnimo de E
21c
14
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra
2[011]
21[011]
15
representacin en el
estereograma
notas
2 0 11
210 11
2
0 11
y
d
sinnimo de E
m(100 )
17
sinnimo de E
16
y
d
2
[011]
y
d
m( 010 )
18
y
d
elemento
cristalogrfico
de simetra
19
m( 001)
elemento del grupo

de simetra
representacin en el
estereograma
notas
y
d
c x
20
m(110 )
y
d
c x
21
m(1 10 )
y
d
c x
22
m( 101)
y
d
c x
2014-2015
15
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del grupo

de simetra
notas
m(101)
23
representacin en el
estereograma
y
d
c x
m( 011)
24
y
d
cx
m( 0 11)
25
y
d
cx
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del grupo

de simetra
3[111]
3[1111]
26
representacin en el
estereograma
notas
27
3[2111]
28
3[3111]
4
[111]
29
30
3[5111]
6
[111]
32
3 111
cx
sinnimo de E
31111
32111
33111
4
111
33
34
35111
6
111
2014-2015
3
31
sinnimo de
sinnimo de
cx
sinnimo de E
16
elemento
cristalogrfico
de simetra
35
3 1 11
36
elemento del
grupo
de simetra
representacin en el
estereograma
notas
311 11
2
1 11
3
1 11
3
37
341 11
38
5
1 11
y
d
cx
6
1 11
3
39
31 11
40
321 11
4
1 11
41
42
351 11
361 11
elemento
cristalogrfico
de simetra
4a 4 x 4[100]
44
cx
sinnimo de E
representacin en el
estereograma
notas
4b4
sinnimo de
21b
d
sinnimo de E
c x
4c3
orden del grupo
(nmero de elementos del
grupo)
4c1
4c2
48
21a
sinnimo de E
c x
4b3
4c 4z 4[001]
sinnimo de
4b1
4b2
46
y
d
4a3
4b 4 y 4[010]
sinnimo de
y
d
41a
4a4
47
elemento del
grupo
de simetra
4a2
45
sinnimo de E
311 11
331 11
43
sinnimo de
4c4
sinnimo de
21c
c x
sinnimo de E
________________________________________________________________________
2014-2015
17
2.7
Clase Cristalogrfica Material AB
La estructura cristalina de un material AB est definida por:
la red: cbica centrada en las caras y
la base: formada por un tomo de A en el punto de coordenadas (0, 0, 0) , y un tomo

1 1 1
de B en el punto de coordenadas , , .
4 4 4
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece este material.

Sol.: el cristal se construye colocando la base en cada punto de la red cbica F; esta base
ha sido definida con un tomo de A y uno de B, en las coordenadas indicadas. El origen
de coordenadas y la base se colocan en todos los vrtices y centros de cara de la celda
unitaria convencional de la red. Representando los planos z = 0 ( z = 1) y z = 0.5
primero con los puntos de red slamente y a continuacin con la base en cada punto de
red, resulta:
z=0
z = 0.5
puntos de red
z=0
z = 0.5
red+base
En esta figura los tomos de la base se representan con el tomo A ms claro y el B ms

oscuro; la lnea que los une implica tangencia de los tomos. Cada tomo B se encuentra
siempre por encima del plano representado. En 3D, si la celda cbica se divide en 8
octantes, se observa (figura siguiente) que los tomos B ocupan el centro de los octantes
de forma alternada (uno s, uno no); en esta figura tambin se han marcado los tomos de
la base situada en el origen de coordenadas con crculos de lnea ms gruesa .
La estructura cristalina tiene los elementos de simetra caractersticos del sistema cbico
(cuatro ejes ternarios). No tiene ejes cuaternarios, pero s tiene tres ejes cuaternarios de
rotacin-inversin: cada uno de estos ejes atraviesa por sus centros un par de caras
opuestas. Tiene adems seis planos de reflexin, trazados por las seis diagonales de cara y
no tiene centro de simetra. Es de la clase: 43m .
2014-2015
18
z
A
x
________________________________________________________________________
2.8
Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenecen los siguientes monocristales

eumrficos.
Variante 1.
Sol.: se observa claramente que el monocristal tiene un eje de rotacin ternario y un plano
de simetra perpendicular a l:
2014-2015
19
Esto equivale a un eje senario de inversin e implica que el monocristal pertenece al

sistema hexagonal. Se encuentran ademas tres ejes de rotacin binarios y tres planos de
simetra; no hay centro de inversin. Es de la clase: 6 m2 .
m
m
m
Variante 2.
2014-2015
20
Sol.: de nuevo se observa un eje de rotacin ternario y un plano de reflexin
perpendicular a l, luego se trata de un eje senario de inversin. No hay ms planos, ni
ejes binarios, ni centro de inversin. Es de la clase: 6 .
m
Variante 3.
Sol.: en esta estructura nicamente hay un eje de rotacin ternario. Es de la clase: 3 .
2014-2015
21
Variante 4.
Sol.: este cristal tiene un eje de rotacin ternario y adems tres planos de reflexin. Es de
la clase: 3m .
m
Variante 5.
2014-2015
22
Sol.: este cristal tiene un eje ternario de inversin, tres planos de reflexin, tres ejes de
rotacin binarios y centro de inversin (elemento incluido en el eje ternario de inversin).
m
Se observa que no hay un plano de simetra perpendicular al eje ternario de inversin. Se

trata del holoedro del sistema trigonal: clase 3 m .
________________________________________________________________________
2.9
Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales
Determinar la clase cristalogrfica de los siguientes materiales cermicos a partir de la

simetra de sus correspondientes monocristales eumrficos:
Variante 1.
2014-2015
23
Sol.: este cristal tiene un eje ternario de inversin (incluye un eje de rotacin ternario y un
centro de simetra), tres planos de simetra y tres ejes de rotacin binarios. Se trata de la
clase 3 m .
m
Variante 2.
2014-2015
24
Sol.: en esta estructura se observa inmediatamente un eje de rotacin senario (y/o un

senario de inversin), un plano de reflexin perpendicular al eje senario y tambin se ve
claramente que el cristal es centrosimtrico. La clase es 6 / m y en el estereograma el
nombre va recuadrado para hacer ver que es una clase con centro de simetra.
Tambin se podra haber visto en primer lugar un eje senario de inversin y/o un eje
ternario de inversin: el eje senario de inversin incluye en sus operaciones un plano de
reflexin perpendicular a l y el eje ternario de inversin incluye el centro de inversin.
Obsrvese que ninguno de estos dos elementos de simetra han sido representados en el
estereograma: cuando un cristal tiene un eje senario y un centro de simetra, esto implica
que tambin tiene un eje senario de inversin y un eje ternario de inversin (esta
implicacin no se cumple en sentido inverso).
La clase es de orden 12. Si se cuentan las 5 operaciones del eje senario 61 , 62 , 63 , 64 y 65 , 1
plano de simetra, 1 centro de inversin y la identidad, resultan 8 operaciones. Todava
faltan 4 operaciones, que se pueden realizar combinando un eje senario y un centro de
2014-2015
25
inversin y que no se incluyen en el recuento anterior: dos de ellas a partir de un senario
de inversin: 61 y 6 5 , y otras dos, 31 y 3 5 , de un ternario de inversin.
Variante 3.
Sol.: este cristal tiene un eje de rotacin ternario y un plano de reflexin perpendicular a
l, es decir, un eje senario de inversin. Como tiene adems tres planos de simetra y tres
ejes binarios, se trata de la clase 6 m2 .
m
m
m
m
Variante 4.
2014-2015
26
Sol.: la estructura tiene un eje ternario de inversin, que incluye un centro de simetra, tres
planos de reflexin y tres ejes de rotacin binarios. La clase es 3 m .
m
Variante 5.
2014-2015
27
Sol.: aqu se observa un eje de rotacin ternario, pero no hay un plano de reflexin
perpendicular a l, slo tres planos que lo contienen. No hay centro de inversin, ni
binarios: es la clase 3m .
m
m
m
________________________________________________________________________
2.10 Clase Cristalogrfica del Colgeno

De modo muy simplificado, y sin considerar detalles qumicos, el colgeno est formado
por tres molculas lineales del mismo tipo de protena, que forman una triple hlice. Cada
una de las molculas de protena est rotada respecto de las otras 120 en torno al eje de la
estructura. La molcula de colgeno es mucho ms larga que el fragmento que se muestra
en la figura, y se obtiene por repeticin de este fragmento (en esta figura, como ayuda
para visualizarlas, las hlices se representan arrolladas en torno a un cilindro recto; este
cilindro no tiene existencia real, es puramente una ayuda para la visualizacin):
Determinar, desde el punto de vista de su estructura, a qu clase pertenece la triple hlice

del colgeno.
2014-2015
28
Sol.: si no se consideran los detalles de cmo estn organizadas las tres hlices de
protena, la estructura del colgeno puede asignarse a una clase lmite con un solo eje de
orden infinito (el eje del cilindro). No puede ser ninguna de las dos clases esfricas y
tampoco tiene un sentido preferencial, por lo que no puede ser ninguna de las dos clases
cnicas.
Puesto que el arrollamiento de las hlices tiene un eje de orden infinito, y tambin
infinitos ejes binarios perpendiculares al eje de orden infinito, y no tiene ningn plano de
simetra, se trata de la clase cilndrica 2 .
Si se considera en ms detalle el modo en que estn organizadas las hlices, el eje de la
estructura es un eje ternario (la estructura queda invariante girndola un tercio de vuelta).
No existe un plano de simetra perpendicular a este eje ternario, luego es trigonal. Tiene
adems tres ejes binarios perpendiculares al eje ternario. Pertenece a la clase 32 y sta es
la solucin ms correcta.
hlice vista en la
direccin del eje
________________________________________________________________________
2.11 Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales

Un monocristal eumrfico de un material cermico tiene una estructura cristalina como la
que se muestra en la figura. Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece.
Variante 1.
2014-2015
29
Sol.: lo ms caracterstico de este monocristal es un eje cuaternario de inversin (no tiene

ni eje de rotacin cuaternario ni centro de inversin). Adems tiene dos planos de
reflexin y dos ejes de rotacin binarios:
m
Se trata de la clase 42m .

Variante 2.
2014-2015
30
Sol.: en este monocristal se ven los mismos elementos de simetra que en el caso anterior,
es la misma clase 42m ; obsrvese que el hecho de tener un eje cuaternario de inversin
no implica la existencia de un eje de rotacin cuaternario ni un centro de inversin.
m
Variante 3.
2014-2015
31
Sol.: en esta estructura hay exclusivamente un eje cuaternario de inversin: clase 4 .

Variante 4.
Sol.: ahora se ve, adems de un eje cuaternario, un centro de inversin, lo que implica la
existencia de un eje cuaternario de inversin (esta implicacin s es correcta, mientras que
la inversa no es correcta, como se ha visto en los casos anteriores). Existe adems un
plano perpendicular al eje cuaternario: clase 4 / m (en el estereograma el nombre est
recuadrado para indicar un centro de simetra y slo se representa un eje cuaternario: se
sobreentiende que existe adems un cuaternario de inversin).
Variante 5.
2014-2015
32
Sol.: en este monocristal hay un eje de rotacin cuaternario y cuatro ejes binarios; no hay
planos de simetra ni centro de inversin. La clase es 422 .
________________________________________________________________________
2.12 Simetra de Diferentes Materiales Compuestos

Determinar a qu clase cristalogrfica pertenecen los materiales siguientes (en los
compuestos, cada lmina tiene direcciones preferentes indicadas por las lneas; p.ej. cada
lmina est constituida por fibras embebidas en una matriz de polmero y orientadas
unidireccionalmente, bidireccionalmente, o sin direccin preferente).
1. material. compuesto desequilibrado (0/ 45)
0
+45
- 45
Sol.: esta morfologa tiene como nico elemento de simetra un eje binario, pertenece al
sistema monoclnico y es clase 2 :
2014-2015
33
d
Importante: observar cul debe ser la orientacin de las capas respecto de los ejes
convencionales monoclnicos (el d cartesiano debe ser paralelo a Oy y al eje de rotacin
binario caracterstico de esta clase). La estructura de las matrices de complianza y rigidez
dada en el captulo 3 slo es vlida si se respetan las orientaciones convencionales. Es
esencial tener siempre este aspecto en cuenta.
2. material compuesto (0/ 45)s 90
0
+45
90
+45
0
Sol.: esta morfologa tiene un plano de simetra (que coincide con la lmina central), un
eje binario perpendicular al plano de simetra y centro de inversin, luego pertenece al
sistema monoclnico y es la clase holodrica 2 / m . Como en el caso anterior, se hace
coincidir el eje d cartesiano con la direccin del eje de rotacin binario.
3. material orttropo (0/ 45)s

0
+45
-45
-45
+45
0
Sol.: este material tiene igualmente un plano de simetra, un eje binario perpendicular al
plano de las capas y un centro de inversin; tambin pertenece al sistema monoclnico y
es clase 2 / m :
2014-2015
34
Nota importante: la denominacin orttropo para el material (0/ 45)s es habitual en

la prctica industrial y as aparece en muchos textos, pero este material compuesto no
tiene los elementos de simetra caractersticos del sistema ortorrmbico. El
comportamiento es slo aproximadamente como el de un material realmente orttropo.
Sin embargo, para describir el comportamiento mecnico de un material monoclnico, son
precisos 13 parmetros independientes frente a los 9 para un material orttropo
(ortogonal). Los 13 parmetros son rara vez conocidos y se tiende a considerar el material
ms simtrico de lo que es en realidad.
4. material cuasi-istropo (0/ 45/90)s
0
+45
- 45
90
90
- 45
+45
0
Sol.: a pesar del nombre, este material es idntico a los dos anteriores y pertenece al
sistema monoclnico, clase 2 / m .
Nota importante: a la denominacin cuasi-istropo para el material (0/ 45/90)s se le

aplica el mismo comentario que en el caso anterior. El material es estrictamente
monoclnico, sin embargo el elevado nmero de capas y el reparto de direcciones reduce
2014-2015
35
apreciablemente la diferencia de su comportamiento con el de un material realmente
istropo.
5. material compuesto angle-ply (trama y urdimbre no son ortogonales entre s, pero son
de la misma densidad)
Sol.: este material tiene tres planos y tres ejes binarios en tres direcciones ortogonales,
pertenece al sistema ortorrmbico y es clase mmm :
vista superior
6. material compuesto cross-ply (trama y urdimbre son ortogonales entre s y de la

misma densidad).
vista superior
Sol.: este material tiene los elementos de simetra que se indican en la figura, pertenece al
sistema tetragonal y es clase 4 / mmm .
7. combinacin cross-ply / unidireccional
Sol.: este material tiene dos planos y un eje binario, pertenece al sistema ortorrmbico y
es clase mm2 :
2014-2015
36
8. hormign, hierro, cermica PZT no polarizada,
9. espuma de poliuretano (burbujas de CO 2 dispersas en una matriz de poliuretano

amorfo),
Sol.: todos los materiales anteriores son isotrpos a la escala a la que son aplicados, es
decir, cuando el tamao de las partculas dispersas es mucho menor que el del objeto que
se construye con ellos. Pertenecen a la clase lmite m .
A pequea escala, es decir, cuando el tamao de las partculas dispersas es comparable
con el objeto a fabricar, el material es en primer lugar inhomogneo y las regiones
individuales pueden ser adems anistropas.
10. mat, tapete o fieltro de fibra cortada y dispuesta desordenadamente; papel; tejidos
non-woven (tambin llamados tejidos no tejidos, en la paradjica expresin que se
oye con frecuencia),
11. fibra (de PE, de nylon, de vidrio) estirada unidireccionalmente,
2014-2015
37
12. materiales compuestos de fibra orientada unidireccionalmente (fibra de PE, de nylon,
de vidrio) en una matriz amorfa,
Sol.: estos tres tipos de materiales tienen simetra cilndrica / mm (en la figura no se
representan todos los elementos de simetra).
La igualdad de las estructuras de propiedades entre las clases de simetra axial y las clases
cristalogrficas hexagonales es exacta para propiedades de 2 y 4 orden.
13. molcula individual de 1-fluoronaftaleno,
14. molcula individual de trans-1,2-dicloroeteno,
15. molcula individual de metano,
16. molcula individual de bromometano,
13.
14.
15.
16.
Sol.: las molculas con dobles enlaces son planas, luego como mnimo tienen un plano de
reflexin, que es el plano de la molcula. A continuacin se representan los elementos de
simetra ms caractersticos de cada molcula, indicando la clase cristalogrfica de cada
una de ellas.
2014-2015
38
2/m
3m
43m
En la molcula individual de metano slo se representa uno de los cuatro ejes ternarios
(pertenece al sistema cbico), uno de los tres cuaternarios de inversin y uno de los seis
planos especulares. En la molcula de bromometano slo se representan el eje de rotacin
ternario y uno de los tres planos especulares.
17. ion tetracloruro de platino (II),
18. ciclohexano,
19. hexafluoruro de azufre,
20. etano (g+),
17.
18.
19.
20.
Sol.: como en el caso anterior, se representan los elementos de simetra ms

caractersticos de cada molcula, indicando la clase cristalogrfica a la que pertenecen.
2014-2015
39
4 / mmm
3m
m3m
32
En el ion tetracloruro de platino (II) slo se representan el eje cuaternario de inversin y

tres de los cinco planos especulares.
En el ciclohexano slo se representan el eje ternario de inversin, uno de los tres ejes
binarios y uno de los tres planos especulares.
En el hexafluoruro de azufre slo se representan un eje ternario de inversin, un
cuaternario de inversin, uno binario y uno de los planos especulares.
________________________________________________________________________
2.13 ndices de Miller-Bravais

Determinar los ndices de Miller-Bravais de la forma de planos a la que pertenece el plano
que contiene los tomos marcados con flechas en la estructura hexagonal de la figura:
Sol: se colocan los ejes cristalogrficos x, y , z , por ejemplo, como en la siguiente figura
(el origen de coordenadas no debe coincidir con ninguno de los tomos marcados y debe
estar lo ms prximo posible al plano):
2014-2015
40
x
Las intersecciones del plano con los ejes son: 1 . 1 . Al invertir y aadir el cuarto
ndice del sistema hexagonal, los ndices de la forma de planos resultan: {0 1 1 1} .
________________________________________________________________________
2.14 Factor de Empaquetamiento Atmico

Calcular el factor de empaquetamiento atmico de un material con la misma estructura
cristalina que el diamante, y que est formado por tomos cuyo radio es 2.5 veces el radio
del tomo de carbono.
Sol: la estructura cristalina del diamante es del tipo de la blenda de cinc (coordinacin
4,4) y la definicin de factor de empaquetamiento atmico es:
APF =
Volumentomos
Volumencelda
El nmero total de tomos en la celda es:

1
1
ntomos = 8 + 6 + 4N = 8
8 N
2 posiciones
N
tetradricas
vrtices
centros
caras
y la relacin entre la arista de la celda cbica y el radio del tomo:

2014-2015
41
a=
8R
3
Con esto se obtiene un factor de empaquetamiento atmico, independiente del radio R :
4
8 R3
3
APF ==
= 0.34
3
8R
3
________________________________________________________________________
2.15 Copolmero PS-PI Difsico

Debido al carcter inmiscible de los bloques de poliestireno (PS) y poliisopreno (PI), los
copolmeros derivados de los mismos son sistemas difsicos cuya morfologa est
determinada, entre otros factores, por el contenido en cada monmero. En el caso de que
el contenido en PS sea bajo (17% en volumen), los bloques de PI forman una fase
continua elastomrica en la que los bloques de PS se distribuyen en forma de esferas con
una morfologa similar a una estructura cbica centrada en el cuerpo (BCC).
Si la arista de la celda cbica es a = 33.2 nm , calcular el radio de las esferas de PS.
Sol.: de acuerdo con los datos del problema la morfologa del copolmero es similar a la
de una estructura cbica centrada en el cuerpo, con la particularidad de que la fraccin
volumtrica de PS (la fase dispersa en forma de esferas) es 0.17.
Conocida la arista de la celda cbica es inmediato determinar su volumen, a 3 , del que un
17% ser PS, y que corresponder necesariamente al volumen ocupado por 2 esferas de
PS:
VPS = 0.17 Vcelda
1
8 (vrtices) + 1(centro) = 2
8
3 0.17
4
= 0.17 a 3 = 2 R 3 R = 33.2 3
= 9.056 nm
8
3
________________________________________________________________________
2.16 Clase Cristalogrfica

Determinar la clase cristalogrfica del siguiente monocristal de un material cermico:
2014-2015
42
Sol.: hay cuatro ternarios de inversin, tres ejes binarios, tres planos de simetra:
m
Es un cristal cbico de la clase m3 .

________________________________________________________________________
2.17 Factor de Empaquetamiento Inico

Calcular el factor de empaquetamiento inico para un material cermico AB que tiene una
estructura tipo blenda de cinc.
Datos radios inicos: rA2+ = 0.07 nm rB2- = 0.180 nm .
2014-2015
43
Sol.: en una estructura tipo blenda de cinc los aniones B2- ocupan los puntos de una red
cbica F y los cationes A 2+ ocupan la mitad de huecos tetradricos. En una celda hay 4
aniones y 4 cationes.
Se cumple adems la siguiente relacin entre la arista de la celda cristalina a y los radios
del catin rA2+ y del anin rB2- :
a=
4 ( rA2+ + rB2- )
3
por lo que el factor de empaquetamiento inico es:

4
4 ( rA32+ + rB32- )
volumen iones
= 3
= 0.538
IPF =
volumen celda 4 ( r 2+ + r 2- ) 3
A
B
________________________________________________________________________
2.18 Densidad Inica Superficial

Un material cermico AB cristaliza en la misma estructura que la blenda de cinc.
Sabiendo que los radios inicos son rA2+ = 0.063 nm y rB2- = 0.174 nm calcular la
densidad inica superficial en iones/m 2 para los planos de la forma {1 0 1}.
Sol.: como la estructura del material cermico AB es tipo blenda de cinc, los aniones
ocupan los puntos de una red cbica F y los cationes ocupan la mitad de los huecos
tetradricos. En la figura se representa una seccin del plano {1 0 1} y los iones (aniones
y cationes) cuyo centro se encuentra contenido en la seccin elegida:
z
1 1 3
, ,
4 4 4
a 2
y
x
y
3 1 1
, ,
4 4 4
La arista de la celda y la densidad inica superficial vendrn dadas por:
a=
4 ( rA2+ + rB2- )
3
= 5.473 1010
nmero de iones
m
=
rea seccin
1
1
2+2 +4
2
4 = 9.44 1018 iones/m 2
2
a 2
________________________________________________________________________
2014-2015
44
2.19
Calcular la densidad (kg/m3) del BaTiO3 tetragonal si los parmetros de celda son a = 0.398 nm y
c = 0.403 nm. Datos: MwBa = 137.34, MwTi = 47.9 , MwO = 16 kg/kmol.
Sol.: la celda tetragonal contiene 1 catin Ba 2+, 1 catin Ti4+ y 3 aniones O2-. De las dimensiones de la
celda unitaria convencional y las masas atmicas:
9
a = 0.398 10
b = a
c = 0.403 10
Vcelda = a b c
1 MwBa + 1 MwTi + 3 MwO

26
29
Vcelda = 6.384 10
m3
= 6066 kg/m3
Vcelda 6.023 10
__________________________________________________________________________________
2.20
En la estructura de la fluorita,
- los iones F- ocupan todos los huecos tetradricos de la estructura FCC definida por los iones Ca2+
- los iones F- ocupan la mitad de los huecos tetradricos de la estructura FCC definida por los iones Ca2+
- los iones Ca2+ ocupan la mitad de los huecos octadricos de la estructura FCC definida por los iones F- los iones Ca2+ ocupan todos los huecos octadricos de la estructura FCC definida por los iones F- los iones F- ocupan todos los huecos octadricos de la estructura FCC definida por los iones Ca2+
Sol.: en la estructura de la fluorita los iones Ca2+ ocupan las posiciones de una estructura FCC (vrtices
y centros de cara) y los iones F- ocupan todos los huecos tetradricos (8). Es decir, "los iones F ocupan todos los huecos tetradricos de la estructura FCC definida por los iones Ca2+"
__________________________________________________________________________________
2.21
Para un material monoatmico (p.ej. un metal) que cristaliza en la estructura hexagonal compacta, la
densidad atmica superficial es mxima en los planos:
Sol.: {0 0 0 1}
__________________________________________________________________________________
2.22
El plano cristalogrfico que contiene los tomos marcados con flechas en la figura pertenece a la forma
o familia de planos:
2014-2015
45
Sol.: colocando, por ejemplo, el origen y los ejes cristalogrficos como en la siguiente figura, las
intersecciones del plano con los ejes x, y, u, z sern en:
1 11
y al invertir resulta la forma de planos:
{1 0 1 1}
z
x
_________________________________________________________________________________
2.23
En un material cermico de frmula genrica A2C (donde A es el anin y C el catin), el radio inico de
A es rA = 0.23 nm y el de C es rC = 0.07 nm. Qu nmero de coordinacin cabe esperar para los
cationes de este material?
Sol.: puesto que la relacin de radios es
rC
rA
= 0.304 el nmero de coordinacin de los cationes debe
ser 4 (coordinacin tetradrica).

__________________________________________________________________________________
2014-2015
46
2.24
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m 2) en los planos de la forma {1 1 2} de un material de
10
estructura tetragonal P (primitiva) con parmetros de red a = 1.22 10
10
m y c = 3.17 10
m.
Sol.: de la figura se deduce que la interseccin de los planos de la forma indicada con las celdas
unitarias son rombos cuyas diagonales menor y mayor se calculan:
d =
2a
D =
2 a + c
Para usar un rea con una participacin representativa de

los tomos, se puede tomar, p. ej., el rea de 2 rombos:
rea = d D
20
rea = 6.227 10
m2
Tambin puede calcularse el rea como el mdulo del

producto vectorial de los lados del paralelogramo:
2a
lado_1 = 0
c

0

a
lado_2 =
c
2

20
( lado_1 lado_2) ( lado_1 lado_2) = 6.227 10
Estos 2 rombos juntos contienen en promedio ntomos =

ntomos
rea
19
= 1.606 10
m2
1 1
+ tomos y la densidad superficial es:
2 2
tomos/m2
__________________________________________________________________________________
2.25
El Si cristaliza en la estructura del diamante. Suponiendo los tomos perfectamente esfricos, calcular su
factor de empaquetamiento atmico (APF):
Sol.: la estructura del Si (diamante) es la de la blenda de cinc y contiene 8 tomos. La relacin entre el
2014-2015
47
radio de los tomos y la arista del cubo es a = 8
R
3
y el APF es:
4
8
3
8 1
= 0.340 .
__________________________________________________________________________________
2.26
La estructura de un material con empaquetamiento FCC (y tomos de radio R) se distorsiona de manera
que uno de los lados de la celda unidad se alarga hasta que se alcanza un factor de empaquetamiento
atmico igual al de una celda BCC. Qu valor ha de tener el lado distorsionado de la celda?
Sol.: se calcula el factor de empaquetamiento para una celda FCC, que contiene 4 tomos, pero
R
2
considerando que el volumen de la celda ahora es Vcelda = a adist , donde a = 4
es la longitud
2
original, y adist la longitud distorsionada. Sustituyendo en la expresin del factor de empaquetamiento,
e igualando el factor a APFBCC = 0.68 , se obtiene:
adist
R
2
es decir, la longitud
3 APFBCC
distorsionada es adist= 3.08 R.

__________________________________________________________________________________
2.27
{0 1 1 1}
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m 2) en la forma de planos
de un material cuya estructura cristalina es anloga a la del grafito y cuyos tomos, considerados
10
esfricos, tienen un radio rA = 0.76 10
m. En los planos hexagonales, los tomos vecinos son
tangentes y la distancia entre estos planos es h = 2 rA.

Sol.: la figura representa la interseccin del plano especificado con dos prismas hexagonales contiguos
del cristal. Slo se representan los tomos de las capas z = 0 y z = 1. El trapecio marcado contiene
nA = 1.5 tomos del material. Sus bases son: b1 = 2 3 rA y b2 = 4 3 rA y su altura es
H =
nA
A
( 2
3 rA
) 2 + (2h)2 (
18
= 9.996 10
2014-2015
3 rA
2
tomos/m .
) 2 m. Su rea es A =
1
( b1 + b2) H y la densidad superficial es
2
48
z
a = 2 3 rA
H = 5rA
c = 4rA
a
a
x
2rA
a
a
a
grafito: (secuencia de capas A-B-A)
z = 1/ 2
z=0
z = 0 y z = 1/ 2
proyeccin de la celda unitaria (base con 4 tomos)
_________________________________________________________________________________
2.28
La velocidad de crecimiento de las caras de un cristal depende de la densidad superficial de tomos o
iones sobre esa cara, que es funcin de la orientacin de la cara. Calcular el nmero total de iones
(aniones y cationes) por m2 (densidad inica superficial) en las caras (1 2 0) de la estructura del NaCl.
2014-2015
49
9
Radios inicos: rNa = 0.102 10
m, rCl = 0.181 10
m.
Masas atmicas: MwNa = 22.99 uma, MwCl = 35.45 uma.

Sol.: en la celda unidad del cloruro sdico los planos (1 2 0) contienen 4
1
1
+ 2 = 2 iones (aniones y
4
2
2
2 1
cationes) y el rea es Area = ( 2 rNa + 2 rCl) 1 + (ver figura). La densidad inica
2
superficial, considerando aniones y cationes conjuntamente, se calcula:
Niones = 2
sup =
Niones
Area
18
sup = 5.58 10
iones/m2
__________________________________________________________________________________
2.29
Un metal cristaliza en estructura cbica centrada en el cuerpo (BCC) y tiene un parmetro de celda
10
(longitud de la arista) a = 6.34 10

m. Calcular el radio del tomo ms grande (considerado esfrico)
que puede introducirse en la estructura del metal sin distorsionarla.
Sol.: los huecos de mayor tamao de la estructura BCC se encuentran en la posicin (1/4, 1/2, 0) y en
todas las cristalogrficamente equivalentes. Son huecos tetradricos (no regulares) definidos por los
cuatro tomos que se indican en la figura. El radio de los tomos en funcin del parmetro de celda es:
3
R =
a
4
2014-2015
50
El radio de la esfera (tangente a las que definen el hueco) cumple: ( R + r )

de donde
10
R = 2.745 10
5
1 R
3
r =
1 1
= a + a
2 4
m
11
r = 7.989 10
__________________________________________________________________________________
2.30
Determinar la clase cristalogrfica para un listn de madera con seccin transversal como la que se
muestra en la figura:
Sol.: ortorrmbico clase mmm.

__________________________________________________________________________________
2014-2015
51
2.31
El nylon 6 puede presentar dos formas cristalinas, conocidas como formas y , en las cuales el eje
cristalogrfico z est alineado en la direccin de las cadenas y es perpendicular a los ejes x e y. Para la
forma , el parmetro c mide 17.24 , que corresponde a dos unidades qumicas repetitivas en una
conformacin completamente extendida; el rea definida por los parmetros a y b es de 70.75 2. Para
la forma , las cadenas se encuentran en una conformacin cuasi extendida en las que se produce un
acortamiento de 0.18 por cada grupo amida; el rea definida por los parmetros a y b es de 38.23
2. Si la celdilla de la forma contiene el doble de cadenas que la celdilla de la forma , cul es la
relacin de densidades entre ambas formas (densidad forma / densidad forma )?
Sol.: si la celdilla de la forma contiene el doble de cadenas (el doble de masa) que la celdilla de la
forma , la relacin de densidades ser igual a la inversa de la relacin de volmenes, donde se
considere una celda doble para la forma :
2V 2 Aab( ) c( )
=
= ( ) ( )
V
Aab c
Si el parmetro c corresponde a dos unidades qumicas repetitivas, que contienen dos grupos amida, el
acortamiento del parmetro c para la forma ser:
c ( ) = c ( ) 2 0.18 = 17.24 0.36 = 16.88
Sustituyendo, se tiene:
2V 2 Aab( ) c( ) 2 16.88 38.23

=
= ( ) ( ) =
= 1.058
17.24 70.75
V
Aab c
= 1.058
__________________________________________________________________________________
2.32
Un modo sencillo y eficiente de fabricar materiales compuestos estructurados regularmente es a partir
de copolmeros dibloque ...-AAAAAAAA-BBBBBBBB-... con bloques A y B incompatibles. Estos
copolmeros tienden a formar espontneamente un material compuesto regular peridico con dos fases o
dominios qumicamente distintos y separados. La figura muestra un fragmento de la morfologa de uno
de estos compuestos de isopreno (A) y xido de etileno (B).
2014-2015
52
La fase continua en gris ms oscuro corresponde a un dominio formado enteramente por A y el resto
(gris claro y blanco) al dominio formado enteramente por B.
A qu clase pertenece la estructura de este material compuesto?
Sol.: el material es del sistema cbico; de hecho est formado por dos redes cbicas primitivas
interpenetradas. Pertenece a la clase de mxima simetra (holoedro):
m3m
__________________________________________________________________________________
2.33
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m 2) en los planos (0 2 1) de un material de estructura
10
ortorrmbica I (centrada en el cuerpo) con parmetros de red a = 1.31 10

10
y c = 2.89 10
10
m, b = 1.59 10
m.
Sol.: la interseccin de los planos de la forma indicada con las celdas unitarias son rectngulos de rea:
2
20
rea = a b + 4c
m2
rea = 7.853 10
Tambin puede calcularse el rea como el mdulo del

producto vectorial de los lados del rectngulo:
a
lado_1 = 0
0

0
lado_2 = b
2c

20

Cada rectngulo contiene en promedio ntomos = 4
m2
1
tomo y la
4
densidad superficial es:

ntomos
rea
19
= 1.273 10
tomos/m2
__________________________________________________________________________________
2014-2015
53
2.34
El ZnTe tiene la estructura cristalina de la blenda de cinc. Calcular su densidad (kg/m 3). Los radios
10
inicos son: rZn = 0.83 10
10
m, rTe = 2.11 10
m, y las masas atmicas son: MwZn = 65.39
kg/kmol, MwTe = 127.6 kg/kmol.

Sol.: la celda contiene 4 cationes y 4 aniones en coordinacin tetradrica, y el parmetro de red es:
a = 4
rZn + rTe
10
a = 6.79 10
3
Usando las masas atmicas de Zn y Te, la densidad se calcula:
4 MwZn + 4 MwTe
3
26
= 4.095 10
kg/m3
a 6.023 10
__________________________________________________________________________________
2.35
El PVDF tiene como unidad estructural repetitiva -CH2-CF2-. En estado slido las cadenas polimricas
estn en conformacin todo-trans, o estirada, es decir, todos los enlaces C-C en conformacin trans.
En la figura se representan dos vistas de un fragmento de la cadena de PVDF. Los crculos blancos
grandes representan tomos de flor, los blancos pequeos, tomos de hidrgeno, y los oscuros,
tomos de carbono.
A qu clase pertenece la molcula de PVDF (considerada como infinitamente larga) en esta
conformacin?
2.54
Sol.: el plano que contiene la cadena de carbonos

es un plano de reflexin y, como la molcula es
infinitamente larga, existe un plano perpendicular al
anterior. Adems hay un eje de rotacin binario; la
clase es:
mm2
__________________________________________________________________________________
2014-2015
54
2.36
Determinar los ndices de Miller de un plano que contiene los siguientes tres puntos (1, 1/2, 1);
(1/2, 0, 3/4) y (1, 0 , 1/2) de una estructura cbica P (primitiva).
Sol: tras colocar los puntos para un origen O y unos ejes cualesquiera, lo ms adecuado es situar un
nuevo origen en otra posicin atmica de la estructura ms prxima al plano, por ejemplo el O'.
1 3
, 0,
2 4
1, 0,
2
nuevo origen O
y
x
1
1, ,1
2
x
Ahora las intersecciones con los nuevos ejes x', y', z' son claras:
1
2
1
2
(1 2 2)
y, al invertir estos valores, los ndices del plano resultan:
__________________________________________________________________________________
2.37
La clase cristalogrfica de una estructura HCP (hexagonal compacta) es:
Sol:
6 m2
__________________________________________________________________________________
2.38
Calcular el factor de empaquetamiento inico del SrXO3 que tiene estructura cbica tipo perovskita,
donde "X" es un metal de transicin, y sabiendo que el ion X 4+ est en contacto con los contraiones
9
con los que se coordina. El radio inico de X es: rX = 0.084 10

9
m y el de O: rO = 0.132 10
2014-2015
m.
m, el de Sr es: rSr = 0.173 10
55
Sol.: en la estructura cbica de la perovskita el ion X 4+ se encuentra en el centro de la celda y los
contraiones (oxgeno) a los que es tangente estn en los centros de las caras. La arista de la celda cbica
es:
a = 2 ( rX + rO)
10
a = 4.32 10
2+
4+
1
1
iones Sr , nX = 1 iones de X y nO = 6 iones de oxgeno. El
8
2
factor de empaquetamiento inico se calcula como:
La celda contiene nSr = 8
4
3
3
3
nSr rSr + nO rO + nX rX
3
= 0.658
a
__________________________________________________________________________________
2.39
Determinar los ndices de Miller del plano cristalogrfico que contiene los tomos marcados con flechas
en la estructura monoclnica centrada en las bases.
90
60
90
Sol: en el sistema monoclnico el eje y se hace coincidir con la direccin del eje binario. Las
intersecciones del plano con los ejes son:
1
1
2
al invertir, los ndices de Miller son:
( 2 01)
__________________________________________________________________________________
2014-2015
56
2.40
Calcular la densidad (kg/m3) de un material cermico BAO3 (estructura de la perovskita, B es un metal
divalente y A es un metal tetravalente de transicin), sabiendo que el metal de transicin est en
10
contacto con los aniones con los que est coordinado, que los radios inicos son rB = 1.27 10
11
m, rA = 5.4 10
m y rO = 0.132 10
m, y que las masas atmicas son MwA = 91.22
kg/kmol y MwB = 40.02 kg/kmol.

Sol.: el A4+ est en coordinacin octadrica con el O 2-, luego la arista de la celda cbica se calcula como:
a = 2( rA + rO)
10
a = 3.72 10
Vcelda = a
En la celda cbica de lado a hay 8/8=1 ion B2+, 1 ion A4+ y 6/2=3 iones O2-, de acuerdo con la frmula
estequiomtrica, luego la densidad es:
( 1 MwA + 3 16 + 1 MwB) 1.6603 10 27

Vcelda
= 5781
kg/m3
__________________________________________________________________________________
2.41
Determinar los ndices de Miller de la forma de planos que contiene los tomos marcados por flechas en
la celda ortorrmbica de la figura:
Sol.: las intersecciones con los ejes cristalogrficos x, y, z : 1 1

2
Es uno de los planos de la forma:
{0 2 1}
__________________________________________________________________________________
2014-2015
57
2.42
Un cristal est formado por una red cbica P y la base es una molcula tetradrica, con cuatro
sustituyentes, como se indica en la figura. Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece el cristal.
Sol..: al colocar la base en cada punto de red y debido a la asimetra de la base, el cristal slo tiene un
eje de orden 1, y es triclnico. No tiene centro de inversin, pertenece a la clase 1.
__________________________________________________________________________________
2.43
Los planos de deslizamiento de la estructura BCC (donde sufre deformacin plstica un cristal con ms
facilidad) son los de la forma {1 1 0}. Determinar la densidad superficial de tomos en los planos de esa
10
forma para un material de estructura cristalina BCC cuyos tomos tienen un radio r = 1.27 10
m.
Sol: en una estructura BCC, la arista del cubo est relacionada con el radio atmico por:
a =
4r
3
10
a = 2.933 10
En la figura se representa uno de los planos de la forma dada

con los tomos que contiene. La densidad superficial es
1 + 4
1
4
a 2 a
19
= 1.644 10
tomos/m2
__________________________________________________________________________________
2.44
10
Un semiconductor A cuyo radio atmica es rA = 1.2 10
m, cristaliza en la estructura cbica del
diamante. Determinar la densidad superficial atmica (tomos de A / m2) para los planos cristalogrficos
de la forma {1 1 1}.
2014-2015
58
Sol.: en la figura se representa la interseccin de uno de los planos de la forma indicada con la celda
unidad. La interseccin es un tringulo equiltero (marcado con lnea gruesa). Este tringulo contiene 3
tomos en los vrtices (cada uno contribuye 1/6) y 3 tomos en la mitad de los lados (cada uno
3 3
contribuye 1/2), es decir, un total de + = 2 tomos (marcados tambin con lnea gruesa).
6 2
El parmetro de celda (la arista del cubo) est relacionada con el radio del tomo por:
a =
8
3
rA
10
a = 5.543 10
El lado del tringulo es: L =
2a
y como es equiltero:
A =
Tambin puede usarse la frmula de Hern
rea:
A =
1
3
L L
2
2
Semipermetro:
s ( s L) ( s L) ( s L)
19
A = 2.66 10
s =
m2
1
3 L
2
19
A = 2.66 10
m2
O bien, el rea del tringulo es la mitad del mdulo del producto vectorial de los vectores que forman
dos lados del mismo:
a a
1
19
m2
A = a 0
A = 2.66 10
2
0 a

3 3
+
6 2
18
tomos/m2
Y la densidad atmica superficial es:
= 7.518 10
A
_________________________________________________________________________________
2.45
Determinar los ndices de Miller de la forma a la que pertenece el plano que contiene los tomos
marcados en negro en la estructura monoclnica centrada en las bases de la figura.
2014-2015
59
90
60
90
{111}
Sol.:
_________________________________________________________________________________
2.46
Determinar los ndices de Miller-Bravais (sistema hexagonal) de la forma a la que pertenece el plano
que contiene los tomos marcados en negro en la figura.
Sol.: los ejes se pueden colocar, por ejemplo, como en la siguiente figura:
z
la interseccin del plano con el eje z se
determina con los tringulos semejantes:
u
y
2014-2015
a
2
z
c
=
a a+ a
2
60
u
y las intersecciones del plano con los ejes x,
y, u se determinan completando el plano de
la base con otras dos celdas, es decir:
intersecciones 2
se invierten
y la forma de
planos es:
1
2
1 2
1
1
2
z
2
3
3
2
{1 2 1 3}
_________________________________________________________________________________
2.47
Calcular el factor de empaquetamiento inico de una cermica AO2 cuya estructura es la de la fluorita,
11
sabiendo que los radios inicos son rA = 9.7 10
m y rO = 0.132 10
m:
Sol: el A4+ est en los vrtices y centros de cara de la estructura tipo fluorita, mientras que el O 2- se
encuentra en los 8 huecos tetradricos, luego la arista de la celda cbica se calcula como :
a =
4
3
10
( rA + rO)
a = 5.289 10
Vcelda = a
En la celda cbica de lado a hay 4 iones A4+ y 8 iones O2-. El factor de empaquetamiento inico resulta:
3
3
(
8 rO + 4rA ) 4
IPF =
3 Vcelda
IPF = 0.624
_________________________________________________________________________________
2.48
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece un material que forma monocristales como el que se
indica en la figura.
2014-2015
61
Sol.:
3
_________________________________________________________________________________
2.49
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m 2) en los planos de la forma {1 1 1}de un material de
estructura ortorrmbica C (centrada en el pinacoide C o centrada en las bases C) con parmetros de red
10
a = 1.05 10
10
m, b = 1.92 10
10
m y c = 3.89 10
m.
Sol.: tomando 3 celdas, la interseccin de un plano (1 1 1) con las celdas es un paralelogramo. El rea de
este paralelogramo no se puede determinar usando el teorema de Pitgoras; hay que calcularlo mediante
un producto vectorial, por ejemplo el de los siguientes vectores:
2014-2015
62
c
b
a
a
lado_1 = b
0

a
2

lado_2 = b
2

c
20

Operando tambin se obtiene:
rea =
Cada paralelogramo contiene en promedio ntomos = 2

ntomos
rea
( a b) + ( b c) + ( a c)
m2
1 1 1
+ + tomos y la densidad superficial es:
2 2 2
19
= 2.286 10
tomos/m2
_________________________________________________________________________________
2.50
Determinar la densidad superficial de tomos (tomos por m 2) en los planos de la forma
{1 2 11}
de un cristal hexagonal formado por una red hexagonal P y una base de un slo tomo de radio
R = 0.16 nm . Los tomos se consideran esfricos y los vecinos inmediatos son tangentes entre s.
Sol.: la figura muestra una porcin del cristal; en cada punto de red se coloca la base, un tomo
esfrico, con lo que resulta la estructura hexagonal ms sencilla (recordar que la celda hexagonal es un
prisma que tiene como base un rombo formado por dos tringulos equilteros; la celda hexagonal NO
es un prisma hexagonal; la porcin de cristal de la figura tiene el volumen de 6 celdas).
Uno de los planos de la forma indicada contiene los tomos sombreados en negro. Este plano corta a la
estructura segn las lneas de trazos. Cada uno de los dos rectngulos marcados contiene un nico
tomo: por ejemplo, si se cuentan fracciones de tomo, cada rectngulo contiene medio tomo, situado
2014-2015
63
en el centro del lado superior, y dos veces un cuarto de tomo, situados en las dos esquinas inferiores.
La densidad superficial de tomos es:
5 R 10
) ( 2
3 R 10
18
= 5.043 10
tomos/m2
_________________________________________________________________________________
2.51
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece este monocristal eumrfico de un material cermico:
2014-2015
64
Sol.: se ven tres ejes de rotacin binarios ortogonales entre s, adems de tres planos de reflexin y un
centro de simetra.
Se trata de la clase ortorrmbica de mxima simetra (holoedro): mmm
_________________________________________________________________________________
2.52
Calcular la densidad atmica lineal (tomos/m) en la direccin [1 1 2] de un material de estructura
ortorrmbica C (centrada en el pinacoide C o centrada en las bases C) con parmetros de red:
9
a = 1.02 10
m, b = 1.78 10
m y c = 2.56 10
m.
Sol.: la direccin [1 1 2] (con las componentes siempre medidas en unidades de los parmetros de red o
lados de la celda) es la de un vector que parte del origen y pasa por el tomo de coordenadas (1, 1, 2) y
por el tomo de coordenadas (1/2, 1/2, 1), como se indica en la figura:
Un segmento desde el origen hasta dicho tomo en la cara superior de la celda ortorrmbica C tiene
una longitud:
L =
a
b
2
c + +
2 2
9
[112]
L = 2.76 10
Este segmento contiene dos medios tomos (dimetros), medio del

que est en el origen y medio del que est en el centro de la cara C
superior: ntomos = 1 tomo
y la densidad lineal es:

ntomos
L
= 3.626 10
tomos/m
_________________________________________________________________________________
2.53
Un material cermico puede cristalizar en las siguientes tres formas cristalinas, A, B y C que se
diferencian en la posicin de los cationes:
forma cristalina A; red: cbica P, base: cuatro aniones (X) en (0, 0, 0), (0.5, 0.5, 0), (0.5, 0, 0.5) y
(0, 0.5, 0.5); dos cationes (Y) en (0.25, 0.25, 0.75), (0.75, 0.75, 0.75).
2014-2015
65
forma cristalina B; red: cbica P, base: cuatro aniones (X), mismas coordenadas que en la forma
A; dos cationes (Y) en (0.25, 0.25, 0.75), (0.75, 0.75, 0.25).
forma cristalina C; red: cbica P, base: cuatro aniones (X), mismas coordenadas que en la forma
A; dos cationes (Y) en (0.75, 0.25, 0.75), (0.75, 0.75, 0.75).
En la prctica, la forma cristalina ms estable (entre las tres alternativas A, B y C), y que aparece
espontneamente en la naturaleza y en el laboratorio, es aqulla en la que la distancia entre iones del
mismo tipo es la mayor posible.
Todos los iones se consideran esfricos, de radios rX y rY y masas atmicas MwX y MwY y los
cationes son tangentes a los aniones que estn ms prximos a ellos. En funcin de las variables
anteriores determinar:
1. frmula estequiomtrica del material cermico (en la frmula usar X e Y como smbolos qumicos
de los aniones y cationes respectivamente).
2. densidad (kg/m3) de las formas A, B y C.
3. clase cristalogrfica de la forma A,
4. clase cristalogrfica de la forma B,
5. clase cristalogrfica de la forma C,
6. cul de las tres formas ser la ms estable.
Sol.: frmula estequiomtrica: la celda unitaria de las tres formas se obtiene colocando la base (4
aniones y 2 cationes, en total 6 tomos) en cada uno de los puntos de la red. La red cbica P (primitiva)
contiene un punto de red por celda. Las estructuras que se obtienen presentan este aspecto:
Forma cristalina A
Forma cristalina B
Forma cristalina C
En esta figura los aniones se han representado como esferas naranjas y los cationes como esferas
verdes. Las figuras incluyen los 2 cationes de la base, los 4 aniones de la base (es decir, una base
completa), y adems otros 10 aniones de celdas vecinas (copias de la celda original) de modo que se
pueda apreciar claramente la simetra de la celda.
Las lneas gruesas son slo una ayuda para la visualizacin de las estructuras. Tambin sirven para que
se observe ms claramente que los cationes ocupan dos de los ocho huecos tetradricos definidos por
2014-2015
66
los aniones en la celda.
En los tres casos, la frmula y la estequiometra son las mismas. Puesto que la base contiene 4 aniones
(X) y dos cationes (Y), la frmula estequiomtrica es Y 2X4, o bien YX2.
Densidad: en los tres casos, los cationes ocupan huecos tetradricos, es decir, cada uno de ellos es
tangente a los cuatro aniones ms inmediatos, y ocupa el centro del tetraedro definido por estos cuatro
aniones. En las figuras los radios de las esferas que representan los iones se han reducido de tamao
por claridad; en la realidad, las esferas verdes son tangentes a las cuatro naranjas que las rodean. As,
las dimensiones de la celda y la densidad son las mismas para las tres formas.
En cualquiera de las tres estructuras, pero especialmente en la B, se aprecia claramente que la distancia
entre el centro de un anin y el centro de un catin es la cuarta parte de la diagonal de la celda cbica,
igual que ocurre en las estructuras tipo de la blenda o de la fluorita. En consecuencia, llamando "a" al
parmetro de red (arista del cubo):
3a = 4 ( rX + rY ) a =
4 ( rX + rY )
3
el volumen de la celda es:
4(r + r )
V =a = X Y
3
Dado que en la celda unidad hay cuatro aniones y dos cationes, la densidad en kg/m3 de las tres formas
del material es:
=
4 MwX + 2 MwY
4 ( rX + rY )
muma
donde muma es la unidad atmica de masa.

Clases cristalogrficas: la estructura A tiene planos de simetra como el (1 1 0), otra forma de planos de
simetra como la {-1 1 0} y ejes binarios en la direccin [0 0 1]. Pertenece al sistema ortorrmbico y en
particular a la clase mm2.
2014-2015
67
Planos y eje binario de la forma

cristalina A.
La estructura B tiene un eje que es ternario y ternario de inversin en la direccin [1 1 1], planos de
simetra como el (1 1 0), 3 planos de simetra: (0 -1 1), (-1 0 1) y (-1 1 0) y 3 ejes binarios en las
direcciones [0 -1 1], [-1 0 1] y [-1 1 0]. Pertenece al sistema trigonal y en particular a la clase 3m
Planos y ejes binario de la forma cristalina B.

El eje ternario no est representado. El eje
ternario pasa por los centros de los dos
cationes.
Vista a lo largo del eje ternario (diagonal de la celda

cbica) de la forma cristalina B.
La estructura C tiene planos de simetra como el (2 0 0), otra forma de planos de simetra como el
(0 1 1) y ejes binarios en la direccin [1 1 0]. Pertenece al sistema ortorrmbico y en particular a la
clase mm2, igual que la estructura A.
2014-2015
68
Planos y eje binario de la forma cristalina C.

En cuanto a la estabilidad de las tres formas, la disposicin y las distancias entre los aniones son las
mismas en las tres estructuras. Si se consideran slo los aniones no hay diferencias de estabilidad entre
las tres formas.
Sin embargo, los cationes ms prximos entre s (los marcados en verde en las figuras) estn separados
por media arista de celda en la forma C, por media diagonal de cara de celda en la forma A y por media
diagonal de celda en la forma B. Esta ltima distancia es la mayor de las tres (diagonal de la celda >
diagonal de la cara de la celda > lado de la celda).
Luego la forma B es la ms estable.
_________________________________________________________________________________
2014-2015
69
3 Representacin de
propiedades de materiales
por medio de tensores
cartesianos
3.1
Complianza y Rigidez Elsticas son Propiedades
Centrosimtricas
Verificar que la complianza y la rigidez elsticas son propiedades centrosimtricas (es
decir, que si se realiza una inversin sus componentes no varan).
Sol.: si la estructura de un material posee centro de simetra, quiere decir que es invariante
respecto de la siguiente transformacin (ver figura): x1 x1 x2 x2 x3 x3 .
e
c
d
d
c
e
Y los elementos de la matriz de transformacin son: lij = ij
La complianza despus de la transformacin de ejes ser:
'
sijkl
= liml jn lkp llq smnpq = (1) 4 im jn kp lq smnpq = sijkl
Es decir, s ' = s , y el mismo argumento es vlido para la rigidez elstica.

________________________________________________________________________
2014-2015
70
3.2
Estructura de una Propiedad de 2 Orden
Simtrica para la Clase Cbica 23

Deducir la estructura de la matriz de resistividad elctrica para la clase cristalogrfica 23
(cbica).
Sol.: la clase 23 tiene varios elementos de simetra: cuatro ejes ternarios en las direcciones
de las cuatro diagonales del cubo (tipo de direcciones <1 1 1>) y tres ejes binarios (tipo de
direcciones <1 0 0>).
Si se toma primero un eje de rotacin ternario, la clase 23 es invariante respecto de una
rotacin de 1/3 de vuelta alrededor de la direccin [1 1 1], es decir, respecto de la
transformacin: x1 x2 x2 x3 x3 x1
ed
[111]
c e
d c
y sus propiedades permanecern inalterables al realizar esta transformacin. La matriz de

transformacin para este giro es:
0 1 0
L31 = 0 0 1
1 0 0
Aplicando la ley de transformacin de tensores de 2 orden: ij' = liml jn mn a cada uno de

los elementos de la propiedad (columna izquierda) y la condicin de invarianza (centro)
se concluye (derecha):
Transformacin Tensores
Invarianza
Conclusiones
'11 = l1ml1n mn = 22
'11 = 11
11 = 22
'22 = l2 ml2 n mn = 33
'22 = 22
22 = 33
'33 = l3ml3n mn = 11
'33 = 33
33 = 11
'12 = l1ml2 n mn = 23
'12 = 12 = 21
12 = 23
2014-2015
71
'13 = l1ml3n mn = 21
'13 = 13 = 31
13 = 21
'23 = l2 ml3n mn = 31
'23 = 23 = 32
23 = 31
Luego 11 = 22 = 33 y 12 = 13 = 23 , que corresponde con la equivalencia de los tres

ejes en el sistema cbico, pero falta determinar si son nulos o no.
Para ello hay que tomar otro elemento de simetra, por ejemplo un eje binario: la clase 23
es invariante respecto de una rotacin de 1/2 vuelta alrededor de la direccin [1 0 0], es
decir, respecto de la transformacin: x1 x1 x2 x2 x3 x3
e
d
cc
e
y sus propiedades permanecern inalterables al realizar esta transformacin. La matriz de

transformacin para este giro es:
1 0 0
L21 = 0 1 0
0 0 1
Transformacin Tensores
Invarianza
Conclusiones
'11 = l1ml1n mn = 11
'11 = 11
11 0
'22 = l2 ml2 n mn = 22
'22 = 22
22 0
'33 = l3ml3n mn = 33
'33 = 33
33 0
'12 = l1ml2 n mn = 12
'12 = 12
12 = 0
'13 = l1ml3n mn = 13
'13 = 13
13 = 0
2014-2015
72
'23 = l2 ml3n mn = 23
'23 = 23
23 = 13 = 12 = 0
Vase que en la ltima lnea se ha usado una de las conclusiones de la transformacin

anterior. La estructura de la propiedad de 2 orden ser entonces:
str =

( )
________________________________________________________________________
3.3
Propiedad de 3er. Orden para la Clase 2
Deducir la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase cristalogrfica

2 (monoclnica).
Sol.: la clase 2 tiene como nico elemento de simetra un eje binario paralelo a la
direccin d. Es decir, es invariante respecto de la transformacin:
x1 x1
x2 x2
x3 x3
e
c
d
d
c
e
Y los elementos de la matriz de transformacin son:
l11 = 1 l12 = 0 l13 = 0

l21 = 0 l22 = 1 l23 = 0
l31 = 0 l32 = 0 l33 = 1
Aplicando la ley de transformacin: dijk' = lim l jnlkp d mnp a cada uno de los elementos
(recordando que el tensor de mdulos piezoelctricos es simtrico en los dos ltimos
ndices), aqullos que cambien de signo sern nulos, porque la operacin de simetra debe
dejarlo invariante, lo cul slo es compatible con un cambio de signo si el elemento es
nulo.
De los 27 trminos de la triple suma (hay tres ndices repetidos) todos los que contengan
cosenos directores con ndices diferentes sern cero. Se observa que el nico trmino
restante ser distinto de cero slo si contiene l22 exactamente una vez o tres veces.
2014-2015
73
'
d111
= l1ml1nl1 p d mnp = l11l11l11d111 + l11l11l12 d112 + l11l11l13 d113 + l11l12l11d121 +
+l11l13l11d131 + l12l11l11d 211 + l13l11l11d 311 + = d111 d111 = 0

los ltimos 26 trminos son 0 porque contienen factores lij con i j .
Procediendo de igual manera con todos los elementos, los nicos que no se anulan son:
d112 , d121 , d123 , d132 ,
d 211 , d 213 , d 222 , d 231 , d 233 ,
d312 , d321 , d323 , d332
es decir, en notacin de Voigt: d16 , d14 , d 21 , d 25 , d 22 , d 23 , d36 , d34 .
Con lo cual, la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase 2 debe ser:

str ( d ) =

Es evidente que la estructura obtenida depende de la orientacin del eje binario de

simetra (en general, de los elementos de simetra) respecto de los ejes cartesianos
convencionales. De aqu la importancia de orientar siempre el material del modo estndar
o convencional, tal y como est indicado en los estereogramas.
________________________________________________________________________
3.4
Propiedad de 3er. Orden para la Clase m
Deducir la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase cristalogrfica

m (monoclnica).
Sol.: la clase m tiene como nico elemento de simetra un plano de reflexin
perpendicular a la direccin d. Es decir, es invariante respecto de la transformacin:
x1 x1 x2 x2 x3 x3
e e
d
c c
y sus propiedades permanecern inalterables al realizar esta reflexin. La matriz de

transformacin para este plano es:
2014-2015
74
1 0 0
Lm = 0 1 0
0 0 1
Siguiendo el mismo razonamiento del problema anterior, se anularn las componentes de

d que tengan el subndice 2 una o tres veces. Sern distintas de cero las componentes que
no tengan el subndice 2 o que lo tengan dos veces, es decir:
d111 , d333
d113 , d311 , d131
d133 , d313 , d331
d122 , d 212 , d 221
d322 , d 232 , d 223
y en notacin de Voigt: d11 , d33 , d15 , d31 , d13 , d35 , d12 , d 26 , d 32 , d 24 .

Con lo cual, la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase m debe
ser:

str ( d ) =

con diez componentes independientes.

Las estructuras de los mdulos piezoelctricos y de las matrices de complianza y rigidez
para el resto de las clases cristalogrficas se obtienen por argumentos anlogos.
________________________________________________________________________
3.5
Propiedades Orden 1, Clases Polares
Comprobar que, de los materiales con simetra cristalogrfica, slo aqullos que
pertenecen a las clases polares:
1, 2, m, mm2, 4, 4mm, 3, 3m, 6, 6mm
pueden presentar efecto piroelctrico.
Sol.: puesto que un cristal (y todas sus propiedades) son invariantes bajo todas las
operaciones de simetra de la clase cristalogrfica, un material ser polar si el vector
polarizacin (o la resultante de los dipolos moleculares) permanece invariante bajo todas
las operaciones de simetra de la clase cristalogrfica.
Como ilustracin, si un material pertenece a una clase centrosimtrica, es invariante bajo
inversin. La inversin (cambio de signo de todas las componentes) equivale a un cambio
de sistema de referencia dado por la matriz:
1 0 0
L1 = 0 1 0
0 0 1
2014-2015
75
y una propiedad de orden 1 se transforma como:
1 0 0
p ' = L1 p = 0 1 0 p = p
0 0 1
Como se ha supuesto que el material es centrosimtrico, su estructura geomtrica y todas

sus propiedades (entre ellas la polarizacin) deben ser invariantes bajo la operacin de
inversin, es decir, las mismas antes y despus de la inversin: p ' = p .
El nico modo de satisfacer simultneamente ambas condiciones es que: p = 0 .
Ningn material centrosimtrico puede presentar efecto piroelctrico.
Dentro de los materiales no centrosimtricos, presentarn el efecto piroelctrico aqullos
que tengan un solo elemento de simetra, por ejemplo un eje binario, o ternario, o
cuaternario, o senario, o un solo plano de simetra, en el cual est contenido el vector
polarizacin.
Si la clase no centrosimtrica tuviera ms elementos de simetra, los siguientes elementos
tienen que contener al primero. Por ejemplo la clase mm2 tiene 3 elementos de simetra:
un eje binario y dos planos de reflexin; el eje binario (direccin e cartesiana) es justo la
interseccin de los dos planos de simetra, luego la polarizacin slo puede tener
componente 3.
________________________________________________________________________
3.6
Deformacin por Curado en Material Compuesto
Un material compuesto est fabricado con capas de un tejido de carbono HT de 30

hilos/cm de urdimbre y 5 hilos/cm de trama; trama y urdimbre son perpendiculares. Las
capas de tejido estn apiladas en planos paralelos y de modo que las direcciones de la
trama y la urdimbre son las mismas en todas las capas. La matriz es de polister saturado
e istropa. Con este material se desea fabricar un eje, para lo cual se rellena
completamente un molde cilndrico recto.
Durante la reaccin de curado de la matriz, el contenido del molde se distorsiona de
acuerdo con:
=
donde es el grado de avance de la reaccin de curado y son los coeficientes de
distorsin (o cambio dimensional) por curado.
Se consideran dos procesos diferentes de fabricacin:
1. al rellenar el molde, el tejido se orienta de manera que la urdimbre es colineal con el
eje del molde, y
2. al rellenar el molde, el tejido se orienta de manera que el eje del molde forma un
ngulo de 45 con la urdimbre.
Determinar forma y dimensiones del eje despus del curado completo.
2014-2015
76
Datos: las direcciones c,d y e corresponden a la urdimbre, la trama y a la direccin
perpendicular al tejido, respectivamente. Las dimensiones del eje: R = 0.05 m y L = 1 m
y los coeficienes de distorsin por curado:
0
0
0
= 0 0.036
0
0
0.067
0
Sol.: el curado completo de la matriz corresponde a = 1 , con lo cual, la deformacin

causada por la reaccin de curado es:
0
0
0
= 0 0.036
0
0
0.067
0
En el primer caso, puesto que el eje del molde est alineado con el eje c, la distorsin
corresponde directamente al cambio dimensional que se indica (con la escala exagerada)
en la figura de la derecha, con ij = ij .
e
L =1m
L =1m
P
R 3 = 0.05(1 + 33 ) m
R 2 = 0.05(1 + 22 ) m
R = 0.05 m
Se comprueba que la seccin transversal pasa de ser una circunferencia a ser una elipse:
las coordenadas de un punto que se encuentra sobre la periferia del eje antes del curado
(p.ej. P en la figura), satisfacen:
2
x2 x3
+ =1
R R
Despus del curado, las nuevas coordenadas del punto (P) pasan a ser:
x2 = x2 (1 + 22 ) x3 = x3 (1 + 33 )
Despejando las coordenadas antiguas (sin ) y sustituyendo en la expresin anterior se
comprueba que las nuevas coordenadas satisfacen la ecuacin:
2

x3
x2
=1
+
R(1 + 22 ) R(1 + 33 )
que es la de una elipse de semiejes:
2014-2015
77
R2 = R(1 + 22 ) m
R3 = R (1 + 33 ) m
En el segundo caso, el eje del molde forma un ngulo de = 45 con la direccin de la
urdimbre. Visto en direccin perpendicular a e:
d
d
trama
c
urdimbre
El modo ms directo de calcular la distorsin por curado es definir un sistema nuevo de

ejes en el que el eje c sea colineal con el eje del molde. En este sistema de ejes, el tensor
de deformacin es, en general:
cos
= L L = sen
0
T
sen
cos
0
11 cos 2 + 22sen 2
= ( 22 11 )sen cos
0 11 0
0 cos
0 0 22 0 sen
1 0
0 33 0
( 22 11 )sen cos
11sen 2 + 22 cos 2
0
sen
cos
0
0
0
1
0
33
Como segn el enunciado 11 = 0 , esta deformacin corresponde a:

22sen 2
= 22sen cos
22sen cos
22 cos 2
0
0
33
en el eje e, la misma situacin que en el primer caso, es decir deformacin

longitudinal negativa (acortamiento), con lo que el semieje vertical e de la seccin
es: R3 = R(1 + 33 ) ,
en el plano cd, hay deformacin longitudinal (acortamiento) en direccin d, con

lo que el semieje d de la seccin es: R2 = R(1 + 22 cos 2 ) y en direccin c la
nueva longitud del cilindro es: L = L(1 + 11 ) = L(1 + 22sen 2 ) ,
adems, existe deformacin angular en el plano cd como se ilustra a escala

exagerada en la figura siguiente. Las caras frontal y trasera, que en el molde antes del
2014-2015
78
curado son perpendiculares al eje, despus del curado ya no lo son sino que forman un
ngulo, en radianes, de
212 =
2 22sen cos
d
d
trama
2 12
+ 2 12
urdimbre
Resumiendo, para el valor de = 45 las caras frontal y trasera del eje son elipses de
semiejes:
R3 = R (1 + 33 ) = 0.0467 m
R2 = R (1 + 22 cos 2 ) = 0.0491 m
la nueva longitud del cilindro es:

L = L(1 + 22sen 2 ) = 0.982 m
y el ngulo entre las caras frontal y trasera y el eje despus del curado:
212 =
2 22sen cos = 90 2 4 '
luego la deformacin angular ser de 2 4 ' y el cambio de volumen:

V
= 22 + 33 = 22 (sen 2 + cos 2 ) + 33 = 0.103
V
idntico para los ejes cde y los ejes cde, es decir, una contraccin volumtrica de
aproximadamente el 10%.
________________________________________________________________________
2014-2015
79
3.7
Un monocristal de un material cermico, sin defectos y que contiene todos los elementos cristalogrficos
de simetra de la celda cristalina tiene forma de prisma recto cuya base es un tringulo equiltero. De
este material se conocen los valores de las siguientes complianzas elsticas:
11
s1111 = 5.31 10
Pa-1
11
s1122 = 1.12 10
Pa-1
Calcular la componente s1212 de la complianza elstica.

Sol.: el material cermico pertenece al sistema hexagonal (posee un eje senario de inversin, o bien un
eje ternario con un plano perpendicular a l, que es equivalente). De la notacin de Voigt y de la
estructura de la matriz de complianza se deduce:
s1212 =
1
1
1
s66 = 2 ( s11 s12 ) = ( s1111 s1122 )
4
4
2
1
11
Pa-1
( s1111 s1122)
s1212 = 2.095 10
2
_________________________________________________________________________________
s1212 =
3.8
A qu sistema cristalino y clase, de las propuestas abajo, pertenecer un material con los
siguientes valores de los mdulos piezoelctricos: d111 = 5.4, d122 = d212 = d221 = 5.4,
d222 = 3.2 , d211 = d112 = d121 = 3.2 pC/N?
Tetragonal 422
6
Hexagonal
Hexagonal 622
Trigonal 32
Tetragonal 42m
Sol.: el material posee dos componentes independientes de los mdulos piezoelctricos, de

forma que las estructuras tetragonal 422 y hexagonal 622 quedan descartadas. Las estructuras
trigonal 32 y la otra tetragonal poseen mdulo d22 (que corresponde al d222) nulo, luego
tambin quedan descartados. La nica que coincide con los valores propuestos es la estructura
hexagonal:
6
_________________________________________________________________________________
3.9
Cul de los siguientes materiales no puede presentar efecto piezoelctrico directo e inverso?
-cuarzo
(clase 32)
aragonito (carbonato clcico ortorrmbico, clase mmm)
2014-2015
80
clorato sdico (clase 23)

nitrito de bario (clase 6)
resorcina C6H4(OH)2 (clase mm2)
todos los materiales anteriores pueden presentar efecto piezoelctrico directo e inverso
Sol.: el aragonito pertenece a la clase mmm, que es centrosimtrica y no puede tener propiedades de
orden impar, luego no puede presentar efecto piezoelctrico directo ni inverso.
_________________________________________________________________________________
3.10
Un determinado material istropo, presenta los siguientes valores de la complianza elstica (en notacin
de Voigt, y en unidades de 10-10 Pa-1):
s11 = 0.85
s12 = 0.15
Calcular el valor del elemento s3223 del tensor de complianza elstica.

Sol.: los subndices 3223 corresponden, en notacin de Voigt, a los subndices 44. Como se trata de la
complianza, hay que aadir un factor multiplicativo de 4. Para un sistema istropo, se cumple:
s44 = 2 ( s11 s12 ) = 4s3223

y en las mismas unidades:
s3223 =
1
( s11 s12)
2
s3223 = 0.35
_________________________________________________________________________________
3.11
Para un determinado material, se miden los coeficientes de conductividad trmica referidos a
un sistema de coordenadas que est rotado con respecto de los ejes convencionales un ngulo
= 30 alrededor del eje 2, tal y como se muestra en el esquema.
2014-2015
81
1.3415 0 0.0915
La estructura del tensor conductividad trmica obtenido es:
k = 0
1
0
(en W/K m)
0.0915 0 0.6585
Especificar a cul de los siguientes tipos de material puede corresponder (redondear los resultados
numricos a cuatro cifras decimales):
Un monocristal triclnico.
Un material compuesto orttropo.
Un polmero completamente amorfo.
Un material compuesto "desequilibrado" (monoclnico).
Una fibra orientada.
Sol.: la matriz de transformacin del sistema convencional ("viejo") al sistema utilizado ("nuevo") es:
cos ( ) 0 sen ( )
L =
0
0
1
sen ( ) 0 cos ( )
0.866 0 0.5
L= 0
1
0
0.5 0 0.866
Aplicando la transformacin de ejes inversa (deshaciendo la rotacin) se obtiene el tensor de

conductividad referido a la orientacin convencional:
1.25 0 0.25
kij = lki llj k 'kl
k = L k L
k= 0
0.25 0 0.75
Para propiedades de segundo orden simtricas, esta estructura corresponde al sistema monoclnico.
_________________________________________________________________________________
3.12
Un determinado material con propiedades piezoelctricas y piroelctricas, y cuya simetra pertenece
al sistema tetragonal, presenta, entre otros, los siguientes mdulos piezoelctricos: d311 = 3.5,
d113 = 6.1 pC/N. Cunto valdr el mdulo d223?
Sol.: como es un material tetragonal piroelctrico, tiene que pertenecer a una clase polar, bien
la 4 o la 4mm. En notacin de Voigt, se conocen los mdulos d31 y d15 y se pide el mdulo
d24. Para ambas clases, se cumple que d24 = d15 , luego d223 = d113 = 6.1 pC/N.
_________________________________________________________________________________
3.13
La brookita es una de las tres formas cristalinas diferentes que puede adoptar el dixido de titanio
2014-2015
82
(TiO2). Un monocristal de brookita, sin defectos y que contiene todos los elementos cristalogrficos de
simetra de la celda cristalina tiene la forma que se indica en las figuras.
De este material cermico se conocen los valores de las siguientes conductividades elctricas (referidas a
los ejes convencionales):
14
11 = 5.31 10
14
S/m
33 = 1.12 10
S/m
Calcular la componente 22 de la conductividad elctrica en los ejes convencionales.

Sol.: la brookita es tetragonal y las conductividades en las direcciones convencionales 1 y 2 son idnticas
22 = 11
14
22 = 5.31 10
S/m
_________________________________________________________________________________
3.14
Un cubo de lado L de un material de la clase cristalogrfica m3 se somete a compresin hidrosttica
homognea en todo su volumen, es decir, el tensor de tensiones es un mltiplo del tensor unidad en todos
los puntos:
= p
Considerando pequeas deformaciones, su volumen cuando est comprimido est dado por:
Sol.: el producto de la matriz de complianzas para la clase dada y el vector de tensin (ambos en
notacin de Voigt), produce una deformacin:
p ( s11 + 2 s12 )
p ( s11 + 2 s12 )
G p ( s11 + 2 s12 )
=
Con lo cual el nuevo volumen (para pequeas deformaciones)

es:
3
L3 1 p ( s11 + 2s12 ) L3 1 3 p ( s11 + 2s12 )
_________________________________________________________________________________
2014-2015
83
3.15
El Na2CoP2O7 es un material cermico inico conductor de la corriente elctrica. Su estructura es
tetragonal. Sus conductividades en las direcciones convencionales 1 y 3 son respectivamente
3
1 = 6.16 10
S/m y 3 = 1.57 10
S/m.
Determinar cul es su conductividad en una direccin que est en el plano definido por las
direcciones convencionales 1 y 2, y que forma un ngulo de = 21 con el eje 1.
Sol.: la conductividad elctrica es una propiedad tensorial de 2 orden simtrica. La estructura de la
propiedad para el sistema tetragonal es:
El material es istropo en el plano 1-2 y las propiedades de 2 orden en cualquier direccin contenida en
ese plano son las mismas que en las direcciones de los ejes convencionales 1 y 2. Luego no es necesario
hacer ningn clculo:
= 1
S/m
= 6.16 10
Si se quiere comprobar este resultado, trabajando ms, se usa la expresin de una propiedad de
segundo orden simtrica en una direccin definida por un vector unitario en la direccin indicada en el
enunciado:
cos ( )
0.934
Vector unitario en la direccin dada:
n = sen ( ) n = 0.358
La estructura del tensor conductividad elctrica en los ejes cartesianos

convencionales:
La conductividad en la direccin dada es:
3
Y nuevamente:
1 0 0
= 0 1 0
0 0 3
= ni n j ij
( ni n j i , j) = 6.16 10 3
S/m
i=1 j=1
O bien, como es diagonal, la expresin anterior se reduce a:
i=1
( ni) 2 i , i = 6.16 10 3
S/m
Puede comprobarse, trabajando an ms, calculando la conductividad en un sistema de ejes nuevo,

rotado en torno al eje 3, y de manera que, p.ej. el nuevo eje 1' apunte en la direccin especificada en el
enunciado. La componente 11 de la propiedad transformada es entonces la magnitud pedida:
2014-2015
84
cos ( ) sen ( ) 0
L = sen ( ) cos ( ) 0
0
1
0
6.16 10 3
0
0
T
3
L L =
0
0
6.16
10
0
0
1.57 10
( L LT ) 1 , 1 = 6.16 10 3
S/m
El mismo resultado se debe obtener haciendo que sea el nuevo eje 2' el que apunte en la direccin
especificada en el enunciado. En este caso es la componente 22 de la propiedad transformada la que da
la magnitud pedida:
6.16 10 3
0
0
sen ( ) cos ( ) 0
3
L = cos ( ) sen ( ) 0 L L =
0
0
6.16
10
1
0
0
0
1.57 10
( L LT ) 2 , 2 = 6.16 10 3
S/m
_________________________________________________________________________________
3.16
Para un determinado material cermico se miden los coeficientes de dilatacin trmica,
referidos a un sistema de coordenadas que est rotado con respecto de los ejes cartesianos
convencionales un ngulo = 40 alrededor del eje 2, tal y como se muestra en el esquema.
La estructura del tensor coeficiente de dilatacin o expansin trmica medido en los ejes 1', 2', 3' es:
0.502 0 0.295
0
0.25
= 0
0.295 0 0.398
K-1
Especificar a cul de los siguientes tipos de material puede corresponder (redondear los resultados
numricos a dos cifras decimales):
2014-2015
85
Un monocristal ortorrmbico.
Un material de simetria tetragonal.
Un material refractario istropo.
Un material monoclnico.
Un material totalmente amorfo.
Sol.: la matriz de transformacin del sistema convencional ("viejo") al sistema utilizado ("nuevo") es:
cos ( ) 0 sen ( )
1
L =
0
0
sen ( ) 0 cos ( )
0.766 0 0.643
0
1
L= 0
0.643 0 0.766
Aplicando la transformacin de ejes inversa se obtiene el tensor de expansin trmica referido a la

orientacin convencional:
ij = lki llj 'kl

ii = 1 .. 3
= L L
jj = 1 .. 3
15
ii , jj = if ii , jj < 10
, 0 , ii , jj
0
0.75 0
= 0 0.25 0
0
0 0.15
)
K-1
Para propiedades de segundo orden simtricas, esta estructura corresponde al sistema ortorrmbico.
_________________________________________________________________________________
3.17
Un material ferroelctrico del sistema trigonal presenta, entre otros, los siguientes valores de los
mdulos piezoelctricos: d113 = 0.75 , d211 = 0.34 , d311 = 0.15 y d333 = 0.22 pC/N.
Cunto valdr el mdulo d112?
Sol.: las clases ferroelctricas (piezo y piroelctricas) del sistema trigonal son la 3 y la 3m. Para
ambas se cumple:
d16 = 2d112 = 2d 22 = 2d 21 = 2d 211
pC/N
de esta igualdad:
d112 = d211
d112 = 0.34
_________________________________________________________________________________
2014-2015
86
3.18
Determinar las componentes (en dos dimensiones, 2D) del tensor deformacin para los siguientes
desplazamientos (u) de los puntos A, B, C y D de la estructura de la figura y para el lado L = 6.34
m.
0.001
0.002
0.001
0
uA =
uB =
uC =
uD =
0.002
0.002
0
0
C(0,L)
B (L,L)
D (0,0)
A (L,0)
Sol.: a partir de la definicin del tensor deformacin, e integrando, resulta:
c f = 11
ed hg
12
u1
x1
12
=
22
1 u1 + u2
2 x2 x1
1 u2 u1
+
2 x1 x2
u2
x2
u1 ( x1 ,x2 ) = 11 x1 + Cx2 + 12 x2 + K
u2 ( x1 ,x2 ) = 22 x2 Cx1 + 12 x1 + K
Las constantes de integracin K y K' son cero porque el desplazamiento del punto D es cero.
Sustituyendo los desplazamientos de los puntos B y C en la expresin anterior, se obtiene:
(
(x
(x
(x
)
) = L CL +
) = CL + L
)= L
u B1 xB1 ,xB2 = 11 L + CL + 12 L
u B2
uC1
uC2
de donde:
11 =
0.001
L
B1
,xB2
C1
,xC2
C1
,xC2
12 =
4
11 = 1.577 10
22
12
12
22
0.003
2L
22 = 0
4
12 = 2.366 10
22 = 0
_________________________________________________________________________________
2014-2015
87
3.19
La divergencia de un campo tensorial de orden 2 definido como
subndices, a:
equivale, en notacin de
Sol.: haciendo una contraccin de ndices, resulta un tensor de primer orden:
( j i ) k xik = k x jk = k xik
j
j
i
_________________________________________________________________________________
3.20
Un material cermico piezoelctrico no piroelctrico del sistema tetragonal tiene, entre otros, los
9
siguientes mdulos piezoelctricos: d14 = 1.9 10

9
d31 = 5.7 10
C/N, d15 = 3.1 10
C/N y
C/N. Determinar el valor del mdulo d213.
Sol.: un material tetragonal piezoelctrico pero no piroelctrico no puede ser de ninguna de las dos
clases polares tetragonales, es decir, ni clase 4 ni clase 4mm.
Segn los mdulos indicados slo puede ser la clase:
4
Para esta clase la matriz de mdulos piezoelctricos es:

luego
d14 = d 25 = 2d123 = 2d 213
d14
10
C/N
2
_________________________________________________________________________________
d213 =
d213 = 9.5 10
3.21
De un material cermico del sistema monoclnico se conocen los valores de las siguientes
componentes de la conductividad trmica (propiedad de segundo orden, simtrica): k11 = 2.45
W/K m, k22 = 7.32 W/K m, k33 = 5.33 W/K m, k13 = 1.53 W/K m, referidos a los ejes
convencionales del material.
A partir del monocristal se ha fabricado una probeta cilndrica de lado L = 0.1 m y dimetro
D = 0.002 m, cuyo eje forma un ngulo 1 = 55 con el eje convencional 1, y un ngulo
2 = 65 con el eje convencional 2. Determinar la conductividad trmica de la probeta en la
direccin de su eje.
2014-2015
88
Sol.: el valor de una propiedad de segundo orden simtrica, como la conductividad trmica, en una
direccin dada es:
k n = ni n j kij
donde las ni son las componentes (cosenos directores) de un vector unitario n que apunta en la
direccin en la que se quiere calcular la propiedad. Los cosenos directores de la direccin del eje de la
probeta son:
( )
( )
n1 = cos 1
n2 = cos 2
n1 = 0.574
n3 =
n2 = 0.423
1 n1 + n2
n3 = 0.702
El valor de la conductividad en la direccin del eje es:

2
W/K m
n1 k11 + n2 k22 + n3 k33 + 2n1 n3 k13 = 5.97
_________________________________________________________________________________
3.22
Un material cermico hexagonal presenta, entre otros, los siguientes valores de la rigidez elstica:
10
10
c11 = 4.1 10
rigidez elstica.
Pa y c12 = 1.2 10
Pa. Determinar el valor del elemento c2112 del tensor de
Sol.: el material es hexagonal y la estructura de su matriz de rigidez elstica es:
El elemento pedido es en notacin de Voigt : c2112 = c66 (para

la rigidez c, no hay que multiplicar por 2 ni por 4).
A la vista de la estructura de la propiedad, el elemento c66 del
tensor rigidez elstica viene designado con una " x " , que
corresponde a:
c66 =
c11 c12
2
10
c66 = 2.65 10
Pa
_________________________________________________________________________________
3.23
La madera es un material compuesto altamente anistropo como consecuencia de su estructura celular.
Una cuestin prioritaria a tener en cuenta en el diseo y construccin con este material es el cambio de
forma que sufre como consecuencia de la variacin en su contenido de agua (p.ej. debido al secado, a
cambios de humedad y temperatura ambientes entre verano e invierno, etc). De modo general, la
2014-2015
89
deformacin del material y la variacin de su contenido en humedad se pueden expresar como:

= xw
donde

es el tensor deformacin (-)

es un coeficiente tensorial de proporcionalidad (-)
xw es la variacin del contenido de agua en la madera (fraccin msica) respecto de un
valor de referencia xref = 0.12 , es decir, xw = x xref .
Para una muestra de madera de pino albar, el coeficiente determinado experimentalmente es:
0.53 0 0
= 0 0.38 0
0
0 0
expresado en un sistema de coordenadas cartesiano en el que el eje 1 es colineal con la

direccin tangencial, el 2 con la radial y el 3 con el eje del tronco (considerado como un
cilindro recto). De esta madera, seca al 12% ( x = 0.12), se labran dos jcenas A y B de las
siguientes dimensiones a partir de un mismo tabln T (ver la figura inferior; la seccin de la
viga B es la misma que la de A, pero est girada 45 respecto de A):
l1 = 0.12 m en la direccin del eje 1
l2 = 0.12 m en la direccin del eje 2
l3 = 3.50 m en la direccin del eje 3.
Determinar qu variaciones estacionales sufren las vigas si en el verano el contenido de humedad

baja al xmin = 0.06 y en invierno sube al xmax = 0.20.
Notas: el valor xref = 0.12 corresponde al contenido de agua de la madera considerada como
"seca", que es el estado en el que se le da forma por labra, regrueso, fresado, moldurado, etc.
Variaciones del contenido de humedad de la madera por encima o por debajo de xref producen
2014-2015
90
distorsiones de la forma mecanizada.

Ntese tambin que la dependencia entre variacin de humedad y la deformacin de la madera es
formalmente idntica a la relacin entre deformacin y cambio de temperatura en un material
cualquiera.
Sol.: para la jcena A y para xmin , la deformacin es:
min = ( xmin xref )
min
0
0
0.0318
0.0228 0
= 0
0
0
0
A la vista de la forma de min, la deformacin que sufre la jcena es una contraccin en dos de las
direcciones de los tres ejes de referencia, que coinciden con sus aristas. Sus nuevas dimensiones
son:
l1.min = l1 1 + min
l1.min = 0.116 m
l2.min
l3.min
(
= l ( 1 +
= l ( 1 +
1,1
min
2,2
min
3,3
Igualmente para xmax :
)
)
)
max = ( xmax xref )
(
= l ( 1 +
= l ( 1 +
l1.max = l1 1 + max
1,1
l2.max
l3.max
max
2,2
max
3,3
)
)
)
l2.min = 0.117 m
l3.min = 3.5
0
0
0.0424
0.0304 0
max = 0
0
0
0
l1.max = 0.125
l2.max = 0.124
l3.max = 3.5
Para visualizar claramente el campo de deformacin para la humedad minima se consideran slo las dos
dimensiones en las que hay deformacin y se aumentan (slo a efectos de representacin grfica) los
desplazamientos en un factor de 10.
Campo de deformacin:
u1 ( x1 , x2 ) = 10 min x1 u2 ( x1 , x2 ) = 10 min x2
1,1
2,2
Vrtices de la seccin transversal de la viga:
l1
l1
0
0
P =
Q =
R =
S =
0
0
l2
l2
P1

Q1
X_seccin = R1

S1
P
1
2014-2015
P2

Q2
Y_seccin = R2

S2
P
2
91
P1 + u1 ( P1 , P2)
Q1 + u1 ( Q1 , Q2)
X_seccin_deformada = R1 + u1 ( R1 , R2)
S1 + u1 ( S1 , S2)
P + u1 P , P
( 1 2)
1
P2 + u2 ( P1 , P2)
Q2 + u2 ( Q1 , Q2)
Y_seccin_deformada = R2 + u2 ( R1 , R2)
S2 + u2 ( S1 , S2)
P + u2 P , P
( 1 2)
2
Secciones viga A
0.1
Y_seccin
Y_seccin_deformada
0.05
0.05
0.1
X_seccin , X_seccin_deformada
2
2
La jcena B, en su sistema de coordenadas es la misma que la A, rotada 45, y las

2
2
coordenadas de sus vrices se pueden hallar girando los vrtices de la viga A 45 L =

2
por medio de la matriz L:
2
2
2
(evidentemente tambin es posible escribir directamente las coordenadas de los

vrtices de la viga B).
P = L P
Q = L Q
R = L R
P1

Q1
X_seccin = R1

S1
P
1
P1 + u1 ( P1 , P2)
Q
+
u1
Q
,
Q
(
)
1
1
2
X_seccin_deformada = R1 + u1 ( R1 , R2)
S1 + u1 ( S1 , S2)
P + u1 P , P
( 1 2)
1
2014-2015
S = L S
P2

Q2
Y_seccin = R2

S2
P
2
P2 + u2 ( P1 , P2)
Q
+
u2
Q
,
Q
(
)
2
1
2
Y_seccin_deformada = R2 + u2 ( R1 , R2)
S2 + u2 ( S1 , S2)
P + u2 P , P
( 1 2)
2
92
Secciones viga B
0.2
Y_seccin
Y_seccin_deformada
0.1
0.1
0.1
X_seccin , X_seccin_deformada
Se comprueba que:
dos vigas que provienen del mismo tabln y tienen las mismas dimensiones iniciales, se
deforman de modo muy diferente al variar su humedad, dependiendo de su orientacin
respecto de los ejes principales del tronco,
vigas de seccin inicialmente cuadrada se pueden deformar manteniendo ngulos rectos (caso
A) o no (caso B).
Estas deformaciones son tpicas de las maderas macizas y no son despreciables. Deben ser tenidas
en cuenta al disear estructuras o mecanismos de madera. Por comparacin, las variaciones
dimensionales (deformacin) de una viga de hierro usada en construccin y debidas a cambios de
-5
= 0.042 , en el
temperatura entre estaciones es del orden de 10 , frente a valores como max
1,1
caso de la madera, en este caso debidas a cambios de humedad.
Mientras que las deformaciones (inducidas por cambios de temperatura) en estructuras metlicas o
de hormign son despreciables en la mayora de los casos, las deformaciones (inducidas por
cambios de humedad) en estructuras de madera casi nunca son despreciables y obligan al empleo
de sistemas constructivos ms complejos y capaces de absorberlas sin prdida de su integridad
mecnica.
_________________________________________________________________________________
3.24
Una viga de madera en forma de prisma recto de seccin cuadrada ha sido secada en horno hasta una
humedad del 12% y aserrada de modo que la arista "a" es colineal con el eje del rbol, la arista "b" est
orientada radialmente y la arista "c" tangencialmente a los anillos de crecimiento. Aplicada en una
estructura, la humedad de la viga desciende al 8% y con ello, las dimensiones de la viga varan de modo
que:
la longitud "a" prcticamente no cambia, mientras que la "b" y la "c" se hacen menores.
la longitud "a" prcticamente no cambia, mientras que la "b" se hace mayor y la "c" se hace menor.
la longitud "a" y la "b" prcticamente no cambian, mientras que la "c" se hace menor.
la longitud "b" prcticamente no cambia, mientras que la "a" y la "c" se hacen menores.
la longitud "a" y la "b" prcticamente no cambian, mientras que la "c" se hace mayor.
Sol.: al reducirse el contenido de humedad de la madera, la dimensin longitudinal o axial (a)
2014-2015
93
prcticamente no vara, mientras que las radial (b) y tangencial se reducen (c).
__________________________________________________________________________________
3.25
La estructura ensamblada por ingletes encolados que se representa en la figura est construida en
madera seca al horno con un contenido en humedad estndar del 12%. En servicio en un clima seco, el
contenido de humedad de la madera desciende notablemente por debajo del 12%. Los cuatro
miembros de la estructura estn aserrados de manera que su dimensin mayor coincide con la
direccin axial de la madera, tal y como se indica en el primer dibujo. Estas uniones a inglete son
especialmente inadecuadas para materiales compuestos como la madera por su tendencia a
distorsionarse y a fallar estructuralmente Cul ser la forma que adopta la estructura al secarse la
madera?
Sol.: la anchura de los cuatro miembros de la estructura se reducir apreciablemente, por ser direccin
radial o tangencial, mientras que su longitud se mantendr constante (longitudinal). La forma que
adoptar ser la que se indica (y el fallo estructural ser por desencolado de los ingletes).
__________________________________________________________________________________
3.26
Una pieza cbica de madera est cortada de modo que sus aristas son colineales con los ejes
2014-2015
94
tangencial, radial y longitudinal (o axial). Sus coeficientes higromtricos son respectivamente

11 = 0.42, 22 = 0.35 y 33 = 0.02 en la frmula = xw que expresa el tensor de
deformacin en funcin de la variacin del contenido en humedad, donde xw = x - xref y
xref = 0.12. La pieza es cbica y de arista a = 0.1 m cuando el contenido de humedad es igual al
de referencia. Calcular el cambio de volumen cuando su contenido de humedad aumenta al
x = 0.18.
Sol.: al aumentar el contenido de humedad, el cubo se convierte en un paraleleppedo recto de
lados: a1 = a 1 + 11 ( x xref ), a2 = a 1 + 22 ( x xref ) y a3 = a 1 + 33 ( x xref ). La
3
variacin de volumen es de: a1 a2 a3 a = 4.8 10

m.
__________________________________________________________________________________
3.27
Verificar con el siguiente ejemplo numrico que, calculando la deformacin de un objeto a) en un
sistema de ejes dado y b) en otro girado - 45 respecto del primero, se obtiene el mismo fenmeno
fsico (deformacin).
Se deforma un cuadrado cuyos vrtices son:
1
1
1
Q =
R =
S =
1
1
1
El campo de deformacin homogneo (por ejemplo debido a cambio trmico, a variacin del contenido
en humedad, a tensin aplicada, al efecto piezoelctrico inverso, etc.), referido a unos ejes paralelos a
los lados del cuadrado, es:
0.1 0
=
0 0.2
P =
y las componentes del tensor desplazamiento son:

u1 ( x1 , x2 ) = 1 , 1 x1 + 1 , 2 x2
u2 ( x1 , x2 ) = 1 , 2 x1 + 2 , 2 x2
Demostrar que las componentes de los vectores de posicin de todos los puntos del objeto, las
componentes del tensor de deformacin (tensor gradiente de desplazamiento) y las componentes de los
vectores desplazamiento son diferentes en los dos sistemas, pero representan la misma situacin fsica,
expresada en dos sistemas de coordenadas diferentes.
Sol.: en el siguiente diagrama, las coordenadas de los vrtices antes de la deformacin se representan con
cuadrados y tras la deformacin con crculos:
P1 + u1 ( P1 , P2)
Q1 + u1 ( Q1 , Q2)
1.1
1.1
P_def =
Q_def =
Q_def =
1.2
1.2
P2 + u2 ( P1 , P2)
Q2 + u2 ( Q1 , Q2)
P_def =
R1 + u1 ( R1 , R2)
S1 + u1 ( S1 , S2)
1.1
R_def
=
S_def
=
1.2
R2 + u2 ( R1 , R2)
S2 + u2 ( S1 , S2)
R_def =
2014-2015
1.1
1.2
S_def =
95
1.5
0.5
1.5
0.5
0.5
1.5
0.5
1.5
Se repite ahora el clculo, pero en un sistema girado -45 respecto del primero. Se giran los
vrtices y el tensor por medio de la matriz L:
L =
2
2
2
2
2
2
2
2
0.15 0.05
0.05 0.15
g =
Pg = L P
Qg = L Q
Rg = L R
Sg = L S
g = L L
Nuevo tensor de deformacin; contiene elementos tanto en la diagonal como

fuera de ella.
Coordenadas de los cuatro vrtices girados y antes de la deformacin:
1.414
Pg =
1.414
Qg =
u1 ( x1 , x2 ) = g1 , 1 x1 + g1 , 2 x2
1.414
0
Sg =
0
1.414
Rg =
u2 ( x1 , x2 ) = g2 , 2 x2 + g1 , 2 x1
Coordenadas de los cuatro vrtices girados y despus de la deformacin:
2014-2015
96
Pg1 + u1 ( Pg1 , Pg2)
Pg
+
u2
Pg
,
Pg
(
)
2
1
2
Pg_def =
Rg1 + u1 ( Rg1 , Rg2)
Rg
+
u2
Rg
,
Rg
(
)
2
1
2
Rg_def =
Qg1 + u1 ( Qg1 , Qg2)
Qg2 + u2 ( Qg1 , Qg2)
Qg_def =
Sg1 + u1 ( Sg1 , Sg2)
Sg2 + u2 ( Sg1 , Sg2)
Sg_def =
1.626
0.071
Pg_def =
1.626
0.071
Rg_def =
0.071
1.626
Qg_def =
0.071
1.626
Sg_def =
1.5
0.5
1.5
0.5
0.5
1.5
0.5
1.5
Se gira la seccin deformada 45 y se representa la figura deformada en el sistema original y la figura

girada, deformada, y girada al revs. Los smbolos cuadrados (Pgg, Qgg, etc) y los crculos (P_def,
Q_def, etc.) se solapan exactamente, es decir la deformacin calculada por las dos vas es exactamente
la misma:
2014-2015
97
T
Pgg = L Pg_def
Qgg = L Qg_def Rgg = L Rg_def Sgg = L Sg_def
1.5
0.5
1.5
0.5
0.5
1.5
0.5
1.5
1.1
1.2
1.1
Q_def =
1.2
1.1
R_def =
1.2
1.1
S_def =
1.2
P_def =
1.1
1.2
1.1
Qgg =
1.2
1.1
Rgg =
1.2
1.1
Sgg =
1.2
Pgg =
El hecho de que sea diagonal en el primer sistema es consecuencia de que ese sistema es el
de las direcciones principales. El hecho de que el fenmeno fsico (deformacin) sea el
mismo calculado en los dos sistemas es consecuencia de las leyes de transformacin de
tensores:
se transforma : ' = LL
se transforma el vector de posicin r: r' = Lr
T
se deforma mediante ' r', es decir, L L L r = L r

el resultado final es evidentemente lo mismo que calcular r en el primer sistema y luego
girar mediante L ( r).
__________________________________________________________________________________
2014-2015
98
4 Morfologas y estructuras
moleculares de los tipos
bsicos de materiales
4.1
Copolmero Etileno-Tetrafluoroetileno
ETFE es la sigla que denomina al copolmero etileno-tetrafluoroetileno, un material

plstico emparentado con el tefln, muy duradero, adaptable y que puede ser transparente.
Determinar la masa (kg) de un kmol de este copolmero que contiene un 40% en masa de
etileno.
Datos: masas atmicas MwC = 12, MwH = 1, MwF = 19 kg/kmol .
Sol.: el copolmero est formado por los dos monmeros siguientes: etileno (A) y
tetrafluoroetileno (B), siendo sus frmulas qumicas y masas moleculares las siguientes:
(A) H 2 C=CH 2 MwA = 28 kg/kmol
(B) F2 C=CF2
MwB = 100 kg/kmol
Como la totalidad de tomos de los monmeros se incorporan en la cadena polimrica, la

masa molecular del copolmero (masa de un kmol) se calcula a partir de las masas
moleculares anteriores y de las fracciones molares de los monmeros:
Mwcopolmero = xA MwA + xB MwB

Tomando como base de clculo 100 kg de copolmero, se transforma la fraccin msica
X A en fraccin molar xA :
40
molesA
28
xA =
=
=
= 0.704
XA
XB
40 60
molesA+molesB
+
+
MwA MwB 28 100
XA
MwA
y la masa molecular solicitada es:

Mwcopolmero = 0.704 28 + (1 0.704 ) 100 = 49.31 kg/kmol
________________________________________________________________________
2014-2015
99
4.2
Caucho Estireno-Butadieno (1)
Uno de los cauchos sintticos ms importantes es el caucho de estireno-butadieno (SBR).

Este elastmero se prepara a partir de copolmeros de estireno-butadieno que
posteriormente son tratados con azufre para producir el entrecruzamiento de las cadenas
(vulcanizacin). Si se dispone de un copolmero con un 20% en masa de estireno, calcular
qu cantidad de azufre (kg) hay que aadir a 0.1 kg de este copolmero para conseguir
enlazar el 10% de los sitios de entrecruzamiento.
Suponer que solamente un tomo de azufre interviene en cada entrecruzamiento.
Sol.: las estructuras y masas moleculares de las unidades estructurales repetitivas (UER)
de estireno y butadieno son:
CH
CH2
CH2
HC
CH
CH2
M(UER)=54g/mol
Mw(UERbut)=54 kg/kmol
Mw(UERest)=104 kg/kmol
por lo que la estructura bsica del SBR es:

CH
CH2
CH2
HC
CH
CH2
La presencia del doble enlace en el residuo de butadieno permite la reaccin con azufre y
el entrecruzamiento de las cadenas. De acuerdo con el enunciado slo se van a producir
entrecruzamientos en el 10% de los sitios posibles (10% de los residuos de butadieno),
consumiendo 1 tomo de S en cada uno de ellos, por tanto la masa de S necesaria para
vulcanizar 0.1 kg de copolmero es:
0.1 kg copol.
0.8 kg but. 1 kmol but. 0.1 kmol S 32 kg S
= 4.74 103 kg S
kg copol. 54 kg but. 1 kmol but. 1 kmol S
________________________________________________________________________
4.3
Terpolmero Acrilonitrilo-Butadieno-Estireno
El ABS (acrilonitrilo-butadieno-estireno) es un termoplstico muy utilizado en ingeniera

debido a sus propiedades, ya que combina buenas resistencias mecnica y al impacto con
la facilidad de su procesamiento. Se dispone de un ABS con la siguiente composicin
msica: 25% de poliacrilonitrilo, 25% de polibutadieno y 50% de poliestireno, para la
fabricacin de bandejas rectangulares con una cavidad de 45 cm x 30 cm y profundidad
de 12 cm (ver figura). Estas piezas pueden fabricarse por termoformado o por moldeo por
inyeccin.
2014-2015
100
Las caractersticas y costes relativos de cada uno de los procesos se relacionan a
continuacin:
Termoformado.
Como materia prima se utilizan lminas de ABS de 3 mm de espesor, disponible

comercialmente en hojas de 200 cm x 120 cm a 2300 /t. Para el proceso de fabricacin
es necesario precortar la lmina en piezas de 55 cm x 40 cm, que despus del proceso de
termoformado se recortan hasta la dimensin final de 47 cm x 32 cm (figura). El molde
necesario para la fabricacin de la bandeja supone 4000 , la hora de produccin en
fbrica 12 y el tiempo necesario para obtener una pieza es de 90 s. Se pueden abaratar
algo los costes de produccin ya que toda la materia prima de recorte sobrante se puede
vender a un precio de 500 /t.
Moldeo por inyeccin.
Se obtienen bandejas con las dimensiones requeridas y una masa de 0.465 kg. La materia
prima empleada en este caso es ABS en forma de grnulos (granza) a 1600 /t. El molde
supone 16000 , la hora de produccin en fbrica 25 y el tiempo de procesamiento por
pieza es de 30 s. Aproximadamente un 5% del total de piezas elaboradas resulta
defectuoso, pudindose vender como materia prima para reciclar al precio de 500 /t.
1. Determinar la densidad del ABS.
2. Determinar el coste de produccin por bandeja (sin incluir el precio del molde) en
cada uno de los procesos.
3. Considerando ahora todos los costes, determinar a partir de qu nmero de piezas
resulta rentable el moldeo por inyeccin.
Datos:
Densidad poliacrilonitrilo = 1150 kg/m3
Densidad poliestireno = 1060 kg/m3
Densidad polibutadieno = 890 kg/m3
47 cm
45 cm
45 cm
12 cm
30cmcm
30
vista lateral
vista superior
Nota: los dibujos no estn realizados a escala.

Sol.:
1. Densidad del ABS a partir de las fracciones msicas:
ABS
XA
XB
X PS
PS
ABS = 1030.9 kg/m3
2. Coste para termoformado (sin incluir el precio del molde):

2014-2015
32 cm
101
De cada lmina de 200 cm x 120 cm se pueden obtener 10 piezas (10 futuras bandejas) de
55 x 40:
200 120
= 10.9 10 piezas 10 bandejas
55 40
1 2300 200 120 0.3 106 1030.9
= 1.7072
coste materia prima por bandeja =
10 1000
1
nmero de piezas por lmina =
coste tiempo =
12
90 = 0.3
3600
1 500
1030.9 (200 120 0.3 106

10 1000
10 47 32 0.3 106 ) = 0.13855
coste total sin molde por bandeja = 1.7072 + 0.3 0.13855 = 1.8686
ganancia reciclaje materia prima =
3. Coste para inyeccin (sin incluir el precio del molde):

coste materia prima por bandeja =
coste tiempo =
1600
0.465 = 0.7440
1000
25
30 = 0.20833
3600
ganancia reciclaje materia prima =
500
0.05 0.465 = 0.011625
1000
coste total sin molde por bandeja = 0.7440 + 0.20833 0.011625 = 0.94071
4. Nmero de piezas:
coste total termoformado n bandejas = 1.8686 n + 4000

coste total moldeo inyeccin n bandejas = 0.94071 n + 16000
Igualar y resolver: n = 12933 bandejas
________________________________________________________________________
4.4
Caucho Estireno-Butadieno (2)
Se desea preparar un caucho de estireno-butadieno (SBR) en el que el nmero de residuos

de butadieno sea el triple que el de residuos de estireno. Determinar el precio (en materias
primas) de una tonelada de este material sabiendo que los precios de los monmeros son:
Pestireno = 1250 /t Pbutadieno = 1600 /t .
2014-2015
102
Sol.: las UER de estireno y butadieno y sus masas moleculares se han visto en el
problema 4.2. El copolmero de SBR de este problema tiene el triple de residuos de
butadieno que de estireno, lo que implica que aunque se desconozca la secuencia de los
monmeros estireno y butadieno, s se sabe que por cada 4 unidades de monmero en el
polmero, 1 unidad ser de estireno y 3 sern de butadieno, por ejemplo:
CH
CH
CH2
1x
HC
CH
CH2
y3
Como el precio de los monmeros se proporciona en /t, se calculan las fracciones

msicas correspondientes a los monmeros en el copolmero:
X estireno =
1 Mwestireno
= 0.3910
1 Mwestireno + 3 Mwbutadieno
X butadieno =
3 Mwbutadieno
= 0.6090
1 Mwestireno + 3 Mwbutadieno
Y el precio de una tonelada de copolmero ser:

X estireno Pestireno + X butadieno Pbutadieno = 1463.15 /t
________________________________________________________________________
4.5
La densidad de un politetrafluoroetileno (PTFE) es = 2155 kg/m3 . La materia prima
para su sntesis es el tetrafluoroetileno ( F2 C = CF2 ) . Calcular qu volumen ( m3 ) del
monmero tetrafluoroetileno sera necesario almacenar como gas a T = 273 K y
P = 1 atm para producir 1 m3 del polmero PTFE, suponiendo un rendimiento del 100%
en el proceso de sntesis.
Sol.: 1 m3 de PTFE contiene 2155 kg de este polmero. Si el rendimiento de la sntesis es
del 100%, esta cantidad de PTFE se obtiene a partir de la misma masa de monmero, ya
que es una polimerizacin por adicin sin condensacin de ningn subproducto. Como la
masa molecular del monmero es Mwmonmero = 100 kg/kmol se necesitan:
N monmero =
Mwmonmero
= 21.55 kmol monmero/m3 PTFE
que ocupan, en las condiciones especificadas:
N monmero 22.4 = 482.72 m3 monmero/m3 PTFE

________________________________________________________________________
2014-2015
103
4.6
En qu proporcin msica deben estar los monmeros (diamina A, dicido B) que se necesitan para la
sntesis del nylon 6,6 si se emplea la proporcin (molar) estequiomtrica?
Sol.: los reactantes requeridos son (A) hexametilendiamina ( MwA = 116 kg/kmol) y (B) cido
adpico ( MwB = 146 kg/kmol). Puesto que la reaccin es con estequiometra 1:1, la relacin
msica diamina/dicido es: MwA MwB = 0.795 kg A/kg B.
_________________________________________________________________________________
4.7
Calcular qu cantidades (kg) de monmeros (etileno y octeno-1) son necesarias para sintetizar un
kilogramo de polietileno de baja densidad lineal (LLDPE) con una arquitectura molecular de una
rama C6 (-C6H13) por cada nC = 16 tomos de carbono de la cadena principal.
nC 2
, nEt = 7 molculas
2
del co-monmero etileno (cada una de ellas contribuye dos grupos metileno -CH2- a la cadena
principal) y nOct = 1 molcula de octeno-1 (contribuye dos grupos metileno a la cadena principal
Sol.: para obtener la arquitectura especificada, se requieren nEt =
y la rama C6 completa). La unidad estructural repetitiva de polmero formado por nEt = 7

molculas de etileno y nOct = 1 molcula de octeno-1 tiene una masa total de
MUER = nEt ( 2 12 + 4 1) + nOct ( 8 12 + 16 1), MUER = 308 kg/kmol.
Para sintetizar un kg de polietileno sern necesarios
nEt ( 2 12 + 4 1)
MUER
= 0.636 kg de etileno y
nOct ( 8 12 + 16 1)
= 0.364 de octeno-1.
MUER
_________________________________________________________________________________
4.8
Para sintetizar un polmero reticulado, se hace reaccionar un monmero difuncional A de masa
molecular MwA = 972 kg/kmol con un monmero trifuncional B, de masa molecular
MwB = 135 kg/kmol en cantidades estequiomtricas, sin exceso de ningn reactivo. En las
reacciones de polimerizacin no se desprende ningn compuesto. Suponiendo que la reaccin
tiene lugar en condiciones de mezcla ideal (lineal) de volmenes, calcular cuntos kg del
monmero A se necesitan para sintetizar mtot = 1000 kg de polmero reticulado.
2014-2015
104
Las densidades de los monmeros son A = 708 kg/m3 y B = 616 kg/m3.
Sol.: por su funcionalidad, A y B deben reaccionar en proporciones molares 3:2. Las fracciones
msicas de los residuos monomricos de A y B (cuyas masas moleculares son iguales a las de los
monmeros) en el polmero son:
XA =
3MwA
3MwA + 2MwB
XB = 1 XA
XA = 0.915
XB = 0.085
y las cantidades necesarias de monmeros son entonces:

mA = mtot XA
mA = 915.3 kg
mB = mtot mA mB = 84.7
kg
_________________________________________________________________________________
4.9
El sulfuro de polifenileno es un polmero de ingeniera muy resistente al ataque qumico y a la
degradacin medioambiental, con una UER de frmula C6H4S. La nica va prctica de eliminacin de
restos de sulfuro de polifenileno es la incineracin (combustin), pese a que se produce dixido de
azufre. Determinar la cantidad (en kg) de SO2 producida por la combustin de cada kg de sulfuro de
polifenileno.
Sol.: durante la combustin se produce un kmol de SO2 por cada kmol de UER, de frmula
C6H4S. Las masas moleculares del sulfuro de polifenileno y del SO2 son Mwp = 6 12 + 4 + 32
y MwS = 32 + 2 16 respectivamente. Por tanto, a partir de un kg de sulfuro de polifenileno se
1
MwS = 0.593 kg de SO .
producirn por combustin
2
Mwp
_________________________________________________________________________________
4.10
Calcular la masa molecular de la unidad estructural repetitiva de un copolmero alternado de xido de
polifenileno (A), con una UER de frmula C8H8O y polioximetileno (B), con una UER de frmula
CH2O, de relacin monomrica A:B de 1:1.
2014-2015
105
Sol.: masas atmicas: MwC = 12.01, MwH = 1.00, MwO = 16.00. La masa molecular de la
unidad estructural repetitiva del copolmero alternado es:
MwUER = 8 MwC + 8MwH + MwO + MwC + 2MwH + MwO
MwUER = 150.09 kg/kmol UER
_________________________________________________________________________________
4.11
Un nylon 6,6 tiene una masa molecular promedio numrica de Mw = 15500 kg/kmol. Calcular el
grado de polimerizacin promedio.
Sol.: masas atmicas: MwC = 12.01, MwH = 1.00, MwO = 16.00, MwN = 14. La masa
molecular de la unidad estructural repetitiva del nylon 6,6 es:
MwUER = 12 MwC + 22 MwH + 2MwO + 2MwN MwUER = 226.12 kg/kmol UER
Y el grado de polimerizacin promedio numrico es:
Mw
= 69
MwUER
_________________________________________________________________________________
4.12
Se sabe que un copolmero alternado tiene un peso molecular medio numrico de Mn = 100000
kg/kmol y un grado de polimerizacin medio numrico n = 1105. Si una unidad monomrica es
el etileno, de cul de los siguientes monmeros es la otra unidad monomrica?:
estireno
propileno
tetrafluoretileno
cloruro de vinilo
acetato de vinilo
butadieno
Sol.: las masas moleculares del etileno y de los otros monmeros son:
MwH = 1
MwC = 12
MwF = 19
MwCl = 35.5
MwO = 16
MwEtileno = 2 MwC + 4 MwH
MwEtileno = 28
kg/kmol
MwEstireno = 8 MwC + 8 MwH
MwEstireno = 104
kg/kmol
2014-2015
106
kg/kmol
MwPropileno = 3 MwC + 6 MwH
MwPropileno = 42
MwTetrafluoretileno = 2 MwC + 4 MwF
MwTetrafluoretileno = 100 kg/kmol
MwCloruro_vinilo = 2 MwC + 3 MwH + MwCl
MwCloruro_vinilo = 62.5 kg/kmol
MwAcetato_vinilo = 4 MwC + 6 MwH + 2MwO
MwAcetato_vinilo = 86
La masa molecular del co-monmero se obtiene de:
Mwcomonomero =
Mwcomonomero = 62.498
kg/kmol
Mn
28
n
kg/kmol, luego el segundo monmero es el

cloruro de vinilo.
_________________________________________________________________________________
4.13
Un nylon se fabrica a partir de un dicido HOOC-(CH2)n-COOH, con n = 2 (A) y una diamina
H2N-(CH2)m-NH2 con m = 5 (B). Los precios de las materias primas A y B son pA = 2.45 /kg
y pB = 3.34 /kg. Determinar el coste de materias primas necesarias para fabricar 1 tonelada de
nylon.
Sol.: se calculan primero las masas moleculares de monmeros y UER del nylon:
MwA = ( 2 + n) 12 + 4 16 + ( 2 + 2n) 1
MwA = 118
kg/kmol de A
MwB = m 12 + 2 14 + ( 4 + 2m) 1
MwB = 102
kg/kmol de B
Mwnylon = MwA + MwB 2 18
Mwnylon = 184
kg/kmol de UER de nylon
Para fabricar 1t de nylon se necesitarn

1000
Nnylon =
Mwnylon
y el mismo nmero de kmoles de A y de B:
Calculando las masas:
NA MwA + NB MwB = 1196
Nnylon = 5.435 kmol de UER de nylon

NA = Nnylon
NB = Nnylon
kg de materias primas. La diferencia con los 1000 kg se pierde en

forma de agua.
El coste total de materias primas es:

NA MwA pA + NB MwB pB = 3423
/t de nylon
_________________________________________________________________________________
2014-2015
107
4.14
El polixido de etileno (P) es un politer con la siguiente estructura qumica:
Polixido de etileno:
HO
CH2 CH2 O
CH2
CH2
OH
Para conseguir P con un grado de polimerizacin ("n" en la frmula anterior) determinado, es necesario
hacer reaccionar los grupos alcohol con un reactivo apropiado, tal como el isocianato de fenilo (A).
Este reactivo (A) reacciona con los grupos alcohol formando uretanos (B) (reaccin I), y adems con
agua produciendo difenilurea (U) y dixido de carbono (D) (reaccin II):
reaccin I
A
B
O
NH C NH
NCO
+ H2O
+ CO2
reaccin II
El anlisis de 0.100 kg de polixido de etileno en un medio acuoso indica que se consumen

3
Mtot_A = 5.925 10
kg de isocianato de fenilo con desprendimiento de VCO2 = 210 ml
de dixido de carbono a P = 1 atmsfera y T = 25C. Calcular el grado de polimerizacin n del
3
polixido de etileno (P). Usar como constante de los gases R = 8.314 10 J/kmol K y la
equivalencia 1 atmsfera = 101325 Pa.
Sol.: masas moleculares:
MwC = 12
MwH = 1
MwA = 6 MwC + 5 MwH + 1MwN + 1MwC + 1MwO
MwO = 16
MwN = 14
MwA = 119 kg/kmol
MwU = 2 6 MwC + 2 5 MwH + 2 1MwN + 2 1MwH + 1MwC + 1MwO MwU = 212 kg/kmol
MwD = 1 MwC + 2 MwO
MwD = 44
kg/kmol
MwUER = MwO + 2 MwC + 4MwH

El CO2 producido proviene de la reaccin de A con el agua de la disolucin por la reaccin II. Por la
estequiometra de esta reaccin, cada mol de CO2 producido corresponde a un consumo de dos moles
de isocianato A (los factores numricos en la frmula siguiente son de conversin al sistema SI):
2014-2015
108
6
NCO2 =
VCO2 10
P 101325
NCO2 = 8.588 10
R ( T + 273)
kmol de CO2
El consumo de A (en kmol) por la reaccin II es el doble de esta cantidad.

El resto de A se consume por la reaccin I con los grupos -OH terminales del polmero. Esta reaccin
con los grupos -OH de los extremos del polmero es la que nos permite calcular cuntos moles de
polmero hay en la solucin y con ello cul es su grado de polimerizacin.
Restando del consumo total de A la cantidad que ha reaccionado con el agua se obtiene la cantidad de
A que ha reaccionado con el polmero:
Mtot_A
Ntot_A =
MwA
Ntot_A = 4.979 10
5
N_A = Ntot_A 2NCO2
N_A = 3.261 10
kmol de A
kmol de A que han reaccionado con

grupos -OH terminales.
Puesto que cada molcula de polmero tiene dos grupos terminales, la cantidad (kmol de P) de
polmero es la mitad de este valor:
N_P =
1
N_A
2
N_P = 1.631 10
kmol de P
Como la masa de P es conocida (0.100 kg), el peso molecular es:

MwP =
0.1
N_P
kg de P/kmol de P
MwP = 6.132 10
y el grado de polimerizacin promedio numrico (n en la frmula de P) es:

n =
MwP 2MwC 2 MwO 6 MwH

MwUER
n = 137.966
_________________________________________________________________________________
4.15
La temperatura de transicin vtrea de un homopolmero de poliestireno (1) es Tg1 = 100 C
y la de un homopolmero de polibutadieno (2) Tg2 = 90 C. Aplicando la ecuacin de Fox
que se indica ms abajo, calcular la Tgc de un copolmero al azar de estireno y butadieno cuya
fraccin molar de estireno es x1 = 0.715 .
X1
X2
1
Ecuacin de Fox:
=
+
Tgc
Tg1 Tg2
donde X1 y X2 son las fracciones msicas de estireno y butadieno en el copolmero y T la
temperatura absoluta.
2014-2015
109
Sol.: las masas moleculares de estireno y butadieno son:

Mw1 = 8 12 + 8 1
Mw2 = 4 12 + 6 1
kg/kmol de 1
kg/kmol de 2
Mw1 = 104
Mw2 = 54
La composicin del copolmero en fracciones molares corresponde a la siguiente composicin en

fracciones msicas:
x1 Mw1
X1 =
X2 = 1 X1
x1 Mw1 + 1 x1 Mw2
X1 = 0.829
X2 = 0.171
La temperatura de transicin vtrea del copolmero es:

X2
X1
Tgc =
+
Tg1 + 273 Tg2 + 273
Tgc = 317 K
_________________________________________________________________________________
4.16
En la sntesis del kevlar se consumen como disolvente mA = 5.1 kg de H2SO4 (A) puro por cada
kg de kevlar que se produce. El precio del cido es pA = 0.05 /kg de A y una vez empleado
como disolvente en la sntesis, se recupera totalmente y se neutraliza con CaCO3 (C, precio
pC = 0.035 /kg de C) para formar yeso (Y) CaSO4 segn:
CaCO3 + H 2SO 4 CaSO 4 + H 2O + CO 2
El yeso producido puede venderse a pY = 0.03 /kg de Y. Determinar el coste neto de estas
materias primas (gasto en A y C menos ingresos por venta de Y) por cada kg de kevlar.
Sol.: de acuerdo con los datos, por cada kg de kevlar sintetizado se consumen mA = 5.1 kg de
cido, que son mA
= 0.052 kmol de cido ( MwA = 98 es la masa molecular de A).
MwA
De acuerdo con la reaccin de neutralizacin dada, por cada kmol de cido que se neutraliza, se
necesita 1 kmol de C y se produce 1 kmol de Y. Este kmol corresponde a 1 MwC = 100 kg de
CaCO3 y 1 MwY = 136 kg de Y. El coste neto es:
mA
1 MwC pC 1 MwY pY = 0.225 /kg de kevlar

MwA
_________________________________________________________________________________
mA pA +
2014-2015
110
4.17
La mayora de las fibras de carbono usadas en compuestos estn formadas por lminas de carbono
puro que se obtienen por carbonizacin del poliacrilonitrilo (PAN), que a su vez se obtiene
polimerizando el acrilonitrilo (A) (primer paso en la figura). En la carbonizacin (segundo paso en
la figura) se obtienen
las lminas de carbono puro y se pierde todo el nitrgeno y todo el hidrgeno originalmente
contenidos en el acrilonitrilo. El precio del acrilonitrilo es de pA = 0.12 /kg. Determinar el
coste del acrilonitrilo necesario para fabricar 1 kg de fibra de carbono, suponiendo que ambos
pasos tienen un rendimiento del 100% (es decir, todos los reactivos se convierten ntegramente en
productos en los dos pasos).
Sol.: de acuerdo con los pasos indicados, la conversin del acrilonitrilo en carbono puro puede escribirse
como una nica reaccin global en la que cada molcula de acrilonitrilo produce tres tomos de carbono:
nCH 2 = CHCN
CH 2 CHCN
] n 3nC +
o bien:
CH 2 = CHCN 3C +
3
1
nH 2 + nN 2
2
2
3
1
H2 + N2
2
2
Segn esta reaccin global, cada kmol de acrilonitrilo (A) produce tres kmol de carbono. Un kmol de
carbono son MwC = 12 kg de carbono, un kmol de A son 3MwC + 3MwH + MwN = 53 kg de A.
Por la estequiometra 1:3, la fabricacin de 1 kg de C requiere:
1 1
3MwC + 3MwH + MwN = 1.472
MwC 3
y su coste es:
1 1
3MwC + 3MwH + MwN pA = 0.18
MwC 3
kg de A
/kg
_________________________________________________________________________________
2014-2015
111
4.18
Cul de las siguientes propiedades no puede corresponder en ningn caso a un vidrio (ni orgnico, ni
metlico, ni inorgnico)?
alta conductividad elctrica
estructura amorfa
mayor densidad que la del mismo material pero cristalizado (a las mismas T y P)
transparencia
fractura frgil
falta de punto de fusin definido
Sol.: un vidrio, sea cual sea el material, tiene necesariamente menor densidad que el mismo material
cristalino (a las mismas condiciones de temperatura y presin).
_________________________________________________________________________________
4.19
Un tipo de pinturas reflectantes est compuesta de esferas de vidrio en una matriz de un polmero
transparente. Con frecuencia se desea que la proporcin de esferas de vidrio sobre el total sea la mxima
posible. Suponiendo que las esferas son todas iguales y estn ordenadas del modo ms denso posible,
calcular la fraccin volumtrica de la matriz de polmero en la pintura.
Sol.: al ser esferas iguales y ordenadas del modo ms denso posible, su factor de empaquetamiento tiene
que ser el mximo posible, es decir correspondiente a la geometra de las estructuras FCC o HCP
ideales. En estas estructuras, el APF es aprox. 0.74, con lo cual la fraccin volumtrica de la matriz es la
diferencia a 1, es decir, 0.26.
_________________________________________________________________________________
4.20
Un grupo importante de materiales cermicos son los formados por soluciones slidas de almina
(Al2O3) en magnesia (MgO). La estructura cristalogrfica del MgO puro es del tipo NaCl. En
estas soluciones slidas, se mantienen el nmero de iones O2- y la separacin entre ellos, en los
mismos valores que en la estructura del MgO. La solucin se forma por sustitucin de algunos de
los iones Mg2+ por iones Al3+ (estos ltimos en la cantidad que se requiera para mantener la
neutralidad elctrica del cristal). Usando los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: rMg = 0.072 10 m, rO = 0.140 10 m, rAl = 0.054 10

masas atmicas: : MwMg = 24.305 , MwO = 16 , MwAl = 26.9815 ,
m,
y considerando todos los iones como esfricos, calcular para una solucin slida de almina en
magnesia en la que el 15% de los iones Mg2+ se han sustituido (bien por iones Al3+, bien dejando
su sitio vacante):
2014-2015
112
1. la composicin porcentual molar de la solucin (es decir % molar de MgO y % molar de Al2O3 en la
solucin slida), y
2. la densidad (kg/m3) de esta solucin slida.
Sol.: al tratarse de una estructura tipo NaCl los iones O 2- ocupan las posiciones de una estructura FCC,
tanto en la MgO pura como en las soluciones. En la MgO pura, todos los huecos octadricos estn
ocupados por iones Mg2+, mientras que al intercambiar Mg2+ por Al3+, algunos huecos octadricos
quedan vacos. En la almina pura, p.ej., los iones Al 3+ ocupan slo 2/3 de los huecos octadricos y el
tercio restante est desocupado.
La arista de la celda unitaria tanto en la MgO pura como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a = 2 rO + rMg
10
a = 4.24 10
Tomando como base 100 iones O2- y 100 iones Mg2+ de la estructura cristalina, la condicin de
electroneutralidad implica que 15 iones Mg2+ son sustituidos por 2/3 de 15, es decir, 10 iones Al3+. La
solucin slida resultante est formada por:
NO = 100 iones O2-
NMg = 85 iones Mg2+
NAl = 10 iones Al3+
Los moles de MgO y Al2O3 estn relacionados con estos nmeros de iones:
NMg
NAl
molesMgO =
molesAl2O3 =
23
23
6.023 10
2 6.023 10
Y la composicin porcentual molar es:

molesMgO
xMgO =
100
molesMgO + molesAl2O3
%
xMgO = 94.444
molesAl2O3
xAl2O3 =
100
xAl2O3 = 5.556
La celda unitaria, en el caso de la MgO pura, contiene 4 iones O 2- y 4 iones Mg2+, es decir, 4 molculas
de MgO. En el caso de la solucin contiene tambin 4 molculas, es decir, en promedio:
100
100
85
nMg = 4
100
nO = 4
10
100
Y la densidad de la solucin slida es:
nAl = 4
nO = 4
iones O2-
nMg = 3.4
iones Mg2+
nAl = 0.4
iones Al3+
( nO MwO + nMg MwMg + nAl MwAl) 1.6603 10 27

a
= 3429.1 kg/m3
__________________________________________________________________________________
2014-2015
113
4.21
La almina (Al2O3) y la magnesia (MgO) forman soluciones slidas en un intervalo amplio de
concentraciones. La estructura cristalogrfica del MgO puro es del tipo NaCl. En las soluciones
slidas almina-magnesia se mantienen i) el nmero de iones O 2- y ii) la separacin entre ellos, en
los mismos valores que en la estructura del MgO puro. La solucin se forma por sustitucin de
algunos de los iones Mg2+ por iones Al3+ y manteniendo la neutralidad elctrica del cristal. Usando
los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: rMg = 0.072 10
m, rO = 0.140 10
m, rAl = 0.054 10
m,
masas atmicas : MwMg = 24.305 , MwO = 16 , MwAl = 26.982 ,

y considerando todos los iones como esfricos, calcular en qu valor debe ajustarse la composicin
porcentual molar (es decir % molar de MgO y % molar de Al2O3 en la solucin slida) para que la
solucin tenga una densidad de = 3250 kg/m3.
Sol.: de acuerdo con el enunciado y al tratarse de una estructura tipo NaCl, en la MgO pura, todos los
huecos octadricos estn ocupados por iones Mg2+, mientras que al intercambiar Mg2+ por Al3+,
algunos huecos octadricos quedan vacos. Por ejemplo, en la almina pura, los iones Al 3+ ocupan slo
2/3 de los huecos octadricos y el tercio restante est desocupado.
La arista de la celda unitaria, tanto en la MgO pura como en las soluciones slidas (ver enunciado), es:
a = 2 rO + rMg
10
a = 4.24 10
La condicin de electroneutralidad de la solucin implica que una fraccin z de iones Mg2+ son
sustituidos por 2z/3 iones Al3+. Partiendo de una celda unitaria con 4 iones O2- y 4 iones Mg2+, la
solucin slida resultante est formada por:
2
nO = 4 iones O2nMg = 4 ( 1 z) iones Mg2+
nAl = 4 z iones Al3+
3
La densidad se expresa en funcin de estos nmeros de iones como:
27
nO MwO + nMg MwMg + nAl MwAl ) 1.6603 10
(
=
3
kg/m3
a
O lo que es lo mismo:
4 Mw + 4( 1 z) Mw + 4 2 z Mw 1.6603 10 27
O
Mg
Al
3
=
3
de donde se obtiene z (grado de sustitucin de iones Mg2+):
2014-2015
114
3
a MwO MwMg
27
4 1.6603 10
z =
2
MwAl MwMg
3
En una celda de lado a habr:
z = 0.4754
iones O2-
nO = 4
nMg = 4 ( 1 z)
nMg = 2.099
iones Mg2+
2
nAl = 4 z
3
nAl = 1.268
iones Al3+
Verificacin de la electroneutralidad:
2nMg + 3nAl 2nO = 0
Los moles de MgO y Al2O3 estn relacionados con los nmeros de iones por celda:
molesMgO =
nMg
23
6.023 10
molesAl2O3 =
nAl
23
2 6.023 10
Y la composicin porcentual molar de la solucin es:

molesMgO
xMgO =
100
xAl2O3 = 100 xMgO
xMgO = 76.804 %
xAl2O3 = 23.196 %
__________________________________________________________________________________
4.22
El xido de un metal A (de frmula AO2) y de otro metal B (B2O3) forman soluciones slidas en
todo el intervalo de concentraciones. La estructura cristalogrfica del AO 2 puro es del tipo de la
fluorita. En las soluciones slidas AO2-B2O3 se mantienen:
1. el nmero de total de cationes en la estructura y
2. el tamao (longitud de la arista) de la celda,
en los mismos valores que en la estructura del AO 2 puro. La solucin se forma por sustitucin
de algunos de los iones A4+ por iones B3+, manteniendo la neutralidad elctrica del cristal.
Usando los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: rA = 0.124 10 m, rO = 0.138 10 m, rB = 0.122 10 m,

masas atmicas : MwA = 76.2 kg/kmol, MwO = 16 kg/kmol, MwB = 555.9 kg/kmol
2014-2015
115
y considerando todos los iones como esfricos, calcular en qu valor debe ajustarse la
composicin porcentual molar (es decir % molar de AO2 y % molar de B2O3 en la solucin
slida) para que la solucin tenga una densidad de = 3856 kg/m3.
Sol.: de acuerdo con el enunciado y al tratarse de una estructura tipo fluorita los iones O 2- forman una
estructura cbica simple de lado a/2, con los cationes ocupando la mitad de los huecos cbicos, tanto
en el AO2 puro como en las soluciones. Todas las posiciones catinicas se mantienen siempre
ocupadas, luego en la solucin slida, para mantener la neutralidad elctrica del cristal, aparecern
vacantes aninicas, es decir, el nmero de O2- variar segn la composicin.
La arista de la celda unitaria, tanto en el AO2 puro como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a =
(
3
rO + rA
10
a = 6.051 10
La condicin de electroneutralidad de la solucin implica que una fraccin z de iones A4+ son
sustituidos por z iones B3+ y el nmero de iones O2- que quedan son (4-z)/2. Si la celda del AO2
puro tiene 8 iones O2- y 4 iones A4+, la solucin slida resultante est formada por:
nO =
4 ( 4 z)
iones O22
nA = 4 ( 1 z) iones A4+
nB = 4 z

27
nO MwO + nA MwA + nB MwB) 1.6603 10
(
=
3
kg/m3
O lo que es lo mismo:
4 ( 4 z) Mw + 4( 1 z) Mw + 4z Mw 1.6603 10 27
O
A
B
2
=
3
a
de donde se obtiene z:
3
a 2MwO MwA
4 1.6603 10 27
z =
MwO
MwB MwA
2
De esta forma en cada celda hay,
4( 4 z)
2
nO = 7.913
iones O2-
nA = 4 ( 1 z)
nA = 3.827
iones A4+
nO =
2014-2015
z = 0.0433
iones B3+
116
nB = 4z
iones B3+
nB = 0.173
4nA + 3nB 2nO = 0
Los moles de AO2 y B2O3 estn relacionados con los nmeros de iones por celda :
nA
nB
molesAO2 =
molesB2O3 =
23
23
6.023 10
2 6.023 10

molesAO2
xAO2 =
100
molesAO2 + molesB2O3
xAO2 = 97.8
xB2O3 = 100 xAO2
xB2O3 = 2.2 %
__________________________________________________________________________________
4.23
Un material cermico utilizado como sensor de oxgeno es una solucin slida de xido de ytrio
(Y2O3) en xido de thorio (ThO2). La estructura cristalogrfica del ThO2 puro es del tipo de la
fluorita. En las soluciones slidas ThO2-Y2O3 se mantienten 1) el nmero de posiciones catinicas
y 2) el tamao de la celda, en los mismos valores que en la estructura del ThO2 puro.
La solucin slida se forma por sustitucin del z = 7 % de los iones Th4+ por iones Y3+, sin dejar
vacantes en las posiciones catinicas y manteniendo la neutralidad elctrica del cristal.
Usando los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: rTh = 0.105 10
m, rO = 0.138 10
m, rY = 0.102 10
m,
masas atmicas : MwTh = 232.04 , MwO = 16 , MwY = 88.91 kg/kmol

y considerando todos los iones como esfricos, calcular:
1. la densidad cristalogrfica de la solucin slida en kg/m 3,

2. la composicin porcentual molar (es decir % molar de ThO2 y % molar de Y2O3 ) de la
solucin slida.
Sol.: de acuerdo con el enunciado y al tratarse de una estructura tipo fluorita los iones O 2- forman una
estructura cbica simple de lado a/2, con los cationes situados en la mitad de los huecos cbicos,
tanto en el ThO2 puro como en las soluciones. Las posiciones catinicas se mantienen siempre
ocupadas, luego en la solucin slida, para mantener la neutralidad elctrica del cristal, aparecern
vacantes aninicas.
2014-2015
117
La arista de la celda unitaria, tanto en el ThO2 puro como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a =
(
3
rO + rTh
10
a = 5.612 10
Tomando como base de clculo, p.ej. 100 iones Th4+, el enunciado indica que en la solucin
slida de cada 100 iones Th4+ originales , z = 7 iones Th4+ son sustituidos: de esta forma
quedan 100 z = 93 iones Th4+, z = 7 iones Y3+ y ninguna vacante en posicin catinica.
z
= 3.5 iones
La condicin de electroneutralidad de la solucin implica que tienen que salir
2
2-
O , quedando slo 200
2z
= 196.5 iones O en lugar de los 200 originales.
2
Expresado en fracciones, si la celda de lado a del ThO2 puro tiene 8 iones O2- y 4 iones Th4+,
z
= 0.07
la celda de la solucin slida resultante, con una sustitucin de una fraccin de
100
iones Th4+, est formada por:
4 4
nO =
100
nTh = 4 1
iones O2-
z
iones Th4+
100
nY = 4
z
iones Y3+
100
( nO MwO + nTh MwTh + nY MwY) 1.6603 10 27

3
kg/m3
= 9524.47
kg/m3
En la celda de lado a habr:

4 4
nO =
100
nTh = 4 1
nY = 4
100
z
100
nO = 7.86
iones O2-
nTh = 3.72
iones Th4+
nY = 0.28
iones Y3+
4nTh + 3nY 2nO
Los kmoles de ThO2 y Y2O3 estn relacionados con los nmeros de iones por celda:
2014-2015
118
kmolesThO2 =
nTh
kmolesY2O3 =
26
6.023 10
nY
26
2 6.023 10

kmolesThO2
xThO2 =
100
kmolesThO2 + kmolesY2O3
xY2O3 = 100 xThO2
%
%
xThO2 = 96.373
xY2O3 = 3.627
__________________________________________________________________________________
4.24
Los xidos de dos metales A2O y BO forman soluciones slidas en un pequeo intervalo de
concentraciones. Sabiendo que el xido A 2O tiene la estructura cristalina de la antifluorita, y que
la estructura, las dimensiones de la celda cristalina y el nmero de posiciones aninicas no varan
con la adicin del xido BO, calcular la densidad (kg/m 3) de una solucin slida que contiene una
fraccin molar de BO: x = 0.05.
11
Datos: radios inicos de A : rA = 5.7 10
12
2-
m, de O : rO = 142 10
2+
m, y de B :
11
rB = 5.5 10
m, y las masas atmicas: MwA = 22.99 kg/kmol, MwO = 16 kg/kmol y
MwB = 207.19 kg/kmol.
Sol.: considerando el xido A2O puro, la celda unidad de la estructura de la antifluorita contiene aniones
O2- en las posiciones de una estructura FCC y cationes A+ en los ocho huecos tetradricos disponibles.
+
1
1
La celda contiene nO = 6 + 8 aniones oxgeno y nA = 8 cationes A . Si la diagonal de la
2
8
celda unidad es:
3a = 4 ( rO + rA )
entonces la arista de la celda cristalogrfica es: a =
densidad del xido A 2O puro es:
nO MwO + nA MwA
26 3
6.023 10 a
10
rO + rA), a = 4.596 10
m y la
(
3
= 4241
kg/m3
En el caso de la solucin slida, la estructura es la misma en lo que se refiere a los aniones y al volumen
de la celda. En cuanto a los cationes, cada ion B 2+ que entra en la estructura reemplaza a dos iones A +.
Esta sustitucin es la nica diferencia entre el A 2O puro y la solucin slida. La composicin de la
2014-2015
119
solucin (frmula estequiomtrica) puede escribirse como Bx A2(1-x) O, frente a A 2O para el xido
puro. La densidad de la solucin slida puede calcularse directamente en funcin de la densidad del
xido puro y la relacin de masas:
sol =
x MwB + 2( 1 x) MwA + MwO

2 MwA + MwO
sol = 4792
kg/m3
Tambin puede considerarse la celda unitaria: en el xido A 2O puro la celda contiene nO = 4 a

+
niones oxgeno y nA = 8 cationes A , es decir, nO = 4 molculas de A2O. En la solucin, la

celda tiene el mismo tamao y contiene (en promedio) nO ( 1 x) = 3.8 molculas de A2O, y
nO x = 0.2 molculas de BO. La densidad es:
sol =
nO x MwO + MwB + nO ( 1 x) 2 MwA + MwO
26 3
6.023 10 a
kg/m3
__________________________________________________________________________________
sol = 4792
4.25
El xido de cerio, CeO2, es un material cermico con estructura cristalogrfica del tipo de la
fluorita, y que forma soluciones slidas con una gran variedad de agentes dopantes con el fin de
aumentar su conductividad elctrica. Uno de estos dopantes es el xido de samario, Sm2O3. En
las soluciones slidas CeO2-Sm2O3 se mantienen:
el nmero total de cationes en la estructura
y el tamao de la celda
en los mismos valores que para la estructura del CeO2 puro.
Las soluciones slidas CeO 2-Sm2O3 se forman por sustitucin de algunos de los iones Ce 4+ por
iones Sm3+, manteniendo la neutralidad elctrica del cristal.
Uno de los sistemas CeO2-Sm2O3 que ha proporcionado valores ms elevados para la
conductividad elctrica es el que presenta una composicin molar del 10% de Sm2O3 en la
solucin slida.
Sabiendo que
9
los radios inicos son: rCe = 0.102 10 m, rO = 0.132 10 m, rSm = 0.113 10

las masas atmicas son: MwCe = 140.1 , MwO = 16 , MwSm = 150.4 kg/kmol
y considerando todos los iones como esfricos, calcular:
1. la densidad de la solucin slida CeO2-Sm2O3 en kg/m3 , y
2. el porcentaje (%) de iones Ce4+ que ha sido reemplazado por iones Sm3+ para obtener la
solucin slida anterior.
2014-2015
m,
120
Sol.: al tratarse de una estructura tipo fluorita los iones Ce 4+ ocupan las posiciones de una estructura
FCC, y los iones O2- ocupan todos los huecos tetradricos, tanto en el CeO2 puro como en las
soluciones. Las posiciones catinicas se mantienen siempre ocupadas, luego en la solucin slida por
cada in Sm3+ que entra, sale uno de Ce4+ y, para mantener la neutralidad elctrica del cristal,
aparecern vacantes aninicas.
La arista de la celda unitaria tanto en el CeO2 puro como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
4
10
m
a =
rO + rCe
a = 5.404 10
3
Tomando como base 1 in Ce4+ y 2 iones O2- en el CeO2 puro, en la solucin slida, llamando z al grado
de sustitucin de iones Ce4+, quedarn (1-z) iones Ce4+, entran z iones Sm3+ y la condicin de
electroneutralidad implica que queden (4-z)/2 iones O2-, es decir, salen z/2 iones O2-. La solucin slida
resultante est formada por:
nCe = ( 1 z)
iones Ce4+
iones Sm3+
nSm = z
4z
2
nO =
iones O2-
Los moles de CeO2 y Sm2O3 estn relacionados con estos nmeros de iones:
molesCeO2 =
1z
23
6.023 10
molesSm2O3 =
2 6.023 10
23
La composicin molar de la solucin slida es conocida y se puede expresar la fraccin molar de cada
componente en funcin del grado de sustitucin:
z
xCeO2 =
1z
( 1 z) +
xSm2O3 =
z
2
( 1 z) +
z
2
sustituyendo el dato del problema y despejando,

xSm2O3 = 0.1
0.1 =
z
2
z
1z+
2
z =
0.2
1.1
z = 0.182
Luego el porcentaje (%) de iones Ce4+ que ha sido reemplazado por iones Sm3+ es: 100 z = 18.182 %.
La solucin slida tiene la siguiente frmula estequiomtrica: Ce0.818 Sm0.182 O1.909
La celda unitaria contiene, en el caso del CeO2 puro, 4 iones Ce4+ y 8 iones O2-, es decir, 4 molculas.
En el caso de la solucin contiene en promedio tambin 4 unidades formulares, es decir:
2014-2015
nCe = 4 ( 1 z)
nCe = 3.273
iones Ce4+
nSm = 4 z
nSm = 0.727
iones Sm3+
121
nO = 4
4z
2
nO = 7.636
iones O2-
Y la densidad de la solucin slida es:
nO MwO + nCe MwCe + nSm MwSm

3
26
a 6.023 10
= 7260.0 kg/m3
__________________________________________________________________________________
4.26
Una va de dos etapas para la fabricacin de un polister reticulado se basa en llevar a cabo:
en la primera etapa, la polimerizacin entre el butilenglicol (A) y el cido fumrico (B) para dar un
polister insaturado P1.
en la segunda etapa, la reticulacin del polister insaturado resultante P1 por medio de estireno (D)
para dar el producto final P (polister reticulado).
En la produccin se parte de A, B y D como materias primas y se hacen las siguientes

especificaciones:
produccin de P1 en la primera etapa con una relacin molar de A a B estequiomtrica.
en la segunda etapa, la cantidad de D es tambin la estequiomtrica para reticular el polmero
P1 haciendo reaccionar todos sus dobles enlaces.
todos los reactivos se consumen totalmente en las dos etapas (grado de conversin del 100%
para todos los reactivos).
1. Escribir la frmula qumica del polister insaturado P1.
2. Escribir la frmula qumica del polister reticulado P.
3. Determinar las cantidades (en kg) de A, B y D que se requieren para obtener mtot = 1 kg de
polister reticulado P.
4. Determinar las cantidades (en kg) de subproductos de bajo peso molecular que se produzcan en
la polimerizacin (1 etapa), o en la reticulacin (2 etapa) o en ambas, referidas igualmente a 1
kg de polister reticulado P.
Sol.: la reaccin de la primera etapa para dar P1 es:
2014-2015
122
y la reticulacin con estireno para dar P es:
Las masas moleculares de las especies atmicas, de los reactivos y de la unidad estructural repetitiva
(UER) de P son:
MwO = 16.0
MwC = 12.01 MwH = 1.0
MwA = 4MwC + 2MwO + 10MwH

MwB = 4MwC + 4MwO + 4MwH
MwD = 8MwC + 8MwH
MwUER = 32MwC + 8MwO + 36MwH
MwH2O = MwO + 2MwH
MwA = 90.04
MwB = 116.04
MwD = 104.08
MwUER = 548.32
MwH2O = 18
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
mP
3
Cada kg de P, mP = 1 kg de P, contiene NUER =
, NUER = 1.824 10
kmol de
MwUER
UER. Para sintetizar esta cantidad de P y a la vista de la estequiometra de las reacciones de
sntesis, sern necesarias las siguientes cantidades (en kg) de reactivos:
2014-2015
mA = 2NUER MwA
mA = 0.328
kg
mB = 2NUER MwB
mB = 0.423
kg
mD = 2NUER MwD
mD = 0.38
kg
123
y se producen mH2O = 4NUER MwH2O, es decir mH2O = 0.131 kg de agua como

subproducto de la policondensacin (1 etapa). Como comprobacin, el balance total de masas es:
Reactivos:
Productos
mA + mB + mD = 1.1313 kg
mP + mH2O = 1.1313 kg
_________________________________________________________________________________
4.27
Una de las sntesis ms habituales de poliimidas es la condensacin de un dianhidrido y una diamina
aromtica. De este tipo es la reaccin que conduce a la preparacin de la polieterimida (P) que
comercializa General Electric bajo la marca Ultem:
O
O
CH3
CH3
y que tiene lugar por la reaccin del dianhidrido (A) y de la diamina (B):
O
CH 3
O
O
H 2N
NH 2
CH 3
Si en la produccin del polmero se utilizan como materias primas adems de la diamina (B), el bisfenol
(C) y el anhidrido (D):
O
CH 3
HO
OH
CH 3
F
O
y se hacen las siguientes especificaciones:

se trata de un proceso en dos etapas
en una primera etapa se obtiene A por reaccin en cantidades estequiomtricas de C y D, y
en la segunda etapa se produce el polmero P, siendo la relacin molar de A a B tambin
estequiomtrica,
determinar:
1. las cantidades (en kg) de B, C y D necesarias para producir mP = 1 kg de polmero,
2014-2015
124
2. las cantidades (en kg) de subproductos de bajo peso molecular que se producen en la reaccin
de obtencin de A (primera etapa) y/o en la reaccin de polimerizacin (segunda etapa),
3. si para obtener una poliimida termoestable se sustituye la diamina B por la melamina E,
N
H 2N
N
NH2
N
NH2
y se condensa con el mismo anhidrido A, cul sera la estructura del polmero reticulado resultante?
Sol.:
MwO = 16.00, MwH = 1.01, MwCarb = 12.01, MwF = 19.0, MwN = 14.0
MwA = 31MwCarb + 8MwO + 20MwH
MwA = 520.51
kg/kmol A
MwB = 6MwCarb + 2MwN + 8MwH
MwB = 108.14
kg/kmol B
MwC = 15MwCarb + 2MwO + 16MwH
MwC = 228.31
kg/kmol C
MwD = 8MwCarb + 3MwO + 3MwH + MwF
MwD = 166.11
kg/kmol D
MwE = 3MwCarb + 6MwN + 6MwH
MwE = 126.09
kg/kmol E
MwP = 37MwCarb + 6MwO + 2MwN + 24MwH
MwP = 592.61
kg/kmol P
MwHF = MwH + MwF
MwHF = 20.01
kg/kmol HF
MwH2O = 2MwH + MwO
MwH2O = 18.02
kg/kmol H2O
En la primera etapa reaccionan dos molculas de D con una de C para dar una molcula de A y dos
de fluoruro de hidrgeno HF. Para obtener un kmol de A se requieren dos kmol de D y un kmol de C.
En la segunda etapa, polimerizacin, se obtiene una UER de P a partir de una molcula de A y una
molcula de B y se desprenden dos molculas de agua.
La reaccin total se puede escribir como C + 2D + B -> P + 2HF + 2H2O, con lo cual, para
obtener la cantidad indicada de P se necesitan:
MwC
m C = m P
MwP
2MwD
m D = m P
MwP
MwB
m B = m P
MwP
mC = 0.385
kg de C/kg de P
mD = 0.561
kg de D/kg de P
mB = 0.182
kg de B/kg de P
Las cantidades de HF y de H2O que se producen son:
2014-2015
125
MwHF
mHF = 2mP
mHF = 0.068 kg de HF/kg de P
MwP
MwH2O
mH2O = 2mP
mH2O = 0.061 kg de H2O/kg de P
MwP
Se verifica el balance global de materia:
mC + mD + mB mHF mH2O mP = 0
La estructura reticulada del apartado 3 puede obtenerse a partir de la siguiente UER:
O
N
N
O
O
O
N
N
N
donde el rectngulo significa:

O
N
O
O
CH 3
O
O
O
O
N
O
CH 3
_________________________________________________________________________________
4.28
Los poliuretanos son polmeros muy verstiles, que se originan por la reaccin entre dioles y
diisocianatos. En ocasiones los diisocianatos tambin se pueden condensar con diaminas originando
poliuretanos "mixtos" que combinan grupos uretano y urea.
Un elstomero especial de este tipo es el Spandex (P), comercializado por DuPont bajo el nombre de
Lycra; sus caractersticas especiales se deben a la combinacin de grupos rgidos y flexibles en su
estructura:
2014-2015
126
O
C
O
NH
NH
NH
CH2CH2 NH n
donde:
O
CH2
NH
O
O
(CH2)4
NH
CH2
La sntesis de este compuesto se puede llevar a cabo en dos etapas:

en una primera etapa el 1,4-butanodiol (A) reacciona con el bis(4-isocianatofenil)metano (B) para
dar el compuesto C,
en una segunda etapa C condensa con la 1,2-etanodiamina (D) para formar P.
HO
CH2
CH2
CH2
CH2
OH
CH2
O
O
CH2
esquemticamente:
H2N
H
N
CH2
CH2
NH2
O
O
(CH2)4
H
N
CH2
1. Escribir las reacciones qumicas correspondientes a cada etapa del proceso.

2. Si se utilizan mB = 2 kg de B, qu cantidades de A y D (en kg) sern necesarias? Cul ser
la masa de polmero obtenida?
3. Si se aplica una tensin 1 = 8 MPa a una muestra de este material a T = 22 C, y despus
de t = 3 das en condiciones de deformacin constante la tensin se ha reducido a 2 = 5
MPa, cul ser su tiempo de relajacin? La relajacin de la tensin a deformacin constante
obedece una ley exponencial:
Sol.:
t
.
= exp
2
trelajacin
MwO = 16.00, MwH = 1.01, MwCarb = 12.01, MwN = 14.0
MwA = 4MwCarb + 2MwO + 10MwH
MwA = 90.14
kg/kmol A
MwB = 15MwCarb + 2MwN + 10MwH + 2MwO
MwB = 250.25
kg/kmol B
MwC = 34 MwCarb + 6MwO + 30MwH + 4MwN
MwC = 590.64
kg/kmol C
MwD = 2MwCarb + 2MwN + 8MwH
MwD = 60.1
kg/kmol D
MwUER = 36 MwCarb + 6 MwO + 38 MwH + 6MwN
MwUER = 650.74 kg/kmol UER
2014-2015
127
kg/kmol H2O
MwH2O = 18.02
MwH2O = 2MwH + MwO

primera etapa: A + 2B --> C
HO
CH2
CH2
CH2
CH2
OH + 2
CH2
O
O
H
N
CH2
(CH2)4
H
N
CH2
segunda etapa : C + D --> P

O
O
H
N
CH2
O
O
(CH2)4
O
C
H
N
CH2
O
H
N
CH2
H
N
O
O
(CH2)4
H2N
CH2
CH2
NH2
O
H
N
CH2
H
N
NH
CH2
CH2
NH
Para obtener nUER = 1 UER se precisa nA = 1 molcula de A, nB = 2 molculas de B (que al

reaccionar produce nC = 1 molcula de C) y nD = 1 molcula de D. Las cantidades de kmoles
necesarias son:
NB =
mB
MwB
NB = 7.992 10
mA =
mC =
mD =
nA
nB
kmol de B mB = 2
kg de B
NB MwA
mA = 0.3602
kg de A
NB MwC
mC = 2.3602
kg de C
NB MwD
mD = 0.2402
kg de D
nC
nB
nD
nB
Y la masa de polmero obtenida ser:

nUER
mP =
NB MwUER
nB
mP = 2.6004 kg de P
El balance de masas (masa de reactivos = masa de P + masa de productos de bajo peso molecular, si
los hay, debe satisfacerse:
Para la primera fase:
mA + mB mC = 0
Para la segunda fase:
mC + mD mP = 0
Para la reaccin global:
mA + mB + mD mP = 0
La relajacin de la tensin a deformacin constante obedece la ley exponencial dada. El tiempo de

relajacin se obtiene directamente despejando:
2014-2015
128
trelajacin =
t 86400
1
ln
2

trelajacin = 5.515 10
_________________________________________________________________________________
4.29
Una empresa qumica puede sintetizar un nylon (cuya UER es R) por dos procesos distintos P1 y P2,
que usan reactivos distintos: la lactama L en P1, y el aminocido A en P2, y que se llevan a cabo en dos
plantas distintas.
( CH 2 ) p
HOOC
( CH 2 ) p
CO-NH
NH 2
OC
( CH 2 ) p
NH
L
con p = 4 en las frmulas anteriores.
el proceso P1 es muy simple, no produce residuos, pero parte de una materia prima L cara,
el proceso P2 requiere una planta ms compleja y produce agua residual, pero la materia
prima A es barata.
Los costes fijos (amortizacin, personal, operacin de la planta, etc) de los procesos P1 y P2 son
respectivamente f1 = 0.2 y f2 = 0.1 , independientes de la cantidad de R producido.
Los precios de las materias primas (L en el proceso P1 y A en el proceso P2) son
respectivamente m1 = 0.8 /kg de L y m2 = 0.643 /kg de A.
En el proceso P2 se produce agua residual. La legislacin penaliza estas emisiones de modo ms
que proporcional (cuadrtico), de manera que si se produce una cantidad de C kg de agua (W) en
2
el proceso P2, el coste asociado es de r2C , con r2 = 0.74 /(kg de W) .

El objetivo de la empresa es repartir la produccin entre las dos plantas (entre los dos procesos)
de modo que el coste total de fabricacin sea mnimo.
Determinar:
1. las masa moleculares de todos las especies qumicas (L, A, R y W) que intervienen en los dos
procesos,
2. la cantidad (kg) de L y el coste de materias primas (/kg de R) necesarios para sintetizar 1 kg
de R por el proceso P1,
3. lo mismo para el proceso P2,
4. la cantidad (kg) de agua residual W que se produce al sintetizar 1 kg de R por el proceso P2,
5. el coste total de produccin () de 1 kg de R por el proceso P1,
6. lo mismo para el proceso P2,
7. para 1 kg de produccin total de R, qu fraccin X conviene fabricar por el proceso P1 (el
2014-2015
129
resto del kg de R se producir por el proceso P2) para que el coste total de produccin (/kg
de R) sea mnimo,
8. en este caso ptimo, cul es el coste de produccin de R, en /kg de R.
Masas atmicas: MwC = 12 , MwO = 16 , MwN = 14 , MwH = 1
IMPORTANTE: usar los valores numricos de los datos con todos los decimales dados.
Sol.: las masas moleculares de las especies qumicas que intervienen:
MwL = 99
kg/kmol de L,
MwA = 117 kg/kmol de A, MwR = 99 kg/kmol de R, MwW = 18 kg/kmol de W.

Las reacciones de sntesis de R en los dos procesos son respectivamente:
Por la estequiometra de las reacciones, por cada kg de R que se produce, las cantidades (X, en kg) de
materias primas que se necesitan y los costes (en ) de estas materias primas en cada proceso son:
XL =
1
MwL
MwR
XL = 1
kg de L por cada kg de R en el proceso P1

por cada kg de R en el proceso P1
XL m1 = 0.8
XA =
1
MwA
MwR
XA = 1.182
kg de A por cada kg de R en el proceso P2
XA m2 = 0.76
por cada kg de R en el proceso P2
La cantidad (kg) de agua residual W que se produce al sintetizar 1 kg de R por el proceso P2 es:
XW =
1
MwW
MwR
XW = 0.182 kg de W por cada kg de R en el proceso P2
El coste total de produccin () para una cantidad Y (kg de R) por el proceso P1 ser:
C1 ( Y) = f1 + m1 XL Y
y el coste de produccin de 1 kg de R por el proceso P1 es:
C1 ( 1) = 1
/kg de R
Por el proceso 2, el coste total de produccin () para una cantidad Z (kg de R) ser:
C2 ( Z) = f2 + m2 XA Z + r2 XW Z
y el coste de produccin de 1 kg de R por el proceso P2 es:
2014-2015
)2
C2 ( 1) = 0.884 /kg de R
130
Si se producen X kg de R por el proceso P1 y el resto, (1-X ) kg, por el proceso P2, el coste total ser:
Ctotal ( X) = C1 ( X) + C2 ( 1 X)
El coste total se minimiza (o maximiza) para el valor de X para el que
d
Ctotal ( X) = 0
dX
es decir:
m1 XL m2 XA 2 r2 XW ( 1 X) = 0
m1 m2
de donde se obtiene el mnimo o

mximo para:
Xmin_max = 1
MwA
MwR
MwW
2r2
MwR
Xmin_max = 0.182
El coste total produciendo Xmin_max = 0.182 kg de R en la planta del proceso P1 y

1 Xmin_max = 0.818 kg de R en la planta del proceso P2 es:
Ctotal Xmin_max = 1.08 /kg de R

que va a ser un mximo. Esto implica que el coste mnimo corresponde a la produccin de 1 kg de R por
el proceso P2, es decir:
C2 ( 1) = 0.884 /kg de R
_________________________________________________________________________________
4.30
El rub empleado en algunos lseres es un monocristal de almina (Al 2O3) con una pequea
cantidad de Cr3+ como impureza. Un valor tpico de la concentracin de Cr3+ en el rub es
CCr = 0.05 % (msico). Calcular la concentracin de Cr3+ en ppma (partes por milln atmicas,
es decir, cuntos tomos o iones de Cr3+ hay en cada milln de tomos o iones totales, contando
todos los tipos de tomos).
Sol.: las masas atmicas del aluminio, cromo y oxgeno son:
MwAl = 26.98
MwCr = 52.0
MwO = 16
Un kg de almina (base de clculo) contiene muy aproximadamente (se puede despreciar en esta parte
del clculo la cantidad de cromo, por ser mucho ms pequea que el resto):
1
3
= 9.808 10
2 MwAl + 3 MwO
En este kg hay un total de:
2014-2015
kmol de Al2O3.
131
1
26
25
tomos totales/kmol de Al2O3.
5 6.023 10 = 2.954 10
2 MwAl + 3 MwO
CCr
1
Mientras que el nmero de tomos de cromo es:
100
26
21
6.023 10 = 5.791 10
MwCr
La relacin entre tomos de cromo y el resto, expresada en partes por milln, es:
1
CCr
100
MwCr
1
5
2 MwAl + 3 MwO
10 = 196.1 ppma
Si quiere hacerse sin usar ninguna aproximacin:

1
CCr
100
MwCr
CCr
10 = 196.2 ppma
100
5
2 MwAl + 3 MwO
La diferencia entre el clculo aproximado y el exacto es muy pequea (el error es del orden de la
concentracin de cromo).
_________________________________________________________________________________
2014-2015
132
5 Ecuaciones de
conservacin, de estado y
constitutivas; balances,
mezclas, separaciones
5.1
Ley de Ohm Macroscpica
De la ecuacin de conservacin de carga elctrica (balance en estado estacionario sobre

una seccin diferencial) y la ley de Ohm microscpica, deducir la Ley de Ohm
macroscpica para:
1. un conductor cilndrico recto de seccin constante,
2. un conductor de seccin variable conocida A( x1 ) , y
3. un material cuadrtico (no obedece la ley de Ohm) para el que: E = * J 2 .
Sol.: el balance de carga (ecuacin de conservacin) se lleva a cabo primero en una
seccin diferencial de un conductor de seccin constante. El balance de carga en estado
estacionario es (no hay acumulacin):
AJ ( x1 ) AJ ( x1 + dx1 ) = 0
E
J ( x1 ) J ( x1 + dx1 )
x1
es decir: A
2014-2015
dJ ( x1 )
= 0 J ( x1 ) = cte.
dx1
dx1
133
Aplicando la ley de Ohm microscpica (ec. constitutiva): E = J
E ( x1 )
= cte.
dV ( x1 )
= cte.
dx1
Por la definicin de campo elctrico: E ( x1 ) =
integrando, con las condiciones de contorno del potencial, resulta:

V ( x1 ) = C1 x1 + C2
V (0) = V0
y V (l ) = 0
V ( x1 ) = V0 (1 x1 / l )
derivando esta expresin:

E ( x1 ) =
dV ( x1 ) V0
=
dx1
l
J ( x1 ) =
E ( x1 ) =
V0
l
la intensidad de corriente es:

I ( x1 ) = AJ ( x1 ) = A
V0
V
V
= 0 = 0
l l
R
A
Es decir,
el campo elctrico, la densidad de corriente y la intensidad de corriente son constantes

en todo el conductor,
la diferencia de potencial vara linealmente a lo largo del conductor, y
la resistencia del conductor est dada por la frmula ya conocida .
Si el conductor es de seccin variable, el balance de carga en estado estacionario es:
d ( JA)
= 0 J ( x1 ) A( x1 ) = C1 (constante)
dx1
Aplicando anlogamente la ley de Ohm microscpica e integrando, resulta ahora:
x1
C1
dV ( x1 )
1
=
V ( x1 ) = C1
E ( x1 ) = J ( x1 ) =
dx1 + C2
0
A( x1 )
dx1
A( x1 )
J ( x1 ) A( x1 ) J ( x1 + dx1 ) A( x1 + dx1 ) = 0
Las constantes de integracin se obtienen de las condiciones de contorno del potencial:
V (0) = V0 = C2
V (l ) = 0 = C1
1
dx1 + V0
A( x1 )
C1 =
x1
1
dx1
0
A( x1 )
V0
V ( x1 ) = V0 1 l 1
1
dx1
dx1
0 A( x )
A( x1 )
El campo elctrico se obtiene derivando esta expresin:

E ( x1 ) =
dV ( x1 )
=
dx1
Y la intensidad de corriente:
2014-2015
V0
1
1
dx1 A( x1 )
A( x1 )
134
I ( x1 ) = A( x1 ) J ( x1 ) = A( x1 )
E ( x1 ) =
V0
1
dx1
A( x1 )
De este resultado se deduce que para un conductor de seccin variable:
la intensidad de corriente es igualmente constante (por conservacin de carga), y
tambin se obtiene la ley de Ohm macroscpica si se define la resistencia del

conductor de seccin variable del siguiente modo:
I=
V0
R
siendo R
1
dx1
A( x1 )
Esta definicin de la resistencia para un conductor de seccin variable podra haberse

escrito directamente considerando el conductor de seccin variable como una serie de
secciones cilndricas rectas de espesor diferencial conectadas en serie (sus resistencias se
suman en la integral):
elementos de espesor
diferencial en serie
resistencia de un elemento
de espesor diferencial:
A ( x1 )
dx1
A ( x1 )
x1
(Nota: el clculo de este apartado slo es vlido si la variacin de la seccin transversal no

es muy brusca a lo largo del conductor. Si la variacin de seccin no es pequea, el
problema no puede considerarse unidimensional y se complica).
Para un material cuadrtico y seccin constante del conductor, el balance es exactamente
el mismo (la ecuacin de conservacin de carga y la ecuacin constitutiva son
independientes), pero cambia la relacin entre campo y densidad de corriente elctrica. Es
decir: J ( x1 ) = cte como en el primer apartado. Aplicando la ecuacin constitutiva dada
(en esta ec. constitutiva, la unidad de * no es el ohmio, sino V m3 /A 2 = m3 /A ):
E = *J 2
se obtiene nuevamente:
E ( x1 ) = cte. V ( x1 ) = V0 (1 x1 / l )
(la variacin lineal del voltaje no depende de la ec. constitutiva, sino slo de que la
seccin transversal del conductor sea constante).
E ( x1 ) =
J ( x1 ) =
2014-2015
E ( x1 ) =
V0
l*
dV ( x1 ) V0
=
dx1
l
I ( x1 ) = J ( x1 ) A =
A
l
V01/ 2
135
En este caso cabra definir la "resistencia" del conductor como: R* =
l*
y se obtendra
A
una ley macroscpica:

I=
2
V01/2
; V0 = ( IR* )
*
R
Esta relacin macroscpica no tiene lgicamente nada que ver con la ley de Ohm. En este
caso, la relacin microscpica cuadrtica entre campo y densidad de corriente resulta en
una relacin no lineal (igualmente cuadrtica) entre diferencia de potencial e intensidad
de corriente. Las ecuaciones constitutivas no son vlidas universalmente (al contrario que
las de conservacin), y no todos los materiales tienen un comportamiento elctrico
hmico.
________________________________________________________________________
5.2
Descarga de un Rayo: Calentamiento de un Cable
Un rayo descarga una carga dada en un tiempo breve conocido. El cable que conduce a
tierra la carga desde el pararrayos puede fabricarse de dos materiales diferentes, aluminio
o cobre, cuyas propiedades son conocidas. Determinar:
1. el calentamiento que se produce en el cable debido a la descarga elctrica,
2. el dimetro que debe tener el cable para que la temperatura mxima que alcance ste
mantenga un margen de seguridad respecto del punto de fusin, y
3. seleccionar cul de los dos materiales es ms adecuado, exclusivamente desde el
punto de vista econmico.
Datos:
el rayo descarga: Q = 50 C
longitud del cable: l = 46 m
duracin de la descarga: t = 103 s
margen de seguridad: T = 200 K
temperatura ambiente: Tamb = 300 K
Propiedades
Densidad
Punto de fusin
Capacidad calorfica
Resistividad de referencia a 0 K
2014-2015
Aluminio
Cobre
unidades
dens , Al = 2700
dens ,Cu = 8920
kg/m3
T f , Al = 933
T f ,Cu = 1356
C p , Al = 0.898
C p ,Cu = 0.384
kJ/kg K
0, Al = 2.7 108
0,Cu = 1.6 108
136
Coeficiente trmico de resistividad
k Al = 0.0039
kCu = 0.0039
2.2
Precio (relativo)
K 1
Sol.: la descarga del rayo produce una intensidad de corriente media, que se supone
constante durante la duracin del mismo: I = Q / t .
La potencia disipada como calor durante la duracin de la descarga es:
l Q2
P = RI = r
A (t ) 2
2
y la energa disipada es:

Pt = r
l Q2
A t
Esta energa se emplea prcticamente toda en calentar el cable, ya que dada la duracin
tan reducida de la descarga, no hay tiempo a que se conduzca calor al entorno
(aproximacin adiabtica). Se cumple la igualdad:
Pt = r
l Q2
= lA dens C p [(T f T ) Tamb ]
A t
Y despejando la seccin del cable:

A=Q
t dens C p [(T f T ) Tamb ]
(como ejercicio, razonar por qu es independiente de la longitud del cable).

Sustituyendo los datos, para cada material resultan una seccin y un radio de cable:
AAl = 1.39 105 m 2
ACu = 7.24 106 m 2
rAl = 2.10 103

rCu = 1.52 103
m
m
Finalmente, la relacin de precios es:

CosteCu ACu l dens ,Cu PrecioCu 7.24 106 8920
=
=
2.2 = 3.8
Coste Al
AAl l dens , Al Precio Al 1.39 105 2700
Pese a su mejor conductividad elctrica, el cobre resulta como material en esta aplicacin
4 veces ms caro que el aluminio.
Sin embargo, en esta aplicacin se usa el cobre casi sin excepcin. A qu se puede
deber?
En la parte anterior se ha calculado la resistividad elctrica de cada material a una
temperatura intermedia entre la ambiente y la mxima que va a alcanzarse durante la
descarga, resultando los siguientes valores:
2014-2015
137
Tm =
r , Al
(T f T ) + Tamb
2
= 8.139 108
r (Tm ) = 0 (1 + kTm )
m (a 516.6 K)
r ,Cu = 6.143 108 m (a 728 K)

Para realizar un clculo ms preciso, se puede tener en cuenta que la resistividad no es
constante durante la descarga, sino que vara con la temperatura: r (T ) = 0 (1 + kT ) .
Esta variacin obliga a calcular el calentamiento de modo diferencial e integrar sobre la
duracin de la descarga. Durante un elemento de tiempo, la energa disipada es:
Pdt = r (T )
l Q2
dt = lA dens C p dT
A (t ) 2
y esta energa disipada diferencial se emplea en calentar el cable un diferencial de

temperatura. Agrupando trminos e integrando:
Q2
dT
dT
=
dt =
2
2
dens C p A (t )
r (T ) o (1 + kT )
T f T
1
Q2
dT
=
=
2
dens C p A t Tamb o (1 + kT ) o k
T f T
Tamb
(*)
1 + k (T f T )
1
kdT
=
ln
(1 + kT ) o k
1 + kTamb
Se despeja la seccin y se obtiene para cada material:
0 k
A=Q
t dens C p ln
AAl = 1.373 105 m 2
ACu = 6.992 106 m 2
1 + k (T f T )
1 + kTamb
rAl = 2.09 103
rCu = 1.49 103
m
m
Se comprueba que el clculo inicial, tomando un valor medio de la resistividad elctrica

es aceptable para una estimacin (error en torno al 5%). Este pequeo error queda en la
prctica absorbido en el factor de seguridad, que con frecuencia es muy superior a esta
cifra.
Ms an: en la prctica, los materiales no estn disponibles en todos los calibres, sino que
es preciso usar tamaos (dimetros) estandarizados, tpicamente el inmediato por encima
del resultado del clculo + factor de seguridad, lo que hace an menos importante un error
del 5%.
De todas maneras, la fuente mayor de error en este ejemplo est en el conocimiento
limitado de cmo tiene lugar la descarga elctrica, es decir, de la cantidad de electricidad
descargada, de la duracin de la descarga y de la variacin temporal de esta descarga
(suponer que durante la descarga la intensidad es constante e igual al valor medio es slo
una primera aproximacin).
Integrando (*) entre lmites genricos se puede obtener la evolucin de la temperatura en
el conductor en el supuesto de que la resistividad es variable, y (para k = 0 ) de que la
resistividad es constante. En el primer caso, la variacin de la temperatura es lineal en el
tiempo y en el segundo es exponencial. En ambos casos se cumple la especificacin de
temperatura mxima (lneas horizontales) para ambos materiales:
2014-2015
138
T = Tam b +
T =
Q 2r
A 2 ( t ) dens C p
2
1
Q 2k r
(1 + kTam b ) exp
A 2 ( t )2 C
k
dens
p
t 1
En este segundo clculo se ha supuesto el calor especfico constante. En el intervalo de

temperaturas considerado es, en realidad y con buena aproximacin, una funcin lineal
de la temperatura, anloga a la resistividad elctrica:
C p (T ) = C p (1 + T )
Como ejercicio, realizar un clculo ms preciso de la seccin del cable, teniendo ahora
adems en cuenta que el calor especfico tambin es variable. Es la densidad tambin
variable? Cmo se resolvera el problema si la variacin de la corriente descargada con
el tiempo fuera conocida? (es decir, i (t ) conocida y no necesariamente constante).
________________________________________________________________________
5.3
Ternario: Pigmento-Diepxido-Triamina
Un material para reparacin de defectos se fabrica a partir de un pigmento blanco (A:

TiO 2 ) y de un adhesivo epoxi de dos componentes, un diepxido (B) y una triamina (C),
que reaccionan espontneamente al mezclarlos a temperatura ambiente. El producto final
(P) contiene un 60% (en masa) de pigmento; el resto es adhesivo en proporcin msica
B:C de 3:2.
Para minimizar el coste de distribucin, conviene que el material se comercialice en dos
componentes (Q y R), eligiendo las composiciones de cada uno de manera que la relacin
de masas de los dos sea la mxima posible.
Determinar cules deben ser las composiciones de los componentes y las cantidades
relativas.
Sol.: puesto que B y C reaccionan espontneamente al ser puestos en contacto, es
necesario que estn separados en Q y en R. Sobre un diagrama triangular, Q debe
encontrarse sobre el lado que representa mezclas de A y C, y R debe encontrarse sobre el
2014-2015
139
lado que representa mezclas de A y B. Si se representan las lneas correspondientes a las
dos especificaciones de producto, el producto final P debe encontrarse en la interseccin
de ambas especificaciones. La lnea que une los dos puntos Q y R debe pasar tambin por
la interseccin P, y debe cumplir la especificacin del enunciado: el ptimo buscado
corresponde a encontrar la composicin de Q (o de R) que hace extrema (mxima o
QP
.
mnima) la relacin
RP
A (TiO 2)
R
%A = 60%
especificaciones
Q
B (diepxido)
C (triamina)
B:C = 3:2
Un modo de fijar la posicin de Q (y con ello la de R) es con el ngulo (diagrama

siguiente). La relacin msica R:Q puede escribirse en funcin de este ngulo y aplicando
+
+
el teorema de los senos a los tringulos APQ y APR :
QP
=
R :Q =
RP
sen
sen (120 )
sen
sen
=
sen ( 60 ) sen ( 60 )
sen
AP
sen (120 )
AP
A la hora de calcular los extremos de esta relacin, hay que tener en cuenta que el ngulo
vara en el dominio = [ min , max ] . En cualquier caso, los valores mnimo y mximo
de estn siempre entre 0 y 120, segn dnde se encuentre P.
Los mximos habr que buscarlos tanto en el interior del dominio como en la frontera
(en un caso general hay que buscarlos usando p.ej. multiplicadores de Laplace para
imponer la condicin de frontera; en este caso la frontera son dos puntos y basta con
evaluar la funcin en ellos para identificar cul corresponde al mximo y cul al mnimo).
2014-2015
140
A
m ax
60
1 2 0
m in
180
R :Q =
sen (120
QP
sen
RP
En el interior del dominio, la derivada

d ( R : Q ) d QP
1
=
= Cte
d
d RP
sen 2
no puede anularse para ningn valor del ngulo . Los extremos se encontrarn en la
sen (120 )
entre 0 y 180 tiene este aspecto:
frontera. La funcin
sen
sen (120
m in
m ax
sen
En consecuencia la relacin msica R:Q es mxima cuando Q est sobre el vrtice C y

mnima cuando R est sobre el vrtice B. Este resultado es general: la relacin de masas,
o de volmenes o de moles, segn el tipo de diagrama triangular, de dos productos en los
que se separa un compuesto ternario es extrema (mxima o mnima) cuando uno de los
productos est sobre un vrtice. El objetivo del problema es ilustrar y probar este
resultado general.
El problema puede resolverse tambin mucho ms directamente: puesto que B y C no
pueden mezclarse de antemano, deben ir separados en Q y R. Por otro lado, puesto que B
est en mayor proporcin (3:2), el modo de maximizar la relacin R:Q es aadir todo A al
2014-2015
141
que ya est en mayor proporcin (B). Los dos productos sern R (que contiene todo A y
todo B) y Q (C puro).
A (TiO 2)
R
%A = 60%
especificaciones
m in
B (diepxido)
C (triamina)
B:C = 3:2
Las composiciones se leen directamente del diagrama triangular, o se calculan por un

simple balance. Cada kg de P se obtiene mezclando 0.165 kg de Q (cuya composicin es
100% C), y 0.835 kg de R (72% de A y 28% de B).
________________________________________________________________________
5.4
Densidad de una Mezcla en un Diagrama Ternario
En los siguientes diagramas ternarios, expresados en fracciones msicas, se han trazado

rectas de lnea gruesa que representan mezclas de tres componentes A, B y C con una
densidad constante. Determinar qu diagrama corresponde a cada una de las siguientes
densidades de la mezcla (todas en kg/L):
= 2.4
= 4.5
=3
= 4.8
sabiendo que las densidades de los tres componentes son: A = 6, B = 4 y C = 2 kg/L .
7 :1
a)
2014-2015
b)
1 :1
2 :1
1 :1
142
5 :1
c)
d)
1: 2
1:3
1: 2
Nota: las relaciones entre componentes que aparecen en los extremos de cada segmento
son relaciones binarias msicas.
Sol.: la densidad de una mezcla ternaria en funcin de las fracciones msicas de sus
componentes se obtiene de la siguiente ecuacin (tomando como base de clculo 1 kg de
mezcla ternaria, volumen total = suma de volmenes):
1
XA
XB
XC
Tomando el caso de una mezcla de densidad = 3 , se representa la recta
1 X A X B 1 X A X B
=
+
+
3
6
4
2
en el diagrama ternario, determinando dos puntos, por ejemplo:
XA = 0
X B = 0.67
XB = 0
X A = 0.50
El primer punto se encuentra sobre el lado del tringulo opuesto al vrtice A y

corresponde a una mezcla binaria de B y C de composicin X B = 0.67 y X C = 0.33 , es
decir una relacin msica de 2:1. El segundo punto se encuentra en el lado opuesto al
vrtice B y corresponde a una mezcla binaria de A y C de composicin
X A = 0.50 y X C = 0.50 , es decir, una relacin msica de 1:1. Uniendo estos dos puntos se
ve que corresponde al diagrama a) del enunciado.
Si se procede analogamente con las densidades de las restantes tres mezclas, se obtiene
que el diagrama b) corresponde a = 4.8 , el diagrama c) corresponde a = 2.4 y el
diagrama d) corresponde a = 4.5 .
En los casos b) y d), si se elige para representar cada recta el punto correspondiente a
X A = 0 , se obtienen valores de X B >1 ; esto significa que la interseccin de la recta con el
lado del tringulo opuesto al vrtice A se encuentra fuera del tringulo (a la izquierda de
B) y habra que continuar la escala para dibujarlo. El clculo es correcto, pero ms
incmodo de representar. Para estos dos casos es preferible determinar, por ejemplo, los
dos puntos con X B = 0 y X C = 0 y trazar la recta entre ellos.
________________________________________________________________________
2014-2015
143
5.5
Terpolmero Acrilonitrilo-Butadieno-Estireno
El ABS es un terpolmero formado por acrilonitrilo (A), butadieno (B) y estireno (C). Este
termoplstico es muy utilizado en automocin por su buena resistencia mecnica y al
impacto. El amplio rango de propiedades que presenta el ABS se debe tanto a la
naturaleza de los monmeros que lo componen como a la posibilidad de combinarlos en
diferentes proporciones.
Una de las variedades comerciales de ABS presenta una arquitectura molecular en la que
el nmero de residuos de butadieno es exactamente la mitad del total de residuos
monomricos. Este ABS (D) se puede obtener a partir de polibutadieno (E) y de un
copolmero de acrilonitrilo y estireno (F). El copolmero F se prepara por polimerizacin
radicalaria de una mezcla de acrilonitrilo (A) y estireno (C), siendo su composicin
msica del 80% en estireno.
1. Determinar la composicin del terpolmero D en fracciones molares de acrilonitrilo
(A), butadieno (B) y estireno (C).
2. Calcular la masa (en kg) de acrilonitrilo (A), butadieno (B) y estireno (C) necesarios
para obtener 1 tonelada de ABS (D).
3. Si el 10% de los dobles enlaces presentes en el terpolmero D (derivados de las
unidades de butadieno) se entrecruzan con azufre, segn la estequiometra de la figura,
calcular la masa de azufre (en kg) necesaria para reticular una tonelada de ABS.
CH 2 CH = CH CH 2
CH 2 CH CH CH 2
azufre
S
S
CH 2 CH CH CH 2
CH 2 CH = CH CH 2
Este problema puede hacerse analticamente o con ayuda de un diagrama triangular.

Sol.: las estructuras de los monmeros y sus masas moleculares son:
A
H 2C
B
CH
H 2C
CH
C
CH
CH2
H 2C
CH
CN
Mw(A)=53 kg/kmol
Mw(B)=54 kg/kmol
Mw(C)=104 kg/kmol
A partir del dato del terpolmero D del enunciado, el nmero de residuos de butadieno es
exactamente la mitad del total de residuos monomricos, se deduce que la fraccin molar
de butadieno en el terpolmero es: xB = 0.5 y el resto xA + xC = 0.5 .
El acrilonitrilo (A) y el estireno (C) del terpolmero D provienen en su totalidad del
copolmero F, del que se sabe su composicin msica. A partir de esta informacin, es
2014-2015
144
inmediato obtener las fracciones molares de A y C en el copolmero F ( x AF y xCF ) , que
evidentemente diferirn de las correspondientes fracciones molares de A y C en el
terpolmero D ( xA y xC ) . Sin embargo, la relacin entre el nmero de residuos de
acrilonitrilo y estireno en el copolmero F se tiene que mantener en el terpolmero D:
80
xCF = 104 = 0.671 xAF = 1 xCF = 0.329
80 20
+
104 53
xCF xC
=
= 2.04
xAF xA
Por lo tanto, las fracciones molares de A, B y C en el terpolmero D sern:
xC = 2.04 xA xA + 2.04 xA = 0.5 xA = 0.1645 xC = 0.5 0.1645 = 0.3355
xB = 0.5
Solucin grfica:
En el diagrama triangular (en fracciones molares) se determina la composicin del
terpolmero por interseccin de la recta correspondiente a xB = 0.5 (horizontal) y la recta
BF. El punto F se debe situar sobre el lado AC del diagrama triangular y con las
composiciones molares calculadas anteriormente ( xAF =0.329 y xCF = 0.671) .
La composicin de D se lee directamente en el diagrama.
B
xB = 0.5
x = 0.67
F
C
Para calcular las cantidades de materias primas necesarias para obtener una tonelada de
ABS se puede proceder de diferentes maneras, pero siempre recordando que las
fracciones de A, B y C determinadas son fracciones molares, y no msicas.
2014-2015
145
Es inmediato obtener la equivalencia entre kg y kmol para el terpolmero D (su masa
molecular), a partir de su composicin en fracciones molares:
MwD = xA MwA + xB MwB + xC MwC = 70.64 kg/kmol
y las cantidades de materias primas para obtener 1 tonelada de terpolmero D:
mA = 1000
xA MwA
= 123.05 kg A
MwD
mB = 1000
xB MwB
= 382.22 kg B
MwD
mC = 1000
xC MwC
= 494.67 kg C
MwD
Otra posibilidad es transformar las fracciones molares obtenidas en fracciones msicas y

determinar las cantidades de materias primas multiplicando estas fracciones por 1000:
XA =
xA MwA
= 0.123 123 kgA
xA MwA + xB MwB + xC MwC
XB =
xB MwB
= 0.382 382 kgB
X C = 1 X A X B = 0.495
495 kgC
Tambin se puede resolver grficamente. Aplicando la regla de la palanca (segmento BF)

se determina, en una primera etapa, las cantidades (en kmol) de B y de F necesarias para
obtener 1 kmol de D. A partir del valor obtenido para F, aplicando nuevamente la regla
de la palanca (segmento AC) se obtienen los kmol de A y de C. Finalmente se rehace el
clculo para los kmol de D que hay en una tonelada, y se transforman las cantidades de A,
B y C en kmol a cantidades en kg a travs de las masas moleculares.
Para resolver el ltimo apartado solo hay que tener en cuenta que en el proceso de
reticulacin indicado en la figura, la estequiometra azufre/doble enlace es 1:1, y los
dobles enlaces que se entrecruzan (el 10%) provienen de los residuos de butadieno:
mS = 1000 kgD
1 kmolD
kmol B 1 kmolS
kgS
10
xB
MwS
= 22.65 kg S
MwD kgD
kmol D 1 kmolB
kmolS 100
________________________________________________________________________
5.6
A una carga de cuarzo ( SiO 2 ) se le aade caolinita ( Al2 O3 2SiO 2 2H 2 O ) para obtener
un material cermico cuyo contenido en almina ( Al2 O3 ) , una vez calcinado, sea del
30% en masa. Qu cantidad de caolinita ( Al2 O3 2SiO 2 2H 2 O ) ser preciso aadir a
100 kg de cuarzo?
Nota: en el horno de calcinacin se pierde completamente el agua de cristalizacin.
Masas atmicas: Al =27, O =16, Si =28, H =1
2014-2015
146
Sol.: de acuerdo con los datos de masas atmicas del enunciado, se calculan las masas
moleculares de las distintas especies del problema:
MwSiO2 = 60 kg/kmol
MwAl2O3 = 102 kg/kmol
MwAl2O3 2SiO2 2H2O = 258 kg/kmol
MwAl2O3 2SiO2 = 222 kg/kmol
La caolinita pierde completamente el agua de cristalizacin en el horno, convirtindose

en caolinita deshidratada Al2 O3 2SiO 2 . La cantidad de caolinita C (kg) que hay que
aadir a 100 kg de cuarzo, para que el contenido en almina del material cermico una
vez calcinado (y completamente seco) sea del 30% en masa, ser:
102
masa Al2 O3
258
0.3 =
=
masa SiO 2 + masa Al2 O3 2SiO 2 100 + C 222
258
C = 218.64 kg
C
________________________________________________________________________
5.7
En la fabricacin de un material cermico se calcina en un horno una mezcla de los
siguientes componentes cermicos hasta la prdida total del agua de constitucin:
Al2 O3 SiO 2
(A)
y 3MgO 2SiO 2 2H 2 O
( B)
La composicin de la alimentacin al horno es X A = 0.23 y X B = 1 X A (fracciones

msicas). Calcular cuntos kg de producto anhidro se obtienen del horno por cada kg de
alimentacin de la composicin indicada.
Masas atmicas: Al =27, O =16, Si =28, H =1, Mg=24.3
Sol: la masa molecular del componente B es MwB = 276.9 kg/kmol . La alimentacin al
horno contiene:
XB
= 2.781 103 kmol B/kg alimentacin
MwB
y la prdida de agua es de 2 kmol por cada kmol de B en la alimentacin, es decir:
2
XB
kmol H 2 O/kg alimentacin
MwB
Luego de producto anhidro o seco se obtendrn:

1 2
XB
MwH2O = 0.9 kg producto seco/kg alimentacin
MwB
________________________________________________________________________
2014-2015
147
5.8
Calcular la composicin en fracciones msicas (Xi) de Si, O, Mg y Al del punto que se encuentra en el
centro del diagrama triangular que se adjunta. El diagrama triangular est en base molar.
SiO2
Al2O3
MgO
Sol.: las masas atmicas son:
MwSi = 28.09
MwO = 16.00
MwMg = 24.31
MwAl = 26.98
kg/kmol
La composicin molar del punto en el centro del diagrama es de 1/3 para cada componente, es decir:
xSiO2 =
1
3
xAl2O3 =
1
3
xMgO =
1
3
Tomando como base de clculo 1 kmol de P, de cada elemento hay los siguientes kg:
Silicio:
Oxgeno
2014-2015
mSi = xSiO2 1 MwSi

mO = xSiO2 2 MwO + xAl2O3 3 MwO + xMgO 1MwO
mSi = 9.363
mO = 32
148
Magnesio
mMg = xMgO 1MwMg
mMg = 8.103
Aluminio
mAl = xAl2O3 2MwAl
mAl = 17.987
La masa total es: mtot = mSi + mO + mMg + mAl
mtot = 67.453
Y las fracciones msicas son:

XSi =
mSi
mtot
XSi = 0.139
Se comprueba que
XO =
mO
mtot
XO = 0.474
XMg =
mMg
XAl =
mtot
XMg = 0.12
mAl
mtot
XAl = 0.267
XSi + XO + XMg + XAl = 1
_________________________________________________________________________________
5.9
El vidrio que se emplea para fabricar el tubo de los monitores CRT tiene un contenido elevado de
plomo con el fin de absorber radiacin de frenado de electrones. Uno de estos vidrios altos en
plomo contiene SiO2 (A), K2O (B) y PbO (C) y debe cumplir las siguientes especificaciones:
Relacin (msica) A:B S1 = 5 kg de SiO2 /kg de K2O
Especificacin para asegurar absorcin de radiacin: S2 = 6.4 10
27
tomos de Pb/m de vidrio
Determinar
1. la composicin de este vidrio (fracciones msicas de A, B y C),
2. la densidad de este vidrio.
Datos: densidades: A = 2643 kg/m3, B = 2300 kg/m3, C = 9530 kg/m3. Calcular la densidad
del vidrio suponiendo mezcla ideal de componentes, es decir los volmenes son aditivos, sin
prdida ni ganancia al realizar mezclas.
(Este problema puede resolverse bien analticamente o bien con ayuda de un diagrama triangular).
Sol.: las masas atmicas: MwSi = 28.09 MwO = 16.00, MwK = 39.10, MwPb = 207.020
MwA = MwSi + 2MwO, MwB = 2MwK + MwO, MwC = MwPb + MwO
MwA = 60.09 kg/kmol A
MwB = 94.2 kg/kmol B
MwC = 223.02
kg/kmol C
1 variante (analtica, en fracciones msicas):

La primera especificacin fija la relacin de fracciones msicas de A a B:
2014-2015
XA = S1 XB
(*)
149
La segunda especificacin (nmero de tomos de Pb por m3) implica:
S2 = vidrio XC
1
NA (**)
MwC
26
NA = 6.023 10
tomos Pb/kmol C
donde cada uno de los trminos en (**) corresponden a:

kg de vidrio
kg de C
kmol de C tomos de Pb tomos de Pb
= 3
3
m de vidrio kg de vidrio kg de C
kmol de C
m de vidrio
y donde vidrio =
XA
XB
1
1 XA XB
Resolviendo las ecuciones (*) y (**) se obtienen directamente los valores de las dos incgnitas XA
y XB. P.ej. substituyendo (*) en (**) y despejando XB
C NA S2 MwC
XB =
S1
C MwC S2
S1 + 1
S1 + 1
MwC
XC = 1 XA XB
XA = S1 XB
vidrio =
XA
1
XB
XC
XB = 0.0750
NA
XA = 0.3749
XB = 0.0750
XC = 0.5502
vidrio = 4307 kg/m3
Se puede verificar que esta solucin satisface las dos especificaciones:

S1 = 5
XA
XB
vidrio XC
=5
1
27
NA = 6.4 10
MwC
S2 = 6.4000 1027 tomos Pb/m3
2 variante (grfica): las dos relaciones (*) y (**) se pueden representar en el diagrama triangular como
dos rectas cuyo punto de interseccin es la solucin buscada.
XA = S1 XB
S2 =
XA
2014-2015
XB
1
1
( 1 X A X B)
NA
1 XA XB
MwC
(*)
(lnea continua)
(**)
(lnea de trazos)
150
Diagrama triangular en fracciones msicas:
Leyendo la composicin del punto de interseccin de las dos rectas se obtiene grficamente la misma
solucin:
XA = 0.3749
XB = 0.0750
XC = 0.5502
3 variante (analtica, en fracciones volumtricas): se parte de la especificacin S2 y se calculan los kg

de Pb y de PbO que debe haber en 1 m3 de vidrio:
S2 MwPb
NA
mC =
2014-2015
= 2199.8 kg de Pb en 1 m3 de vidrio
S2 MwPb MwC
NA
MwPb
mC = 2369.8
kg de PbO (C) en 1 m3 de vidrio
151
Esta masa de C ocupa un volumen de:
mC
VC =
VC = 0.2487
m3 ( fraccin volumtrica)
La fraccin volumtrica de A y B juntos es la diferencia: VAB = 1 VC , VAB = 0.7513 . A su

vez, de la primera especificacin se puede obtener la relacin volumtrica que debe haber entre A
y B:
1
RvolAB = S1
RvolAB = 4.351 m3 de A por m3 de B en el vidrio
Las fracciones volumtricas de A, B en el vidrio son:

VA = VAB
RvolAB
RvolAB + 1
VA = 0.6109
VB = VAB
VB = 0.1404
1
RvolAB + 1
VC = 0.2487
Finalmente, conocidas las fracciones volumtricas y las densidades, se calculan las fracciones msicas:
XA =
XB =
XC =
V A A
V A A + V B B + V C C
V B B
VC C
XA = 0.3749
XB = 0.075
XC = 0.5502
4 variante (grfica): una cuarta forma de resolver el problema es como la anterior, pero
calculando las fracciones volumtricas por una construccin grfica en un diagrama triangular de
fracciones volumtricas: el punto de interseccin de la recta que representa VC = 0.249 con la
recta que representa RvolAB = 4.351 .
Diagrama triangular en fracciones volumtricas:
2014-2015
152
Leyendo la composicin del punto de interseccin de las dos rectas se obtiene grficamente la misma
composicin volumtrica que por el clculo analtico:
VA = 0.6109
VB = 0.1404
VC = 0.2487
el resto del problema se hace igual que en la tercera forma.

5 variante (analtica): se plantean las ecuaciones que describen:
suma de fracciones igual a 1: XA + XB + XC = 1
especificacin S1:
densidad del vidrio:
especificacin S2:
2014-2015
XA = 5XB
1
vidrio
XC =
= X A A
S2
NA
+ X B B
1
MwC. vidrio
+ XC C
153
1
Es un sistema de cuatro ecuaciones lineales en las cuatro incgnitas XA, XB, XC y vidrio
1
1
0
5
0
0
1
M = A
B
C
1
S2
0
1
MwC
0
NA
1

0
v =
0

0
El sistema se resuelve fcilmente por eliminacin ya que tiene varios coeficientes y trminos
independientes nulos. La solucin es nuevamente:
XA = 0.3749
XB = 0.0750
vidrio = 4307 kg/m3
XC = 0.5502
_________________________________________________________________________________
5.10
En un proceso de reciclado de vidrio se mezclan residuos de vidrios de dos tipos A y B, cuyas
composiciones en fracciones msicas son (componente 1 es SiO2, componente 2 es Na2O,
componente 3 es CaO, componente 4 es Al2O3):
XA1 = 0.71, XA2 = 0.12, XA3 = 0.11, XA4 = 1 XA1 XA2 XA3, XA4 = 0.06
XB1 = 0.54, XB2 = 0.03, XB3 = 0.22, XB4 = 1 XB1 XB2 XB3, XB4 = 0.21
Calcular la composicin (fracciones msicas de cada componente) del vidrio reciclado que se
obtiene al mezclar vidrios A y B en relacin msica RAB = 3.4 (masa de A a masa de B).
Sol: es una simple mezcla lineal. Llamando r =
RAB
RAB + 1
, r = 0.773
XM1 = r XA1 + ( 1 r) XB1
XM1 = 0.671
XM2 = r XA2 + ( 1 r) XB2
XM2 = 0.1
XM3 = r XA3 + ( 1 r) XB3
XM3 = 0.135
XM4 = r XA4 + ( 1 r) XB4
XM4 = 0.094
_________________________________________________________________________________
2014-2015
154
5.11
Se desea obtener un clinker de cemento Portland (P) cuya composicin, expresada en fracciones
msicas de CaO (A), Al2O3 (B) y SiO2 (C) debe ser XPA = 0.55, XPB = 0.18,
XPC = 1 XPA XPB .
Las materias primas de las que se dispone para alimentar el horno de calcinacin son carbonato
clcico (caliza) CaCO 3 (D), que por descomposicin trmica en el horno CaCO3 -> CaO+CO2
produce CaO, y dos arcillas: montmorillonita 4SiO2Al2O3H2O (E) y caolinita 2SiO2Al2O32H2O
(F), que en el horno pierden completamente el agua estructural.
Determinar qu cantidades (kg) de las materias primas D, E y F son necesarias para obtener 1 kg de
P. Este problema puede resolverse bien analticamente o bien con ayuda de un diagrama triangular.
Sol.: MwSi = 28.09 MwO = 16.00, MwCa = 40.08, MwAl = 26.98, MwH = 1.01,
MwCarb = 12.01
MwA = MwCa + MwO
MwB = 2MwAl + 3MwO
MwC = MwSi + 2MwO
MwA = 56.08 kg/kmol A
MwC = 60.09 kg/kmol C
MwD = MwCa + 3MwO + MwCarb
MwAgua = 2MwH + MwO
MwCO2 = MwCarb + 2MwO
MwD = 100.09 kg/kmol D
MwAgua = 18.02
MwE = 4MwC + MwB + MwAgua
MwF = 2MwC + MwB + 2MwAgua
MwE = 360.34 kg/kmol E
MwF = 258.18
kg/kmol Agua MwCO2 = 44.01 kg/kmol CO2
kg/kmol F
1 variante (analtica): la especificacin dada (composicin de P) es equivalente a tres ecuaciones

lineales que representan la conservacin de calcio, aluminio y silicio. Si las cantidades necesarias (en kg)
de D, E y F para obtener un kg de P son mD, mE y mF, tienen que cumplirse los siguientes balances:
Balance de Ca:
mD
Balance de Al:
m E
Balance de Si:
m E
cuya solucin es:
2014-2015
MwCa
MwD
2MwAl
MwE
4MwSi
MwE
MwCa
= XPA
+ m F
+ m F
MwA
2MwAl
MwF
2 MwSi
MwF
= XPB
= XPC
2MwAl
MwB
MwSi
MwC
mD = 0.982
kg de D / kg de P
mE = 0.173
kg de E / kg de P
mF = 0.332
kg de F / kg de P
155
La solucin debe verificar automticamente la conservacin del oxgeno:
Oxgeno en la alimentacin (descontando el

CO2 y el H2O que se eliminan en el horno):
mD
Oxgeno en el producto:
XPA
MwO
MwD
+ m E
MwO
MwA
11MwO
MwE
+ XPB
+ m F
3MwO
7MwO
MwF
+ XPC
MwB
= 0.385
2MwO
MwC
= 0.385
El hidrgeno y el carbono se pierden enteramente en la calcinacin y no aparecen en el producto. El

balance total de masa tambin debe verificarse automticamente:
Alimentacin total al horno:
clinker (P) ms CO2 y H2O que se eliminan en la calcinacin:

1 + mD
MwCO2
MwD
mD + mE + mF = 1.487
+ m E
MwAgua
MwE
+ m F
2MwAgua
MwF
kg / kg de P
= 1.487
kg / kg de P
2 variante (grfica): puesto que la nica fuente de calcio es A, el producto P se obtendr de mezclar A
puro con una mezcla "Q" de B y C. Es decir, se puede separar grficamente P en A y Q.
F (seco)
Q
E (seco)
A
2014-2015
156
Del diagrama se lee la composicin del punto Q:

XQC = 1 XQA XQB
XQA = 0
XQB = 0.400
XQC = 0.6
y por la regla de la palanca las cantidades necesarias de Q y A para obtener un kg de P:

A = 0.55 kg de A / kg de P
Y la cantidad de D necesaria es:
Q = 0.45 kg de Q / kg de P
m D = A
MwD
mD = 0.982
MwA
kg de D / kg de P
En segundo lugar se sitan E seco y F seco en el diagrama:

XEsB =
MwB
MwB + 4 MwC
XEsB = 0.298
MwB
XEsC = 1 XEsB
XFsB =
XEsC = 0.702
XFsB = 0.459
MwB + 2 MwC
XFsC = 1 XFsB
XFsC = 0.541
Las cantidades de E seco y F seco que hay que mezclar para obtener Q (o bien Q se separa en E y F
secos), se obtienen grficamente mediante la regla de la palanca:
E = 0.165 kg de E seco / kg de P
kg de E seco / kg de P
F = 0.285
Y las cantidades de E y F (con agua estructural) son:

m E = E
MwE
MwB + 4MwC
m F = F
mE = 0.173 kg de E / kg de P
MwF
MwB + 2MwC
mF = 0.332
kg de F / kg de P
_________________________________________________________________________________
5.12
Se desea obtener un clinker de cemento Portland (P) a partir de las siguientes materias primas: a)
carbonato clcico (caliza) CaCO 3 , que por descomposicin trmica en el horno CaCO3 ->
CaO+CO2 produce CaO (A), y b) una mezcla de dos arcillas: montmorillonita 4SiO2Al2O3H2O (E)
y caolinita 2SiO2Al2O32H2O (F), que en el horno pierden completamente el agua estructural.
Este clinker se aplica mezclndolo con agua, con lo cual tienen lugar las reacciones de fraguado
(reacciones de hidratacin). Terminado el fraguado, las sales hidratadas responsables de la
resistencia del cemento son la sal de tobermorita 3CaO2SiO23H2O (T), y el aluminato tetraclcico
4CaOAl2O313H2O (L).
Se especifica que la mezcla de arcillas M (antes de la calcinacin) tenga un precio de S1 = 50 /m3.
2014-2015
157
Determinar:
1. la composicin de P (% msicos de CaO, Al2O3 y SiO2),
2. qu cantidades (kg) de T y L se obtienen al fraguar P = 1 kg de P, y
3. qu cantidad (kg) de agua de hidratacin contienen las sales del apartado anterior por kg de P.
Datos:
precios de E y F: pE = 35 /m3 de E, pF = 78 /m3de F.
densidades de E y F: E = 2900 kg/m3, F = 2600 kg/m3.
Este problema puede resolverse bien analticamente o bien con ayuda de un diagrama triangular.
Sol.: MwSi = 28.09 MwO = 16.00, MwCa = 40.08, MwAl = 26.98, MwH = 1.01,
MwCarb = 12.01
Para los clculos (en base seca) se consideran los componentes CaO (A), Al2O3 (B) y SiO2 (C).
Sus masas moleculares son:
MwA = MwCa + MwO
MwA = 56.08
kg/kmol A
MwB = 2MwAl + 3MwO
MwC = MwSi + 2MwO
MwC = 60.09 kg/kmol C
MwAgua = 2MwH + MwO

MwAgua = 18.02 kg/kmol Agua
MwE = 4MwC + MwB + MwAgua
MwF = 2MwC + MwB + 2MwAgua
MwE = 360.34 kg/kmol E
MwF = 258.18 kg/kmol F
MwE_seco = 4MwC + MwB
MwF_seco = 2MwC + MwB
MwE_seco = 342.32 kg/kmol E
MwF_seco = 222.14
MwL = 4MwA + MwB + 13MwAgua
MwT = 3MwA + 2MwC + 3MwAgua
MwL = 560.54 kg/kmol L
MwT = 342.48 kg/kmol T
MwL_seco = 4MwA + MwB
MwT_seco = 3MwA + 2MwC
MwL_seco = 326.28
kg/kmol L seco
MwT_seco = 288.42
kg/kmol F
kg/kmol T seco
Para cumplir la especificacin de precios, la mezcla de arcillas debe tener una composicin volumtrica:
S1 = VE pE + ( 1 VE) pF
2014-2015
158
VE =
S1 pF
pE pF
VE = 0.651 m3 de E / m3 de mezcla
VF = 1 VE
VF = 0.349 m3 de F / m3 de mezcla
Estas composiciones volumtricas se transforman en fracciones msicas, pero aqu E, F y M contienen

agua y no pueden usarse directamente en el diagrama triangular:
XE =
V E E
V E E + V F F
XE = 0.676 kg de E /kg de mezcla M
XF = 1 XE
XF = 0.324 kg de F /kg de mezcla M
En trminos de los componentes bsicos A, B y C, la composicin de la mezcla de arcillas Ms (base

seca) es:
XE
XF
1 MwB +
1 MwB
MwE
MwF
XMsA = 0
XMsB =
XE
XF
XF
XE
1 MwB +
1 MwB +
4 MwC +
2 MwC
MwE
MwF
MwF
MwE
XMsC = 1 XMsA XMsB

XMsA = 0
XMsB = 0.347
XMsC = 0.653
El clinker se obtiene mezclando el punto M (seco) con A puro, es decir, debe estar sobre la lnea AM
(seco). Por otro lado, puesto que al fraguar P produce T y L, debe de estar sobre la recta que une
T(seco) y L (seco). Las composiciones de T seco y L seco en fracciones msicas son:
XTsA =
3 MwA
3 MwA + 2 MwC
XTsA = 0.583
XLsA =
4 MwA
4 MwA + MwB
XLsA = 0.688
XTsB = 0
XTsC = 1 XTsA XTsB
XTsB = 0
XTsC = 0.417
XLsC = 0
XLsB = 1 XLsA XLsC
XLsC = 0
XLsB = 0.312
1 variante (analtica):
La composicin en masa del punto P es desconocida (dos incgnitas), y tambin son desconocidas las
cantidades de A y Ms que se requieren (dos incgnitas). Se pueden obtener de cuatro ecuaciones que
expresan el balance de A y de B al mezclar A con Ms para dar P, y al separar P en Ls y Ts (L seco y
T seco).
2014-2015
159
Balance de A:
Balance de B:
XPA = A + ( 1 A) XMsA
XPB = ( 1 A) XMsB
XPA = Ls XLsA + ( 1 Ls) XTsA
XPB = Ls XLsB + ( 1 Ls) XTsB
Las cantidades de A, M seco, L seco y T seco, y la composicin de P en porcentajes msicos son:

A = 0.626
Ms = 0.374
100XPA = 62.649 %
Ls = 0.414
Ts = 0.586
100XPB = 12.949 % 100XPC = 24.401
Comprobacin de los balances de A, B y C, y de los balances de masa totales:

Separacin en Ls y Ts:
Mezcla de A y Ms:
Producto P:
Ls XLsA + Ts XTsA = 0.626
Ms XMsA + A = 0.626
XPA = 0.626
Ls XLsB + Ts XTsB = 0.129
Ms XMsB = 0.129
XPB = 0.129
Ls XLsC + Ts XTsC = 0.244
Ms XMsC = 0.244
XPC = 0.244
Ls + Ts = 1
A + Ms = 1
P=1
Las cantidades de L y T son:

L = Ls
MwL
MwL_seco
L = 0.712 kg de L / kg de P
T = Ts
MwT
MwT_seco
T = 0.695 kg de T / kg de P
Y el agua de hidratacin es la diferencia entre la masa total de L y T y la masa de P (1 kg):

L + T 1 = 0.407
kg de agua de hidratacin / kg de P
2 variante (grfica): puesto que P se obtiene de mezclar M seco con A, y a su vez P se separa en T
seco y L seco, P debe encontrarse sobre la interseccin de las dos rectas que unen M seco y A por un
lado, y T seco y L seco por otro.
2014-2015
160
F (seco)
M (seco)
L (seco)
E (seco)
P
T (seco)
Grficamente, se dibujan en el diagrama los puntos L (seco) y T (seco), que son de composiciones
conocidas, y el punto M (seco) con la composicin que resulta de la especificacin (precio). De la
interseccin de las lneas AM(seco) y L(seco)T(seco) se lee la composicin del punto P y por la regla
de la palanca las cantidades de L seco y T seco que se producen al fraguar un kg de P. Finalmente se
convierten a cantidades reales (en base hmeda) usando la relacin de masas moleculares.
L = Ls
MwL
MwL_seco
T = Ts
MwT
MwT_seco
L = 0.712 kg de L / kg de P
T = 0.695 kg de T / kg de P
_________________________________________________________________________________
5.13
Las fibras modacrlicas son fibras acrlicas modificadas en las que el acrilonitrilo (A) se asocia
con otros monmeros con el objeto de mejorar las propiedades del material polimrico,
especialmente su resistencia a la combustin. Entre los monmeros que se suelen emplear se
encuentran el cloruro de vinilo (B) y el cloruro de vinilideno (V), ver frmulas abajo.
2014-2015
161
Se desea preparar un terpolmero (D) formado por unidades de acrilonitrilo, cloruro de vinilo y
cloruro de vinilideno, que cumpla las siguientes especificaciones:
su arquitectura molecular debe presentar S1 = 20 residuos de acrilonitrilo por cada 100

tomos de carbono de la cadena principal,
su porcentaje (% en masa) de cloro debe ser del S2 = 50.7 %.
El terpolmero D se puede obtener por mezcla de los copolmeros siguientes:
un copolmero E de acrilonitrilo-cloruro de vinilo, con una fraccin msica de acrilonitrilo de

S3 = 59 % y
un copolmero F de acrilonitrilo-cloruro de vinilideno.
Determinar
1. la composicin molar del terpolmero D (en fracciones molares de A, B y V),
2. las cantidades necesarias (en kg) de E y F para obtener 100 kg de D, y
3. la composicin molar del copolmero F (en fracciones molares de A, B y V).
Cl
H2C
H2C
CH
CH
H2C
Cl
Cl
N
(A)
(B)
(V)
Sol.: se toma como base de clculo 1 kg de terpolmero D; las fracciones molares se representan
con minsculas (xi) y las fracciones msicas con maysculas ( Xi).
Las masas moleculares de los residuos monomricos de A, B y V son:
MwH = 1
MwC = 12
MwN = 14
MwCl = 35.5
kg/kmol
MwA = 3 MwC + 3 MwH + 1 MwN
MwA = 53
MwB = 2 MwC + 3 MwH + 1 MwCl
MwB = 62.5 kg/kmol
MwV = 2 MwC + 2 MwH + 2MwCl
MwV = 97
kg/kmol
La primera especificacin implica:

XDA
2S1 =
MwA
XDA
MwA
2014-2015
XDB
MwB
1 XDA XDB
MwV
100
(nmero de residuos de A por cada 100 tomos

de C en la cadena principal, es decir por cada 50
residuos monomricos de la cadena principal)
162
La segunda especificacin implica:
MwCl
MwB
S2 = XDB 1
+ ( 1 XDA XDB) 2
MwCl
100
MwV
Despejando de estas dos especificaciones (que son dos ecuaciones lineales en XDA y XDB) se obtiene
la composicin msica de D::
XDA = 0.283
XDB = 0.109
XDV = 1 XDA XDB
XDV = 0.608
La composicin molar de D es:

XDA
xDA =
XDB
MwA
XDA
MwA
XDB
MwB
XDV
MwB
xDB =
XDA
MwV
xDA = 0.4
MwA
XDB
MwB
xDB = 0.13
La composicin de E es:
XEA =
S3
XDV
MwV
xDV = 0.47
XEB = 1 XEA
100
xDV = 1 xDA xDB
XEV = 0
La cantidad de F necesaria para obtener 1 kg de D, y la composicin de F se pueden obtener de las dos

condiciones (balance de A y de V en la mezcla de E y F):
( 1 F) XEA + F XFA = XDA

F ( 1 XFA ) = XDV
F = 0.735
XFA = 0.172
XFV = 1 XFA
XFV = 0.828
Para obtener 100 kg de D son necesarios:

100 ( 1 F) = 26.5 kg de E
100F = 73.5 kg de F
y la composicin molar del copolmero F es:

XFA
xFA =
MwA
XFA
MwA
xFA = 0.276
2014-2015
XFV
xFB = 0
xFV = 1 xFA xFB
xFB = 0
xFV = 0.724
MwV
163
Solucin grfica: se dibujan en el diagrama las dos especificaciones, que son lneas rectas en el diagrama
triangular. De la interseccin de estas dos lneas se lee la composicin msica del terpolmero D.
D
A
La composicin msica del copolmero F se obtiene prolongando la lnea de puntos ED hasta el lado
AV del tringulo (F no contiene B), y por la regla de la palanca las cantidades de E y F necesarias para
fabricar la base de clculo: las cantidades necesarias (en kg) de E y F estn en la proporcion de los
segmentos DF/ED.
Las composiciones molares se obtienen a partir de las msicas y de las masas moleculares.
______________________________________________________________________________
2014-2015
164
5.14
Los residuos urbanos (U) se pueden considerar globalmente como un material compuesto de materia
orgnica biolgica (O), materia inorgnica/metales (M), y plsticos (P). Si la concentracin de
componentes orgnicos O y P es excesiva (tal y como se especifica en (*) ms abajo), existe riesgo de
autocombustin en el vertedero. Experimentalmente se ha comprobado que la autocombustin de un
compuesto de composicin (XM, XO, XP) tiene lugar si se cumple la condicin:
(*)
A XO + B XP > C
donde XO es la fraccin msica de O, y XP es la fraccin msica de P, y las constantes A, B y C

son: A = 0.77 , B = 0.65 y C = 0.501 .
Para eliminar el riesgo de autocombustin, los residuos se someten a una separacin previa al
vertido. En esta operacin se separa selectivamente de U parte de su contenido en plstico P (que
se recicla).
Dada una composicin de U de XUM = 0.2 , XUP = 0.51 (fracciones msicas), determinar:
1. cul es la cantidad mnima de P (kg) que es preciso separar de cada kg de U para que no
exista riesgo de autocombustin,
2. cul es la composicin (en fracciones msicas, XVM, XVO, XVP) del producto resultante V
del apartado anterior, es decir, la composicin de lo que queda de U despus de haber
reducido su contenido de P.
Este problema puede hacerse analticamente o con ayuda de un diagrama triangular.
Sol.: la base de clculo ms cmoda es 1 kg de U, cuya composicin es:

XUO = 1 XUM XUP
XUM = 0.2
XUP = 0.51
puesto que A XUO + B XUP = 0.555 y
XUO = 0.29
C = 0.501
la composicin de U dada excede el lmite de autocombustin, por tanto ser necesario realizar la
operacin de separacin.
Mtodo 1: la cantidad mnima de P que hay que separar se puede obtener resolviendo dos ecuaciones
que expresan: a) que el producto resultante (V) de la separacim est exactamente en el lmite de
autocombustin, y b) que U es una mezcla de P puro y del producto V resultante de la separacin:
La condicin a), expresando XVO como 1 - XVM - XVP , implica:

2014-2015
165
A ( 1 XVM XVP ) + B XVP = C
(V est exactamente en el lmite de autocombustin)
La condicin b) implica:
XVM XUM
0 XUM
XVP XUP
(U es una mezcla de P puro y del producto V resultante de la

separacin)
1 XUP
De estas dos ecuaciones lineales en XVM y XVP, y en las que A, B, C, XUM, XUP son datos del
problema, se obtiene la composicin XVM , XVP (fracciones msicas) de V, y por diferencia a 1, se
obtiene XVO :
XVM = 0.314
XVP = 0.231
XVO = 1 XVM XVP
XVO = 0.455
La cantidad de P que es necesario separar por cada kg de U se obtiene, por ejemplo, de un balance
(conservacin) de P: la cantidad de P que hay en U tiene que ser igual a la cantidad de P que hay en V,
ms la cantidad de P que se ha separado. Es decir:
V XVP + ( 1 V)1 = 1 XUP
V =
XUP 1
XVP 1
V = 0.637 kg de V / kg de U
P = 1V
P = 0.363 kg de P / kg de U
Mtodo 2: (solucin grfica) el lmite de autocombustin del compuesto (la especificacin del problema,
es decir, la Ec. (*) con el signo igual en vez ">") es una lnea recta en el diagrama triangular. Para
representarla basta con dibujar dos puntos de la misma dando valores a XUM y XUP y uniendo los dos
puntos (lnea discontinua en el diagrama triangular).
Como V debe obtenerse separando P de U, para obtener el punto representativo de V se prolonga la
recta que une P con U hasta que corte con la lnea de la especificacin. La composicin de V se lee
directamente del diagrama.
La cantidad de P que se separa por cada kg de U se calcula con ayuda de la regla de la palanca (relacin
entre las longitudes de los segmentos UV y PV), y se obtienen los mismos resultados.
2014-2015
166
_________________________________________________________________________________
5.15
Se desea obtener por calcinacin un ligante inorgnico (P) anlogo al cemento. Se dispone de
las siguientes materias primas:
carbonato clcico (caliza) CaCO 3 (E),

la arcilla 3SiO 22Al2O32H2O (F),
la arcilla 5SiO2Al2O32H2O (G).
La mezcla que se alimente al horno debe contener E en todo caso, y adems, bien una sla de
las arcillas F o G, o bien una mezcla de ambas, en proporciones a determinar.
En el horno, E se descompone trmicamente y pierde CO2 segn: CaCO3 -> CaO+CO2 para
dar CaO (A).
Igualmente, en el horno las arcillas pierden completamente el agua estructural.
2014-2015
167
La especificacin tcnica exige que el producto P debe tener una fraccin msica de Al2O3 (B)
superior a S1 = 0.16 , pero inferior a S2 = 0.32 . Adems, la fraccin msica de CaO en P
debe ser superior a S3 = 0.49 pero inferior a S4 = 0.6 .
Los costes (extraccin, transporte, etc.) de las materias primas E, F y G son: pE = 12
/tonelada, pF = 25 /t, y pG = 19 /t.
Determinar:
1. las cantidades (toneladas) de materias primas E, F y G que se necesitan para obtener 1
tonelada de P que, cumpliendo todas las especificaciones, tenga un coste total (/t de P)
mnimo,
2. este precio mnimo de P (/t de P), y
3. la composicin de P (expresada en % msicos de CaO, Al2O3 y SiO2).
Sol.: puesto que las especificaciones estn dadas en base msica, lo ms inmediato es trabajar en un
diagrama ternario en fracciones msicas. En el diagrama ternario se colocan los componentes CaO (A),
Al2O3 (B) y SiO2 (C) en los vrtices. Puesto que el CO 2 y el agua estructural estn en relaciones
molares fijas respecto de A, B y C, se puede resolver el problema en base seca y sin CO2.
Las arcillas F y G, exentas de agua, son 3SiO2.2Al2O3 (Fs) y 5SiO2.Al2O3 (Gs).
Se calculan en primer lugar las masas moleculares a partir de las masas atmicas: MwSi = 28
MwO = 16, MwCa = 40, MwAl = 27, MwH = 1, MwCarb = 12 kg/kmol.
MwA = MwCa + MwO
MwA = 56 kg/kmol A
MwB = 2MwAl + 3MwO

MwB = 102 kg/kmol B
MwAgua = 2MwH + MwO

kg/kmol Agua
MwAgua = 18
MwE = MwCarb + 3MwO + MwCa

kg/kmol CaCO3
MwE = 100
MwF = 3MwC + 2MwB + 2MwAgua

kg/kmol F
MwF = 420
MwFs = MwF 2MwAgua
kg/kmol Fs
MwFs = 384
MwG = 5MwC + MwB + 2MwAgua

kg/kmol G
MwG = 438
MwGs = MwG 2MwAgua
kg/kmol Gs
MwGs = 402
Las materias primas Fs y Gs tienen una composicin msica:

XFsB =
2014-2015
2MwB
2MwB + 3MwC
XGsB =
MwB
MwB + 5MwC
XFsC = 1 XFsB
XGsC = 1 XGsB
XFsA = 0
XGsA = 0
XFsB = 0.531
XGsB = 0.254
XFsC = 0.469
XGsC = 0.746
MwC = MwSi + 2MwO

MwC = 60 kg/kmol C
168
Los precios msicos de A, Fs y Gs son:
pA = pE
MwE
MwA
pA = 21.429 /t de A
pFs = pF
MwF
pGs = pG
MwFs
pFs = 27.344 /t de F seco
MwG
MwGs
pGs = 20.701 /t de G seco
La primera y segunda especificaciones estn representadas por lneas rectas (discontinuas) trazadas por
los valores de XB constante:
XPB = S1
XPB = S2
La tercera y cuarta especificaciones estn representadas igualmente por lneas rectas trazadas por los
valores de XA constante:
XPA = S3
XPA = S4
Adems, puesto que el producto se obtiene por mezcla de las materias primas dadas (A, Fs y Gs, en base
seca y exenta de CO2), el punto P debe encontrarse en la regin triangular delimitada por las lneas en
trazo grueso. Una de ellas representa el caso extremo de mezclar A slo con F, y la otra el otro caso
extremo de mezclar A slo con G. Cualquier mezcla de A con F y G debe encontrarse necesariamente en
la regin triangular definida por estas dos lneas y el lado del diagrama.
Fs
P
A
2014-2015
Gs
169
La composicin pedida debe estar dentro del rea (polgono) delimitada por las cuatro especificaciones
S1, S2, S3 y S4, y adems dentro del rea triangular descrita en el prrafo anterior.
Como tambin se especifica que el precio msico sea mnimo, y este precio es una funcin lineal de la
composicin msica, el mnimo del precio se encontrar en uno de los vrtices del polgono.
del diagrama se leen directamente las composiciones de los vrtices de la zona que cumple todas las
especificaciones.
para cada vrtice se calcula su precio,
el producto P deseado se encuentra en el vrtice en el que el precio es menor,
y finalmente se convierten las cantidades de A, Fs y Gs a cantidades de E (aadiendo el CO2), F y
G (volviendo a base hmeda) usando la relacin de masas moleculares.
XPFs = 0.1103
XPGs = 0.3997
Preciomin = 21.79 /t
XPA = 0.49
La composicin del punto P puede leerse directamente del diagrama:

XPA = 0.49
XPB = 0.16
XPC = 0.35
o bien obtenerse a partir de las fracciones de A, Fs y Gs en P:

X BP =
P
X FsP X BFs + X Gs
X BGs
P
P
X AP + X FsP X BFs + X Gs
X BGs + X FsP X CFs + X Gs
X CGs
X CP = 1 X AP X BP
Las cantidades de materias primas A, F y G son entonces:

ZE = XPA
ZE = 0.875
MwE
ZF = XPFs
MwA
t de L / t de P
ZF = 0.121
MwF
MwFs
t de L / t de P
ZG = XPGs
MwG
MwGs
ZG = 0.436 t de L / t de P
_________________________________________________________________________________
5.16
Para la fabricacin por calcinacin de un material cermico (M) de composicin (fracciones molares):
xCaO = 0.48 , xMgO = 0.22 y xSiO2 = 0.3 se dispone de tres materias primas: caliza CaCO3 (A),
dolomita CaMg(CO3)2 (B), y slice SiO2 (C). A y B pierden CO2 en la calcinacin segn las
reacciones:
CaCO3 CaO + CO2
CaMg ( CO3 )2 CaO + MgO + 2CO 2
Calcular qu cantidad (en kg) de caliza (A) es necesaria para producir 1 kg de M.

Usar las masas atmicas con las cifras decimales que aparecen en el sistema peridico.
2014-2015
170
Sol.: un modo de hacerlo es considerar CaO, CaOMgO y SiO2 como componentes y calcular las
masas (en kg) mCaO , mCaOMgO y mSiO2 de estos componentes necesarias para obtener 1 kmol de
M. Este kmol de M contendr xCaO , xMgO y xSiO2 kmol de CaO, MgO y SiO2 respectivamente.
Con estas variables se cumple:
xCaO =
m
mCaO
+ CaOMgO
MwCaO MwCaOMgO
xMgO =
mCaOMgO
MwCaOMgO
xSiO 2 =
mSiO 2
MwSiO 2
de donde se puede despejar inmediatamente mCaO:

xCaO =
mCaO
+ xMgO mCaO = ( xCaO xMgO ) MwCaO
MwCaO
mCaO = ( xCaO xMgO) MwCaO

Como la masa molecular de M es
mCaO = 14.581
kg de CaO para un kmol de M.
MwM = xCaO MwCaO + xMgO MwMgO + xSiO2 MwSiO2

MwM = 53.814 kg/kmol
la masa de CaO necesaria para obtener 1 kg de M ser: mCaO
1
= 0.271
MwM
y la cantidad de caliza (A) necesaria ser:
1 MwCaCO3
= 0.484
MwM MwCaO
mCaO
kg de CaO
kg
Tambin puede razonarse considerando que el MgO proviene ntegramente de la dolomita, y por
ello sern necesarios xMgO kmol de dolomita para 1 kmol de M.
Adems, cada kmol de dolomita aporta tambin un kmol de CaO. Por consiguiente, la caliza debe
aportar de CaO slo la diferencia hasta la especificacin, es decir: xCaO xMgO = 0.26 kmol de
caliza. Esta cantidad ( xCaO xMgO) MwCaCO3 = 26.021 kg de CaCO3 es la necesaria para
obtener 1 kmol de M, cuya masa molecular es MwM = 53.814 . Para 1 kg de M sern necesarios
( xCaO xMgO) MwCaCO3 = 0.484 kg de caliza (A).
MwM
_________________________________________________________________________________
5.17
Un material compuesto M para corte de acero tiene una matriz metlica de cobalto y cristales de
dos materiales cermicos: carburo de wolframio WC y carburo de titanio TiC, estos dos ltimos
en proporcin molar 1:1. La fraccin volumtrica de cobalto en M es VCo = 0.7 . Los carburos se
obtienen de las siguientes reacciones simplificadas:
TiO 2 + 2C CO 2 + TiC
2014-2015
WO 2 + 2C CO 2 + WC
171
Las densidades de los componentes de M son: Co = 8900 kg/m3, WC = 15800 kg/m3,
TiC = 4930 kg/m3. Calcular la cantidad de WO2 necesaria para fabricar 1 kg de M.
Sol.: en primer lugar se puede calcular la densidad de la mezcla equimolar de carburos dividiendo la
masa de una mezcla de 1 kmol de WC y 1 kmol de TiC entre el volumen de esta mezcla:
WCTiC =
1 MwWC + 1 MwTiC
1 MwWC
WC
1 MwTiC
kg/m3
WCTiC = 10420
TiC
La densidad del compuesto M es: M = VCo Co + ( 1 VCo) WCTiC
M = 9356
kg/m3
Tambin es inmediato calcular la fraccin volumtrica de WC en la mezcla 1:1 de carburos:

1 MwWC
VWC_en_WCTiC =
WC
1 MwWC
WC
1 MwTiC
TiC
La masa de WC contenida en 1 m3 de M (cuya masa es M = 9356 kg/m3) es:

VWC_en_WCTiC ( 1 VCo) WC = 2394
kg
fraccin volumtrica de WC fraccin volumtrica de

en la mezcla 1:1 de carburos carburos en M
fraccin volumtrica de WC en M
Con lo que la masa de WO2 necesaria para fabricar 1 kg de M ser:
VWC_en_WCTiC ( 1 VCo) WC MwW + 2MwO
= 0.282
MwWC
M
/
relacin entre la masa de WC en 1
m3 de M y la masa de 1 m3 de M
kg
3
relacin de masas molares
del WO2 al WC
_________________________________________________________________________________
2014-2015
172
5.18
Determinar la composicin msica (fracciones msicas de A, B y C) del punto indicado en el diagrama
triangular. El diagrama triangular es en base molar (fracciones molares).
MwBa = 137, MwO = 16, MwCa = 40, MwAl = 27.
Usar las masas atmicas:
B (BaO)
A (Al2O3)
C (CaO)
Sol.: la composicin molar (fracciones molares) se lee directamente del diagrama:

xA = 0.6
xB = 0.25
xC = 1 xA xB
xC = 0.15
Las masas molares de A, B y C son:

MwA = 2MwAl + 3MwO
MwA = 102
kg/kmol A
MwB = MwBa + MwO

MwB = 153
Las fracciones msicas (XA, XB, XC) se calculan:
2014-2015
kg/kmol B
MwC = MwCa + MwO

MwC = 56
kg/kmol C
173
XA =
xA MwA
XB =
xB MwB
XC = 1 XA XB
XA = 0.567
XB = 0.355
XC = 0.078
_________________________________________________________________________________
5.19
Determinar la composicin molar (fracciones molares de A, B y C) del punto indicado en el diagrama
triangular. El diagrama triangular es en base msica (fracciones msicas).
Usar las masas atmicas:
MwBa = 137, MwO = 16, MwCa = 40, MwAl = 27.
B (BaO)
C (CaO)
A (Al2O3)
Sol.: la composicin msica se lee del diagrama:
XA = 0.4
XB = 0.2
Las masas molares de A, B y C son:

2014-2015
XC = 1 XA XB
XC = 0.4
174
MwA = 2MwAl + 3MwO
MwB = MwBa + MwO
kg/kmol A
MwA = 102
MwB = 153
MwC = MwCa + MwO
kg/kmol B
MwC = 56 kg/kmol C
Las fracciones molares (xA, xB, xC) sern:

XA
xA =
XB
MwA
XA
MwA
XB
MwB
XC
MwC
xB =
MwB
XA
MwA
XB
MwB
XC
xC = 1 xA xB
MwC
xA = 0.317
xB = 0.106
xC = 0.577
__________________________________________________________________________________
2014-2015
175
6 Propiedades de
materiales en equilibrio
termodinmico:
complianzas y rigideces
generalizadas
6.1
Material Orttropo Sometido a Traccin
Un material compuesto orttropo (0 45 ) se somete a traccin en la direccin

indicada en la figura. Determinar, de modo cualitativo, cmo se deforma.
0
+45
- 45
- 45
+45
0

Sol.: analizando los elementos de simetra, este material es monoclnico y pertenece a la
clase 2 / m .
2014-2015
176
d
La orientacin convencional de los ejes es la de la figura, haciendo coincidir el eje binario

con el eje cartesiano d. Para la orientacin convencional, la matriz de complianzas
(recordar que es simtrica) tiene la estructura:

str ( s ) =
=

G
G
Usando notacin de Voigt, la deformacin se obtiene de = s .

Para la traccin indicada, existe una fuerza en direccin e que acta sobre un plano cuya
normal exterior es e, es decir 33 , que en notacin de Voigt es 3 , luego
0
0

G 3
=
0
0

0
y el producto de la matriz de complianzas por este vector tensin tiene la siguiente
estructura:

G
str =
0

0
()
Quiere decir que una fuerza aplicada, exclusivamente en direccin e, produce

deformaciones longitudinales en las direcciones c, d y e, pero tambin deformacin
angular en el plano ce, por el elemento 5 (= 213 ) .
Cualitativamente, la distorsin que sufre un paraleleppedo recto de este material
compuesto es la superposicin de elongacin en direccin e, contraccin en direcciones
2014-2015
177
c y d (si la relacin de Poisson es positiva como en casi todos los materiales) y
deformacin angular en el plano ce.
d

G
=
0
El resultado final de una tensin de traccin es una distorsin que combina elongacin y
deformacin angular (pese a que no se aplica ninguna tensin tangencial). Este tipo de
distorsiones combinadas para una solicitacin de un solo tipo (normal o tangencial) se
denomina con frecuencia alabeo.
Por la estructura de la matriz de complianzas, es evidente que el mismo fenmeno
suceder si la fuerza de traccin se aplica en direcciones c y d (primeros dos elementos
del vector tensin). En todos los casos de tensin normal aparece una deformacin
angular en el plano ce (debida a los tres primeros elementos no nulos en la 5 fila).
Se observa tambin que aplicando tensin tangencial en el plano de (elemento 4 del
vector tensin) se obtiene un vector deformacin con la estructura:

G
str =

()
Esta tensin tangencial produce una deformacin angular no slo en el plano de sino
tambin en el plano cd. La misma situacin se aplica a una tensin tangencial en el
plano cd (elemento 6 del vector tensin).
Sin embargo, aplicando tensin tangencial en el plano ce (elemento 5 del vector
tensin) se obtiene:

G
str =
()
Es decir, esta tensin tangencial produce no slo deformacin angular en el plano ce,
sino tambin deformaciones longitudinales en las direcciones c, d y e.
Este comportamiento mecnico no tiene anlogo en los materiales istropos. El
acoplamiento entre tensiones normales y deformaciones angulares, y entre tensiones
2014-2015
178
tangenciales y deformaciones longitudinales es debido a la presencia de elementos no
nulos en el subbloque superior derecho (y, por simetra, en el inferior izquierdo) de las
matrices de complianza y rigidez:
str ( s ) =
acoplamiento entre tensiones
normales y deformaciones
angulares

normales y deformaciones
longitudinales

tangenciales y deformaciones
longitudinales

tangenciales y deformaciones
angulares
A la vista de las estructuras de las matrices de complianza y rigidez, los materiales cuya
estructura corresponda a los sistemas triclinico, monoclnico, tetragonal (clases
4, 4 y 4 m ) y trigonal presentan este efecto.
La mayora de los materiales compuestos pertenecen a alguna de estas clases, lo que por
un lado complica el diseo con estos materiales pero tambin permite funcionalidades no
accesibles a materiales istropos.
________________________________________________________________________
6.2
Constantes Elsticas de un Material Compuesto
Para un material compuesto de fibra alineada unidireccionalmente (con un eje de orden

infinito y con estructura para la matriz de complianzas igual que para un material
hexagonal),
Direccin de las fibras,
longitudinal o l
d
c
Direcciones transversales a las fibras o t
(todas las del plano cd son equivalentes)
expresar los elementos de la matriz de complianzas en funcin de los mdulos de Young,

mdulos cortantes y de las relaciones de Poisson del compuesto que se indican:
2014-2015
179
El mdulo de Young longitudinal 1

Et mdulo de Young transversal
Gtl = Glt mdulo cortante o de cizalladura longitudinal-transversal 2
Gtt mdulo cortante o de cizalladura transversal-transversal 3
lt relacin de Poisson longitudinal-transversal 4

tl relacin de Poisson transversal- longitudinal 5
tt relacin de Poisson transversal- transversal
(de todos estos parmetros, slo 5 son independientes; ver estructura de la matriz de
complianzas para el sistema hexagonal).
Sol.: se procede igual que para el material istropo, multiplicando en notacin de Voigt la
G
G
matriz de complianza por el vector tensin. Al escribir = s se tiene en cuenta la

estructura de s para el material hexagonal:

s11 = s22 , s12 = s21 , s33
s13 = s31 = s23 = s32

s44 = s55
s66 = 2( s11 s12 )
y se obtienen las componentes del vector deformacin:
1 = s11 1 + s12 2 + s13 3

2 = s12 1 + s11 2 + s13 3
3 = s13 1 + s13 2 + s33 3
4 = s44 4
5 = s44 5
6 = 2( s11 s12 ) 6
De forma intuitiva y utilizando los mdulos y relaciones de Poisson indicadas en el
enunciado, se puede escribir:
El mdulo de Young longitudinal (transversal) es la relacin entre tensin normal longitudinal

(transversal) y deformacin longitudinal (transversal)
2
El mdulo cortante longitudinal-transversal es la relacin entre tensin tangencial longitudinal-transversal

y la deformacin angular longitudinal-transversal
El mdulo cortante transversal- transversal es la relacin entre tensin tangencial transversal -transversal y
la deformacin angular transversal -transversal
4
La relacin de Poisson longitudinal-transversal indica la contraccin transversal por unidad de extensin

longitudinal.
La relacin de Poisson transversal-longitudinal indica la contraccin longitudinal por unidad de extensin

transversal.
2014-2015
180
1 =
1
1 tt 2 lt 3
Et
Et
El
2 =
tt
1
1 + 2 lt 3
Et
Et
El
3 =
tl
1
1 tl 2 + 3
Et
Et
El
4 =
1
4
Gtl
5 =
1
5
Gtl
6 =
1
6
Gtt
e identificando coeficientes:
s11 = 1/ Et
s12 = tt / Et
s13 = lt / El
s33 = 1/ El
s44 = 1/ Glt
que es una posible eleccin de los cinco parmetros necesarios para describir el material
de simetra hexagonal. El resto de los parmetros se obtiene en funcin de los elegidos,
identificando dos coeficientes ms:
Et
2(1 + vtt )
vtl = vlt Et / El
1/ Gtt = 2( s11 s12 ) Gtt =

s31 = s13 vtl / Et = vlt / El
________________________________________________________________________
6.3
Deformacin de una Fibra de Nylon Orientada
Una fibra de nylon estirada longitudinalmente se somete a un tensor de tensiones en el

que las componentes i 3 son todas nulas. Cul ser la nueva longitud de la fibra?
Datos: L0 es la longitud inicial de la fibra; l direccin longitudinal; t direccin
transversal.
Sol.: una fibra de nylon orientada longitudinalmente pertenece a la clase / mm y se
hace coincidir la direccin longitudinal con el eje cartesiano e. Aplicando: = s : y
teniendo en cuenta que las componentes del tensor de tensiones en este caso son:
11 12
c f =
ed hg 12 22
0
0
2014-2015
11

22
0
G 0
0 =
0
0
0

12
181
la componente de la deformacin que nos interesa es (ver problema 6.2) es:
33 = 3 = s13 1 + s13 2 =
tl
Et
tl
Et
y la nueva longitud de la fibra ser:

L = L0 (1 + 33 ) = L0 1 tl (1 + 2 )
Et
________________________________________________________________________
6.4
Deformacin de un Material Istropo
De un material istropo de mdulo de Young E , relacin de Poisson positiva y

coeficiente de dilatacin trmica , se corta un cubo de lado L . El cubo se comprime
hidrostticamente por aplicacin del tensor compresin hidrosttica:
= p
Qu variacin de temperatura ( T ) deber experimentar el cubo para recuperar su
volumen original?
Sol.: el cubo de volumen inicial V0 se comprime hasta un volumen V por la accin de la
compresin hidrosttica, para despus dilatarse hasta recuperar el volumen original:
compresin hidrosttica
L0
dilatacin trmica
Para un material istropo sometido a compresin hidrosttica, la longitud del lado del
cubo pasa de L0 a L , siendo
L = L0 (1 + 11(presin) ) = L0 1 (1 2 )
E
Cuando el cubo de lado L se dilata debido al incremento de temperatura T , recupera su

longitud inicial L0 :
L0 = L (1 + 11(dil.trmica) ) = L (1 + T )
Combinando ambas expresiones y para pequeas deformaciones:
p (1 2 )
p
(1 2 ) T =
E
E
________________________________________________________________________
2014-2015
182
6.5
Material Compuesto de Fibra Orientada
Para un material compuesto de fibra orientada unidireccionalmente se conocen todos los

valores no nulos del tensor de complianza elstica:
s1111 = 8.9 1010 Pa 1
s3333 = 1.11010 Pa 1
s1133 = 0.47 1010 Pa 1
s2323 = 14.0 1010 Pa 1
s1122 = 3.9 10 10 Pa 1
Determinar la relacin Gtl Gtt entre los valores de los mdulos cortantes (mdulo cortante
transversal-longitudinal entre mdulo cortante transversal-transversal).
l = direccin longitudinal; t = direccin transversal.
Sol.: procediendo igual que en el ejercicio 6.2:

Gtt =
1
1
1
=
=
= 3.91108 Pa
10
10
2 ( s11 s12 ) 2 ( s1111 s1122 ) 2(8.9 10 + 3.9 10 )
Gtl =
1
1
1
=
=
= 1.786 108 Pa
10
s44 4 s2323 4 14 10
La relacin que se pide es:

Gtl 1.786 108
=
= 0.457
3.91108
Gtt
________________________________________________________________________
6.6
Fibra de Kevlar Sometida a Traccin: Complianzas
El Kevlar es una poliamida que debido a la rigidez de su estructura (poliparafenileno

tereftalamida) ofrece excepcionales prestaciones mecnicas. Una fibra de este material
orientada uniaxialmente presenta forma cilndrica con las siguientes dimensiones:
longitud L = 3 cm y radio R = 5 104 m . Cuando la fibra anterior se somete a una
tensin de traccin 11 = 106 Pa (homognea en todos los puntos de la fibra), se obtienen
los siguientes valores para las componentes del tensor deformacin:
11 = 4.76 105 y 22 = 1.47 105

Determinar la componente s1212 (Pa -1 ) del tensor de complianza elstica s .
Sol.: una fibra orientada uniaxialmente pertenece a la clase / mm cuya matriz de

complianza elstica, en Notacin de Voigt, tiene la misma estructura que un material
hexagonal (ver problema 6.2). La componente tensorial buscada es:
s1212 =
s66
y s66 = 2 ( s11 s12 )
4
Aplicando la ley de Hooke con los datos del problema:
2014-2015
183
s11
s
12
G s13
=
0
0
s12
s11
s13
s13
s13
s33
0
s44
0
s44
11 s11 11

0
0 s12 11
0 s13 11
0
=
0
0 0
0 0
0

2 ( s11 s12 ) 0 0
e identificando coeficientes, se obtiene:
1 11
=
1 11
2 = s12 1 s12 = 2 = 22
1 11
1 = s11 1 s11 =
s1212 =
( s11 s12 ) = ( 11 22 ) = 3.115 1011 Pa -1

2
2 11
________________________________________________________________________
6.7
Acelermetro de Cuarzo
De un monocristal de un material cermico, cristalizado del fundido en el laboratorio, se

desea cortar la seccin marcada en la figura para usarla como sensor piezoelctrico en un
acelermetro, de manera que reaccione a compresin entre las caras sombreadas. Con
ayuda de las figuras que se adjuntan, determinar:
1. a qu clase cristalogrfica pertenece este material cermico, y
2. entre qu caras de la seccin tendr que medirse la seal elctrica.
2014-2015
184
a)
b)
c)
d)
Nota: El cristal de este ejemplo corresponde a la forma R- (dextrgira) del cuarzo.

Sol.: de la figura d) se deduce inmediatamente que el cristal tiene un eje de rotacin
ternario:
eje ternario: al girar 1/3 de vuelta el cristal
es indistinguible del original
60
120
no es plano de simetra
De las figuras a), b) o c) se comprueba tambin que no tiene un plano de simetra

perpendicular al ternario (habra sido hexagonal en ese caso).
Luego posee los elementos caractersticos del sistema trigonal.
2014-2015
185
En la figura a) se observa que no posee tampoco un centro de inversin (no es
centrosimtrico); p.ej. la cara marcada con una flecha en la siguiente figura no tiene una
imagen simtrica respecto del origen:
Sin embargo s posee ejes binarios, como se indica:
45
90
al girar 1/2 vuelta el cristal

es indistinguible del original
180
Y slo tres, puesto que los ejes perpendiculares a las caras, que se indican a continuacin,
no son ejes binarios:
2014-2015
186
180
al girar vuelta el cristal s se distingue del original
Identificados estos elementos, la clase cristalogrfica a la que pertenece es necesariamente

la 32 . La posicin de los ejes (cristalogrficos en lnea discontinua, cartesianos en lnea
continua) para esta clase est indicada en el estereograma correspondiente:
32
ee z
d
c
Utilizando esta informacin, la posicin del cristal respecto de los ejes es:
e z
c
x
2014-2015
y
d
187
En consecuencia, la seccin del cristal usada como sensor va a estar sometida a una fuerza
de compresin en direccin e por unidad de superficie cuya normal exterior es la
direccin e, es decir, la tensin aplicada slo tiene componente 33 :
F3
c
d
En notacin de Voigt la estructura de la tensin a la que est sometido el sensor, y la

estructura de los mdulos piezoelctricos para esta clase cristalogrfica, son:

G
str ( ) =
33 3
en notacin de Voigt

str ( d ) = :
G
Aplicando la ley constitutiva de la piezoelectricidad directa P = d se obtiene una

polarizacin con la siguiente estructura:
str ( P) =
Lo que indica que no produce ninguna seal. Es decir, la seccin elegida del cristal no es
adecuada para producir una seal elctrica (polarizacin) al ser sometida a la tensin
dada.
Para qu otros tipos de tensin s dara una seal la lmina que se ha cortado?
Ver problemas 6.9 y 6.10.
________________________________________________________________________
2014-2015
188
6.8
Microscopio AFM
El principio de funcionamiento del microscopio de rastreo de tnel (STM o Scanning

Tunnelling Microscope) 6 y derivados del mismo (AFM o Atomic Force Microscope) es
el barrido lnea a lnea de la superficie de una muestra por medio de una aguja muy fina
(terminada con frecuencia en un nico tomo metlico, o en un nanotubo de carbono), en
el plano XY de la figura A.
La punta se mantiene a un potencial elctrico ms elevado que la muestra. Cuando la
punta de rastreo se acerca suficientemente a la superficie (sin tocarla), circula una
corriente elctrica entre la punta y la superficie debida al efecto cuntico de conduccin
de tnel. Esta corriente de tnel depende exponencialmente de la separacin entre punta y
muestra, es decir, es muy sensible a cambios en esta distancia de separacin. Un circuito
de realimentacin mantiene constante la corriente de tnel, es decir, la altura de la punta
respecto de la superficie (d en la figura B, medida en la direccin Z de la figura A)
polarizando ms o menos el posicionador piezoelctrico (figura A). Cualquier variacin
en la altura de la superficie (p.ej. por la presencia de tomos individuales) queda
registrada como la variacin del campo (diferencia de potencial) aplicado al posicionador.
perfil de la superficie, muestreado lnea a lnea
Detalle de la punta de un AFM

l1 = 20
En este problema se estudian las bases del funcionamiento del posicionador

piezoelctrico, suponiendo que est construido a partir de un monocristal eumrfico de
ZnS cbico (blenda de cinc o esfalerita). La siguiente figura muestra una celda unitaria de
esfalerita (izquierda) y el monocristal, construido por repeticin de dicha celda, que va a
tener los mismos elementos de simetra que la celda unitaria. Los ejes cartesianos
convencionales de la esfalerita se colocan a lo largo de las aristas de la celda unitaria,
como se representa en la figura; tambin se representan dichos ejes sobre el monocristal:
por el desarrollo del STM recibieron Gerd Binnig y Heinrich Rohrer el premio Nobel de fsica en 1986
2014-2015
189
e
S2-
Zn2+
Estructura de la Esfalerita
Monocristal de Esfalerita
El sensor piezoelctrico va a ser un cubo tallado a partir del monocristal, de forma que
sus aristas coincidan con las direcciones convencionales, y se construye del siguiente
modo:
P
l3 = 2 m m
l2 = 2 m m
l1 = 2 m m
Mediante un generador externo, es posible establecer una diferencia de potencial entre

cada par de caras opuestas; en el dibujo est representado el caso en que se polarizan las
caras c. La punta del microscopio va unida solidariamente al vrtice P del cristal y el
actuador est fijado rgidamente a la estructura por la cara rayada (en el plano cd).
Determinar:
1. si el ZnS cbico es adecuado como material para el posicionador piezoelctrico,
2. qu caras hay que polarizar para conseguir qu tipo de desplazamientos de la punta,
3. qu voltaje hay que aplicar para conseguir un desplazamiento de 0.1 nm en las
direcciones c y d.
Los mdulos piezoelctricos del ZnS cbico son 7: d14 = 6.48 1012
mdulos son nulos.
C/N y los dems
Popov, S., Svirko, Y.P. Zheludev, N.I. Encyclopedia of Material Tensors, John Wiley (1998)
2014-2015
190
Sol.: en la estructura cristalina de la esfalerita se identifican los elementos de simetra de
la clase 43m ; es la clase a la que tambin pertence el tetraedro y tambin el objeto:
Los ejes cartesianos convencionales se colocan a lo largo de las aristas de la celda

unitaria, coincidiendo con las direcciones de los tres ejes cuaternarios de inversin
caractersticos de esta clase cristalogrfica (vase la colocacin de los ejes en el
monocristal). Para esta clase, la estructura de los mdulos piezoelctricos es:
Es decir, slo tiene un mdulo piezoelctrico independiente, los otros dos son iguales. Lo
cual es consistente con los datos del problema:
d14 = d 25 = d36 = 2d123 = 2d132 = 2d 213 = 2d 231 = 2d 312 = 2d321
d14 = 6.48 1012 C/N d123 = 3.24 1012
C/N
La respuesta del material piezoelctrico a un campo elctrico es una deformacin que se

expresa cuantitativamente como: jk = Ei dijk (ley constitutiva de la piezoelectricidad
inversa).
Se supone en primer lugar que se aplica un voltaje (y por tanto un campo elctrico) entre
las caras c. El campo elctrico tiene entonces la forma:
E1
E = 0
0
y la deformacin segn jk = Ei dijk es:

0
0
a b = 0 0
0 E1d123
0
E1d123
0
En este problema la base del actuador est fija en el plano cd (ver esquema del actuador
piezoelctrico). Al aplicar el campo elctrico en la direccin c, perpendicular al papel en
la siguiente figura, se produce una deformacin angular en el plano de, de manera que
la base del paralelogramo en la direccin d queda fija. Esta deformacin + giro se
denomina cortadura simple (ver captulo 3 de los apuntes de la asignatura):
2014-2015
191
x 2 = 2 23 l3
2 23
2 23
el dibujo no est a escala
l3
piezoelctrico
x 2 = 0.1 nm
punta
cantilever
x 2 = 0.1 nm
Como consecuencia de esta deformacin del actuador piezoelctrico al aplicar un campo

entre las caras c, la punta de la lengeta, a la que est unido solidariamente, se desplaza
exclusivamente en direccin d. Este desplazamiento se obtiene:
x2 = 2l3 23 = 2l3 E1d123 = 2l3
V
d123
l1
y despejando la diferencia de potencial, resulta:

V = x2
l1
1010
=
= 15.43 voltios
2l3 d123 2 3.24 1012
Analogamente, el desplazamiento en la direccin c se obtiene aplicando un campo en la

direccin d, y puesto que el mdulo piezoelctrico correspondiente a esta deformacin
tiene el mismo valor numrico, la diferencia de potencial necesaria es la misma.
Campo en
direccin c
mueve la punta en
direccin d
x1
piezoelctrico
de ZnS
x2
base fija al
voladizo
(cantilever)
Campo en direccin
d
mueve la punta en
d direccin c
Cuestin extra: polarizar en direccin e produce deformacin angular en el plano cd.

Sin embargo, al estar fijada rgidamente la cara del piezoelctrico en el plano cd, sta no
se puede deformar. Qu efecto crees que tendr en este caso particular aplicar un campo
en la direccin e?
Siguiente cuestin: los resultados obtenidos son consistentes con la microestructura del
material elegido para este problema (blenda de cinc)?
2014-2015
192
De la estructura de los mdulos piezoelctricos se deduce que este material slo reacciona
a tensiones tangenciales (efecto piezoelctrico directo), o bien, que bajo polarizacin
elctrica se deforma angularmente (efecto piezoelctrico inverso).
Este comportamiento y esta estructura de la propiedad son consecuencia de la estructura
cristalina del material. En ausencia de deformacin, el cristal no presenta momento
dipolar. Aunque los iones tienen carga parcial positiva ( Zn 2+ ) y negativa ( S2- ), cada uno
de los cuatro tetraedros regulares (marcado con un crculo en la figura siguiente) tienen
momento dipolar nulo.
Por ejemplo, una tensin de compresin 33 (efecto piezoelctrico directo) tiene como
consecuencia a nivel molecular un acortamiento de la celda en la direccin vertical. Los
tetraedros se deforman proporcionalmente y, aunque dejan de ser regulares, sin embargo
su momento dipolar sigue siendo nulo por simetra.
Una tensin tangencial, sin embargo, produce una distorsin de los tetraedros que
modifica las distancias entre iones y las cargas parciales, es decir, aparece un momento
dipolar molecular y macroscpico. Esta variacin del momento dipolar es la causa de que
la esfalerita presente propiedades piezoelctricas. Y en este caso particular, slo con
tensiones tangenciales. El ejemplo siguiente representa la distorsin de uno de los
tetraedros ante una tensin 31 (fuerza en direccin c por unidad de superficie normal a
e):
e
c
iones S2- en la estructura sin deformar

ion Zn2+ en la estructura sin deformar
iones S2- en la estructura deformada con 13 = 0.15
ion Zn2+ en la estructura deformada con 13 = 0.15
El grfico de la derecha muestra la proyeccin sobre el plano cd del tetraedro marcado

con un crculo negro, antes (iones representados con crculos pequeos) y despus (iones
con crculos grandes) de una deformacin angular en el plano ce de valor 13 = 0.15 (el
mismo efecto ocurre en los otros tres tetraedros de la celda). Para la deformacin angular,
se pierde la simetra con respecto de un plano perpendicular a la direccin d y como
consecuencia de la redistribucin de cargas parciales, aparece un dipolo en direccin d.
Este comportamiento a nivel microscpico se refleja en la estructura de la matriz de
mdulos piezoelctricos:
2014-2015
193
d 25 0
> tensin tangencial en plano

ce (5 en notacin de Voigt)
produce polarizacin en d
Por ltimo, es evidente que el anterior mecanismo es igualmente vlido para tensiones
tangenciales en cd y en de, como debe ocurrir en un material cbico en el que las tres
direcciones convencionales son equivalentes. De hecho, la geometra empleada en el
razonamiento anterior para tensin tangencial en ce puede someterse a un giro de 120
en torno a uno de los ejes ternarios (diagonales de la celda) y se obtiene la situacin
correspondiente a tensin tangencial en dc. Un giro de otros 120 respecto del mismo
eje proporciona la situacin correspondiente a tensin tangencial en ed.
Esta operacin de giro (alrededor de un eje ternario) es una de las 24 del grupo de simetra
de la clase cristalogrfica de la esfalerita, es decir, bajo las que la estructura es invariante.
Esta simetra o invarianza es consecuencia de la estructura geomtrica del material e
implica la igualdad de los tres mdulos piezoelctricos no nulos.
43m
e
y
d
Este problema es un ejemplo adecuado para entender cmo estn relacionadas
la estructura geomtrica de un material,
el mecanismo molecular que explica sus propiedades (p.ej. piezoelectricidad) y
la estructura de la matriz que representa (en notacin de Voigt) dicha propiedad,
y cmo una de ellas implica automticamente las otras.
________________________________________________________________________
6.9
Acelermetro (1)
Se desea construir un acelermetro piezoelctrico de compresin para ensayos

destructivos de colisin de vehculos (ver esquema, parte A). El sensor va montado sobre
la parte trasera del vehculo y tiene la forma indicada en la parte B del esquema.
2014-2015
194
A sistema de coordenadas
sistema de coordenadas
B convencionales del sensor

e
e
del ensayo de colisin
e
d
d
c
sensor
sensor
vehculo
l3 = 10 m m
l1 = 10 m m
l2 = 3 m m
obstculo fijo
Se consideran dos materiales candidatos para construir el sensor: el sulfuro de cinc cbico
(esfalerita) y el cuarzo trigonal. Los mdulos piezoelctricos de ambos son conocidos:
ZnS, cbica, clase cristalogrfica 43m :
d14 = 6.48 1012 C/N
Cuarzo trigonal, clase cristalogrfica 32 :
d11 = 2.3 1012 C/N
d14 = 0.67 1012 C/N
1. Decidir si los dos, uno o ninguno de los dos materiales candidatos son adecuados para
construir el acelermetro.
2. Decidir, en cada caso, cmo hay que colocar (orientar) el cristal sensor y entre qu
caras se debe medir la seal (voltaje).
Sol.: la colisin tiene lugar en direccin d del ensayo de colisin y la aceleracin
(negativa, deceleracin) del vehculo y del sensor produce una fuerza en esa direccin, lo
cual se traduce en una tensin de compresin para el sensor, es decir, el tensor de
tensiones tiene una nica componente diagonal ii (por ejemplo 11 , 22 o 33 ).
La polarizacin en ese caso estar dada por: Pj = d jii ii . Se producir una seal
(polarizacin) cuando el material tenga al menos un coeficiente d jii 0 para algn j , es
decir, algn mdulo que sea distinto de cero y que tenga los dos ltimos ndices iguales.
Los mdulos piezoelctricos estn dados en la literatura en notacin de Voigt y, para cada
uno de los dos materiales, de acuerdo con la estructura correspondiente de la matriz de
mdulos piezoelctricos, se deducen los mdulos distintos de cero en notacin tensorial.
Para la esfalerita:
d14 = d 25 = d36
d14 = 2d123 = 2d132
d 25 = 2d 213 = 2d 231
d36 = 2d312 = 2d321
Los mdulos piezoelctricos de la esfalerita no cumplen la condicin necesaria para esta
aplicacin, es decir, no hay ningn mdulo con los dos ltimos ndices iguales, y por ello
2014-2015
195
no ser adecuada. Sin embargo s lo sera para un acelermetro que tuviera que reaccionar
a una tensin tangencial: puesto que d14 no es cero, aplicando una tensin 4 (tensin
tangencial en el plano de) se obtendra una seal.
Para el cuarzo:
d12 = d11 ; d 26 = 2d11 ; d 25 = d14
d11 = d111
d12 = d122 = d111
d 26 = 2d 212 = 2d 221 = 2d111
2d 213 = 2d 231 = 2d123 = 2d132
El cuarzo trigonal s tiene dos mdulos con los dos ltimos ndices iguales:
d111 = 2.3 1012 C/N y d122 = 2.3 1012 C/N
Este material s ser adecuado para construir el acelermetro.
En cuanto a cmo orientar el cristal sensor, las dos posibilidades ms sencillas son:
considerando d111 , se obtendr seal si se somete el cristal a 11 , es decir, hay que

orientar el cristal de modo que sufra compresin (deceleracin) entre sus caras c.
Para esto, hay que colocar el cristal de modo que sus caras c sean perpendiculares a
la direccion d y la seal P1 = d111 11 se obtendr entre sus caras c,
considerando d122 , habr seal si se somete el cristal a 22 , es decir, hay que orientar
el cristal de modo que sufra compresin (deceleracin) entre sus caras d. Para esto,
hay que colocar el cristal de modo que sus caras d sean perpendiculares a la direccion
d, es decir, rotado 90 en torno al eje e respecto del caso anterior. La seal
P1 = d122 22 se mide igualmente entre sus caras c. La seal es en este caso de igual
magnitud que en el anterior, pero de signo contrario, puesto que d122 = d111 . En
consecuencia, para este material, una compresin en direccin c produce la misma
seal elctrica (y del mismo signo) que una traccin en direccin d. El eje c en el
que aparece una polarizacin se conoce como "eje elctrico" del cuarzo. El hecho de
que la tercera fila de la matriz d slo contenga ceros indica que ningn estado de

tensin (traccin, compresin, tensin tangencial) puede producir una seal elctrica
en direccin e (ver tambin Problema 6.7).
Para producir una seal elctrica en direccion d se puede aplicar una tensin
tangencial 5 o bien una tensin tangencial 6 .
Nota: cualquier otra orientacin intermedia, p.ej., rotando el material respecto del eje e
un ngulo cualquiera producir tambin una seal. El clculo es algo ms complicado
porque el estado de tensin y de polarizacin en el cristal son menos evidentes (la tensin
o compresin no es homognea). En MatII se consideran en todos los problemas slo las
posiciones (orientaciones) convencionales y/o principales de cada material.
________________________________________________________________________
2014-2015
196
6.10 Acelermetro (2)

Una vez seleccionado el cuarzo trigonal como material adecuado para construir el
acelermetro piezoelctrico del problema anterior, se lleva a cabo un ensayo de colisin
en la que un vehculo que circula a una velocidad de mdulo v = 25 m/s en direccin d
choca contra un obstculo fijo. La colisin, desde el comienzo del contacto hasta la
detencin total, dura t = 0.080 s . Determinar qu seal (diferencia de potencial)
producir el sensor si se coloca con su cara d orientada perpendicularmente a la direccin
de la colisin.
Datos del cuarzo trigonal, clase cristalogrfica 32 :
d11 = 2.3 1012 C/N
d14 = 0.67 1012 C/N
densidad: = 2648 kg/m3
constante dielctrica: K11 = K 22 = 3.8
A sistema de coordenadas
B convencionales del sensor

e
e
del ensayo de colisin
e
d
sensor
sensor
v
vehculo
l3 = 10 m m
l1 = 10 m m
l2 = 3 m m
obstculo fijo
Sol.: la colisin tiene lugar en direccin d y la aceleracin (negativa, deceleracin) del

vehculo es:
a=
v
'2
t
a = 312.5 '2 m/s 2
(es decir unas 32 g). La fuerza que ejerce el sensor (material negativo) sobre el vehculo
(material positivo) en direccin d del sensor (positiva) es:
F = msensor a = l1l2l3 a = 0.248 2 N
La normal exterior a la superficie apunta en direccin d positiva y la tensin de
compresin (negativa por ser un slido) es:
22 =
l1l2l3 a
l1l3
22 = l2
v
= 2482.5 Pa
t
La polarizacin, o momento dipolar por unidad de volumen, que se genera en el cristal es:
P1 = d122 22
2014-2015
P1 = 5.71109 C/m 2 (o C m/m3 )
197
Como el volumen del material es Vol = l1l2l3 , el dipolo elctrico que aparece en el sensor
tiene slo componente 1 y vale (a partir de aqu slo se usan mdulos):
P1 l1l2l3 = 1.713 1015 C m
La carga que aparece entre las dos caras c del sensor es:
Q=
P 1 l1l2l3
l1
Q = 1.713 1013 C
El material considerado como condensador de caras planas paralelas tiene una capacidad:
C = K11 0
l2l3
l1
( 0 = 8.854 1012 F/m) C = 1.009 1013 F
Y el valor del voltaje que aparece entre estas caras c es: V =
Q
C
V = 1.697 voltios
Nota: el problema se ha resuelto suponiendo que la deceleracin es constante. En este

caso, el material proporciona una seal tambin constante y proporcional a la aceleracin.
El problema se resuelve de manera idntica para aceleracin variable, como sucede en
una colisin real. En cualquier caso se mantiene la proporcionalidad entre aceleracin y
seal elctrica. La ventaja del sensor piezoelctrico es que produce una seal que tambin
es variable y que se mantiene siempre proporcional a la aceleracin, es decir, permite
registrar en tiempo real la historia de la colisin. Colocando varios sensores en diferentes
puntos del vehculo y convenientemente orientados, es posible reconstruir detalladamente
el proceso de colisin y estudiar la efectividad de medidas de seguridad pasiva, del diseo
estructural del vehculo, de las deceleraciones sufridas por ocupantes, etc.
________________________________________________________________________
6.11 Sensor de Presin en Calzado

Aunque la determinacin de variables como la aceleracin, fuerza, presin, en entornos
industriales mediante el empleo de sensores piezoelctricos es una actividad comn, su
aplicacin en las reas de biomedicina y biomecnica es mucho ms reciente. Un ejemplo
de esta tendencia son los sensores que se integran en el calzado para obtener estimaciones
sobre la distribucin de la presin plantar.
Para el sensor de este problema se consideran nicamente fuerzas de compresin en la
direccin vertical e (ver sistema de coordenadas de la plantilla en la figura izquierda) y,
para simplificar la resolucin del problema, se considera que la tensin normal debida al
peso es uniforme en todos los puntos de la plantilla y del sensor.
El sensor va montado en la plantilla del calzado y adherido rgidamente por su cara
inferior tal como se indica en el esquema (I). Tiene forma prismtica y se conocen los
mdulos piezoelctricos del material referidos a su sistema de coordenadas cartesianas
convencionales, indicado en la figura (II):
d123 = d132 = d 213 = d 231
d311 = d322
d113 = d131 = d 223 = d 232
d312 = d321
y el resto de los mdulos son nulos.
2014-2015
198
1. Razonar la clase cristalogrfica a la que podra pertenecer el material.
2. Determinar cmo hay que colocar (orientar) el sensor en la plantilla para que se
produzca seal (si es posible ms de una orientacin, considerar todos los casos).
3. Decidir, en cada caso, entre qu caras (A, B o C) se debe medir la seal.
4. Calcular la seal (diferencia de potencial) que producir el sensor, para cada uno de
los casos analizados en los apartados anteriores, en funcin de las variables que se
estimen necesarias indicando sus unidades en el Sistema Internacional (por ejemplo: M ,
masa del cuerpo sobre la plantilla en kg y A , superficie de la plantilla en m 2 ).
Nota: si se necesitan constantes dielctricas del material, indicar qu componentes son
K11 , K 22 , K 33 , etc.
Sistema de coordenadas
convencionales del sensor (II)
e
Montaje del sensor en la plantilla (I)

plantilla de
superficie A
Fuerza de compresin (pie)
e
l3
c
Sensor
(fijado a la plantilla por su cara inferior)
l1
B
l2
Sol.: 1. Teniendo en cuenta los mdulos piezoelctricos del material dados en el

enunciado, la estructura correspondiente de la matriz d en notacin de Voigt es:
y la clase a la que pertenece es 4 .

2. Segn el enunciado slo se consideran fuerzas de compresin en la direccin e, es
decir, se puede orientar el sensor haciendo coincidir una de sus direcciones
G
convencionales c, d o e con la direccin e de la plantilla. El vector tensin podr
tener slo una componente 1 , 2 o 3 y en general la polarizacin resulta:
P1 .
G
G
P = d = P2 = .

P3 d31
2014-2015
.
. d14
.
. d15
.
d31 .
d15
d14
.
. 2

. 3
.
d36
.

.
199
es decir, las componentes del vector polarizacin sern:
P1 = 0
P2 = 0
P3 = d31 1 d31 2
Para que haya seal hay dos posibilidades: la primera es hacer coincidir la direccin c
del sensor con la direccin e (tensin 1 ), en cuyo caso el sensor estara fijado a la
plantilla por su cara A o cara c; la segunda es hacer coincidir la direccin d del sensor
con la direccin e (tensin 2 ), en cuyo caso el sensor estara fijado a la plantilla por su
cara B o cara d.
En los dos casos la seal se mide entre las caras C o e del sensor puesto que P3 0 .
El clculo de la diferencia de potencial se realiza como en problemas anteriores:
eje c coincidente con eje e; la tensin uniforme (simplificacin propuesta en el

enunciado) que acta sobre las caras c (o caras A) del sensor es:
1 = 11 =
Mg
A
donde M (kg) es la masa del cuerpo sobre la plantilla y A (m 2 ) la superficie de la

plantilla. La seal medida entre las caras e (o caras C) del sensor es:
P3 = d31 1 = d311 11 V =
d311 11l3
d Mgl3
= 311
voltios
K 33 0
AK 33 0
eje d coincidente con eje e; la tensin uniforme que acta sobre las caras d (o
caras B) del sensor es:
2 = 22 =
Mg
A
y la seal medida entre las caras e (o caras C) del sensor es:

P3 = d31 2 = d311 22 V =
d311 22l3 d311Mgl3

=
voltios
K 33 0
AK 33 0
La diferencia de potencial en ambos casos tiene el mismo valor absoluto y depende de

M ( kg ) , de A (m 2 ) , del mdulo piezoelctrico del material d311 (C/N) , de su constante
dielctrica K 33 (sin dimensiones), y de la dimensin l3 (m) del sensor (la permitividad
dielctrica del vaco es 0 = 8.854 1012 F/m ).
________________________________________________________________________
6.12 Inyector de Combustible

Los inyectores de combustible disponen en su interior de un dispositivo piezoelctrico,
encargado de producir el movimiento mecnico necesario para la inyeccin cuando se
aplica una diferencia de potencial. Se dispone de un cristal piezoelctrico de la clase
mm2 cortado en forma de cubo de lado L .
2014-2015
200
Determinar la variacin de volumen que experimenta el cristal cuando se aplica un campo
elctrico E3 en la direccin del eje cartesiano e. Suponer pequea deformacin.
Sol.: se trata de un ejemplo de piezoelectricidad inversa. Al tratarse de un cristal de la
clase mm2 :
0
0
0 d15
0
GT
0
0 d 24 0
= E d = [ 0 0 E3 0

d
0
31 d32 d33 0
G
T = [ d31 E3 d32 E3 d33 E3 0 0 0
GT
0
0
La variacin de volumen para pequeas deformaciones es:

V f Vi = L3 (1 + 1 )(1 + 2 )(1 + 3 ) L3 L3 ( 1 + 2 + 3 )
V f Vi = L3 E3 ( d31 + d32 + d33 )
________________________________________________________________________
6.13 Elasticidad no Lineal en PE Reticulado (1)

Los elastmeros son materiales polimricos orgnicos que presentan elasticidad no lineal.
Es posible demostrar que su mdulo (no es el mdulo de Young) es, en primera
aproximacin, independiente de la naturaleza qumica de las cadenas polimricas y vara
de modo lineal slo con el nmero de puntos de reticulacin por unidad de volumen del
elastmero del siguiente modo:
E = n kB T
donde n es el nmero de puntos de reticulacin por unidad de volumen, T es la
temperatura absoluta (en este caso 300 K) y k B = 1.38 1023 J/K es la constante de
Boltzmann.
A su vez, la relacin elstica no lineal entre la tensin de traccin correspondiente a
una fuerza de traccin en una direccin y la elongacin relativa en la misma direccin
est dada por:
= n k BT
1
2
donde la elongacin relativa es la relacin entre la longitud deformada y la longitud sin

deformar.
Se sintetiza un elastmero a partir de polietileno y se reticula por irradiacin con
electrones de modo que se establece, en promedio, un enlace covalente entre cadenas de
polietileno por cada 14 unidades estructurales repetitivas (UER): [ CH 2 CH 2 ] . La
densidad de este polietileno reticulado es = 914 kg/m3 . Calcular:
1. cul es el mdulo de este material elastomrico, segn la definicin anterior,
2. qu relacin existe entre este mdulo y el mdulo de Young que se emplea
habitualmente en la ley de Hooke de la elasticidad lineal: = EYoung ,
2014-2015
201
3. cunto se alargar una muestra de seccin cilndrica de longitud L = 0.11 m y de
seccin transversal A = 0.87 104 m 2 sometida a una carga de traccin F = 1100 N .
Sol.: para calcular el mdulo es preciso determinar el nmero de puntos de reticulacin
por unidad de volumen. La unidad estructural repetitiva del polietileno tiene una masa:
( 2 12 + 4 1) = 4.6511026 kg
M UER =
6.023 1026
En un metro cbico de elastmero habr:

NUER =
M UER
= 1.965 1028 UER/m3
y como existe un punto de reticulacin por cada 14 UER, el mdulo ser:

E=
NUER
k BT = 5.81106 N/m 2
14
Un modo ligeramente ms preciso de operar es tener en cuenta que si hay un punto de

reticulacin cada 14 UER, hay un punto de reticulacin cada:
13 ( 2 12+4 1) + 2 12+3 1=391 umas , debido a que en el punto de reticulacin el grupo
funcional no es CH 2 sino CH . Calculado de este modo, el mdulo sera:
6.023 1026
E=
391
k BT = 5.83 106 N/m 2
es decir, una diferencia del 0.3%. Esta diferencia:
es insignificante frente al error inherente en la frmula aproximada E = n k BT (que

suele ser del orden del 30%),
es insignificante frente a la precisin con que se conoce la frecuencia de puntos de

reticulacin (aprox. 10%),
es incluso menor que la precisin con la que se suele medir la temperatura,
y est al mismo nivel de aproximacin que el despreciar las contribuciones de los

grupos terminales de cadena de polietileno, que son CH 3 en vez de CH 2 .
Por estos motivos es perfectamente aceptable no tener en cuenta la diferencia de masa

molecular de la 14 UER, donde va el punto de reticulacin.
La relacin constitutiva elstica para un elastmero es:
= n k BT
1
2
est dada en funcin de la elongacin relativa , en vez de la deformacin . Puesto que

se cumple =1+ , para pequeas extensiones se puede desarrollar en serie de y se
obtiene:
2014-2015
= 1+
(1 + )
= 3 3 2 + 4 3 + "
202
Es decir, reteniendo el trmino de primer orden, = n k BT 3 , e identificando con
= EYoung resulta:
EYoung = 3 n k BT
La carga a la que se somete la muestra corresponde a una tensin normal:
F
= 1.264 107 N/m 2
A
Y por ltimo la elongacin relativa se obtiene de la relacin elstica no lineal:
= n k BT
1
2
en la que ya se conocen y E = n k BT . La ley elstica no lineal (tensin-elongacin) est

representada en la siguiente figura:
Tensin de traccin (Pa)
Tensin en funcin de la elongacin relativa
Elongacin relativa (-)
Esta ecuacin resultante es un polinomio cbico en , que se puede resolver

numricamente por el mtodo de Newton-Raphson:
f ( ) =
f '( ) = 1+
partiendo de una aproximacin inicial:
0 = 1.5
1 = 0
f ( 0 )
= 2.203
f ' ( 0 )
2 = 1
f ( 1 )
= 2.354
f ' ( 1 )
3 = 2
f ( 2 )
= 2.356
f ' ( 2 )
Se puede tomar este ltimo valor como correcto con tres cifras significativas: = 3
Luego la muestra al someterla a traccin con una carga F = 1100 N se alarga de
L = 0.11 m a L = 0.259 m .
2014-2015
203
Este problema sirve adems para ilustrar el modo de proceder y la rapidez de la
convergencia del mtodo de Newton-Raphson. La convergencia es cuadrtica, lo que
significa que, cuando el proceso de iteracin est suficientemente cerca de la raz buscada,
el nmero de cifras decimales correctas se duplica con cada iteracin. Para ilustrar este
punto se realizan cinco iteraciones, mostrando las primeras 15 cifras significativas del
resultado:
0 = 1.5
1 = 0
f ( 0 )
= 2.20329487182519
f ' ( 0 )
2 = 1
f ( 1 )
= 2.35352139267927
f ' ( 1 )
3 = 2
f ( 2 )
= 2.35580358213292
f ' ( 2 )
4 = 3
f ( 3 )
= 2.35580402326840
f ' ( 3 )
5 = 4
f ( 4 )
= 2.35580402326841
f ' ( 4 )
y en la siguiente iteracin el resultado tendra 30 cifras significativas correctas (lo que

suele exceder la precisin alcanzable con una calculadora ordinaria). En este caso existe
tambin una frmula analtica, anloga a la del polinomio de segundo grado, para las
soluciones del polinomio de tercer grado. Aplicada a este caso, la solucin analtica de la
ecuacin que nos ocupa es:
=
2
+
3
1 3
1
108E 3 + 8 3 + 12 3 ( 27 E 3 + 4 3 ) E 2 + "
6E
E
2
E 3 108E 3 + 8 3 + 12 3
1
27 E 3 + 4 3 ) E 2
(
E
1
3E
= 2.35580402326841
Se comprueba que el procedimiento numrico de Newton-Raphson produce 15 cifras
significativas correctas en slo 5 iteraciones y con un esfuerzo de clculo comparable o
inferior al de la frmula analtica. Adems, en este caso particular, un resultado con 3
cifras significativas correctas es perfectamente aceptable, con lo que el procedimiento
numrico slo requiere tres iteraciones y es notablemente menos costoso que el analtico.
________________________________________________________________________
6.14 Elasticidad no Lineal en PE Reticulado (2)

Se dispone de una probeta cilndrica de 10 cm de longitud y 2 mm de dimetro de un
material elastomrico, preparado a partir de polietileno y reticulado por irradiacin con
electrones, lo que permite establecer enlaces covalentes entre las cadenas de polietileno.
2014-2015
204
Cuando la muestra anterior se somete a una carga de traccin de 15 N a una temperatura
de 300K, se estira hasta alcanzar una longitud el doble de la inicial.
Sabiendo que la densidad del elastmero es 950 kg/m 3 , determinar cada cuntas unidades
estructurales repetitivas [ CH 2 CH 2 ] se establece, en promedio, un enlace covalente.
Considerar que la relacin entre la tensin de traccin aplicada y la elongacin relativa
est dada por:
= n k BT
1
2
siendo n el nmero de puntos de reticulacin por unidad de volumen, k B la constante de

Boltzmann, T la temperatura absoluta y la relacin entre la longitud deformada y la
longitud sin deformar.
Sol.: una cadena de polietileno est formada por la repeticin de unidades
[ CH 2 CH 2 ] . Por irradiacin con electrones se establecen puntos de reticulacin en
algunas UER:
CH 2 CH 2 CH CH 2 CH 2 CH 2 CH 2
Se pide calcular cada cuntas UER, en promedio, se establece un punto de reticulacin:
se conoce el nmero de UER contenidas en 1 m3 :

950 kg 1 kmol 6.023 1026 UER
= 2.043 1028 UER/m3

3
1m
28 kg
1 kmol
tomando como base de clculo un volumen de 1 m3 se pueden determinar fcilmente

los puntos de reticulacin para una elongacin = 2 :
F
D2
4
= n k BT 2 n =
=
= 6.59 1026 puntos retic./m3
1
1

k BT 2 k BT 2

y luego dividiendo resulta cada cuntas UER se establece, en promedio, una reticulacin:
2.043 1028 UER/m3
= 31 UER/punto de reticulacin
6.59 1026 puntos retic./m3
________________________________________________________________________
2014-2015
205
6.15 Expansin trmica (diagonalizacin)

Se conocen las componentes del tensor expansin trmica ( ) para un determinado
cristal, referidas a un sistema de ejes no coincidente con los ejes convencionales:
5 2 3
c f = 2 8 3 106 K -1
ed hg
3 3 12
Deducir razonadamente a qu sistema cristalogrfico podra pertenecer este cristal.

Sol.: para poder decidir a qu sistema cristalogrfico puede pertenecer el cristal, hay que
diagonalizar la matriz, ya que la propiedad de segundo orden est referida a un sistema
arbitrario de ejes (no a los ejes cartesianos convencionales del material):
5
12
= 0 1 = 14.907
2 = 6.432
3 = 3.661
La resolucin de la ecuacin de tercer grado correspondiente se puede realizar, por

ejemplo, mediante el mtodo de Newton-Raphson. Se obtienen tres autovalores que son
distintos entre s, luego el material puede pertenecer a cualquiera de los sistemas:
triclnico, monoclnico u ortorrmbico.
________________________________________________________________________
6.16 Rodamiento de Circonia Monoclnica

Una bola de rodamiento de un viscosmetro para vidrio fundido se fabrica a temperatura
ambiente, T0 = 300 K , por mecanizacin de un monocristal de circonia ( ZrO 2 ) con un
radio R0 = 5 103 m . El remetro tiene que operar (medir la viscosidad de vidrios) a
T = 1200 K . En el intervalo de temperaturas entre T0 y T , la circonia es monoclnica.
Sus coeficientes de dilatacin o expansin trmica principales (es decir, cuando se
expresa en el sistema de referencia de los ejes principales, de modo que es diagonal) son:
11 = 1.25 105 K -1 , 22 = 2.91105 K -1 y 33 = 1.76 105 K -1

Al operar a temperaturas por encima de la de fabricacin, la bola de rodamiento se dilata
anisotrpicamente y por ello se distorsiona. Determinar:
1. la forma que adquiere la esfera de rodamiento a la temperatura de trabajo,
2. el volumen de la esfera a temperatura ambiente y a la de trabajo,
V
3. el coeficiente de expansin volumtrico, es decir, a qu velocidad especfica V
T
(incremento fraccional de volumen entre incremento de temperatura) aumenta el volumen
de la esfera al aumentar la temperatura.
2014-2015
206
Sol.: el tensor coeficiente de dilatacin o expansin trmica expresado en el sistema de

referencia de los ejes principales tiene la siguiente estructura:
0 1.25
0
0
11 0

c f = 0
0 = 0
2.91 0 105 K -1
22
ed hg
0
0 33 0
0 1.76
La variacin de forma est dada por el tensor deformacin que depende del incremento
trmico y de los coeficientes de expansin trmica como:
= T = (T T0 )
0
0
0.011
c f =
0.026
0
ed hg 0
0
0
0.016
El campo vectorial de desplazamiento u se obtiene integrando los elementos diagonales y

tiene slo componentes longitudinales:
u1 ( x1 , x2 , x3 ) = 11 x1
u2 ( x1 , x2 , x3 ) = 22 x2
u3 ( x1 , x2 , x3 ) = 33 x3
La esfera sufre dilataciones diferentes en todas las direcciones del espacio, y adquiere
forma de elipsoide de ejes principales:
R1 = R0 + 11 R0
R1 = 5.06 103 m
R2 = R0 + 22 R0
R2 = 5.13 103 m
R3 = R0 + 33 R0
R1 = 5.08 103 m
cuyo volumen es:

4
V = R1 R2 R3 = 5.520 107 m3
3
frente al volumen a temperatura ambiente:
4
V0 = R03 = 5.236 107 m3
3
El coeficiente volumtrico de expansin requerido es:
V
(1 + 11T )(1 + 22 T )(1 + 33 T ) 1
V = V =
T
T
Como los coeficientes ii son muy pequeos, al desarrollar el producto de los tres
parntesis se pueden despreciar los trminos cuadrticos y cbicos, con lo cual:
V 11 + 22 + 33 = 5.92 105 K -1
o en notacin de ndices repetidos: V = ii .
Esta expresin tiene validez general y permite calcular el coeficiente de expansin
trmica volumtrica en funcin de los coeficientes de expansin trmica lineal.
2014-2015
207
Tambin se comprueba que la conocida expresion V = 3 , vlida para materiales
istropos, es un caso particular de la anterior, en la que los tres coeficientes son iguales.
Puesto que la deformacin es un tensor simtrico de 2 orden, la deformacin longitudinal
en una direccin arbitraria n , dada por los tres cosenos directores n1 , n2 , n3 , est dada
por: n = ni n j ij = ( n1 ) 11 + ( n2 ) 22 + ( n3 ) 33
2
(ver "Propiedades de 2 orden en un direccin dada").

________________________________________________________________________
6.17 Piroelectricidad: Cmara de Infrarrojos

Para una cmara IR como la de la figura, estimar la seal (voltaje) que produce un objeto
caliente en un pxel cuadrado de PVDF de lado l = 100 m y espesor h = 1 m
(direccin e del sensor).
La lente opaca de Si (IR lens) se usa para concentrar la radiacin incidente y con ello
hacer el factor de forma objeto-sensor (ver datos del problema) lo ms prximo a 1
posible. El ventilador (rotating chopper) consta de 5 palas y 5 huecos iguales y gira a 10
rps (600 rpm).
Datos:
Tobjeto = 400 K,350 K y 399 K
PVDF = 1760 kg/m3
Tsensor = 300 K
CP (PVDF) = 80.6 kJ/kg K
0 = 8.85 1012 F/m
K PVDF = 12.5
p3(PVDF) = 27 10 C/m 2 K (coeficiente piroelctrico)
= 5.67 108 W/m 2 K 4 (constante de Maxwell-Boltzmann)

FO-S 1 (factor de forma objeto-sensor)
2014-2015
208
temperatura
Sol.: el ventilador da 10 vueltas en 1 segundo y, como consta de 5 palas (pxel oculto) y 5

huecos (pxel expuesto), son 10 10 partes por segundo, con lo que el tiempo de
exposicin del pxel cada vez que haya un hueco ser de 0.01 s:
pxel
expuesto
pxel
oculto
pxel
expuesto
pxel
oculto
0.01 s
0.01 s
0.01 s
0.01 s
tiempo
Durante la exposicin, la energa radiante, que proviene del cuerpo caliente a 400 K y que
incide sobre el pxel de PVDF, incrementa la energa interna del sensor:
4
4
l 2 FO-S (Tobjeto
Tsensor
)dt = l 2 h PVDFCP (PVDF) dTsensor
con lo que la temperatura del sensor sube a una velocidad de:

dTsensor FO-S (Tobjeto Tsensor ) 5.67 108 (4004 3004 )
=
=
= 7 K/s
dt
h PVDFCP (PVDF)
106 1760 80600
4
que es independiente de las dimensiones de la superficie del pxel, sobre la que incide la
energa radiante, y slo depende de su espesor (dimensin del pxel en direccin e).
En el tiempo de exposicin t = 0.01 s el incremento de temperatura del sensor es
Tsensor = 0.07 K y este calentamiento genera una polarizacin en direccin e debida al
efecto piroelctrico (momento dipolar por unidad de volumen):
P = pTsensor = 27 106 0.07 = 1.889 106 C m/m3
c
l
+
+Q
+
+
+
-Q
-
e
d
que es una polarizacin en direccin -e. El dipolo total (en C m) es: Pl 2 h = Qh y la

carga Q = Pl 2 corresponde a un condensador de placas planas paralelas de capacidad:
C=
Q
l2
= K PVDF 0
V
h
Si se determina la seal que produce un objeto a 400 K como diferencia de potencial (slo
el valor, sin signo):
2014-2015
209
Pl 2
V400K =
l2
K PVDF 0
h
Ph
K PVDF 0
1.889 106 106

= 0.017 V
12.5 8.85 1012
Para un objeto a slo 350 K, se hace el clculo de nuevo y resulta:

dTsensor
= 2.763 K/s V350K = 0.0067 V
dt
y para un objeto a 399 K:
dTsensor
= 6.898 K/s V399K = 0.01675 V
dt
La seal que hay que medir para discriminar entre 400 K y 399 K es de aproximadamente
0.25 mV, que es perfectamente detectable.
________________________________________________________________________
6.18 Tubo
Hueco
de
Pared
Delgada
(Material
Compuesto) sometido a Traccin y Torsin *(slo MPC)

Un tubo hueco de radio R = 0.05 m , longitud L = 0.50 m y de pared fina (espesor
= 0.005 m ) se construye con un bobinado helicoidal de filamento de nylon 6,6 en una
matriz de polister. El ngulo que forman el eje del tubo y la tangente al bobinado
helicoidal es = 30 . El tubo se emplea para transmitir potencia mecnica en un
mecanismo y est sometido a una fuerza de traccin axial F = 7.85 103 N y a un
momento torsor M = 500 N m . Considerar los casos en que el sentido del momento
aplicado es a) el mismo, o bien b) el contrario al de avance del bobinado.
Las complianzas elsticas del filamento de nylon en sus ejes convencionales son:
s11 = 7.3 1010 Pa -1 , s12 = 1.9 1010 Pa -1 , s33 = 2.4 1010 Pa -1
s13 = 1.1 1010 Pa -1 , s44 = 15 1010 Pa -1
y se consideran despreciables las propiedades mecnicas de la matriz. Determinar:

1. la deformacin que sufre el tubo en ambos casos a) y b),
2. la energa elstica almacenada en el volumen de material en el caso b),
3. el mximo momento torsor que puede soportar el eje en el caso b) sin romperse, segn
el criterio de von Mises (ver abajo).
2014-2015
210
La energa elstica almacenada por unidad de volumen de material est dada por:
1
U elast = :
2
El material se rompe cuando el mdulo de la parte desviadora del tensor de tensiones
supera un valor caracterstico del material. La parte desviadora del tensor de tensiones se
define como:
1
3
desv tr ( )
(tr() es la traza). La rotura tiene lugar cuando (criterio de von Mises): desv max , donde
max = 1.55 107 Pa es un valor caracterstico de cada material, que se obtiene

experimentalmente.
Sol.: la tensin en el tubo, expresada en el sistema de referencia que se indica en la figura
(eje e colineal con el eje del cilindro, eje d tangente a la superficie y eje c normal a los
dos anteriores) es sencilla:
22 = 0 23 =
M
2 R 2
33 =
0 0
0
0 0
c f = 0 0 = 0
0
23
ed hg
0
33 0 6.366 106
23
F
2 R
6.366 10 Pa
4.997 106
0
En el primer caso a), el momento ejercido por el material exterior (material negativo),
debido a que su sentido es el mismo que el del bobinado, produce sobre una superficie
cuya normal exterior apunta en direccin negativa del eje e una fuerza FM que apunta en
direccin negativa del eje d (ver figura).
El cociente es positivo (criterio para lquidos), pero 23 es en este caso negativo por
tratarse de un slido. Este momento somete a las fibras a una tensin de traccin que se
aade a la de la fuerza de traccin axial F . Cuando el momento es en sentido contrario al
del bobinado, las fibras sufren una compresin extra.
2014-2015
211
La tensin ' expresada en el nuevo sistema de referencia (ejes c,dy e, que son los
ejes convencionales del filamento de nylon) se obtiene transformando segn L ced fhg LT ,

donde L contiene por filas los nuevos vectores unitarios expresados en el sistema de

referencia antiguo:
0 1 0 0
1 0 00 0
c 'f = 0 c s 0 0 0 c s
23
ed hg
0 s c 0
33 0 s c
23
En esta expresin s = sen y c = cos . Multiplicando resulta:

0
c 'f = 0
ed hg
0
0
2cs 23 + s 2 33
(c
0
0
0
2
2
( c s ) 23 + cs 33 = 0 4.264 1.019 106 Pa
2cs 23 + c 2 33 0 1.019 9.261

0
s 2 ) 23 + cs 33
El momento torsor, aplicado en el sentido del bobinado, hace que en la direccin de las
fibras la tensin ( '33 ) sea mayor que la debida slo a la fuerza de traccin: '33 > 33 .
La deformacin en el sistema de ejes convencionales del filamento, ejes c,dy e, se
G
G
obtiene del modo ms simple usando la notacin de Voigt: ' = s ' ' , donde las

componentes no nulas del vector tensin son:
'2 = '22 '3 = '33 '4 = '23

La fibra de refuerzo tiene simetra cilndrica, es decir, la estructura de su matriz de
complianzas en sus ejes convencionales es conocida, y la deformacin se calcula:
0
0
0
s '11 s '12 s '13
0 s '12 '22 + s '13 '33 0.209

s '
0
0
0
12 s '11 s '13
'22 s '11 '22 + s '13 '33 4.131
'33 s '13 '22 + s '33 '33 2.692 3
0
0
G s '13 s '13 s '33 0
'=
=
=
10
0
0 s '44
0
0
s '44 '23
1.529
0
'23
0
0
0
0
0
0 s '44
0
0

0
0
0
0 2 ( s '11 s '12 ) 0
0
0
0
Deshaciendo la notacin de Voigt, se obtiene la estructura del tensor deformacin en los
ejes c,dy e:
1
2
0
0
0.209
c 'f = 0
4.131 0.764 103
ed gh
0
0.764 2.692
1
2
'11 = '1 '22 = '2 '33 = '3 '23 = '4 '32 = '4
Finalmente, se transforma al sistema inicial mediante la transformacin inversa a

L ced fhg LT , es decir, LT ced 'fhg L :

2014-2015
212
0
0 1 0 0
1 0 0 '11
c f = 0 c s
ed hg
0 '22 '23 0 c s
0 s c 0 '
'33
23

0 s c
T
'
11
c f = 0
ed hg
0
2
2
c 2 '22 2cs '23 + s 2 '33

c
s
cs
cs
'
'
'
(
) 23
22
33
2
2
2
2
c
s
cs
cs
s
cs
c
+
+
'
'
'
'
2
'
'
(
) 23
22
33
22
23
33
0
0
0.209
c f =
1.764 3.337 103
ed hg 0
0
3.337 0.324
El tubo sufre una extensin en la direccin longitudinal, una reduccin en su periferia

(radio medio) y su espesor tambin sufre una reduccin. Notar que es un problema de
tensin plano en el plano de (el tensor de tensiones en el sistema de referencia original
es bidimensional en el plano de, es decir, no tiene ninguna componente 1i ni i1 para
cualquier valor de i ).
Las variaciones en las dimensiones del eje bajo carga son:
variacin de longitud L 33 = 0.00016 m

variacin de radio
R 22 = 0.00009 m
variacin de espesor 11 = 1.043 106 m

El elemento 23 del tensor de deformacin implica que existe adems una deformacin
angular en el plano de, es decir, las caras extremas del cilindro dejan de ser
estrictamente perpendiculares al eje del cilindro. La desviacin de la perpendicularidad es
de: 2 23 180 = 0.38 . Es importante conocer esta distorsin al disear el anclaje del
cilindro (p.ej. en los extremos, en algn punto intermedio, etc).

Esta interpretacin geomtrica de la componente de deformacin angular se basa en
desarrollar el cilindro como una lmina plana. Sin embargo, esta lmina plana, despus de
la deformacin, es un paralelogramo no rectngulo, y no puede volver a enrollarse en
forma de cilindro, manteniendo la "costura" recta y paralela al eje del cilindro y adems
consiguiendo enrollar los extremos en dos curvas cerradas. En la figura siguiente, las
circunferencias de los extremos, AB y CD, al desarrollarlas se convierten en las cuatro
esquinas del rectngulo. La deformacin angular las lleva a A'B' y C'D'. Los puntos A' y
B' no se encuentran, no cierran la circunferencia al volver a enrollar la lmina.
2014-2015
213
Esta inconsistencia es consecuencia del "corte". Es ms fcil visualizar la deformacin

considerando el cilindro sin desarrollar y dividido en pequeos rectngulos (figura
siguiente). Todos los rectngulos sufren (localmente) una deformacin angular cuyo
efecto global es el de retorcer o torsionar el cilindro. Debido a esta torsin, la lnea de
corte en la figura (y cualquier otra recta paralela al eje) se convierte en una hlice. La
inconsistencia desaparece: la lnea de corte pasa de ser recta a ser helicoidal. La
contradiccin es consecuencia de suponer que la lnea de corte (la costura) necesaria para
volver a enrollar el eje es recta.
Es decir, la suma de las deformaciones angulares locales produce una torsin global del
eje. Del valor de 23 se puede adems obtener cuantitativamente la torsin del eje. Como
se ve en la figura de abajo, por cada distancia l que se avanza en direccin axial (eje e),
la deformacin angular produce un desplazamiento lateral (eje d) que vale 2l 23 : esta
distancia corresponde a un ngulo (medido desde el eje del cilindro) de 2l 23 R radianes.
Es decir, la torsin del eje es de 2 23 R radianes por cada metro de longitud de eje. En
este caso:
2014-2015
214
2 23
= 0.133 rad/m
R
Volviendo al caso de que el sentido (signo) del momento sea el contrario, el problema se
hace de igual modo, excepto con el signo de 23 cambiado:
M
2 R 2
0 0
0

0
23 = 0
33 0 6.366 106
23 =
0 0
c f = 0 0
ed hg
0
23
6
6.366 10 Pa
4.997 106
Y en los ejes rotados:

0
c 'f = 0
de gh
0
2cs 23 + s 2 33
(c
s 2 ) 23 + cs 33
0
0
0
2
2
( c s ) 23 + cs 33 = 0 6.763 5.347 106 Pa
2cs 23 + c 2 33 0 5.347 1.765

0
En este caso, el momento torsor, aplicado en el sentido contrario al del bobinado, no slo
hace que la tensin en las fibras sea menor que la debida slo a la fuerza de traccin:
'33 < 33 , sino que es suficientemente grande como para hacer que las fibras estn
sometidas a compresin ( '33 < 0 ).
La deformacin en notacin de Voigt se obtiene igualmente de:
2014-2015
215
s '11
s '12
G s '13
'=
0
0
s '12
s '13
s '11
s '13
s '13
s '33
s '44
s '44
0 s '12 '22 + s '13 '33 1.091

' s ' ' + s ' '
0
13
33
22 11 22
5.131
'33 s '13 '22 + s '33 '33 1.168 3
0
=
=
10
0
s '44 '23
8.021
'23
0
0
0
0

2 ( s '11 s '12 ) 0
0
0
0
y deshaciendo la notacin de Voigt, la estructura del tensor deformacin en los ejes del
filamento resulta:
1
2
'11 = '1 '22 = '2 '33 = '3 '23 = '4 = '32

0
0
1.091
c 'f =
5.131 4.01 103
ed hg 0
0
4.01 1.168
Al sistema inicial se vuelve mediante la transformacin inversa:

0 1 0 0
1 0 0 '11 0
c f = 0 c s
ed hg
0 '22 '23 0 c s
0 s c 0 '
'33
23

0 s c
T
'
11
c f = 0
ed hg
0
2
2
2
2
c '22 2cs '23 + s '33
( c s ) '23 + cs '22 cs '33
( c2 s 2 ) '23 + cs '22 cs '33 s 2 '22 + 2cs '23 + c 2 '33
0
0
1.091
c f =
0.0833 4.732 103
ed hg 0
0
4.732 3.88
Finalmente, las variaciones dimensionales del eje bajo carga son:

variacin de longitud L 33 = 0.00194 m
variacin de radio
R 22 = 4.1638 106 m
variacin de espesor 11 = 5.454 106 m

La energa elstica almacenada por unidad de volumen, segn la frmula es:
1
1
U elast = : = ji ij
2
2
O en trminos de las complianzas y de la tensin:
1
1
1
: = ( i j sijkl lk ) : ( m n mn ) = sijkl lk ji
2
2
2
3
3
1
U elast = ij ji = 3.982 104 J/m3
2 i =1 j =1
2014-2015
216
La expresin de la densidad de energa elstica es covariante, es decir, usa slo
operaciones vlidas (contraccin, traza, invariantes, etc ) entre magnitudes tensoriales. La
frmula es vlida en los ejes con y sin "prima":
U elast =
1 3 3
'ij ' ji = 3.982 104 J/m3
2 i =1 j =1
Tambin se puede expresar en trminos de las variables en notacin de Voigt, como se

comprueba al desarrollar los dos miembros, y se obtiene el mismo resultado:
1 GT G 1
1
= i i = ij ji
2
2
2
1
1
i i = ( 1 1 + 2 2 + 3 3 + 4 4 + 5 5 + 6 6 ) =
2
2
1
( 1111 + 22 22 + 33 33 + 2 23 23 + 213 13 + 212 12 ) =
2
1
1
( 1111 + 22 22 + 33 33 + 23 23 + 32 32 + 1313 + 31 31 + 1212 + 21 21 ) = ij ji
2
2
La energa total almacenada en el volumen de material ser: U elast 2 R L = 31.3 J .

Para calcular el lmite de rotura se calcula en primer lugar la parte desviadora de la
tensin. La expresin del criterio de von Mises desv max es igualmente covariante, se
puede hacer el clculo en cualquiera de los dos sistemas de ejes. En los ejes del material
(convencionales, con "prima"):
1
3
0
0
1 0 0 1.666
c ' f = c 'f 1 tr ( ') 0 1 0 = 0

5.097 5.347 106 Pa
ed desv gh ed hg 3

0 0 1 0
5.347 3.431
'desv ' tr ( ')
Aplicando la definicin del mdulo:
'desv =
1
1 3 3
'desv ij 'desv ij =
'desv ij 'desv ij ) = 6.99 106 Pa
(
2
2 i =1 j =1
En los ejes iniciales (sin prima) se debe obtener el mismo resultado:

0
0
1 0 0 1.666
1
c f = c f tr ( ) 0 1 0 =
1.666 6.366 106 Pa
ed desv hg ed hg 3
0
0 0 1 0
6.366 3.332
desv =
1 3 3
( desv ij desv ij ) = 6.99 106 Pa
2 i =1 j =1
Segn este criterio de von Mises, el material del tubo est a algo menos de la mitad del
lmite de rotura, que es:
2014-2015
217
max = 1.55 107 Pa
max
= 2.218
desv
Para determinar el lmite de carga (fuerza de traccin mxima, par mximo aplicables) se
usa la definicin de la parte desviadora y su correspondiente mdulo:
0 0
c f = 0 0
ed desv hg
0
23
desv
1
3 33
0
1 0 0
1
23 33 0 1 0 = 0
3

33
0
0
1
0
1
33
3
23
23
2
33
3
2
2
1 1 2
1 2
2
=
33 + 232 =
2 33 + 33 + 2 23 =
2 3
3
3

1
1 F M
=
=
+
2
2 R
3 2 R 2 R
1 2 M
F +
3
R
Con esta expresin se puede calcular cul es la fuerza de traccin mxima aplicable,
manteniedo constante el par, o cul es el momento mximo aplicable, manteniendo
constante la fuerza, o cunto se pueden aumentar ambos simultneamente, con la misma
proporcin entre ellos.
Mxima fuerza de traccin aplicable, si se mantiene constante el momento:
Fmax
2
M
= 3 ( 2 R max ) = 3.845 104 N
Par mximo aplicable, si se mantiene constante la fuerza:

M max = R
( 2 R max )
1
F 2 = 1.196 103 N m
3
Para la fuerza y momento mximos aplicables, con la misma proporcin entre ellos,
puesto que la relacin es homognea de primer grado en F y M , basta con aumentar
ambos simultneamente en el factor: max desv = 2.218
es decir,
Fmax = F
M max = M
max
= 1.741 104 N
desv
max
= 1.109 103 N m
desv
Como comparacin del trabajo necesario segn se trabaje en los ejes convencionales o en
otros, se va a resolver tambin el problema en los ejes originales ("sin prima") en los que
el tensor de tensiones es:
2014-2015
218
M
F
33 =
2
2 R
2 R
0 0
0
0

6
23 = 0
0
6.366 10 Pa
6
33 0 6.366 10
4.997 106
23 =
0 0
c f = 0 0
ed hg
0
23
Puesto que estos ejes no son los convencionales, la estructura de la matriz de complianza
ya no es la anterior. En el caso ms general de usar ejes sin ninguna relacin con los
convencionales, s est llena, no contiene ningn cero. En nuestro caso, puesto que el eje

c es el mismo que el c', cabe esperar que todava algunas componentes sean cero, pero
s contendr en estos ejes bastantes ms elementos no nulos que en los convencionales.

La ventaja de los ejes cde es que no es preciso transformar (rotar) de cde a
G
cde (convencionales) para realizar la multiplicacin de s ' por ' , ni tampoco

volver a transformar ' de cde a cde para interpretarlo en trminos de variacin
de longitud, dimetro o espesor. En los ejes cde, una vez calculadas las nuevas
G
componentes de la complianza, basta multiplicarla por para obtener directamente la
G
deformacin . La desventaja es que hay que transformar s ' (ejes convencionales)

componente por componente en notacin tensorial para luego obtener s .

Como ejemplo se calcula 11 en los ejes cde. Puesto que no se conocen las
componentes de s , se usa notacin tensorial: 11 = s11ij ji y, como en slo son distintas

de cero las componentes 33 , 23 y 32 ,
11 = s1123 32 + s1132 23 + s1133 33

es decir, se necesita calcular s1133 y s1123 = s1132 (iguales por la simetra de s ). Adems, en

la primera fila de LT slo la componente l11 es distinta de cero. Y muchas componentes

de s ' (en los ejes convencionales) tambin son cero. Por todo esto las expresiones

generales de s1123 y s1133 se simplifica bastante en este caso:
= l11l11l22l32 s1122
+ l11l11l23l33 s1133
= ( s1122
s1133
) sen cos
s1123 = l1i l1 j l2 k l3m sijkm
= l11l11l32l32 s1122
+ l11l11l33l33 s1133
= s1122
sen 2 + s1133
cos 2
s1133 = l1i l1 j l3k l3m sijkm
Con lo cual:
s1133
) sen cos + 33 ( s1133
cos 2 + s1122
sen 2 )
11 = 2s1132 23 + s1133 33 = 2 23 ( s1122
11 = 1.091103
que efectivamente coincide con el valor calculado anteriormente. La componente 11 es
especialmente sencilla porque slo se necesitan s1123 y s1133 .
Finalmente se pueden calcular las dems componentes de s en los ejes no

convencionales, partiendo de que s est llena; si hay elementos nulos, no se sabe cules

son hasta despus de calcular los sijkl como se indica ms abajo. Para este caso particular
G
no seran necesarias todas las componentes de s , porque slo tiene dos componentes

no nulas:
2014-2015
219
1 0 s13 3 + s14 4
0 s + s
2
23 3 24 4
3
3 s33 3 + s34 4
=
=
4 s34 3 + s44 4
4
5
0 s35 3 + s45 4

0 s36 3 + s46 4
6
No obstante se dan a continuacin todas las componentes de s para el sistema de ejes no

convencionales cde rotado mediante LT respecto de los ejes convencionales:

= l114 s1111
= s1111
= s11 = s11
= s2222
cos 4 + s3333
sen 4 + ( 2s2233
+ 4s2323
) sen 2 cos 2 =
s2222 = l2i l2 j l2 k l2 m sijkm
cos 4 + s33
sen 4 + ( 2 s23
+ s44
) sen 2 cos 2 = s22
= s22
= s22
22 sen 4 + s3333
cos 4 + (2s2233
+ 4s2323
) sen 2 cos 2 =
sen 4 + s33
cos 4 + (2 s23
+ s44
) sen 2 cos 2 = s33
= s22
= s1122
cos 2 + s1133
sen 2 = s12 cos 2 + s13 sen 2 = s12
s1122 = l1i l1 j l2 k l2 m sijkm
= s1122
sen 2 + s1133
cos 2 = s12 sen 2 + s13 cos 2 = s13
1
s14
2
+ ( s2222
+ s3333
2 s2233
4 s2323 ) sen 2 cos 2 =
= s2233
= ( s1122
s1133
) sen cos = ( s12 s13 ) sen cos =
+ ( s22
+ s33
2s23
s44
) sen 2 cos 2 = s23
= s23
= sen cos s2222

cos 2 s3333
sen 2 + ( sen 2 cos 2 ) ( s2233
+ 2s2323
) =
1 1
cos 2 s33
sen 2 + ( sen 2 cos 2 ) s23
+ s44
= s24
= sen cos s22
2 2
cos 2 + ( cos 2 sen 2 ) ( s2233

+ 2s2323
) =
= sen cos s2222
sen 2 s3333
1 1
sen 2 s33
cos 2 + ( cos 2 sen 2 ) s23
+ s44
= s34
= sen cos s22
2 2
=0
( s15 = 0 )
=0
s1112 = l1i l1 j l1k l2 m sijkm
=0
=0
=0
=0
=0
=0
2014-2015
( s16 = 0 )
( s25 = 0 )
( s26 = 0 )
( s35 = 0 )
( s36 = 0 )
( s45 = 0 )
( s46 = 0 )
220
= s2323
+ ( s2222
+ s3333
2s2233
4s2323
) sen 2 cos 2 =
1
1
+ ( s22
+ s33
2 s23
s44
) sen 2 cos 2 = s44
s44
4
4
1
1
1
= s1313
cos 2 + s1212
sen 2 = s55
cos 2 + s66
sen 2 = s55
= l1i l3 j l1k l3m sijkm
4
4
4
1
1
1
= s1313
sen 2 + s1212
cos 2 = s55
sen 2 + s66
cos 2 = s66
= l1i l2 j l1k l2 m sijkm
4
4
4
1
1
= ( s1212
s1313
) sen cos = ( s66
s55
) sen cos = s56
= l1i l3 j l1k l2 m sijkm
4
4
=
s1313
s1212
s1312
Para este caso particular de cambio de ejes, en el que c y c' son iguales, la estructura de
s todava tiene bastantes elementos nulos:

Es mucho ms costoso transformar s ' (de 4 orden) de ejes convencionales a no

G

convencionales y hacer la multiplicacin de s y en stos, que transformar a ejes

G
convencionales, multiplicar s ' por ' en stos y finalmente transformar ' a ejes no

convencionales.
En este caso general, dos transformaciones de todas las componentes de dos tensores
simtricos de 2 orden son 2 6 9 = 108 operaciones (trminos de la forma liml jn ),
mientras que en una transformacin de todas las componentes de un tensor de 4 orden
con la simetra de s se necesitan 21 81 = 1701 , ms de 15 veces el nmero de

operaciones (trminos de la forma liml jnlkp llq ) necesarias si se transforman y .
Como regla general y salvo en casos especialmente sencillos, conviene trabajar en los ejes
en los que haya que transformar tensores del orden ms bajo posible.
________________________________________________________________________
2014-2015
221
6.19
Cuntos coeficientes o parmetros independientes (complianzas o rigideces elsticas) son precisos para
describir el comportamiento elstico lineal de un material polimrico orgnico 100 % amorfo y no
orientado?
Sol.: un polmero amorfo no orientado es istropo, luego basta con 2 coeficientes, p.ej. E y .
__________________________________________________________________________________
6.20
Un CD-ROM se fabrica inyectando un fundido de policarbonato de bisfenol-A (BPA-PC) en un
molde a Tmolde = 180 C , dejando luego solidificar el polmero y extrayndolo del molde. Las
dimensiones finales del CD (a temperatura ambiente Tamb = 20 C) deben ser Dext = 120 mm de
dimetro exterior y Dint = 15 mm de dimetro interior (el orificio central del CD). Debido al
cambio de temperatura, el CD-ROM cambia de tamao al enfriarlo. El BPA-PC se comporta de
modo aproximado como un material homogneo e istropo con un coeficiente de expansin
5
trmica lineal = 5.3 10 K-1.

Determinar cul ha sido la variacin dimensional en el disco al enfriarlo ( Dext y Dint ).
Sol.: al ser un material istropo, todas las dimensiones lineales cambian al variar la
temperatura segn = T. Las variaciones dimensionales (encogimientos) del disco tras el
enfriamiento sern:
Dext ( Tamb Tmolde) = 1.018 mm y Dint ( Tamb Tmolde) = 0.127 mm.
__________________________________________________________________________________
6.21
El cabezal de una impresora de chorro de tinta funciona proyectando microgotas de tinta sobre el
papel. La impulsin de la tinta la realiza un elemento piezoelctrico. Este se deforma rpidamente al
aplicarle un voltaje entre dos de sus caras, desplazando as un mbolo cilndrico de radio
6
R = 190 10 m que proyecta la microgota de la cmara al exterior. El mbolo tiene libertad de

movimiento exclusivamente en la direccin del eje 3. El elemento piezoelctrico tiene forma cbica
6
de lado l = 840 10 m (ver esquema, parte A) y va adherido solidariamente a una base fija tal y
como se indica esquemticamente en la parte B de la figura. Los sistemas de coordenadas en las dos
figuras son los mismos (es decir, el elemento va montado en el cabezal de modo que los ejes 1 de los
dos sistemas coinciden, idem los ejes 2 y 3). Este sistema de coordenadas es tambin al que estn
referidos los mdulos piezoelctricos del material empleado en esta aplicacin (cermica hbrida de
alto mdulo):
2014-2015
222
d123=d132=d231=d213=d312=d321, d123 = 8.88 10
C/N y el resto de los mdulos son nulos.
actuador
piezoelctrico
base fija
mbolo
cilndrico
actuador
piezoelctrico
3
1
depsito
de tinta
microgota
papel
1. Decidir qu caras del elemento piezoelctrico deben polarizarse.

2. Calcular qu volumen tendr la gota de tinta cuando se aplica una diferencia de potencial entre
las caras seleccionadas en el apartado anterior de V = 12 V.
Sol.: este problema es idntico al del microscopio de fuerza atmica, AFM. El material de esta
aplicacin es, en cuanto a los mdulos, anlogo al ZnS cbico. De acuerdo con la figura B, para
producir el desplazamiento del mbolo (a lo largo del eje 3), es preciso que el elemento activo sufra
una deformacin angular en el plano 23, es decir el tensor gradiente de desplazamiento o tensor
deformacin debe tener componentes 23 y 32 (por simetra) no nulas. A la vista de los mdulos
piezoelctricos del material, el nico modo posible de conseguir esto es aplicando una polarizacin
entre las caras 1 (perpendiculares al eje 1) del elemento activo:
E1 =
d132 = d123
E1 = 1.429 10
23 = E1 d123
V/m
32 = E1 d132
4
23 = 1.269 10
32 = 1.269 10
Se observa tambin que los mdulos d123 y d132 tienen el mismo valor numrico, como corresponde a la
condicin de simetra del tensor deformacin. La deformacin angular del elemento corresponde a un
desplazamiento del mbolo a lo largo del eje 3 de:
x3 = 2 23 l
Y el volumen de tinta inyectado en una gota es:
2014-2015
x3 = 2.131 10
223
Vol = x3 R
14
Vol = 2.417 10
m3
es decir, alrededor de una cienmilsima de milmetro cbico, que es suficiente para producir, sobre papel
satinado, un punto de un dimetro de unas decenas de micras, con el que el cabezal puede alcanzar una
resolucin de 600 ppp (puntos por pulgada).
________________________________________________________________________________
6.22
Los materiales cermicos piezoelctricos se emplean como sensores de presin hidrosttica (p.ej. para
determinar la profundidad de inmersin de un submarino midiendo la compresin hidrosttica que ejerce
el agua). En esta aplicacin (compresin hidrosttica) las componentes del tensor de tensiones estn
dadas por:
ij = p ij
Para la construccin de un sensor de presin hidrosttica en forma de cubo, con las caras cortadas
perpendicularmente a los ejes cartesianos convencionales, se dispone de tres materiales monocristalinos:
A) turmalina (clase 3m), cuyos mdulos piezoelctricos son:
13
dA22 = 3.40 10
12
12
dA15 = 3.71 10
dA31 = 3.50 10
12
dA33 = 1.87 10
B) cuarzo (clase 32), cuyos mdulos piezoelctricos son:

12
12
dB11 = 2.30 10
dB14 = 0.67 10
C/N
C) y clorato sdico NaClO3 (clase 23), cuyo mdulo piezoelctrico es:

12
dC14 = 2.07 10
C/N
1. Decidir cul o cules de estos materiales son adecuados para construir un sensor de presin
hidrosttica.
2. En caso de que ms de un material sea adecuado, elegir el que produzca la mayor
polarizacin elctrica (no es preciso calcular la seal elctrica como diferencia de potencial,
6
slo la magnitud de la polarizacin elctrica) para una presin de p = 10 Pa

(representativa de una profundiad de aprox. 100 m).
3. Para el material seleccionado, representar esquemticamente en la figura correspondiente los
ejes cartesianos convencionales, el sensor (cubo) e indicar entre qu caras se medir la seal
elctrica (nota: las caras se numeran con el ndice del eje cartesiano al que son
perpendiculares, es decir las caras "i" son perpendiculares al eje cartesiano "i").
2014-2015
C/N
224
A) Turmalina
B) Cuarzo
2014-2015
225
C) Clorato sdico
p 0 0
Sol.: para presin hidrosttica, = 0 p 0
el tensor de tensiones dado es:
0 0 p
p

p
p
Y en notacin de Voigt
v =
(indicado por el subndice "v"):
0
0

0
La estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos (igualmente en notacin de Voigt) para cada

uno de los materiales se obtienen de las tablas correspondientes. Los valores numricos son los
dados en el enunciado:
dAv
dBv
0
0
0 dA15 2dA22
0
0
= dA22 dA22 0 dA15 0
dA
0
0
31 dA31 dA33 0
0
dB11 dB11 0 dB14 0
0
0 0 dB14 2dB11
= 0
0
0 0
0
0
0
dCv
0
0 0 0 dC14 0
= 0 0 0 0 dC14 0
0 0 0 0
0 dC14
G
G
Para el efecto piezoelctrico directo, la polarizacin se calcula con el producto: P = d

para cada uno de los materiales:
PA = dAv v
2014-2015
PB = dBv v
PC = dCv v
226
0
PA =
C/m2
2 dA31 p dA33 p
0
PB = 0
0

0
PA =
6
8.87 10
C/m2
0
PC = 0
0

C/m2
C/m2
En consecuencia el nico material que produce seal (polarizacin elctrica, medible como diferencia de
potencial entre dos caras opuestas) es la turmalina. La polarizacin aparecer en direccin 3 y se medir
entre las caras perpendiculares a este eje. La posicin convencional de los ejes cartesianos es:
u
ze
e
d
d
xc
d
c
_________________________________________________________________________________
2014-2015
227
6.23
Se desea estudiar si los jugadores de ftbol pueden sufrir lesiones en el cerebro a largo plazo como
consecuencia de las aceleraciones sufridas al cabecear el baln. Para ello, se realizan ensayos haciendo
impactar un baln de reglamento sobre un dummy, tal y como se representa en el esquema:
sistema de coordenadas del
ensayo de impacto
convencionales del acelermetro
d
c
e
d
l2
l1
l3
El "dummy" contiene un acelermetro en la cara interior de la frente, donde impacta el baln, constituido
por un paraleleppedo de un material cermico piezoelctrico (clase 6mm) colocado de manera que su
eje 3 convencional coincide con la direccin 3' en la cual tiene lugar el impacto.
1. Expresar las componentes del vector polarizacin del piezoelctrico en funcin de la aceleracin que
sufre la cabeza (suponer que la aceleracin nicamente tiene componente no nula en la direccin 3').
2. En uno de los ensayos se miden, entre caras de rea l1 x l2, los siguientes valores de la polarizacin
(C/m2) en funcin del tiempo (s). Calcular los valores de la aceleracin de la cabeza a(t) para cada
par de valores tiempo-polarizacin que aparecen en las siguientes tablas:
tiempoi=
Polarizacini=
0
3
4.43 10
3.65 10
6.89 10
9.86 10
7.45 10
2 10
4 10
6 10
8 10
10 10
7
8
10
8
8
3. Un factor que se usa en la prctica para estimar la probabilidad de que se produzca una lesin es el
HIC (Head Injury Criteria), que se define como:
2014-2015
228
t
1
1
HIC = ( t1 t0)
a ( t) dt
9.8 ( t1 t0) t
2.5
donde a(t) es la aceleracin de la cabeza en cada instante t (ms-2) y t0 y t1 son los tiempos inicial
y final (s). Calcular el factor HIC para el ensayo del apartado anterior.
Datos del material cermico: clase 6mm; densidad: = 5605 kg/m3; mdulos piezoelctricos:
12
d31 = 5.12 10
12
C/N, d33 = 12.3 10
12
C/N, d15 = 8.3 10
C/N; dimensiones del
acelermetro: l1 = 0.003 m, l2 = 0.005 m y l3 = 0.002 m.

Sol.: cuando el baln impacta en la frente, la cabeza sufre una aceleracin en direccin 3' (positiva). El
sensor, que se encuentra en un sistema acelerado, experimenta una fuerza F = - msensor acabeza, en
direccin 3 negativa, por unidad de superficie en direccin 3 negativa. El sensor (slido) va a estar
sometido a una tensin de compresin 33 (negativa) o 3 en notacin de Voigt. Aplicando la ley
constitutiva de la piezoelectricidad directa con la matriz de mdulos piezoelctricos de la clase 6mm,
resultan las siguientes componentes del vector de polarizacin:
0
0
0 0 0 0 d15 0 0
G

G
P = d = 0 0 0 d15 0 0 3 = 0
0

d31 d31 d33 0 0 0 d33 3
0

0
es decir, la nica componente

no nula es:
P3 = d33 3
Y expresando 3 en funcin de la aceleracin de la cabeza y las dimensiones del acelermetro:
P3 = d33 3 = d33
F3
msensor a3
l l l a
= d33
= d33 1 2 3 3 = d33l3 a3
l1l2
l1l2
l1l2
Tanto para la polarizacin como para la aceleracin, nicamente la componente 3 es no nula.

Reordenando la expresin anterior se obtiene la aceleracin en funcin de la polarizacin:
a3 =
P3
d33l3
lo que permite calcular las aceleraciones pedidas:

a3 =
Polarizacin
d33 l3
acel = a3
0.0
3212.9
264.7
acel =
5.0
715.1
540.3
m/s2
Puesto que la aceleracin se conoce en forma tabular, en el clculo del factor HIC se calcula la integral
2014-2015
229
numricamente, p.ej. con la frmula del trapecio:

t1
I = a(t ) dt
t = tiempo2 tiempo1
t0
I = t acel 1 + 2
2
i = 2
acel i + acel 6
t = 2 10
I = 8.94
Sustituyendo en la expresin dada en el enunciado, el valor para HIC que se obtiene es:
3
HIC = ( 10 10 0)
3
9.8 ( 10 10 0)
2.5
HIC = 794
Nota: otro problema diferente sera si el sensor estuviera colocado en la parte exterior del crneo. En tal
caso la respuesta del sensor tendra dos contribuciones: una debida a la aceleracin de la cabeza, que es
el problema resuelto anteriormente, y la otra debida al impacto directo de la pelota sobre el sensor, algo
que no ocurra antes.
Esta segunda contribucin tiene que calcularse como respuesta del sensor
a la tensin de compresin causada por la fuerza que ejerce el baln
mientras est en contacto con el sensor. Suponiendo que todo el impacto
se recibe sobre la superficie del sensor, esa fuerza se calcula como el
cambio en la cantidad de movimiento del baln dividido por la duracin
del impacto. Es una situacin ms complicada que requiere conocer ms
datos y sobre todo requiere que sea cierta la suposicin de que el impacto
lo recibe slo la superficie del sensor.
El mayor inconveniente de esta posicin del sensor es que en la seal obtenida se mezclan los dos
fenmenos, cuando el que realmente puede causar daos al cerebro es la aceleracin, mientras que el
impacto del baln en la frente causa slo una lesin superficial.
__________________________________________________________________________________
6.24
Una fibra de nylon-6, de longitud L y de seccin circular cilndrica de radio R, medidos a la
temperatura de procesado Tp, es estirada durante el procesado en caliente a lo largo de su eje de
simetra. Los coeficientes de dilatacin trmica ij expresados en los ejes convencionales son
conocidos. Al enfriarse a temperatura ambiente Ta el volumen de la fibra ser:
Sol.: una fibra orientada uniaxialmente tiene 11 = 22 33. El volumen final de la fibra ser:
R L 1 + ( 2 11 + 33) ( Ta Tp )
2
__________________________________________________________________________________
2014-2015
230
6.25
Un elastmero es un material elstico no lineal para el que la relacin entre la tensin de traccin y la
elongacin relativa est dada por:
1
( ) = E
2

donde la elongacin relativa es la relacin entre la longitud deformada y la longitud sin

deformar. Para una pieza dada de cierto elastmero, una carga produce una elongacin relativa de
I = 1.12. Cul ser la elongacin relativa de la misma pieza y del mismo material para una
carga doble?
Sol.: para la primera carga se cumple: I I = E I
( )
Para una carga doble:
Es decir:
II
II = E II
II
= 2 I
1
2
1
1
= 2 I = 2 E I 2
2
II
II
2
I
2 I
1
= 0.646
2
Esta ecuacin resultante se resuelve, p.ej. por el mtodo de Newton-Raphson,

f( ) =
2 I
1
2
fprima ( ) = 1 +
partiendo de una aproximacin inicial: 0 = 1
1 = 0
2 = 1
3 = 2
( )
fprima ( 0 )
f( 1)
fprima ( 1 )
f( 2)
fprima ( 2 )
f 0
1 = 1.215
2 = 1.266
3 = 1.268
Tomando este ltimo valor como correcto con tres cifras significativas, resulta: = 3 = 1.268
__________________________________________________________________________________
2014-2015
231
6.26
Una aplicacin reciente de los materiales cermicos piezoelctricos es la construccin de transformadores elctricos muy ligeros que no necesitan componentes magnticos ni bobinados. El principio de
funcionamiento est ilustrado en la figura. Dos discos de materiales piezoelctricos diferentes, A y B
estn en contacto mecnico, pero elctricamente aislados entre s. El conjunto est colocado en una
estructura rgida e indeformable ("yugo") que mantiene constante el espesor conjunto de los dos discos.
Cada uno de los discos tiene contactos elctricos en las caras circulares. El voltaje a transformar (VA),
se aplica entre las dos caras del disco A (primario). Como consecuencia del efecto piezolctrico inverso
el espesor de este disco se modifica del valor original hA a un nuevo valor hA' , y por tanto somete a
compresin al disco B (secundario). En consecuencia, por efecto piezoelctrico directo, entre las caras
del disco B aparece un voltaje transformado VB, que en general es diferente de VA.
Para esta aplicacin suelen usarse cermicas PZT policristalinas tanto para el primario como para el
secundario. Ambos discos son, desde el punto de vista mecnico, materiales homogneos e istropos.
Como piezoelctricos, ambos son homogneos y han sido polarizados perpendicularmente a sus caras
circulares.
Todas las propiedades fsicas de los materiales (constantes dielctricas Kij, mdulos piezoelctricos dijk,
mdulos elsticos EYoung, etc), las dimensiones (radios R , espesores h) y la seal de entrada VA son
conocidas.
VB
B
A
VA
piezoelctrico B (secundario)
piezoelctrico A (primario)
yugo indeformable
VB =0
VA =0
VB 0
h B
VA 0
h A
sin aplicar voltaje
con voltaje aplicado
En primera aproximacin considerar que el material del disco B tiene un mdulo elstico muy inferior al
de A y que ste se deforma libremente al aplicar VA (el disco B no opone resistencia a la variacin de
espesor del disco A; el disco A se deforma como si B no existiera, y el disco B se ve forzado a ocupar el
espacio restante en el yugo). Tener en cuenta adems que las deformaciones son muy pequeas.
A qu clase pertenecen los materiales A y B?

Representar los ejes convencionales para los discos A y B.
2014-2015
232
Calcular en funcin de las variables (propiedades fsicas, geometra, mdulos, etc) que se consideren
necesarias:
el espesor hA' , del disco A (primario) al aplicar VA,
la tensin que esta deformacin del primario causa en el disco B (secundario), y
la diferencia de potencial que aparece entre las caras del secundario debido a esta tensin, VB, y la
relacin de transformacin, es decir, VB/VA.
Sol.: 1) al ser los PZT policristalinos y polarizados en una direccin, tienen un eje de orden
infinito e infinitos planos que contienen al eje de orden infinito. Son de clase m .
Para esta clase, el eje convencional 3 se hace coincidir con el eje de orden , que es la direccin
de polarizacin (en este caso perpendicular a las caras circulares), y los ejes convencionales 1 y 2
estn contenidos en el plano de la cara circular).

El voltaje aplicado en A produce un campo elctrico:
E 0
G 1
E = E2 = 0
E3 V A
A
h
Para calcular la deformacin de A se aplica la ley constitutiva del efecto piezoelctrico inverso,
con el campo aplicado y la matriz de mdulos piezoelctricos de la clase m :
G
= ET d = [0

GT
E3 ] 0
d31A
A
15
A
31
A
33
d15A
0 = E3 d31A
0
E3 d31A
La variacin del espesor del disco A es:
h A = h A 3A = h A E3 d33A
y el nuevo espesor:
VA
h A = h A (1 + 3A ) = h A 1 + A d33A
h
El espesor del disco B disminuye en la

misma cantidad:
E3 d33A
h B = h A
Esta variacin del espesor es el efecto fsico esencial para el funcionamiento del transformador. La
deformacin axial del disco B es:
h A E3 d33A
h B
hA
3B = B = B 3A =
h
h
hB
Esta deformacin es consecuencia de una fuerza en direccin axial en el disco B, y con ello una tensin
3 de mdulo:
hA B
B
3B = EYoung
3B = B EYoung
E3 d33A
h
Por el efecto piezoelctrico directo, esta tensin hace aparecer una polarizacin (momento dipolar /
volumen) en B:
B
(**)
P3B = d33B 3B = d33B EYoung
3B
2014-2015
233
y un dipolo elctrico entre las caras planas paralelas de B (direccin 3):

P3B ( R B ) h B P3B ( R B ) h B
2
(*)
que corresponde a una carga elctrica entre las caras del disco (condensador plano paralelo):
P3B ( R B ) h B
2
QB =
h
B
P3B ( R B ) h B
2
= C BV B = 0 K33B
( RB )
h
VB
donde 0 es la permitividad dielctrica del vaco.

De esta expresin se obtiene la diferencia de potencial entre
las caras del disco B y la relacin de transformacin:
B
A B
V B EYoung d33 d33
=
VA
K 33B 0
2) El problema puede hacerse algo ms rigurosamente teniendo en cuenta tambin la deformacin

transversal (= radial). En este caso, bajo la suposicin de que el disco B se deforma siguiendo
exactamente la deformacin del disco A, la deformacin transversal (= radial, en cualquier direccin
contenida en el plano 1-2) de B es la misma que la de A, es decir:
1B = 1A ; 2B = 2A = 1A
hA
= 1B 2B 3B 0 0 0 = 1A 1A B 3A 0 0 0
h
(G )
B T
Esta deformacin produce en B (usando la matriz de rigidez para el material mecnicamente istropo B)
un estado de tensin mecnica:
c
c
c
G
B =
0
0
B
11
B
12
B
12
c
c
c
c
0
0
0
0
0
0
0
0
B
44
c
0
0
B
c44
B
12
B
11
B
12
B
12
B
12
B
11
0
0
0 0
0 0
B
c44
0
B
1
B
1
B
3
( c11B + c12B ) 1B + c12B 3B
B
B
B
B B
( c11 + c12 ) 1 + c12 3

B B
B B
2c12 1 + c11 3
B
donde c44
=
1 B
c11 c12B )
(
2
Y por efecto piezoelctrico directo:
0
GB
P = 0
d31B
2014-2015
d15B
0
d31B
0
d33B
d15B
0
0
0
( c11B + c12B ) 1B + c12B 3B

( c11B + c12B ) 1B + c12B 3B

0
0
B B
B B

2
c
+
12 1
11 3

=
0
0

0
0
2d31B ( c11B + c12B ) + 2d33B c12B 1B

0
B B
B B
B
( 2d31c12 + d33 c11 ) 3
234
El resto del problema es idntico, sustituyendo la tercera componente de la polarizacin en vez de (**)
en la expresin (*).
__________________________________________________________________________________
6.27
Dados los coeficientes de expansin trmica ij (K-1) de la circonia tetragonal, determinar el
coeficiente de expansin volumtrica de este material, definido como el cociente del incremento
V
fraccional de volumen y el incremento de temperatura:
Sol.: para todas las clases tetragonales, hay slo dos coeficientes de expansin trmica (propiedad de 2
orden simtrica) diferentes: 11 (22 = 11) y 33 con lo que el coeficiente de expansin volumtrica
resulta:
V
V = ii = = 2 + = 2 +
11
33
22
33
ii
T T
__________________________________________________________________________________
6.28
Un polmero piezoelctrico tiene morfologa semicristalina. Para su uso como sensor piezoelctrico de
aceleracin (acelermetro) en un vehculo, es preciso polarizarlo primero, sometindolo a un campo
elctrico entre las caras A, como se indica en la parte izquierda de la figura.
De la lmina polarizada se corta un cubo de manera que sus caras A, B y C sean respectivamente
paralelas a las caras A, B y C de la lmina (parte central de la figura).
Finalmente el cubo se adhiere rgidamente al vehculo por la cara sombreada en la parte derecha de la
figura, y sobre el sensor se coloca otro cubo de las mismas dimensiones de un metal de alta densidad,
que acta como masa inerte (est aislado elctricamente del sensor), y cuya nica funcin es aumentar la
respuesta del sensor.
Se desea que el sensor reaccione a aceleraciones perpendiculares a la cara C.
En funcin de las propiedades fsicas, geometra, y dems variables que se consideren necesarias,
1. determinar entre qu caras (A, B o C) se debe medir la seal,
2. calcular la respuesta elctrica (diferencia de potencial V ; slo el valor, el signo no es necesario)
que da el sensor, como consecuencia de la aceleracin.
3. Realizar el mismo estudio para aceleraciones perpendiculares a la cara A y despus para aceleraciones
perpendiculares a la cara B.
2014-2015
235
Sol.: 1. el piezoelctrico se polariza en la direccin del campo elctrico al que se somete. Esta
direccin es un eje de orden y el material pertenece a la clase m . La estructura de sus
mdulos piezoelctricos es:
Para esta clase, el eje de orden es el de la direccin de polarizacin (eje cartesiano 3) y unos
ejes convencionales cartesianos en los que es vlida esta estructura son, por ejemplo:
u otros cualesquiera rotados en torno al eje 3.

Una aceleracin en la direccin perpendicular a las caras C produce una tensin mecnica normal 2
(en notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva del efecto piezoelctrico directo:
G
G
P = d
2014-2015
236
aparece una polarizacin elctrica en

direccin 3, y la seal se debe medir entre
las caras A del sensor.
2. la magnitud de la seal se obtiene igual que en problemas anteriores, con la nica modificacin de que
a la masa del sensor hay que sumarle la masa inerte:
L3 ( P + M ) a
P3 = d31 2 = d31
L2
L3 P3 = d31 L4 ( P + M ) a = QL = C VL = K 33 0
V =
de donde se obtiene la seal:
L2
VL
L
d 31 L2 ( P + M ) a
K 33 0
3. anlogamente, una aceleracin en la direccin perpendicular a las caras A produce una tensin
mecnica tangencial 4 (en notacin de Voigt), porque la base del cubo est adherida al vehculo. Al
aplicar la ley constitutiva del efecto piezoelctrico directo resulta:
P2 = d 24 4 = d 24
L3 ( P + M ) a
L2
L2
L P2 = d 24 L ( P + M ) a = QL = C VL = K 22 0 VL
L
3
de donde se obtiene la seal que hay que medir entre las caras C:
V =
d 24 L2 ( P + M ) a
K 22 0
Por ltimo, una aceleracin en la direccin perpendicular a las caras B produce una tensin mecnica
tangencial 6 (en notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva del efecto piezoelctrico directo
resulta:
P1 = P2 = P3 = 0
y el sensor no produce ninguna seal:
V = 0
__________________________________________________________________________________
6.29
Un disco de freno est fabricado de un material compuesto de una matriz cermica (A),
policristalina, isotrpica, y de fibras (B) de carbono orientadas paralelamente entre s, y paralelas
l
d l di
i di
l fi
L di
i
d l di
2014-2015
237
a las caras del disco, como se indica en la figura. Las dimensiones del disco a temperatura
ambiente son Ri = 0.12 m y Re = 0.22 m; y todas las componentes del coeficiente de
dilatacin trmica expresado en los ejes convencionales del material son conocidas:
5
-1
11 = 1.6 10
-1
-1
K , 22 = 1.6 10
K y 33 = 7.7 10
K . Durante una frenada el
disco sufre un calentamiento T = 600 K respecto de la temperatura ambiente. La deformacin
causada por la dilatacin del material compuesto obedece a la ley:
= T
Determinar cul es la variacin relativa (incremento de radio dividido por radio inicial), debida al
calentamiento, del radio del taladro interior medido en la direccin de las fibras.
Sol.: el material es de la clase lmite
y la direccin de las fibras es la direccin convencional 3.

mm
La variacin relativa del radio interior en esa direccin es:
Ri
= T 33
Ri
T 33 = 0.046
__________________________________________________________________________________
6.30
3
Se construye un sensor de profundidad en forma de cubo de lado L = 1.5 10 m, con las caras
cortadas perpendicularmente a los ejes cartesianos convencionales, a partir de un material
cermico (Ba Ti O3) policristalino polarizado.
12
Se conocen sus mdulos piezoelctricos: d15 = 3.25 10

12
12
C/N, d31 = 2.95 10
C/N y
d33 = 1.49 10
C/N, y sus constantes dielctricas: K11 = 500 y K33 = 250 .
Determinar el mdulo de la seal (en voltios) que se medir para una profundidad de 200 m
6
(presin hidrosttica p = 2 10 Pa).

12
Dato: 0 = 8.85 10
2014-2015
F/m.
238
Sol.: la cermica policristalina polarizada es de la clase m y est sometido a una tensin

(compresin hidrosttica) que produce un momento dipolar. Se trata de una aplicacin del efecto
piezoelctrico directo, que en Notacin de Voigt se escribe como :
p
p
0
0
0
0
0
d
15
G
p
G
P = d = 0 0 0 d15 0 0 = p 0
0

d31 d31 d33 0 0 0
2d31 + d33
0

0
El vector polarizacin tiene slo componente 3, luego la seal se medir entre las caras 3 del sensor.
Procediendo como en los problemas anteriores y considerando el sensor como un condensador de
caras planas paralelas, se puede calcular la diferencia de potencial a partir de la carga acumulada entre
las caras 3 del sensor:
12
12
C/N d33 = 1.49 10
d31 = 2.95 10
P3 = p ( 2d31 + d33)
P3 = 1.478 10
)m
3 3 3
El sensor tiene un volumen de Vol = 1.5 10
C/N
C m/m3
9
( Vol = 3.375 10
m ) y las caras 3
estn separadas una distancia l3 = 1.5 10
Q =
m. La polarizacin P3 corresponde a una carga:
P3 Vol
l3
3
Puesto que:
A = 1.5 10
11
Q = 3.325 10
3
1.5 10
m2
el cristal piezoelctrico es un condensador de capacidad:
C = K33 0
A
l3
12
C = 3.319 10
Y la seal elctrica, medida como diferencia de potencial entre las caras 3 del sensor, es:
V =
V = 10.020 voltios
A
K33 0
l3
En este problema slo se pide el mdulo de la seal en voltios, el signo no hace falta ponerlo.
__________________________________________________________________________________
2014-2015
239
6.31
Un material cermico se usa como dielctrico en un condensador de alta capacidad. El
dielctrico es una lmina de dimensiones L x L x h situada entre las placas del condensador,
3
con L = 5 10
m y h = 5 10
m. Esta cermica se sintetiza en el laboratorio en forma
de monocristales como el de la figura, que tiene todos los elementos de simetra del material y
puede usarse para determinar la clase.
Las componentes Kij de la constante dielctrica (prop. de segundo orden, simtrica) se conocen
en funcin de la temperatura (ver figura; en esta figura, los ndices de Kij se corresponden con
los ejes cartesianos convencionales). El condensador opera a 300 K.
La lmina de dielctrico est cortada del monocristal de manera que un vector unitario n normal
a las caras cuadradas de la lmina forma un ngulo 1 = 48 grados con el eje convencional 1,
y un ngulo 2 = 55 grados con el eje convencional 2. Determinar:
1. a qu clase pertenece el dielctrico,
2. los valores de las componentes Kij a la temperatura de operacin,
3. la capacidad del condensador, segn la frmula indicada. La constante dielctrica que es
necesario usar para calcular C es la que corresponde a la direccin del vector unitario
normal n.
K ij
A
C = K n 0
h
K11
K 22
K 33
2014-2015
240
Sol.: el material es ortorrmbico, clase mmm. Para calcular la capacidad del condensador de la siguiente
figura slo se necesita calcular el valor de la constante dielctrica Kn en la direccin indicada. La
estructura de la constante dielctrica para esta clase, referida a sus ejes convencionales, es:
str ( K ) = .
.
.
.
Los valores de sus componentes se leen de la grfica del enunciado:
K11 = 117
K22 = 55.5
K33 = 8.5
y se aplica (ver propiedad de 2 orden en una direccin):
( )
( )
n1 = cos 1
n2 = cos 2
n3 =
n1 = 0.669
n2 = 0.574
n3 = 0.473
Kn = K11 n1 + K22 n2 + K33 n3

2
L
La capacidad del condensador es: C = Kn 0
h
2014-2015
K n = ni n j K ij
1 n1 n2
Kn = 72.54
11
C = 3.21 10
241
n1 = cos 1
n 2 = cos 2
n3
n3 =
n
n1
1 n12 n 22
n2
__________________________________________________________________________________
6.32
Un elemento de la suspensin de un vehculo es un bloque cilndrico de un elastmero (caucho
sinttico) de altura h = 0.22 m y dimetro D = 0.15 m. Se especifica que cuando este
4
elemento se someta a una fuerza de compresin F = 5.2 10 N (actuando sobre las bases del
cilindro), no debe reducirse su altura en ms de h = 0.01 m. La relacin entre tensin
mecnica de traccin y elongacin para este eslastmero est dada por:
h
= bajo carga
hsin carga
( ) = E 2
donde la elongacin se define como:
Determinar qu mdulo E debe tener este material, como mnimo, para cumplir la especificacin dada.
Sol.: de los datos se obtiene inmediatamente la elongacin y la tensin (negativa por ser de compresin):
h h
h
= 0.955
F
2
= 2.943 10
Pa
Despejando el mdulo:
E =
E = 2.058 10
Pa
__________________________________________________________________________________
2014-2015
242
6.33
Un proceso de fabricacin en serie de ejes macizos de nylon, de seccin circular, se basa en la
pultrusin, que consiste en extrusin seguida de estiramiento axial y corte, como se ilustra en la figura.
En este proceso el nylon sufre una deformacin grande en la direccin de estirado, lo que modifica
todas sus propiedades en esta direccin.
cuchillas de corte
direccin
de estirado
eje
nylon
fundido
Las dimensiones del eje al terminar el proceso de pultrusin, a temperatura ambiente, son: radio
R = 0.03 m y longitud L = 0.15 m. En una aplicacin la temperatura de uso del eje est
T = 120 K por encima de la temperatura de fabricacin. La deformacin del nylon en funcin del
incremento de temperatura, medido desde la temperatura de fabricacin est dada por:
= T
donde los coeficientes de dilatacin trmica (en los ejes convencionales) son conocidos:
5
-1
11 = 5.5 10
-1
K y 33 = 1.5 10
K . Calcular el aumento relativo de volumen
(incremento de volumen dividido entre el volumen inicial) del eje causado por este cambio de
temperatura. Suponer pequea deformacin.
Sol.: el nylon procesado tiene un eje de orden infinito en la direccin de pultrusin. Este eje es el eje
cartesiano convencional 3, y el tensor de deformacin es:
11 0 0
c f = T 0
0
11
ed hg
0 0 33
El aumento relativo de volumen, en pequea deformacin, est dado directamente por la traza del tensor
deformacin:
( R + R ) ( L + L ) R2 L R L
2
=
+
= 211 + 33 = ii = ( 211 + 33 ) T
R2 L
V
L
R
( 2 11 + 33) T = 0.015
__________________________________________________________________________________
2014-2015
243
6.34
Una microbomba de dosificacin de medicamentos es una membrana piezoelctrica esfrica llena
del fluido a dosificar (ver figura). Funciona contrayndose y expandindose al aplicarle un campo
elctrico E que es radial en todos los puntos de la membrana. Al expandirse, la bomba aspira
fluido del depsito a travs de la vlvula de no retorno V1, y al contraerse impulsa el fluido a
travs de la vlvula de no retorno V2. El campo elctrico se produce aplicando una diferencia de
potencial entre la cara interna y la cara externa de la membrana. La diferencia de potencial se
hace variar cclicamente de -T a +T voltios (parte B de la figura).
El material de la membrana consta de una matriz isotrpica en la que hay dispersas partculas de
un material piezoelctrico, que han sido polarizadas previamente como se indica con las flechas
en la parte B de la figura. El espesor H de la membrana es mucho menor que su radio R, es decir,
H/R 0.
calcular el tensor de deformacin en un punto cualquiera de la esfera cuando se aplican +T
voltios entre las caras interna y externa en funcin de los mdulos piezoelctricos, de T y de
las dems variables que se consideren necesarias, indicando con claridad los ejes del sistema
al que est referido el tensor ,
considerar una porcin A pequea y cuadrada de membrana (despreciando la curvatura de la
esfera) de lado L, y calcular la variacin relativa de su rea A/A debida a la deformacin
lateral del material de la membrana,
dado que la variacin relativa del rea de toda la esfera es igual al A/A anterior, calcular la
variacin Rlat del radio de la esfera y con ste la variacin Vlat del volumen de la esfera
debida slo a la deformacin lateral de la membrana,
calcular la variacin en el volumen de la esfera debida slo a la variacin en el espesor de la
membrana Vesp,
calcular el volumen impulsado por la bomba cuando el potencial aplicado cambia de +T

a -T voltios (un ciclo de contraccin-expansin).
considerar pequea deformacin y, si es necesario, usar la aproximacin: (1 + x)n 1 + nx para

|x|<<1.
depsito
V1
A
E
L
H
R
T
V2
2014-2015
244
Sol.: el material tiene un eje de orden infinito en la direccin de polarizacin de las partculas
piezoelctricas, por ser invariante respecto de cualquier rotacin en torno a este eje. El eje de orden
infinito debe ser el eje convencional 3. En cada punto de la membrana este eje apunta en direccin
radial, igual que el campo elctrico aplicado:
Los otros dos ejes se pueden elegir arbitrariamente siempre que sean perpendiculares al 3 y
perpendiculares entre s. Las direcciones 1 y 2 son equivalentes en todas las propiedades, y el
material es transversalmente istropo.
Puesto que el material tiene infinitos planos de simetra que contienen al eje 3, y adems no tiene
simetra de vector axial, tpica de materiales con props. magnticas, pertence a la clase m .
Para esta clase, la estructura de los mdulos piezoelctricos es:
Tiene tres mdulos independientes, d31, d33 y d24. Para obtener el tensor deformacin causado por el
campo elctrico aplicado, basta multiplicar el vector campo elctrico (traspuesto) por la matriz de
mdulos piezoelctricos (efecto piezoelctrico inverso) para obtener el vector deformacin:
i = E j d ji
1

2

3
= [ 0 0 E3 ]
4
d31
5

6
T
clase m :
d 24
d31
d33
d 24
E3 d31
E d
3 31
E d
= 3 33
0

0
con lo cual, el tensor de deformacin cuando se aplica una diferencia de potencial de T voltios es:
2014-2015
245
E3 d31
c f = 0
ed hg
0
E3 d31
0
T
H d31
0
0 = 0
E3 d33
0
T
d33
H
0
T
d31
H
0
y similar pero con signo opuesto en las tres componentes cuando la diferencia de potencial es de -T
voltios.
De acuerdo con la orientacin de los ejes convencionales, una porcin de la superficie de la esfera, por
ejemplo de forma cuadrada, sufre una variacin relativa de rea (en pequea deformacin) dada por:
2
A L (1 + 11 ) L (1 + 22 ) L
=
11 + 22 = 211
A
L2
2Td31
A
= 211 =
A
H
Esta variacin relativa de rea es la misma para la superficie de toda la esfera, lo que implica:
4 R 2final 4 R 2 R final
2Td31 A
=
=
=
211 =
R
H
A esfera
4 R 2
de donde la variacin en el radio de la esfera debida a la deformacin lateral es:

Rlat R final R
=
= 11
R
R
R final = R 1 + 211 R (1 + 11 )
Rlat = R11 = R
Td31
H
La variacin de volumen de la esfera debida a la deformacin lateral resulta entonces:

3
3
3
R + Rlat ) R 3 Rlat
(
Vlat R final R
Rlat
=
=
= 1 +
1 1 + 3
3
3
V
R
R
R
R
Vlat = 3V 11 =
1 = 311
3V Td31
H
La variacin de volumen debida a la variacin en el espesor es:

Vesp
V
( R + R )
=
esp
R3
R3
Resp = H 33
y, puesto que la variacin de espesor es:

resulta una variacin de volumen:
Vesp
V
2014-2015
Resp
Resp
Resp
= 1 +
1 = 3
1 1+ 3
R
R
R
=3
Resp
R
=3
H
33 0
R
ya que H<<R
246
En resumen, la variacin en el volumen de la esfera es debida primordialmente a la contraccin o

expansin lateral del material de la membrana, y no a la variacin en el espesor de la membrana.
Mientras que el primer efecto es de orden de magnitud , el segundo es de orden de magnitud H /R,
despreciable frente al primero al ser el espesor mucho menor que el radio (H/R<<1). Esto tambin
implica que el valor de d33 no influye en el resultado. Para fabricar una bomba piezoelctrica con este
diseo lo ideal es usar para la membrana un material que tenga el mdulo d31 lo mayor posible. d33 no
tiene influencia en la operacin de la bomba.
En este caso, pese a que el material de la membrana es anistropo, es transversalmente istropo, y la
deformacin de la bomba corresponde puramente a contraccin lateral, en el plano en el que el material
es istropo. Como consecuencia, la nica componente de que aparece en el resultado es la
transversal 11, y la variacin relativa del volumen de la bomba, que es una membrana hueca, es el
mismo que tendra si fuera una esfera maciza de un material istropo: 311. Este efecto es consecuencia
directa de la isotropa transversal del material de la membrana.
Si la bomba piezoelctrica fuera de pared gruesa (H no despreciable frente a R), las dos contribuciones
a la variacin de volumen seran importantes y el valor de 33 aparecera en el resultado e influira en el
diseo de la bomba.
En un ciclo de contraccin/expansin, el volumen de fluido impulsado por la bomba es el doble de la
variacin calculada anteriormente (la diferencia entre el volumen mnimo y el volumen mximo del
volumen encerrado por la membrana):
V fluido = 2Vlat = 6V 11 = 8
R 3 Td31
H
Puesto que las variaciones en el radio de la esfera son pequeas, el problema puede hacerse de modo
ms directo usando el primer trmino en los desarrollos en serie del volumen y de la superficie de la
esfera, (es decir, calculando cunto varan el volumen y la superficie de la esfera cuando el radio sufre
una variacin pequea) lo que es vlido por ser pequea deformacin:
Vesfera
Aesfera
4 3
d
R
dV
3
R = 4 R 2 R

R =
dR
dR
d ( 4 R 2 )
dA

R =
R = 8 RR
dR
dR
Vesfera
Vesfera
Aesfera
Aesfera
R
4 R 2
R = 3
4 3
R
R
3
R
8 R
R = 2
2
R
4 R
De la segunda se obtiene directamente:

R 1 Aesfera 1 A 1
=
=
= 211 = 11
R 2 Aesfera
2 A 2
y con sta y la primera se obtiene directamente el mismo resultado que por el mtodo anterior:
2014-2015
247
Vlat
Td31
R
=3
= 311 = 3
V
R
H
__________________________________________________________________________________
6.35
Una pieza cbica maciza de lado L = 0.02 m de un material cermico monoclnico est cortada
de modo que sus aristas son paralelas a las direcciones de los ejes cartesianos convencionales. El
coeficiente de dilatacin lineal (tensor de 2 orden, simtrico) de este material, expresado en
forma de matriz es:
5
4.1 10 5
2.2 10
0
5
=
3.7
10
0
0
5
2.2 10
2.2 10
0
K-1
Determinar la variacin porcentual de volumen que sufre la pieza si su temperatura aumenta de

T1 = 298 K a T2 = 456 K, (suponer siempre pequea deformacin).
Sol.: la variacin relativa en volumen, sea cual sea la forma del objeto, es la traza (suma de los
elementos de la diagonal) del tensor deformacin, que se calcula segn la ley constitutiva:
= T
sustituyendo los datos, resulta:
V
= ii = T ii
V
( T2 T1) ( 1 , 1 + 2 , 2 + 3 , 3) 100 = 1.58
__________________________________________________________________________________
6.36
El hormign es un material compuesto con gran resistencia a compresin pero prcticamente nula
resistencia a traccin. En el caso de aplicaciones en las que el hormign debe soportar este ltimo
tipo de carga o solicitacin es posible recurrir al postensado. Tomando como ejemplo una viga de
seccin rectangular, el postensado consta de los siguientes pasos:
se prepara un molde o encofrado con la forma que debe tener la viga postensada,
se vierte el hormign adecuadamente homogeneizado de manera que los cables quedan
embebidos por la pasta y en caso necesario se vibra para eliminar defectos (huecos)
se deja fraguar el hormign
se aprietan los cables de acero permanentemente por medio de tensores hasta una fuerza dada.
De esta manera, la viga, en ausencia de carga, queda sometida a un nivel elevado de compresin,
de forma que en una aplicacin a traccin, si el diseo ha sido correcto, la tensin global sigue
siendo de compresin y la viga opera de modo satisfactorio.
2014-2015
248
En este problema se considera una viga de seccin transversal rectangular de dimensiones

l1 = 0.2 m y l2 = 0.4 m. El molde o encofrado tiene una longitud l3 = 10 m. Los cables de
9
postensado son de acero con un mdulo elstico Ec = 50 10 GPa y con una extensin mxima
(es decir aqulla por encima de la cual se produce la rotura) max = 0.013. Para tensionar la viga
se emplean nc = 12 cables de acero de dimetro D = 0.01 m. El mdulo elstico del hormign
9
a compresin es Eh = 3.3 10 GPa y a traccin es 0 GPa. La viga de hormign postensado se

fabrica segn el procedimiento descrito ms arriba y se tensa permanentemente con una fuerza
F = 375000 N.
Determinar, para la viga terminada,
su longitud L,
la fuerza que soportan los cables,
la tensin a la que estn sometidos los cables,
la fuerza que soporta el hormign,
la tensin a la que est sometido el hormign,
con qu fuerza mxima de traccin podr cargarse la viga sin que falle.
Sol.: en primer lugar se determina, de la seccin transversal de la viga (A), qu parte corresponde a
los cables (Ac) y qu parte al hormign (Ah):
A = l1 l2
Ac = nc D
4
Ah = A Ac
A = 0.08
m2
Ac = 0.001
m2
Ah = 0.079
m2
Ac
100 = 1.2 % de la seccin transversal.

A
Tras el postensado, los cables ejercen sobre el hormign la fuerza F y, puesto que la viga est en
equilibrio mecnico, el hormign reacciona con la misma fuerza sobre los cables.
Los cables quedan alargados respecto de su longitud antes del postensado, es decir, estn sometidos
a tensin de traccin.
el hormign queda acortado respecto de su longitud antes del postensado, y por ello sometido a
tensin de compresin (esta situacin de compresin en el hormign es la deseada, ya que
contrarresta posteriores tensiones de traccin hasta un cierto lmite).
Es decir, los cables de acero ocupan slo el
Para determinar la longitud de la viga, basta aplicar la ec. constitutiva, en este caso de elasticidad lineal
(Hooke) al hormign. La tensin a la que est sometido el hormign es de compresin y de valor:
h =
Su deformacin ser:
2014-2015
h =
F
Ah
h
Eh
h = 4.74 10
N/m2
3
h = 1.437 10
h =
l3 L
l3
249
luego L = l3 1 h
m, es decir, la viga se acorta l3 L = 0.014 m

respecto de la longitud del molde.
L = 9.986
La fuerza que soportan los cables es evidentemente igual a la del postensado, es decir
F = 375000 N y es igual a la que soporta el hormign. La tensin a la que estn sometidos los
cables es de traccin y de valor:
F
8
c =
c = 3.98 10 N/m2
Ac
Aunque las fuerzas que soportan el hormign y los cables son iguales, las tensiones (fuerza por
unidad de superficie) en ambos son muy diferentes, como corresponde a materiales con
mdulos elsticos muy diferentes.
Los cables tienen, tras el postensado, la misma longitud que el hormign L = 9.986 m, lo que
corresponde a una longitud antes del postensado de:
c =
c
Ec
c = 7.958 10
Lc =
Lc = 9.907
1 + c
En cuanto a la carga exterior mxima que puede soportar la viga, una vez que esta fuerza exterior de
traccin excede la fuerza de postensado, el hormign pasa de estar en estado de compresin a estado
de traccin (en el que aparecen tpicamente fisuras y grietas debidas a que el hormign pierde cohesin
y se desmorona). La viga sin embargo sigue soportando carga de traccin gracias a los cables del
postensado.
El mximo absoluto de traccin que puede soportar la viga postensada est dado por el mximo de
deformacin (extensin) que pueden soportar los cables:
max = 0.013
max = Ec max
lo que corresponde a una fuerza:
max = 6.5 10
Fc = max Ac
N/m2
5
Fc = 6.126 10
Puesto que los cables soportan, incluso sin carga exterior, una fuerza F = 375000 N (debida al
postensado), la fuerza o carga mxima exterior es la diferencia:
Fmax = Fc F
Fmax = 2.376 10
__________________________________________________________________________________
6.37
Una fibra de un material istropo de mdulo de Young E y relacin de Poisson positiva se somete a
una tensin de compresin uniaxial 3 a lo largo del eje de la fibra. Si la muestra est confinada de
forma que no puede deformarse transversalmente (lateralmente), la deformacin axial es:
2014-2015
250
Sol.:
0 = 1 =
2 3
=
2 1 2
0 = 2 = 1 + 3
E
E E
1 = 3
2 2
3 = 1 2 + = 2
3 + = 1
E
E
E
E 1
E E 1
_________________________________________________________________________________
6.38
Una probeta cilndrica de un material istropo de longitud L0 y dimetro D0, se somete a un estado de
tensin mecnica tal que las componentes i2 con i = 1, 2, 3 del tensor de tensiones son todas nulas.
Cul ser la nueva longitud de la probeta, si se hace coincidir el eje de la probeta con el eje 3
convencional?
Sol.: el material es istropo y la estructura de su matriz de complianza elstica es:
En notacin de Voigt el vector deformacin se calcula:
De acuerdo con el enunciado, el vector tensin es:
2014-2015
1
0

G 3
=
0
5

0
= s
i = sij j
251
Multiplicando matriz por vector se calcula el vector deformacin del que interesa la componente 3
para hallar la longitud final de la probeta:
s11 1 + s12 3
s + s
12 1 12 3
G s + s
= 12 1 11 3
0
55 5
luego la longitud final es:
L final = L0 (1 + 3 ) = L0 (1 + s12 1 + s11 3 )
1

L final = L0 1 1 + 3
E
E
_________________________________________________________________________________
6.39
Las resinas epoxi son la base de un grupo importante de adhesivos. Se obtienen haciendo reaccionar
diepxidos de alto peso molecular, como el siguiente (monmero A):
con triaminas de bajo peso molecular, como el

1,2,3-triaminopropano (monmero B):
Los grupos epxido y los grupos amino reaccionan de modo espontneo a temperatura ambiente segn:
Basndose en estos monmeros se desea fabricar un epoxi reticulado (P) que tenga un mdulo
5
elstico (no es el mdulo de Young) E = 5.5 10 Pa. Este mdulo depende del grado de
23
reticulacin segn E = n kB T , donde kB = 1.38 10
J/K es la constante de Boltzmann,
T = 298 K la temperatura absoluta y n el nmero de puntos de reticulacin por unidad de

volumen. La densidad final de P es = 593 kg/m3. Suponiendo que se aaden los monmeros
en cantidades estequiomtricas y que hay conversin total de todos los grupos funcionales de
ambos reactivos, es decir que no queda ningn grupo sin reaccionar, determinar:
1. qu cantidad de A (en kmol) es necesaria para obtener 1m3 de epoxi reticulado,
2014-2015
252
2. qu cantidad de B (en kmol) es necesaria para obtener 1m3 de epoxi reticulado y

3. cul ser el espesor de un disco de este adhesivo P, que sin carga tiene un espesor = 0.023
5
m, cuando se le somete a una tensin de compresin de mdulo = 1.3 10 Pa.

La relacin elstica no lineal entre la tensin de traccin, correspondiente a una fuerza de traccin
en una direccin, y la elongacin relativa (relacin entre la longitud deformada y la longitud sin
1
deformar) en la misma direccin est dada por = E

.
Sol.: se calculan primeramente las masas moleculares de los monmeros:

MwB = 3 ( 14 + 2) + 2 ( 12 + 2) + 12 + 1
MwB = 89
kg/kmol
MwA = [ 10 [ 16 + 6 12 + 4 + 16 + 3 ( 12 + 2) ] ] ...
+ 12 + 2 + 16 + 12 + 1 + 12 + 2 ...
+ 16 + 6 12 + 4 + 16 + 12 + 2 + 12 + 1 + 12 + 2 + 16
MwA = 1722
kg/kmol
Este problema se puede resolver de varios modos.

1. De la expresin dada del mdulo elstico se obtiene directamente el nmero de puntos de reticulacin
necesarios:
26
NAv = 6.023 10
molculas/kmol
n =
E
kB T
26
n = 1.337 10
puntos de reticulacin /m3
De la reaccin de curado se deduce que cada molcula de B forma un punto de reticulacin (el punto
de reticulacin es el segundo carbono del monmero B, del que salen tres ramas). La figura siguiente
describe esquemticamente la situacin:
monmero A
monmero B
Se precisa este mismo nmero de molculas de B por metro cbico, lo que corresponde a:
NB =
2014-2015
n
NAv
NB = 0.222 kmol de B/m3
253
2. Tambin se puede determinar NB de modo alternativo a partir slo de la densidad: puesto que
los monmeros reaccionan en relacin molar A:B de 1.5:1, en 1m3 hay un nmero NB de kmoles
de B y (3/2)NB de kmoles de A. Este nmero total de kmoles corresponde a una masa de
3
3
MwA + MwB kg por m , de donde el nmero de kmoles de B es:
2
3
MwA + MwB
2
= 0.222
kmol de B/m3
En el epoxi reticulado, cada residuo monomrico de B (punto de reticulacin) est enlazado a tres
residuos monomricos de A. Y cada uno de esos residuos monomricos de A est compartido con otro
punto de reticulacin. Es decir, a cada punto de reticulacin le corresponden tres mitades de A, luego el
nmero de molculas de A que se necesitan es 3/2 el nmero de molculas de B.
3. Aunque no es necesario usarla en los clculos, si se insiste en trabajar con la UER, la UER ms
pequea (pueden tomarse tambin mltiplos de ella) est formada por 2 residuos monomricos de B y 3
de A, como se indica esquemticamente en la figura:
A
B
UER
Como no hay prdida de masa en productos de bajo peso molecular en la reaccin de polimerizacin la
masa molecular de la UER es:
MUER = 2MwB + 3MwA
Y en un m3 habr
NUER =
MUER
MUER = 5.344 10
NUER = 0.111
kmol de UER/m3
Puesto que cada UER contiene 2 residuos monomricos de B y 3 de A, por m3 se obtiene igualmente los
siguientes kmoles de A y de B:
NA = 3 NUER
NA = 0.333 kmol de A/m3
NB = 2NUER
NB = 0.222 kmol de B/m3
4. Tambin puede razonarse teniendo en cuenta que todos los grupos funcionales deben reaccionar
(cantidades estequiomtricas). Puesto que A aporta dos grupos funcionales y B tres, las cantidades
(molares) de A y B deben estar en la relacin 3:2, luego:
2014-2015
254
NA =
3
NB
2
NA = 0.333 kmol de A/m3
Por ltimo, conociendo E y n, obtener implica hallar una raz de un polinomio cbico en , por
ejemplo por el mtodo de Newton-Raphson ( es de compresin, es decir, negativo):
f( ) =
fprima ( ) = 1 +
partiendo de una aproximacin inicial:
0 = 1
1 = 0
2 = 1
( )
fprima ( 0 )
f( 1)
fprima ( 1 )
f 0
1 = 0.921212
2 = 0.927055
Y tomando este ltimo valor como correcto con tres cifras significativas:
= 2
Luego el disco se acorta del espesor original = 0.023 a = 0.0213 m.

_________________________________________________________________________________
2014-2015
255
7 Propiedades de no
equilibrio: conductividades
y resistividades
generalizadas
7.1
Corriente de Fuga en Silicio Dopado
Una oblea de Si puro se dopa por difusin exponindola durante un tiempo determinado a
una atmsfera de vapor de fsforo de manera que la concentracin de ste en la superficie
de la oblea es fija y conocida. Considerando ionizacin completa del dopante, determinar:
1. el perfil de concentracin del dopante en funcin de la profundidad una vez terminado
el tratamiento y
2. a temperatura ambiente, la corriente de fuga que circula entre dos tramos de dos pistas
paralelas de aluminio de longitud 20 m , de profundidad 35 m y que estn separadas
20 m sobre este sustrato de Si dopado.
l = 2 0 1 0 6 m
superficie
dopado
decreciente
x2
Aluminio
h = 3 5 1 0 6 m
s = 2 0 1 0 6 m
Silicio
Datos:
temperatura: T = 1430 K
2014-2015
capa lmite
x3
x1
256
concentracin superficial de fsforo: Cs = 3.11020
tomos/cm3
duracin del tratamiento: t = 15 s

difusividad del P en Si a la temperatura del tratamiento: D = 2.0 1012
m 2 /s
diferencia de potencial entre pistas: V = 1.3 V

Sol.: la primera parte del problema corresponde a la difusin de un dopante en una oblea
de silicio (medio semi-infinito). El perfil de concentracin en funcin del tiempo y de la
profundidad est dado por:
Cs C ( x1 )
x
= erf 1 con C0 = 0 y Cs = 3.11020
Cs C0
2 Dt
Al cabo de los t = 15 s de tratamiento, la capa lmite tiene un espesor:
4 Dt = 2 105 m
El perfil de concentracin se determina calculando la concentracin de dopante para

cinco valores igualmente espaciados de la profundidad (medida desde la superficie) hasta
el espesor de la capa lmite (a mayores profundidades el dopaje es muy ligero y la
conductividad de la oblea ser aprox. la del Si intrnseco, es decir, muy baja comparada
con la de las partes dopadas). Es perfectamente aceptable tener en cuenta la contribucin a
la conduccin slo del espesor de Si entre la superficie y la capa lmite (20 micras) y no
hasta la profundidad total de las pistas (35 micras). El error que se comete es muy
inferior, por ejemplo, a la incertidumbre experimental en el valor de la difusividad.
La siguiente tabla se utiliza para calcular/interpolar el valor de la funcin error erf ( x )
para cada valor del argumento x (esta tabla se seguir usando en problemas sucesivos):
x
erf ( x )
erf ( x )
erf ( x )
erf ( x )
El perfil de concentracin resultante es:

profundidad, x1 (m) C ( x1 ) (tomos/cm3 )
0
3.1 1020
5 10-6
1.61 1020
10 10-6
0.65 1020
15 10-6
0.16 1020
20 10-6
0.0311020
El problema puede hacerse igualmente considerando la profundidad total de la pista,
aunque de este modo se realizan clculos innecesarios. Uno de los objetivos del problema
2014-2015
257
es hacer uso del concepto de capa lmite e ilustrar su utilidad para estimar el alcance de un
tratamiento superficial por difusin.
Observando ahora la geometra dada, la intensidad que circula entre las dos pistas se
obtiene integrando las contribuciones a la intensidad del material a cada profundidad.
Puesto que el dopado vara con la profundidad, la movilidad de los portadores (electrones
en este caso) y la conductividad del material tambin variarn con la profundidad.
Cualitativamente, los perfiles de concentracin de dopante (y por tanto de portadores,
porque cada tomo de P (grupo V) proporciona 1 electrn de ms), de movilidad
electrnica y de conductividad son:
C ( x1 )
x1
x1
n ( x1 )
x1
( x1 )
Movilidad electrones (cm2V-1s-1)
La variacin de la movilidad elecrnica con la concentracin total de dopantes para el Si a

300 K se lee de la siguiente grfica:
Concentracin total de impurezas (cm-3)
Se leen las cinco movilidades para las cinco concentraciones de dopante calculadas
(atencin, es doble escala logartmica) y, para cada profundidad, se determina la
conductividad de la oblea dopada usando la expresin ( x1 ) = q n ( x1 )C ( x1 ) :
2014-2015
258
x1 (m)
n ( x1 ) (m2 /V s) C ( x1 ) (tomos/m3 ) ( x1 ) (S/m)
0
5 10-6
10 10-6
15 10-6
90 10-4
93 10-4
95 10-4
110 10-4
3.1 1026
1.611026
0.65 1026
0.16 1026
0.45 106
0.24 106
0.091106
0.028 106
20 10-6
166 10-4
0.0311026
0.008 106
La corriente total que pasa de una pista a la otra se puede obtener sumando las
contribuciones a cada profundidad (los elementos de espesor d x1 se comportan como
resistencias en paralelo, todas sometidas a la misma diferencia de potencial y
contribuyendo cada una un d I a la corriente total):
l
dI
d x1
pista
pista
x1
La intensidad total se obtiene sumando (integrando) las contribuciones de todas las capas:
1
s
( x1 ) ld x1
I total = d I ( x1 ) =
l V
s
( x1 )d x1
en la ley de Ohm se utiliza la resistencia de la capa diferencial de longitud s y de seccin

transversal ld x1 . Puesto que la variacin de la conductividad se conoce slo en forma de
tabla, es preciso usar una frmula de integracin numrica. Por ejemplo la ms simple, la
regla trapezoidal con subintervalos de integracin iguales:
f ( x)
f ( x2 )
f ( x1 )
f ( xN 1 )
f ( xN )
f ( x0 )
x0
2014-2015
x1
x2
x
xN 1
xN
259
xN
x0
f ( x)d x
( x1 )d x1 5 106
1
h ( f ( x0 ) + 2 f ( x1 ) + 2 f ( x2 ) + + 2 f ( xN 1 ) + f ( xN ) )
2
h x1 x0 = x2 x1 = = xN xN 1
1
( 0.45 106 + 2 0.24 106 + 2 0.091106 + 2 0.028 106 + 0.008 106 )
2
l V
I total =
( x1 )d x1 = 3.83 A
s 0
El resultado obtenido es una corriente enorme comparada con las que circulan en un
circuito microelectrnico tpico. Indica que la conductividad del semiconductor dopado es
apreciable y no asla las pistas unas de otras. En la prctica es necesario casi siempre
recubrir primeramente el sustrato semiconductor dopado con una capa de aislante (que
puede ser el mismo xido del semiconductor, por sus buenas cualidades como aislante, y
por la facilidad de fabricacin in situ) y luego depositar sobre esta capa aislante las pistas
metlicas conductoras.
________________________________________________________________________
7.2
Conductividad Elctrica (1)
Las componentes del tensor conductividad elctrica de un determinado monocristal

medidas en los ejes convencionales del material son las siguientes:
6 0 0
1
= 0 4 0 106 ( m )
0 0 10
Se aplica un campo elctrico de mdulo E = 100 V/m a lo largo de la direccin [1 1 1]

del monocristal. Sabiendo que los parmetros de red son
b = 1.25 109 m y c = 4.8 1010 m , determinar:
a = 1.02 109 m ,
1. el sistema cristalogrfico al que pertenece el monocristal,

2. el vector densidad de corriente elctrica J ,
3. el ngulo formado por los vectores E y J ,
4. y la magnitud de la conductividad elctrica a lo largo de la direccin [1 1 1].
Sol: a la vista de la estructura de la matriz de una propiedad de 2 orden simtrica, como
es la conductividad elctrica, el monocristal pertenece al sistema ortorrmbico.
Aplicando la ley de Ohm inversa se puede calcular el vector densidad de corriente
elctrica J :
J = E
Slo falta conocer las componentes del campo elctrico E ; observando la figura siguiente
se obtienen las tres componentes del vector unitario en la direccin [1 1 1] para la celda
ortorrmbica cuyos parmetros de red se dan en el enunciado:
2014-2015
260
z e
n1 =
[111]
n2 =
n3 =
a
a 2 + b2 + c2
b
a 2 + b2 + c2
c
a 2 + b2 + c2
x c
E inmediatamente se determinan las componentes del campo elctrico:
E1 = E n1 = 60.60 V/m
E2 = E n2 = 74.26 V/m
E3 = E n3 = 28.52 V/m
con lo que la densidad de corriente elctrica, expresada como un vector, resulta:
6 0 0 60.60 3.636
J = E = 10 0 4 0 74.26 = 2.971 104 A/m 2

0 0 10 28.52 2.852
El ngulo que forman el campo elctrico y la densidad de corriente elctrica se calcula a

partir del producto escalar:
cos =
J E
= 18.06
J E
El valor de la conductividad elctrica a lo largo de la direccin pedida ser (ver

propiedades de 2 orden en una direccin):
[111] = ni n j ij = n1n1 11 + n2 n2 22 + n3 n3 33 = 5.223 106 ( m )
________________________________________________________________________
7.3
Diagonalizacin de
Propiedades de 2 Orden
Simtricas (encontrar Ejes Principales)

Una muestra en forma de cubo de un material conductor tetragonal se somete a medidas
de resistividad elctrica y se obtiene el siguiente resultado:
16 0 0
= 0 10 6 m
0 6 10
2014-2015
261
Determinar cmo est cortada la muestra respecto de los ejes principales y expresar la
resistividad en estos ejes.
Sol.: la resistividad, expresada en el sistema de los ejes principales, debe tener forma
diagonal (ste es precisamente el criterio de definicin de los ejes principales). Para estas
tres direcciones especiales, que dependen de la simetra del material, no tuerce el
resultado de multiplicar J , es decir, el campo elctrico E ser colineal con la
densidad de corriente J . Para determinar las resistividades y las direcciones principales
es preciso resolver el problema de autovalores/autovectores:
E = J = J = J
I J = 0
Los autovalores se obtienen de la ecuacin secular:

16
0
0
10
6 = 0 (16 ) (10 ) 2 36 = 0
6 10
y son: = 16, = 16 y = 4 .
Los autovectores asociados con estos autovalores se obtienen de:
0 x1 = 0
x cualquiera
= 16 (doble) 6 x2 6 x3 = 0 1
x2 + x3 = 0
6 x2 6 x3 = 0
Como hay infinitas soluciones, se eligen 2 direcciones ortogonales entre s que cumplan la
condicin anterior, por ejemplo las definidas por los siguientes vectores unitarios:
1
1 = 16 u1' = 0
0
2 = 16 u 2' = 2 / 2
2 / 2
Para el tercer autovalor se procede anlogamente:

12 x1 = 0
x1 = 0
= 4 6 x2 6 x3 = 0
x x =0
6 x2 + 6 x3 = 0 2 3
y se elige un vector unitario que sea ortogonal con los dos anteriores:
0
u 3' = 2 / 2
2 / 2
Estos son los vectores unitarios de la nueva base cde respecto de la vieja cde
para la cual se han medido los valores de resistividad del enunciado. Se comprueba que
forman un triedro a derechas. La matriz de giro del sistema original (viejo) al nuevo, en
2014-2015
262
el que la resistividad es diagonal, se construye colocando por filas los vectores de la base
nueva expresados en la base antigua, es decir:
1
L = 0
0
2 / 2 2 / 2
2/2
2 / 2
0
La resistividad expresada en el sistema nuevo cde se obtiene como:

1
' = L L = 0
0
0
16 0 0 1
2 / 2 2 / 2 0 10 6 0
2/2
2/2
2 / 2 0 6 10 0 2 / 2
0
0 16 0 0
2 / 2 = 0 16 0
2 / 2 0 0 4
que es efectivamente diagonal. Los valores de la resistividad en los ejes principales son
consistentes con el enunciado (material tetragonal), puesto que dos valores son iguales y
el tercero es diferente, como se ve en la estructura de un tensor de 2 orden simtrico
(resistividad elctrica) de un material tetragonal:
.
.
En este caso los ejes principales encontrados guardan relacin con los ejes cristalogrficos
y con los ejes convencionales. Si el material es tetragonal (celda unitaria con ngulos de
90) las direcciones de los ejes cristalogrficos coinciden con los ejes principales y stos
con los ejes cartesianos en la orientacin convencional.
Representando los ejes antiguos (los originales) y los nuevos (principales =
convencionales) grficamente:
cristal
muestra
d
cc
c
a
a
La muestra ha sido cortada del monocristal del material como se ilustra en la figura.
Tambin es posible identificar como direcciones cristalogrficas equivalentes x , y las
2014-2015
263
que definen la base del prisma tetragonal, planos {001}, coincidentes con los ejes c y
d. La direccin e es la del eje z cristalogrfico.
Los datos de resistividad tambin son consistentes con un material hexagonal o trigonal.
Con las medidas de resistividad disponibles no es posible diferenciar entre estas tres
alternativas. Los valores diferentes de las conductividades en las direcciones principales
indican que el flujo de electrones tiene lugar con mayor facilidad en unas que en otras. En
este caso, el material conduce mejor en la direccin e al tener un valor menor de la
resistividad.
Los valores numricos negativos para algunas componentes de la resistividad no
representan ninguna contradiccin fsica. Los experimentos en los que se mide la
resistividad se realizan simplificadamente del siguiente modo:
fuente de alimentacin con la que se
impone una densidad de corriente elctrica
a travs de la muestra de la forma:
32 < 0
0
J = J2

0
medida de la diferencia de
potencial (campo elctrico)
entre las caras e:
E3
La componente 32 negativa de la resistividad implica que cuando la corriente aplicada en

la muestra es positiva (hacia +d), se mide un campo negativo (hacia -e). Sin embargo,
una vez que la resistividad est expresada en el sistema de direcciones principales, no
puede contener elementos (diagonales) negativos que implicaran un flujo de carga en
contra de la fuerza impuesta por el campo elctrico.
________________________________________________________________________
7.4
Semiconductor Intrnseco (1)
La densidad de portadores intrnsecos para un determinado elemento semiconductor del

grupo IV a 300K es ni = 1.4 1016 portadores/m3 . Si la densidad del elemento es
= 2800 kg/m3 y su masa atmica es 51 kg/kmol, determinar el porcentaje de tomos

tomos ionizados
100 .
de este elemento que se encuentran ionizados a 300 K
tomos totales
Sol.: el nmero de tomos ionizados por metro cbico coincide con la densidad de
portadores intrnsecos. Los tomos totales por metro cbico se calculan teniendo en
cuenta la densidad y la masa atmica del elemento:
2014-2015
264
tomos totales
kg 1 kmol N A 103 t.
tomos totales
2800
=
= 3.307 1028
3
3
m
m
51 kg
1 kmol
m3
Por lo que el porcentaje de tomos ionizados es:

tomos ionizados
1.4 1016
100 =
100 = 4.23 1011 %
28
tomos totales
3.307 10
________________________________________________________________________
7.5
Semiconductor Intrnseco (2)
Sabiendo que la resistividad elctrica de un determinado semiconductor intrnseco a

300C es 7.95 m , determinar la separacin (en eV) entre los niveles energticos
correspondientes a la banda de valencia y a la banda de conduccin para dicho material.
Datos a temperatura ambiente (300K):
ni = 1.11015 portadores/m3 ; n = 0.720 m 2 /V s; p = 0.015 m 2 /V s
Sol.: la diferencia de energa ( Eg ) entre las bandas de valencia y conduccin en un

semiconductor intrnseco se calcula a partir de la expresin de la conductividad elctrica
en funcin de la temperatura ( k B = 8.62 105 eV/K , es la constante de Boltzmann):
T = 0 exp( Eg 2k BT )
Conocidos los valores de conductividad a dos temperaturas diferentes, se puede
determinar Eg :

E 1
573
1
2k B
ln 573
= exp g
Eg = 1
1 300
300
2k B 573 300
573 300
La conductividad elctrica del semiconductor intrnseco a temperatura ambiente (300K)

se calcula a partir de los datos del enunciado:
300 = ni q ( n + p ) = 1.294 104 ( m )
y la conductividad a 573K a partir del dato de resistividad:
573 =
573
= 0.126 ( m )
por lo que simplemente sustituyendo se determina el valor de Eg :
Eg =
2 8.62 105 0.126

ln
= 0.75 eV
1 1.294 104
1
573 300
________________________________________________________________________
2014-2015
265
7.6
Conductividad Elctrica (2)
Se dispone de un cristal ortorrmbico para el que se conocen los valores de las

componentes del tensor conductividad elctrica ij en las direcciones convencionales.
Determinar el mdulo de la densidad de corriente elctrica cuando se aplica un campo
elctrico de 100 V/m en la direccin [1 0 1] en un punto del cristal ortorrmbico.
Datos: parmetros de red a = 0.125 nm, b = 0.180 nm y c = 0.455 nm ,
y las conductividades elctricas medidas en los ejes convencionales:
11 = 4 105 ( m ) , 22 = 2 105 ( m ) y 33 = 5 105 ( m )

1
Sol.: de acuerdo con la ley de Ohm inversa J = E las componentes del tensor
densidad de corriente elctrica en un punto del cristal se calculan multiplicando matriz por
vector. Primero se calculan los cosenos directores de la direccin [1 0 1] y con ello las
componentes del campo elctrico:
z e
[1 0 1]
n1 =
a
a2 + c2
n2 = 0
n3 =
b
a
y
d
c
a2 + c2
xc
4 0 0
0.2649 1.0596
J = E = 10 0 2 0 10 0 = 0 103 A/m 2
0 0 5
0.9643 4.8215
El mdulo del tensor densidad de corriente elctrica ser:

J = 4.937 103 A/m 2
________________________________________________________________________
7.7
Dopaje de una Oblea de Silicio (1)
La conductividad de una oblea de silicio se aumenta mediante dopaje con tomos de

fsforo. Para ello, el fsforo se difunde en la oblea de silicio a una temperatura de
1100C, de modo que la resistividad elctrica medida a una profundidad de 4 106 m y a
una temperatura de 27C sea 0.055 m . Suponiendo que inicialmente la oblea de silicio
no contiene ninguna impureza y que la concentracin de tomos de fsforo en la
superficie es 1023 tomos/m3 , determinar el tiempo necesario para efectuar el dopaje.
2014-2015
266
Datos: D1100C = 3 1017 m 2 /s , n(300K) = 0.135 m 2 /V s , p(300K) = 0.048 m 2 /V s
Considerar la oblea de silicio como un medio semiinfinito.
Sol.: se trata de un problema de difusin y el perfil de concentracin de dopante es:
Cs Cx1
Cs
x
= erf 1
2 Dt
Se necesita calcular previamente la concentracin de dopante Cx1 a la profundidad x1 . Al

dopar la oblea de silicio con tomos de P, se obtiene un semiconductor extrnseco tipo n
(no homogneo), cuya resistividad elctrica a la profundidad dada vendr determinada por
la concentracin de impurezas precisamente a esa profundidad:
1
qn nn
nn =
1
= N d = Cx1 = 8.418 1020 tomos/m3
qn
Sustituyendo en el perfil, y usando la tabla de la funcin error, se despeja t = 38230 s .

________________________________________________________________________
7.8
Se difunde fsforo en una oblea gruesa de Si puro a una temperatura de 1000C. Si la

concentracin de tomos de fsforo en la superficie de la oblea es de 11027 tomos/m3 ,
calcular cunto tiempo se necesita para que la concentracin del agente dopante sea de
4 1023 tomos/m3 a una profundidad de 1 m .
Datos: D0 = 3.9 104 m 2 /s; Q = 353 kJ/mol; R = 8.314 J/mol K
Sol.: el tiempo solicitado se determina a partir del perfil de concentraciones para la
difusin de un dopante en un medio semiinfinito:
Cs Cx1
x
= erf 1
Cs C0
2 Dt
En esta ecuacin son conocidos Cs , Cx1 y C0 y falta por determinar el coeficiente de

difusin que, de acuerdo con una ecuacin de Arrhenius, viene dada por:
Q
353000
4
18
2
D = D0 exp
= 3.9 10 exp
= 1.276 10 m /s
RT
8.314 1273
Sustituyendo,
Cs Cx1
11027 4 1023
=
= 0.9996 = erf ( x )
Cs C0
11027
e interpolando en la tabla de la funcin error, se obtiene el argumento x y finalmente el

tiempo pedido:
1106 )
(
x12
erf ( x ) = 0.9996 x = 2.52 t = 2 =
= 3.086 104 s
4 x D 4 2.522 1.276 1018
2
________________________________________________________________________
2014-2015
267
7.9
Si se difunde boro en una oblea de silicio puro a una temperatura de 940 C durante 6 h,
cul es la profundidad bajo la superficie a la que la concentracin de los tomos de boro
es de 1016 tomos/cm3 , si la concentracin en la superficie es de 1018 tomos/cm3 ?
Difusividad, cm2/s
Leer el valor de la difusividad de boro en silicio de la siguiente grfica.
10 12
10 13
10 14
10 15
10 16
10 17
7
10
11
10000 -1
K
T
Sol.: la profundidad solicitada corresponde exactamente al espesor de la capa lmite, es

decir, la profundidad a la que la concentracin de dopante es el 1% de la concentracin en
la superficie: 4 Dt . El coeficiente de difusin o difusividad de boro en silicio se
determina grficamente, entrando con la inversa de la temperatura absoluta a la que se
realiza el proceso de difusin:
T = 940 + 273 = 1213 K
10000
= 8.24 K -1
T
y leyendo D = 1014.5 cm 2 /s = 3.16 1015 cm 2 /s = 3.16 1019 m 2 /s . Al sustituir resulta
4 Dt = 4 3.16 1019 6 3600 = 3.31107 m
________________________________________________________________________
7.10 Semiconductor Dopado

Como es sabido, la conductividad de los semiconductores depende de la temperatura y de
la presencia de impurezas. Se dispone de un determinado semiconductor intrnseco
formado por tomos de un elemento X cuya configuracin electrnica es similar a la del
grupo IV. Con el objeto de aumentar su conductividad elctrica, una oblea de este
material puro (X) se dopa con tomos de un elemento E.
Determinar:
1. La densidad volumtrica del semiconductor intrnseco X, X (kg/m3 ) , sabiendo que
su estructura cristalina es como la del silicio.
2014-2015
268
2. La temperatura a la que una millonsima parte de los tomos del semiconductor X
(106 tomos) se encuentran ionizados.
3. La concentracin de portadores intrnsecos, ni (portadores/cm3 ) , a 323K.
4. El grupo de la tabla peridica al que podra pertenecer el elemento E, si cuando el
semiconductor X se dopa con una concentracin de E de 5 1016 tomos/cm3 , el valor de
la conductividad elctrica, medida a 323K, es aproximadamente 1.4 103 ( m) 1 .
Suponer que los tomos de la impureza estn totalmente ionizados.
5. La contribucin de los portadores minoritarios a la conductividad del semiconductor
minoritarios
dopado a esa temperatura
100 .
minoritarios + mayoritarios
Concentracin de portadores intrnsecos

ni (portadores/cm3)
Datos: MwX = 60 kg/kmol, RX = 0.145 nm . Utilizar las grficas que se adjuntan.
1000 -1
K
T
Figura 1 Variacin de la concentracin de portadores intrnsecos con la inversa de

la temperatura absoluta para tres semiconductores diferentes (X, Y, Z). El
semiconductor de este problema es X.
2014-2015
Movilidad de portadores a 323 K

(cm2/V s)
269
1500
electrones
1000
500
huecos
1014
1016
1018
1020
Concentracin total de impurezas (tomos/cm3)
Figura 2 Variacin de la movilidad de portadores de carga en el semiconductor X a

323 K con la concentracin total de impurezas.
Sol.:
1. La densidad volumtrica del semiconductor intrnseco X, sabiendo que su estructura
cristalina es como la del silicio (tipo blenda de cinc), se calcula teniendo en cuenta que en
cada celda de lado a hay 8 tomos de X, es decir:
8R
1
8 0.145 109
a 3 = 4 RX a = X =
= 6.697 1010 m
2
3
3
8 MwX
X = 3
= 2656.5 kg/m3
26
a 6.023 10
2. En un semiconductor intrnseco se cumple:
ni = nelectrones = phuecos = N tomos ionizados

y slo hay una millonsima parte de los tomos de X que estn ionizados, segn el
enunciado. Como la concentracin total de tomos de X es de 8 tomos por celda de
volumen a 3 , se obtiene una concentracin de portadores de carga:
ni = N t. ioniz. = 106
t. ioniz. 8 t. tot.
3
= 2.663 1022 t. ioniz./m3 = 2.663 1016 port./cm3
3
t. tot. a m
La Figura 1 representa la concentracin de portadores intrnsecos ni en funcin de la

temperatura. La temperatura a la que una millonsima parte de los tomos de X se
encuentran ionizados se lee entrando en la Figura 1 con esta concentracin de portadores
(es escala logartmica y se lee en la lnea correspondiente al semiconductor X):
ni = 2.663 1016 port./cm3 abscisa 2 =
1000
T = 500 K
T
3. La concentracin de portadores intrnsecos a 323K se lee en la misma figura:
2014-2015
270
abscisa
1000
= 3.09 K 1 ordenada 5.411013 port./cm3
323
4. El semiconductor X se dopa con el elemento E ( 5 1016 tomos/cm3 ) de forma que la

conductividad extrnseca, prcticamente slo debida a los portadores mayoritarios
(dopado tipo n o tipo p), a 323K es 1.4 103 ( m) 1 . Si fuera:
tipo n portadores mayoritarios = electrones n = nn q n
tipo p portadores mayoritarios = huecos
p = p p q p
Las movilidades de electrones y huecos se obtienen en la Figura 2 entrando por la abscisa

(escala logartmica) con la concentracin total de impurezas 5 1016 tomos/cm3 y
leyendo la ordenada de cada curva (escala lineal):
n = 883 cm 2 /V s y p = 367 cm 2 /V s
Si el semiconductor fuera tipo n, la concentracin de portadores sera:
n
1.4 103
nn =
=
= 9.911022 electrones/m3 = 9.911016 electrones/cm3
19
4
q n 1.6 10 883 10
y la relacin entre el nmero de electrones y el nmero de tomos de E:
9.911016
= 1.98 2
5 1016
con lo que E es un tomo del grupo VI: cada tomo de impureza aporta 2 electrones.
La posibilidad de que el semiconductor fuera tipo p se descarta con un razonamiento
anlogo:
pp =
p
1.4 103
=
= 2.38 1023 huecos/m3 = 2.38 1017 huecos/cm3
q p 1.6 1019 367 104
huecos
2.38 1017
=
= 4.76 5
tomos E
5 1016
No existe un tomo E con 5 huecos. Luego se trata de un semiconductor extrnseco tipo n.

5. Para hallar la contribucin de los portadores minoritarios a la conductividad del
semiconductor extrnseco tipo n, a 323K, se necesita calcular la concentracin de huecos
(portadores minoritarios):
13
ni2 ( 5.4110 )
=
= 2.95 1010 huecos/cm3 = 2.95 1016 huecos/m3
pn =
16
9.91 10
nn
2
p q
minoritarios
minoritarios
100
100 = n p 3 100
1.4 10
minoritarios + mayoritarios
extrnseca
minoritarios
2.95 1016 1.6 1019 367 104
100 =
100 = 1.24 105 %
extrnseca
1.4 103
________________________________________________________________________
2014-2015
271
7.11 Conductividad Trmica (1)

Para determinar la conductividad trmica de un monocristal se aplica el siguiente
gradiente de temperatura, cuyas componentes en las direcciones c y d tienen el mismo
valor numrico y la componente en la direccin e es cero:
c
T = c
0
En estas condiciones se mide un flujo de calor que presenta tres componentes distintas,
ninguna de las cuales es nula. A cul de las siguientes clases cristalogrficas puede
pertenencer el monocristal?
mm 2
2/m
42m
32
43m
Sol.: aplicando la ley de Fourier y sustituyendo los datos del enunciado:

q1
k11
q = k T q2 = k12
k
13
q3
k12
k22
k23
k13 c
k23 c
k33 0
resultan las componentes del flujo de calor, distintas y ninguna nula:

q1 = k11c k12 c
q2 = k12 c k22 c
q3 = k13c k23c
Teniendo en cuenta las posibles estructuras del tensor conductividad trmica (propiedad
de orden 2, simtrica) slo dos sistemas cristalogrficos cumplen la condicin anterior:
monoclnico y triclnico. De las opciones dadas, el monocristal slo puede pertenecer a la
clase 2 / m .
________________________________________________________________________
7.12 Conductividad Trmica (2)

Un determinado material cermico utilizado en recubrimientos para hornos cristaliza en el
sistema tetragonal, siendo las componentes del tensor conductividad trmica en las
direcciones convencionales las siguientes:
k11 = 1.90 Wm-1K -1 y k33 = 2.50 Wm -1K -1
2014-2015
272
Si las dimensiones de la celda tetragonal son a = 2.5 nm y c = 5.0 nm , determinar la
conductividad trmica a lo largo de la direccin [0 1 1].
Sol.: se trata de calcular el valor de una propiedad de segundo orden simtrica ( k ) de un
material tetragonal en una direccin dada. Los cosenos directores de la direccin [0 1 1]
en una celda tetragonal son:
z e
[ 0 11]
n1 = cos 90 = 0
n2 =
n3 =
a
y
d
a
a2 + c2
c
a2 + c2
xc
Por lo que k[011] = ni n j kij = n12 k11 + n22 k11 + n32 k33 = 2.38 Wm -1K -1 .
________________________________________________________________________
7.13 Viscosidad Lubricante Sinttico

En la mayora de los lubricantes sintticos, se aade un polmero como aditivo a un aceite.
La adicin del polmero hace que el lubricante tenga una viscosidad variable y
dependiente del mdulo de la velocidad de deformacin :
( )
= 5 103
0.6
Pa s
Este aceite se usa como lubricante entre un casquillo fijo y un eje de las dimensiones que
se indican en la figura. El eje gira a una velocidad de 120 rpm y se considera que es
concntrico con el casquillo 1. La holgura entre ambos es = 200 m .
en realidad el eje debe ser excntrico para conseguir el efecto de lubricacin hidrodinmica. En el problema
del eje excntrico el material lubricante no est sometido a un gradiente de velocidad espacialmente
uniforme, es decir, no es un problema homogneo y no pertenece a esta asignatura, sino a Mecnica de
Fluidos o Mecnica.
2014-2015
273
L = 10 cm
casquillo fijo
pelcula de lubricante
R = 6 cm
eje
El lubricante polimrico es no newtoniano y obedece la ley constitutiva del fluido

newtoniano generalizado:
( )
=
Teniendo en cuenta que
R , calcular:
1. el par resistente necesario para hacer girar el eje en estado estacionario y

2. la potencia consumida por disipacin viscosa.
Sol.: puesto que la holgura es mucho menor que el radio del eje o del casquillo, se puede
despreciar la curvatura. El campo de velocidad en estado estacionario, con veje en m/s y
en rad/s , es:
v eje = R
eje
e
casquillo fijo
x2
v1 ( x1 , x 2 , x 3 ) = R
pelcula de v v 2 ( x1 , x 2 , x 3 ) = 0
v ( x , x , x ) = 0
lubricante
3 1 2 3
c
el gradiente de velocidad simetrizado tiene la siguiente estructura:
= v + ( v )
0
= R /
0
R /
0
0
0
0
0
y su mdulo es:
1
1
R
: T =
ij ij =
= 3770 s -1
2
2
A la velocidad de giro dada, la viscosidad del lubricante polimrico se calcula:
( )
= 5 103 37700.6 = 35.7 Pa s

y la estructura del tensor de tensiones es:
2014-2015
274
( )
= = R /
( )
R /
( )
0
0
De acuerdo con la definicin de tensin para fluidos 21 es negativo, lo que es consistente

con que la fuerza de resistencia viscosa del lubricante al giro del eje acta en sentido -c
sobre una superficie cuya normal exterior apunta en sentido +d:
d
eje
(material positivo)
fuerza
pelcula de lubricante
(material negativo)
Puesto que toda la superficie exterior del eje est sometida a esta misma tensin
tangencial, y la fuerza de resistencia viscosa es perpendicular al radio del eje, el par
resistente total es:
( ) R 2 RL = 2 R L ( ) = 306 N m
M = R
Y la potencia disipada por viscosidad del lubricante:
( )
M = 2 R 3 L
2
= 3.85 kW
________________________________________________________________________
7.14 Viscosidad Recubrimiento Superficial

Para aplicar un recubrimiento superficial acrlico de alta resistencia de espesor = 1 mm
y de color verde se prepara una emulsin en agua de polivinilalcohol (PVOH) y acetato
de polivinilo (PVAc).
El pigmento a utilizar es sesquixido de cromo Cr2 O3 . La concentracin de pigmento es
del 36 % en masa del total. Del resto, el 50 % en masa es agua y el 50 % es polmero. La
composicin de la fase polmero es de 80 % en masa de PVOH y el resto PVAc.
La aplicacin del recubrimiento se lleva a cabo a brocha segn el esquema que se adjunta.
2014-2015
275
La viscosidad de la emulsin depende de la velocidad de deformacin y de la fraccin

volumtrica de slidos (pigmento en este caso) de la siguiente manera:
( )
, = 3.24
1 + 2.5
1 + 3.1
0.62
donde es la viscosidad en Pa s, el mdulo de la velocidad de deformacin en s 1 y
la fraccin volumtrica de slidos.

Calcular la viscosidad del recubrimiento lquido en el momento de ser aplicado y una vez
depositado el recubrimiento (puntos B y A en el esquema). Qu utilidad prctica puede
tener la diferencia en viscosidades?
Densidades: Cr2O3 = 5210, PVOH = 1090, PVAc = 1180 y H2O = 1000 kg/m 3 .
Sol.: el mdulo de la velocidad de deformacin en el punto B, igual que en el problema
anterior, es:
0.1
= 100 s -1
3
10
La fraccin volumtrica de slidos en la emulsin, tomando como base de clculo 100 kg

de emulsin, es:
36
Cr O
2
36
Cr O
2
+
3
32
H O
2
32 0.8 32 0.2
+
PVOH
= 0.102
PVAc
Entonces, la viscosidad del recubrimiento en el momento de su aplicacin (punto B) es:
( )
, = 0.12 Pa s
y una vez depositado (punto A), es decir, en reposo, no hay velocidad:
( 0, ) = 4.07 Pa s
________________________________________________________________________
2014-2015
276
7.15 Termoformado
El termoformado es una tcnica de procesado muy extendida en la que una lmina de
material polimrico calentada por encima de su temperatura de transicin vtrea se
deforma por efecto del vaco, de un pistn o de ambos a la vez. El termoformado se utiliza
con mucha frecuencia para fabricar recipientes, envases y pequeos contenedores.
lmina de PS
c
aire
aire
D
pistn
tope
En un proceso de fabricacin de envases cilndricos de poliestireno (ilustrado en la figura)

el pistn, que avanza sin molde hasta un tope, tiene un dimetro exterior D = 0.07 m . A
los t = 0.3 s del comienzo del avance del pistn, el espesor de la pared de PS en el punto
P de la figura es = 0.0013 m y el campo de velocidad (denominado campo de velocidad
"extensional plano") en dicha pared est dado por:
v1 ( x1 , x2 , x3 ) = x1
v2 ( x1 , x2 , x3 ) = 0
v3 ( x1 , x2 , x3 ) = x3
con = 34 s -1 ,
referido a un sistema de coordenadas cartesiano centrado en P y con los siguientes ejes:
eje c en la direccin radial del pistn,
eje d en la direccin tangencial del pistn y
eje e en la direccin de avance del pistn.
Por su parte, la viscosidad del PS fundido a la temperatura de trabajo depende del mdulo
del tensor velocidad de deformacin, en s 1 , y obedece a la siguiente relacin:
( )
= 5.11105
2014-2015
(1 + 8.2 )
0.6
Pa s
277
El tensor de tensiones en el PS fundido depende de la viscosidad y de segn la
siguiente ec. constitutiva (fluido newtoniano generalizado):
( )
( ) ( v + ( v ) )
= =
Pa
Determinar:
1. la viscosidad del PS en el punto indicado y en ese momento,
2. la fuerza (viscosa, de "resistencia") que ejerce el PS sobre el pistn en ese momento (y
que es una de las contribuciones a la fuerza que debe realizar el pistn para avanzar
deformando la lmina).
Sol.: la viscosidad depende del mdulo del tensor velocidad de deformacin. ste es el
tensor gradiente de velocidad simtrico o simetrizado:

v = 0
0
0 0
2
T
0 0 = v + ( v ) = 0
0
0
0
0 0
0 2
y su mdulo, usando el convenio de sumacin sobre ndices repetidos, es:
1
1
: T =
ij ij
2
2
O bien, sin utilizar el convenio de sumacin de ndices repetidos, se obtiene una expresin
con 9 trminos, que en este caso se reduce a:
1 3 3
1
2
( ( 11 )2 + ( 33 )2 ) = 4 2 = 68 s1
( ij ) =
2 i =1 j =1
2
( )
Sustituyendo en la expresin de la viscosidad: = 1.15 104
Pa s
Para calcular la fuerza que ejerce el polmero fundido sobre el pistn se debe, en primer
lugar, obtener el tensor de tensiones en el PS por medio de la ecuacin constitutiva dada:
( )
( )
= 0
0
781033 0
Pa
0
0
0
0
= 0
0
0
781033
0 2
( )
La componente 11 no es nula y corresponde a la fuerza ejercida en direccin c sobre una

superficie cuya normal apunta en direccin c, es decir, la superficie libre del fluido.
Tiene que ser igual a la presin ejercida por la atmsfera, es decir, la referencia o cero de
tensin normal. Esto implica que la tensin 33 debe medirse o calcularse relativa a este
cero, es decir, a su valor debe restrsele el de 11 . Fsicamente refleja el hecho de que, al
estar la superficie libre en equilibrio, la presin atmosfrica iguala a la componente (o
componentes) diagonal de que corresponde(n) a una superficie libre. La tensin a
realizar es el valor correspondiente, p.ej. 33 en este caso, medido desde la presin
2014-2015
278
atmosfrica, que es, en este caso, igual a 11 . Igualmente la componente 22 debe ser
corregida y corresponde en realidad a una tensin 22 11 = 781033 Pa , cuyo signo
indica que en direccin perifrica (eje d) existe un estado de traccin o depresin (en la
literatura, para este tipo de geometra, la componente 22 de la tensin se denomina "hoop
stress").
fuerza viscosa ejercida por el
PS en su seccin transversal
aire
aire
pistn
corona circular
de ancho
e
fuerza ejercida por el pistn sobre el
fondo de la lmina de PS
La fuerza total (viscosa, de "resistencia") que ejerce el PS sobre el pistn (ver figura) se
obtiene multiplicando la tensin, negativa, de traccin (que es constante en toda la
seccin) por el rea en la seccin transversal del cilindro (corona circular) de PS en el
punto P:
2
2
D
D
F = ( 33 11 ) + = 455 N
2
2
________________________________________________________________________
7.16 Polimetacrilato de Metilo Fundido Sometido a

Tensin Tangencial
Considerar dos placas paralelas de rea A separadas por una distancia D = 3 mm , de
modo que D es pequea en comparacin con cualquier dimensin de las placas para
evitar el efecto de borde. Entre las placas hay polimetacrilato de metilo fundido, a una
temperatura de 190 C. Si una de las placas se deja en reposo mientras la otra se mueve
con velocidad constante de mdulo v en una direccin paralela a su propio plano, en
condiciones ideales, el fluido sufre un movimiento deslizante puro. Si la tensin
tangencial aplicada es de mdulo 100 kPa , determinar la velocidad de la placa mvil.
Nota: utilizar la grfica adjunta para obtener la viscosidad del polimetacrilato de metilo.
2014-2015
Viscosidad (Pa s)
279
Tensin Tangencial (Pa)
Sol.: hay que aplicar la ley constitutiva del fluido newtoniano generalizado:
( )
( ) ( v + ( v ) )
= =
Pa
Sabiendo que el campo de velocidad en estado estacionario en 2D es (ver problema 7.13):

v
x2
D
v2 ( x1 , x2 ) = 0
v1 ( x1 , x2 ) =
se determinan la estructura del tensor y la tensin tangencial aplicada; y despejando v :
0
=
v
D
v
D
v
D
21 = 12 = v = 21
D
0
Como ya se ha visto en el problema 7.13, para este campo de velocidad y situacin, la

tensin 21 es negativa. Finalmente con el dato de la viscosidad que proporciona la
grfica ( 4 104 Pa s ) se obtiene la velocidad pedida:
v=
21 D 105 3 103
=
= 7.5 103 m/s
4 104
________________________________________________________________________
2014-2015
280
7.17
En general, la conductividad elctrica de un termistor de semiconductor cermico vara como (A, B son
constantes positivas, T es la temperatura absoluta):
a) A exp ( BT )
b) A
B
T
A
B+T
c)
d) A +
e) A exp
B
T
Sol.: la conductividad elctrica de un semiconductor vara como A exp
B
.
T
_________________________________________________________________________________
7.18
En un semiconductor intrnseco del grupo IV, la concentracin de electrones a T1 = 300 K es de
18
19
ni1 = 2.2 10
electrones/m y a T2 = 400 K es de ni2 = 4.7 10

concentracin de electrones a T3 = 350 K.
electrones/m . Calcular la
Sol.: en un semiconductor intrnseco, las concentraciones de portadores negativos y de huecos positivos

son iguales entre s y varan con la temperatura siguiendo una ley de Arrhenius:
Q
ni1 = Ae
T1
dividiendo miembro a miembro:
ni1
ni2
Q
Q
T1
= e
T2
ni2 = Ae
T2
ni2 T1 T2
ni1 T2 T1
Q = ln
de donde:
Q
3
Q = 3.674 10
y A vale:
A = ni1 e
La concentracin de electrones a T3 es A e
Q
T3
T1
23
A = 4.583 10
19
= 1.265 10
electrones/m3
electrones/m3
_________________________________________________________________________________
7.19
Se difunde un gas en una oblea gruesa de silicio durante t = 10800 s (tres horas), a una
5 2
temperatura T = 1273 K. Si el factor pre-exponencial es D0 = 2.0 10

6
m /s y la energa de
activacin para la difusin es Q = 142 10 J/kmol, cul ser la profundidad de la capa lmite?
2014-2015
281
Sol.: la constante de difusin a 1000 C (1273 K) se calcula a partir de la ley de Arrhenius. Con
3
R = 8.314 10
J/kmol K:
D = D0 e
y el espesor de la capa lmite es:
R T
11
D = 2.98 10
3
4 D t = 2.269 10
m2/s
_________________________________________________________________________________
7.20
Para fabricar parte de un componente electrnico (transistor de efecto de campo o FET) se parte
de una oblea de Si que se somete a oxidacin en un horno con atmsfera que contiene oxgeno de
manera que se forma una capa superficial de SiO2. A continuacin se extrae del horno y se
deposita sobre la capa de xido un electrodo plano de aluminio.
Para un clculo simplificado, se supone que el espesor de la capa de SiO2 es de r = 0.25 veces el
espesor de la capa lmite de difusin del oxgeno en Si.
Calcular:
1. el espesor de la capa aislande de SiO 2 y
2. si el substrato de Si est a tierra, el voltaje mximo al que se puede poner el electrodo
metlico sin que haya rotura dielctrica del aislante.
Datos:
15
Difusividad del oxgeno en Si a la temperatura del horno: D = 7.3 10

Tiempo de exposicin de la oblea en el horno: t = 120 s.
Rigidez dielctrica de la slice = 8 V/milsima de pulgada.
m2/s.
20
Concentracin de oxgeno en la superficie de la oblea en el horno: Cs = 1.3 10

10
Concentracin inicial de oxgeno en el Si: C0 = 5.2 10
tomos/m .
tomos/m .
Sol.: el espesor de la capa lmite es = 4 D t y de acuerdo con el enunciado, el espesor de

la capa de xido ser:
h = r
h = 9.359 10
El aislante es slice, cuya rigidez dielctrica es 8 V/milsima de pulgada, luego el campo mximo
2014-2015
282
que puede soportar sin fallar como aislante, en unidades del SI, es:
8
5
Emax =
Emax = 3.15 10
3
0.0254 10
7
Conocido el espesor de la capa de aislante ( h = 9.359 10

puede establecer entre el substrato y el conductor es de:
Vmax = Emax h
V/m
m), el voltaje mximo que se
Vmax = 0.295
voltios
El valor de la concentracin inicial de oxgeno en el Si es tan bajo (diez rdenes de magnitud menor que
CS), que puede despreciarse. Si a pesar de esto se hace el clculo teniendo en cuenta el valor de C0, el
resultado numrico que se obtiene es idntico en las primeras 9 cifras decimales.
_________________________________________________________________________________
7.21
Un material A inicialmente puro (considerado como un slido semi-infinito) se enriquece con
un dopante B, exponindolo a vapor durante t = 3 horas a una temperatura T = 900 C. A
22
qu profundidad x1 se tendr una concentracin Cx1 = 3 10

24
en la superficie es CS = 2 10
tomos/m , si la concentracin
tomos/m ? Para la difusin de B en A, el factor
pre-exponencial es D0 = 2 10
m /s, y la energa de activacin es Q = 150 10 J/mol.
Sol.: aplicando la ecuacin de Arrhenius, la constante de difusin a la temperatura de trabajo es:

D = D0 exp
Q
12 2
m /s
D = 4.18 10
8.314 ( T + 273)
A partir de la ecuacin del perfil de concentraciones

con
CS Cx1
CS 0
Cs C x1
x
= erf 1
Cs C0
2 Dt
= 0.985
e interpolando en la tabla de la funcin de error se obtiene el

argumento:
0.9838 = erf (1.7 )

0.9850 = erf ( x ) x = 1.72
0.9891 = erf (1.8 )
Y para obtener la profundidad:
x1 = 2 x D t 3600 x1 = 7.309 104 m
_________________________________________________________________________________
2014-2015
283
7.22
Los hidrogeles de silicona suponen la ltima revolucin en ingeniera de materiales para lentes
de contacto. Considerando que la concentracin de oxgeno en la superficie de la lentilla es de
un ys = 21% en volumen y el espesor de la lente de contacto h = 0.07 mm, determinar la
concentracin de oxgeno (% en volumen) que llega a la crnea al cabo de t = 1 s de colocarse
9
la lentilla sobre el ojo. Dato: DO2_hidrogel = 4.06 10 m /s. Considerar la lente de contacto
como un medio semiinfinito exento inicialmente de oxgeno.
y s yh
h
= erf
ys
2 Dt
Sol.: a partir de la ecuacin del perfil de concentraciones:
se despeja la nica incgnita que es la concentracin de oxgeno en la crnea:

3

h 10
yh = 1 erf
y
2 DO2_hidrogel t s
yh = 9.183
% en volumen
_________________________________________________________________________________
7.23
20
Un semiconductor del grupo IV est dopado con NV = 1.1 10

22
grupo V del sistema peridico, y con NIII = 7.1 10
tomos/m de un dopante del

3
tomos/m de un dopante del grupo III.

17
La concentracin intrnseca de portadores del semiconductor es ni = 2.2 10 portadores/m . Las

movilidades de electrones y huecos, a temperatura ambiente, en funcin de la concentracin total
de impurezas estn representadas en el diagrama adjunto. Usar exclusivamente este diagrama para
leer las movilidades.
Determinar, a temperatura ambiente y suponiendo siempre ionizacin total de los dopantes:
1. el tipo (electrones o huecos) y concentracin (por m3) de los portadores mayoritarios,
2. la concentracin (por m3) de los portadores minoritarios,
3. la movilidad de los portadores mayoritarios,
4. la movilidad de los portadores minoritarios,
5. la conductividad del semiconductor dopado,
6. calcular la conductividad si en vez del dopante del grupo III se usa uno del grupo II en la
misma cantidad, y manteniendo todas las dems condiciones idnticas a las de los apartados
anteriores,
7. calcular la conductividad si en vez del dopante del grupo V se usa uno del grupo VI en la
misma cantidad, y manteniendo todas las dems condiciones idnticas a las de la pregunta 6.
2014-2015
284
Movilidades de portadores
Movilidades (m2/V s)
mov. electrones (m2/V s)

mov. huecos (m2/V s)
0.1
0.01
20
1 .10
1 .10
21
1 .10
22
1 .10
23
1 .10
24
1 .10
25
1 .10
26
1 .10
27
Conc. total de impurezas (tomos/m3)
Sol.:
1. los portadores mayoritarios son los huecos, porque N III>>NV.
La concentracin de portadores mayoritarios es:
22
pp = NIII NV
pp = 7.089 10
que es prcticamente igual que la concentracin de dopante III:
huecos/m3
22
NIII = 7.1 10
tomos/m3
2. la concentracin de portadores minoritarios es:

np =
ni
pp
11
np = 6.827 10
electrones/m3
3 y 4. las movilidades de los portadores mayoritarios (huecos) y minoritarios se leen del grfico entrando
con la concentracin total de impurezas (es decir, de dopantes de los dos tipos):
mayoritarios: mov_p ( NIII + NV) = 0.062 m2/V s
2014-2015
285
minoritarios: mov_n ( NIII + NV) = 0.191 m2/V s
5. la conductividad elctrica es:
mov_p ( NIII + NV) pp
19
= 1.6 10
= 705.5
S/m
6. si en vez de un dopante del grupo III se aade uno del grupo II en la misma cantidad, la
concentracin de impurezas y por tanto las movilidades no cambian. La concentracin de huecos
(mayoritarios) se duplica. Puesto que el resto de los factores que aparecen en la frmula de la
conductividad se mantiene idntico, en particular, las movilidades dependen de la concentracin de
impurezas, es decir, de tomos de dopante, no de portadores, el valor de la conductividad es el doble
que en el apartado anterior.
2 = 1411.1 S/m
7. finalmente, si en vez de un dopante del grupo V se aade uno del grupo VI en la misma cantidad, la
concentracin de impurezas y con ello las movilidades tampoco cambian. Por otro lado los electrones
siguen siendo portadores minoritarios y aunque se duplique su nmero, siguen sin tener efecto apreciable
sobre la conductividad. El valor de la conductividad es el mismo que en el apartado anterior.
_________________________________________________________________________________
7.24
La resistividad elctrica de un semiconductor intrnseco a temperatura ambiente ( T = 298 K) es
3
= 2.250 10 m y su ancho de banda prohibida ("gap") es Eg = 0.67 eV. Determinar a qu

temperatura la conductividad elctrica de este semiconductor ser n = 10000 veces mayor que a
temperatura ambiente.
Sol.: la dependencia de la conductividad de un semiconductor intrnseco con la temperatura est dada
por
T = 0 exp( E g 2k BT )
Escribiendo esta relacin para T = 298 K y para una T genrica y dividiendo las dos
expresiones, se obtiene (incluyendo el factor de conversin de unidades de Eg):
23
kB = 1.38065 10
J/K
2kB ln ( n)
1
T =
298 Eg 1.602 10 19
T = 1014
_________________________________________________________________________________
2014-2015
286
7.25
La difusividad a travs de la piel (considerada istropa) de un medicamento que se aplica como
10
un parche en la piel es D = 7.5 10
m2/s. Los capilares sanguneos ms superficiales se

4
m. Cunto tiempo hay que esperar para que la

encuentran a una profundidad x1 = 8.5 10
concentracin del medicamento a la profundidad de estos capilares alcance un valor que sea tres
cuartas partes del valor de la concentracin en la superfice?.
Cs 0.75Cs
x1
= erf
Cs
2 D t
Sol.: de los datos se deduce que
t = 4744.03
de donde se despeja el tiempo:
segundos
_________________________________________________________________________________
7.26
Para hacer que la resistencia elctrica total de una rama de un circuito sufra lo menos posible la
influencia de la temperatura, se colocan dos resistencias en serie. Para las dos se cumple que su
resistencia es proporcional a la resistividad del material de que estn fabricadas y a su longitud, e
inversamente proporcional al rea de su seccin transversal:
l
R = (T )
A
La primera es una resistencia metlica cuya resistividad aumenta linealmente con la temperatura
segn M ( T) = M0 1 + M T donde T es la temperatura absoluta en K, M0 = 890 m y
M = 3 10
-1
K . Su longitud es l y su seccin transversal A .

M
La segunda resistencia es de un semiconductor cermico, y su resistividad disminuye con la

temperatura segn:
C ( T) = C0 e
Q
T
donde C0 = 1.042 10 m, Q = 402 K y T es la temperatura absoluta en K. Su longitud es

lC y su seccin transversal AC. A temperatura ambiente, Tamb = 293 K, ambas resistencias ()
son iguales. Calcular la variacin porcentual en la resistencia total (100 por la variacin en la
resistencia total, dividida por el valor de la resistencia total a Tamb ) cuando la temperatura
aumenta T = 5 K.
Sol.: puesto que las dos resistencias son iguales a temperatura ambiente, se cumple:
2014-2015
287
l
lM
= C (Tamb ) C
AM
AC
M (Tamb )
Rtot = M (Tamb )
(T ) l
lC
= M amb M
AC C (Tamb ) AM
l
lM
l
+ C (Tamb ) C = 2 M (Tamb ) M
AM
AC
AM
La variacin de resistencia total al subir la temperatura ser:

l
l
Rtot = M M + C C
AM
AC
Sustituyendo las expresiones anteriores se obtiene la variacin relativa:
Rtot
Rtot
(T ) l
l
l
lM
M M + C M amb M
+ C C
AM
C (Tamb ) AM 1 M
AM
AC
C
=
=
=
+
lC
lM
lM
2
T
(
)
(
)
M
amb
C
amb
2 M (Tamb )
M (Tamb )
+ C (Tamb )
AM
AM
AC
M
Calculando las resistividades a temperatura ambiente y los incrementos de resistividades:
M ( Tamb ) = 1.672 10
C ( Tamb ) = 4.109 10
M = M ( Tamb + T ) M ( Tamb )
C = C ( Tamb + T ) C ( Tamb )
M = 13.35 m
C = 93.508 m
la variacin porcentual es:
C
1 M
+
100 = 0.739
2 M ( Tamb ) C ( Tamb )
_________________________________________________________________________________
7.27
La difusin de un dopante (nitrgeno) a travs de un sustrato slido de forma esfrica (bola de
rodamiento metlica) obedece a una ley anloga a la de la difusin a travs de un medio semi-infinito,
salvo que para esta geometra, la dependencia de la concentracin con la posicin (radio r) y con el
tiempo (t) est dada por una funcin diferente. Esta funcin puede escribirse como:
r t
C ( r,t ) = CS F ,
R t0
donde Cs = 67 ppm es la concentracin (que se mantiene constante) del dopante en la superficie de
2014-2015
288
la esfera y la funcin F [ r/R , t/t0 ] se puede leer en la grfica adjunta. En esta grfica, el tiempo t0
2
es un tiempo caracterstico definido por t0 =

12
rodamiento y D = 3.1 10
1 R
3
; R = 1.5 10
m es el radio del
D
m2/s es la difusividad msica del nitrgeno en el metal.
Calcular la concentracin del dopante en el centro de la bola de rodamiento al cabo de

4
t = 5.148 10 segundos.
4
Sol.: con los valores dados del radio y las propiedades fsicas se calcula t0 = 7.354 10 s, que
corresponde a
directamente:
t
r
t
= 0.7 . Leyendo en la grfica de F para
=0 y
= 0.7 se obtiene
t0
R
t0
r , t = 8.4
R t0
Cs F
ppm
_________________________________________________________________________________
7.28
Una resistencia elctrica est fabricada con un metal. La resistencia se mide a dos temperaturas,
T1 = 300 y T2 = 550 K, y se obtienen los valores R1 = 224.2 y R2 = 312.7 ,
2014-2015
289
respectivamente. Determinar qu valor de la resistencia se medir a T3 = 450 K.
Sol.: la resistividad de un metal vara linealmente con la temperatura en el intervalo de valores de T

dados. Puesto que la resistencia es proporcional a la resistividad, la resistencia tambin variar
linealmente con la temperatura:
R (T ) (T )
L
L
0 (1 + T T )
A
A
Conocidos dos valores de R a dos temperaturas, el valor de R a otra temperatura se puede obtener
interpolando linealmente entre los valores dados:
R3 = R1 + ( R2 R1 )
T 3 T1
R3 = 277.3
T 2 T1
_________________________________________________________________________________
7.29
20
Un semiconductor de silicio se dopa con NB = 7 10

21
NP = 1.2 10
tomos de boro por m y con
atomos de fsforo por m . Si el semiconductor est sometido a un campo
elctrico de mdulo E = 250 V/m en un determinado punto, calcular la potencia disipada Q por
unidad de volumen (W/m3) en ese punto, si Q se define como:
Q = J E
Sol.: el Si est dopado con:
20
NB = 7 10
tomos de boro por m3 (aceptador de electrones) y
21
NP = 1.2 10
tomos de fsforo por m3 (donador de electrones).
Como los portadores mayoritarios son electrones (la concentracin de fsforo es mayor que la de boro),
es un semiconductor dopado tipo n, y la concentracin de portadores de carga negativos es:
n = NP NB
20
n = 5 10
portadores/m3
21
La concentracin total de impurezas es: NB + NP = 1.9 10 tomos por m y la movilidad de

los electrones, para esta concentracin tan baja de impurezas, va a ser igual a la de los mismos
portadores en el Si intrnseco:
4
n = 1350 10
m2/V s
La conductividad del semiconductor dopado es: = n q n

(donde q es la carga del electrn).
= 10.8
S/m
El flujo de carga (densidad de corriente elctrica) en el punto considerado es siempre colineal con el
2014-2015
290
campo, porque el Si es un material cbico, istropo para propiedades de orden 2. Por la ley de Ohm
microscpica inversa:
J = E A/m2
y la potencia disipada por unidad de volumen de semiconductor en ese punto:
5
J E = 6.75 10 W/m3
_________________________________________________________________________________
7.30
El proceso de fabricacin de fibras textiles de PET est basado en el hilado del fundido a travs de
una hilera. En este proceso se hace fluir el polmero en estado fluido a travs de un orificio circular
para formar un filamento, a la vez que se somete el filamento a traccin (ver figura).
hilera
filamento
de PET
traccin sobre
el filamento
2
En operacin estacionaria, el dimetro del filamento en el punto P es = 0.0013 m y el
campo de velocidad del PET fundido, vlido en toda la seccin transversal del filamento que
contiene al punto P, est dado por la siguiente expresin (donde = 11.5 s-1):
v1 ( x1 , x2 , x3 ) =
1
x1
2
v2 ( x1 , x2 , x3 ) =
1
x2
2
v3 ( x1 , x2 , x3 ) = x3
y est referido a un sistema de coordenadas cartesiano centrado en P y con los siguientes ejes:
ejes 1 y 2 perpendiculares entre s y a la direccin de estirado del filamento
eje 3 en la direccin de estirado del filamento
2014-2015
291
(este flujo se denomina flujo extensional uniaxial). La viscosidad del PET fundido a la temperatura de
trabajo obedece a la siguiente relacin:
( mod ) = 4.47 10
( 1 + 22.3 mod) 0.65
donde es la viscosidad del PET en Pa s y mod es el mdulo de la velocidad de

deformacin en s-1. El tensor de tensiones en el PET fundido depende de la viscosidad y de
la velocidad de deformacin segn la ecuacin constitutiva del fluido newtoniano
generalizado:
T
(Pa)
= mod v + v
Determinar:
1. la viscosidad del PET en el punto P y
2. el mdulo de la fuerza de traccin que debe ejercerse para estirar el filamento de PET.
)(
Sol.: la viscosidad depende del mdulo del tensor velocidad de deformacin. ste se obtiene:
1 0 0
2
1
v =
0
0
0
0
punto = v + v
punto
0
11.5 0
= 0
11.5 0
0
0
23
1
(convenio de sumacin sobre ndices repetidos)
punto punto
i, j
i, j
2
3
3
1
2
O bien (sin utilizar este convenio).
mod =
punto
i, j
2
-1
i
=
1
j
=
1
mod = 19.919 s
Y su mdulo es:
mod =
La viscosidad se calcula entonces con la expresin dada:
( mod ) = 8.487 10
Pa s
Para calcular la fuerza de traccin se debe obtener en primer lugar el tensor de tensiones en el PET por
medio de la ecuacin constitutiva del fluido newtoniano generalizado:
= ( mod ) punto
0
97601 0
= 0
97601
0
0
0
195202
Pa
Las componentes 11 y 22 de no son nulas y corresponden a fuerzas ejercidas en direccin 1 y 2

sobre una superficie cuya normal apunta en direccin 1 y 2, respectivamente, es decir, superficies
libres del fluido. Tienen que ser igual a la presin ejercida por la atmsfera, es decir, la referencia o
cero de tensin normal. Esto implica que la tensin 33 debe medirse o calcularse relativo a este cero,
es decir, a su valor debe restrsele el de 11 o 22, que son por supuesto iguales. Fsicamente refleja
el hecho de que, al estar las superficies libres en equilibrio, la presin atmosfrica iguala a las
componentes diagonales de que corresponden a cada superficie libre. La tensin a realizar es el
valor correspondiente de 33, medido desde la presin atmosfrica, que es, en este caso, igual a 11.
2014-2015
292
La tensin es negativa por ser de traccin (polmero fundido). La fuerza en la direccin 3 se obtiene
multiplicando la diferencia (33 - 11 ) de la tensin (que es constante en toda la seccin, por serlo el
gradiente de velocidad) por el rea en la seccin transversal del filamento en el punto P. Su mdulo
es:
2
F = ( 3 , 3 1 , 1)
2
F = 0.389 N
________________________________________________________________________________
7.31
En una operacin de moldeo por inyeccin, un polmero fundido (de viscosidad , densidad y calor
especfico Cp) tiene que fluir por un conducto de seccin rectangular de altura 2H y longitud L, como se
indica en la figura. El perfil de velocidad dentro del conducto es parablico, con velocidad cero en las
paredes del conducto y con la velocidad mxima Vmax en el centro del conducto (x2 = 0), y las
componentes en las direcciones de los ejes x2 y x3 son nulas. Este perfil de velocidad es el mismo en
todo el canal (es decir, no depende ni de x1 ni de x3).
x2
L
2H
x1
x3
x2
L
2H
Vol
Vmax
x2
h
2014-2015
x1
x1
293
El polmero fundido se comporta como un fluido newtoniano, para el que la relacin entre gradiente de
velocidad y tensin mecnica es:
T
= = v + ( v )
con viscosidad constante. El objetivo es realizar una estimacin del calentamiento que sufre este
material debido a disipacin viscosa. En funcin de las variables dadas,
1. escribir el perfil (campo) de velocidad, es decir dar las expresiones de las tres componentes del
campo de velocidad en funcin de la posicin dentro del conducto:
v1( x1 ,x2 ,x3 ) =
v2 ( x1 ,x2 ,x3 ) =
v3 ( x1 ,x2 ,x3 ) =
2. usando el apartado anterior, determinar el tiempo que tarda en recorrer la longitud L del conducto un
elemento de volumen Vol que fluye a una distancia h del centro del canal, como se indica en la figura,
3. determinar las componentes del gradiente de velocidad en la posicin en que se encuentra Vol
y escribirlas en forma de matriz
a v b
4. determinar las componentes de la tensin mecnica en Vol y escribirlas en forma de matriz
c f
de gh
5. usando los dos apartados anteriores, calcular la potencia Q disipada por unidad de volumen (W/m3)
en Vol debido a la viscosidad del material. La potencia disipada por unidad de volumen est dada por:
Q = :( v )
6. si esta potencia disipada en Vol se invierte ntegramente en calentar el elemento de fluido Vol (es
decir, no hay conduccin trmica en el fluido), calcular por medio de un balance de energa el
incremento de temperatura que experimenta el volumen Vol de material durante el tiempo que tarda en
atravesar el conducto.
Sol.:
1. el perfil de velocidad parablico tiene slo componente 1, las componentes 2 y 3 son cero. La
componente 1 slo depende de la coordenada 2. El campo de velocidad parablico es:
x2 2
v1( x1 ,x2 ,x3 ) = Vmax 1
H
v2 ( x1 ,x2 ,x3 ) = 0
v3 ( x1 ,x2 ,x3 ) = 0
2014-2015
294
2. la velocidad con que fluye Vol se
determina sustituyendo la coordenada x2:
h 2
V = Vmax 1
H
t=
y el tiempo que tarda en recorrer el conducto:
L
=
V
3. el gradiente de velocidad en el punto donde se encuentra Vol es:
( v )ij
2V
=
v j ; a v b = max
x2
xi
H2
0
0
0
0 ;
a v ben Vol
L
h 2
Vmax 1
H
2V
= max
h
H2
0
0
0
4. las componentes de la tensin mecnica se calculan usando la ley constitutiva del fluido
Newtoniano:
2Vmax
2Vmax
0
x2 0
0
h 0
2
2
H
H
c f
c f = 2V
= 2Vmax
; ed hg
max
ed hg
en Vol
x
0
0
h
0
0
H2 2
H2
0
0
0
0
0
0
5. la potencia disipada Q por unidad de volumen (W/m3) est dada por:
Q = :( v )
v j = 4 max2 x2
= ij
xi
H
Qen Vol
= 4 max2 h
H
6. el balance de energa es:

energa disipada dentro de Vol en el tiempo en que fluye por el conducto = incremento de energa
interna de Vol
o lo que es lo mismo:
potencia disipada dentro de Vol por tiempo que tarda en fluir por el conducto = incremento de
energa interna de Vol
Qen Vol Vol
2014-2015
L
h
Vmax 1
H
2
= VolC p T
T =
Qen Vol L
C pVmax 1
295
de donde:
T =
4Vmax h 2 L
h 2
C p H 4 1
H
________________________________________________________________________________
7.32
Un polmero fundido tiene una viscosidad que depende del mdulo de la velocidad de
deformacin mod (mdulo del tensor gradiente de velocidad simetrizado mod = v + ( v)
del siguiente modo:
Pa s
0.64
6
mod = 2.45 10 mod
En una operacin de extrusin el campo de velocidad en un punto dado es (para b = 0.23 y
= 327 s-1):
1
v1 ( x1 , x2 , x3 ) = ( 1 + b)x1
2
1
v2 ( x1 , x2 , x3 ) = ( 1 b)x2
2
v3 ( x1 , x2 , x3 ) = x3
Determinar la viscosidad del polmero en ese punto.

Sol.: el gradiente de velocidad simetrizado es:
( 1 + b)
su mdulo es:
y la viscosidad:
mod =
0
0
( 1 b) 0
2
1
2
2
2
( 1 + b) + ( 1 b) + ( 2 )
2
( mod ) = 4.215 10
mod = 571.352
s-1
Pa s
________________________________________________________________________________
7.33
Una suspensin de caoln en agua (barbotina) tiene una viscosidad dependiente del mdulo de la
velocidad de deformacin. La dependencia est dada por:
2014-2015
296
( mod ) = 430
( 1 + 0.3 mod) 0.65
donde es la viscosidad de la suspensin en Pa s y mod es el mdulo de la velocidad de

deformacin en s-1. En una operacin de conformado, esta suspensin fluye a travs de un
conducto en el que el campo de velocidad est dado por:
v1 ( x1 , x2 , x3 ) = x1
= 9.6
con
s-1
v2 ( x1 , x2 , x3 ) = 0
v3 ( x1 , x2 , x3 ) = x3
(flujo elongacional plano). Calcular la viscosidad de la barbotina cuando circula por el conducto.
0 0
v = 0 0 0
0 0
Sol.:
mod =
= v + v
1
2
i = 1
Y la viscosidad de la barbotina es:
19.2 0 0
0 0
= 0
0 0 19.2
( i , j) 2
j=1
( mod ) = 124
mod = 19.2
s-1
Pa s
________________________________________________________________________________
7.34
Se desea hacer un tratamiento superficial de una lmina de gran espesor de Fe BCC puro. Para
ello se expone la lmina a vapor de carbono durante t = 6 horas a una temperatura de 727 C.
21
Si la concentracin de carbono en la superficie de la lmina es Cs = 10

20
at/cm , determinar a
qu profundidad se alcanza una concentracin Cx1 = 2.7 10 at/cm .

Dato: dependencia con la temperatura de la difusividad de varios elementos en distintos metales.
2014-2015
297
Sol.: en la recta de la difusividad de C en Fe BCC a 1000 K se lee el siguiente valor de la difusividad

(atencin: en la ordenada el exponente salta de 2 en 2):
12
D = 6.76 10
m2/s
La variacin de la concentracin con la profundidad y el tiempo est dada por:

Cs C x1
x
= erf 1
Cs C0
2 Dt
21
20
Usando Cs = 1 10 , Cx1 = 2.7 10 y C0 = 0 el valor de la funcin de error debe ser

0.73, que corresponde a un argumento de la funcin de 0.7804. Despejando la profundidad x1 :
x1 = 2 0.7804 D t 3600
x1 = 5.96 10
__________________________________________________________________________________
2014-2015
298
7.35
22
Una oblea de Si se dopa con NGa = 1.5 10
22
tomos de Ga / m y con NTe = 1.3 10
Movilidad electrnica, cm2V-1s-1
tomos de Te / m3. Determinar su conductividad elctrica a 300 K. Dato: curvas de movilidad de

portadores en Si extrnseco a 300 K.
electrones
Movilidad de huecos, cm2V-1s-1
Concentracin total de impurezas, at cm-3
huecos
Concentracin total de impurezas, at cm-3
2014-2015
299
Sol.: la concentracin de portadores mayoritarios es:
22
nn = 2NTe NGa
nn = 1.1 10
electrones/m3
y la concentracin total de impurezas (suma de las concentraciones de todos los dopantes,

independientemente de que sean tipo n, o tipo p, e independientemente del nmero de portadores con
que contribuyen a la conductividad):
22
CT = NTe + NGa
CT = 2.8 10
tomos/m3
La movilidad de los portadores (electrones), a la temperatura dada y para esta concentracin de

impurezas, se lee del diagrama para electrones:
n = 0.1137 m2/V s
19
= nn 1.6 10
y resulta una conductividad:
= 200.1
S/m
__________________________________________________________________________________
7.36
En una operacin de inyeccin de un polmero fundido, ste circula por un conducto de
3
dimensiones L = 0.7 m y H = 7 10
m (ver figura), debido a una diferencia de presin
P = 7 10 Pa entre la entrada y la salida del conducto. El fundido es un fluido cuya

viscosidad no es constante, sino que depende del mdulo de la velocidad de deformacin de la
siguiente manera:
n 1
T
donde: v + ( v )
= m
( ) ( )
5
y donde m = 1.2 10 , n = 0.7 son dos constantes caractersticas del polmero. El perfil de
velocidad del polmero en el conducto es conocido en funcin de los datos del problema y de la
distancia x2 medida desde el centro del conducto:
v1 ( x2 )
n+1
P H H ( n + 1) x2
=
1
2m
L
2
H
y las componentes v2 y v3 son nulas. Determinar la mnima viscosidad que presenta el polmero en el
conducto.
2014-2015
300
Sol.: puesto que la viscosidad disminuye con el mdulo del gradiente (ya que n-1<0), la viscosidad ser
mnima donde el gradiente tenga el mximo mdulo, es decir donde sea mayor la derivada de v1
respecto de x2. A la vista del perfil de velocidad esta condicin se da en la pared del conducto:
( v )ij
c f
1/ n +1
de gh =
x2
2
PH H
4mL
x2
( x2 )
x2
2
P H H
=
4m L
1/ n +1
x2
v j ; a v b = PH 2 H
=
xi
x2
4mL
1/ n +1
x2
2
PH H
x2
4mL
0
0
de donde
0
0
1/ n +1
x2
2
PH H
1
ij ij =
x2
2
4mL
=
1
n+1
x2
max = ( H)
min = m ( H)
n 1
max =
P H
4m L
min = 1.587 10
( H) = 0.015
Pa s
__________________________________________________________________________________
7.37
20
Determinar la conductividad elctrica a 300 K del germanio dopado con NAl = 8.3 10
3
21
tomos
de aluminio por m y NSe = 5.2 10 tomos de selenio por m . Considerar ionizacin completa
de los dopantes y tomar las movilidades de los portadores de carga en este germanio dopado iguales
a las movilidades de los portadores en el germanio puro.
Dato: las movilidades de los portadores de carga en el Ge puro son:
n = 0.39 m2/V s
p = 0.19 m2/V s
Sol.: el aluminio es un dopante tipo p del grupo III que da un hueco (acepta un electrn) por tomo,
mientras que el selenio es un dopante tipo n del grupo VI que da dos electrones por tomo. Para las
2014-2015
301
concentraciones de dopantes dadas, los portadores mayoritarios son los electrones, y su concentracin
es:
21
nn = 2NSe NAl
La conductividad es:
nn = 9.57 10
19
= nn n 1.6 10
electrones/m3
= 597.2 S/m
__________________________________________________________________________________
7.38
Una botella de PET (considerado istropo) contiene CO2 puro a una presin P = 1.2 bar y una
temperatura T = 298 K. El exterior de la botella es aire en el que la concentracin de CO 2 es
3
despreciable. El espesor de la pared de la botella es = 1.6 10

11
travs del PET es DCO2 = 1.2 10
m y la difusividad del CO2 a
m /s. Se supone que la concentracin del CO (en kg/m )

2
en la superficie interior de la pared es igual a la concentracin de CO2 puro en el interior y que la

concentracin de CO2 vara linealmente a travs del espesor de la pared (ver figura). El CO2 se
considera gas ideal. Calcular cunto CO2 pierde la botella por unidad de superficie (en kg de
CO2/m2 s) de pared, si la difusin obedece la ley constitutiva de Fick:
J CO 2 = DCO 2 CCO 2
concentracin
de CO2
interior
(CO2 puro)
pared de la
botella (PET)
exterior
(sin CO2)
Sol.: si se considera un eje coordenado cuyo sentido positivo sea desde el interior hacia el exterior de la
botella, a lo largo de este eje, y puesto que el material de la pared es istropo, la variacin de la
concentracin a travs de la pared es lineal y la concentracin exterior de CO2 es nula, la ley
constitutiva resulta:
2014-2015
302
J CO 2 = DCO 2 CCO 2 = DCO 2
CCO 2 ,ext CCO 2 ,int
= DCO 2
CCO 2 _ interior
donde el flujo positivo indica que el CO2 fluye hacia el exterior de la botella (sentido positivo del eje
coordenado, de mayor a menor concentracin). La concentracin (kg/m3) en el interior, que en este
caso es igual a la densidad msica, se obtiene directamente de la ecuacin de estado del gas ideal
(teniendo en cuenta que 1 bar = 105 Pa):
3
R = 8.314 10
MwCO2 = 44
J/kmol K
kg/kmol
CCO2_interior =
P 10 MwCO2
R T
La prdida de CO2 por unidad de superficie es directamente el flujo (kg de CO2/m2 s), es decir:
JCO2 = DCO2
CCO2_interior
JCO2 = 1.598 10
kg/m2 s
__________________________________________________________________________________
7.39
Una resistencia est fabricada con un material semiconductor. Su resistencia elctrica se mide a dos
temperaturas, T1 = 298 K y T2 = 456 K, y se obtienen los valores R1 = 727 y R2 = 333 ,
respectivamente. Determinar qu valor de la resistencia se medir a T3 = 330 K.
Sol.: la resistividad elctrica (igual que su inversa, la conductividad elctrica) de un material

semiconductor vara con la temperatura segn una funcin exponencial, tanto si es intrnseco como si
es extrnseco. Puesto que la resistencia es proporcional a la resistividad, la resistencia tambin variar
exponencialmente con la temperatura:
L
1 L
1
L
R (T ) (T )
A (T ) A
B A
0 exp
T
En esta expresin 0 y B son constantes caractersticas del material del que est hecha la resistencia.
Se puede determinar B a partir de los datos (resistencias dadas a T1 y T2):
R1 2
=
=
R2 1
2014-2015
0exp B
T2
1 1
= exp B
1
T1 T2
0 exp B
T1
303
R1
R2
ln
despejando B
resulta:
B =
T1 T3
1
1
T1 T 2
B = 671.514
B
y sustituyendo en la
T3 T1
R3 = R1 e
relacin R3/R1:
R3 = 584.3
__________________________________________________________________________________
7.40
El adhesivo Loctite es un cianoacrilato que, en presencia de humedad 1, reacciona muy rpidamente
segn una polimerizacin en cadena:
H3COOC
H2C
H3COOC
CN
C
CH2
CN
C
n
la reaccin es casi instantnea (es decir, el adhesivo se endurece) cuando la concentracin de agua
4
(que normalmente proviene de la humedad del aire del entorno) alcanza un valor de Ca = 10
kmol/m3.
Determinar el tiempo necesario para curar una capa plana de adhesivo de cianoacrilato de espesor
3
h = 0.4 10
m expuesta al aire de modo que la concentracin de vapor de agua en la superficie

3
del adhesivo es de Cs = 1.12 10 kmol/m . El cianoacrilato no contiene agua inicialmente y la

difusividad del agua a travs del cianoacrilato (tanto monmero como ya polimerizado) es
9
D = 4.2 10
m2/s.
Sol.: la difusin del vapor de agua a travs de cianoacrilato est controlada por:
Cs C ( h)
es decir:
Cs Ca
Cs 0
Despejando t de
Cs C0
= 0.911 y se cumple:
h
2 D t
2 D t
= erf
erf ( 1.202) = 0.911

2
= 1.202 , se obtiene:
= 6.592
segundos
( 2 1.202) D
El curado tan rpido del cianoacrilato es lo que justifica su nombre de adhesivo instantneo.
1 la humedad del aire reacciona con un inhibidor que est presente en el adhesivo. En cuanto el inhibidor
desaparece, el cianoacrilato se polimeriza instantneamente.
_________________________________________________________________________________
2014-2015
304
7.41
Una aplicacin importante de algunos materiales cermicos es la de materiales refractarios, es
decir, materiales con una baja conductividad trmica que permiten aislar de su entorno unidades
como hornos, crisoles, componentes de alta temperatura, componentes criognicos, etc. Para la
transmisin de calor por conduccin a travs de un material slido refractario existe una analoga
exacta con la difusin de materia. La equivalencia entre las diversas magnitudes fsicas es:
temperatura (K) concentracin (tomos/m3 o kmol/m3)
flujo calorfico (W/m2) flujo msico (tomos/m2 s o kmol/m2 s)
difusividad trmica (m2/s) difusividad msica (m2/s)

y el tiempo y la coordenada espacial tienen el mismo significado en ambos. La difusividad trmica
de un material se define como el cociente entre la conductividad trmica del material (k) y el
k
producto de la densidad del material por la capacidad calorfica del material: =
.
CP
En la puesta en marcha o arranque de un horno de vidrio, las paredes del horno estn inicialmente
a una temperatura ambiente T0 = 330 K. Para arrancar el horno se encienden en su interior
quemadores de gas que calientan el horno por radiacin de manera que la pared interior del mismo
se mantiene desde el momento inicial y durante todo el arranque a Ts = 1800 K. Una de las
paredes del horno es plana, tiene un espesor de H = 0.67 m y est construida con ladrillo de
magnesia (MgO) compactada, cuyas propiedades como material refractario son:
conductividad trmica k = 0.03 W/m K,
densidad = 2300 kg/m3,

capacidad calorfica Cp = 4030 J/kg K.
Para monitorizar el arranque, se ha instalado un termistor (sonda de temperatura) dentro de la

pared a una profundidad h = 0.01 m medida desde la cara interior del horno. Se considera que el
arranque del horno est completado, y que por tanto puede cargarse con los componentes
necesarios para fabricar el vidrio, cuando la temperatura en el punto en que est instalada la sonda
ha alcanzado Th = 1200 K.
Determinar cunto tiempo dura la puesta en marcha del horno.
Nota: tener en cuenta que el espesor de la pared H es muy superior a h.
Sol.: por la analoga entre los transportes de materia y energa, la variacin de la temperatura con el
espesor de la pared (x1, medido desde la superficie) y con el tiempo (t) est dada por:
Ts T ( x1)
T s T0
x1
k
9
= 3.237 10 m2/s
con =
Cp
2 t
= erf
Como la temperatura inicial, la de la pared interior y la que debe alcanzarse en la sonda son conocidas:
2014-2015
305
Ts T h
Ts T 0
= 0.408
y el valor del argumento de la funcin error para el que se cumple que erf ( argumento) =
Ts T h
Ts T 0
es: argumento = 0.379 . Despejando el tiempo se obtiene:

2
t =
t = 5.37 10
s
2
4 argumento
_________________________________________________________________________________
7.42
El efecto Hall se emplea para determinar la orientacin de un dispositivo (p.ej. un telfono mvil)
respecto de un campo magntico (p.ej. el de la tierra). Al hacer pasar una corriente elctrica conocida
por un sensor en forma de barra (ver figura) de un material que presenta efecto Hall y que est situado
en un campo magntico, aparece un campo elctrico en el material de cuya medida se determina H. El
campo elctrico debido al efecto Hall est dado por la ley constitutiva:
E = R : HJ
E
R
e
d
H
J
donde:
es el campo elctrico,
el coeficiente de efecto Hall,
el campo magntico
la densidad de corriente
elctrica.
E = R : HJ
Para la situacin representada en la figura (en la que los ejes son los convencionales del material del
que est hecho el sensor, las caras de la barra son perpendiculares a los ejes, y la corriente circula en
la direccin del eje 2), y supuestas conocidas todas las componentes Rijk del coef. de efecto Hall,
determinar la componente 1 del campo elctrico.
Sol.: la ley constitutiva del efecto Hall, escrita por componentes es:
Ei = Rijk H k J j
Para este caso, slo existe la componente 2 de la densidad de corriente, y slo hay que calcular la
componente 1 del campo elctrico. Particularizando los ndices de J y de E se obtiene:
E1 = R12 k H k J 2
Si se hubiera pedido la componente 2 del campo elctrico, sera nula porque
el coeficiente de efecto Hall es antisimtrico en los dos primeros ndices: E2 = R22 k H k J 2 = 0
_________________________________________________________________________________
2014-2015
306
7.43
La piezorresistividad es la propiedad que tienen algunos materiales como el Si de variar su resistividad
elctrica ( m) cuando se les aplica una tensin mecnica (Pa). La ley constitutiva que describe la
variacin de la piezorresistividad con la tensin es:
= :
donde es la variacin relativa de resistividad (sin dimensiones) causado por la tensin y
son los coeficientes piezorresistivos (Pa-1).
Si se somete un sensor piezorresistivo de silicio a una tensin de compresin 33
la variacin relativa en la componente de la resistividad pq con p=1 y q=1 , del sensor est dada por:
Sol.: la ecuacin constitutiva, escrita en notacin tensorial, es:
= :
ij = ijkl lk
Para la tensin aplicada del enunciado y para cualquier pareja de ndices i j:

ij = ij 33 33
La estructura de la piezorresistividad para el Si, que es cbico m3m, es conocida y, aplicando la ley
constitutiva de la piezorresistividad, la estructura de la variacin relativa de la resistividad resulta:
i = 1, j = 1 11 = 1133 33 0
Con lo que la componente pedida ser:
_________________________________________________________________________________
7.44
Se ha sintetizado en el laboratorio un nuevo material semiconductor A y para identificar su estructura se
llevan a cabo varios experimentos:
1. se mide la resistividad elctrica de la muestra en un sistema de referencia cuyos ejes no estn
orientados como los ejes convencionales y se obtiene (escrita como matriz):
0
0
4.5
= 0 14.183 5.298
0 5.298 19.817
2014-2015
307
2. se someten las muestras de A a un estado de tensin hidrosttico y se observa que s producen una
seal elctrica (dipolo macroscpico). El estado de tensin hidrosttico es:
= p
3. cuando se prepara una muestra de A en forma de cubo, con las caras cortadas perpendicularmente a
las direcciones convencionales del material (suponiendo que fueran conocidas), y se la somete a cualquie
ensayo mecnico de traccin o compresin uniaxial sobre cualquier par de caras, se observa que el cubo
se deforma slo longitudinalmente y nunca angularmente.
Usando la informacin disponible,
1. determinar las resistividades elctricas principales del material (es decir, medidas en las direcciones
de los ejes principales),
2. determinar las direcciones de estos ejes principales del material, (es decir, dar vectores unitarios en
estas direcciones expresados en el sistema de referencia en que se ha medido la resistividad
elctrica),
3. basndose slo en los resultados obtenidos en los dos apartados anteriores (sin usar la informacin
dada en los puntos 2 y 3 del enunciado), determinar a qu sistema o sistemas cristalogrficos puede
pertenecer A,
4. basndose adems en la informacin dada en los puntos 2 y 3 del enunciado, determinar a qu clase
o clases cristalogrficas puede pertenecer A,
5. expresar la resistividad elctrica de A en los ejes convencionales del sistema al que pertenece la clase
o clases cristalogrficas obtenidas en el apartado anterior.
Sol.: 1. las direcciones principales y las resistividades principales se obtienen diagonalizando la matriz de
resistividad. Los valores propios (resistividades principales) son:
principales
principales
principales
1,1
2,2
3,3
= 4.5
= 23
= 11
2. las direcciones principales estn dadas por los vectores propios unitarios:
1
1 = 0
0

0
2 = 0.515
0.857
0
3 = 0.857
0.515
3. basndose slo en estos resultados (tres valores distintos para las resistividades principales), A puede
ser triclnico, monoclnico u ortorrmbico.
4. por otro lado, si A reacciona a tensin hidrosttica, debe pertenecer a una de las diez clases polares,
de las cuales slo las siguientes pertenecen a los sistemas triclnico, monoclnico u ortorrmbico: 1, 2, m,
mm2.
Estas clases tambin aparecen directamente en la tabla de estructuras de propiedades de 1er orden.
2014-2015
308
Una tercera posibilidad es comprobar cul de las cinco clases piezoelctricas triclnicas, monoclnicas u
ortorrmbicas producen una seal cuando se les aplica una tensin hidrosttica. Usando notacin de
Voigt, la estructura de la tensin hidrosttica es:

str( p ) =
Realizando el producto (ley constitutiva) del efecto piezoelctrico directo en

notacin de Voigt con las estructuras de los mdulos piezoelctricos de cada
clase se obtiene:
clase 1 :
clase m :
clase mm2 :
clase 2:
clase 222 :
P = d : = d :p
Se comprueba que de estas cinco clases, la clase

222 (ortorrmbica) no produce seal elctrica al
someterla a tensin hidrosttica, luego queda
descartada.
Por ltimo, la condicin de responder slo con deformacin longitudinal a tensin longitudinal uniaxial
en cualquier eje implica que la estructura de la complianza elstica debe tener los bloques no
diagonales vacos. Las estructuras para las cuatro clases que an no han sido descartadas son:
2014-2015
309

triclnicas (todas, y en
particular, la clase 1)
descartadas
monoclnicas (todas, y en
particular, las clases 2 y m)
descartadas
ortorrmbicas (todas, y en
particular, la clase mm2)
aceptables, tienen vacos los
bloques fuera de la diagonal.
De estas cuatro clases restantes, la nica que tiene los bloques no diagonales vacos, y que es
compatible con todos los datos experimentales disponibles, es la mm2 (ortorrmbica) que es a la que
debe pertenecer el material A.
5. para el sistema ortorrmbico, los ejes convencionales coinciden con las direcciones principales.
La resistividad elctrica de A en los ejes convencionales del sistema ya es diagonal, y las tres
componentes sern las resistividades principales encontradas.
Aunque no es necesario, puede comprobarse expresando la resistividad en el sistema definido por las
direcciones principales. Para esto se usa la matriz L de transformacin que contiene, por filas, los
vectores unitarios en las direcciones principales (vectores propios):
0
0
1
L = 0 0.515 0.857
0 0.857 0.515
La resistividad expresada en estos nuevos ejes, que son los ejes convencionales, es entonces:
4.5 0 0
L L = 0 23 0
0 0 11
_________________________________________________________________________________
7.45
En una lesin frecuente en colisiones de automvil un disco intervertebral cervical (D en la figura)
sufre dao por el desplazamiento relativo entre la cabeza (C) y el tronco (T). De modo muy
simplificado se puede considerar que durante toda la duracin de la colisin, la cabeza se sigue
desplazando con velocidad constante vC m/s mientras que el tronco se ha detenido, es decir vT=0
m/s (esquema A de la figura). El disco se considera un cilindro de dimensiones D = 0.042 m y
3
H = 7 10
2014-2015
m (esquema B de la figura) entre dos masas que representan la cabeza y el tronco.
310
El disco es un cartlago viscoplstico, sometido a las fuerzas debidas a la colisin y al propio peso
de la cabeza (cuya masa es m = 5.7 kg). La tensin mecnica en el disco est dado por la
siguiente ecuacin constitutiva:
= K + g
(1)
T
donde: v + ( v ) es la velocidad de deformacin del material del disco (s-1),
6
es un mdulo carcterstico del material K = 1.2 10 (Pa s),
K
es la tensin mecnica causada por el peso propio de la cabeza sobre el
g
disco (Pa).
El cartlago sufre daos irreversibles cuando el mdulo de la parte desviadora del tensor de tensiones
supera un valor caracterstico del material. La parte desviadora del tensor de tensiones se define como:
1
3
desv tr ( )
(2)
8
(tr() es la traza). El dao irreversible tiene lugar cuando desv plast , donde plast = 7.5 10 Pa.
En el sistema de ejes dado, y escribiendo previamente el campo de velocidad dentro del material del
disco,
1. calcular el tensor de tensiones en el cartlago segn la expresin (1) usando las variables dadas y
escribirlo como matriz,
2. lo mismo para la parte desviadora del tensor de tensiones segn la expresin (2),
3. calcular a qu velocidad de impacto (m/s) sufre dao irreversible el cartlago, es decir, se alcanza el
lmite plstico en esta colisin,
4. calcular qu error porcentual se comete si se ignora el peso de la cabeza en el clculo anterior.
Sol.: 1. el campo de velocidad es lineal; en los ejes dados:
2014-2015
v1 ( x2 ) = vc
x2
H
311
y su gradiente se calcula:
( v )ij
0
v
=
v j ; a v b = c
xi
H
0
0
0
0 cde fhg = vc
H
0
0
0
0
vc
H
0
0
La tensin durante la colisin incluye esta contribucin ms el peso de la cabeza, que produce una
tensin de compresin 22.
Kvc
0
0
H
c f = Kv
ed hg c 4mg 0
H
D2
0
0
0
2. la parte desviadora del tensor de tensiones es, segn (2):
0
c f = Kv
ed desv hg c
H
Kvc
H
4mg
D2
0
0
1
1 4mg
0
0 3 D 2
4mg
2
0 3 D
Kvc
0 =
H
1
0
0
1
0
Kvc
H
8mg
3 D 2
0
4mg
3 D 2
0
y su mdulo:
desv =
1
T
=
desv : desv
2
2
2
2
1 Kvc
4mg 8mg
+ 2
+
=
2
2
2
2 H
3 D 3 D
K vc
3. el dao irreversible ocurrir cuando

se alcanza el valor de vc que satisface:
vc =
2 2
16 m g
2
+
= plast
3 2 D 4
2 2
16 m g H
plast
3 2 D 4 K
2
K 2 vc2 16 m 2 g 2
+
3 2 D4
H2
vc = 4.375 m/s
m/s
4. si se desprecia el peso de la cabeza (es decir, se hace m = 0 en la expresin anterior), se obtiene

H
vc_aprox = plast
K
El error cometido (porcentual) es muy pequeo:
vc vc_aprox
vc
100 = 4.817 10
En consecuencia es perfectamente admisible despreciar el peso de la cabeza en este caso.

__________________________________________________________________________________
2014-2015
312
8 Homogeneizacin de
propiedades en compuestos
8.1
Un material compuesto metal-cermica tiene una densidad C = 8250 kg/m3. Los componentes
son una matriz metlica (A) y partculas de nitruro de silicio Si 3N4 (B) dispersas en la matriz. La
densidad de B es B = 3150 kg/m3 y su fraccin volumtrica es VB = 0.12. Cul es la
fraccin msica de Si3N4 en el compuesto?
Sol.: la densidad del compuesto depende de las densidades de los componentes y de sus
fracciones volumtricas como: C = ( 1 VB) A + VB B , de donde se obtiene la densidad del
metal:
C V B B
A =
A = 8945 kg/m3
1 VB
y la fraccin msica de B en el material compuesto es:
V B B
( 1 V B) A + V B B
O an ms directamente
B V B
C
= 0.0458
(masa de B entre masa de A ms masa de B)
= 0.0458
(masa de B en una unidad de volumen dividida

entre la masa de la unidad de volumen)
__________________________________________________________________________________
8.2
Para sintetizar un poliuretano lineal, no reticulado, se hace reaccionar un diisocianato A, de
masa molecular MwA = 67 kg/kmol, con un dialcohol B, de masa molecular MwB = 89
kg/kmol, en cantidades estequiomtricas. Las densidades de los monmeros son A = 690
kg/m3 y B = 819 kg/m3. Suponiendo que la reaccin tiene lugar en condiciones de mezcla
ideal (lineal) de volmenes, calcular la densidad del polmero resultante.
Sol.: A y B son difuncionales y reaccionan 1:1. Las fracciones msicas de los residuos
monomricos de A y B (cuyas masas moleculares son iguales a las de los monmeros) en el
2014-2015
313
polmero son:
XA =
MwA
XB = 1 XA
MwA + MwB
XA = 0.429
XB = 0.571
y la densidad del polmero se obtiene de

1
1
P = XA
+ XB
B
A
P = 758.126
kg/m3
__________________________________________________________________________________
8.3
Un hormign fraguado y seco contiene cemento (C), arena (A) y grava (G) en proporciones
msicas de 1:1.5:2.5 (y una cantidad despreciable de agua). Las densidades de los tres
componentes (igualmente secos) son C = 3150 kg/m3, A = 2500 kg/m3 G = 2550 kg/m3.
Cul es la densidad del hormign?
Sol.: las fracciones msicas de los componentes son XC = 1 ( 1 + 1.5 + 2.5),
XA = 1.5 ( 1 + 1.5 + 2.5) y XG = 2.5 ( 1 + 1.5 + 2.5). Es decir:
XC = 0.2
XA = 0.3
XG = 0.5
Por consiguiente, un kilogramo de hormign ocupa un volumen de:

XC
XA
XC
La densidad del hormign es: 1
XG
G
XA
= 3.796 10
XG
= 2635
G
m3
kg/m3
__________________________________________________________________________________
8.4
El papel es un material compuesto, en primera aproximacin, por fibras de celulosa (C), con una
fraccin msica XC = 0.65 , un pigmento inorgnico (P) blanco o coloreado, con una fraccin
msica XP = 0.25 , y el resto es un ligante o adhesivo (A) que aglomera los otros dos
componentes. Las densidades tpicas de los tres componentes son C = 923 kg/m3, P = 3700
kg/m3 y A = 760 kg/m3. De acuerdo con esta composicin qu espesor tiene aproximadamente
el papel de impresora de = 80 g/m2 (es decir, 1 m2 de papel pesa 80 g)?
2014-2015
314
Sol.: un m2 de este papel tiene una masa de 1000 = 0.08 kg. Esta masa de papel ocupa un
XC
volumen: vol =
XP
1 XC XP
5
( 1000), vol = 7.227 10 m que
corresponde a 1 m2 de papel de espesor: vol = 7.227 10
m.
__________________________________________________________________________________
8.5
Una tcnica sencilla y usada muy frecuentemente para determinar el grado de cristalinidad de una
muestra de un polmero consiste en medir su densidad. Si se conocen las densidades del polmero
totalmente amorfo y totalmente cristalino, y se considera el polmero semicristalino como una
mezcla fsica de ambos, es posible calcular su grado de cristalinidad. Para el polietileno (PE), se
conoce la densidad del PE totalmente amorfo a = 855 kg/m3 y la del PE totalmente cristalino
c = 1000 kg/m3. Si una muestra semicristalina tiene una densidad de = 925 kg/m3, cul es
su grado de cristalinidad (expresado como fraccin msica)?
Sol.: tomando una base clculo de 1 kg, se puede expresar el volumen de esta base como un slo
Xc 1 Xc
1
=
+
componente o como mezcla de las partes amorfa y cristalina; se verifica
, de
donde Xc =
c ( a )
( a c)
es decir, el grado de cristalinidad es: Xc = 0.522 .
__________________________________________________________________________________
8.6
Un material compuesto est constituido por lminas paralelas alternadas de Cu de espesor
h1 = 0.001 m y de tefln (PTFE) de espesor h2 = 0.0005 m que se considera como aislante
perfecto. Calcular la conductividad elctrica de este material compuesto a temperatura ambiente y
en condiciones de isocorriente o isoflujo.
Sol.: en condiciones de isocorriente (isoflujo) la corriente elctrica que atraviesa los dos componentes
del material compuesto es la misma, es decir, stos se encuentran en serie. Al considerar el PTFE
como un aislante perfecto, la conductividad del material compuesto es entonces nula.
__________________________________________________________________________________
2014-2015
315
8.7
Calcular el mdulo elstico en la direccin de las fibras de un filamento de un material
9
compuesto por fibras de una cermica A, cuyo mdulo elstico es Ef = 210 10 Pa, en una
9
matriz de metal B, cuyo mdulo es Em = 55 10 Pa. Las fibras son de seccin circular, estn
alineadas con el eje del filamento y una seccin transversal del material compuesto est dada en
la figura:
Sol.: para el mdulo elstico en direccin de las fibras, el material compuesto se encuentra en
isodeformacin. Por otro lado, la fraccin volumtrica de fibras es igual a la fraccin de seccin
transversal ocupada por las mismas. De la figura se deduce que esta fraccin es:
1
Vf =
2
luego:
Ec = Vf Ef + ( 1 Vf ) Em
11
Ec = 1.767 10
Pa
__________________________________________________________________________________
8.8
Un material compuesto conductor est formado por lminas alternadas de tres materiales diferentes,
cada uno de ellos homogneo e istropo. Los espesores de las lminas son L1, L2 y L3, las densidades
msicas son m1, m2 y m3 y las conductividades elctricas son 1, 2 y 3 respectivamente. Deducir
la expresin que da la resistividad elctrica del material compuesto c cuando se establece una corriente
elctrica perpendicular a las lminas.
Sol.: en condiciones de isoflujo (elctrico), la densidad de corriente que atraviesa las lminas es igual
para todas ellas e igual a la que atraviesa el compuesto. Aplicando la ley de Ohm macroscpica inversa
al compuesto y a cada lmina e igualando las densidades de corriente elctrica:
Jc =
2014-2015
Vc
c ( L1 + L2 + L3 )
V1
L1
1 =
V2
L2
2 =
V3
L3
316
J c L1
V1 =
de donde:
; V2 =
J c L2
; V1 =
J c L3
; Vc = c J c Li
i =1
La cada de potencial total a travs del compuesto debe ser igual a la suma de las cadas de potencial a
travs de las tres lminas:
3
c Li =
i =1
L1
L2
1 2
L3
c =
V1
V2
1 2
V3
donde
Vi
Li
3
L
i =1
__________________________________________________________________________________
8.9
Un cilindro de material compuesto conductor est constituido por lminas paralelas de dos
materiales A y B (blanco y gris en la figura), cuyas resistividades elctricas son A = 0.23 m
y B = 11.8 m, respectivamente. Los espesores de las lminas son A = 0.022 m y
B = 0.081 m. Las lminas forman un ngulo = 34 con el eje del cilindro como se indica
en la figura. La longitud del cilindro es L = 0.12 m y su radio R = 0.02 m.
Calcular la resistencia elctrica del cilindro () cuando la corriente circula a lo largo del mismo.
Sol.: el material compuesto pertenece a la clase lmite
/ mm
El eje de orden infinito es perpendicular al plano de las lminas y es el eje convencional cartesiano 3.
Las componentes del tensor resistividad elctrica del compuesto en sus ejes convencionales tienen que
ser:
0
0
11
c f
11 0
d g = 0
e ch
0
0
33
con:
11
B
A
1
1
=
+

A + B A A + B B
33 =
2014-2015
A
A + B
A +
B
A + B
(isotensin) 11 = 1.005 m
(isocorriente) 33 = 9.329 m
317
La resistividad a lo largo del eje corresponde a la resistividad en la direccin definida p.ej. por los
cosenos directores:
n1 = cos ( )
n2 = 0
n3 = sen ( )
= ni n j ij
y la resistividad en una direccin est dada por:

Para los valores indicados esta expresin se reduce a:
2
= n1 11 + n3 33
Y la resistencia del cilindro es:
= 344.5
= 3.608 m
__________________________________________________________________________________
8.10
Un cable se fabrica trenzando un nmero elevado de fibras iguales de seccin circular de un
11
metal cuyo mdulo de Young es E = 1.83 10 Pa. En la seccin transversal del cable las fibras
estn ordenadas del modo ms compacto posible, como se indica en la figura. Calcular el mdulo
elstico del cable para cargas a traccin en la direccin de su eje (perpendicular a la figura).
Sol.: para calcular el mdulo elstico, el cable se puede considerar un material compuesto de metal y aire
(sin mdulo elstico). La traccin que se indica corresponde a isodeformacin, con lo cual el mdulo es
el del metal puro multiplicado por la fraccin de rea transversal ocupada por el metal (fraccin de rea
sombreada en la figura). Para el empaquetamiento compacto de crculos en 2D:
1
3
6
Vmetal =
1
2 3
2
Vmetal = 0.907
Ecable = Vmetal E
11
Ecable = 1.66 10
Pa
__________________________________________________________________________________
2014-2015
318
8.11
Calcular el mdulo elstico en la direccin de las fibras de un filamento de material compuesto
que tiene una fraccin volumtrica Vf = 0.6 de fibras de carbono IM (mdulo intermedio), cuyo
9
mdulo de Young es Ef = 230 10 Pa, en una matriz epoxi, cuyo mdulo de Young es
9
Em = 4 10 Pa. Las fibras de carbono estn alineadas con el eje del filamento.
Sol.: el material compuesto se encuentra en isodeformacin.
Vf = 0.6
Vm = 1 Vf
11
Ec = Vf Ef + Vm Em
Ec = 1.396 10
Pa
__________________________________________________________________________________
8.12
Un material compuesto P est constituido por lminas alternadas de tres materiales distintos A, B,
C; el grosor de las lminas de C es el doble de las de B. Si el mdulo elstico del compuesto en la
direccin paralela a las lminas es EP = 701.9 GPa, calcular la proporcin en masa de A con
respecto de la de C (kgA/kgC) en P. Densidades: A = 1490 kg/m3; C = 3150 kg/m3.
Mdulos elsticos: EA = 1050 GPa; EB = 453 GPa; EC = 387 GPa.
Sol.: en condiciones de isodeformacin (direccin paralela a las lminas), el mdulo elstico se calcula
segn la regla de mezcla de Voigt:
EP = VA E A + VB EB + VC EC
Como las lminas tienen la misma seccin, y el grosor de las lminas de C es el doble de las de B,
tambin la fraccin volumtrica de C ser el doble de la de B:
VC = 2VB
1 = VA + VB + VC = VA + 3VB
EP = VA E A + VB EB + VC EC = (1 3VB ) E A + VB EB + 2VB EC
Se puede despejar la fraccin volumtrica en B:
VB =
EP EA
EB + 2EC 3EA
VB = 0.181
Y las fracciones de A y C sern:

VA = 1 3VB
VC = 2VB
Por ltimo, la relacin entre las masas de A y C es:
2014-2015
VA = 0.457
VC = 0.362
319
A V A
C VC
= 0.597
__________________________________________________________________________________
8.13
Una espuma est formada por una matriz de poliuretano reticulado de densidad = 670 kg/m3
en la que estn dispersas burbujas de gas (de densidad despreciable frente a la del poliuretano).
Suponiendo que las burbujas de gas son todas de igual tamao y estn empaquetadas al f = 80 %
de la mxima compacidad posible, determinar la densidad de la espuma.
Sol.: el empaquetamiento de esferas iguales de mxima compacidad tiene una fraccin volumtrica
de esferas de max = 0.74 . El volumen ocupado por la matriz de poliuretano ser
p = 1
f
max y la densidad de la espuma:
100
espuma = p
espuma = 273.36
kg/m3
__________________________________________________________________________________
8.14
El material (goma) del que se fabrican los neumticos es un compuesto de caucho sinttico SBR,
de mdulo elstico Ec = 1.9 GPa y negro de humo (carbono) de mdulo elstico En = 32 GPa .
Se desea que el mdulo de la goma sea de E = 4 GPa. Para calcular el mdulo elstico de la
goma se usa la regla de Voigt-Reuss-Hill: el mdulo del compuesto es la media aritmtica de los
mdulos obtenidos con la regla de mezcla de Voigt y con la regla de mezcla de Reuss.
Determinar qu fraccin volumtrica de caucho sinttico debe tener la goma.
Sol.:
Voigt:
Reuss:
E = Vc Ec + ( 1 Vc) En
Voigt-Reuss-Hill:
E = 0.5 Vc Ec + ( 1 Vc) En + 0.5
= Vc Ec
+ ( 1 Vc) En
1
Vc Ec
+ ( 1 Vc) En
que es una ecuacin cuadrtica en Vc cuya solucin positiva es:
( En Ec) 2E +
En 4 E En + 6 Ec En + 4 E 4 E Ec + Ec
2( En Ec)
= 0.869
__________________________________________________________________________________
2014-2015
320
8.15
Se prepara un material compuesto tipo "sandwich" formado por lminas alternadas de una matriz
3
"m" y un refuerzo "r", de igual rea y espesores lm = 0.5 10 m y lr = 0.3 10 m,

respectivamente. La superficie del material paralela a las lminas se expone a un determinado gas
26
con concentracin Cs = 10
componentes son:
Matriz: D0m = 2.1 10
Refuerzo: D0r = 5.2 10
tomos/m . Los parmetros de difusin del gas en los dos

6
m /s, Qm = 2.8 10 J/kmol
m /s, Qr = 15.3 10 J/kmol
1. Calcular los coeficientes de difusin del gas en los dos componentes por separado a dos
temperaturas T1 = 300 K y T2 = 500 K.
2. Considerando que el material compuesto se comporta como un medio continuo promedio en
condiciones de isoflujo (la difusin tiene lugar en la direccin perpendicular al plano de las
lminas), calcular para las dos temperaturas el espesor "h" al cual la concentracin de gas ser
la mitad de la superficial cuando hayan transcurrido t = 3600 s de exposicin al gas.
3
Dato: R = 8.314 10 J/kmolK
Sol.: las difusividades del gas en cada uno de los componentes por separado se obtienen aplicando la
ecuacin de Arrhenius:
Q m
R T1
Dm1 = D0m exp
Q r
R T1
Q r
R T2
Dr1 = D0r exp
Dm1 = 6.834 10
Dr1 = 1.127 10
Q m
R T2
Dm2 = D0m exp
Dr2 = D0r exp
m2/s
Dm2 = 1.071 10
m2/s
Dr2 = 1.311 10
m2/s
m2/s
En condiciones de isoflujo, la difusividad promedio se obtiene por la regla de mezcla de Reuss:

1
1
1
= Vm
+ Vr
Dc
Dm
Dr
Al ser las reas iguales, las fracciones volumtricas se obtienen a partir de los espesores:
Vm =
2014-2015
lm
lm + lr
Vm = 0.625
Vr = 1 Vm
Vr = 0.375
321
y con ellas las difusividades del gas en el material compuesto a las dos temperaturas:
1
1
Dc1 = Vm
+ Vr
Dr1
Dm1
1
1
Dc2 = Vm
+ Vr
Dr2
Dm2
Dc1 = 2.357 10
Dc2 = 1.15 10
m2/s
m2/s
Para hallar el espesor h al cual la concentracin es la mitad del valor en la superficie, se utiliza la
Cs Ch
h
= erf
expresin del perfil de concentraciones
= 0.5, con C0 = 0.
Cs C0
2
D
Entrando en la tabla (problema 7.1) con este valor de la funcin de error e interpolando el
argumento x, se obtiene:
h
erf ( x ) = 0.5 x = 0.477 =
2 Dt
El espesor a T1 se calcula:
hT 1 = 2 DC1 t x = 2.779 103 m
y el espesor a T2:
hT 2 = 2 DC 2 t x = 6.137 103 m
__________________________________________________________________________________
8.16
Se desea preparar un material compuesto P de matriz metlica a partir de una aleacin de
aluminio y una fibra de refuerzo compuesta por boro depositado sobre wolframio. Para asegurar
que el material compuesto presente unas buenas propiedades mecnicas, se requieren unas
proporciones de aluminio y boro que den lugar (considerado como mezcla binaria, sin presencia
de wolframio) a un mdulo elstico Emin = 93.11 GPa en condiciones de isotensin. Por otro
lado se desea que el coste del producto final P no sea demasiado elevado, de forma que se decide
tomar una fibra con una composicin de boro y wolframio tal que el precio de la fibra es de
p = 2153.56 /t. Calcular:
1. El contenido (en fraccin msica y volumtrica) de aluminio (Al), boro (B) y wolframio (W)
en el material compuesto P.
2. La densidad del producto P, y su mdulo elstico en condiciones de isodeformacin.
Datos: densidad de la aleacin de aluminio: Al = 2700 kg/m3,
densidad del boro: B = 2340 kg/m3,
densidad del wolframio W = 19300 kg/m3,
mdulo elstico de la aleacin de aluminio: EAl = 68.9 GPa,
2014-2015
322
mdulo elstico del boro: EB = 379 GPa,
mdulo elstico del wolframio: EW = 410 GPa,
precio de la aleacin de aluminio: pAl = 1190 /t,
precio del boro: pB = 281 /t,
precio del wolframio: pW = 6891 /t.
Sol.: 1. la primera condicin requiere que el mdulo elstico en condiciones de isotensin de

una mezcla binaria Q de aluminio (Al) y boro (B) sea de Emin = 93.11 GPa. De aqu se puede
obtener la proporcin entre ambos (regla de mezcla de Reuss):
1
1
1
1
=
= VAlQ
+ ( 1 -VAlQ )
Emin EQ
E Al
EB
donde VAlQ es la fraccin volumtrica de aluminio

en la mezcla Q.
Despejando esta incgnita:

1
VAlQ =
Emin
1
EB
1
1
EAl EB
VAlQ = 0.682
VBQ = 1 VAlQ
VBQ = 0.318
La segunda condicin requiere que el precio de la fibra R (mezcla binaria de boro B y wolframio W)
sea pR = p, pR = 2153.56 /t. El precio de la fibra est dado por:
pR = X BR pB + (1 X BR ) pC
donde XBR es la fraccin msica de boro en la fibra R. Despejando esta incgnita, se obtiene:
XBR =
pR pW
pB pW
XBR = 0.717
XWR = 1 XBR
XWR = 0.283
La composicin del material compuesto P se obtiene de satisfacer las dos condiciones. Se puede resolver
tanto grficamente como analticamente, y trabajando tanto en fracciones msicas como volumtricas.
1 Variante: resolucin grfica en fracciones msicas. La composicin en fracciones msicas de la mezcla

binaria Q es:
XAlQ =
VAlQ Al
VAlQ Al + ( 1 VAlQ) B
XAlQ = 0.712
XBQ = 1 XAlQ
XBQ = 0.288
El material compuesto P se obtendr en el punto de corte entre las rectas correspondientes a las mezclas
de W con Q y de Al con R, y leyendo directamente su composicin en el diagrama ternario:
2014-2015
323
Q
P
Al
W
XWP = 1 XAlP XBP
XAlP = 0.640
XBP = 0.258
XWP = 0.102
2 Variante: resolucin grfica en fracciones volumtricas. La composicin en fracciones volumtricas

de la fibra R es:
XBR
VBR =
XBR
XWR
VBR = 0.954
VWR = 1 VBR
VWR = 0.046
El material compuesto P se obtendr anlogamente en el punto de corte entre las rectas correspondientes
a las mezclas de W con Q y de Al con R. Su composicin volumtrica se lee:
2014-2015
324
B
R
Q
P
Al
W
VWP = 1 VAlP VBP
VAlP = 0.672
VBP = 0.313
VWP = 0.015
que corresponden a las mismas fracciones msicas obtenidas anteriormente:

VAlP Al
VAlP Al + VBP B + VWP W
VBP B
VWP W
= 0.640
= 0.258
= 0.102
2. A partir de las composiciones volumtricas, puede obtenerse la densidad tomando como base de
clculo una unidad de volumen:
P = VAlP Al + VBP B + VWP W

2014-2015
P = 2836 kg/m3
325
En cuanto al mdulo elstico, al ser en condiciones de isodeformacin, se aplica la regla de mezcla de
Voigt:
EP = VAlP EAl + VBP EB + VWP EW
EP = 171 GPa
__________________________________________________________________________________
8.17
Dos xidos cermicos AO y BO forman soluciones slidas ideales (es decir la mezcla de volmenes
es lineal en la composicin) en todo el intervalo de composicin, desde AO puro hasta BO puro. Las
3
densidades de los dos xidos puros son AO = 2.654 10 kg/m y BO = 5.434 10 kg/m .
Determinar la densidad de una solucin slida de AO y BO que contiene una fraccin msica del
xido AO: XAO = 0.32 .
Sol.: el volumen que ocupa un kg de solucin slida es:
V =
XAO
AO
1 XAO
V = 2.457 10
BO
m3/kg de solucin slida
Su densidad es el inverso de este volumen especfico:

1
kg/m3
= 4070
V
__________________________________________________________________________________
8.18
De modo aproximado, la piel tiene una estructura laminar de dos capas paralelas. Cada capa es
homognea e istropa. La nicotina tiene difusividades diferentes en cada capa. Los espesores y
4
las difusividades de la nicotina en cada una de las capas son: 1 = 2.2 10

3
m,
m, D1 = 1.33 10
m2/s y D2 = 5.62 10
m2/s, respectivamente.
Determinar cul es la difusividad de la nicotina perpendicularmente a la piel; considerar la piel
como un material compuesto.
2 = 1.52 10
Sol.: para la ecuacin constitutiva de la difusin msica (ley de Fick), la difusin perpendicularmente a
la piel es en condiciones de isoflujo (las componentes estn en serie), y la difusividad es el anlogo de la
conductividad elctrica. La difusividad de la nicotina en la piel es, para las siguientes
fracciones volumtricas:
V1 =
V1 V2
D =
+
D1 D2
1
1 + 2
V2 = 1 V1
9
D = 6.063 10
m2/s
__________________________________________________________________________________
2014-2015
326
8.19
Un cable de cobre est fabricado agrupando un nmero elevado de conductores individuales
(alambres de cobre), colocados paralelamente unos a otros y paralelos al eje del cable. Entre los
conductores individuales slo hay aire, que acta como aislante elctrico de resistividad elctrica
8
infinita. La resistividad del cobre puro es Cu = 1.724 10
m. Se mide la resistividad del

8
cable a lo largo del mismo y se obtiene un valor de tot = 3.43 10

3
m. La densidad del
cobre puro es mCu = 8.92 10 kg/m .

Qu densidad msica tiene el material del cable (kg/m3)? Despreciar la densidad del aire frente a
la del cobre.
Sol.: en la medida de resistividad del cable, considerado como material compuesto, el cobre y el aire
(aislante perfecto, resistividad infinita) estn dispuestos en paralelo. La resistividad total es:
tot =
1
VCu
Cu
+0
de donde se obtiene la fraccin volumtrica de cobre:

y la densidad del cable resulta:
VCu =
3
VCu mCu = 4.483 10
Cu
tot
VCu = 0.503
kg/m3
__________________________________________________________________________________
8.20
La mayora de los chasis de los monoplazas de Frmula 1 son un monocasco de materiales compuestos
de altas prestaciones, generalmente de fibra de carbono y aluminio con una estructura como la de la
figura. En esta figura se representa una lmina de un material compuesto de este tipo fabricado con dos
componentes: el material de la matriz, M, y el material F del que est formada la estructura regular que
se detalla en la figura. Los dos materiales M y F (cada uno por separado, sin darles ninguna estructura)
son homogneos e istropos (las zonas grises en el detalle ampliado son slo sombras, el material es el
mismo en todas las caras de los tringulos).
De la lmina se corta un cubo de lado L de manera que sus caras A, B y C sean respectivamente
paralelas a las caras A, B y C de la lmina (parte inferior de la figura). Todas las propiedades del
compuesto se suponen conocidas (es decir, no es preciso calcularlas en funcin de las propiedades de
M y de F).
2014-2015
327
detalle de la
estructura del
compuesto
vista frontal
(perpendicular a
las caras A)
C
A
los tringulos son

equilteros
B
C
B
El cubo de material compuesto se somete a una fuerza de compresin de mdulo W , que acta
perpendicularmente a sus caras A. Determinar, suponiendo pequeas deformaciones, en funcin de las
propiedades fsicas del material compuesto (que deben incluir necesarimente mdulos elsticos y
relaciones de Poisson), geometra, y dems variables que se consideren necesarias:
1. a qu clase cristalogrfica pertenece el material compuesto,
3. la deformacin del cubo de material compuesto al cargarlo con la fuerza W (dar las dimensiones de
las caras A, B y C),
5. la variacin de volumen del cubo (volumen bajo carga menos volumen inicial).
Sol.: 1. el material tiene un eje de rotacin de orden 6 perpendicular a las caras A, que es uno de los
elementos de simetra caracterstico del sistema hexagonal. Adems tiene 6 planos de simetra que
contienen este eje, y un plano de simetra y 6 ejes binarios perpendiculares a este eje. Es de la clase
6/mmm. Para esta clase, el eje de orden 6 corresponde al eje convencional cartesiano 3. La orientacin
de los otros dos ejes es la definida por los ejes x1 y x2 en el estereograma de la clase. En este sistema
de ejes la estructura de su complianza elstica es:
6 / mmm
u
e z
y
d
2014-2015
328
2. la fuerza de compresin aplicada entre las caras A produce una tensin mecnica normal 3 (en
notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva de Hooke:
s11
s
12
G
G s13
= s =

s12
s13
s11
s13
s13
s33
s44
s44
W
2
W
L = 2
L
0
0
2 ( s11 s12 )
0
s13
s
13
s33

0
0

0
se producen deformaciones longitudinales en las tres direcciones convencionales. Las nuevas

dimensiones del cubo tras la carga son:
s W
L1 = L2 = L 1 13 2
L
s33W
; L3 = L 1 2
L
Las complianzas elsticas pueden escribirse en trminos de los mdulos de Young y las relaciones de
Poisson longitudinales y transversales (el subndice t "transversal" corresponde a los ejes
convencionales 1 y 2; el subndice l "longitudinal" corresponde al eje convencional 3). El material es
transversalmente istropo. Como ya se ha visto en anteriores problemas:
s13 = lt / El
s33 = 1 / El
es decir, los lados del cubo en la direccin de los ejes 1, 2 y 3 tras la carga son:
W
L1 = L2 = L 1 + lt 2 ; L3 = L 1
2
El L
El L
Para la inmensa mayora de materiales, la relacin de Poisson lt es positiva, de manera que la
muestra de material compuesto sufre acortamiento en la direccin en la que acta la carga de
compresin (eje cartesiano convencional 3), y alargamiento en las direcciones 1 y 2.
3. por ltimo la variacin de volumen del cubo ser:
V = L1 L2 L3 L3
LW
( 2 lt 1)
El
donde se han retenido slo los trminos de primer orden en la deformacin; cuadrticos y cbicos se
desprecian en pequea deformacin.
__________________________________________________________________________________
2014-2015
329
8.21
Se desea construir un cilindro de longitud L = 0.225 m y dimetro D = 0.015 m de un
material compuesto formado por una matriz (M) de resina epoxi reforzada con fibra de carbono
(F). Se dispone de una nica fibra que se corta en segmentos iguales para su utilizacin. Esta fibra
3
de refuerzo posee un mdulo de Young Ef = 216 GPa, un dimetro Df = 5.62 10

m y una
longitud Lf = 1.35 m. Suponiendo una adhesin perfecta entre la matriz y las fibras, y
despreciando la contribucin de la matriz, calcular el valor mximo del mdulo de Young del
material compuesto, a traccin en la direccin del eje del cilindro, que se puede fabricar a partir
de M y F.
Sol.: la fibra se corta en 6 segmentos iguales, de longitud igual a la del cilindro. La fraccin volumtrica
de fibra est dada por la relacin entre el rea transversal de las seis fibras y el rea transversal del
cilindro. El mdulo pedido se calcula en condiciones de isodeformacin, es decir:
6
Df
4
2
Ef = 181.9 GPa
D
4
__________________________________________________________________________________
8.22
Algunas cuerdas de guitarra elctrica (las graves o bordonas) estn fabricadas de un material
compuesto por dos tipos de alambre: un alambre macizo de acero al carbono (A) alrededor del
cual se enrolla apretadamente un alambre de otro material (B) (p.ej en las Fender Original 150s
B es nquel), tal y como se indica en la figura.
Con muy buena aproximacin, se puede suponer que la fuerza aplicada al tensar la cuerda la
soporta ntegramente el componente A. El componente B slo aade masa inerte al conjunto y
tiene un mdulo elstico despreciable. El compuesto de los dos alambres se encuentra en
condiciones de isodeformacin.
Una cuerda de este tipo, de longitud L, de densidad lineal (kg de cuerda/m de cuerda) y
1
F
tensada con una fuerza F, tiene como frecuencia natural de vibracin: f =

.
2L
Considerando la cuerda como un material compuesto, y conocidos los dimetros de los dos tipos
de alambre, DA , DB , sus densidades A , B , y el mdulo de Young de A, EA , determinar en
funcin de estas variables (stas deben aparecer necesariamente en la solucin), de la geometra
del material, y otras variables que se consideren necesarias:
1. la densidad lineal (kg /m) de la cuerda,
2. por su geometra, a qu clase pertenece este material compuesto,
3. cunto se incrementa la longitud de la cuerda al tensarla (afinarla) para que vibre con su
2014-2015
330
frecuencia natural f .
Por simplicidad, considerar el bobinado de B en torno a A como formado por anillos (forma de
toro) y no como helicoidales.
Sugerencia: para calcular la densidad lineal, considerar un tramo de cuerda de longitud igual a un
nmero entero cualquiera de dimetros del alambre B.
Volumen de un toro:
Sol.: 1. la densidad lineal se puede obtener considerando un tramo de cuerda, p.ej., de longitud
igual al dimetro del alambre de B. El volumen de cada componente en este tramo es:
2
D
Vol A = A DB
2
D D
D
VolB = 2 A + B B
2 2
2
La masa total de este tramo dividido por su longitud es la densidad lineal (kg/m lineal de cuerda):
Vol A A + VolB B
= A DA2 + B DB ( DA + DB )
4
DB
La cuerda debe afinarse (tensarse) con una fuerza dada por la frmula:
F = ( 2 Lf )
El mdulo elstico de la cuerda, considerada como material compuesto es:
EC = E A
Vol A
DA2
= EA 2
= EA
Vol A + VolB
DA + DB ( DA + DB )
1
D (D + D )
1+ B A2 B
DA
2. la estructura del material tiene un eje de simetra de orden infinito, una direccin preferente (la del eje
de la cuerda) y no tiene un sentido preferente, es de la clase:
/ mm
2014-2015
331
3. la tensin mecnica que acta sobre la seccin transversal del
compuesto es:
3 =
F
DA
+ DB
2
Usando la estructura de la complianza elstica de la clase a la que pertenece:

s11
s
12
G
G s
= s = 13

s33 =
donde:
1
EC
s12
s13
s11
s13
s13
s33
s44
s44
0 s13 3
0 s13 3
3 s33 3
0 0
0 0
2( s11 s12 ) 0 0
EC es el mdulo del material compuesto en la direccin 3 "longitudinal"

calculado anteriormente
y el incremento de la longitud de la cuerda (o lo que la cuerda se estira) al tensarla es:
L = L 3 = Ls33 3 =
1
EC
LF
D
A + DB
2
L =
LF
EA
=L
1+
2
1
DA
EA
D ( D + D ) 2 + DB
1+ B A2 B
DA
DB ( DA + DB )
DA2
DA
+ DB
Tambin puede hacerse este apartado no considerando la cuerda como un compuesto, sino considerando
slo el material (A) que soporta la carga. En este caso se trata de un material homogneo e istropo:
F
D
A
2
3 =
EA
y la cuerda se estira
L 3 =
LF
D
EA A
2
Los dos resultados son vlidos. La diferencia entre los dos resultados se debe a que en el primer
mtodo se usa una seccin transversal que es slo aproximada. Para la aplicacin de que se trata,
el error numrico que causa esta aproximacin es inferior a un 10% en la elongacin. La
aproximacin es tanto mejor cuanto ms fino es el alambre B (para DA fijo) y es exacta en el
2014-2015
332
lmite:
lim
DB 0
LF
EA
1+
DB ( DA + DB )
DA2
DA
+ DB
1
LF
E A DA 2
Lo que NO es correcto es:

considerar el material como un compuesto, pero usar el mdulo y la seccin transversal del material
A (el compuesto es anistropo, A es istropo!).
usar el mdulo de A y la seccin transversal del compuesto,
usar el mdulo del compuesto y la seccin transversal de A.
Lo esencial es que, se elija la opcin que se elija (bien tratarlo como material compuesto, bien tratarlo
como A slo), las propiedades, la geometra, etc. sean consistentes. No se pueden mezclar los dos
modos de tratar la cuerda.
__________________________________________________________________________________
8.23
Un tirante de material compuesto est fabricado con dos tipos de fibras A y B, cuyos mdulos
elsticos y radios son EA = 1.35 GPa y EB = 0.15 GPa, y RA = 4.5 mm y RB = 3.87 mm,
respectivamente, y una matriz C de mdulo elstico EC = 0.045 GPa. Las fibras de A y de B
son todas paralelas entre s, y los centros de las secciones transversales de las fibras de A estn
situados sobre una red cuadrada, como se indica en un detalle de la seccin del tirante (figura
siguiente). Determinar el mdulo elstico del tirante en la direccin de las fibras.
Sol.: el mdulo en la direccin de las fibras corresponde a isodeformacin, y se calcula con la regla de
mezcla de Voigt. Las fracciones volumtrica estn dadas por:
VA =
RA
2RA + 2RB
2014-2015
VB =
RB
2RA + 2RB
333
VC = 1 VA VB
VA = 0.454 VB = 0.336
VC = 0.21
E c = V A E A + V B E B + V C E C
Ec = 0.673 GPa
__________________________________________________________________________________
8.24
Un PE semicristalino tiene una densidad = 960 kg/m3. Se sabe que el PE cristaliza en el
sistema ortorrmbico siendo los parmetros de red de la celdilla unidad, que contiene dos UER,
los siguientes: a = 0.742 nm, b = 0.493 nm y c = 0.253 nm. Si la densidad del PE
totalmente amorfo es a = 862 kg/m3, determinar el grado de cristalinidad de este PE
semicristalino, definido como la fraccin volumtrica de la fase cristalina.
kg/kmol
Sol.: la UER del PE tiene una masa molecular: MwUER = 2 12 + 4 1
Si la cristalinidad fuera del 100%, la densidad del PE totalmente cristalino sera:
27
c =
2MwUER 1.6603 10
27
a b c 10
La densidad del PE semicristalino est dado por:

de donde:
Vc =
a
a c
c = 1004.6
kg/m3
= Va a + Vc c = ( 1 Vc) a + Vc c
Vc = 0.687
__________________________________________________________________________________
8.25
El material del ncleo magntico de un transformador es un material compuesto formado por
lminas planas paralelas de un material magntico (A), que tambin es conductor elctrico,
d
d
i l (B)
l
d
d l l i id d A B
h
2014-2015
334
separadas por capas de un material (B), mal conductor de la electricidad. A y B son homogneos
e istropos y ambos obedecen la ley de Ohm. Los espesores de las lminas son A = 0.004 m y
B = 0.0012 m, y sus conductividades elctricas son A = 1800 S/m y B = 5.6 S/m,

respectivamente. Sus densidades son A = 6300 kg/m3 y B = 1800 kg/m3. Sus calores
especficos o capacidades calorficas a presin constante son CpA = 1200 J/kg K y CpB = 1800
J/kg K.
En un punto del ncleo del transformador, el campo elctrico forma un ngulo de = 23 con
la normal a las lminas de A y B, y su mdulo es Emod = 860 V/m. Determinar en ese punto:
la conductividad elctrica (S/m) del material compuesto del ncleo,
la densidad de corriente elctrica
la disipacin de potencia elctrica por unidad de volumen en ese punto (W/m3), sabiendo que
est dada por J E
,
la capacidad calorfica a presin constante (J/kg K) del material compuesto del ncleo,
si no hubiera refrigeracin, a qu velocidad (K/s) subira la temperatura en ese punto del

ncleo debido a la disipacin de potencia elctrica.
J (A/m2),
/ mm
Sol.: el material compuesto laminar pertenece a la clase lmite
La estructura de su conductividad elctrica (prop. de segundo orden, simtrica) es:
.
.
Las fracciones volumtricas se obtienen directamente de los espesores de las capas:

VA =
VB =
A + B
VA = 0.769
B
A + B
VB = 0.231
Para esta clase, el eje convencional 3 va dirigido perpendicularmente al plano de las lminas (ver caso
anlogo para resistividades). Las conductividades en direcciones 1 y 2 (componentes A y B en paralelo,
caso de isogradiente o isotensin elctrica), estn dadas por la regla de mezcla de Voigt:
3
c11 = VA A + VB B
c11 = 1.39 10
S/m
La conductividad en direccin 3 (componentes en serie, caso de isoflujo elctrico, o isocorriente) est

dada por la de Reuss:
c33 = VA A
2014-2015
+ V B B
c33 = 24
S/m
335
Y la conductividad del material compuesto laminar, expresada como matriz, es:

0
c11 0
c = 0 c11 0
0
c33
Para aplicar la ley de Ohm inversa, falta determinar las componentes del campo elctrico aplicado
referidas a las coordenadas convencionales del material. Slo es importante, y conocida, la dependencia
de la direccin de E con el eje 3, porque el material es transversalmente istropo. Una forma cmoda
para hallar sus componentes es, por ejemplo, colocar el vector en el plano 1-3 perpendicular al eje 2:
Emod sen ( )
0
E =
E cos ( )
mod
336.029
E= 0
791.634
V/m
Tambin sera vlido colocar la direccin de E perpendicular al eje 1, en el plano 2-3.
Por la ley de Ohm inversa:
J = c E
4.657 105
J=
0
A/m2
4
1.901 10
La potencia elctrica disipada por unidad de volumen debido a la resistencia del material es:
8
y la densidad del compuesto:
J E = 1.715 10
W/m3
3
c = V A A + V B B
c = 5.262 10
kg/m3
Puesto que la capacidad calorfica del compuesto (por unidad de masa) es una propiedad especfica
msica, se calcula:
1
3
Cpc =
VA A CpA + VB B CpB
Cpc = 1.247 10 J/kg K
De un balance de energa no estacionario, diferencial, usando como volumen de control un elemento de

volumen dV en torno al punto considerado, se obtiene:
c dV Cpc dT = J E dV dt
de donde la velocidad de calentamiento dT/dt es:
J E
c Cpc
= 26.14
K/s
Tambin puede hacerse usando la capacidad calorfica por unidad de volumen de compuesto:
Cpvc = VA A CpA + VB B CpB
2014-2015
Cpvc = 6.563 10
J/m3.K
336
dV Cpvc dT = J E dV dt
En este caso el balance de energa es:

y la velocidad de calentamiento dT/dt es:
J E
= 26.14 K/s
Cpvc
__________________________________________________________________________________
8.26
Un cable elctrico est formado por dos tipos de conductores A y B, y un aislante C como
matriz. La seccin transversal del cable est dibujada en la figura. Los cables de A y B son
tangentes y estn dispuestos hexagonalmente (el dibujo y la relacin de radios de A y B no estn
a escala, son puramente indicativos, y la lnea de puntos es auxiliar, no existe). El espacio entre
los cables est relleno de un aislante elctrico C de resistividad infinita. Los radios de los
3
conductores A y B son rA = 5 10
7
m y rB = 1.3 10
m, y sus resistividades elctricas
m y B = 6.89 10
m. Determinar la resistividad elctrica del
son A = 1 10
cable, considerndolo como un material compuesto, en la direccin perpendicular al plano de la
figura.
Sol.: las fracciones volumtricas de los dos conductores son directamente proporcionales a las
fracciones de rea en la seccin transversal. Eligiendo, p.ej., un hexgono de los marcados con lnea de
trazos, las fracciones volumtricas son:
2014-2015
337
VA =
VB =
rA
rB
3 3 ( rA + rB) 2
VA = 0.762
3 3 ( rA + rB) 2
VC = 1 VA VB
VB = 0.103
VC = 0.135
Como los dos conductores y la matriz aislante estn en paralelo (isotensin), la resistividad total ser:
1
1
C = VA
+ VB
B
A
C = 1.288 10
__________________________________________________________________________________
8.27
Un tejido transpirable est formado por una matriz de un material A y una fase dispersa de un
material B, dispuesta en forma de cilindros que atraviesan todo el espesor del tejido. A y B se
consideran, cada uno por separado, homogneos e istropos.
10
Se conocen las difusividades del vapor de agua en A, DA = 7.39 10

8
DB = 1.44 10
m /s, y en B,
m /s, y las densidades de A y de B: A = 890 kg/m y B = 1042 kg/m .
Determinar la difusividad del vapor de agua a travs del espesor del tejido, considerado como
material compuesto, si la fraccin msica de B en el tejido es XB = 0.3 .
Sol.: la difusin del vapor de agua a travs del tejido se produce en condiciones de isogradiente de
concentracin de vapor de agua (la matriz A y la fase dispersa B estn en paralelo); primero se
calculan las fracciones volumtricas de los componentes:
1 XB
VA =
1 XB
XB
VA = 0.732
VB = 1 VA
VB = 0.268
y mediante una regla de mezcla aritmtica (la difusividad es una conductividad generalizada):
D = V A D A + V B D B
D = 4.4 10
m2/s
__________________________________________________________________________________
2014-2015
338
8.28
Un material usado en acumuladores de calor se puede considerar como un compuesto de dos
componentes A y B. Los calores especficos y las densidades de los dos componentes son
3
CpA = 3.2 10 J/kg K, CpB = 2.33 10 J/kg K, A = 3.234 10 kg/m y

3
B = 1.134 10 kg/m3, respectivamente. La fraccin volumtrica de A es VA = 0.3 .

Determinar el calor especfico por unidad de volumen del compuesto (en J/m3 K).
Sol.: en 1 m3 de compuesto hay VA = 0.3 m3 de A y 1 VA = 0.7 m3 de B. Sus masas son
VA A = 970.2 kg y ( 1 VA) B = 793.8 kg. El calor especfico de esta masa contenida en 1
m3 es directamente la magnitud pedida:
VA A CpA + ( 1 VA) B CpB = 4.954 10
J/m3 K
__________________________________________________________________________________
8.29
Un material compuesto tiene una estructura formada por cubos de dos materiales A y B (gris y negro
en la figura). A y B son slidos homogneos e istropos.
Un bloque cbico, de lado L = 0.11 m de este material est fijo en su base y se somete a una
fuerza de mdulo F = 750 N que acta sobre toda la cara superior del cubo como se indica en la
figura.
7
Los mdulos cortantes de A y de B son GA = 1.56 10 Pa y GB = 4.68 10 Pa, el mdulo

cortante del compuesto se obtiene de la regla de mezcla Gcompuesto =
cunto se reduce el ngulo debido a la accin de la fuerza F.
2014-2015
GA GB . Determinar
339
Sol.: de la regla de mezcla dada se calcula el mdulo cortante del compuesto:
Gcompuesto =
G A G B
Gcompuesto = 8.544 10
Pa
Por otro lado, el material es cbico y la estructura de su matriz de complianza elstica es:
Al ser cbico, los ejes convencionales son
equivalentes y paralelos a las aristas del cubo.
La fuerza que acta, por ejemplo, en
direccin 2, sobre la cara cuya normal apunta
en direccin 3, corresponde a una tensin
tangencial 32, que en notacin de Voigt es
4. Aplicando:
G G
= s

i = sij j
se obtiene la deformacin angular en el plano 2-3 en radianes:
= 2 23 = 4 = s44 4 =
F
2
1
Gcompuesto
4 =
3
= 7.254 10
F
2
L Gcompuesto
rad
L G A G B
__________________________________________________________________________________
8.30
Un material est compuesto de fibras cilndricas de dos materiales A y B orientadas paralelamente
entre s, dentro de una matriz de un tercer material C. La seccin del compuesto, transversal a los ejes
de las fibras se indica en la figura (el dibujo no est a escala). A, B y C son homogneos e istropos. El
compuesto se utiliza como material aislante trmico.
2014-2015
340
Los radios de los dos tipos de fibras y las conductividades trmicas de los tres componentes son
3
conocidos: RA = 0.05 m, RB = 0.06 m, kA = 1.56 10

3
kC = 4.1 10
fibras.
W/m K, kB = 2.2 10
W/m K y
W/m K. Determinar la conductividad trmica del compuesto en la direccin de las
Sol.: en la direccin de las fibras, los tres componentes se encuentran en paralelo, es decir, isogradiente
(el gradiente de temperatura es la misma a lo largo de las fibras de A, de las fibras de B y de la matriz C)
con lo cual, la regla de mezcla debe ser tipo Voigt para una propiedad como la conductividad trmica.
Por otro lado, las fracciones volumtricas de los tres componentes se obtienen de la geometra dada. Por
ejemplo, calculando las fracciones que ocupa cada componente en un rea como la marcada por la lnea
de puntos, que no es necesariamente un cuadrado, aunque lo parezca en la figura:
2 RA
VA =
4 RA 2 2 RA RB + RB
VA = 0.401
RB
VB =
4 RA 2 2 RA RB + RB
VB = 0.289
kcompuesto = VA kA + VB kB + VC kC
VC = 1 VA VB
VC = 0.311
3
kcompuesto = 2.534 10
W/m K
__________________________________________________________________________________
8.31
Se desea fabricar un filtro solar F (crema) que absorba exactamente el S1 = 98 % de la radiacin
4
incidente sobre la piel, cuando se aplica en una capa de espesor de h = 1 10

2014-2015
m. El filtro solar
341
F se puede considerar como un material compuesto (ver figura) por una matriz acuosa A, en la que
estn dispersas al azar partculas de un pigmento inorgnico T y gotas de un componente orgnico
O (aceite).
A
T
O
capa de filtro solar
piel
La expresin que relaciona la fraccin de radiacin absorbida, con respecto de la radiacin incidente,
con el coeficiente de absorcin ptica lineal del filtro solar, F (m-1), y el espesor de la capa de filtro
solar, h (m), es la siguiente:
I absorbida
= 1 e F h
I incidente
Se conocen los coeficientes de absorcin ptica lineal, las densidades msicas y los precios de los tres
componentes (todas ellas son propiedades escalares):
A = 2.2
m-1
A = 990
kg/m3
pA = 1.55
/kg
T = 5.95 10
m-1
T = 1400
kg/m3
pT = 9.85
/kg
m-1
O = 650
kg/m3
pO = 29.59 /kg
O = 4.3 10
y el coeficiente de absorcin ptica lineal de F (F) es una mezcla lineal (regla de Voigt) de los
coeficientes de los tres componentes.
Adems de la especificacin S1, el filtro solar, para que tenga la viscosidad adecuada, debe
contener una fraccin volumtrica de los componentes que estn dispersos, es decir, de T y O
juntos, comprendida entre los valores: S2 = 0.25 y S3 = 0.81 .
Por ltimo, por compatibilidad con la piel es necesario que F contenga una fraccin volumtrica
del componente orgnico (O) igual o superior a S4 = 0.06 .
Determinar:
1. la composicin en fracciones volumtricas VO, VT, VA del filtro solar F que, cumpliendo todas
las especificaciones, tiene precio volumtrico (/m3) mnimo,
2. el precio de F (/m3),
3. la densidad de F (kg/m3).
Nota: este problema conviene hacerlo con ayuda de un diagrama triangular, representando en l
las especificaciones. La solucin analtica es bastante ms costosa.
2014-2015
342
Sol.: mtodo 1: el mtodo ms cmodo y rpido de resolver este problema es, con gran diferencia,
usar un diagrama triangular (solucin grfica) en fracciones volumtricas. En primer lugar se
representan las especificaciones dadas en el enunciado sobre el diagrama:
La primera especificacin implica:
( VT T+VO O+VA A) h
S1
e
= 1
100
1
S1
ln 1
h
100
VT T + VO O + VA A =
que es lo mismo que:
Esta ecuacin (especificacin S1) es una lnea recta en el diagrama triangular que puede construirse
fcilmente uniendo dos puntos. Por ejemplo, uniendo el punto que se obtiene de la ecuacin anterior
haciendo VT=0 y calculando VO, con el punto que se obtiene haciendo VO=0 y despejando VT (en
ambos casos, VA es la diferencia a 1). En la figura esta lnea se representa con la lnea negra ms gruesa.
Las especificaciones segunda y tercera se representan por lneas, que son tambin rectas en el
diagrama, trazadas por los siguientes valores de VA constante:
VA = 1 S2
VA = 1 S3
estas especificaciones se representan en la figura con lneas discontinuas.

Finalmente, la cuarta especificacin est delimitada por otra lnea recta en el diagrama, trazada por el
siguiente valor de VO constante:
VO = S4
Para cumplir todas las especificaciones, la composicin pedida estar sobre la lnea que representa S1, y
dentro del rea delimitada por las otras tres especificaciones y el lado AO del tringulo.
Como adems se especifica que el precio volumtrico sea mnimo, y el precio es una funcin lineal de la
composicin, el mnimo se encontrar sobre la lnea de S1, en una de las dos intersecciones de esta lnea
con la frontera del rea delimitada por el resto de las especificaciones y el lado AO del tringulo.
Con los datos dados, el coste mnimo se encuentra para la composicin marcada con el crculo en el
diagrama, del que se lee directamente la solucin:
VT = 0.614
VA = 0.326
VO = 1 VT VA
VO = 0.06
Con ayuda del diagrama es inmediato verificar que este punto cumple todas las especificaciones. Su
precio volumtrico es mnimo e igual a:
Preciomin = pT T VT + VO O pO + pA A VA
Preciomin = 10126.97
2014-2015
/m3
343
Puede comprobarse que el otro extremo de la lnea S1, que est dentro del rea donde se cumplen todas
las especificaciones, tiene precio mximo.
Por ltimo, la densidad se obtiene de la suma ponderada de las densidades:
VT T + VO O + VA A = 1221.5
kg/m3
Mtodo 2 (poco prctico): alternativamente, puede hacerse analticamente determinando las dos
soluciones del sistema de ecuaciones e inecuaciones formado por todas las especificaciones del
problema:
VT T + ( 1 VT VA) O + VA A = F
VA 1 S2
VA 1 S3
VT + VA 1 S4
VT 0
2014-2015
344
calculando acto seguido el precio de las dos soluciones obtenidas por medio de:
Precio ( VT , VA) = pT T VT + ( 1 VT VA) pO O + pA A VA
y finalmente eligiendo entre esas dos la solucin (composicin) que produzca el menor precio con la
frmula anterior.
__________________________________________________________________________________
8.32
En densitometra se emplea la absorcin de rayos X para evaluar la prdida de componentes
minerales en los huesos (osteoporosis, etc). Considerando de modo simplificado que el hueso es un
compuesto formado nicamente por una fase orgnica biolgica (O) y una fase inorgnica o
mineral (M), y que el coeficiente de absorcin del hueso se calcula por la regla de Reuss a partir
de sus componentes, determinar la fraccin volumtrica de fase mineral en una muestra de hueso
de espesor h = 0.03 m que absorbe el A = 27 % de la radiacin X incidente.
Datos: coeficiente de absorcin de la fase orgnica: O = 5.82 m-1, coeficiente de absorcin de la
fase mineral M = 25.5 m-1. La ley de absorcin se ha visto en el problema 8.31.
Sol.: de la ley de absorcin, se obtiene que el coeficiente de absorcin del hueso es:
1
A
hueso = ln 1
puesto que
VM =
hueso = 10.4904
100
hueso
1 VM
hueso + O
hueso ( M + O)
m-1
VM
se obtiene:
VM = 0.577
__________________________________________________________________________________
8.33
Un material compuesto laminar est formado por capas planas de tres materiales A, B y C, de
3
espesores A = 3 10
m, B = 5 10
m y C = 2 10
m, apilados en la secuencia
...A.B.C.A.B.C.A.B.C... Los tres son homogneos e istropos y de ellos se conocen las siguientes
complianzas elsticas en Pa-1 (en los siguientes datos, sA_ij es el valor de sij para el componente A, y
anlogamente para B y C).
10
sA_33 = 3.2 10
2014-2015
sB_44 = 1.07 10
10
sC_55 = 5.2 10
345
11
sA_12 = 9.6 10
10
sB_23 = 1.073 10
11
sC_13 = 6 10
Determinar el mdulo elstico del material compuesto en la direccin perpendicular a las capas.
Sol.: de los datos se obtienen los mdulos de los tres componentes (A, B y C son istropos):
s A _ 33 =
1
EA
EA =
1
s A _ 33
sB _ 44 = 2 ( sB _11 sB _12 ) =
2
2
2 sB _ 23 EB =
EB
sB _ 44 + 2 sB _ 23
sC _ 55 = 2 ( sC _11 sC _12 ) =
2
2
2 sC _13 EC =
EC
sC _ 55 + 2 sC _13
EA = 3.125 10
Pa
EB = 2.338 10
Pa
EC = 5 10
Pa
y las siguientes fracciones volumtricas:

VA =
A
A + B + C
VB =
VA = 0.3
B
A + B + C
VB = 0.5
VC = 1 VA VB
VC = 0.2
En la direccin perpendicular a las lminas los tres componentes estn en isotensin, as que el mdulo
pedido es:
Ecompuesto
VA VB VC
=
+
+
EA EB EC
Ecompuesto = 2.858 10
Pa
__________________________________________________________________________________
8.34
Los discos de freno de los F1 son de un compuesto (C) de matriz de carburo de silicio SiC
policristalino (A) y fibras de carbono (B). El compuesto contiene una fraccin msica
XB = 0.23 de fibra de carbono. Los granos o cristales de la matriz de SiC estn orientados
aleatoriamente sin ninguna direccin preferente (matriz isotrpica), y las fibras de carbono estn
orientadas uniaxialmente, como se indica con lneas en la figura. De A y de B se conocen las
densidades, A = 3850 kg/m3, B = 2500 kg/m3, y los calores especficos msicos,
CpA = 1220 J/kg K, CpB = 1050 J/kg K, todos supuestos independientes de la temperatura.
Del material compuesto C se conocen tambin los coeficientes de dilatacin trmica (prop.
tensorial de segundo orden, simtrica), que relacionan la deformacin con la variacin de
temperatura segn:
2014-2015
346
= (T Tamb )
5
-1
-1
Sus componentes son 11 = 2.13 10

K y 33 = 3 10
K . A temperatura ambiente
Tamb = 298 K, las dimensiones del disco son: radio exterior Re = 0.23 m, radio interior
Ri = 0.03 m y espesor h = 0.008 m. En una frenada, el vehculo de masa M = 1500 kg
decelera de Vi = 55 m/s a Vf = 12 m/s en un tiempo breve t = 1.6 s.
1. Calcular la densidad c ( kg/m3) del material del disco.
2. Calcular su calor especfico msico Cpc (J/kg K).
3. Suponiendo que toda la energa cintica que se disipa en la frenada se reparte igualmente
entre los cuatro discos (que son iguales), que la temperatura en todos los puntos del disco es
la misma, y que no hay prdidas trmicas de ningn tipo (aproximacin adiabtica), calcular
la temperatura T (K) que alcanzan los discos al final de la frenada, si antes de frenar su
temperatura es la temperatura ambiente.
4. Calcular el tensor deformacin del material del disco y escribirlo como matriz en el sistema
de coordenadas convencional del material del disco.
5. Calcular las variaciones dimensionales (m) del radio exterior Re, del radio interior Ri y del
espesor h y describir la forma que adquiere el disco.
Hacer los clculos en pequea deformacin (|ij|<<1)
Sol.: la densidad del compuesto se calcula directamente a partir de los datos:

XA = 1 XB
c = X A A
+ X B B
3
c = 3.425 10
kg/m3
Igualmente para el calor especfico, al ser msico (referido a la unidad de masa), se cumple:
Cpc = XA CpA + XB CpB
2014-2015
347
3
Cpc = 1.181 10
J/kg K
De acuerdo con el enunciado, la energa mecnica (cintica) disipada en la frenada se convierte

ntegramente en energa interna y se reparte igualmente entre los cuatro discos, lo que se traduce en un
incremento de su temperatura. Este incremento se obtiene de un balance de energa, al igualar la energa
disipada al incremento de energa interna:
11
M (V f2 Vi 2 ) = ( Re2 Ri2 ) h C CpC (T Tamb )
42
energa mecnica disipada = incremento de energa interna

despejando la temperatura final tras la frenada y sustituyendo valores numricos:
1
2
2
M Vi Vf
2
1
T = Tamb +
4 R 2 R 2 h Cp
e
i
c
c
T = 400.2 K
De acuerdo con la descripcin del enunciado, el material posee un eje de orden infinito (en la direccin
de las fibras de carbono), y no tiene un sentido preferencial. Pertenece a la clase / m m
Para esta clase, el eje convencional 3 es paralelo a la direccin del eje de orden infinito, que es la
direccin de las fibras de carbono. Los ejes 1 y 2 son equivalentes (material transversalmente isotrpico)
y pueden elegirse arbitrariamente, con tal de que sean perpendiculares al eje 3 y perpendiculares entre
s. En este caso particular, lo ms sencillo es elegir uno de ellos, p.ej. el 1, perpendicular al plano del
disco, y el otro, contenido en el plano del disco y perpendicular a los dos anteriores, como se indica en
la figura.
En los ejes convencionales, puesto que las direcciones 1 y 2 son equivalentes, el coeficiente de
dilatacin tiene la estructura:
.
.
es decir:
11
c f = 0
ed C hg
0
Aplicando la ley constitutiva dada, el tensor deformacin ser:
2014-2015
11
0
0
0
33
348
11 (T Tamb )
c f =
0
ed hg
0
33 (T Tamb )
0
11 (T Tamb )
0
Y las variaciones dimensionales se calculan a partir de las componentes de la diagonal:

en la direccin de las fibras (eje 3) la variacin de los radios exterior e interior:
Re 33 ( T Tamb ) = 7.052 10
m Ri 33 ( T Tamb ) = 9.198 10
en el plano del disco, y perpendicular a las fibras (eje 2):

Re 11 ( T Tamb ) = 5.007 10
m Ri 11 ( T Tamb ) = 6.531 10
en la direccin del eje 1, la variacin del espesor:

h 11 ( T Tamb ) = 1.742 10
Es decir, el disco aumenta de espesor y de dimensiones radiales, y pasa de ser circular a tener una forma
alargada (en pequea deformacin, una elipse). Puesto que 11>33 la mayor variacin en el radio ser
en todas las direcciones transversales (perpendiculares a las fibras).
__________________________________________________________________________________
8.35
La piel es un material anistropo de la clase lmite /mm. El eje de orden infinito de la piel es
perpendicular a la superficie de la misma. Las difusividades de un medicamento M a travs de la
12
12
piel (en los ejes convencionales) son D11 = 3.1 10

m/s y D33 = 6.1 10
m/s .
Tambin se sabe que la difusin de una sustancia en cada una de las direcciones de los ejes
convencionales est dada por la misma funcin que describe la difusin en un medio
semi-infinito, pero, lgicamente, con diferente difusividad en cada direccin. Para este
medicamento se observa que el espesor de la capa lmite en direccin perpendicular a la
3
superficie es perp = 6.7 10

m. Cunto se habr extendido M lateralmente (es decir, en
direcciones paralelas a la superficie de la piel), si esta extensin se mide por el espesor de la
correspondiente capa lmite lat en direccin lateral?
Sol.: puesto que la difusin obedece la misma ley en las tres direcciones convencionales, la nica
diferencia entre la direccin perpendicular (eje 3) y las laterales o transversales (ejes 1 y 2) es el valor
diferente de la difusividad. Como el espesor de la capa lmite depende de la raz cuadrada de la
difusividad, la extensin lateral del medicamento (espesor de la capa lmite en direccin 1 o 2) ser:
lat = perp
D11
lat = 4.776 10
m
D33
__________________________________________________________________________________
2014-2015
349
8.36
Un conductor M est compuesto de dos materiales A y B. B es istropo en todas sus propiedades
y su resistividad elctrica es B = 0.4 m. A pertenece a la clase 222 y sus resistividades
elctricas (expresadas en sus ejes convencionales) son: A11 = 0.03 m, A22 = 0.13 m y
A33 = 0.89 m. A y B estn dispuestos en lminas paralelas de espesores A = 0.004 m y

B = 0.01 m, como se indica en la figura. Las lminas de A estn todas orientadas de igual
manera y para todas ellas el eje convencional 2 del material A es paralelo al eje del cilindro.
Determinar la conductividad del material compuesto M en la direccin del eje del cilindro.
Sol.: en primer lugar se calcula la resistividad del compuesto. La conductividad ser la inversa de
la resistividad obtenida.
Puesto que para la clase 222 (sistema ortorrmbico) la estructura de las propiedades de segundo
orden simtricas es diagonal, y el eje convencional 2 del material A es paralelo al eje del cilindro,
la nica componente de la resistividad de A que influye en la conductividad pedida es la
A22 = 0.13 m.
Los componentes A y B estn elctricamente en serie en la direccin pedida (a lo largo del eje del
cilindro). La resistividad del compuesto en esta direccin ser:
M =
A
A + B
A22 +
B
A + B
M = 0.324 m
El compuesto pertenece igualmente al sistema ortorrmbico y a la misma clase. El eje del cilindro es
igualmente una de las tres direcciones principales del compuesto (y por supuesto de A). La estructura
de la conductividad del compuesto es tambin diagonal, y la conductividad en la direccin pedida es
directamente el inverso de la resistividad calculada:
M = M
M = 3.087 S/m
__________________________________________________________________________________
2014-2015
350
8.37
En la figura se representa un esquema simplificado de un tejido T (material compuesto) anlogo
al Gore-Tex. Consta de dos lminas de polmeros distintos. La primera lmina (L1) es de un
polmero P1 istropo; la segunda (L2) es tambin una lmina de otro polmero istropo P2 en la
que existen poros o perforaciones circulares como se indica en la figura. Aunque P2 (sin poros)
es istropo, la lmina L2 no es istropa debido a los poros.
Se desea calcular la difusividad msica DT (propiedad de segundo orden, simtrica) del vapor de
agua a travs del material compuesto T.
3
Los datos conocidos son: los espesores de las dos lminas L1 = 1.5 10
3
L2 = 1.6 10
H = 2.024 10
m, el radio de los poros R = 4.6 10

5
m, h = 1.656 10
m, y la geometra
m (ver figura). Tambin se han medido las

5
difusividades del vapor de agua a travs del aire Da = 4 10

6
DP1 = 1.4 10
my
m /s y a travs de P1
m /s. Se sabe adems que la difusividad del vapor de agua a travs de P2 es
DP2 = 0 m2/s (es decir, P2, sin perforaciones, es absolutamente impermeable al vapor de agua).
Las densidades son P1 = 490 kg/m3, P2 = 902 kg/m3 y la del aire se considera
despreciable.
L1
L2
lmina L2
2R
H
h
L1
L2
poros
polmero P1
polmero P2
seccin A-A de
la lmina L2
1. Determinar a qu clase cristalogrfica o lmite pertenece el tejido T, y dibujar y numerar los ejes
convencionales de T especificando claramente su orientacin respecto de las lminas. Estos ejes
2014-2015
351
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
convencionales se usarn en los restantes apartados.

Calcular la masa de un metro cuadrado de T (densidad superficial, en kg/m2).
Calcular la densidad de T, en kg/m3.
Calcular la componente de la difusividad msica del vapor de agua, slo para la lmina L2, en la
direccin normal al plano de las lminas.
Calcular la componente de DT (es decir, para el tejido T completo) en esta misma direccin.
Calcular las componentes de la difusividad msica del vapor de agua, slo para la lmina L2, en las
dos direcciones convencionales contenidas en el plano de las lminas.
Calcular las componentes de DT (es decir, para el tejido T completo) en estas mismas direcciones.
Escribir DT como matriz expresada en los ejes convencionales del segundo apartado.
Sol.: 1. el material tiene dos planos de simetra perpendiculares al plano de las lminas y un eje binario,
igualmente perpendicular al plano de las lminas. Tiene tres elementos binarios de simetra (dos planos
y un eje, ortogonales entre s), por lo que pertenece al sistema ortorrmbico. Puesto que no tiene un
plano de simetra paralelo al plano de las lminas, pertenece a la clase mm2. La orientacin de los ejes
convencionales, a la vista del estereograma de la clase, es como se indica en la figura.
mm2
e
y
d
2. la densidad superficial (kg/ m2), se obtiene sumando la masa de L1 y de L2 que hay en 1 m2 .

En primer lugar se calculan las fracciones volumtricas de aire y de P2 en L2, y de L1 y L2 en T:
2
Vaire_L2 =
R L2
volumen de un poro
H h L2
volumen de la porcin rectangular

de L2 que contiene un poro
2014-2015
352
VP2_L2 = 1 Vaire_L2
VL1_T =
L1
L1 + L2
VL2_T =
L2
L1 + L2
La densidad superficial del tejido T es:
Vaire_L2 = 0.198
VP2_L2 = 0.802
VL1_T = 0.484
VL2_T = 0.516
1 1 L1 P1 + L2 P2 VP2_L2 = 1.892
kg/m2
La densidad de la lmina L2 es:
L2 = VP2_L2 P2
L2 = 723.104 kg/m3
3. la densidad del tejido T:
T = VL1_T P1 + VL2_T L2
T = 610.312
kg/m3
Para un material ortorrmbico la estructura de cualquier propiedad de segundo orden simtrica, como la
difusividad, es:
. .
.
str( DT ) =
4. para la lmina L2, y en la direccin normal a las lminas (eje 3 en la figura), el polmero P2 y los
poros estn en paralelo, con lo cual la regla de mezcla para la difusividad msica (que es anloga a una
conductividad elctrica) es la aritmtica (Voigt). Puesto que P2 es totalmente impermeable al vapor de
agua:
6
m2/s
DL2_3 = Vaire_L2 Da
DL2_3 = 7.933 10
5. para el tejido T, y en la direccin normal a las lminas, las dos lminas estn en serie; ahora la regla
de mezcla para la difusividad msica (que es anloga a una conductividad elctrica) es la armnica
(Reuss):
DT_3
L2
L1
1
1
=
DP1 +
DL2_3
L1 + L2
L1 + L2
DT_3 = 2.435 10
m2/s
6. para la lmina L2, y en las dos direcciones paralelas a las lminas (direcciones 1 y 2), puesto que P2
es totalmente impermeable y los poros por donde s podra difundirse el vapor de agua estn
desconectados unos de otros, no puede haber difusin, con lo cual:
2014-2015
DL2_1 = 0
m2/s
DL2_2 = 0
m2/s
353
7. para el tejido T y en las dos direcciones paralelas a las lminas (direcciones 1 y 2), L1 y L2 estn en
paralelo (regla de mezcla aritmtica para la difusin) y como L2 es totalmente impermeable :
DT_1 =
L1
L1 + L2
DP1
DT_1 = 6.774 10
DT_2 = DT_1
DT_2 = 6.774 10
m2/s
m2/s
8. la difusividad, representada como matriz, y de acuerdo con los valores obtenidos es:
0 6.774 10 7
0
0
DT_1 0
7
0
D
0
T_2
=
0
6.774 10
0
0 DT_3
6
0
0
2.435 10
m2/s
La matriz tiene dos valores diagonales iguales, aparentemente como si tuviera la estructura del sistema
tetragonal. Sin embargo, el material es ortorrmbico y la estructura de la propiedad es la indicada arriba.
La igualdad de los elementos 11 y 22 de la diagonal es puramente numrica: debido a que P2 es
impermeable al vapor de agua, resultan DL2_1 y DL2_2 iguales a cero. Para otros valores de DP2
diferentes de cero, los elementos 11 y 22 de la diagonal seran diferentes. La estructura de la propiedad
indica qu componentes tienen que ser iguales, distintos o nulos por razones de simetra, no por razones
numricas.
Otro ejemplo sera un material compuesto triclnico, que debera tener todas las componentes distintas.
Sin embargo, en un caso extremo, si la difusividad del vapor de agua a travs de todos los componentes
fuera igualmente nula (todos impermeables al vapor de agua), todas las componentes de DT seran cero
e iguales entre s.
__________________________________________________________________________________
8.38
Un recipiente de seguridad para lquidos inflamables se fabrica de un material compuesto y
aislante elctricamente, C, hecho de dos capas. La primera (C1) es una lmina de un polmero P
(istropo) que acta como barrera a la difusin del oxgeno; la segunda (C2) da resistencia
mecnica y es un tejido de fibras de Kevlar tipo "angle-ply" cuya geometra se indica en la figura
(para C2, considerar que todas las fibras son iguales). Se conocen los siguientes datos:
3
masa de un metro de fibra de Kevlar: mK = 5.3 10
precio de un metro de fibra de Kevlar: pK = 0.015
2014-2015
/m.
kg/m.
354
densidad de P: P = 530 kg/m3.

precio de P: pP = 5.3 /kg.
distancias entre fibras: d1 = 8.1 10
ngulo entre las fibras: = 23 .
espesores de las capas C1 y C2: C1 = 1.5 10
rigidez dielctrica del compuesto C: Emax = 1.4 10
difusividad msica del oxgeno en C1: DC1 = 1.4 10
difusividad msica del oxgeno en C2 (referida a ejes convencionales) medida en m2/s:
m , d2 = 1 10
3
m, C2 = 1.6 10
6
m.
V/m.
10
DC2
m.
m /s.
10
3.2 10 9
4.4 10
0
10
=
0
0
4.4 10
10
4.4 10 10
5.412 10
0
1. Calcular la masa de un metro cuadrado de C (densidad superficial, en kg/m2).

2. Calcular qu diferencia de potencial mxima puede establecerse entre el interior y el exterior
del recipiente sin que haya una descarga elctrica a travs de la pared.
3. Calcular el precio del compuesto C por metro cuadrado (/m2).
4. Determinar la difusividad del oxgeno en el material C en direccin perpendicular a las
capas.
capa C2 (tejido)
Sol.: 1. en primer lugar se calcula la cantidad de fibra de Kevlar que contiene una celda como la
d1 d2
de la figura de abajo. Esta celda tiene un rea A =
, y contiene una longitud total de
sen ( )
d2
d1
+
fibra L =
(cada lado de la celda aporta slo 1/2 fibra a la celda. La otra
sen ( ) sen ( )
media fibra de cada lado se comparte con la celda vecina).
5
A = 2.073 10
2014-2015
m2
L = 0.023
355
d2
d1
d1
sen
A=
d1 d 2
sen
L=
d1
d
+ 2
sen sen
d2
sen
1
A
Entonces 1 m2 de C2 tiene una masa de:
mC2 = L mK
y un m2 de C1 tiene una masa de:
mC1 = 1 C1 P
mC2 = 5.954
kg/m2
mC1 = 0.795
kg/m2
La densidad superficial de C es la suma de las dos contribuciones:

m = mC1 + mC2
m = 6.749 kg/m2
2. la mxima diferencia de potencial se obtiene directamente de la rigidez dielctrica de C (mximo

campo que puede aguantar) y de su espesor:
Vmax = Emax C1 + C2
Vmax = 4.34 10
3. el precio de 1 m2 de C se obtiene directamente de la masa de C1 y la longitud de C2 en 1 m2 de C2:

p = L pK
1
+ mC1 pP
A
p = 21.065 /m2
4. C1 y C2 estn en serie en la direccin perpendicular a las capas. En este caso, la regla de mezcla
para difusividad msica (conductividad generalizada) es la armnica (Reuss).
Puesto que la capa C2 es monoclnica (tiene un eje binario perpendicular al papel, que es plano de
simetra, clase 2/m), el eje 2 convencional es perpendicular al tejido (al plano del papel) y la difusividad
de C2 en esta direccin est dada por la componente 22. La capa C1 es istropa, su D es igual en
todas direcciones. Para el material compuesto, en la direccin pedida:
C2
C1
1
DC =
DC1 +
DC2
2,2
C1
C2
C1
C2
10
DC = 2.16 10
m2/s
__________________________________________________________________________________
2014-2015
356
8.39
Un soporte en una estructura est compuesto de capas de dos materiales diferentes, A y B, como
9
se indica en la figura. Los mdulos elsticos de los materiales son EA = 1.2 10 Pa y

9
EB = 3.2 10 Pa, y sus fracciones volumtricas son VA = 0.23 y VB = 0.77 . El material A

puede soportar una deformacin longitudinal mxima de maxA = 0.02 (es decir, se rompe para
deformaciones longitudinales mayores), y B soporta como mximo maxB = 0.01 . El rea
transversal del soporte es A = 0.01 m2. Determinar qu fuerza mxima de traccin (en la
direccin perpendicular al plano de las capas) puede resistir el soporte.
A
B
A
B
A
B
A
B
A
A
B
A
B
A
B
A
B
A
Sol.: en la situacin descrita en el enunciado, los dos componentes se encuentran en condiciones de

isotensin, es decir, se cumple:
A = B = C
A E A = B EB = C EC = C
(el subndice C se
refiere al compuesto)
y el material compuesto se romper cuando se rompa el componente ms dbil (el que soporte una max
menor). La tensin (y la carga) mxima que soporta A es:
max A = maxA E A F maxA = maxA AE A

y la carga mxima que soporta B es: maxB = maxB EB F maxB = maxB AEB
El soporte fallar cuando se alcance la carga (fuerza) lmite ms baja de las dos, es decir:
Fmax = min maxA A EA , maxB A EB
Fmax = 2.4 10
el primer componente que falla es en este caso A.

__________________________________________________________________________________
2014-2015
357
8.40
Un cable est compuesto de fibras de dos materiales istropos diferentes, A y B, alineadas todas
paralelas entre s y paralelas al eje del cable. Los mdulos de Young de los materiales son
9
EA = 1.2 10 Pa y EB = 9.2 10 Pa, y sus fracciones volumtricas son VA = 0.78 y

8
VB = 0.22 . El material A puede soportar una tensin de traccin mxima de maxA = 7.2 10
Pa (es decir, se rompe para tensiones de traccin mayores que sta), y B soporta como mximo
8
maxB = 8.2 10 Pa. El rea transversal total del cable es A = 0.05 m2. Determinar qu fuerza
mxima de traccin (en la direccin de las fibras) puede soportar el cable sin romperse. El cable se
rompe cuando se rompe un tipo de fibra, A o B.
Sol.: en la situacin descrita en el enunciado, los dos componentes se encuentran en condiciones de
isodeformacin, as se cumple:
A = B = C
A
EA
B
EB
C
EC
= C
(1)
(el subndice C se
refiere al compuesto)
donde el mdulo del compuesto en isodeformacin es:

9
E C = V A E A + V B E B
EC = 2.96 10
Pa
La deformacin mxima del compuesto se alcanzar cuando un tipo de fibras, A o B, se rompa, es

decir, llegue a su deformacin max la primera; si fueran las fibras de A, por ejemplo:
maxA =
De (1):
A = A EA = C EA =
maxA
EA
F
EA
AEC
= maxC
F=
A AEC
EA
La fuerza mxima, suponiendo que el componente A falla primero, se obtiene sustituyendo

maxA en la expresin anterior. Para B, la expresin es anloga. El cable fallar cuando se
alcance la carga lmite ms baja de las dos, bien la de A o la de B:
maxA A EC maxB A EC
,
E
EB
A
Fmax = min
Fmax = 1.319 10
__________________________________________________________________________________
8.41
Un material compuesto est formado por lminas paralelas de tres tipos de materiales A, B y C. Cada
una de las lminas, por separado, se considera un material istropo y homogneo. Se desea que el
mdulo de Young del material compuesto en la direccin perpendicular al plano de las lminas sea 10
l d l d A i d l l
d Bl
t
t d l l
d A
2014-2015
358
veces mayor que el mdulo de A siendo el volumen de B la cuarta parte del volumen de A.
Determinar la relacin entre los espesores de los materiales C y B (C/B) en el material compuesto.
Datos: EA = 2.5 GPa; EB = 80 GPa y EC = 250 GPa.
Sol.: el material compuesto pertenece a la clase /mm y la direccin perpendicular al plano de

las lminas es la direccin 3. El mdulo mencionado se calcula en condiciones de isotensin,
aplicando la regla de mezcla de Reuss:
V
V
V
1
= A + B + C
Ecomp EA EB EC
teniendo en cuenta las siguientes condiciones:
Se trata de resolver la ecuacin siguiente:
Ecomp = 10 EA y VB =
VA
4
4V
V
1 5VB
1
= B+ B +
10 EA
EA EB
EC
obtenindose los siguientes valores de las fracciones volumtricas de B y C:
VB = 2.26 10 2 y VC = 8.87 101
y puesto que la relacin de fracciones volumtricas es idntica a la relacin de espesores:
C
= 39.25
B
__________________________________________________________________________________
8.42
La mayor parte de la energa que utilizan las viviendas (un 40%) va destinada a hacer funcionar la
calefaccin y el aire acondicionado. Una de las zonas por las que se pierde una mayor cantidad de
energa tanto en verano como en invierno es la formada por los cerramientos acristalados (ventanas).
Afortunadamente estas prdidas pueden reducirse mucho instalando dobles acristalamientos. El
principio del doble acristalamiento consiste en separar las dos hojas de vidrio paralelas por una cmara
de aire (u otro gas de baja conductividad trmica).
Calcular la conductividad trmica en la direccin perpendicular al plano de las lminas, para un
acristalamiento de este tipo formado por dos hojas de vidrio de 4 mm de espesor separadas por una
cmara de gas argn de 16 mm de espesor, cuya conductividad trmica es un 67% de la
conductividad trmica del aire.
Datos: kaire = 0.026 W/m K; kvidrio = 1.1 W/m K
Sol.: teniendo en cuenta que para la transmisin de calor en la direccin perpendicular al plano de las
lminas los componentes estn en serie (condiciones de isoflujo), y la conductividad trmica es una
2014-2015
359
conductividad generalizada, se utiliza la regla de mezcla armnica (Reuss):
1
kcomp
VV VA VV
V V
+
+
=2 V + A
kV kA kV
kV kA
siendo V= vidrio y A= argn. Por otra parte las fracciones volumtricas se determinan fcilmente a
partir de los espesores de las capas:
VV =
V
4
=
= 0.1667
V + A + V 4 + 16 + 4
VA = 1 2VV = 0.6667
por lo que la conductividad trmica pedida es:

1
kcomp
V V
0.6667
0.1667
2
= 2 V + A = 2
+
= 2.593 10 W/m K
1 .1
0.026 0.67
kV kA
__________________________________________________________________________________
8.43
Un cable elctrico est constituido por fibras iguales de seccin octogonal regular de un metal
7
-1
cuya conductividad elctrica es M = 5.8 10 ( m) . Las fibras estn colocadas tal como
se indica en la figura que representa una seccin transversal del cable (en gris aparecen las fibras
del metal y en blanco el aire que queda entre las fibras). Determinar la conductividad elctrica
del cable en la direccin del eje de las fibras (perpendicular al plano de la figura).
Sol.: los componentes del cable, metal y aire, estn en paralelo en la direccin perpendicular al plano de
la figura (isotensin o isogradiente). Como la conductividad elctrica del aire es 0, la conductividad
2014-2015
360
elctrica del cable, calculada con la regla de mezcla aritmtica (Voigt) ser:
cable = VM M + Vaire aire = VM M

Solo es necesario conocer el valor de la fraccin volumtrica del metal, que se determina a travs de la
siguiente relacin de reas:
VM =
reaM
reaTotal
Teniendo en cuenta que se trata de octgonos regulares, si L es el lado del octgono, el rea total
corresponde al rea de un cuadrado de lado L+2x (cuadrado gris en la figura de arriba).
reaTotal = ( L + 2 x )
Mientras que el rea correspondiente al metal (octgono) se puede calcular a partir de la anterior
restando un cuadrado de lado L (cuadrado formado por los cuatro tringulos de las esquinas):
reaM = ( L + 2 x ) L2
2
La relacin entre L y x es inmediata:
L2 = 2 x 2 L = 2 x
L + 2 x ) L2
La fraccin volumtrica de metal resulta:VM = (
2
( L + 2x )
2
y la conductividad elctrica del cable:
) = 0.8284
2 +1
2+2
cable = VM M = 4.8 107 ( m) 1
__________________________________________________________________________________
8.44
Se dispone de un tejido de material compuesto formado por los materiales A (en blanco en la
figura) y B (en gris) para la fabricacin de cinturones de seguridad. Los materiales A y B se
disponen hexagonalmente, siendo la seccin transversal del material la que se indica en la
figura. La superficie hexagonal de A es 6 veces la superficie triangular de B.
Determinar su mdulo elstico en la direccin perpendicular al plano de la figura.
2014-2015
361
Datos: los materiales A y B, por separado, son homogneos e istropos y sus mdulos elsticos
9
10
son: EA = 2 10 Pa y EB = 5 10
Pa.
Sol.: para determinar el mdulo elstico en la direccin perpendicular al plano de la figura se aplica la
regla de mezcla de Voigt (componentes en isodeformacin).
Las fracciones volumtricas se calculan seleccionando un rea transversal representativa del material
compuesto, por ejemplo, el rea resaltada en la siguiente figura:
A
A A
B
B
A A
de donde se obtienen fcilmente:
VA =
6
8
VA = 0.75
VB =
2
8
VB = 0.25
y el mdulo elstico del tejido en isodeformacin resulta:

E c = V A E A + V B E B
10
Ec = 1.4 10
Pa
__________________________________________________________________________________
2014-2015
362
8.45
Los copolmeros de bloques son una clase especial de materiales capaces de autoensamblarse en
estructuras de micro/nanodominios. Los copolmeros estireno-butadieno-estireno (SBS)
pertenecen a este tipo de materiales. Se dispone de un copolmero SBS donde el grado de
polimerizacin para el bloque central es de 2000 y para los bloques de los extremos de 150 cada
uno. Determinar la densidad del copolmero SBS, sabiendo que poliestireno = 1040 kg/m3 y
polibutadieno = 890 kg/m3.

Sol.: el copolmero SBS tiene la siguiente estructura:
CH2 CH
CH CH2
2000
150
cada residuo de estireno

tiene una masa molecular:
CH CH2
CH CH2
CH CH2
150
y cada residuo
de butadieno:
MS = 104 kg/kmol
CH2
CH CH CH2
MB = 54
kg/kmol
Las fracciones msicas de estireno y de butadieno en el copolmero son:

XS =
2 150 MS
2 150 MS + 2000 MB
XB = 1 XS
XS = 0.224
XB = 0.776
y la densidad del copolmero SBS se calcula:
SBS
XS
XB
=
+
poliestireno polibutadieno
SBS = 919.733
kg/m3
__________________________________________________________________________________
8.46
Un material compuesto conductor de tres componentes est formado por una matriz de polipropileno
(PP) con fibras de vidrio (para aumentar la resistencia mecnica) y de cobre. Para determinar su
composicin se mide la densidad del compuesto y se obtiene el valor: c = 1891 kg/m3. Acto
seguido se quema una muestra del material compuesto hasta que slo queda un residuo inorgnico.
2014-2015
363
Se mide la densidad de este residuo de combustin y se obtiene el valor: r = 4580 kg/m3. Como
datos se conocen adems:
la densidad del PP: PP = 880 kg/m3,
el mdulo elstico del PP: EPP = 1.80 10 Pa,
la densidad del vidrio sdico-clcico v = 1740 kg/m3,
el mdulo elstico del vidrio sdico-clcico Ev = 73 10 Pa,
la densidad del cobre Cu = 8640 kg/m3,
el mdulo elstico del cobre ECu = 110 10 Pa.
Determinar:
1. la composicin (fraccin msica de cada componente) del compuesto,
2. las fracciones volumtricas de cada componente en el compuesto,
3. el mdulo elstico del compuesto en condiciones de isodeformacin.
Sol.: 1. por combustin se quema completamente la matriz de PP y quedan sin alterar las fibras de vidrio
y de cobre, es decir, el residuo de combustin contiene slo vidrio y cobre. Si se considera una base de
clculo de 1 m3 de residuo, y denominando VrCu y Vrv a las fracciones volumtricas de cobre y vidrio
(respectivamente) en el residuo, se verifica:
r = VrCu Cu + ( 1 VrCu) v
VrCu =
r v
Cu v
Vrv = 1 VrCu
VrCu = 0.412 fraccin volumtrica de cobre en el residuo, o m3

de cobre en 1 m3 de residuo.
Vrv = 0.588
fraccin volumtrica de vidrio en el residuo, o

m3 de vidrio en 1 m3 de residuo.
Estas fracciones volumtricas (o m3 en la base de clculo elegida) corresponden a unas fracciones

msicas en el residuo de:
XrCu =
Xrv =
VrCu Cu
VrCu Cu + Vrv v
Vrv v
VrCu Cu + Vrv v
XrCu = 0.776
Xrv = 0.224
Llamando ahora VPP y Vr a las fracciones volumtricas de PP y de residuo (Cu+vidrio) en el

compuesto, y usando la misma argumentacin anterior, pero esta vez aplicada al compuesto, al PP y
al residuo:
c = VPP PP + ( 1 VPP) r
VPP =
2014-2015
c r
PP r
VPP = 0.727
fraccin volumtrica de PP en el compuesto
364
Vr = 1 VPP
Vr = 0.273
fraccin volumtrica de vidrio+Cu en el compuesto
Estas fracciones volumtricas corresponden a unas fracciones msicas de PP y de residuo en el

compuesto de:
VPP PP
XPP =
XPP = 0.338
VPP PP + Vr r
Xr =
Vr r
Xr = 0.662
VPP PP + Vr r
La composicin msica del compuesto es:
XPP = 0.338
XCu = Xr XrCu
XCu = 0.514
Xv = Xr Xrv
Xv = 0.148
XPP + XCu + Xv = 1.000
VPP = 0.727
2. la composicin volumtrica es:

Vv = Vr Vrv
Vv = 0.161
VCu = Vr VrCu
VCu = 0.112
VPP + VCu + Vv = 1.000
3. el mdulo del compuesto en condiciones de isodeformacin se obtiene de:

10
Ec = VPP EPP + VCu ECu + Vv Ev
Ec = 2.54 10
Pa
__________________________________________________________________________________
8.47
Uno de los diseos ms habituales de paales desechables consiste en la superposicin de varias capas
de materiales:
una primera capa porosa de naturaleza hidrofbica como el polipropileno (PP),
una capa central que constituye el centro absorbente, compuesta de celulosa (C) y un polmero
sper absorbente (SAP) como el poliacrilato de sodio entrecruzado, y
un revestimiento exterior impermeable, usualmente de polietileno (PE).
El polmero sper absorbente (SAP) se prepara en tres etapas:
I. polimerizacin del monmero cido acrlico (A) para dar cido poliacrlico (PA):
COOH
n H 2C
CH
COOH
CH 2
C
H
PA
II. reticulacin (o entrecruzamiento) de las cadenas de cido poliacrlico (PA) por tratamiento con un
agente de entrecruzamiento E:
2014-2015
365
O
O
CH 2
CH 2
O
CH
O
CH 2
HC
CH 2
CH 2
H 2C
de acuerdo con la siguiente reaccin entre cidos carboxlicos (COOH) y epxidos:

O
R1
COOH
+ H2C
C
H
R2
R1
COO
CH 2
H
C
R2
OH
III. tratamiento con NaOH del polmero reticulado, con el fin de obtener las sales sdicas
correspondientes
R
COOH
COOH
COOH
NaOH
COONa
COOH
COOH
COOH COOH
COOH
COOH COOH
COOH
COONa
H 2O
COONa
COOH
COONa COONa
COOH COONa
COONa COONa
COONa
La calidad final del producto se evala considerando entre otros factores la capacidad de
absorcin. De forma general, la capacidad de absorcin de una sustancia se define como la masa
de agua retenida por masa de sustancia (ambas en las mismas unidades).
La incorporacin de los polmeros sper absorbentes ha permitido aumentar la capacidad de
absorcin a la vez que disminuir el peso de los paales. As, un paal de 0.040 kg, con la siguiente
distribucin de masa: PP (0.0059 kg), C (0.0185 kg), SAP (0.0126 kg) y PE (0.0030 g), puede
retener 0.450 kg de agua.
Determinar:
1. la capacidad de absorcin de la capa central, considerada como un material compuesto,
2. las capacidades de absorcin de la celulosa y del SAP, sabiendo que la capacidad de absorcin
del SAP es 40 veces la de la celulosa,
3. la diferencia de densidad entre este paal (paal 1) y otro en el que el SAP ha sido
reemplazado por celulosa, manteniendo la masa total del paal (paal 2),
4. la cantidad de E (en kg) necesaria para reticular 1000 kg de cido poliacrlico (PA), si se
nE
= 0.05
utiliza una relacin molar de agente de entrecruzamiento (E) a monmero (A):
nA
kmol E/kmol A,
5. la cantidad de NaOH (en kg) que se requiere para transformar el 80% de los grupos COOH
presentes en 1000 kg del polmero entrecruzado en grupos COONa.
Datos: PP = 910 kg/m3, C = 1440 kg/m3, SAP = 750 kg/m3, PE = 950 kg/m3,
Masas atmicas: C = 12
H=1
O = 16
Na = 23
2014-2015
366
Suponer rendimiento cuantitativo en cada etapa.
Sol.:
1. de acuerdo con la definicin de capacidad de absorcin de una sustancia: masa de agua retenida por
masa de sustancia (ambas en las mismas unidades) y teniendo en cuenta que la capa central es el ncleo
absorbente, porque ni el PP ni el PE retienen agua, su capacidad de absorcin es:
kg H 2 O
masa agua retenida
0.450
=
= 14.47
masa capa central 0.0185 + 0.0126
kg capa central
2. si la capacidad de absorcin del SAP (CSAP) es 40 veces la de la celulosa (CC), tomando como
base de clculo 1 kg de capa central, la masa de agua retenida se expresa en funcin de las fracciones
msicas y de las capacidades de absorcin de los componentes de la capa central:
14.47 = X CCC + X SAP CSAP =
0.0185
0.0126
CC +
40CC
0.0311
0.0311
CC = 0.861 CSAP = 40CC = 34.45
y resulta:
3. para calcular la diferencia de densidades entre los dos paales del enunciado, se tiene en cuenta que
la densidad de un material compuesto se puede calcular en funcin de las fracciones msicas de los
componentes:
1
paal 1
X PP
PP
paal 2
XC
X PP
PP
X SAP
SAP
XC
X PE
PE
X PE
PE
5.9 18.5 12.6

3
= 40 + 40 + 40 + 40 paal 1 = 1018.1 kg/m3
910 1440 750 950
5.9 18.5 + 12.6

3
40
= 40 +
+ 40 paal 2 = 1280.47 kg/m3
910
1440
950
paal 2 paal 1 = 262.36 kg/m3

4. masas moleculares:
MwA = 72 kg/kmol y MwE = 174 kg/kmol
En el proceso de polimerizacin (etapa I: nA-->PA), los monmeros se incorporan en su totalidad a la

formacin del polmero, sin prdida de masa, lo que supone que para obtener 1000 kg de cido
poliacrlico (PA), se necesitan 1000 kg de monmero (A). Conocida la relacin molar utilizada en la
etapa de reticulacin y con las masas moleculares, se obtiene:
1000
= 13.89 kmol A
72
nE = 0.05nA = 0.6944 kmol E nE MwE = 120.83 kg E
nA =
5. con la misma base de clculo del apartado anterior: 1000 kg de A (13.89 kmol A) proporcionan
2014-2015
367
1000 kg de PA (etapa I), que son reticulados con 120.83 kg de E, sin prdida de masa, con lo que se
obtienen 1120.83 kg de polmero reticulado (etapa II).
Cada monmero A posee un grupo COOH, con lo que hay 13.89 kmol de COOH disponible, primero
en A y lo mismo en el cido poliacrlico (PA). Sin embargo, la cantidad final de grupos COOH presentes
en el polmero reticulado es menor, ya que la reaccin de reticulacin (etapa II) tiene lugar entre grupos
COOH y epxidos, y cada kmol de E disponible reacciona con 2 kmoles de COOH:
OH
OH
COO
H2 C
C
H
CH2
CH2
CH 2
CH2
C
H
CH2
OOC
Para la base de clculo elegida, los grupos COOH

que han reaccionado en la reticulacin son: 13.889 0.05 2 = 1.389
kmol COOH
13.889 13.889 0.05 2 = 12.5
kmol COOH
y quedan sin reaccionar
En la etapa III, segn el enunciado, de los COOH libres en el polmero reticulado slo reaccionan con
NaOH el 80% en proporcin molar 1:1, es decir, se necesitan:
12.5 0.8 = 10
kmol NaOH
La masa molecular del NaOH es MwNaOH = 40 kg/kmol, luego la masa de NaOH es

12.5 0.8 40 = 400 kg NaOH que han reaccionado con 1120.83 kg de polmero reticulado. La
cantidad de NaOH precisa para reaccionar con 1000 kg de polmero reticulado ser:
400 1000
= 356.878 kg NaOH
1120.83
__________________________________________________________________________________
8.48
En el moldeo en barbotina de una pieza esfrica de material cermico se parte de una suspensin
que contiene una fraccin msica XC = 0.85 de polvo cermico de densidad C = 4502 kg/m3 y
el resto agua A = 998 kg/m3. Despus del drenado del molde, del secado de la pieza y del
sinterizado en el horno el contenido de agua se reduce a cero. Calcular qu reduccin porcentual
sufre el tamao (radio) de la pieza esfrica durante el proceso completo de moldeo, es decir, desde
que se llena el molde con la barbotina hasta que se termina la sinterizacin.
2014-2015
368
Sol.: en el proceso el contenido en agua pasa del 1 XC = 0.15 a 0 (fraccin msica). El
XC XA
+
volumen inicial de la pieza es proporcional a
. Como el volumen final es
proporcional a
XC
, la reduccin en el radio de la pieza ser:

1
XC
C
r = 1
XC 1 XC
+
A
C
100r = 17.7 % de reduccin
_________________________________________________________________________________
8.49
Las espumas de poliuretano (PUR) se utilizan con mucha frecuencia como aislamiento trmico y
acstico puesto que uno de los monmeros (el diisocianato), aadido en exceso, puede reaccionar con
agua y producir CO2. ste queda ocluido en la masa del polmero en forma de pequeas burbujas de
manera que se puede obtener una espuma o material alveolar con un alto contenido de gas. La reaccin
de polimerizacin entre el toluidendiisocianto (A) y el n-hexanodiol (B) es:
donde el polmero P est formado por la repeticin de la unidad estructural repetitiva (UER). La
reaccin por la que se produce el gas espumante (CO2) es:
Se conocen los siguientes datos a temperatura ambiente ( T = 298 K):

densidad del polmero (P): = 1050 kg/m3
P
densidad de la toluidendiamina (D): D = 680 kg/m3
mdulo elstico E del polmero (P): EP = 135 10 Pa
2014-2015
369
Se desea producir una espuma PUR segn las anteriores reacciones y partiendo de A, B y W como
materias primas y de acuerdo con las siguientes especificaciones:
produccin de P segn la primera reaccin con una relacin molar de A a B rAB = 1.12 (es
decir, exceso de A),
cantidad de W suficiente para producir CO2 consumiendo exactamente el exceso de A segn la
segunda reaccin,
las dos reacciones se llevan a cabo hasta agotar los reactivos,
los productos de las dos reacciones (P, D y E) quedan retenidos completamente en el producto
final,
las burbujas de CO2 estn a presin atmosfrica y el CO2 en estas condiciones se comporta
como un gas ideal.
Determinar:
1. las cantidades de A, B y W que se requieren para obtener mtot = 1 kg de espuma,
2. la densidad del producto final (P+D+E) y
3. el mdulo elstico de la espuma en isodeformacin (D y E no contribuyen al mdulo elstico
de la espuma, es decir, sus mdulos elsticos son nulos).
Sol.: las masas moleculares de las diferentes especies qumicas son:
MwN = 14
MwO = 16.0
MwC = 12.01 MwH = 1.0
MwA = 9MwC + 2MwN + 2MwO + 6MwH

MwB = 6MwC + 2MwO + 14MwH
MwUER = MwA + MwB
MwW = MwO + 2MwH
MwE = MwC + 2MwO
MwD = 7MwC + 2MwN + 10MwH
MwA = 174.09
MwB = 118.06
MwUER = 292.15
MwW = 18
MwE = 44.01
MwD = 122.07
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
kg/kmol
Se toma como base de clculo 1 kmol de B. 1 kmol de B reacciona con 1 kmol de A para producir 1
kmol de UER. Esta UER contribuye a la masa total con MwUER = 292.15 kg.
El exceso molar de A (rAB 1 = 0.12 kmoles) reacciona con 2( rAB 1) = 0.24 kmoles de agua,
consumindose ambos y produciendo rAB 1 = 0.12 kmoles de D y 2( rAB 1) = 0.24 kmoles de

CO2. La contribucin a la masa total de estos dos productos de la segunda reaccin es:
( rAB 1) MwD + 2( rAB 1) MwE = 25.211 kg. La masa total que corresponde a la base de cculo
de 1 kmol de B es:
Mtot = MwUER + ( rAB 1) MwD + 2( rAB 1) MwE
Mtot = 317.361
kg
Mtot = 317.361
kg
que tambin puede calcularse como:

Mtot = rAB MwA + MwB + 2( rAB 1) MwW
Luego para producir un kg de espuma PUR sern necesarios:
2014-2015
370
mA = rAB MwA Mtot
mB = 1. MwB Mtot
mW = 2( rAB 1) MwW Mtot
mA = 0.614 kg
mB = 0.372 kg
mW = 0.014 kg
( mA + mB + mW = 1.000 )
1 kg de producto final contiene slo P, D y E en las siguientes cantidades:

mB
mP =
MwUER
mP = 0.921 kg
MwB
mB
mD =
( rAB 1) MwD
mD = 0.046 kg
MwB
mB
( mP + mD + mE = 1.000 )
mE = 2
( rAB 1) MwE
mE = 0.033 kg
MwB
La densidad del CO2 es:
E = 1 MwE ( 0.082 T)
E = 1.801 kg/m3
Los volmenes de los tres componentes y el volumen total:

4
vP = mP P
vP = 8.767 10
vD = mD D
vD = 6.788 10
m3
vE = mE E
vE = 0.0185
m3
vtot = vP + vD + vE
vtot = 0.0194
m3
La densidad de la espuma es:
1
vtot
= 51
m3
kg/m3
Puesto que ni D ni E contribuyen al mdulo elstico (son lquido y gas, respectivamente), su nico
efecto es reducir la fraccin volumtrica de P, que es el nico componente slido y el nico que aporta
mdulo elstico (proporcionalmente a su fraccin volumtrica). El mdulo elstico de la espuma ser:
E =
vP
vtot
EP
E = 6.093 10
Pa
_________________________________________________________________________________
2014-2015

Coleccion Problemas 2015

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Coleccin de Problemas

Demostrar que la siguiente red (2D) es de Bravais:

Respecto de los siguientes ejes coordenados, y numerando celdas como se indica:

x2 = (k2 1)b sen

Estas coordenadas se pueden construir como combinacin lineal:

x2 = (k2 1)b sen

Verificar si la siguiente red es una red Bravais (bidimensional, 2D):

Sol.: los puntos A y B no satisfacen la primera definicin (un conjunto infinito

El hexgono no es la celda unitaria del sistema hexagonal, ni en dos ni en tres

La red entera permanece inalterada al aplicar las operaciones de un eje ternario de

eje ternario de inversin

Si esta equivalencia es cierta, es el volumen de las tres celdas rombodricas igual al

Representacin Matricial de Elementos de Simetra

Representar matricialmente los elementos del grupo de simetra de la clase 32 .

Sol.: este problema sirve para ilustrar la diferencia entre:

elementos de simetra en sentido cristalogrfico y

elementos (operaciones) del grupo puntual de simetra

Los elementos de simetra en sentido cristalogrfico estn representados en el

tres ejes binarios

un eje monario (la identidad)

orden del eje

(en este caso,

direccin del eje de rotacin

Un eje ternario (elemento de simetra cristalogrfico): 3

giro de 120 en torno a este eje

giro de 240 en torno a este eje

giro de 180 en torno a este eje

giro de 180 en torno a este eje

giro de 180 en torno a este eje

Pirmide de Base Triangular Equiltera

Para una pirmide de base triangular equiltera, determinar:

genera 3 elementos del

generan 1 cada uno

El producto del grupo corresponde:

como grupo abstracto, al producto de las matrices de representacin.

Como ejemplo, se va a realizar el producto de los elementos 1 y 2: 3c2 31c .

accin del elemento 1

O bien se realiza el producto de las

accin del elemento 2

El resultado de las dos acciones devuelve el punto a la posicin inicial, es decir, el

accin del elemento 1

O bien se realiza el producto de las

Se satisfacen los axiomas de grupo:

el producto est definido,

existe un elemento unidad nico,

el producto de dos elementos sigue perteneciendo al grupo (en la tabla no aparecen

es asociativo (no es evidente, hay que comprobarlo con la tabla).

Holoedro del Sistema Cbico

Para la clase de mxima simetra m3m (holoedro) del sistema cbico,

elemento del grupo

elemento del grupo

elemento del grupo

Clase Cristalogrfica Material AB

La estructura cristalina de un material AB est definida por:

la red: cbica centrada en las caras y

la base: formada por un tomo de A en el punto de coordenadas (0, 0, 0) , y un tomo

Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece este material.

En esta figura los tomos de la base se representan con el tomo A ms claro y el B ms

Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales

Determinar a qu clase cristalogrfica pertenecen los siguientes monocristales

Esto equivale a un eje senario de inversin e implica que el monocristal pertenece al

Sol.: en esta estructura nicamente hay un eje de rotacin ternario. Es de la clase: 3 .

Se observa que no hay un plano de simetra perpendicular al eje ternario de inversin. Se

Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales

Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece este material.