Dispositivos pasivos y sus aplicaciones

Son aquellos que consumen una parte de la energa elctrica de un sistema elctrico
transformndola en otro tipo de energa. Dicho de otra manera, son aquellos que suponen un gasto
de energa y que al circular corriente producen una diferencia de potencial entre sus bornes que es
proporcional a una caracterstica del elemento, la cual no cambia y disipan potencia en forma de
calor (consumen energa).Los componentes ideales pasivos basan su funcionamiento en uno de los
siguientes efectos electromagnticos (caracterstica que no cambia):
Efecto resistivo: Representa la cada de tensin electrocintica en el interior del conductor.
Efecto capacitivo: Se produce por el almacenamiento de cargas en un sistema formado por dos
conductores separados por una pequea distancia.
Efecto inductivo: Producido por la influencia de los campos magnticos.
Resistencia o resistor():

Es un componente elctrico diseado con carbn de silicio y que sirve para limitar el paso de la
corriente en un circuito dado. Dependiendo el tamao de cada resistencia es la cantidad de potencia
(energa)
que puede manejar. La caracterstica fundamental de este componente es que la tensin que aparec
e entre sus extremos, slo depende del valor instantneo de la corriente que lo atraviesa (y
viceversa), es decir V = R.I. La accin de una resistencia provoca su calentamiento convirtindolo de
energa elctrica en trmica(calor). Si una resistencia se calienta demasiado puede llegar a alterar su
valor ohmico hasta daarse(quemarse).Existen 3 formas de resistencia:

Capacitor

La capacitancia es la facultad que posee un dielctrico para almacenar carga elctrica. La unidad de
la capacitancia es el Farad. Un capacitor est formado por un aislador colocado entre 2 placas
conductoras. Los capacitores comerciales se fabrican con valores especficos de capacitancia. Los
diferentes tipos de capacitores reciben su nombre de acuerdo a su material dielctrico en que fueron
hechos.
(Por
ejemplo: papel, cermica, electrolitos, tantalio). Un dielctrico es un material aislador que no puede c
onducir corriente, pero si almacenar carga elctrica.

La capacitancia es una constante fsica que indica la cantidad de carga que puede almacenarse para
un determinado valor de voltaje aplicado donde:

Donde:

Q=Carga del capacitor en Coulomb

C=Valor de la capacitancia en farad
V=Voltaje aplicado
I=Corriente instantnea en funcin del tiempo
t=tiempo en segundos
Capacitancias en paralelo:

Constante tiempo RC:

Si una resistencia y un capacitor se conectan en serie con una fuente de voltaje, el capacitor se
cargar a travs de la resistencia donde sta permitir (de acuerdo a su valor hmico) el flujo de
electrones para finalmente cargar el capacitor. El tiempo que se requiere para el capacitor quede
cargado en un 63% de su nivel de carga al pleno potencial, se llama la constante de tiempo. Esta
dado por t=RC. El capacitor nunca llega a cargarse al 100% sin embargo para fines prcticos se
toma como el 100% despus de 5t. Donde:
t=Constante de tiempo (seg), R=Resistencia (ohm) y C=capacitancia (farad).Para descargarse
emplea una t para quedarse a un 37% de su valor a plena carga y se requiere de 5 veces la
constante de tiempo para que el capacitor se descargue completamente (para fines prcticos).
Bobina:

Una bobina es un solenoide cilndrico de N espiras de radio a y longitud total l. El material que forma
el solenoide se supone conductor con resistencia nula. Una corriente elctrica crea un campo

magntico en la regin del espacio que la rodea (Ley de Biot y Savart). A su vez, un campo
magntico variable induce una f.e.m. en un conductor que lo abrace (Ley de Faraday). Tambin
llamado inductor o reactor donde es un pedazo de alambre en forma de espiral, el cual
se representa por la letra L y su unidad es el henry (H). Su escala est en micro henrys y milihenrys,
y generalmente tiene un ncleo de aire o de hierro, el ncleo de hierro sirve para aumentar la
inductancia. En algunas bobinas el ncleo puede entrar y salir de la bobina con lo cual se hace una
bobina variable (al salir el ncleo disminuye la inductancia, al entrar aumenta),stas todava se
pueden ver en algunos radiorreceptores.

Nota: La bobina puede probarse (para una primera aproximacin)con un multmetro en Ohms, donde
si da circuito abierto significa que esta daada y si da circuito cerrado (R = 0) es muy probable que
este buena
Transformadores:
Cuando existe una inductancia mutua entre dos bobinas o devanados, entonces un cambio de
corriente en una de ellas induce una tensin en la otra. Todo transformador tiene un devanado
primario y uno o ms devanados secundarios.

El devanado primario
(lado que tiene 2 cables) recibe la energa elctrica y acopla sta energa al devanado secundario
por medio de un campo magntico variable. Por medio de los transformadores, se puede transferir
energa de un circuito a otro sin que exista una conexin fsica entre ellos. La transferencia de
energa se efecta a travs del campo magntico, por lo que un transformador funciona con un
dispositivo de acoplamiento. Si conectramos un voltaje al primario, el voltaje del secundario
depender del nmero de espiras del devanado secundario, comparado con el nmero de espiras

del devanado primario. Cuando el devanado secundario tiene ms espiras que el primario, el voltaje
secundario es mayor que el voltaje primario, en ste caso ocurre un aumento de voltaje y al
transformador se le conoce como transformador elevador de tensin. As mismo, si el devanado
secundario tiene menor nmero de espiras que el primario, el voltaje secundario ser menor que la
primaria (en la mayora de los casos) y al transformador se le conoce como transformador reductor
de tensin.

Materiales semiconductores

Un semiconductor es un dispositivo que tiene las caractersticas entre un conductor y un aislador.

Los elementos semiconductores usan generalmente el silicio (Si) y el Germanio (Ge), donde la arena
de donde se extrae el dixido de Silicio y las de las cenizas del carbn el Germanio. Las
caractersticas principales de los semiconductores puros son:

Enlace covalente: Es cuando los tomos comparten sus electrones de valencia, dando como
resultado una configuracin estable. El enlace covalente forma una estructura cristalina y debido a
esto, es posible aadir impurezas para contaminar el material. El propsito de este proceso es
cambiar las caractersticas elctricas del semiconductor.

De acuerdo al tipo de material que conforman los cristales de semiconductores se dividen en 2

grupos:
Semiconductores intrnsecos: Son los tomos de un mismo elemento o en otras palabras, es un
semiconductor puro sin contaminacin. El cristal de silicio formado por el enlace covalente es un
ejemplo de sta caracterstica.
Semiconductores extrnsecos: Son los que resultan de la contaminacin de los semiconductores
mediante la introduccin de otros tomos (impurezas) dentro de la red cristalina. (Ej. Arsenio, indio,
galio).
Germanio y Silicio
El silicio es un elemento qumico metaloide, nmero atmico 14 y situado en el grupo 4 de la tabla
peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbono ideos de smbolo Si. Es el
segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso) despus del oxgeno. Se
presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, ms activo que la variante
cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisceo y brillo metlico.
Propiedades atmicas
Masa atmica 28,0855 u Radio medio 110 pm Radio atmico calculado 111 pm Radio
covalente 111 pm Radio de Van der Wells 210 pm Configuracin electrnica [Ne]3s2
3p2 Estado de oxidacin (xido) 4 (anftero) Estructura cristalina cbica centrada en
las caras
Propiedades fsicas
Estado de la materia slido (no magntico) Punto de fusin 1687 K (1414 C) Punto de
ebullicin 3173 K (2900 C) Entalpa de vaporizacin 384,22 kJ/mol Entalpa de fusin
50,55 kJ/mol Presin de vapor 4,77 Pa a 1683 K

Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria de la cermica tcnica y,

debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en la industria
electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips que se
pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos.
El germanio es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo lustroso, quebradizo,
que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el
diamante y resiste a los cidos y lcalis. Forma gran nmero de compuestos rgano metlicos y es
un importante material semiconductor utilizado en transistores y foto detectores. A diferencia de la
mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que
responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja
intensidad. Las propiedades del germanio son tales que este elemento tiene varias aplicaciones
importantes, especialmente en la industria de los semiconductores. El primer dispositivo de estado
slido, el transistor, fue hecho de germanio. Los cristales especiales de germanio se usan como
sustrato para el crecimiento en fase vapor de pelculas finas de GaAs y GaAsP en algunos diodos
emisores de luz. Se emplean lentes y filtros de germanio en aparatos que operan en la regin
infrarroja del espectro. Mercurio y cobre impregnados de germanio son utilizados en detectores
infrarrojos; los granates sintticos con propiedades magnticas pueden tener aplicaciones en los
dispositivos de microondas para alto poder y memoria de burbuja magntica; los aditivos de
germanio incrementa los amper-horas disponibles en acumuladores. Las aplicaciones del germanio
se ven limitadas por su elevado costo y en muchos casos se investiga su sustitucin por materiales
ms econmicos.

Materiales de tipo P y de tipo N

Los elementos utilizados como impurezas tienen en general valencia electrnica de 5 o 3. Como
consecuencia de esto, un semiconductor contaminado tiene un exceso o una deficiencia de
electrones en su estructura formada por enlaces covalentes. Un semiconductor de tipo N (-) tiene un
exceso de electrones, mientras que uno de tipo P (+) tiene una deficiencia de ellos.

No confundamos, un material tipo N no est cargado ni ionizado, simplemente al formarse la red

cristalina de enlaces covalentes, un electrn sobr por cada tomo de impurezas puesto y en un
material tipo P un electrn falt por cada tomo de impurezas. Por lo que representaremos los
materiales de la siguiente manera:

Dispositivos basados en semiconductores

Uniendo o mezclando los materiales tipo P y N de diferentes formas dan como resultado los
diferentes elementos activos que podemos encontrar en las aplicaciones electrnicas de hoy en da,
en las siguientes secciones veremos lo ms destacado de ellos.
Diodos

Los diodos se forman por la unin de dos semiconductores extrnsecos, uno tipo P otro tipo N.
Cuando se unen estos materiales, los electrones libres del material N que se encuentran cerca de la
unin saltan al lado P y llenan los huecos cercanos la unin formando una capa donde s hay iones y
se llama capa de agotamiento

Polarizacin

Se llama polarizacin a la aplicacin de un voltaje CD a los bornes o terminales de un dispositivo

electrnico, el cual va a responder segn el signo (polaridad) que se aplique en cada terminal del
dispositivo. En la siguiente imagen podemos ver una polarizacin directa y una inversa

Si se polariza directamente, el diodo empieza a conducir fuertemente cuando el voltaje de la fuente

rebasa los 0.7V aproximadamente (muchas veces lo hace un poco antes), por debajo de este voltaje
decimos que no conduce (las corrientes son despreciables). Si se rebasan los 0.7V la corriente
crece sin lmite (el diodo ofrece una resistencia casi de 0) por lo que hay que ponerle una resistencia
en serie, sino se quema el diodo .En la polarizacin inversa la capa de agotamiento del diodo
aumenta, se genera una muy pequea corriente llamada corriente de fuga de P a N, pero por ms
que se aumente el voltaje el diodo no conduce, hasta que se llegue aun voltaje llamado corriente de
ruptura y es cuando el diodo se daa. O sea el diodo slo conduce en un sentido, de N a P cuando
est polarizado directamente, para fines prcticos, cuando el diodo est polarizado inversamente
decimos que es prcticamente un circuito abierto.

Diodo Normal: El diodo semiconductor es un dispositivo unidireccional ya que permite el flujo de

electrones en un solo sentido (en el sentido contrario al indicar de la flecha de su smbolo).Tambin

se puede decir que es un dispositivo electrnico que permite al flujo de huecos en el sentido indicado
por la flecha de su smbolo (es como generalmente se estudia)

Una de las aplicaciones ms comunes del diodo es como rectificador, ya que convierte valores de
CA a CD. Las 2 caractersticas electrnicas mas importantes son su voltaje pico con polarizacin
inversa (PIV), y su corriente de polarizacin directa (IF). El PIV es igual al mximo voltaje que el
diodo puede tolerar cuando se polariza inversamente. La IF es el valor de la corriente que puede

circular por el diodo sin daarlo cuando ese se encuentra en el estado de conduccin. La manera de
verificar si un diodo esta funcionando correctamente, es conectar por medio de un multmetro en la
escala de Ohms para tener nicamente dos posibilidades:1.- Que en polarizacin directa la lectura
este entre 20 a 1 k (resistencia interna del diodo y el multmetro).2.- Que en polarizacin inversa
la lectura sea el nmero 1(en el extremo izquierdo), que significa infinito o una resistencia muy
grande.
Diodo Zener.
El diodo zener es una variante especial del diodo semiconductor normal, ya que responde al voltaje
y polaridad inversa de forma nica, es decir cuandoa este diodo se le aplica un voltaje con polarizaci
ninversa, mientras no sobrepase el voltaje nominal de fbrica, el diodo no conducir. Esta condicin
se mantendr hasta el punto en que la fuente de alimentacin exceda al voltaje nominal del diodo
zener (por ej. 6.8 V de CD). A este punto se le conoce como punto de avalancha, debido a que la
corriente por el diodo se eleva abruptamente desde prcticamente cero (0), hasta un valor muy alto
limitado nicamente por la baja resistencia interna del diodo. Con polarizacin directa el diodo acta
como un semiconductor normal pero generalmente no se utiliza de esta manera. Un diodo zener se
checa de igual manera que un diodo convencional. Los voltaje normales tpicos para el zener van
desde 2.4 a 200 volts y sus voltajes de potencia van de a 50 watts.

Diodo emisor de luz (LED).

Este dispositiva como su nombre lo indica es un diodo que emite luz. Es fabricado normalmente con
semiconductores especiales (arseniuro de galio) que permite emitir luz roja, verde, amarilla, blanca,
azul infrarroja (no visible), cuando es recorrida la unin por una corriente. Se utilizan como
dispositivos indicadores, se checan al igual que un diodo semiconductor normal o con una batera de
1.5 Vcd emitiendo luz en polarizacin directa. Con polarizacin inversa el LED permanecer obscuro.
Dentro de ciertos lmites, mientras el voltaje aumente el LED brillar con mayor intensidad, y si el
voltaje disminuye el LED se opacar. Los LEDs estn diseados nicamente para utilizarlos con

CIs de bajo voltaje. Tpicamente no deber aplicarse ms de 3 a 6 Vcd a un LED, y su corriente

nominal es de 10 mA. Existen diversos tipos de LEDs, por ejemplo los dobles que de acuerdo a su
polarizacin es el color. O tambin hay encapsulados en forma de 8 llamados displays.

Celda Solar.

Una celda solar se forma con la unin de 2 semiconductores diferentes, siendo uno de ellos tan
delgado que hasta cierto punto es traslcido. Cuando esta unin PN es iluminada entrega un voltaje
que es proporciona la la intensidad luminosa (Lmenes). Este tipo de dispositivo es utilizado para el
almacenamiento de energa, como es el caso de lugares donde no llega la energa comercial para
equipos electrnicos como son calculadoras hasta satlites de comunicacin. Tambin las celdas
solares se emplean para activar o desactivar circuitos o lmparas que tienen contacto con el sol.

Fotodiodo.
Son dispositivos que utilizan principalmente como detectores de luz ya que al inducir luz en ellos
liberan electrones induciendo una corriente inversa a mayor cantidad de luz mayor cantidad de
corriente inversa generada.

Optoacoplador.
Es un dispositivo que se compone simplemente de un paquete que contiene un LED infrarrojo como
emisor y un foto detector. Los optoaclopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una
seal luminosa modulada y volverla a convertir en una seal elctrica. La gran ventaja de un
optoacoplador es el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y
salida. El funcionamiento se basa en el que al llegarle una seal al LED infrarrojo emisor, vara
la intensidad de acuerdo a la magnitud de la seal de entrada, esta luz puede activar ya sea a un
fotodiodo, un fototriac o un fototransistor. Una delas mayores aplicaciones son como interfaz de
potencia de un sistema digital a un motor, un swich, una maquina o cualquier otro sistema que no
trabaje al nivel del voltaje a corriente de los circuitos digitales(por lo general de 3 a 10 Vcd), logrando
manejar niveles altos de voltaje (por ejemplo de 120 Vca).Los tipos de optoacopladores se clasifican
de acuerdo al arreglo que se emplee para el elemento fotosensible. El modelo ms usado es
el siguiente:

Transistores.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador o
interruptor. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se les encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario, radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavarropas automticas, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,

computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos,

ecgrafos, reproductores mp3,celulares, etc.
Existen dos familias principales de transistores: Los Bipolares (BJT) y los de efecto campo (FET).
Los Transistores Bipolares (BJT Bipolar Junction Transistor).
Son dispositivos fabricados con materiales semiconductores, cuentan con 3 elementos y su
caracterstica principal es poder amplificar y conmutar una seal. Todo transistor est formado por 3
terminales:
1. Emisor: Se suministra los portadores mayoritarios para el flujo de la corriente. Es la terminal que
se simboliza por medio de una flecha.
2. Colector: Recoge los portadores mayoritarios al emisor para la operacin del circuito.
3. Base: Controla el flujo de corriente entre el emisor y el colector. Estos transistores pueden ser de
dos tipos: Los NPN y los PNP. Estos se diferencian por la manera como son polarizados.

El transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En
el diseo de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo
, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son
elementos pasivos
.Para que un transistor se pueda usar como amplificador o como conmutador se tiene que
polarizar como se observa en la tabla anterior, o sea la unin E-B debe polarizarse como un diodo
directamente y la unin B-C debe polarizarse como un diodo inversamente, ya que se hace esto, el
transistor conducir segn la magnitud de los voltajes de polarizacin, siendo la mayor corriente en
el colector, sin embargo su magnitud de puede controlar con pequea variaciones en la corriente en
la base, por eso para poder amplificar una seal dbil, sta se inyecta en la base provocando
grandes variaciones en forma de espejo en colector. Lo anterior se ve en la siguiente figura:

El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta
del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima,
disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros
tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn,
colector comn y base comn.
Los Transistores FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de
transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial. Los Fets se han vuelto ms importantes que los transistores bipolares, ya que son fciles
de fabricar y requieren de menos silicio. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a
la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. As como los transistores
bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n
y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en
estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS
son usados generalmente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos
integrados o chips digitales.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (10^7 a
10^12 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
ms dispositivos en un CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de
tensin drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor),MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor
FET).

Los Transistores MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial
estn basados en transistores MOSFET.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta
no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a
ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser
despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay
que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. Todos los tipos de MOSFETS son del tipoN y tipo-P. A diferencia del FET de unin, la compuerta de un MOSFET no tiene contacto elctrico
con la fuente y el drenaje. Una capa parecida al vidrio hecha de dixido de silicio (oxido = funciona
como un aislante) separa el contacto de metal de la compuerta del resto del transistor, es decir:
En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que
circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es
controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de
entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con
cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta
tensin o hay electricidad esttica.
Tiristores.
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan
para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de
potencia. Se utilizan en circuitos de electrnica de potencia, como pueden ser en fbricas,
ensambladoras, etc. La palabra tiristor, procedente del griego que significa puerta. El nombre es fiel
reflejo de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la
corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y
saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin. Los
tiristores son dispositivos semiconductores con 2 o 3 pines de conexin. Una pequea corriente en
uno de sus pines permite que fluya una corriente muy grande a travs de los otros 2 pines.
La corriente controlada puede ser solamente de encendido o apagado, es por eso los tiristores no
amplifican las seales como la hacen los transistores si no en su lugar son interruptores de estado
slido. Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este curso los tipos ms significativos,
como son: SCR (Silicon Controlled Rectifier), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.
SCR
Este dispositivo se caracteriza por tener 2 estados de operacin de encendido o apagado. Su mayor
aplicacin est en electrnica industrial y los circuitos de control. Su funcionamiento bsico es:
a) Si se polarizan inversamente no va a conducir corriente (de ah su nombre de rectificador)
b) Si se polariza directamente tampoco conduce
c) Si se polariza directamente y se le aplica pulso a su compuerta con la polaridad requerida, este se
desbloquea y pasa de estado de apagado a encendido
d) En estado de encendido la compuerta ya no ejerce control sobre el dispositivo
e) Para apagar el SCR es necesario cancelar el voltaje aplicado entre sus extremos (nodo y
ctodo).
La tercera patita es la compuerta G puede ser fabricada de material tipo N, lo cual requerir de
un pulso negativo para realizar su conmutacin (apagado/encendido).Tambin hay SCRs donde la
compuerta G se realiza con material P (positivo), lo cual requerir de un pulso positivo para su
conmutacin (son los casos ms comunes).Para probarlos se coloca al multmetro en la posicin
para checar diodos o resistencias, entre el nodo y el ctodo no debe marcar bajo ninguna polaridad.
Tampoco debe marcar entre la compuerta y el nodo, pero entre cada ctodo y la compuerta
debemos medir un diodo.

TRIAC (Transistor Interruptor de A.C.)

Su funcionamiento es similar al SCR, con la diferencia que el TRIAC permite la circulacin
de corriente de ambos sentidos. Su compuerta pude ser disparada en tensiones positivas y
negativas. De hecho el TRIAC es un SCR bidireccional.

DIAC (Diodo de AC):

Es un dispositivo de 3 capas similar a un transistor de unin PNP pero sin la terminal de base. Puede
conmutar voltajes de AC. El diac es interruptor bidireccional de AC. Su funcin es similar al triac ya
que permite la circulacin de corriente en ambos sentidos. La nica diferencia es que en este
dispositivo no existe la terminal G de compuerta. nicamente dejara de pasar la corriente en un
sentido cuando exista la diferencia de potencial definida por el fabricante. Puede conmutar voltaje de
AC y pasar la corriente en ambos sentidos.

SCS (Silicon Controlled Switch)

Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de
puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos
de potencia menores que el SCR.

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse
ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que
presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y
corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.
APLICACIONES CON SEMICONDUCTORES
Las aplicaciones de los semiconductores se pueden agrupar en 5 partes:
1) Rectificadores
2) Amplificadores
3) Oscilador
4) Conmutador
5) Fuente de poder
Rectificadores.
Hay varios mtodos para realizar esta funcin, con Diodos semiconductores que tiene la funcin de
convertir de CA a CD. Un rectificador es el que convierte la seal alterna a una seal pulsante de CD
a una seal que an no es una seal de CD pura. Dependiendo del nmero de diodos
utilizados podemos realizar rectificadores de 3 tipos:

Rectificador de media onda:

Es un circuito que utiliza un solo diodo, donde la mitad de cada ciclo no se aprovecha lo cual
representa un desperdicio de energa. Y su nombre viene de la mitad de cada ciclo no se aprovecha.

Rectificador de onda completa:

Es un circuito de fuente de alimentacin que utiliza dos o ms diodos como rectificadores, en donde
el desperdicio de energa la entrada es menor. En este tipo de rectificador utiliza un transformador
con derivacin central, debido a que se pone a tierra la derivacin central secundario para que la
mitad inferior del devanado secundario reduzca una seal que es igual a la seal superior pero con
un desfasamiento de 180.
Una limitante de este tipo de rectificador es que necesariamente utiliza un transformador de
derivacin central.

Rectificador tipo puente:

Este rectificador combina las ventajas del rectificador de media onda y onda completa. Como el
rectificador de onda completa, el rectificador puente, puede fcilmente usar el ciclo completo de
entrada y es fcilmente filtrar. El rectificador tipo puente reside de 4 diodos para completar el ciclo de
entrada y su seal de salida no requiere un transformador con plug de derivacin central. En la
actualidad se puede encontrar estos 4diodos en un paquete. Elctricamente ambos funcionan de
la misma manera.

Amplificadores.
Un circuito amplificador aumenta la seal que tiene a su entrada. Los amplificadores electrnicos se
utilizan sobre todo para aumentar la tensin, la corriente o la potencia de una seal. Este
amplificador requiere de una alimentacin directa con referencia a tierra, para aplicar una seal de
CD o CA. Todo amplificador tiene una ganancia que se calcula dividiendo el voltaje de salida entre la
entrada. Para lo anterior se requiere de un lazo de retroalimentacin, que viene siendo una conexin
de la salida con la entrada.
Oscilador.
Un circuito oscilador es un caso especial del amplificador, ya que genera una salida de CA a partir de
un voltaje de alimentacin de CD sin necesidad de aplicar en su entrada ninguna seal de CA. Los
osciladores constan de un amplificador y algunos de un tipo de retroalimentacin, es decir, las
seales de salida sern conducidas a la entrada del amplificador para regular la ganancia. A los
osciladores tambin se le conocen como multivibradores y sirven como fuente de reloj para circuitos
digitales
.

Conmutador.
Un circuito conmutador es aquel que depende de la seal de una de las entradas es la entrada a
salir funciona como un interruptor de varias conexiones. Cuando los conmutadores tienen una salida
se les conoce como multiplexores, y se utilizan en infinidad de circuitos electrnicos.

Fuente de Poder.
En ELECTRICIDAD los elementos o componentes activos son aquellos que introducen energa
elctrica a un sistema elctrico tomndolo a su vez de cualquier otro sistema, es decir toda fuente de
alimentacin o transformador acta como elemento activo. Los generadores o fuentes son los
componentes que aportan la energa para que exista circulacin de corriente en un circuito elctrico.
Los generadores se pueden clasificar de dos modos diferentes:
1.- Por la forma de suministrar la energa:
a) Generadores de tensin
b) Generadores de corriente
Por la dependencia con otras tensiones o corrientes del circuito:
a) Generadores dependientes: mantiene una tensin fija entre sus bornes dependiendo de una
tensin o de la corriente que lo atraviesa. (Ejemplo un transformador).
b) Generadores independientes: mantiene una tensin fija entre sus bornes independientemente dela
corriente que lo atraviesa. (Ejemplo una fuente de alimentacin).