Crdenas Rosas Edson

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Tecnologa Planar
La tecnologa usada en la fabricacin de un Chip se llama tecnologa planar
esta permite una gran productividad. Veremos los principales procesos de la
tecnologa planar y como esta se aplica para la construccin de un circuito
CMOS, circuito fundamental de la electrnica digital.
Fabricacin de semiconductores de silicio(tecnologa planar)
La fabricacin de un microcircuito comienza con una oblea de silicio ultra pura de
10 a 30 centmetros de dimetro. El silicio puro es casi un aislante, pero
determinadas impurezas, llamadas impurificadores, aadidas en cantidades de 10
a 100 partes por milln, convierten al silicio en conductor de electricidad. Un
circuito integrado puede constar de millones de transistores, diodos, resistencias y
condensadores etc. Hechos de silicio con impurezas, todos ellos conectados
mediante el patrn de conductores adecuado para crear lgica del ordenador, su
memoria u otro tipo de circuito. Sobre una oblea de silicio pueden hacerse
centenares de microcircuitos. Los pasos para la realizacin del proceso de
fabricacin son seis que se aplican de manera universal a todos los dispositivos
semiconductores de silicio estos son:
Oxidacin, litografa, grabado, impurificacin, deposicin qumica de vapor
y metalizacin. Estos pasos van seguidos de las operaciones de montaje, prueba,
marcado, embalado y expedicin.
1. Oxidacin
Proceso que consiste en la oxidacin de la superficie exterior de la oblea de Si
para hacer crecer una capa delgada (de alrededor de una micra) de dixido de
silicio (SiO2).Esta capa protege en primer lugar la superficie de impurezas y sirve
adems de mscara en el proceso de difusin que se hace ms adelante. La
finalidad de hacer crecer una capa protectora y qumicamente estable de SiO2
sobre Si, Convierte a las obleas de silicio en el sustrato de semiconductores de
uso ms comn. La oxidacin tambin llamada oxidacin trmica tiene lugar en un
horno de difusin a altas temperaturas. La capa protectora de SiO2 se forma en
atmsferas que contienen oxgeno (O2) conocida como oxidacin seca u oxgeno
combinado con vapor de agua (H2O) conocida como oxidacin hmeda. La
temperatura del horno puede vara desde 800 a 1.300 C.
Oxidacin seca
Antes de ser sometidas a oxidacin, las obleas de silicio se limpian con un
detergente diluido en agua y se enjuagan con xileno, alcohol isoproplico u otros
disolventes. Posteriormente las obleas limpias se introducen en horno de difusin
con temperaturas controladas y un flujo del oxgeno seco controlado dentro del
horno para garantizar que exista un exceso de oxgeno que facilite el crecimiento
del SiO2 sobre la superficie de la oblea de silicio.

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Fotolitografa

Para fabricar cosas del tamao de unos nanmetros necesitas hacer uso de
tecnologa especializada. Una tcnica utilizada en la fabricacin de cosas muy
pequeas se conoce como fotolitografa

Los chips de computadoras son fabricados usando fotolitografa. Este proceso en

lugar de tinta utiliza luz para dibujar. Lo primero que necesitas es un sustrato, que
es aquello donde se dibujar. El sustrato se cubre con una sustancia! qumica
llamada fotoresinas. Hay una cantidad de sustancias qumicas pueden actuar
como fotoresinas, muchas de ellas son polmetros. Las fotoresinas cambian
cuando estn expuestas a la luz porque sus molculas se entrelazan, haciendo
que no sean fcilmente removidas en el proceso de revelado o lavado (explicado
ms abajo). Ahora estamos listos para dibujar. Para crear el diseo sobre el
sustrato necesitamos una mscara que posea el patrn de tal diseo. Si
irradiamos luz a travs de esta mscara, la luz solo pasar por aquellas reas
transparentes de la mscara e iluminar el sustrato. Para entender esto piensa en
lo que pasa cuando proyectas sombras en la pared con tus manos. Finalmente, se
necesitar el uso de otros productos qumicos para revelar el patrn creado sobre
la fotoresina, estos productos qumicos removern la fotoresina que fue iluminada
con luz y, de esta forma, obtenemos del diseo sobre el substrato. Para hacer un
chip de computadora necesitamos crear lneas muy finas. La clave es entonces
dibujar con alta resolucin. Resolucin es una medida que nos dice cun cerca
podemos colocar dos cosas, una al lado de la otra y an poder distinguir la
separacin entre ellas. En los chips se instalaran dispositivos llamados
transistores . Los transistores son tan pequeos que miles de ellos cabran en la
pluma de Alois.

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Tcnicas de dopaje de semiconductores: Difusin e Implantacin inica

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional

de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin
referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un
conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se
agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada
100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando
se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces
se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

Difusin
Definicin:
Redistribucin de tomos desde regiones de alta concentracin de especies
mviles hacia regiones de baja concentracin. las impurezas, previamente
depositadas sobre la superficie del cristal, penetran en el interior.
Este fenmeno tiene lugar a todas las temperaturas, sin embargo, la difusividad
tiene una dependencia exponencial con la temperatura
Implantacin inica
La implantacin inica es un mtodo de impurificacin tanto de Silicio como de
GaAs. Es el mtodo dominante de dopaje utilizado hoy da a pesar de sus
desventajas. Es un proceso ms costoso y complejo que la difusin y una
alternativa a la misma.
Principios bsicos:
Se dopa un substrato mediante un flujo de iones energticos de la impureza
(obtenidos de un plasma de la misma) que se proyectan contra la oblea(blanco).
Los iones de impurezas penetran en el substrato con una alta energa
(velocidad) y pierden su energa mediante colisiones con los ncleos y los
electrones que acaban detenindolos. Los iones quedan parados a una
determinada distancia de la superficie de la oblea formado un

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perfil de implantacin.