Laboratorio de Electrnica, Septiembre de 2014

Curva Caracteristica Del Diodo

Alarcon Karina, Amador Alberto, Blanco Marlon, Jaraba Fabian, Orozco L. Luis
Universidad del Atlntico
Facultad de Ingenieria

Resumen
El objetivo de esta prctica fue armar un circuito con un diodo normal y una resistencia, y asi medir el voltaje
de la resistencia y el diodo, y de esta manera obtener su curva caracterstica, con el diodo en configuracin
normal y en inverso.
Palabras claves: Diodo curva caracterisica de, voltaje, corriente.

1. Introduccin
En esta actividad experimental vamos tomar los datos que
nos permitirn trazar la curva caracterstica del diodo, de
manera experiemntal y teorica.
2. Marco Teorico
Diodo pn o Unin pn
Los diodos pn son uniones de dos materiales
semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin
reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga
elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y
protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es
0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de

electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes
denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de
carga espacial va incrementando su anchura profundizando
1

Electrnica

en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la

acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la
corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia
de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si
los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado
el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando
uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la
zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un
caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a
una diferencia de potencial externa, se dice que no est
polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo,
representndose por la letra A, mientras que la zona n, el
ctodo, se representa por la letra C (o K).

A (p)

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de

la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos
que conectar el polo positivo de la batera al nodo del
diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del
cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja
a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la
batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de
carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren
la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los
mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el
polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce
en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la
zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p,
aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante
hasta el final.

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin
externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser
la
polarizacin
directa
o
inversa.
Polarizacin directa

Laboratorio de Electrnica, (2014)

cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en

la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital
de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose
as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de
carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la
batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente;
sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn
pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1
A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una
pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n
como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo
que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin,
la corriente superficial de fugas es despreciable.

Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la

zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar
la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de
la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la
zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de
conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga
elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los
tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos
tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos
de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo
el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
3

Electrnica

directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va

reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad.
Corriente mxima (Imax).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin
de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del
diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin
de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la
tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad,
a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los
Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin
inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la
corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa
cintica de forma que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno
se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado
est el material, menor es la anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el
diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas

condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar

electrones de valencia incrementndose la corriente. Este
efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos
diodos especiales, como los Zener, se puede producir por
ambos
efectos.
Ampliacion de descripcion de Curva Caracteristica
Con la polarizacin directa los electrones portadores
aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan
calor que har umentar la temperatura del semiconductor.
Este aumento activa la conduccin en el diodo.

Caracterstica I/V de un diodo semiconductor

Vu Tensin umbral
Vs Tensin de saturacin
Vr Tensin de ruptura
OA Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente
AB Zona de conduccin
OC Corriente inversa de saturacin
A partir de C, zona de avalancha
4

Laboratorio de Electrnica, (2014)

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL

Si el diodo est polarizado directamente, su circuito
equivalente es el de un conmutador cerrado, pequea
resistencia.

Con polarizacin inversa, el circuito representa un

conmutador abierto, gran resistencia.
3. Materiales:
Diodos
Resistencias
Multimetro
Fuente

4. Parte experimental

Electrnica

VOLTA
JE
FUEN
TE (V)
0,1
0,2
0,3

Vdiodo(
mV)
9,7
90
215

0,4

313

0,5

396

0,6

441

0,7

480

0,8

498

0,9

516

523

1,1
1,2

540
549

1,3
1,4

557
560

1,5

569

1,6

575

1,7

579

1,8

582

1,9

589

590

2,2

598

2,4

605

2,6
2,8
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
6,5
7
7,5
8
8,5
9
9,5
10

611
616
620
631
638
645
652
657
662
666
669
673
677
680
683
686
688

I
(mA Vdiodo(m
)
V)2
0
9,7
0
90
0
215
0,00
2
313
0,01
6
396
0,05
3
441
0,12
4
480
0,18
7
498
0,27
6
516
0,32
7
523
0,44
4
540
0,53
549
0,64
4
557
0,68
560
0,80
5
569
0,92
5
575
1,01
6
579
1,04
7
582
1,22
3
589
1,22
8
590
1,41
5
598
1,60
2
605
1,87
2
611
1,98
616
2,2
620
2,68
631
3,17
638
3,71
645
4,22
652
4,68
657
5,17
662
5,67
666
6,13
669
6,62
673
7,09
677
7,56
680
8,07
683
8,54
686
8,93
688

Para
este

experimento, se monto el circuito mostrado en la figura 1,

se incremento el voltaje de la fuente desde 0.1 V hasta que

el voltaje se regulara en el diodo, o sea no variara mucho, en
itntervalos pequeos, con un voltimetro se midio el voltaje
en el diodo y el voltaje en la resistencia. Con estos datos se
calculo la corriente el el diodo mostrados en la tabla 1 y se
precede a graficar, figura 2. Al invertir la batera como se
muestra en la figura 3, se tomaron los datos de la tabla n 2.

Laboratorio de Electrnica, (2014)

1,9
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
6,5
7
7,5
8
8,5
9
9,5
10

1834
1900
2070
2320
2440
2660
2850
3390
3880
4400
4870
5390
5900
6400
6850
7350
7850
8390
8820
9400
9900

Diodo Inverso:
Volta
je
fuen
te
(V)
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8

Vdio
do
(mV)
6,1
121,4
188,3
260
376
508
634
712
760
883
971
1123
1208
1273
1376
1545
1632
1699

Corrie
nte
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

5. Simulacion:
Diodo normal:

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

Electrnica

Pudimos comprobar de manera experimental que la curva

caracterstica de un diodo 1N4007 con polarizacin directa
se comporta de la misma manera que un diodo de cilicio y
que su tensin umbral corresponde a la brindada por el
fabricante la cual es de 0.9 V tambin podemos notar que la
resistencia a la corriente es vencida de manera abrupta
despus de que la tensin umbral es superada.
Tambin se logro ver como el mismo diodo en polarizacin
inversa tiene un comportamiento diferente ya que la
cantidad de corriente que pasa atreves de este es casi nula
reforzando lo dicho tericamente lo cual sucede por la gran
resistencia que este opone al flujo de la corriente.
Referencias
G, C. J. Fundamentos de electrnica. Pearson.
Electrnica Fcil. (s.f.). Recuperado el 29 de 02 de 2012, de
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentesalimentacio
n.php

Diodo inverso:

6. Conclusiones