Mustapha Socle V3

Simulation de composants
semi-conducteurs
BENYAMNA Mustapha
Rmi Cornat , Pascal Gay , Fran

Franois Morisseau,
Groupe ILC
EUDET France 05/04/07 Rmi CORNAT (LPC)
SOCLE - Session Software 20 nov 07
Mustapha BENYAMNA (LPC)
Plan
Introduction
Suite logicielle SILVACO
Qualification de SILVACO
- Module ATLAS
- Module LUMINOUS
Application au Prototype Si-W de Calice

Conclusion
Introduction
Dtecteur en Physique :
capteur semi-conducteurs
Calorimtre Si-W CALICE

prototype - donnes relles
vnements carrs
Approche en parallle: Simulation des

structures semi-conductrices
Suite logicielle SILVACO
www.silvaco.fr
SILVACO est un logiciel qui permet de simuler des composantes

base de silicium, et les caractriser en utilisant plusieurs options .
Module Atlas
Module Athena
Dfinir une structure
Caractriser une structure
1) Luminous
2) Laser
3) Thermal
1) DEVEDIT
2) 2D, 3D
Tonyplot(2D, 3D)
Application tous les Dtecteurs de Silicium
Module ATHENA
Processus de construction dune structure
a) Dfinir la gomtrie
b) Maillage
c) Processus de fabrication
* Gravure
* Implantation
* Oxydation
Guard rings
Anode
Module Athna Dfinition de la gomtrie

dun composant
Module ATHENA
Processus de construction dune structure
a) Dfinir la gomtrie
b) Maillage (Module DEVEDIT)
c) Processus de fabrication
* Gravure
* Implantation
* Oxydation
Module Devedit Faire le Maillage dune

structure
Module ATLAS
Exemples dtudes :
a) Dopage
b) Caractristiques
lectrique
* Capacits
* Dplacement des charges
* Courant lectrique
c) Analyse optique
d) Analyse thermique
Module Atlas Doper une structure
Module ATLAS
Exemples dtudes :
a) Dopage
b) Caractristiques lectriques
Capacits
Dplacement des charges
Courant lectrique
c) Analyse optique
d) Analyse thermique
Module Atlas Extraire les valeurs de

capacits
Module ATLAS
Exemples dtudes :
a) Dopage
b) Caractristiques
lectriques :
* Capacits
* Dplacement des charges
* Courant lectrique
c) Analyse thermique
* ModuleTHERMAL
d) Analyse optique
* Module LUMINOUS
Module Atlas Visualiser le transfert de
charges dans une structure
Module LUMINOUS
Exemples dAnalyse :
- source lumineuse.
- Propagation de la lumire
dans la structure.
Rayon lumineux :
*(x,y,z); _
*_
- Photognration.
Module Luminous Simuler la propagation

dun rayon lumineux
dans une structure
10
Module LUMINOUS
Rayons lumineux
Exemples danalyse :
- source lumineuse.
- propagation de la lumire
dans la structure.
- Photognration.
Module Luminous Extraire le taux de

photognration
11
Structure simule
L=500 um
l= 1cm
d1=50um, d2=50um
d3=1um
d4=2um
l
d1
Air
Aluminium
Doped zone p : 1e20 atm/cm3
SiO2
Doped zone n : 1e20 atm/cm3
Doped zone : 1e12 atm/cm3
d2
d3
d4
c5=26pF
C2=1pF
L
C1=21pF
C3=0.74pF
C4=5pF
d4
d3
Vpol = 200V
12
Rsultats
Silvaco
Attendue [1]
Capacit Pixel Cathode
21pF
18pF
Capacit Guard Cathode
5pF
4pF
Capacit Pixel Guard
0.74pF
1pF
Capacit Pixel-Pixel
1pF
1pF
Capacit Guard-Guard
26pF
24pF
[1] rsultat thorique prsent par A. Karar (LLR) (Soul 2006)
Ces rsultats sont compatible avec les donnes thoriques.

Ces rsultats seront des donnes pour la simulation lectronique (SPICE).
13
Qualification de LUMINOUS
Pixel seul
Dfinir deux structures :
pixel seul et pixel

pixel grav
grav
Silicon
300 um
600 um
Vpol=70 V
Pixel grav
0
Air
oxyde
n
Silicon
300 um
Vpol=70 V
n
600 um
14
Champ maximal : Pixel seul
Publication:
Nuclear Science Symposium, 1997. IEEE
Junction termination structure
peak electric
field
Un-improved diode
3.9 104 V/cm
Silvaco
Three floating rings (optimized) 1.3 104 V/cm

Poly field plate extension
2.8 104 V/cm
Linear implant gradient
1.5 104 V/cm
Vertical etch junction termination 2.0 104 V/cm

Angled etch junction termination 2.5 104 V/cm
2.6 104 V/cm
15
Champ maximal : Pixel grav
Publication:
Nuclear Science Symposium, 1997. IEEE
Junction termination structure
Un-improved diode
Silvaco
peak electric
field
3.9 104 V/cm
Three floating rings (optimized) 1.3 104 V/cm

Poly field plate extension
2.8 104 V/cm
Linear implant gradient
1.5 104 V/cm
Vertical etch junction termination 2.0 104 V/cm

Angled etch junction termination 2.5 104 V/cm
1.99 104 V/cm
16
Publication
Lignes de potentiel
Silvaco
17
Perspectives
Problme physique:
- Evnements carrs
Hypothse:
- Effet capacitif
Simulation avec SILVACO
18
Perspectives
Etude de leffet capacitif :
Simulation lectronique avec SPICE

Etude pour analyser la phnomne des vnements
carrs :
Simulation du Test Bench
1) Installation d
dune partie du Capteur
- 1eme tape : Calibration du Test Bench (maquette cuivre poxy)
- 2eme tape : mesure sur Wafer r
rel (matrice 3*3)
2) Injection de charges et mesure de diaphonie.
19
tude avec Silvaco :

les structures utilises en test bench:
Photon, charges injectes
Aluminium
Oxyde
Pixel
Guard rings segments
Oxyde
20
Rsum
Problme physique : vnements carrs
Simulation
Instrumentation
Test Bench
SILVACO
Rsultats
1) SILVACO Software permet de
simuler les structures de semiconducteurs
2) utile tous les dtecteurs/capteurs
3) prise en main et qualification
opre
Rsultats
Application
Application spcifique l'tude et au

design des guard rings de SiW-Cal
Remerciements Eddy Cou

Cou et Jean-Pierre W rzesniewski pour leur accueil llISIMA et au SMMIC
21

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Capacit Pixel Cathode

Capacit Guard Cathode

Capacit Pixel Guard

[1] rsultat thorique prsent par A. Karar (LLR) (Soul 2006)

Ces rsultats sont compatible avec les donnes thoriques.

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pixel seul et pixel

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3.9 104 V/cm

Three floating rings (optimized) 1.3 104 V/cm

2.8 104 V/cm

Linear implant gradient

1.5 104 V/cm

Vertical etch junction termination 2.0 104 V/cm

2.6 104 V/cm

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