CAPTULO 1 O diodo e a juno PN

O DIODO E A JUNO PN

Na moderna tecnologia de fabricao de dispositivos discretos e de circuitos

integrados, trs materiais so fundamentais:

Condutores
Isolantes
Semicondutores

Nesta classificao, est se considerando uma propriedade destes materiais

que representa a facilidade (ou dificuldade) para a circulao de uma corrente
eltrica.
Esta propriedade a resistividade ( - expressa em [.m]) e, a seguir, temos
valores tpicos para alguns materiais dentro das trs categorias:
MATERIAL
COBRE
MICA
SILCIO

TIPO
CONDUTOR
ISOLANTE
SEMICONDUTOR

- [.m]
10-6
1012
50.103

1.1 SILCIO
O material semicondutor mais usado o silcio. Um tomo isolado de silcio
possui 14 prtons e eltrons. Conforme mostrado na figura abaixo, a primeira
rbita contm 2 eltrons e a segunda, 8 eltrons. Os 4 eltrons restantes esto
na rbita externa ou de valncia.

A ltima rbita (rbita de Valncia) a mais importante, pois determina as

propriedades qumicas e eltricas do material. Por possuir 4 eltrons nesta
rbita o Si dito ser tetravalente.

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1.2 NVEIS DE ENERGIA DOS ELTRONS
Importante ressaltar que os eltrons apresentam nveis discretos de energia
ocupando somente rbitas bem definidas em relao ao ncleo.
Existe um gap de energia entre as rbitas. Para que um eltron passe de uma
rbita inferior para uma superior, ele precisa receber energia (no mnimo a
energia do gap). Esta energia pode estar na forma de luz, calor, choque com
outra partcula, etc. Para passar de uma rbita superior para uma inferior o
eltron deve liberar energia (luz, calor, por exemplo).
O nmero de rbitas possveis de serem ocupadas infinito, no entanto, existe
um ponto em que o eltron est em uma rbita to distante que pode ser
considerado um eltron livre e o tomo se torna um on positivo.

1.3 LIGAES COVALENTES

A rbita de valncia se satura com 8 eltrons conferindo ao material
estabilidade qumica .
Os tomos de silcio, ento, arranjam-se de tal forma que cada um deles
possua, dinamicamente, 8 eltrons em sua rbita de valncia. Esta unio entre
os tomos chamada ligao covalente (compartilhamento de eltrons de
valncia).
A estrutura passa a receber o nome de Cristal de Si (uma estrutura cristalina
um arranjo de tomos que se repete regularmente no espao).
O cristal de silcio obtido atravs de processos de purificao obtendo-se o
que se denomina de Silcio Intrnseco.

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1.4 GERAO
TRMICA
RECOMBINAO

DE

PARES

ELTRONS-LACUNA

Ao ceder energia trmica para o cristal de silcio alguns eltrons quebram as

suas ligaes covalentes e passam para a banda de conduo. Uma ligao
covalente quebrada recebe o nome de lacuna e sempre sero gerados ao
pares, ou seja, a quebra de uma ligao covalente gera um par eltron-lacuna
e, particularmente, por estar se considerando uma energia trmica tem-se a
gerao trmica de pares eltron-lacuna.
Eventualmente, um eltron livre encontra uma lacuna e pode voltar a ocupar
esta ligao covalente que havia sido quebrada. Este processo se chama
recombinao e o eltron deve perder energia. Normalmente, a devoluo de
energia se faz na forma de calor e/ou emitindo luz. Para uma temperatura
ambiente constante tem-se uma situao de equilbrio entre a gerao trmica
de pares eltron-lacuna e a recombinao

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1.5 SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Um semicondutor intrnseco um
semicondutor intrnseco se todos os
temperatura ambiente, um cristal de
aproximadamente, porque ele tem
produzidas pela energia trmica.

semicondutor puro. Um cristal ser

tomos do cristal forem de silcio. Na
silcio comporta-se como um isolante
apenas alguns eltrons e lacunas

1.6 DOPAGEM DE UM SEMICONDUTOR

Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor pela
dopagem. Isso significa adicionar impurezas aos tomos de um cristal
intrnseco para alterar sua condutibilidade eltrica. Um semicondutor dopado
chamado semicondutor extrnseco.
1.6.1

Impureza Doadora Semicondutor Tipo N

So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de

valncia. Ex.: Fsforo, Antimnio e Arsnio). O tomo pentavalente entra no
lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro
ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente ligado ao ncleo do
pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo
n, onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em
nmero as lacunas num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados
portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios.

1.6.2 Impureza aceitadora Semicondutor Tipo P

So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia.
Ex.: Boro, alumnio, glio e ndio). O tomo trivalente entra no lugar de um
tomo de silcio dentro do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes

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covalentes. Isto significa que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada
tomo trivalente.
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor
tipo p, onde p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em
nmero os eltrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas
portadores majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios.

1.7 JUNO PN - DIODO

A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n obtm-se uma juno pn, que
um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

Devido repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas as

direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando
isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado
negativamente. (um on negativo)

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Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ons
esto fixo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que
o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e
lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo. Depleo significa
diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde ausncia de
portadores majoritrios na regio prxima juno PN.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo
a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de
depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja
um equilbrio.
A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de
barreira de potencial. A 25C esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o
germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:

1.8 POLARIZAO DE UM DIODO

Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas
extremidades. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma
polarizao direta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o
material tipo p e o plo negativo em contato com o material tipo n.
1.8.1 Polarizao Direta
A polarizao direta ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se
ligado ao lado P e o potencial negativo no lado N. Com a tenso da fonte maior
que a tenso da barreira de potencial, os eltrons do lado N ganham mais
energia porque so repelidos pelo terminal negativo da fonte, rompem a
barreira de potencial e so atrados pelo lado P, atravessando, assim, a juno.

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No lado P, eles recombinam-se com as lacunas, tornando-se eltrons de
valncia, mas continuam deslocando-se de lacuna em lacuna, pois so
atrados pelo terminal positivo da fonte, formando-se uma corrente eltrica de
alta intensidade (ID), fazendo com que o diodo semicondutor se comporte como
um condutor.

1.8.2 Polarizao Reversa

A polarizao reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte encontra-se
ligado no lado P e o potencial positivo no lado N.
Por causa da polarizao reversa, os eltrons do lado N so atrados para o
terminal positivo e as lacunas para o terminal negativo da fonte, aumentando,
assim, a camada de depleo e, consequentemente, a barreira de potencial.
Desta forma, os portadores majoritrios de cada lado do diodo (lacunas no lado
P e eltrons no lado N) no circulam pelo circuito.

1.9 CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da
tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.
1.9.1 Polarizao direta
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Tenso de Joelho
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se
ultrapasse a barreira potencial. medida que a bateria se aproxima do
potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a
juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a
aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. (No Si aprox. 0,7V).
1.9.2 Polarizao Reversa

O diodo polarizado reversamente passa uma corrente eltrica extremamente

pequena, (chamada de corrente de fuga).
Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um
momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo)
a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente.

Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de

ruptura.

1.9.3 Grfico Completo

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1.10

RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE

Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode gerar
uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie com o
diodo para limitar a corrente eltrica que passa atravs deles.
RS chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior o RS, menor a
corrente que atravessa o diodo e o RS.

1.10.1 Reta de Carga

Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar
atravs de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um
mtodo para determinar o valor exato da corrente e da tenso sobre o diodo,
o uso da reta de carga. Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da
curva do resistor.
Na figura acima, a corrente I atravs do circuito a seguinte:
I

Vs Vd
Rs

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No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem

dadas a tenso da fonte e a resistncia RS, ento so desconhecidas a
corrente e a tenso sob o diodo. Se, por exemplo, no circuito da Figura anterior
o VS =2V e RS = 100, ento:
I

2 Vd
100

Para traar a reta de carga, procede-se da seguinte forma:

1) Determina-se a tenso de corte VC (tenso no diodo quando ele est aberto)

VC V S
VC 2V
2)Determina-se a corrente de saturao IS (corrente no diodo quando ele est
aberto)
IS
IS

VS
RL

2
20mA
100

3) Traa-se a reta de carga sobre a curva caracterstica do diodo.

4) O ponto quiescente (V D e I D ) corresponde exatamente s coordenadas
do ponto Q onde a reta de carga intercepta a curva caracterstica do
diodo.

(I=0A,V=2V) Ponto de corte=corrente mnima do circuito.

(I=20mA, V=0V) Ponto de saturao = corrente mxima do circuito.
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(I=12mA, V=0,78V) Ponto de operao ou quiescente = representa a corrente

atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma tenso de 0,78V.

1.11

APROXIMAES DO DIODO

Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva

do diodo, mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para
facilitar os clculos.
1.11.1 1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)
Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no
sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona
como uma chave aberta.

1.11.2 2 APROXIMAO
Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.

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Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.
1.11.3 3 APROXIMAO
Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.

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