Parmetros caractersticos del transistor

En este captulo, se exponen los principales parmetros que se utilizarn para el

trabajo con transistores.
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce en la
corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de

la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una
variacion de 8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los
transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor
La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de
emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor
para conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un
transistor es la relacin que existe entre la variacin o incremento de la corriente de
colector y la variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de

corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a

otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan
slo 20. Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una
de 400. Por todo ello, se pueden considerar qe los valores normales de este
parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de
transistores, en vez de utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se
suele utilizar h . As por ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en
sus hojas de caractersticas, una h entre 150 y 290; lo que nos indica que la
ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos valores.
FE

FE

Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos indiquen
que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?

La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma

sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unin del diodo colector aumenta el nmero de portadores
minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores proporcionan,
en las hojas de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se
relacionan las variaciones que sufre con respecto a la corriente de colector y a la
temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta hasta un
valor mximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese lmite,
para mayores valores de dicha corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace
observar la existencia de tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de
trabajo para diferentes temperaturas ambiente.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas
variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer errores
sustanciales, que invalidaran las condiciones de trabajo requeridas por el diseo
inicial.
Relacin entre los parmetros y
Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = I /I y = I /I y
teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en
el transistor I = I +I , se pueden encontrar las expresiones matemticas que
relacionen ambos parmetros, tal como se indica a continuacin.
C

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una
ganancia de corriente de 150, operaramos as:
Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de
las uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no
provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin que se aplica no supera los
valores mximos fijados en las hojas de especificaciones tcnicas.
1. Tensin inversa colector-base (V ) con el emisor abierto
CBO

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas

inversamente con la tensin V . Como ocurra con los diodos, esto
provoca la circulacin de una pequea corriente de fuga (I ) que no ser
peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de la unin.
Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la
indicada por el fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer
indicado con las siglas V .
2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta
CB

CBO

CBO

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin
entre el colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las
fuentes de emisor a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca
un pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se sienten
fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es
una pequea corriente de fuga de emisor a colector I . Al igual que
ocurra anteriormente, el valor de esta corriente est determinado por la
tensin colector-base (V ) aplicada. En las hojas tcnicas tambin
aparece la tensin mxima de funcionamiento (V ) que en ningn caso
debe ser superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.
CEO

CEO

CEO

As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de

especificaciones tcnicas aparecen los siguientes valores para las
tensiones de ruptura: V = 30V y V = 20V, lo que significa que este
transistor nunca deber operar con tensiones superiores a estos valores
especificados.
Resistencia de entrada
CBO

CEO

Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste,

visto desde los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en la figura
de abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y las
de la corriente de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada,
se la denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva

caracterstica de transferencia.