INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE LOS REYES.

ELECTRONICA ANALOGICA

TRABAJO Y TEORICO

DOCENTE: ING. FRANCISCO LUIS AYALA CASTEL

GRUPO: 41EA

ALUMNOS:
JONATHAN BARRAGAN MALDONADO
CRISTIAN PULIDO ESPINOSA
JOSE ANTONIO MALDONADO FIGEROA
GRABIEL EDUARDO VALENCIA BARRAGAN

A 20 de marzo de 2015

Actividad 1
Qu es la zona de corte y saturacin de un transistor
BJT?
Regin de corte: la condicin de la regin de corte es que el canal est
completamente estrangulado en las proximidades de la fuente, lo que
sucede cuando la tensin puerta-fuente alcance la tensin de
estrangulamiento (VGS<VP). En este caso ID=0.
Esta dice que no circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor
tambin es nula.
http://dsa-research.org/teresa/Electronica/T02-5.pdf

Regin de saturacin la regin de saturacin tiene lugar cuando la

tensin entre drenador y puerta alcanza la tensin de estrangulamiento.
Para que ello ocurra, el canal N, tiene que estar estrangulado en el
extremo cercano al drenaje, pero no en el extremo del canal cercano a
la fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior, deben ocurrir dos
condiciones:
o VGS > VP
o VGD < VP VGS < VP + VDS
En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS, siendo su expresin

Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman

valores negativos, mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la
direccin ID tal y como aparece en el modelo.
En esta zona el Colector y Emisor se comporta como un interruptor
cerrado y dice que La tensin de la batera se encuentra en la carga
conectada en el Colector.
http://dsa-research.org/teresa/Electronica/T02-5.pdf

Qu es la zona de regin lineal de un transistor BJT?

Regin lineal: es la regin en que se produce un incremento de la
intensidad ID al aumentar VDS. Este incremento es lineal para bajos
valores de VDS aunque la linealidad se pierde cuando VDS se acerca a
-VP. Para trabajar en la regin lineal se deben dar dos condiciones:
o VGS > VP
o VGD > VP VGS > VP + VDS

Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conduccin no

se estrangula por la zona de depleccin en inversa tanto en el extremo
de drenaje como en la fuente. El valor que toma la corriente ID es

Esta nos dice que es donde el transistor esta en el punto Q, es

cuando no esta ni en saturacin ni en corte pero esta conectado con
todos
su
voltajes
de
polarizacin.
http://dsa-research.org/teresa/Electronica/T02-5.pdf

Qu es el punto de operacin o punto Q?

El punto de trabajo Q de un dispositivo consiste Bsicamente en obtener el valor
de las diferentes tensiones y Corrientes que se establecen el funcionamiento el
mismo en su punto Ms estable.
Este punto nos dice que lo que busca son las tensiones y corrientes en continuas
http://dsa-research.org/teresa/Electronica/T02-5.pdf

Actividad 2. Implementa en Workbench el siguiente

circuito:
Cules son sus Voltajes de salida?

El voltaje de salida del colector es de 2v y el voltaje del generador es de 1v a 1

khz por lo tanto se invierte

Por qu?
Esto sucedi por una reduccin de la polarizacin en directo que provoca que la corriente a travs del
transistor se reduzca en forma, considerable

Actividad 3. Implementa en Workbench el siguiente circuito:

Cules son sus Voltajes de salida?
El voltaje de salida del colector es de 1.9v y el voltaje del generador es de 1v a
1 khz por lo tanto se invierte

Por qu?
Es por , una reduccin de la polarizacin en directo provoca que la corriente a travs del transistor se reduzca
en
forma
considerable

Actividad 4. Implementa en Workbench el siguiente circuito:

Cules son sus Voltajes de salida?
El voltaje de salida del emisor es de 1v y el voltaje del generador es de 1v a 1
khz por lo tanto no se invierte

Por qu?
Al aumentar la polarizacin en directo de la unin base-emisor se reduce la barrera de
potencial y se permite el flujo de un mayor nmero de electrones a travs del transistor.
Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos7/biun/biun.shtml#ixzz3Uwo6htSP

Actividad 5. Implementa en Workbench el siguiente circuito:

Cules son sus Voltajes de salida?
El voltaje de salida del emisor es de 1v y el voltaje del generador es de 1v a 1
khz por lo tanto no se invierte

Por qu?
En esta actividad ocurri lo mismo anterior y la nica diferencia es la onda de cada una al aumentar la
polarizacin en directo de la unin base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un
mayor
nmero
de
electrones
a
travs
del
transistor.
Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos7/biun/biun.shtml#ixzz3Uwo6htSP

Transistor bipolar

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones

semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones
(uniones PN). En la figura 4 observamos el aspecto til para
anlisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que
el
de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P,
entonces la base ser tipo N y el colector tipo P. Esta
estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el
emisor es tipo N, entonces la base ser P y el colector N,
dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden
impurezas1, de forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas. En la
figura 5 vemos elaspecto tpico de un transistor bipolar real, de los que se
encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una base n (substrato que acta
como colector), se difunden regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de
emisor y base.
Es de sealar que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes
para el correcto funcionamiento del mismo.
Obsrvese la figura 6, en ella se pretende dar una idea de las relaciones de
tamao que deben existir entre las tres regiones para que el dispositivo cumpla su
misin.
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto
ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la
corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector, como veremos ms adelante. Adems, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como
si de dos diodos en oposicin se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas
de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que
provienen del emisor. En posteriores apartados se tratar el tema.