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classificada
como
fluorescncia.refrao: A parte do raio luminoso que
transmitida atravs do outro meio, sofre uma mudana na
direo de propagao. Este fenmeno a refrao, e
ocorre devido a mudana na velocidade de propagao da
onda.Fotocondutividade a propriedade que est
presente nos materiais semicondutores e depende do
nmero de eltrons existentes na banda de conduo e
tambm do nmero de buracos na banda de valncia. Ela
ocorre quando um eltron excitado por luz podendo
passar para a banda de conduo e tem sua
condutividade
eltrica
aumentada.
7Materiais
policristalinos cujo ndice de refrao anisotrpico
podem ser translcidos, por qu?resp Podem, pois possuir
um ndice de refrao anisotrpico indica uma passagem
de luz de maneira no regular, oque define um material
translcido.5 A condutividade trmica e as propriedades
pticas de polmeros dependem do grau de cristalinidade
deste material? Explique como a dependncia destas
propriedades com a cristalinidade e justifique.Resp:
Materiais polimricos so isolantes uma vez que eles tm
ausncia de eltrons livres O transporte de calor nestes
slidos ocorre atravs da transferncia de energia
acompanhada pela vibrao e rotao das cadeias
polimricas. Quanto mais ordenada a estrutura mais
efetiva a propagao de calor para este tipo de
mecanismo. Assim um polmero amorfo, ou seja, com
estrutura desorganizada, ser mais isolante trmico do
que o mesmo polmero cristalino.No caso das
propriedades pticas o que observado que as
interfaces entre as regies cristalinas e amorfas atuam
como reas de espalhamento da luz visvel, tornando o
material de translcido (para um certo grau de
cristalinidade) e at mesmo totalmente opacos no caso de
polmeros totalmente cristalinos. Assim, os polmeros
totalmente amorfos so transparentes luz visvel.9O
principio de funcionamento do LASER a base de rubi
comumente apresentado para compreenso do fenmeno
de gerao de LASER. Entretanto a aplicao comercial,
como no caso das conhecidas lasers points, materiais
semicondutores so utilizados para emitir LASER. Explique
o princpio de gerao de LASER por semicondutores.resp
Uma
caracterstica
dos
materiais
semicondutores
utilizados na construo de dispositivos que produzam
LASER que o comprimento de onda associado a banda
gap de energia Eg deve corresponder ao comprimento da
luz visvel.A voltagem aplicada a estes materiais excita
eltrons da banda de valncia para que estes ultrapassem
a banda gap e cheguem banda de conduo.
Consequentemente os buracos eletrnicos so gerados na
banda de valncia. Na seqncia os eltrons excitados e
os buracos se recombinam espontaneamente. Cada
recombinao emite um fton de luz. Cada fton estimula
outras recombinaes de eltrons e buracos gerando a
produo de adicionais ftons de mesmo comprimento de
onda de forma que um feixe monocromtico e coerente
resultante do processo. Uma das extremidades do
semicondutor e completamente reflexiva e a outra
parcialmente reflexiva para que os feixes sejam refletidos
repetidamente at que haja a formao de um feixe com
energia suficiente para escapar pela extremidade
parcialmente reflexiva.a) discordncia- defeito linear ou
unidimensional em torno do qual alguns dos tomos esto
desalinhados c) Lei de Bragg est relacionada ao
espalhamento de ondas quando incidentes em um cristal
e sugere uma explicao para os efeitos difrativos
observados por esta interao d) material cristalino
tomos esto situados em um arranjo que se repete ou
que peridico ao longo de grandes distancias
atmicas,existe ordem a longo alcance. 4 Por que a
ocorrncia de soluo slida intersticial pouco provvel
em materiais metlicos.Resp: para materiais metlicos
que possuem fatores de empacotamento atmico
relativamente elevados as posies intersticiais so
relativamente pequenas para ser ocupadas pelo atomo da
impureza7.D exemplo de 03 tipos de imperfeies em
slidos. Apresente 03 situaes onde as imperfeies em
slidos so teis na aplicao de materiais.Resp: Tipos de
imperfeies
em
slidos:
Vacncias,
Impurezas
substitucionais, Impurezas intersticiais, contorno de gros,
contornos
de
fase.Impurezas
substitucionais:
Aplicao: A substituio de um tomo da rede altera a
configurao eletrnica da estrutura transformando, por
ex. um semicondutor de tipo n em tipo p, o que permite
construir o diodo (aplicado na indstria eletroeletrnica);Contorno de gros: Metais com muita rea
de contorno de gro so mais duros que aqueles com
menor rea. O contorno til para ancorar as linhas de
discordncias, aumentando assim a dureza ou o limite de
resistncia de metais.Impurezas intersticiais: O ao um
exemplo de aplicao deste tipo de defeito porque o
carbono entra intersticialmente na rede do Ferro (CCC)
imprimindo distores na rede cristalina e confere ao ferro
propriedades mecnicas aplicveis nos diversos setores
da indstria. 4 Relacione o poo de energia com a
propriedade de dilatao trmica de metais e cermicas.
Resp:Existem duas formas de conduo de calor: por
eltrons ou por fnons. A principal forma de conduo de
calor nos materiais metlicos por vibrao dos eltrons
livres, que muito mais eficiente do que a conduo por
fnons (vibrao de rede). Como os materiais cermicos e
polimricos apresentam muitos menos eltrons livres do
que os metais, eles conduzem calor por fnons, fazendo
destes materiais bons isolantes trmicos. 6 A capacidade
de resistir a um choque trmico depende no somente da
variao de temperatura como tambm de certas
propriedades. Relacione-as.Resp:A capacidade de resistir
a um choque trmico (TRS) depende tambm das
propriedades mecnicas e trmicas do material. A
resistncia ao choque trmico de uma cermica ser
melhor se f e a condutividade trmica, K, forem altos.
Depende ainda o mdulo de elasticidade, E e do
coeficiente de expanso trmica, . 3Explique o
comportamento mecnico para materiais polimricos.Res:
Comportamento tenso deformao- so especificadas
atravs de muitos dos mesmo parmetros usados para
metais,isto modulo de elasticidade,o limite de
resistncia a trao e as resistncias ao impacto e a
fadigae muito dependente da tempetura submetida, o
ambiente e a cristalinidade.4 Qual a diferena entre o
fenmeno da luminescncia e da gerao de LASER?.
RespToda a transio de eltrons at aqui mencionada
espontnea, ou seja, um eltrons decai de um nvel de
maior para um de menor energia.
Isto ocorre
independentemente de qualquer evento e aleatoriamente
com o tempo.No caso dos lasers, entretanto, a luz
gerada por uma transio dos eltrons induzida por um
estmulo externo.