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INTRODUCION
2.
OBJETIVOS
Objetivo general.
Objetivos especficos
4. MARCO TEORICO
DIAGRAMA
DE
BLOQUES
DEL
RECTIFICADOR
MONOFSICO
DE
PUENTE COMPLETO CONTROLADO Y DE
LAZO CERRADO
En el siguiente diagrama de bloques se
observa la dinmica del lazo de control a
implementar, esta se inicia censando la
salida de voltaje del convertidor para luego
acondicionarla a valores estandarizados (de
0v a 5v), esta ser llevada y comparada con
nuestra seal de referencia o set point, que
de acuerdo a los requerimientos de diseos
CONVERTIDORES DC-DC
Los convertidores CD-CD son circuitos
electrnicos de potencia que convierten una
una tensin continua en otro nivel de tensin
continua y normalmente, proporciona una
salida regulada. Estos se clasifican como
convertidores CD-CD conmutados dando a
su salida una tensin regulada y, la mayora
de las veces con limitacin de corriente. Se
tiende a utilizar frecuencias de conmutacin
cada vez ms elevadas porque permiten
reducir la capacidad de los condensadores,
con el consiguiente beneficio de volumen,
peso y precio.
TOPOLOGAS COMUNES DE
LOS
CONVERTIDORES DC-DC CONMUTADOS
A continuacin se muestran una breve de
explicacin de algunas topologas comunes
de los convertidores CD-CD, haciendo
nfasis en la topologa del convertidor boost,
en el cual
se centra el desarrollo del
proyecto.
CONVERTIDOR REDUCTOR
Son los convertidores que a la salida se
obtienen una tensin Us menor que la
entrada, Ue. Este tipo de convertidor no
ofrece aislamiento entre las tensiones de
entrada y salida.
Fig.2: Topologa
(Reductor) [10]
del
Convertidor
buck
DEL
Anlisis s1 on
Anlisis s1 of
V s=V l=L
d il
dt
t on+t off =
V s=V l+ V o=L
d il
+V o
dt
d il V s V l
= =
dt
L L
Vs
V V o
DT + s
( 1D ) T =0
L
L
d i l V sV o V l
=
=
dt
L
L
Sabiendo que
asumiendo que
D=
t on
,
T
i=
D=
T =t on+t off
di i , dt DT
V
i= s DT ( 3. )
L
V sV o
( 1D ) T (4.)
L
Vs
V V o
DT + s
(1D)T
L
L
D=
V s +V o
Vo
5024
=0.52
50
D=0.52 20
DMAX =0.61
DMIN =0.42
Anlisis de conservacin de energa
Pin=Pout
V o2
Po=
R
P =0.52(i max +i min )V s
V o2
=0.52 ( i max +i min ) V s
R
V o=
Vs
1D
i max=
Vs 2
1D
=0.52 ( i max +i min ) V s
R
( )
i max +i min =
Vs
2
0.52 R ( 1D )
(5.)
i min
R ( 1D )
Vs
DT
2L
(1D)V sV s
Vs
T +i min =
2
L
0.52 R ( 1D )
i min=
de
Vs
Vs
R ( 1D )
(4.)
i max =0.833 A
V sV o
(1D)T
L
i min =0.33 A
Vs
DT
2L
Rmax =62.5
i min=
V s
Vs
1D
( 1D ) T +i max
L
i max=i min
i min=
V s
Vs
1D
( 1D ) T
L
Rmin =25
( 1D ) V s V s
T +i max
L
i max=i min
(1D) V s V s
T
L
Remplazando tanto
i max
i max +
i min como
en (5.)
(1D) V sV s
Vs
T + imax =
2
L
0.52 R ( 1D )
i min=
Vs
R ( 1D )
Vs
DT =0
2L
Vs
R ( 1D )
Lcr=
Vs
DT
2L
L=
R (1D )2
DT
2
Vs
DT =
i max
24 v .0,52.20106 s
=300,63 H
0.8333 A
lcritica=
Vs
DT (3.)
L
2f
FUNCION
DE
CONVERTIDOR
CONTROL
TRANFERENCIA DEL
Y
ESTRATEGIA DE
V o =DT
C=DT
io
C
Vo
R
V o DT
=
Vo
RC
DC
elevado
io
0.616
=
=24.64 F
V o 25100 Khz0.01
DC-
Q=C V o =DT
Fig. 12 Modelamiento
r(boost)/ ideal.
V s= LS
Vo
CS V 0
+
+V o (1D)
R(1D) (1D)
V s=
Analizando los dos estados tenemos que:
Vo
=
Vs
V s=V l+ V o
(1.)V s =L
LS
LC S 2
+
+(1D) V o
R(1D) (1D)
1
LS
LC S2
+
+(1D)
R (1D) (1D)
d il
+V o (1 D)
dt
Vo
=
Vs
i l=i 0+ ic
V
dv
( 2. ) i l (1 D)= o +C o
R
dt
( 1D )
LC
S2 +
(1D )
1
S+
RC
LC
(funcion de transferenciaideal)
( 2. ) ' I l=
Vo
CS V 0
+
R(1D) (1D)
V s=(LS+ r)
V s=
Vo
CS V 0
+
+V o (1D)
R(1D) (1D)
V s=
LC S2
LS
rCS
r
+
+
+
+(1D)
(1D) R(1D) (1D)
R (1D)
V s=
r+ R (1D)2
LC S2 ( L+ rCR)S
+
+
Vo
(1D)
R(1 D)
R(1D)
))
)(
))
)(
V s=V l+ V r +V o
(1.) V s =L
d il
+r il +V o (1D)
dt
i l=i 0+ ic
( 2. ) i l (1 D)=
Vo
dv
+C o
R
dt
( 2. ) ' I l=
Vo
CS V 0
+
R(1D) (1D)
Vo
1
=
Vs
r+ R (1D)2
LC S2 ( L+ rCR) S
+
+
(1D)
R(1 D)
R(1D)
)(
Vo
=
Vs
( 1 D )
LC
( L+rCR ) r + R ( 1D )2
S +
S+
RLC
RLC
2
SELECCIN
DE
SEMICONDUCTORES
DISPOSITIVOS
Segn
las caractersticas de voltaje y
corriente a la salida del dispositivo que se
muestran en la fig. 15.
ETAPA DE CONTROL
La etapa de control se implement con un
microcontrolador pic 18f2550 de microchip.
PORGRAMACION MADRINA
IMPLEMENTACION DE CIRCUITOS
SIMULACIONES
Fig. 24:
BIBLIOGRAFIA
[1].
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Electronics:
Converters,
Applications and Design, Mohan, Undeland y
Robbins.
[2].
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potencia, escuela politcnica superior de
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Valparaso University, Valparaso Indiana.
Prentice Hall.
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[8].http://www.scielo.org.co/pdf/tecn/v16n33/v
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[9].http://www.scielo.org.co/pdf/tecn/v14n26/v
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[10].
Nogueiras M, Andrs, "Nueva
Metodologa de Modelado y Simulacin No
Lineal. Aplicacin a Convertidores PWM
Continua / Continua en Paralelo de
Alto
Rendimiento". Apndice A - Clasificacin y
Anlisis de los Convertidores Conmutados
PWM. Pp. 143-170. Director: D. Alfonso Lago
Ferreiro.
Tesis Doctoral. Universidad de Vigo.
Departamento de Tecnologa Elctrica. 2003.
Disponible
en
http://www.dte.uvigo.es/tesis/andres.nogueira
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[11]http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet
/SGSThomsonMicroelectronics/mXuqsrz.pdf
[12]http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet
2/7/0t7dw89axlyrdhs8xyp6ils60wky.pdf
[13]http://pdf.datasheetcatalog.com/
datasheet/microchip/39617a.pdf