2 Campos1 2

Electromagnetismo 2004
2-45
2 - Campos Cuasi-Estticos 1 (cont.)

Campo Electrosttico en medios materiales.
Polarizacin
Hasta aqu hemos analizado el campo electrosttico creado por distribuciones de cargas puntuales o en conductores. Estas cargas son libres ya que en presencia de un campo se pueden mover
prcticamente sin restricciones. Sin embargo, en los dielctricos existe carga ligada, que est
sujeta por importantes fuerzas de cohesin a la red cristalina y frente a un campo elctrico su
movilidad es muy limitada.
Consideremos el caso ms simple de un tomo hidrogenoide que, desde
nuestro punto de vista, puede representarse como un ncleo de carga +e
y un electrn de carga -e. En estado normal, los centros de masa de las
cargas positiva y negativa coinciden, y el tomo no genera campo elctrico apreciable.
Cuando se coloca el tomo en presencia de un campo externo sus cargas
son atradas en sentidos opuestos y tienden a separarse. Esta separacin
se ve contrarrestada por las fuerzas de cohesin atmica y finalmente se
llega a una situacin de equilibrio con una distancia d entre los
centros de masa de ambas cargas. El tomo ahora produce un
campo elctrico, que se denomina inducido. El fenmeno de la
separacin (limitada) de carga se denomina polarizacin del material y el tomo se convierte en un dipolo. La polarizacin aud
menta (en general no proporcionalmente) con la intensidad del
campo exterior. Si el campo sigue aumentando, llega un momento
E
en que las fuerzas de cohesin no pueden mantener juntas las cargas y el tomo se ioniza por desprendimiento de electrones. Estos
electrones "cuasi-libres" se aceleran en presencia del campo, constituyendo una corriente elctrica. Esta corriente puede ser muy intensa y destructiva, ya que en presencia de campos intensos
los electrones se aceleran a energas muy altas y pueden experimental una colisin con un elemento neutro, arrancando ms electrones, lo que lleva a un efecto de avalancha. Este fenmeno
se conoce como ruptura dielctrica, y depende fundamentalmente del tipo y estado del material, que tolera un campo mximo antes de la ruptura. Ya hemos visto el caso del aire, donde los
campos de las lneas de alta tensin pueden producir ruptura dielctrica. Las nubes cargadas
elctricamente producen ruptura dielctrica en el aire cuyos efectos visibles son los rayos.
Ruptura dielctrica
El campo de ruptura Er es la intensidad de campo elctrico que hace que un material aislador
(o dielctrico) se convierta en conductor. A menudo la ruptura dielctrica es seguida por la circulacin de una corriente elctrica (de miliamperes a millones de amperes, segn las circunstancias) a travs de la recientemente formada regin conductora. Si la conduccin se produce en un
gas ionizado (plasma) esta conduccin posterior a la ruptura se conoce como arco o chispa.
A continuacin se presentan algunas caractersticas de la ruptura dielctrica en distintos casos de
inters en la ingeniera de alta tensin.
Gases (Er < 25 MV/m) El aire atmosfrico es el material gaseoso dielctrico ms usado. Otros
gases de uso comn en ingeniera de alta tensin son el dixido de carbono, el nitrgeno y el
hexafloruro de azufre. El oxgeno en el aire y el fluor en el azufre del hexafloruro son importantes porque atrapan fcilmente electrones libres, que son los agentes que inician una ruptura
Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera
Universidad de Buenos Aires www.fi.uba.ar
2-46
dielctrica. Los materiales gaseosos pueden repararse por s mismos luego de un evento de
ruptura dielctrica. Esto significa que el material puede recuperar sus propiedades aislantes.
Esta habilidad se ve disminuida por la presencia de contaminantes, que pudieron haberse formado en un evento previo de ruptura o por exposicin a humedad u otras sustancias.
Lquidos (Er < 100 MV/m) Los lquidos proveen refrigeracin adems de aislacin elctrica,
como en el caso del aceite de los transformadores de potencia. Como los gases, los lquidos se
pueden recuperar pero la influencia de los contaminantes es en ellos generalmente mayor que
en los gases. Se ha usado agua deionizada y una gran variedad de aceites orgnicos y minerales como dielctricos lquidos en sistemas de alta tensin. Tambin se usan las propiedades
dielctricas de alimentos lquidos en la pasteurizacin por campos pulsados y en los hornos de
microondas. El agua deionizada se usa por su gran permitividad (alrededor de 80) mientras
que los aceites tienen permitividades menores (alrededor de 3). El aceite de castor es un aceite
dielctrico muy popular. En el pasado se usaron aceite con compuestos de la familia de los bifenilos policlorados (polychlorinated biphenyls - PCB's), por su propiedad de lquido resistente al fuego, pero se ha encontrado que son muy txicos y no biodegradables, por lo que existen regulaciones muy estrictas que prohiben el uso de PCB en instalaciones elctricas.
Slidos (Er < 200 MV/m) Las rupturas superficiales pueden ser autorrecuperables, pero en
muchas ocasiones se produce un dao permanente en forma de carbonizacin u oxidacin de
canales en la superficie que constituyen caminos de baja impedancia. La ruptura en el seno de
un material slido es habitualmente destructiva. Un dielctrico slido muy usado es resina
epoxi depositada en estado lquido bajo condiciones de vaco para impedir la formacin de
burbujas (donde el campo elctrico es mayor que en el dielctrico, facilitando la ruptura), que
se deja endurecer antes de someterse a tensin.
La ruptura dielctrica es generalmente una situacin no deseada que puede generar daos y problemas de inmensa magnitud econmica. Por ello es de mxima importancia el correcto diseo
de los aisladores, separadores y sistemas de descarga a tierra en las instalaciones elctricas, dado
que, adems del peligro de destruccin de la instalacin y/o dispositivos y aparatos conectados a
ella existe el peligro de incendio y la formacin de reacciones qumicas txicas o contaminantes.
La siguiente tabla presenta los campos de ruptura de algunas sustancias:
Sustancia
Aire (a presin atmosfrica)
aceite mineral
papel impregnado
Poliestireno
Bakelita
Er (MV/m)
3
15
15
20
25
Sustancia
vidrio (placa)
Parafina
cuarzo fundido
mica
Er (MV/m)
30
30
30
200
El archivo INSULATE.PDF presenta una lista de dielctricos usados en la ingeniera elctrica.
Efecto Corona
Muchos efectos de inters tecnolgico estn ligados a la ruptura dielctrica del aire u otros gases
debido a campos entre cuerpos conductores. Hay cuatro tipos de descarga gaseosa: descarga luminiscente, corona, chispas y arcos. Estas descargas se dan tanto en CC como en CA.
Un arco se produce a bajas tensiones y altas corrientes (la soldadura de arco emplea fuentes de
alrededor de 10 V y 10 kA) generando un alto calentamiento. La chispa ocurre en el caso inverso, es decir, altas tensiones y bajas corrientes, como en algunos casos de ESD. Un caso que no
cae fcilmente dentro de esta clasificacin es el rayo, donde la tensin y la corriente son ambas
grandes. La descarga luminiscente se produce en situaciones de alta presin (o muy alto campo)
cuando los electrones reciben suficiente energa para emitir radiacin luminosa en sus choques
con tomos o molculas del gas en el que se hallan.
La corona es una descarga incipiente, que se produce cuando hay una ruptura dielctrica localizada debido a un campo que supera slo localmente al campo de ruptura del gas. El resto de la
2-47
regin presenta campos que no superan el valor crtico y no se produce entonces un arco o chispa. En la literatura se habla de descargas parciales. La descarga y la luminiscencia son variantes inestables, y tienen forma de corona (de donde quizs surgi el nombre del efecto) cuando el
fenmeno se produce en una punta. El valor del campo al cual comienza a observarse el fenmeno (luminiscencia, interferencia de RF, ruido audible) se denomina campo de incepcin. La
presencia sobre la superficie de los conductores de pequeas protuberancias, como gotas de
agua, copos de nieve, insectos o los bordes levantados de los hilos o hebras en un cable multifilar
producen fuertes campos locales que pueden superar el campo de incepcin an cuando en la
mayor parte de la superficie del conductor el campo sea menor.
En el aire este campo depende de la rugosidad de la superficie conductora y de las condiciones
de presin y temperatura del aire:
Para alambres o cables debe multiplicarse por un factor de rugosidad:
= 1 para alambres pulidos;
= 0.98 a 0.93 para alambres rugosos, sucios o gastados;
= 0.87 a 0.83 para cables.
El valor del campo debe multiplicarse por el factor de densidad del aire:
3.92 p / T donde p es la presin en cm Hg y T la temperatura en K.
El efecto corona en sistemas de potencia produce prdidas de energa debido a la energa que el
campo cede a los iones y electrones en movimiento, genera ruido audible e interferencia, especialmente en seales de radios
de AM y TV de aire. En la figura se muestran algunos puntos de corona luminiscente
sobre los cables de un haz de alta tensin.
Las prdidas aumentan con la frecuencia
del campo, de manera que son mayores para
armnicas o transitorios en la lnea.
Cuando el campo aumenta lo suficiente
para producir el salto de la chispa o el arco,
habitualmente la corona precede a la chispa. Esto tambin ocurre en la cada de rayos. El efecto
corona tambin crea iones en las cercanas de las instalaciones y estos iones tienen efectos trmicos, corrosivos y oxidativos sobre los materiales de las instalaciones, efectos que pueden
llegar a deteriorar la capacidad de aislacin de los materiales produciendo defectos ms importantes.
Por otra parte, el efecto corona tiene aplicaciones industriales:
Dispositivos generadores de ozono utilizados por sus efectos bactericida, fungicida y oxidativo en limpieza de aire, agua, instrumentos quirrgicos, preservacin de alimentos, etc.
Precipitadores electrostticos (ESP) para remover partculas de polvo o materiales no deseados del ambiente en sistemas de control de polucin, etc.
Tratamiento de recubrimientos plsticos o de papel para modificar las propiedades de rugosidad y triboelctricas, tratamientos para impresin, mejora de adherencia de polmeros, etc.
Se han publicado trabajos donde imgenes de la luminiscencia se usan para medir voltajes en
dispositivos de alta tensin1.
1
"Developments in High Voltage Measurement Techniques and a Novel Corona Assessment Method", D.L.Hickery
& P.J.Moore, 35th Universities Power Engineering Conference, 2000.
"HVAC Measurements by Corona Analysis", D.L.Hickery & P.J.Moore, 36th Universities Power Engineering Conference, 2001.
"High-speed Imaging of AC Corona for Voltage Measurement", D.L.Hickery & P.J.Moore, International Symposium of High Voltage Engineering, 2001.
2-48
Dipolo elctrico. Potencial y campo lejanos

Antes de llegar a estas situaciones a veces catastrficas, los materiales dielctricos se polarizan.
Un material polarizado genera un campo elctrico inducido. Vamos a analizar brevemente la
descripcin de este fenmeno. Para ello vamos a usar un modelo en donde las unidades elementales polarizables del material (tomos, molculas, etc.) se consideran dipolos, es decir, una dupla de cargas puntuales de igual magnitud de carga pero signo opuesto, separadas en una distancia que en la prctica es muy pequea frente a la distancia al punto de observacin.
R+
El potencial creado en un punto r lejano

(r >> d) por el dipolo de la figura es:
R-
q
q
con:
4 0 R + 4 0 R
d
d
R+ r cos
R r + cos
2
2
z
+q
(r ) =
Desarrollando por Taylor:
d << r
-q
d 2
1
1 d cos
1
+ O
r 2
d
r
2r
r m cos
de donde:
d cos qd cos
d cos
1+
=
(r )
1+
4 0 r
2r
2 r 4 0 r 2
q
(r )
y finalmente:
p r
4 0
r2
pr
4 0
r3
E(r ) = (r )
3( p r )r p
4 0 r 3
donde: p = qd z es el llamado momento dipolar del dipolo, un vector que va desde la carga
negativa a la positiva.
El siguiente ejemplo presenta el llamado desarrollo multipolar del potencial, que muestra que
una distribucin arbitraria de carga se puede pensar como la superposicin de una carga puntual
(la carga neta), un dipolo elemental, un cuadrupolo elemental, etc., situados en el origen de coordenadas.
Ejemplo 2-18: Analizar el potencial creado por una distribucin arbitraria de carga a grandes
distancias.
Supongamos una distribucin arbitraria de carga (r ) en un recinto V. El potencial electrosttico que genera es:
(r ) =
1
4 0
(r )
R
dV
con
R = r r
1
R
1
r r
1
r 2 2 r r + r 2
Para r >> r es posible desarrollar en serie de Taylor el factor 1/R del integrando:
1
1
1 x 3x 2 5 x 3
=
= 1 +
+ ...
R r 1+ x r 2
8
16
con
x = 2
r r r 2
+ 2
r
r
Luego, manteniendo hasta el trmino cuadrtico solamente:

2
1
1
1 r r r 2 3
r r r 2
=
= 1 +
2 + 2
+ 2 ...
8
R r 1+ x r
r
r
2r
r
1 r r 1 3(r r ) 2 r 2
1 r r r 2 3 (r r ) 2
2 +
+
+
2 + ...
...
1 +
= 1 +
2
2
2 r
2
r
r
r
2r
r
r
r

2-49
y entonces:
r r 1 3(r r ) 2 r 2
(
)
r
1 +
4 0 V R
4 0 r V
r
2
r2
r2
p r
Q
=
+
+
+ ...
2
4 0 r 4 0 r
4 0 r 3
(r ) =
(r )
dV
+ ... dV
con:
Q = (r )dV
la carga total o carga neta de la distribucin
p = (r )r dV
el momento dipolar de la distribucin
1 3(r r ) 2 r 2
dV
= (r )
V
2
r2
r2
el momento cuadrupolar de la distribucin
y hay ms trminos de orden superior. Se ve entonces que el potencial se puede expresar

como la suma de los llamados trminos multipolares, cada uno de los sucesivos con menos
peso en la suma. Sin embargo, si el cuerpo es neutro (Q = 0) comienzan a tener relevancia
los sucesivos trminos de este desarrollo multipolar.

2-50
Potencial inducido. Vector Polarizacin

z
dv
E0
r
V
x
= r r
R = RR
Cuando un cuerpo dielctrico se coloca en una

regin del espacio donde haya campo elctrico,
sus unidades elementales (tomos molculas,
etc.) se polarizan, generando un campo inducido.
Podemos analizar este fenmeno dividiendo el
cuerpo en elementos de volumen infinitesimales
y adjudicando a cada uno un momento dipolar
elemental dV dp .
Este momento dipolar crea un potencial lejano:
dp R
P(r ) R
donde:
=
d i ( r ) =
dV
4 0 R 2
4 0 R 2
y hemos definido el vector polarizacin : P(r ) =
dp
dV r =r
Ahora aplicamos superposicin para sumar los potenciales creados por todos los elementos de
1
P(r ) R
volumen del cuerpo:
i (r ) =
dV
R2
4 0 V
Este es el potencial inducido creado por el cuerpo polarizado. A partir de l podemos calcular el
campo inducido E i (r ) = i (r ) y el campo total:
E( r ) = E i ( r ) + E 0 (r ) .
+
Como se ilustra en la figura, la polarizacin crea un campo inducido que se
E0
opone al campo original, de modo que dentro del material el proceso lleva a
Ei
que el campo total es menor que el original. La expresin del potencial inducido puede reescribirse viendo que:
1
R
R
1
1
1
P(r ) dV
i (r ) =
=
= = '
R2 R3
4 0 V
R
R
R
Adems: F f = ( fF) f F P(r ) (1/R) = [ P(r )/R ] P(r )/R
(las derivadas se realizan sobre las coordenadas primadas). Tenemos as:
1
1
P(r ) n
P(r ) P(r )
P(r )

dS +
dV

dV =
V
S
V
4 0
4 0
4 0
R
R
R
R
donde hemos usado el teorema de la divergencia para reescribir la primera integral.

Esta ltima expresin es equivalente a:
P (r )
P (r )
1
1
i (r ) =
dS +
dV
4 0 S R
4 0 V R
i (r ) =
que es el potencial que creara una hipottica distribucin de carga libre con densidades volumtrica P (r) y superficial P (r ) .
Por lo tanto podemos resolver el problema del potencial inducido por
un cuerpo polarizado reemplazando al cuerpo por una distribucin
equivalente de carga libre, para la cual valen las consecuencias de la ley
de Coulomb y la electrosttica de cargas libres.
Por otra parte, se observa que la llamada densidad de carga equivalente de polarizacin superficial P (r ) = P(r ) n es la proyeccin del vector polarizacin sobre la superficie frontera
del cuerpo polarizado y la densidad de carga equivalente de polarizacin volumtrica
2-51
P (r ) = P(r ) est ligada con las inhomogeneidades en la polarizacin en el seno del mate-
rial, representada por la divergencia del vector de polarizacin.

Cul es la realidad de estas cargas?
Desde un punto de vista formal, podemos considerar a las cargas de polarizacin como un conveniente artificio destinado al clculo: se reemplaza el cuerpo polarizado por una distribucin de
carga real que da el mismo campo.
En la figura ilustramos la polarizacin de un cuerpo dielctrico. Se forman (u orientan) dipolos
en la direccin del campo aplicado. Se observa que se produce un exceso de carga negativa sobre
el lado izquierdo y un exceso de carga positiva sobre el lado derecho. Esta redistribucin de la
carga ligada est asociada a las cargas superficiales de polari- + - + - + -+
-+ - +
zacin. Por otra parte, si elegimos un recinto en el seno del
-+- + - + - + - +
-+ + - + - + - + - + material, podemos ver que en casos (el crculo rojo) la densi- + - + - + - + - + - + dad neta de carga encerrada es cero, mientras que en otros casos (el crculo verde) la densidad neta de carga encerrada no es
-+ - + - + - + - + - +
+
+
+
cero porque hay inhomogeneidades, simbolizadas por dipolos
- +- + - +
- + - + - + - +- +
de menor tamao. Esta densidad de carga est asociada a las
- + - + - + -+
E0 cargas volumtricas de polarizacin, y la no homogeneidad en
la distribucin de carga genera lneas de campo.
Forma general de la ley de Gauss. Vector desplazamiento

La ley de Gauss proporciona la relacin local entre el campo elctrico y sus fuentes. Hasta el
momento, las nicas fuentes de campo elctrico eran las distribuciones de carga libre, pero ahora
hemos agregado la contribucin del campo inducido por material polarizado, que podemos representar por las cargas equivalentes de polarizacin. Tenemos entonces que debemos agregar a
las fuentes del campo descriptas por la ley de Gauss esta contribucin:
E(r ) =
l (r )
0
Pero como: P (r ) = P(r ) podemos escribir:

y entonces: [ 0 E(r ) + P (r )] = l (r )
l (r ) + P (r )
0
( r ) P( r )
E (r ) = l
0
E (r ) =
D ( r ) = l (r )
D n dS = Q
S
que es la forma general de la ley de Gauss, donde: D(r ) = 0 E(r ) + P(r )

es el llamado vector desplazamiento. Se observa que las fuentes del vector desplazamiento
son las cargas libres. Esto facilita el clculo del campo en situaciones donde hay simultneamente distribuciones de carga libre y dielctricos polarizados.
La polarizacin de un material depende del campo exterior, y a su vez crea un campo inducido
que se superpone al campo exterior. Existe entonces una ligazn entre estos campos, y en particular entre el vector polarizacin y el campo total (que es la cantidad mensurable).
En dielctricos lineales.(que son los materiales de mayor inters tecnolgico) vale la
D(r ) = 0 (1 + )E(r ) = 0 r E(r ) = E(r )

relacin: P(r ) = e 0 E(r )
donde la cantidad es la llamada susceptibilidad dielctrica del material. La cantidad = 0 r = 0 (1 + ) se denomina permitividad o constante dielctrica del
material, y el parmetro adimensional r es la permitividad relativa.
Cuanto mayor es la permitividad del material, ms fuertemente se polariza y son mayores los
efectos elctricos. Presentamos a continuacin una tabla de permitividades relativas de distintas
sustancias de uso en la tcnica:
Sustancia
Aire (a presin atmosfrica)
PVC expandido
polifoam
n-hexano
parafina
tetracloruro de carbono
tefln
polietileno
madera prensada
madera seca
poliestireno
plexiglas
suelo arenoso seco
slice (dixido de silicio)
r
1.0006
1.1
1.1
1.9
2.1
2.2
2.1
2.2
2.2
2.4
2.7
3.4
3.4
3.8
2-52
Sustancia
vidrio con borosilicato
Cuarzo
bakelita
mica rub
PVC slido
neoprene
mrmol
silicio
etanol (alcohol etlico)
metanol (alcohol metlico)
nitrobenceno
glicerina
hielo
agua pura
r
4
5
5
5.4
6.1
7
8
12
24
33
35
50
75
80
Existen materiales que presentan polarizacin espontnea, en ausencia de campo elctrico exterior. Estos materiales se caracterizan por su red cristalina que presenta enlaces fuertemente inicos. En estos materiales existen regiones permanentemente polarizadas (dominios elctricos) que
pueden orientarse mediante un campo aplicado y luego permanecer en esa orientacin por la
interaccin con otros dominios adyacentes. Se trata de materiales ferroelctricos. Su comportamiento es similar al de los imanes y tienen permitividades muy elevadas (por ejemplo, el titanato
de bario es una sal natural con r 2100. Hay cermicos artificiales de desarrollo reciente con
permitividades an ms altas).y presentan histresis entre el vector polarizacin y el campo aplicado. Algunos materiales, llamados electretos, presentan una polarizacin permanente desde su
fabricacin, a partir de ceras o resinas que se colocan lquidas en un campo elctrico logrando la
orientacin de las molculas. Al enfriar el material queda polarizado en forma ms o menos
permanente. Se utilizan para fabricar dispositivos con propiedades anistropas o direccionales.
Otros efectos de polarizacin que se utilizan en la tcnica son:
electrostriccin: cambio de tamao del cuerpo debido a la fuerza entre los elementos polarizados,
piezoelectricidad: efecto electrostrictivo reversible. Una modificacin en las dimensiones
del cuerpo produce un campo elctrico y una ddp mensurables .
piroelectricidad: polarizacin inducida por enfriamiento o calentamiento del cuerpo.
A continuacin se presentan algunos simples ejemplos de clculo del campo electrosttico a

partir de la ley de Gauss en sistemas con dielctricos.
Ejemplo 2-19: Hallar el campo creado por dos planos conductores infinitos cargados respectivamente con densidades de carga + y -, paralelos entre s y separados una distancia d si:
a) hay aire b) hay un dielctrico de permitividad relativa r = 16 entre ellos.
a) Usamos el resultado del Ejemplo 2-6, donde se hall el campo creado por un nico plano
cargado, y aplicamos superposicin:
Ez
Ez
2 0
2 0
z
d
Se ve que el campo se anula fuera de la estructura y es uniforme dentro de ella.

b) Cuando se coloca un dielctrico entre los planos conductores, cambia el campo dentro del
material, pero no el vector desplazamiento porque est ligado nicamente a las cargas liJuan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera
2-53
bres. Aplicando la ley de Gauss a un cilindro con tapas paralelas a los planos, una tapa en
la regin donde no hay campo y la otra donde s lo hay, se halla que: Dz = E z = /
El campo dentro del material es ahora 16 veces menor que en el caso en que no haba dielctrico.
Ejemplo 2-20: Una esfera est cargada uniformemente y tiene una permitividad variable con el
radio: r = 1 + r / a donde a es el radio de la esfera. Hallar el campo elctrico en todo el espacio y las cargas equivalentes de polarizacin.
Este problema es similar al del Ejemplo 2-7. Fuera de la esfera el campo slo depende de la
carga total: E ( r ) = Q 4 0 r 2
ra
Dentro de la esfera, aplicando en la misma forma la ley de Gauss, tenemos que:
D ( r ) 4r 2 =
r
r
0r
Qr
4 3
ra
=
r 0 D ( r ) = 0 E ( r ) = 0 =
3
3
3
3 0 (1 + r / a ) 4 0 a 3 (1 + r / a )
En la grfica se muestra el campo en el
interior de la esfera cuando hay vaco
(lnea de rayas) y cuando el material es
el dielctrico del enunciado (lnea llena).
Se ve nuevamente que la presencia del
dielctrico disminuye el campo en su
interior.
Er
Para calcular las cargas de polarizacin

hallamos el vector P:
P = 0 E = ( r 1) 0 E de donde:
Pr = ( r 1) 0
r/a
polarizacin: P = P n = Pr
r=a
0a
6
0r
0r 2
=
3 3( a + r )
Sobre la superficie de la esfera se induce

una carga superficial equivalente de
QPS = 4a 2 P =
4 0 a 3
6
QPS =
Q
2
Se ve adems que la presencia de la carga superficial de polarizacin est asociada a un salto en el campo elctrico al atravesar la superficie de la esfera:
E = E e
r =a
Ei
r =a
Q
= 0 P
8 0 a 2
Es posible que exista densidad volumtrica de carga equivalente de polarizacin porque la

polarizacin no es homognea (esta es condicin necesaria, pero no suficiente):
P = P =
4
0 r 3 ( 4a + 3r )
r ( 4a + 3r )
1 d 2
1 d 0r
(
)
r
P
= 0
=
r
2
2
2
2
3 (a + r) 2
r dr
r dr 3( a + r )
3r
(a + r)
La carga total de polarizacin en el volumen de la esfera es:
Q PV = P dV =
V
0
3
r ( 4a + 3r )
(a + r )
r 2 dr =
0
3
a3
2
Se ve que las cargas de polarizacin se equilibran dentro de la esfera.

QPV =
Q
2
2-54
Condiciones de frontera del campo elctrico

Cuando existe una superficie interfase entre dos regiones de propiedades dielctricas diferentes,
la aplicacin de las leyes del campo elctrico llevan a que se establezcan relaciones entre las
componentes de los campos a travs de la interfase. Estas relaciones surgen de las propiedades
fundamentales del campo electrosttico.
En la figura se esquematiza la situacin. Una superficie interfase se1
2
para dos medios de permitividades diferentes. En cada medio hay un
E1
campo elctrico, y en general son diferentes. Para obtener la relacin
E2
entre ambos campos elctricos aplicamos las propiedades del campo.
Primero usamos la divergencia de E a travs de la ley de Gauss:
D n dS = Q
la derecha y Ql es la carga libre encerrada por el cilindro. Este cilindro tiene una altura h muy pequea, y una de sus tapas est en el medio 1 y la otra en el medio 2. Suponemos adems que la superficie de
las tapas es lo suficientemente pequea para que el tramo de superficie interfase encerrada por el cilindro (S) se pueda suponer plana. La
integral de superficie puede escribirse entonces como:
E1
E2
n1
D n dS = D n dS + D
n2
S1
donde S es la superficie del cilindro de la figura de
S1
S2
n 2 dS + D n dS = Ql
S lat
Si ahora tomamos el lmite de esta expresin para h 0 , la integral

h
sobre la superficie lateral se anula porque la superficie misma se anula, las dos superficies tapas tienden a la superficie encerrada S y, tomando convencionalmente el versor normal a la interfase desde el medio 1 al medio 2, tenemos
que: n1 n
n 2 n y queda:
S2
D n dS = D n dS + D
S
de donde:
S1
D n dS (D
S
S2
n 2 dS + D n dS D1 n dS + D 2 n dS
S lat
D1 ) n dS = Ql = s dS
S
(D 2 D1 ) n = s
donde s es la densidad de carga libre superficial que existe en la interfase. La relacin obtenida vale punto a punto sobre la interfase e involucra las componentes normales a la interfase de
los vectores desplazamiento. Si no hay carga libre superficial sobre la interfase, las componentes
normales del vector desplazamiento se conservan al cruzar la interfase (en general no se conservan las componentes normales del campo elctrico, ya que las permitividades de los medios son
diferentes).
Ahora utilizamos el rotor de E. Sabemos que el campo es irrotacional y entonces:
E dl = 0 .
C
En la figura de la izquierda se toma una curva de circulacin que

es un rectngulo de altura h, una de cuyas bases est en el medio 1
y la otra en el medio 2. Tenemos entonces:
E1
2
E2
E dl = E dl + E
C
dl1
Entonces:
dl
E dl E dl + E
C
l2
dl + E dl = 0
llat
donde la ltima integral se extiende a los dos lados laterales (cortos) del rectngulo. Si ahora nuevamente tomamos h 0 , la tercera integral se anula porque el intervalo de integracin se anula y
adems: dl 1 dl
dl 2 dl .
dl2
h
l1
dl =
(E
l
E1 ) dl = 0
(E 2 E1 ) dl = 0

2-55
La relacin obtenida vale punto a punto sobre la interfase e implica que las componentes tangenciales a la interfase del vector campo elctrico se conservan. Podemos escribir las componentes tangenciales de E en la forma: (E1 E 2 ) n .
1
r
El potencial electrosttico cumple tambin una condicin de frontera sobre la interfase. Como E(r ) = (r ) , la circulacin a lo largo de un camino infinitesimal
2
que una dos puntos a ambos lados de la interfase es proporcional al trabajo de
r+dr transportar una carga de prueba a travs de la interfase. Como este trabajo es infinitesimal, el potencial electrosttico es continuo al cruzar la interfase2:
r + dr
E dr =
2 0 para dr 0
1 = 2
Finalmente, podemos decir que las propiedades matemticas del campo electrosttico llevan a las
siguientes condiciones de borde o condiciones de contorno al cruzar la interfase entre dos medios
de permitividades diferentes:
1 = 2
D n = Q
E dl = 0
S
(D1 D 2 ) n = l
(E1 E 2 ) n = 0
Al cruzar la superficie que separa dos medios de propiedades distintas:

se conserva el potencial electrosttico
se conserva la componente tangencial del campo electrosttico (siempre)
se conserva la componente normal del vector desplazamiento, salvo que
exista una distribucin superficial de carga libre sobre la interfase.
Imgenes dielctricas
El mtodo de imgenes puede utilizarse en el caso de superficies de separacin entre dielctricos
de alta simetra, como se ilustra en el siguiente ejemplo.
Ejemplo 2-21: Una carga puntual de valor Q se halla frente a una interfase plana entre dos
dielctricos de permitividades 1 y 2, como se indica en la figura.
Q
Hallar el campo y el potencial en todo el espacio.
d
1
Para aplicar el mtodo de imgenes debemos encontrar el conjunto de
cargas que generen las mismas condiciones de contorno que el
problema original. En este caso, las condiciones de contorno sobre
2
la interfase entre los dos dielctricos son la continuidad de la componente tangencial del vector E y de la compoy
y
nente normal del vector D al cruzar la interfaq2
Q
se. Surge que se puede cumplir estas dos
R1
condiciones reemplazando el problema por la
d
d
superposicin de dos configuraciones:
1
2
x
x
a) dos cargas, la real Q y una imagen q1
sumergidas en un medio de permitividad 1
R2
d
que da el campo en el medio superior, y
b) una carga imagen q2 situada en la posiq1
cin de la carga real, sumergida en un medio de permitividad 2 que da el campo en
2
Salvo cuando existe una doble capa o capa de dipolos sobre la interfase, caso en el cual el potencial tiene un salto
de /0, donde es el momento dipolar por unidad de rea sobre la interfase. Ver, por ejemplo, Electromagnetic
Theory, J.A. Stratton, McGraw-Hill, New York, 1941, pp.188-192.
2-56
el medio inferior:
(r ) =
(r ) =
1 Q q1
+
4 1 R1 R2
1 q2
4 2 R1
z0
R1,2 = R 1, 2 = x x + ( y m d ) y
donde
z0
E(r ) = E1 (r ) =
de donde tenemos el campo:
E(r ) = E 2 (r ) =
1 Q R 1 q1 R 2
+
4 1 R13
R23
1 q2 R 1
4 2
z0
z0
R13
Las condiciones de contorno nos permiten calcular los valores de las cargas q1 y q2:
y = 0 R1, 2 = R 1, 2 = x x m d y
E1 x = E 2 x
R1, 2 = R = x 2 + d 2
1 Q x q1 x
1 q2 x
+
=
3
3
4 1 R
R 4 2 R 3
1 Q d q1 d
1 q2 d
+
=
4 R 3
R3
4 R 3
2
Resolviendo estas ecuaciones se obtiene:
q1 = 1
Q
1 + 2
D1 x = D2 x
Q + q1 =
1
2
q2
Q + q1 = q 2
q2 =
2 2
1 + 2
Se observa que si 1 = 2 (nico medio), q1 = 0 y q2 = Q, con lo que el potencial y el campo

tienen una nica expresin en todo el espacio. Tambin se observa que el signo de la carga
q1 depende de la relacin de permitividades entre los medios.
.

2-57
Capacidad de conductores
La capacidad de un cuerpo conductor es una medida de la facilidad que tiene para acumular carga elctrica.
La capacidad se define como el cociente entre la carga neta acumulada en el
conductor y el potencial al que se halla: C = Q/
La capacidad de algunos cuerpos de geometras simples es:
Q
Q
Esfera:
(r ) =
C = 4 0 a
4 0 r
4 0 a
2 0 l
Q
=
ln(r )
ln(a )
C=
Cilindro: (r ) =
2 0
2 0 l
ln(a )
Muchas veces se tiene ms de un conductor. Como las distribuciones de carga sobre un conductor ejercen influencia sobre los otros, es necesario considerar esta influencia mutua para hallar
los potenciales y campos en todo el espacio. Un caso particular de inters es el capacitor, que es
un sistema de dos conductores cargados con Q y (-Q). Definimos la capacidad de un capacitor
como: C = Q/ donde es la ddp entre los dos conductores.
En general, la capacidad entre dos cuerpos cargados es: C =
E n dS
S
E dl
1
donde S es la superficie de uno cualquiera de los cuerpos que se suponen cargados

con cargas iguales y de signo opuesto.
La capacidad depende nicamente de la geometra de los conductores.
Ejemplo 2-21: Capacitor plano. La configuracin del Ejemplo 2-19, consistente de dos planos
conductores cargados con + y - respectivamente, es un capacitor plano. Como se trata de
distribuciones de carga no acotadas en el espacio, vamos a calcular la capacidad por rea A
de los planos. Como el campo es: E = / (uniforme), las integrales que definen la capacidad son:
D n dS = A
E dl =
1
C=
D n dS = A
E dl d
S
Se observa que la capacidad es proporcional a la permtividad del dielctrico. Este es un resultado general.
Ejemplo 2-22: Calcular la capacidad de un cable coaxil
Consideremos que el conductor interior, de radio a, se halla cargado con una densidad lineal uniforme y el conductor exterior,
de radio b, se halla cargado con -. Entre ambos conductores hay
un dielctrico de permitividad .
Para calcular el campo, dada la simetra cilndrica del problema,

podemos tomar superficies gaussianas cilndricas coaxiales con el
cable de longitud l. Para un radio intermedio:
a
r
D n dS = l
S
E(r) =
Para aplicar la definicin de capacidad debemos calcular la circulacin del campo entre ambos conductores:
E dl =
dr
=
2
2
b
ln
2 a

Luego:
C=
2-58
2 l
l
D n dS =
=
E dl 2 ln (b / a ) ln (b / a )
S
La capacidad por unidad de longitud del cable coaxil es entonces:
2
C
=
l ln(b / a )
Ejemplo 2-23: Calcular la capacidad de un cable bifilar.

Esta es una configuracin de dos hilos conductores rectos y paralelos. Si suponemos que el
radio de los cables es mucho menor que su separacin, podemos despreciar la influencia
mutua entre los conductores y considerar que la distribuz
cin de carga en ellos es uniforme. El campo creado por
S
los dos conductores es el mismo del Ejemplo 2-16:
r1
r1 r2
E(r ) =
r2
2 r 2 r 2
-
2
1
x
2a
El flujo a travs de la superficie cilndrica S cualquiera
d
que rodea al alambre izquierdo es L . La circulacin del
campo es ms sencilla sobre la recta que une ambos conductores. Tomando el sistema de coordenadas de la figura tenemos:
d / 2a
E x dx =
d / 2+a
y finalmente:
C=
d / 2a
d
1
1
dx =
2
x+d /2 xd /2
d / 2+ a
l
l
l
d a ln(d / a )
ln
d / 2a
d / 2+a
d a
dx
ln
=
2
x d / 4 a
l ln(d / a )
donde hemos simplificado porque d >> a.
Coeficientes de potencial y de capacidad.

Cuando existe un conjunto de conductores cargados a distancias no muy grandes entre s, la distribucin de carga y el potencial de cada uno depende de todos los otros debido a la redistribucin de carga producida por la induccin electrosttica. No es posible entonces usar la superposicin de los potenciales creados por cada conductor individual sino que para analizar esta situacin se deben utilizar los llamados coeficientes de potencial, que vamos a introducir.
Sean N conductores, i = 1,2,,N. El potencial electrosttico que crean en un punto cualquiera
del espacio es:
i (r )
1 N
dS
donde
(r ) =
R i = r ri
4 0 i =1 Si Ri
En particular, el potencial del conductor j-simo del conjunto ser:
i (r )
1 N
j = (r j ) =
dS
Si
4 0 i =1
Rij
Supongamos inicialmente que todos los conductores estn descargados, salvo el i-simo. Enton i (r )
1
(ji ) =
dS
ces:
es el potencial del conductor j-simo debido
4 0 Si Rij
nicamente a la carga en el i-simo conductor.
Si modificamos ahora la carga de este conductor Qj Qj (i i) se observa de la correspondiente ecuacin que (ji ) (ji ) , es decir, hay una relacin lineal entre la carga y el potencial que esa carga crea. Podemos escribir entonces: (ji ) = Pij Qi donde Pij es un factor de proJuan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera
2-59
porcionalidad que depende de la geometra de la disposicin de los dos conductores.

Si ahora damos carga a los otros conductores, podemos calcular el potencial del j-simo por suN
j =
perposicin:
Pij Qi
i =1
Los coeficientes {Pij} de esta suma son los llamados coeficientes de potencial del conjunto de
conductores.
Este es un sistema de ecuaciones lineales que puede expresarse en forma matricial:
= [P]
Q donde = [123 ... ]T y Q = [Q1 Q2 Q3 ... QN]T son los vectores de potenciales y cargas sobre los conductores y [P] es la matriz de los coeficientes Pij.
Los coeficientes de potencial satisfacen varias propiedades:
(todos los coeficientes son positivos)
1. Pij > 0
2. Pij = Pji
(la matriz P es simtrica);
3. Pii > Pij
(la matriz P es diagonal-dominante);
Estas propiedades se demuestran en el Apndice 3.
La ecuacin matricial = [P]Q puede invertirse para expresar las cargas de los conductores en
funcin de sus potenciales:
Q = [P]-1 = [C]
donde los coeficientes diagonales Cii de la matriz [C] se conocen como coeficientes de capacidad y los no diagonales Cij (i j) coeficientes de induccin. Todos estos coeficientes tienen
dimensiones de capacidad.
N
Qi =
Cij j
j =1
Los coeficientes de capacidad tienen propiedades que se deducen de las de

los coeficientes de potencial:
1. Cii > 0
(los coeficientes de capacidad son positivos);
2. Cii 0
3. Cij = Cji
(los coeficientes de induccin son no positivos);

(la matriz C es simtrica).
En trminos de los coeficientes de capacidad y/o potencial, la capacidad entre dos conductores
puede hallarse a partir de las ecuaciones lineales con Q1 = Q, Q2 = - Q :
1 = P11 Q1 + P12 Q2 = (P11 - P12) Q
2 = P21 Q1 + P22 Q2 = (P21 - P22) Q
= 1 - 2 = (P11 - P12 - P21 + P22) Q = Q / C
de donde:
C = (P11 - 2P12 + P22)-1
y finalmente:
[P] = [C]-1
Como:
C11
con = C11C 22 C122
C11C 22 C122
1
y se tiene:
C=
=
P11 + P22 2 P12 C11 + C 22 + 2C12
Los coeficientes de capacidad se utilizan para determinar la capacidad de cada par en sistemas de
mltiples conductores y para hallar capacidades parsitas.
P11 =
C 22
P12 =
C12
P22 =

2-60
Ejemplo 2-24: Determinar el potencial creado por dos lneas horizontales de radio a, paralelas
y conectadas entre s que se encuentran a una altura h sobre tierra y separadas en d.
Cada lnea tendr una imagen especular respecto del plano de tierra. Como la distancia d
entre conductores puede ser pequea y dar lugar a redistribuz
cin de carga, debemos aplicar la nocin de coeficientes de
potencial. Para calcularlos cargamos sucesivamente cada l2a

nea por separado. Si cargamos solamente la primera lnea (la
de la izquierda), el potencial que crea es, a partir del resultado
d
del Ejemplo 2-16:
h
r
(r ) =
ln 12 con r11,12 = y 2 + ( z m h ) 2
y
2 0 r11
donde hemos tomado s h (ya que h >> a ) y el origen de coordenadas sobre el plano de tierra justo bajo la lnea. El poh
tencial sobre la lnea y = 0 , z = h a es:
-
-
11 =
1 2h a 1 2h
ln
ln
20 a 20 a
P11 =
El potencial sobre la otra lnea y = d , z = h a es:
21 =
1
d 2 + ( 2h a ) 2
ln
4 0
d 2 + a2
d 2 + 4h 2
1 ln
2
4 0 d
de donde:
P21 =
21
11
1 2h
ln
20 a
d 2 + 4h 2
ln
4 0
d2
1
P22 = P11 y adems P12 = P21 .
Anlogamente:
Con esto podemos escribir el sistema lineal:
P22 1 P12 2
1 =
1 = P111 + P12 2
con

+ P11 2
P
=
+
2
P
P
21
1
21 1
22
2
2 =
y entonces, como 1 = 1 = :
= 1 = 2 =
P11 P12
2
2
P
11 + P12
P11 P12
= P11 P22 P12 P21
d 2 + 4h 2
1
1
2h
ln +
ln
2 0 a 4 0
d2
4 0
2
4h d 2 + 4h 2
ln
a2d 2
Realizamos el clculo para la lnea del Ejemplo 2-16 (0 = 512 kV, h = 12 m) y tomamos
d = 20cm, con lo que se obtiene 2.6 C / m , valor que podemos comparar con la densidad
de carga con un solo conductor, hallada en el Ejemplo 2-16: 0 4.61 C / m . Vemos que la
densidad de carga se ha reducido en ms del 40%. Esto lleva a un menor valor de campo
sobre la superficie de los conductores. El campo creado por los dos conductores es:
r
r11,12 = y y + ( z m h ) z
11 r12 + r22 r21
con:
2
2
2
2
r
r
r
r
r22 ,21 = ( y d ) y + ( z m h ) z
12
22
21
11
El primer subndice indica el par lnea-imagen (1 = izquierda, 2 = derecha) y el segundo el
conductor dentro del par (1 = lnea real, 2 = lnea imagen). Sobre la superficie del conductor
y = a cos
z = h + a sen .
de la izquierda, por ejemplo:
Ploteamos el mdulo del campo. Se observa que el
mximo se da para = , y el clculo da el valor
E(MV/m)
E( r ) =
2 0
mximo:
E max 1.12 10 6 V / m
que debemos comparar con el obtenido para un

nico conductor (Ejemplo 2-16):
E max 1.67 10 6 V / m
Disminuye an ms el campo mximo superficial

si se conectan ms conductores. Es comn tener
tres o cuatro en lnea horizontal o en forma de
cuadro, como en la foto del Ejemplo 2-17.

2-61
Energa electrosttica
Si colocamos una carga de prueba en una regin del espacio donde exista campo elctrico, aparece sobre ella una fuerza que har que adquiera una aceleracin, lo que implica el incremento de
la energa cintica de la carga. Si extrapolamos la conservacin de la energa mecnica a interacciones no mecnicas como las elctricas, es necesario que la energa que recibi la carga haya
sido cedida por otro sistema fsico. En la situacin que estamos describiendo el otro sistema fsico existente es el conjunto de cargas que crea el campo elctrico o el campo mismo.
Se puede analizar el campo elctrico desde el punto de vista energtico considerando que, debido
a las fuerzas de repulsin entre cargas de igual signo, es necesario realizar un trabajo exterior
para "construir" un sistema fsico formado por un conjunto de cargas separadas por distancias
finitas. Este trabajo realizado sobre el sistema "permanece" en l como energa potencial. Si se
deja libradas a s mismas a las cargas del sistema, se alejarn unas de otras adquiriendo energa
cintica hasta separarse indefinidamente. Toda la energa potencial del sistema se ha convertido
entonces en energa de movimiento.
El trabajo necesario para crear un sistema de cargas se calcula trayendo una a una desde el infinito hasta su posicin final en forma "cuasi-esttica", es decir, a velocidad constante. Consideremos un sistema de N cargas puntuales qi situadas en las posiciones ri . Originalmente consideramos a las cargas situadas en el infinito y separadas entre s distancias infinitas. No hay entonces
interacciones elctricas mensurables entre las cargas. Este es el estado de energa nula. Construimos ahora el sistema trayendo a las cargas una a una desde el infinito a su posicin final.
Primero traemos la carga q1. Como las otras cargas estn
q1
C
r21 F
infinitamente alejadas, no ejercen fuerzas de interaccin
e
sobre q1 y no se requiere trabajo alguno para llevarla a su
F1
posicin
final:
r1 L1 = 0
q1 :
R21
r1
Ahora traemos a q2 desde el infinito hasta su posicin
final r2 a lo largo de la curva C. Como ahora aparece
q
2
sobre q2 la fuerza ejercida por q1, para que el traslado sea
r2
"cuasi-esttico" (a velocidad constante), debemos agregar
punto a punto de la trayectoria una fuerza exterior Fe que
equilibre a la fuerza F1 ejercida por q1. Por lo tanto realizamos un trabajo:
r2
r2
r2
r2
q r
q q r2 r21
L2 = Fe dr2 = F1 dr2 = q2 E1 dr2 = q2 1 213 dr2 = 2 1
dr2
40 r213
4 0 r21
donde r21 es el vector distancia entre una posicin intermedia cualquiera sobre C de q2 y la posir2
1
r21
1
1
dr
=
dr2 =
2
3
R21
r2 r1
r21
r21
en funcin de las posiciones finales de las cargas. Entonces:
r2
q q r2 r21
q 2 q1
L2 = Fe dr2 = 2 1
dr2 =
3
4 0 r21
4 0 R21
Cuando traemos la tercer carga q3 debemos realizar trabajo en contra de las fuerzas elctricas
ejercidas por q1 y q2:
r3
r3
r2
r3
q r
q r
L3 = Fe dr3 = (F1 + F2 ) dr3 = q3 (E1 + E 2 ) dr3 = q3 1 313 + 2 323 dr3
40 r32
40 r31
cin de q1. Pero:
r2
y finalmente:
r3
L3 = Fe dr3 = q3
r3
q1 r31
qq
qq
q r
+ 2 323 dr3 = 3 1 + 3 2
3
40 R31 40 R32
40 r31 40 r32
En general, cuando traemos la carga i-sima, debemos realizar trabajo en contra de las fuerzas
2-62
elctricas ejercidas por las (i-1) cargas anteriores:
i 1
ri
Li = Fe dri =
qi q j
4 R
0
j =1
ij
Una vez construido el sistema, su energa es la suma de todos los trabajos parciales realizados en
la operacin de construccin:
N
N
i 1
qi q j
U=
Li =
4 0 Rij
i =1
i =1 j =1
Esta doble sumatoria puede reescribirse notando que los elementos u ij =
qi q j
cumplen que
4 0 Rij
j < i. As, por ejemplo, tenemos u31 pero no tenemos u13. Sin embargo, si existiera, se ve que
sera u13 = u31. Entonces podemos escribir la segunda sumatoria entre j = 1 y j = N, lo que implica tomar dos veces el elemento uij, por lo que debemos dividir por dos, con lo que queda:
N
N
qi q j
1
U=
2 i =1 j =1 4 0 Rij
j i
donde se ha cuidado de no tomar el elemento uii, que no existe. Operando:

1
U=
2
q
i
i =1
j =1
j i
qj
1
=
4 0 Rij 2
q
i
i =1
donde i es el potencial electrosttico en el punto ri donde se halla la carga qi.

Se puede extender esta definicin a una distribucin continua de carga. Para ello se "construye"
la distribucin trayendo desde el infinito a cada elemento de volumen (o de superficie, o de lnea) la porcin de carga que hay en l, o, alternativamente, aumentando paulatinamente la carga
desde cero a su valor final en cada elemento en forma simultnea.
En cualquiera de ambos casos, el resultado es3: U =
1
2
(r ) (r ) dV
donde (r) es la densidad de carga y (r) el potencial en puntos del interior del cuerpo cargado
(habr expresiones equivalentes para superficies o lneas cargadas). Si tenemos un conjunto de
N cuerpos cargados podemos extender la expresin de la energa por superposicin:
N
1
U = i (r ) i (r ) dV
V
i =1 2 i
Cuerpos conductores: SI los cuerpos son conductores, el campo electrosttico en su interior es
cero, y el potencial sobre su superficie es constante, con lo que se llega a la misma expresin que
en el caso de las cargas puntuales:
N
1
U =
qi i
2 i =1
pero ahora el significado de los smbolos es diferente:

qi es la carga acumulada en cada cuerpo conductor,
i es el potencial de cada cuerpo conductor.
La demostracin de esta expresin puede verse en "Fundamentos de la teora electromagntica", 4ta. Edicin,
J.R.Reitz, F.J.Milford, R.W.Christy. Addison-Wesley Iberoamericana, Wilmington, 1996, pg.143 y siguientes.
2-63
Ejemplo 2-25: Hallar la energa electrosttica de una esfera de radio a cargada con carga
Q distribuida uniformemente si a) es una esfera conductora (distribucin superficial de
carga), b) es una esfera dielctrica de permitividad (distribucin volumtrica de carga).
U = Q / 2 donde Q es la carga
a) Si la esfera es conductora, la energa almacenada es:
almacenada y el potencial del conductor. Para una esfera conductora el campo y el potencial fuera de ella equivalen a los creados por una carga puntual en el centro de la esfera
(ver Ejemplo 2-7. Por lo tanto:
U=
4 0 a
Q2
8 0 a
Q2
2C
donde C es la capacidad de la esfera conductora.

b) Si la esfera es dielctrica, la carga est distribuida en todo su volumen, suponemos que
uniformemente, y tenemos que (verificarlo):
Q 2
r2
=
+
r
(
)
1
8a 0
a2

(r ) = Q
4 0 r
3Q
(r ) =
4a 3
Q r r
4a 3
Q r
E(r ) =
4 0 r 2
E(r ) =
ra
ra
En este clculo slo nos interesa el potencial interior porque fuera de la esfera no hay carga y no hay contribucin a la energa. Entonces:
U=
U=
y finalmente:
1
2
(r ) (r ) dV =
3Q 1
1 r2
1
+
8a 0 4a 3 0 2 a 2
a
4r 2 dr
1
1 r 2 2
3 Q 2 a3
1 a 3 a 3

1
+
=
+
r
dr
0 0 2 a 2
8a 4 3 0 2 3 5
a3 Q 2 1 1
3 Q 2 a3
U=
+
+
=
8a 4 3 0 15 8a 0 5
3 Q2
8a 4
Se ve que la energa almacenada en la esfera dielctrica es mayor que para la esfera conductora.
Energa y Campo
Podemos reescribir la expresin de la energa electrosttica de un conjunto de cuerpos conductores en trminos del campo electrosttico de una forma conceptualmente conveniente aplicando la
N
1 r
ley de Gauss:
i (r ) = D i (r ) U = D i (r ) Vi (r ) dV
V
i =1 2 i
r
r
r
r
Pero:
i D i = ( i D i ) D i i = ( i D i ) + D i E i
y entonces:
N
r
r
1
1 N
U = ( i D i ) + D i E i dV = ( i D i ) dV + D i E i dV
V
Vi
i =1 2 i
2 i =1 Vi
La primera integral se puede transformar mediante el teorema de la divergencia. Queda:
1 N
U = i ( r ) D i ( r ) n dS + D i ( r ) E i ( r ) dV
Vi
2 i =1 S i
La primera integral ahora se extiende sobre la superficie de los cuerpos cargados y la segunda a
sus volmenes.
La ecuacin hallada expresa la energa del sistema de cargas slo en funcin del campo. An
ms,
la
ecuacin
original
i =1
U =
Vi
i (r ) i (r ) dV
se
puede
escribir
como:
(r ) (r ) dV donde V es un recinto cualquiera que incluye a todos los conductores

2 V
(ver la figura). Estas expresiones son idnticas porque no existe densidad de carga fuera de los
cuerpos cargados.
U=

2-64
S
V1
Por lo tanto podemos escribir, en forma general:

1
1
U = (r ) D (r ) n dS + D ( r ) E(r ) dV
S
2
2 V
V2
donde S es la superficie frontera de V.
V3
V
Consideremos ahora que S , o sea que V abarca todo el espacio.

Como el potencial y el campo electrostticos decrecen, respectivamente, como 1/r y 1/r2 para distancias lejanas, el integrando de la integral de superficie tiene a
cero como 1/r3 para r , mientras que la superficie tiende a como r2. Por lo tanto en el lmite esta primera integral se anula y tenemos:
1
U=
D(r ) E(r ) dV
2 todo el
espacio
Este resultado es importante porque la energa se puede escribir como la suma de "energas" asociadas a cada elemento de volumen del espacio donde haya campo:
U=
u(r ) dV
u (r ) =
con
todo el
espacio
1
2
D(r ) E(r )
u (r ) es entonces una densidad de energa electrosttica.

En esta visin la energa est distribuida en todo el espacio, mientras que en la
ecuacin original estaba concentrada en el sistema de cargas. Siguiendo entonces
con el modelo local de campos que hemos introducido, vamos a asignarle al
campo electrosttico una energa, distribuida en todo el espacio donde exista
campo, que puede intercambiarse localmente con otro sistema fsico.
Volvamos ahora a la expresin original:
1
D (r ) E(r ) dV
2 V
levantando la condicin de S . Sabemos ya que la integral de voluV
men representa la energa asociada al campo dentro del recinto de integracin V. Como hay campo fuera de V, entonces la integral de superficie
S representa la energa asociada al campo fuera de V. Es importante sealar
que la influencia del campo exterior a V se puede expresar como una
integral de superficie sobre la frontera de V . Este es un caso particular de una propiedad ms
general de los campos que veremos en diversos casos.
U =
( r ) D ( r ) n dS +
Ejemplo 2-26: Repetir los clculos del Ejemplo 2-25 usando campos.
E(r ) =
a) Esfera conductora. El campo es:
U=
D(r) E(r) dV =
2 todo el
espacio
Q r
4 0 r 2
2
2
E 4r dr =
ra
Q2
16
a
02 r 4
E(r) = 0
4r 2 dr =
r < a Luego:
Q2
8 0
dr
r
a
igual que antes.

b)
Esfera dielctrica. El campo es:
Ee (r ) =
Entonces:
U=
2 todo el
espacio
Q r
4 0 r 2
ra
D(r ) E(r ) dV =
Ei (r) =
0
2
Q r r
4 a 3
ra
2
2
E i 4r dr +
0
0
2
E
a

2
e
4r 2 dr
Q2
8 0 a
2-65
0 a Q 2r2
0 Q2
2
+
r
dr
4
4 r 2 dr
2 0 16 2 2 a 6
2 a 16 2 02 r 4
Q2
Q2
r 4 dr +
6
8 a 0
8 0
dr
Q2
Q2
Q2 1
1
+
=
+
40 a 8 0 a 8 a 0 5
y nuevamente tenemos el mismo resultado.

Ejemplo 2-27: Calcular la energa electrosttica almacenada por unidad de longitud en un
cable coaxil.
Usamos el campo calculado en el Ejemplo 2-22:
E(r ) =
U=
D(r) E(r) dV = 2 E
2 todo el
(r ) dV
todo el
espacio
espacio
Pero fuera del coaxil no hay campo, de modo que tenemos:
U=
b
2
2 L b d 2 L b
=
=
2
ln
L
d
2 a 4 2 2 2
4 a 4 a
y la energa almacenada por unidad de longitud es:
U
2 b
ln
=
L 4 a
Energa y capacidad de un conductor

Un conductor cargado tiene la energa U = Q donde Q es su carga y su potencial. Pero
su capacidad es: C = Q/ y se tiene:
1
1
1 Q2
Q = C 2 =
2
2
2 C
(ver el Ejemplo 2-25a). Esta expresin tambin es vlida para calcular la energa de un capacitor, siempre que el campo est confinado a la regin dentro del capacitor (es decir, que no exista
campo disperso).
U=
Ejemplo 2-28: Calcular la energa almacenada en:

a) un capacitor plano de separacin entre placas d,
b) un cable coaxil de radios interior a y exterior b,
c) un capacitor esfrico de radios interior a y exterior b,
todos con dielctrico de aire, a partir del campo y de la capacidad.
a) A partir del campo (ver Ejemplo 2-19):
U=
D E dV =
2
VC
dV =
0
2
VC
VC
2
0
dV =
2V
2 0
Q 2d
2 0 A
donde A es el rea de las placas. A partir de la capacidad (ver Ejemplo 2-21):
U=
Q2
Q2
Q2 d
=
=
2C 2 [0 A d ] 20 A
b) A partir del campo (ver Ejemplo 2-22):
U=
VC
D E dV =
0
2
2
E dV =
VC
2 4
U=
A partir de la capacidad:
2 2
0
2 L d =
2 L
4 0
2 L
b
ln
4 0 a
L
L b
Q
=
=
ln
2C
2 L 4 0 a
2
ln(b / a)
2
2 2
c) A partir del campo:
U=
D E dV =
2 Vint
0
2
2
E dV =
Vint
0
2
Q2
(4
a
r2 )
4r 2 dr =
Q2
16 2 0
2 2
a

dr
r2
Q2 1 1

8 0 a b
U=
A partir de la capacidad:
2-66
Q2
Q2
Q2 1 1
=
=

40 80 a b
2C
2
1 / a 1 / b
En estos ejemplos se calcula la energa asociada al campo confinado dentro del capacitor. En
ambos casos habr lneas de campo disperso en los bordes. Este campo tiene energa que no se
considera en los clculos precedentes. El error cometido depende fundamentalmente de la separacin entre electrodos.
Energa y coeficientes de potencial
Cuando existen diversos conductores en el sistema (no necesariamente capacitores), la energa
puede asociarse a los coeficientes de potencial o los coeficientes de capacidad/induccin del sistema que fueron definidos previamente.
N
N
1
1 N
Como:
U =
qi i y: i =
tenemos: U = Pij qi q j
Pji q j
2 i =1
2 i =1
j =1
j =1
en trminos de los coeficientes de potencial del conjunto de conductores (ntese que Pij = Pji ).
N
Como tambin:
qi =
C
ij
tenemos:
j =1
1
U =
2
C
ij
i =1
j =1
a partir de los coeficientes de induccin/capacidad.

Energa y fuerzas
Un sistema fsico lineal, librado a s mismo, evoluciona hacia un estado de equilibrio. Este estado puede ser estable o inestable, segn que el sistema vuelva o no a la posicin estacionaria si
sufre pequeas desviaciones desde el extremo. Un mvil sobre la trayectoria de la izquierda,
sometido nicamente a la gravedad, presenta tres puntos de equilibrio. Dos son mnimos (estables) y el tercero es un mximo (inestable).
Cuando el sistema evoluciona de un estado a otro,
vara su energa, de manera que, por el principio de
conservacin, es necesario que se ejerza un trabajo
sobre l.
Consideremos un desplazamiento elemental dr en un
inestable
sistema fsico conservativo. Habr en general un
cambio de energa dU, asociado al trabajo de una
fuerza F aplicada al sistema: dU = F dr .
estable
El signo menos indica que, si el trabajo de la fuerza
es positivo, la energa del sistema disminuye, como se observa en la trayectoria de la figura con
el trabajo de la fuerza peso, por ejemplo, al apartar al mvil desde su posicin inestable. Supongamos que el desplazamiento est definido por la direccin del espacio : dr = d
Entonces: dU = F dr = F d donde F es la proyeccin de la fuerza F sobre la direccin
dU
d
Esta es la expresin de proyeccin de la fuerza que acta sobre un sistema a lo largo de una direccin dada, en funcin de su variacin de energa. Podemos ver que esta es una expresin general, siempre que el sistema sea conservativo (de otra manera, la expresin debera depender del
camino).
, y podemos escribir:
F =

2-67
Existen situaciones donde condiciones de vnculo slo permiten giros alrededor de ejes. En tales
casos existe una cupla de movimiento de modo que:
dU = d
donde es el vector cupla y d el vector de rotacin, como se indica en la figura. Si se expresa a estos vectores en trminos de sus componentes, tenemos:
U
i =
d
i
En el caso de un sistema de cuerpos conductores cargados, su energa depende de
la distribucin de carga y los potenciales de los cuerpos y adems se trata de un sistema conservativo. Un desplazamiento (o desplazamientos) en las posiciones de los cuerpos modificar la
energa, pero se dan dos situaciones diferentes:
Se mantiene la carga total del sistema (sistema aislado)
Se mantienen los potenciales de los cuerpos (en este caso los cuerpos deben estar conectados
a bateras externas, que proveen los cambios de energa).
En el primer caso las ecuaciones halladas son aplicables directamente:
dU
F =
d Q
U
i =
i Q
donde el subndice Q indica un sistema aislado (que evoluciona a carga constante).

En el segundo caso hay un intercambio de energa con las bateras que mantienen constantes los
potenciales. El trabajo realizado por las fuerzas debe ser igual a la variacin de energa electrosttica menos la energa cedida por las bateras. Un clculo sencillo4 lleva a:
dU
dU
F =
i =
d
di
Veamos unos ejemplos de aplicacin de estos resultados.
Ejemplo 2-29: Calcular la fuerza entre las placas de un capacitor plano, de rea A, separadas
en una distancia d y a una ddp V, cuando el dielctrico es un material de permitividad .
Realizar el clculo: a) a Q constante, y b) a V constante.
a)
La energa almacenada en el capacitor es:
U=
Q2 Q2 d
=
2C 2 A
La fuerza entre las placas tiene solamente componente z, y vale:
Fz =
U
Q2
=
d
2 A
a Q
constante. El signo negativo indica que las placas tienden a juntarse (la energa disminuye
al acercar las placas a Q constante). Desde otro punto de vista,
z
esta fuerza surge debido a la atraccin coulombiana entre las
cargas de las placas y se podra calcular en forma directa. El
mtodo de clculo a partir de la energa permite obviar el conocimiento de la distribucin detallada de carga en los electrodos.
d
mos:
Fz =
b)
A V constante:
U=
1
AV 2
CV 2 =
2
2d
y entonces tene-
U
AV 2
=
2d2
d
La demostracin de estas expresiones puede verse en "Fundamentos de la teora electromagntica", 4ta. Ed.,
J.R.Reitz, F.J.Milford, R.W.Christy. Addison-Wesley Iberoamericana, Wilmington, 1996, pg.135 y siguientes.
a V constante. Como V = Q/C, tenemos:
Fz =
2-68
AQ 2
AQ 2 d 2
Q2
=
2 A
2 d 2C 2
2 d 2 2 A2
que es el mismo resultado que en el caso anterior. Podemos entender este comportamiento
considerando que, desde el punto de vista coulombiano la fuerza entre las cargas acumuladas en las placas es independiente de que el capacitor est o no conectado a una fuente externa, sino solamente de la distribucin de carga y de l;a separacin entre placas. En el esquema de clculo a travs de la energa el cambio de energa en el campo debido al movimiento infinitesimal (movimiento virtual) de las placas del capacitor no depende de las condiciones externas.
Ejemplo 2-30: Calcular la cupla entre las placas de un capacitor cuyas placas son sectores
circulares de radio R y ngulo 0 separadas en una distancia d y que pueden girar alrededor
de su centro. El capacitor est conectado a una ddp V, y el dielctrico es un material de
permitividad . Realizar el clculo: a) a Q constante, y b) a V constante.
Despreciando los efectos de borde, podemos considerar a este capacitor como un capacitor
plano, de donde la capacidad es:
C=
= R2
d
d
0
con
0 .
Frente a un giro virtual d el ngulo en que se enfrentan las placas es - 2

d, como se ve en la figura, y entonces:
2 d
2
dC = 2 R
= 2 R
d
0
0
d
d
d
= 2C

2
2
2
Q
Q
d
Q2
U
Q
a) A Q constante tenemos:
dC
2
C
d
=
=
=
=
2C 2C 2
2C 2
V2
d
CV 2
Q2
U
CV 2 V 2
b) A V constante:
dC =
2C
d =
d
=
=
=
=
2
2
C
2
y nuevamente ambos resultados coinciden como en el ejemplo previo.
En general, las fuerzas que se desarrollan en un sistema electrosttico deben derivarse de consideraciones termodinmicas generales que son bastante complejas en casos ms complicados que
sistemas formados nicamente por conductores.

2-69
RESUMEN
Se present el modelo de dipolo de cuerpos extensos dielctricos y una breve introduccin al fenmeno de ruptura dielctrica en materiales gaseosos, lquidos y slidos
de inters tecnolgico. El modelo de dipolo lleva a expresiones para el potencial y el
campo inducidos:
i (r ) =
1
4 0
P(r ) R
R2
dV
E i ( r ) = i (r )
En un punto cualquiera del espacio el potencial (o el campo) ser la superposicin

del potencial original (el campo original) y el potencial inducido (el campo inducido).
El modelo introduce las cargas equivalentes de pola- + - + - + - + -+
-+
rizacin, que refleja la redistribucin de carga li-+- + - + - + - +
gada que se produce dentro del dielctrico por el
-+ + - + - + - + - +
+
proceso de polarizacin:
- + - + - + - + - +
- + - +
- +- + - + - +
- + -
-+
- +
+ - +
+ -
+
+
+ - +
P (r ) = P(r ) n P (r ) = P(r )
- + -+
+- +
Los distintos tipos de fuentes (cargas reales o libres y
-+
cargas de polarizacin o ligadas) aportan al campo
E0
elctrico. Sin embargo, es posible definir un nuevo

campo vectorial, llamado campo de desplazamiento siguiendo a Maxwell, que slo
est ligado a las cargas reales o cargas libres:
D n dS = Q
D (r ) = l (r )
D(r ) = 0 E(r ) + P(r )
En dielctricos lineales el campo de polarizacin es proporcional al campo elctrico

punto a punto. Esta relacin define la permitividad del dielctrico:
P( r ) = e 0 E ( r )
D(r ) = 0 (1 + )E(r ) = 0 r E(r ) = E(r )
Se presentaron las condiciones de frontera que cumple el campo electrosttico sobre

la interfase entre dos medios de propiedades diferentes:
D n = Q
S
(D1 D 2 ) n = l
E dl = 0
S
(E1 E 2 ) n = 0
La nocin de capacidad cuantifica la posibilidad de acumular carga elctrica de un

conductor:
C =
Q
=
E n dS
E dl
S
Cuando hay ms de dos cuerpos es conveniente introducir los coeficientes de potencial o de capacidad, que ligan en forma de un sistema lineal cargas y potenciales en
los diferentes cuerpos del sistema:
N
j =
Pij Qi
i =1
Qi =
Cij j
j =1
La nocin de trabajo sobre una carga en movimiento lleva a la nocin de energa de

un conjunto de cuerpos cargados, y por extensin, al concepto clave de la energa
del campo electrosttico.
U=
2-70
N
qj
1 N
1 N
qi
= qi i
2 i =1 j =1 4 0 Rij 2 i =1
j i
U=
1
2
(r ) (r ) dV
La energa electrosttica se puede asociar a la capacidad o a los coeficientes de po1

U=
2
P q q
ij
1
U =
2
i =1
j =1
C
ij
i =1
j =1
tencial/capacidad en el caso de un conjunto de conductores:
APENDICE 3 - Propiedades de los coeficientes de potencial

Para demostrar las propiedades de los coeficientes de potencial partimos de la expresin de la
1 N
energa de un sistema de conductores:
U = Pij qi q j
2 i =1
j =1
1) Simetra de la matriz
Si producimos un cambio en las cargas de los conductores habr una variacin de la energa
N
U
del sistema: U = U ( q1 , q2 ,..., qN ) dU =
dqk
k =1 qk
Pero:
N
N
U 1 N
= 1 q P q
=
P
q
q
ij i j 2 q
i ij j
qk 2 qk i =1
i =1 j =1
k

j =1
N
1 N N
q
P
q
qi
Pij q j
i ij j +
i =1
j =1
2 i =1 qk j =1
N
N
N
1
1
1
= Pkj q j + Pik qi = ( Pik + Pki ) qi
2 j =1
2 i =1
2 i =1
2 qk
U
1 N
dqk = ( Pik + Pki ) qi dqk
2 k =1
k =1 qk
N
dU =
y entonces:
i =1
Supongamos ahora que todos los conductores, salvo uno (digamos, el n-simo) estaban descargados y mantienen esta condicin:
y
dqn 0
dqi = 0 i n
1 N
( Pin + Pni ) qi dqn
2 i =1
Desde otro punto de vista, la energa cuando slo el conductor n-simo est cargado es:
Entonces, de la expresin hallada:
U = n qn
dU =
dU = n dqn = pni qi dqn

i =1
e igualando ambas expresiones de dU se tiene:

N
Pni qi dqn =
i =1
1 N
( Pin + Pni ) qi dqn
2 i =1
Pni =
1
( Pin + Pni )
2
2-71
Pni = Pin
2) Elementos diagonales positivos

La expresin de la energa: U =
1 N
Pij qi q j
2 i =1
es una forma definida positiva. La energa
j =1
debe ser una cantidad positiva. Supongamos que slo dejamos un conductor, digamos, el n1
simo del conjunto: U = pnn qn2 pnn > 0
2
Como esta conclusin no depende del valor de n, se deduce que todos los elementos diagonapnn > 0
n
les son positivos:
3) Diagonal principal dominante
Consideremos ahora que tenemos slo dos conductores, el n-simo y el m-simo del conjun1
to:
U = pnn qn2 + pmm qm2 + 2 pnm qn qm
2
Supongamos que las cargas de los conductores son iguales y de signo opuesto:
1
qn = qm = Q U = 2 pnn Q 2 2 pnmQ 2 = [ pnn pnm ] Q 2 > 0
pnn > pnm
2
de donde se ve que la matriz de coeficientes de potencial es diagonal dominante.
De las propiedades de los coeficientes de potencial se deducen las propiedades de los coeficientes de capacidad/induccin, que constituyen la matriz inversa.
PROBLEMAS
2.8) Hallar el campo de una lnea bifilar cuando el sistema se coloca a una altura H de tierra,
considerada plana y perfectamente conductora.
2.9) Para un capacitor de placas paralelas de rea A y separadas por una distancia d, hallar E y
D en las siguientes situaciones: a) voltaje constante V con y sin dielctrico, y b) carga
constante Q con y sin dielctrico.
2.10) Calcule la capacidad de:
a) Dos esferas conductoras concntricas de radios a y b (b > a)
b) Dos lminas planas conductoras de area A separadas por una distancia d
c) Dos conductores cilindros concntricos de radios a y b (b > a)
d) Dos conductores cilndricos paralelos de radio R y con sus ejes separados por una distancia D.
2.11) Cuando se usa un cable coaxil para transmitir energa elctrica, el radio del conductor interior est determinado por la corriente de carga, y el tamao total por el voltaje y el tipo
de material aislante que se utilice. Suponga que el radio del conductor interno es ri = 2 mm
y que el material aislante es poliestireno. a) Determine el radio interior r0 del conductor externo para que el cable funcione con especificacin de voltaje mximo de 10 KV. Para evitar la ruptura debido a los picos de voltaje ocasionados por relmpagos y otras condiciones
anmalas externas, la intensidad mxima de campo elctrico en el material aislante no debe
exceder el 25% de su rigidez dielctrica. b) Qu sucede si, bajo idnticas condiciones de
operacin, se reemplaza el poliestireno por aire? Qu conclusin se puede extraer? Nota:
2-72
para el poliestireno la constante dielctrica relativa es de 2.6 y la rigidez dielctrica es de

20106 V/m, y para el aire valen repectivamente 1 y 3106 V/m.
[Respuesta: a) 5.4 mm, b) 1.5 kV]
2.12) Un tubo diodo se puede aproximar por un par de electrodos metd
licos planos y paralelos separados por una distancia d. Los electrones son emitidos por un ctodo caliente, originndose una distribucin de carga espacial entre las placas. Se puede demostrar
que el potencial en esa regin est dado por: V ( x ) = V0 (x / d )4 / 3
Calcular el campo elctrico, la distribucin de carga espacial, la
V0
carga total entre los electrodos y la energa almacenada por unidad
de rea. Cul es la fuerza entre placas?
2.13) El xido de puerta en una estructura MOS (Metal-Oxido-Semiconductor) puede, bajo ciertas condiciones de inyeccin, atrapar car- 1
ga elctrica. Un modelo sencillo del diagrama energtico de una estructura MOS polarizada se muestra en la figura, donde 1, 2 y V
2
son la altura de la barrera catdica, la altura de la barrera andica y la V
tensin aplicada entre los electrodos, respectivamente. Considere una
distribucin de carga atrapada constante dentro del aislante de esd
pesor d. Halle, a partir de la ecuacin de Poisson, el potencial elctrico dentro del aislante y el campo elctrico catdico.
2.14) La densidad de carga en la zona desierta de una juntura pn en la que las impurezas donantes y aceptoras han sido difundidas trmicamente, se puede representar matemticamente
W
W
x
= eax
2
2
0
afuera
donde e es la carga del electrn, a es un parmetro de la distribucin, W el ancho de la zona desierta (que es una funcin del voltaje aplicado a la estructura) y x la posicin. Determine el campo elctrico y el potencial en la zona desierta de la estructura.
segn:
2.15) Determinar los campos E, D y P que produce una carga puntual q centrada en una esfera
dielctrica de radio R y permitividad . La esfera est rodeada por el espacio libre. Calcule
las cargas equivalentes de polarizacin.
2.16) Un condensador cilndrico con radios r1 < r2 se sumerge perpendicularmente en un lquido
dielctrico de densidad y permitividad . El extremo inferior est sumergido y el superior
emerge en el aire. Verifique que la altura h a la que se eleva el lquido cuando se aplica un
voltaje V entre las placas es: h =
( 0 )V 2
r
g (r22 r12 )ln 2
r1
2.17) Hallar las cargas de polarizacin, el campo elctrico y el desplazamiento en el eje de un

cilindro dielctrico de radio a y altura 2L orientado segn el eje z con una polarizacin
P = ( P0 z / L ) z .
2.18) Hallar el campo elctrico en todo punto del espacio creado por una esfera dielctrica de
radio R con una polarizacin P = ( P0 r / R) r


2 Campos1 2

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Electromagnetismo 2004

2 - Campos Cuasi-Estticos 1 (cont.)

El archivo INSULATE.PDF presenta una lista de dielctricos usados en la ingeniera elctrica.

Dipolo elctrico. Potencial y campo lejanos

El potencial creado en un punto r lejano

Desarrollando por Taylor:

Luego, manteniendo hasta el trmino cuadrtico solamente:

Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera

la carga total o carga neta de la distribucin

el momento dipolar de la distribucin

el momento cuadrupolar de la distribucin

y hay ms trminos de orden superior. Se ve entonces que el potencial se puede expresar

Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera

Potencial inducido. Vector Polarizacin

Cuando un cuerpo dielctrico se coloca en una

y hemos definido el vector polarizacin : P(r ) =

donde hemos usado el teorema de la divergencia para reescribir la primera integral.

rial, representada por la divergencia del vector de polarizacin.

Forma general de la ley de Gauss. Vector desplazamiento

Pero como: P (r ) = P(r ) podemos escribir:

que es la forma general de la ley de Gauss, donde: D(r ) = 0 E(r ) + P(r )

D(r ) = 0 (1 + )E(r ) = 0 r E(r ) = E(r )

A continuacin se presentan algunos simples ejemplos de clculo del campo electrosttico a

Se ve que el campo se anula fuera de la estructura y es uniforme dentro de ella.

Para calcular las cargas de polarizacin

Sobre la superficie de la esfera se induce

Es posible que exista densidad volumtrica de carga equivalente de polarizacin porque la

La carga total de polarizacin en el volumen de la esfera es:

Se ve que las cargas de polarizacin se equilibran dentro de la esfera.

Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera

Condiciones de frontera del campo elctrico

donde S es la superficie del cilindro de la figura de

Si ahora tomamos el lmite de esta expresin para h 0 , la integral

En la figura de la izquierda se toma una curva de circulacin que

Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera

Al cruzar la superficie que separa dos medios de propiedades distintas:

de donde tenemos el campo:

Se observa que si 1 = 2 (nico medio), q1 = 0 y q2 = Q, con lo que el potencial y el campo

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donde S es la superficie de uno cualquiera de los cuerpos que se suponen cargados

Para calcular el campo, dada la simetra cilndrica del problema,

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La capacidad por unidad de longitud del cable coaxil es entonces:

Ejemplo 2-23: Calcular la capacidad de un cable bifilar.

donde hemos simplificado porque d >> a.

Coeficientes de potencial y de capacidad.

porcionalidad que depende de la geometra de la disposicin de los dos conductores.

Los coeficientes de capacidad tienen propiedades que se deducen de las de

(los coeficientes de induccin son no positivos);

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potencial. Para calcularlos cargamos sucesivamente cada l2a

El potencial sobre la otra lnea y = d , z = h a es:

P22 = P11 y adems P12 = P21 .

Con esto podemos escribir el sistema lineal:

= P11 P22 P12 P21

que debemos comparar con el obtenido para un

Disminuye an ms el campo mximo superficial

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cin de q1. Pero:

elctricas ejercidas por las (i-1) cargas anteriores:

Esta doble sumatoria puede reescribirse notando que los elementos u ij =

donde se ha cuidado de no tomar el elemento uii, que no existe. Operando:

donde i es el potencial electrosttico en el punto ri donde se halla la carga qi.