INTERRUPTORES

SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
UNIVERSIDAD PEDAGOGICA Y TECNOLOGICA DE COLOMBIA
ELECTRONICA DE POTENCIA
Ing. Camilo Sanabria

INTRODUCCION

1. Diodos: Estados de conexin y descnexin controlados por

el circuito de potencia.
2. Tiristores: Son activados mediante una seal de control,
pero pueden ser desactivados por medio del circuito de
potencia (control por fase) o por un circuito de control
externo.
3. Interruptores controlables: Se conectan y desconectan
mediante seales de control.

Ing. Camilo Sanabria

Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles se

clasifican en tres grupos, de acuerdo con su grado de
controlabilidad:

INTRODUCCION
Transistores de unin bipolar (bipolar junction
transistors, BJT),
Transistores de efecto de campo xido metlico
semiconductor (metal-oxide-semiconductor field
effect transistors, MOSFET)
Tiristores desactivables por puerta (GTO)
Transistores bipolares de puerta aislada (insulated
gate bipolar transistors, IGBT)

Ing. Camilo Sanabria

Interruptores controlables:

Ing. Camilo Sanabria

DIODOS

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

DIODOS

Ing. Camilo Sanabria

DIODOS

Tiempo de recuperacin inversa del diodo

6

DIODOS
l . Diodos Schottky: Estos diodos se usan donde se requiere una cada
baja de tensin directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensin de
salida muy baja.
2. Diodos de recuperacin rpida: Estos diodos estn diseados para
el uso, en circuitos de alta frecuencia, en combinacin con
interruptores controlables donde se necesita un tiempo corto de
recuperacin inversa.
3. Diodos de frecuencia de lnea: El voltaje de estado de encendido de
estos diodos est diseado para ser lo ms bajo posible, y en
consecuencia tienen tiempos trr ms grandes, aceptables para
aplicaciones de frecuencia de lnea..

Ing. Camilo Sanabria

Segn los requisitos de la aplicacin, estn disponibles varios tipos de

diodos:

Ing. Camilo Sanabria

TIRISTORES

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

TIRISTORES

TIRISTORES
Formas de onda

Intervalo de desconexin

Ing. Camilo Sanabria

Ejemplo de uso:

10

TIRISTORES

Tensiones y corrientes nominales

El tiempo de apagado tq y la cada de la tensin directa.
Magnitud de incremento de la corriente (di/dt) en la
conexin.
Magnitud de incremento de la tensin (dv/dt) en la
desconexin.

Ing. Camilo Sanabria

Segn los requisitos de aplicacin, estn disponibles varios tipos

de tiristores, se recomienda considerar para la seleccin:

11

TIRISTORES

2. Tiristores de grado inversor: Se disearon para tener tiempos de

apagado tq pequeos. adems de bajas tensiones activas, aunque las
tensiones activas son ms grandes en dispositivos con valores ms cortos
de tq.
3. Tiristores activados por luz: Se activan mediante un pulso de luz
conducido por fibras pticas a una regin especial sensible del tiristor. El
disparo del tiristor activado por luz usa la capacidad de la luz de longitudes
de onda correspondientes para generar un exceso de pares de electroneshuecos en el silicio. El uso principal de estos tiristores es en aplicaciones
de alta tensin, como la transmisin de CC de alta tensin, donde se
conectan muchos tiristores en serie para conformar una vlvula de
tiristores.

Ing. Camilo Sanabria

l. Tiristores de control de fase: Algunas veces denominados tiristores de

conversin, se usan sobre todo para rectificar tensiones y corrientes de
frecuencia de lnea en aplicaciones como rectificadores controlados por
fases para accionamientos motrices de CA y CC, y en transmisiones de
energa de alta tensin .

12

CARACTERSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES

CONTROLABLES
ideal

tiene

las

1. Bloquea de forma arbitraria grandes

tensiones directas e inversas con flujo de
corriente cero.
2. Conduce en forma arbitraria grandes
corrientes con cada cero de tensin cuando
est encendido.
3. Conmuta de encendido a apagado o
viceversa en forma instantnea cuando se
dispara.
4. Se requiere una cantidad de energa
insignificante de la fuente de control para
disparar el interruptor.

Ing. Camilo Sanabria

El interruptor controlable
siguientes caractersticas:

13

CARACTERSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES

CONTROLABLES

Ing. Camilo Sanabria

Caracterstica de conmutacin
de un interruptor genrico

14

CARACTERSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES

CONTROLABLES

Ing. Camilo Sanabria

Caracterstica de conmutacin
de un interruptor genrico

15

Ing. Camilo Sanabria

CARACTERSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES

CONTROLABLES

Perdidas por conmutacin en el interruptor

Pconmutacion

1
Vd I O f s tc ( enc ) tc ( apag )
2

Perdidas de encendido en el interruptor

Pconmutacion Venc I O

tenc
Ts

16

CARACTERSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES

CONTROLABLES

1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)

9)

Una pequea corriente de fuga en el estado inactivo.

Un pequeo voltaje de estado activo V para minimizar prdidas de
energa en estado activo.
Tiempos cortos de voltaje de conexin y desconexin.
Gran capacidad de bloqueo de tensin directa e inversa
Corriente nominal alta del estado activo.
Un coeficiente positivo de temperatura de resistencia en estado activo.
Una pequea cantidad de energa para conmutar el dispositivo.
Capacidad de soportar tensin nominal y corriente nominal en forma
simultnea durante la conmutacin.
Grandes capacidades de dv/dt y di/dt.

Ing. Camilo Sanabria

Caractersticas deseables en un interruptor controlable:

17

Ing. Camilo Sanabria

TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR

Y DARLINGTONS MONOLTICOS

18

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR

Y DARLINGTONS MONOLTICOS

19

TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR

Y DARLINGTONS MONOLTICOS
Configuracin triple Darlington
Ing. Camilo Sanabria

Configuracin Darlington

20

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

DE METAL-XIDO-SEMICONDUCTOR

21

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

DESACTIVACIN POR PUERTA DE

TIRISTORES

22

Ing. Camilo Sanabria

DESACTIVACIN POR PUERTA DE

TIRISTORES

23

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

TRANSISTORES BIPOLARES DE
PUERTA AISLADA (IGBT)

24

Curva caracterstica i-v

Curva idealizada i-v

Ing. Camilo Sanabria

TIRISTORES CONTROLADOS MOS

25

Dispositivo

Capacidad
de potencia

Velocidad de
conmutacin

BJT/MD

Media

Media

MOSFET

Baja

Rpida

GTO

Alta

Lenta

IGBT

Media

Media

MCT

Media

media

Ing. Camilo Sanabria

COMPARACIN DE INTERRUPTORES
CONTROLABLES

26

Ing. Camilo Sanabria

COMPARACIN DE INTERRUPTORES
CONTROLABLES

27

BIBLIOGRAFIA

Ing. Camilo Sanabria

ELECTRONICA DE POTENCIA Convertidores, aplicaciones y

diseo; Tercera Edicin; Ned Mohan, Tore M. Undeland,
William P. Robbins

28