Introduo

A sigla GTO significa: Gate Turn off, desligamento pelo Gate em Ingls. Como um
tiristor convencional, pode ser ligado por um pulso positivo no gate. Porm,
diferentemente do mesmo, pode ser desligado por pulso negativo no gate.
Eles so usados em aplicaes de altssimas potncias (vrios MVA), como em
choppers e inversores trifsicos para trao eltrica, compensadores estticos (SVCs) e
fontes de alimentao AC / DC de alta potncia, por exemplo.
Na figura XX vemos o smbolo comum do GTO e sua caracterstica ideal.

Figura XX (a) Smbolo e (b) caracterstica ideal

Histria

O GTO foi inventado na General Electric no incio da dcada de 60. Porm, por
problemas de fraco desempenho, s iniciou seu largo emprego na dcada de 80.
Recentemente passou por melhorias dramticas e hoje ocupa uma significativa
faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia.

Princpio de Funcionamento
A operao e a construo de um GTO semelhante de um tiristor SCR, ou
Silicon Controlled Rectifier. Ambos so formados por quatro camadas PNPN.
Possui 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou
gate), por onde, por meio de um pulso de corrente positivo ou negativo, podemos
permitir ou bloquear a corrente Anodo-catodo.
A figura XX mostra, no smbolo do GTO, onde esto localizados seu anodo,
catodo e gate.

Figura XX Anodo, catodo e gate no smbolo do GTO

Aplicando-se uma tenso Vcc ao dispositivo, no sentido indicado na figura XX,

as junes J1 e J3 sero diretamente polarizadas e a juno J2 ser inversamente
polarizada. Enquanto no houver uma tenso reversa em J2 de valor suficiente para o
rompimento da barreira potencial, o dispositivo no entrar em conduo.

Figura XX Processos de chaveamento GTO

Quando aplicamos um pulso positivo no gate, uma corrente flui do gate para o
catodo. Portadores negativos deslocar-se-o em sentido inverso ao da corrente, do
catodo para o gate.
A construo interna do GTO de tal forma que a camada P, ligada ao gate,
delgada o bastante para que parte destes eltrons (cerca de um tero a um quinto) possua
uma energia cintica considervel para conseguir vencer a barreira de potencial
existente em J2, indo em direo ao anodo, dando incio corrente andica. Se o valor
desta se mantiver acima da corrente de manuteno o dispositivo conduzir mesmo sem
sinal no gate.

Se aplicarmos um pulso negativo no gate portadores positivos sero atrados

pelo mesmo, isso faz com que a barreira potencial na juno J2 seja reestabelecida.
Na figura XX podemos ver as distribuies de corrente durante o
ligamento e durante o desligamento do GTO

Figura XX Distribuio de corrente no GTO (a) Durante o ligamento (b) durante o desligamento

Diferenas bsicas entre SCR e GTO

Seria possvel imaginar que um pulso negativo no gate tambm provocaria o
desligamento do SCR. Porm as diferenas construtivas do GTO em relao ao SCR
permitem esse comportamento apenas no GTO.
Primeiro, as estruturas do gate e do ctodo so altamente interdigitadas. O
objetivo bsico a maximizao da periferia do ctodo e minimizao da distncia do
gate para o centro da regio de ctodo.
Podemos listar ainda a utilizao de alguns tipos de dopantes e suas
caractersticas (GTO):

Utilizao de uma menor dopagem na camada de ctodo, obtendo-se uma maior

resistncia a tenses inversas na juno gate-ctodo.

Utilizao de dopantes de alta mobilidade, obtendo-se uma maior facilidade em se

extrair portadores pelo terminal de gate.

Utilizao de dopantes com baixo tempo de recombinao, obtendo-se um rpido

desparecimento de portadores nas camadas centrais. Essa caracterstica causa uma
maior queda de tenso em conduo, se comparado a um SCR de mesmas
dimenses.

Utilizao de dopantes n+, que penetram a regio p+ no anodo, fazendo com que
haja contato da intermediaria n com o anodo. O curto-circuito das regies
andicas acelera o desligamento do dispositivo.

Na tabela XX temos uma comparao entre as principais caractersticas do GTO

e do SCR de mesma classificao.

Caractersti
cas

VT ON

ton,Igon
toff

Descrio

Tiristor
(1600V,350A)
1,5 V

Queda de tenso no
estado ligado
Tempo de
ligamento, corrente
de gate
Tempo de
desligamento

GTO
(1600V,350A)

us,

3,4 V
200 2 us, 2 mA

mA
150 us

Figura XX Comparao de SCR e GTO de mesma

15 us

classificao

Algumas das desvantagens em relao ao SCR:

Embora o GTO no precise de circuitos de comutao forada, como os

SCRs, a corrente de gate para o desligamento do dispositivo bastante
alta. Isso resulta em circuitos de acionamento de gate bem mais caros.
A necessidade de utilizao obrigatria de circuitos snubbers de
desligamento, pois o GTO no suporta altos dv/dt.
O GTO capaz de suportar impulsos de corrente, mas no tem a
capacidade de bloque-los atravs do gate.
O GTO possui uma capacidade debloqueio de tenses negativas muito
pequena.

Curvas GTO

Condies do sinal de porta para chaveamento

No grfico XX podemos ver a relao da corrente de gate com o
tempo no ligamento e no desligamento do GTO.

Existe a necessidade que o sinal do gate do GTO tenha um rpido

crescimento (dIg/dt) com um valor de pico relativamente elevado (Igm),
pela sua sujeio a condies de alto di/dt. Esta corrente mantida por
tempo sufiente para quebra da barreira potencial.
Para garantir o estado ON mantida uma corrente no gate (Igon)
durante todo o perodo de conduo.
Um grande pico de corrente negativa (IGM) necessrio para
comutao do gate. Isso apressa a retirada dos portadores localizados nas

camadas centrais do semicondutor. Dessa maneira a barreira de pontecial

da juno J2 pode ser reestabelecida.

Equivalent circuit of a GTO thyristor

Simplified cross section of a GTO thyristor