UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA

CENTRO DE TECNOLOGIA
CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA

TRABALHO DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS ELETRONICOS II

Prof. Cesar Ramos Rodrigues

Lucas Coradini Prevedello

Santa Maria, RS, Brasil

2015

Seo 4.1
1.

(1)

(2)

(3)

Grfico 1: Baseado na Fig. 4.1, pgina 107

2.
Comparando o sinal obtido
obtido na sada em relao a entrada, notamos que a fase
invertida, e o sinal de sada amplificado,
amplificado, ocasionando um ganho de tenso.
tenso O
-1
termo K refere-se
se a resistncia .

Seo 4.3
1.
Um transistor encontra-se na regio ativa se a juno base-emissor (JBE)
estiver diretamente polarizada (VBE> tenso de limiar), a juno base-coletor (JBC)
inversamente polarizada com 0< VBC<VCC e 0<VCE<VCC.

2.
A regio da fonte muito delgada e, como a juno BE est sob polarizao
direta, os eltrons fluem do emissor para a base, e lacunas, da base para o emissor.
Para o funcionamento adequado do transistor a primeira corrente deve ser muito maior
que a segunda; isto requer que o nvel de dopagem do emissor seja muito maior que o
da base. O emissor injeta um grande nmero de eltrons na base e recebe dela um
pequeno nmero de lacunas.

3.

1"

exp

1"

(4)

Onde, Nb e Ne detonam nveis de dopagem na base e no emissor,

respectivamente. Tambm saliento que exp

$%

$&

'( .')
+
*

Aplicando a lei da difuso, o fluxo de eltrons no coletor calculado por:

-. .

/
/

-. .

(5)

1 refere-se a largura da regio de base. Multiplicando essa quantidade pela

rea da seo reta do emissor
usando o valor de
e mudando o sinal para
obter a corrente convencional, temos:

23

. -. . .
.1

1"

(6)

Supondo que exp 4

$()
$&

5 1,

23

28 . exp

28

(7)

"

. -. . .
.1

(8)

Quando conectamos dois transistores unindo seus terminais equivalentes, e

assumindo que I: + I:# = I<# , temos que:
#

. -. . .
.1

28# 2.

. exp

(9)

Isso demonstra que a corrente de saturao 28# pode ser considerada como a
corrente de coletor de um nico transistor cujo emissor tem rea 2 . Ou seja, em
outras palavras, quando dois transistores esto em paralelo funcionam como um nico
transistor com o dobro de rea de emissor de cada um.

Seo 4.4
1.
Is=5.10-14 A
=200
VT=26mV

23

28 .
2?

$()
$

23
@

(20)

(31)

23 A
0,60
0,65
0,70
0,75

2?

0,526
2,63
3,60
18,00
24,63 123,15
168,53 842,65
Tabela 1

Grfico Ic x Vbe
1,80E-01
1,60E-01
1,40E-01
1,20E-01
1,00E-01
8,00E-02
6,00E-02
4,00E-02
2,00E-02
0,00E+00
0,55

0,6

0,65

0,7

0,75

0,8

Grfico 2: Grfico mostrando a curva da corrente de coletor em funo de Vbe, com os dados
retirados da Tabela 1.

Grfico Ib x Vbe
9,00E-04
8,00E-04
7,00E-04
6,00E-04
5,00E-04
4,00E-04
3,00E-04
2,00E-04
1,00E-04
0,00E+00
0,55

0,6

0,65

0,7

0,75

0,8

Grfico 3: Grfico mostrando a curva da corrente da base em funo de Vbe, com os dados
retirados da Tabela 1.

2.

23
0,1

28 .

5. 10

D E

$()
$

(42)

$()
#F. GH

0,73642

(53)

(64)

O valor mnimo de VCE precisa ser maior que VBE, e o valor mximo
precisa ser menor que a tenso de alimentao do circuito (VCC).

3.

4.
Aumentando a tenso Vbe em 1mV, ou seja de 0,73642 V para 0,73742 V,
recalculamos as correntes de base e coletor.

MA
2N

2N
26A

MA. Q
2Q

2N
@

0,1
26A

3,85 P

3,85.0,001
3,85A
200

3,85A

19,25 S

(7)

(8)
(9)

0,73642
0,73742
0,73842

23 A

100,00
103,92
107,77
Tabela 2

2?

500,00
519,60
538,50

Analisando os dados da Tabela 2, podemos notar que para cada mV de

incremento em Vbe, a corrente de coletor aumenta aproximadamente 3,85mA, e a
corrente de base aumenta em 19,25uA. Essas variaes so caractersticas da
propriedade fsica chamada transcondutncia (gm) que atua no dispositivo.