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Культура Документы
Introduccin__________________________________________________________2
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.6.
Aplicaciones_________________________________________________________18
3.6.1.
3.6.2.
3.6.3.
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
3.1.
Hasta ahora estuvimos viendo cmo influyen los campos elctricos en los materiales que tienen
cargas libres de moverse, es decir, en los conductores. En ellos, las cargas se mueven de forma tal
que responden a los campos elctricos haciendo que sean nulos en su interior en condiciones
electrostticas. Supongamos un capacitor de placas
V0
-+
+ +
-+
-+
b
d
Qd
(1)
0 A
A
d
(2)
Qu ocurre si colocamos un conductor descargado entre las placas del capacitor que haba
sido cargado con carga Q a travs de la batera (habiendo sacado la batera)? Como el campo
elctrico debe ser nulo dentro de los conductores en situacin electrosttica, los electrones libres del
conductor se desplazarn como indica la figura. De esta manera el campo elctrico tendr un valor
en las zonas de vaco y cero en los conductores. Cul ser la diferencia de potencial entre las
0
( d b) ,
0
(3)
es decir, el voltaje disminuye. La capacidad resulta
C
A 0
A 0
Q
Q
Q
b
V
(d b)
(d b)
d (1 )
A 0
d
(4)
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
Q
, la capacidad aumentaba. Lo que
V
A
d
siendo
Q 1 Q
C C0
(5)
Al observar la expresin para la capacidad, pareciera que se puede disminuir d todo lo que se desee
pudiendo almacenar toda la carga que se quiera. As
V0
V0
A
Q1 C1V0 0V
d1
+
Q2 Q1 si d1 d 2
A
Q2 C2V0 0V
d 2
(6)
d2
paralela a V0 constante
mayor que la mxima
para ese material y separacin d se
1
Fsica II
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produce lo que se llama ruptura dielctrica, el dielctrico pierde sus propiedades de aislante y se
vuelve conductor. Como V Ed , se habla de que cada material admite un campo elctrico mximo
Emximo. Por ejemplo
1,00059
2,1
3,2
3,7
Medio
Aire
Tefln
Mylar
Papel
Emximo (V/m)
3 106
60 106
7 106
16 106
Vemos, entonces, que agregar un material dielctrico tiene algunas ventajas (adems de brindar
soporte mecnico): aumenta la capacidad y permite resistir mayores tensiones. Pero, aumentar la
capacidad significa acumular ms energa?
Veamos primero un capacitor sin y con dielctrico con la misma carga Q. La energa acumulada
V0=Q/C0
V=Q/C
en el capacitor vaco es
U0
1 Q2
2 C0
(7)
1 Q2
2 C
(8)
De esta manera
U0
U
C
C0
en vaco
es mayor
que
la
que
almacena
Fig.4. a)Capacitor a Q constante (cargado a travs de una batera con V0) .b) Se mide la diferencia de
potencial. c)Se va introduciendo un dielctrico y se miden diferencias de potencial (que dependen de
cunto se introdujo el material) d) Capacitor con dielctrico y carga Q cuando el dielctrico ha sido
introducido en su totalidad
Fsica II
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con un dielctrico Cmo se entiende esto? Si la carga Q se mantuvo constante, los pasos seguidos
fueron:
Si disminuy la energa potencial electrosttica, el campo debe haber realizado un trabajo W tal que
Wrealizado por el campo U 0
(9)
Experimentalmente se encuentra que el dielctrico es atrado, es decir, acta una fuerza sobre l que
lo tira hacia adentro. El anlisis detallado es bastante complicado; las lneas de campo no son
rectas cerca del lmite del dielctrico aunque hayamos considerado al capacitor como infinito.
Justamente la deformacin de las lneas de campo es la que permite describir cualitativamente la
fuerza. Pero para determinar su valor se pueden hacer consideraciones energticas exclusivamente.
Es de esperar que la energa potencial U vaya disminuyendo a medida que se introduce el
x
F
Q2
+Q
Q1
Q2
Q1
1 Q2 1 2
V C
2 C
2
(10)
U
F U
ex
x
(11)
ya que no puede haber dependencia en las otras
capacidad variable
Q1 ( x) Q2 ( x)
C1 ( x) C 2 ( x)
(12)
Si despreciamos los efectos de borde, las placas del capacitor son de rea D x L, y el dielctrico
fue introducido una distancia x, tendremos
C1 C 0 0
Dx
d
C 2 0
D( L x)
d
(13)
Este sistema ser equivalente a un capacitor con capacidad C, diferencia de potencial entre placa
V y carga Q Q1 Q2 , es decir,
Q VC Q1 Q2 VC1 VC 2 V (C1 C 2 )
(14)
Fsica II
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0D
(x L x)
d
(15)
Q1 C1 Q
Q2 C 2 Q
(16)
se tiene
Q1 Q
x
x L x
Q2 Q
Lx
x L x
(17)
es decir las densidades superficiales de carga resultan distintas en la zona donde hay o no hay
dielctrico.
1
D x L x
Q
1
D x L x
(18)
F
( 1)e x V 2 0 ( 1)e x
2
2C d
2
d
(19)
V0
V0
U0
1 2
V 0 C0
2
(20)
+Q
+Q
1 2
1
V 0C V 2 0C0
2
2
(21)
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
2
1 Q'
2
2
U
Q ' C0 Q ' 1
2
C
2
U0
1 Q2
Q C Q2
2 C0
(22)
(23)
O sea que aument la carga sobre la placa conductora al introducir el dielctrico. Este resultado ser
tambin analizado ms adelante.
V E dl
(24)
r1
el campo elctrico tena que haber disminuido aunque la carga sobre las placas no haba cambiado.
Cmo se explica este comportamiento? Sabemos de la Ley de Gauss que el flujo del campo
elctrico est directamente relacionado con la carga encerrada. Como el campo se reduce, la carga
encerrada en el volumen debe ser menor!! La Figura 1 nos da la pista para hacer un modelo: el
campo es menor pero no nulo; la nica posibilidad es que en la superficie externa al conductor haya
cargas de signo opuesto como se muestra en la
S
+- +
-
+- +
-
+- +
-
+- +
-
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En el capacitor de placas plano-paralelas aislado (es decir se mantiene la carga constante con
densidad superficial L) de rea A y separacin entre placas d , habr una diferencia de potencial
entre las placas dada por
Vvacio Evacio d
(25)
Vdielectrico E dielectrico d
(26)
E dielectrico
quivalente
0
L P
0
Ediel
Evacio
L p
(27)
de lo que se deduce que la densidad superficial de carga de polarizacin est dada por
L P (1
1
)
(28)
Como >1, la densidad de carga superficial de polarizacin presulta de distinto signo y menor
en mdulo que la densidad de carga en el conductor (que llamaremos de ahora en ms densidad
superficial de carga libre L).
-q
E x ( x, y , z )
1
4 0
qx
x 2 y 2 ( z )2
2
3
2
x 2 y 2 ( z ) 2 2
(29)
Fsica II
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E y ( x, y , z )
1
4 0
qy
x 2 y 2 ( z )2
2
x 2 y 2 ( z ) 2 2
E z ( x, y , z )
(30)
(z )
2
4 0
x 2 y 2 ( z )2
2
(z )
2
x 2 y 2 ( z ) 2
3
2
(31)
Como existe simetra de revolucin alrededor del eje z, estudiaremos el campo en el plano yz es
decir, en x 0 . Resulta, entonces
E x (0, y, z ) 0
(32)
E y (0, y, z )
1
4 0
qy
y 2 ( z )2
2
3
2
y 2 ( z ) 2
Ez (0, y , z )
(33)
(z )
2
4 0
y 2 ( z )2
2
(z )
2
y 2 ( z ) 2
3
2
(34)
y a lo largo del eje y (es decir, en z 0 ) el campo elctrico solamente tiene componente z ya que
E x (0, y,0) 0
(35)
E y (0, y ,0) 0
(36)
E z (0, y,0)
1
q
4 0
2
2
y (2)
(37)
Fsica II
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De (37) es fcil deducir que para puntos del espacio a lo largo de la mediatriz y alejados del dipolo
( y ) el campo disminuye como 1 3 . Por la simetra de revolucin el mismo resultado
y
corresponde a cualquier punto alejado del dipolo sobre el plano xy. Analicemos ahora cul es la
dependencia del campo con la distancia al dipolo cuando se considera un punto sobre el eje z (es
decir, x=y=0)
E z (0, y , z )
(z
4 0
( z ) 2
3
2
(z
( z. ) 2
3
2
1
4 0
1
( z ) 2
( z. 2 )
(38)
Como para z
1
1
1
2 (1 )
z
z
( z ) 2 z 2 (1 ) 2
2
2z
(39)
1
4 0
1
4 0
(40)
z3
Es decir, el campo elctrico lejos del dipolo vara como 1 r 3 y depende del producto q. A este
producto se lo denomina momento dipolar. Se lo
r
F q
r
p
r
Fq
Figura 9
r
Eext
(41)
clculos. Por ejemplo... Qu ocurre cuando un dipolo rgido es puesto bajo la accin de un campo
elctrico uniforme?
Est claro que la fuerza total sobre el dipolo es nula. En consecuencia, el torque
r
ser
p
rq Fq qE ext p E
p
(42)
10
Fsica II
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De dipolo
lo cual se deduce que el dipolo tiende a orientarse de forma tal que la direccin y sentido
Fig.9. Torque sobre un
E ext . .
- +
+- +
- +
+
+
- +
- +
- +
- +
- +
- + - +
+
+-
(permanente
r
Eext
r
E polariz
inducido)
materiales
quedan
++
los
polarizados en un
campo externo.
Figura
10
Fig.10. a)Dielctrico desordenado,
b)Ordenado
en un campo,
P Nq
(43)
11
Fsica II
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r
En general, P variar de un punto a otro de un dielctrico homogneo. Pero valdr lo mismo en
todos los puntos dentro del dielctrico donde el campo externo sea el mismo. La constante de
proporcionalidad debera depender del material y2
(44)
r
En el caso del capacitor de placas plano-paralelas, P ser uniforme. Es decir, en cada unidad de
volumen tendremos N dipolos, no habr ninguna regin donde haya ms cargas positivas que
negativas y la densidad de dipolos ser la misma en
+
- + + +
+- + + +
- + + +
Fig.11. Dipolos moleculares
-+ -+ -+
forma ms general es
Q
-+ -+ -+
P Pn
(45)
-+ -+ -+
Qp
-Q
Qp
-+ -+ -+
(
siendo n la normal a la superficie del dielctrico (el sentido
(
de la n lo estudiaremos ms adelante).
r
Si P es uniforme no habr ninguna regin del espacio donde
(45)
Fig.12.Dipolos
en
Figuramoleculares
12
una geometra esfrica
inversa), es decir tendremos la misma densidad promedio (como en el capacitor de placas plano
paralelas). Por ejemplo, en la Figura 12 se muestra un capacitor esfrico (cscaras conductoras con
cargas Q y -Q) con un material dielctrico. El campo generado por Q es radial, los dipolos se
acomodarn en promedio como indica la figura, apareciendo una densidad superficial de
polarizacin en las superficies interior y exterior de la cscara dielctrica (tener cuidado: las
densidades de cargas de polarizacin son distintas en cada superficie, lo que son iguales son las
2
Habr molculas orientadas en otras direcciones producto, por ejemplo, de la agitacin trmica lo que da una
orientacin al azar con momento dipolar nulo en promedio. Pero en presencia de un campo elctrico habr una
direccin preferencial y una cierta cantidad de molculas por unidad de volumen N que se alinearn con el campo.
12
Fsica II
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(46)
El signo negativo proviene de la definicin del momento dipolar (su sentido es de a +). Veremos
ms adelante (seccin 3.6) algunos ejemplos donde
r
polarizacin es nula a pesar de que P no es uniforme.
E
0
(47)
0
0
De (48)
r
r r P
( E ) libre
0
0
(48)
(49)
r
r
r
Pero, para la mayora de los materiales (lineales e istropos) P cte Eext 0 Eext (ver ec.(44)), y
r
r
r r P
r r 0 E
r
r
( E ) ( E
) (1
) E libre
(50)
0
0
0
D 0E P
(51)
13
Fsica II
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D 0 P 0 (1 ) E 0E 0 r E
(51)
D E
(52)
D libre
(53)
libre
dV
(54)
vol
La otra ley (la de irrotacionalidad del campo elctrico o, dicho de otra forma, que es conservativo)
sigue valiendo en condiciones electrostticas cuando hay materiales, es decir, en forma diferencial
se tiene que
E 0
(55)
E dl
(56)
(r ' )
dV
3 ( r r ' ) dV
4 0 V
r r'
1
r
pero r ' debe ser la densidad de carga TOTAL (libre ms
1
4
D E
, resulta T
r y
libre (r ' )
3 ( r r ' ) dV
r r'
Fsica II
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formada por dos medios de propiedades dielctricas conocidas. Supongamos que tenemos dos
medios dielctricos de constantes dielctricas 1 y 2 tal que en la interfaz (superficie de
separacin) hay una densidad de carga libre (superficial) dada por L (Figura 13). Tomemos un
cilindro de altura h mucho menor que su radio R, es decir, h 0 ms rpidamente que su radio. Si
aplicamos la Ley de Gauss Generalizada, tomando como superficie cerrada al cilindro, tendremos
r uur
r uur
r uur
r uur
D.dS
D.dS
D.dS
D.dS
Libre encerrada en S
S
A
A
(57)
Sup
1
2
&
&
lxateral
Si se hace tender a cero la altura h (es decir, tomamos un volumen infinitesimal alrededor de la
r
interfaz) podremos considerar que el campo sobre la interfaz es uniforme y vale D1 (con cualquier
direccin y sentido), debajo de la interfaz vale
r
D2 (con cualquier direccin y sentido) y en la
r
superficie lateral tendr otro valor Dlat (con cualquier direccin y sentido). Consecuentemente
h
2
2
d
S
n
dS
n
dS
e
2
Rdl
D
1 n1R
1 1 1 1 2 2 lat r
S
A1
A2
(58)
D2 n2R 2 D1 er 2Rh
El tercer trmino del tercer miembro tender ms rpidamente a cero que los dos primeros y, para
un cilindro infinitesimal, valdr
D dS D
n1R 2 D2 n 2R 2 ( D1 n1 D2 n2 )R 2
(59)
D dS ( D
n1 D2 n 2 )R 2 1R 2
(60)
( D2 D1 ) n L
(61)
As, si en una superficie de discontinuidad no hay carga LIBRE, la componente normal del Vector
desplazamiento tiene el mismo valor de un lado que del otro. Se dice que se conserva. Si, en
cambio, hay una densidad superficial de carga LIBRE, la situacin ser la de la Figura 14a)
Es decir, nos ser til esta condicin si sabemos que no hay carga LIBRE SUPERFICIAL porque si
sabemos cunto vale el vector desplazamiento a un lado, ya sabremos cunto vale una componente
del otro lado. Y mucho mejor sera si el vector desplazamiento tuviera solamente una componente
normal a la interfaz!!. Bueno, nos ocurrir muchas veces.... Y lo interesante es que si estamos
considerando medios istropos, lineales y homogneos, y el vector desplazamiento tiene solamente
15
Fsica II
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uuu
r
dA1
(
n1
Medio dielctrico1
uu
r
dl
2
uuur
dA2
(
n2
Medio dielctrico 2
Figura
Fig.13. Condiciones de
borde13entre dielctricos
Pero esto no es todo. Ahora veamos si podemos determinar alguna otra propiedad, pero esta vez de
la irrotacionalidad del campo elctrico. Tomemos una curva cerrada como la de la Figura 13 (donde
la altura h tiende a cero ms rpidamente que las longitudes de la curva paralelas a la interfaz.
Calculemos la circulacin del campo elctrico (ver ec.(56))
E dl
l2
(62)
(
donde t es un versor tangencial a la superficie en la direccin de la curva. De la ec. (62) se deduce
que
E1 ) tan g E 2 ) tan g
(63)
lo que significa que la componente tangencial del campo elctrico en condiciones electrostticas no
cambia (ni en mdulo ni en sentido) en una interfaz. Dicho de otro modo, la componente tangencial
r
es continua. Esto est esquematizado en la Fig.14b), ya que la componente tangencial de E cuando
r
(
la normal a la interfaz es el versor x se escribe E x( .
16
Fsica II
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D2 x D1 x L
E1 x E2 x
D1
D2
E1 x
E1
E2 x
E2
a)
b)
x
Figura 14
Fig.14.a) Condicin para D normal b) para E tangencial a la interfaz
D 0E P
(64)
miembro E
y el segundo P polarizacion , es decir, obtenemos
0
Libre polarizacion
(66)
(
Ahora hagamos el producto es escalar con la normal a una superficie n (despus discutiremos qu
es esta normal)
D n 0 E. n P n
(67)
El primer miembro est relacionado con L , el primer trmino del segundo miembro con la
densidad superficial total de carga y el segundo con p , es decir
T L P
(68)
Como
( D2 D1 ) n L
(69)
17
Fsica II
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r
r r
r
r
r
Si D1 0 E1 P1 y D2 0 E2 P2 tendremos que
( D2 D1 ) n 0 ( 2 E1 ) n (P2 P1 ) n L T P
(70)
As el primer trmino del segundo miembro se podr relacionar con la densidad superficial total de
carga y el segundo con la de polarizacin.
( P2 P1 ) n P
(71)
3.6 Aplicaciones
3.6.1
Ejemplo 1:
Consideremos
que
tenemos
una
distribucin
porque cuando estudiemos el campo magntico no ser lo mismo una que otra). Como siempre
plantearemos el problema viendo si podemos resolverlo a travs de la Ley de Gauss y no a travs de
la Ley de Coulomb generalizada para medios dielctricos.
Recordemos: debemos encontrar una superficie cerrada donde podamos conocer la direccin del
campo y que es constante sobre ella. De esta manera, si conocemos la carga encerrada, podremos
calcular el campo a travs de la Ley de Gauss. Pero, podemos usar la Ley de Gauss? O debemos
usar la Ley de Gauss generalizada? Si quisiramos usar la Ley de Gauss (la del campo elctrico)
deberamos conocer no solamente las cargas libres (las que estn puestas) sino tambin las de
polarizacin porque la expresin que corresponde es
E dS
S
1
0
total
dV
V (S )
18
Fsica II
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Zona I
D
dS qlibre enc. por S
S
libre
dV
V (S )
donde S ser una esfera de radio r concntrica a la distribucin de cargas. La carga libre encerrada
en dicha superficie ser la parte proporcional de carga que corresponda, es decir,
qencerrada
r Q
3
r3
R3
Zona II
En este caso para cualquier superficie esfrica con r>R, la carga encerrada ser Q y
19
Fsica II
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D r
Q 1
4 r 2
r
r
Como la constante dielctrica del material es y la de afuera es 0 y como D E
Qr
e rR
4 R3 r
E (r )
Q e r R
4 0 r 2 r
Qr
e rR
4 R 3 r
D( r )
Q e r R
4 r 2 r
r r
r
Tambin podemos calcular el vector polarizacin, ya que de (51) P D 0 E . Se tiene, entonces,
Qr
3 1 0 er r R
P(r ) 4 R
0
rR
El vector polarizacin tiene, entonces sentido radial Como va de cargas negativas a positivas, las
molculas se alinean como indica la Fig. 16. Qu significa
-+
que,
la
componente
normal
del
vector
-+
-+
-+
Fig.16.
( (
n er
(61) se obtiene
Dipolos
en
una
geometra esfrica
( D2 D1 ) er L 0
interior? La respuesta es la exterior (aunque deberemos tener cuidado si en lugar de vaco hay otro
material) Entonces
p P er r R
Q
1 0 0
2
4 R
20
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
r r 1 r 2 Ar
A
r2
r
a partir de la expresin para vector polarizacin, se tiene
r
r r 1
P
r2
1 0
Q
0
4 R 3
1 polarizacion
4
r
R3
3
Q r
3.6.2
conductor
R1
Q
4R1
).
R2
Fig.17.
Conductor
cargado-
dielctrico descargado-vaco
generalizada y teniendo en cuenta la simetra del problema (ya discutida ampliamente en el apunte
de Electrosttica), se obtiene
21
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
r R1
r R1
Q 1
Q 1 1 R12
R12
e L 2 er R2 r R1
D(r ) 2 er L 2 er R2 r R1 E (r )
2 r
4
r
r
4
r
r
2
Q 1 1 R12
Q 1
R1
e L 2 e r r R2
r R2
2 r
2 er L 2 er
4
0 r
r
r
4 r
0
r R1
Q 0 1 0 R12
P(r )
e
L 2 er R2 r R1
2 r
4
r
r
r R2
0
Como era de esperar, en R2 el vector desplazamiento no se ve alterado, ya que es normal a la
superficie de separacin y no hay carga libre superficial en esa interfaz. En cambio, en R1 hay
densidad superficial de carga libre y el vector desplazamiento no ser continuo pues.
r
r
( D2 D1 ) n L . Ac sabemos que L 0 ,. Si 1 es el conductor y 2 el dielctrico, D1 0 y D2
(
(
tiene SENTIDO er . Entonces la normal debe tener el sentido de er para que L 0 (es decir, es la
r
r
r
normal exterior a la superficie esfrica). Como D1 E1 P1 0 , de (70) resulta que en la interfaz
P
r R1
P2 n
r R1
L 1 0 0
Qu significa que P
r R1
P2 0
aunque D2 E 2 0 y
P1 n
r R2
r R2
R12
1 0 0
2
R2
Lo que significa que en la superficie interior de la esfera dielctrica en r=R2 la densidad de carga
superficial de polarizacin es positiva.
Con respecto a la carga volumtrica de polarizacin, debemos calcular
P polarizacion
tendremos
22
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
P polarizacion
0
R2 2
L 12 r
r
1
0
2
r
r
3.6.3
conductor
R1
0
1
R2 R
3
Fig.18.
Conductor
cargado,
dielctrico
descargado-dielctrico
descargado-vaco
Pero cmo ser la densidad de carga neta de polarizacin en R2? Positiva o negativa?
( r
(
En este caso deberemos aplicar con cuidado (71). Si tomamos como n a er , P1 corresponder al
r
vector polarizacin en el medio con constante dielctrica 1 y P2 corresponder al vector
polarizacin en el medio con constante dielctrica 2 .
23
Fsica II
Guillermo Santiago, Liliana Perez y Eduardo Sancho
r R1
2
Q 1 e R1 e R r R
L 2 r
2
1
2 r
r
r
D (r ) Q 1
R12
2 er L 2 er R3 r R2
r
4 r
Q 1
R12
r R3
2 er L 2 er
r
4 r
Tendremos
r R1
2
Q 1 e 1 R1 e
41 r 2 r 1 L r 2 r
R2 r R1
E (r ) Q 1 1 R12
4 r 2 er L r 2 er R3 r R2
2
2
Q 1 1 R12
e L 2 er
r R3
2 r
4
r
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0
0
r R1
2
Q 1 0 1 e 1 0 R1 e R r R
1
41 r 2 r 1 L r 2 r 2
P(r )
2
Q 2 0 1 e 2 0 R1 e R r R
2
4 2 r 2 r 2 L r 2 r 3
0
r R3
P P n
2 0
2
1 0
1
1 1
L 0 2 1 L
1 2
1 2
L 0
24