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ATERIALS SCIENCE
CINCIA DOS MATERIAIS
Augusta Cerceau Isaac Neta, Dr.-Ing.
PUC Minas
Departamento de Engenharia Mecnica

CALLISTER - CAPTULO 7

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

CONCEITOS BSICOS

Rearranjos atmicos que acompanham o movimento de uma discordncia aresta

conforme ela se move em resposta aplicao de uma tenso cisalhante
Escorregamento: processo pelo qual uma deformao plstica produzida pelo
movimento de uma discordncia
Plano de Escorregamento: plano cristalogrfico ao longo do qual a linha da
discordncia passa

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

Formao de um degrau na superfcie

de um cristal pelo movimento de
(a) uma discordncia aresta e
(b) uma discordncia espiral.

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

CARACTERSTICAS DAS DISCORDNCIAS

Campos de deformao que existem em torno das discordncias so
importantes na determinao da mobilidade das discordncias,
assim como na habilidade de se multiplicar

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

SISTEMAS DE ESCORREGAMENTO
As discordncias no se movem com o mesmo grau de facilidade em todos os
planos cristalogrficos dos tomos e em todas as direes cristalogrficas

Sistemas de
escorregamento

Planos de escorregamento
Direes de escorregamento

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

SISTEMAS DE ESCORREGAMENTO

Metais com estrutura cristalinas CFC e CCC possuem um nmero

relativamente grande de sistemas de escorregamento (no mnimo, 12).
Estes metais so bastante dcteis!
Metais HC, que possuem poucos sistemas de escorregamento ativos, so
normalmente frgeis!

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

ESCORREGAMENTO DE MONOCRISTAIS
Apesar de uma tenso aplicada ser puramente de
trao (ou compresso), existem componentes de
cisalhamento em todas as direes, exceo daquelas
paralelas e perpendiculares direo da tenso
Tenso cisalhante rebatida:

R = cos cos
: tenso aplicada
: ngulo entre a normal ao pl. escorregamento
e a direo da tenso

: ngulo entre a direes de escorregamento

e da tenso

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

ESCORREGAMENTO DE MONOCRISTAIS
O escorregamento em um monocristal comea no
sistema de escorregamento que est orientado da
maneira mais favorvel, quando a tenso
cisalhante rebatida atinge um valor crtico, tenso
cisalhante rebatida crtica (crit)

(mx ) = crit
A tenso cisalhante rebatida crtica (crit)
representa a tenso cisalhante mnima para iniciar
o escoamento, e uma propriedade do material

e =

crit

(cos cos )mx

DISCORDNCIAS E MECANISMOS DE AUMENTO DE RESISTNCIA

ESCORREGAMENTO DE MONOCRISTAIS
O degrau resulta do movimento de um grande
nmero de discordncias ao longo do mesmo
plano de escorregamento
Esses degraus aparecem na superfcie como
linhas - linhas de escorregamento
Imagem MEV de um monocristal de Cd.
Linhas de escorregamento.