Instituto Tecnolgico de San Juan del Rio

Principios Electrnicos y Aplicaciones Digitales

Profesor: Justino

Unidad 1
Electrnica Analgica

Integrantes:
Barranco Martnez Aldo
Almanza Castaeda David
Villamayor de la Cruz Yessica

Fecha de Entrega: Marzo de 2015

EVIDENCIA
S

Electrnica Analgica
1.1 Corriente alterna y corriente directa
Corriente alterna
La corriente alterna es aquella en que la que la intensidad cambia de direccin
peridicamente en un conductor. Como consecuencia del cambio peridico de
polaridad de la tensin aplicada en los extremos de dicho conductor.
La variacin de la tensin con el tiempo puede tener diferentes formas: sinodal (la
forma fundamental y ms frecuente en casi todas las aplicaciones de electrotecnia);
triangular; cuadrada; trapezoidal; etc. Si bien estas otras formas de onda no
sinodales son ms frecuentes en aplicaciones electrnicas. Las formas de onda no
sinodales pueden descomponerse por desarrollo en serie de Fourier en suma de
ondas sinodales (onda fundamental y armnicos), permitiendo as el estudio
matemtico y la de sus circuitos asociados

Corriente Directa
La corriente directa (CD) o corriente continua (CC) es aquella cuyas cargas elctricas
o electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito elctrico cerrado,
movindose del polo negativo hacia el polo positivo de una fuente de fuerza
electromotriz (FEM), tal como ocurre en las bateras, las dinamos o en cualquier otra
fuente generadora de ese tipo de corriente elctrica.
1.1.1

Caractersticas

CICLO:
Variacin completa de la tensin o la corriente de cero a un valor
mximo positivo y luego de nuevo a cero y de este a un valor
mximo negativo y finalmente a cero.

FRECUENCIA:
Nmero de ciclos que se producen en un segundo. Su unidad es el
Hertz (Hz ) que equivale a un ciclo por segundo, se representa con
la letra f.
en
segundos
Frecuencia
T=1/ff=1/T

y
y

se

representa
periodo

con
la
letra
P.
son valores inversos

PERIODO:
Tiempo necesario para que un ciclo se repita. Se mide en
segundos y se representa con la letra . Frecuencia y periodo son
valores inversos T= 1/f =1/T

1.1.2

Generacin de corriente en CA y CD

El generador de corriente alterna es un dispositivo que convierte la energa mecnica

en energa elctrica. El generador ms simple consta de una espira rectangular que gira
en un campo magntico uniforme.
El movimiento de rotacin de las espiras es producido por el movimiento de una turbina
accionada por una corriente de agua en una central hidroelctrica, o por un chorro de
vapor en una central trmica. En el primer caso, una parte de la energa potencial agua
embalsada se transforma en energa elctrica; en el segundo caso, una parte de la
energa qumica se transforma en energa elctrica al quemar carbn u otro combustible
fsil.
Generacin de corriente directa
El papel ms importante que desempea el generador de cd es alimentar de electricidad
el motor de cd.
En esencia, Produce corriente libre de rizo y un voltaje fijo de manera muy precisa a
cualquier valor deseado desde cero hasta el valor mximo nominal;
1.2 Dispositivos pasivos
Elementos pasivos son aquellos componentes de los circuitos, que disipan o almacenan
energa elctrica o magntica y constituyen por ello los receptores o cargas de un circuito.
Estos elementos son modelos matemticos lineales e ideales de los elementos fsicos del
circuito que, individualmente, pueden presentar las siguientes propiedades:
Disipacin de energa elctrica (R: resistencia);
Almacenamiento de energa en campos magnticos (L: coef. de autoinduccin);
Almacenamiento de energa en campos elctricos (C: capacidad).
1.2.1 Caractersticas
Las caractersticas de los componentes prcticos pueden sintetizarse por medio de una
adecuada combinacin de R, L y C. El trmino resistencia o resistor se utiliza para
caracterizar un componente de un circuito cuyo comportamiento se aproxima idealmente a
un elemento R puro. El trmino bobina o inductor se
refiere a un componente de un circuito cuya principal
caracterstica es la inductancia. El condensador indica un
componente cuyo comportamiento se aproxima idealmente
a un elemento C puro.
Los elementos R, L y C se suponen ideales, lo cual quiere
decir que cada uno tiene unas propiedades nicas e
independientes de las caractersticas de los otros, y adems implica que las relaciones
existentes entre la tensin y corriente en cada uno son lineales, es decir, las relaciones v-i
consisten en ecuaciones diferenciales lineales con coeficientes constantes.

1.2.2 Tcnicas de solucin en circuitos RLC

En electrodinmica un circuito RLC es un circuito lineal que contiene una resistencia
elctrica, una bobina (inductancia) y un condensador (capacitancia). Existen dos tipos de
circuitos RLC, en serie o en paralelo, segn la interconexin de los tres tipos de
componentes.
El comportamiento de un circuito RLC se describen generalmente por una ecuacin
diferencial de segundo orden (en donde los circuitos RC o RL se comportan como
circuitos de primero orden). Con ayuda de un generador de seales, es posible inyectar
en el circuito oscilaciones y observar en algunos casos el fenmeno de resonancia,
caracterizado por un aumento de la corriente (ya que la seal de entrada elegida
corresponde a la pulsacin propia del circuito, calculable a partir de la ecuacin diferencial
que lo rige).
1.2.3 Aplicaciones
Dentro de las aplicaciones que se pueden realizar con los dispositivos pasivos, es la
creacin de filtros pasivos, estos sern los que atenuaran la seal en mayor o menor
grado, se implementan con componentes pasivos como condensadores, bobinas y
resistencias.
Los circuitos RLC son generalmente utilizados para realizar filtros de frecuencias o de
transformadores de impedancia
1.3 Dispositivos Activos
Aquel que necesita una fuente de energa externa a la seal para funcionar.
Por ejemplo: Los transistores

1.3.1

Caractersticas Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de un
conductor y un aislante. Son materiales que ocupan una oposicin intermedia
entre los aislantes y los conductores. Los primeros poseen muy pocas cargas
mviles y, en consecuencia, presentan una resistencia muy alta al paso de la
corriente (idealmente una resistencia infinita). La resistencia elctrica que
presentan los segundos es muy baja(idealmente cero) debido a su riqueza en
dichas cargas. Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y
permiten el paso de corriente a la temperatura ambiente. Esta
capacidad de
conducir corriente puede ser controlada mediante la introduccin en el material de
tomos diferentes al del semiconductor, denominados impurezas. Cuando un
semiconductor posee impurezas se dice que est dopado. Son elementos, como el
germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que
se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta
posible su conduccin. Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin
de transistores, circuitos integrados, etc.

1.3.1.1 Estructura electrnica de silicio

El silicio es un elemento qumico metaloide, nmero atmico 14 y situado en el grupo 14
de la tabla peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbono ideos
de smbolo Si. Es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (27,7% en
peso) despus del oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un
polvo parduzco, ms activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de
color azul grisceo y brillo metlico.
Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En forma cristalina
es muy duro y poco soluble y presenta un brillo metlico y color grisceo. Aunque es un
elemento relativamente inerte y resiste la accin de la mayora de los cidos, reacciona
con los halgenos y lcalis diluidos. El silicio transmite ms del 95% de las longitudes de
onda de la radiacin infrarroja.
Se prepara en forma de polvo amarillo pardo o de cristales negrosgrisceos. Se obtiene calentando slice, o dixido de silicio (SiO2), con un
agente reductor, como carbono o magnesio, en un horno elctrico. El
silicio cristalino tiene una dureza de 7, suficiente para rayar el vidrio, de
dureza de 5 a 7. El silicio tiene un punto de fusin de 1.411 C, un punto
de ebullicin de 2.355 C y una densidad relativa de 2,33(g/ml). Su masa atmica es
28,086 u (unidad de masa atmica).
Se disuelve en cido fluorhdrico formando el gas tetra fluoruro de silicio, SiF4 (ver flor),
y es atacado por los cidos ntrico, clorhdrico y sulfrico, aunque el dixido de silicio
formado inhibe la reaccin. Tambin se disuelve en hidrxido de sodio, formando silicato
de sodio y gas hidrgeno. A temperaturas ordinarias el silicio no es atacado por el aire,
pero a temperaturas elevadas reacciona con el oxgeno formando una capa de slice que
impide que contine la reaccin. A altas temperaturas reacciona tambin con nitrgeno y
cloro formando nitruro de silicio y cloruro de silicio, respectivamente.
El silicio constituye un 28% de la corteza terrestre. No existe en estado
libre, sino que se encuentra en forma de dixido de silicio y de silicatos
complejos. Los minerales que contienen silicio constituyen cerca del
40% de todos los minerales comunes, incluyendo ms del 90% de los minerales que
forman rocas volcnicas. El mineral cuarzo, sus variedades (cornalina, crisoprasa, nice,
pedernal y jaspe) y los minerales cristobalita y tridimita son las
formas cristalinas del silicio existentes en la naturaleza. El dixido de
silicio es el componente principal de la arena. Los silicatos (en
concreto los de aluminio, calcio y magnesio) son los componentes
principales de las arcillas, el suelo y las rocas, en forma de
feldespatos, anfboles, piroxenos, micas y zeolitas, y de piedras
semipreciosas como el olivino, granate, zircn, topacio y turmalina.

1.3.1.2 Estructura Elctrica del Germanio

La electrnica de estado slido surge de las propiedades nicas del silicio y del germanio,
cada uno de los cuales tienen cuatro electrones de valencia y forman una red cristalina en
la cual, los tomos sustituidos (dopantes) pueden cambiar drsticamente las propiedades
elctricas.

En la electrnica de estado slido, ya sea el silicio como el germanio puros pueden ser
utilizados como semiconductores intrnsecos, los cuales forman el punto de partida para la
fabricacin. Cada uno de ellos tienen cuatro electrones de valencia, pero el germanio a
una determinada temperatura tiene ms electrones libres y una mayor conductividad. El
silicio es de lejos, el semiconductor ms ampliamente utilizado en electrnica,
particularmente porque se puede usar a mucha mayor temperatura que el germanio.
-El germanio se utiliza como material semiconductor. Se usa
generalmente, junto al silicio, en los circuitos integrados de alta
velocidad para mejorar su rendimiento. En algunos casos se
est planteando sustituir al silicio por germanio para hacer
chips miniaturizados.
-Tambin se utiliza en las lmparas fluorescentes y algunos
diodos LED.
-Algunos pedales de guitarra contienen transistores de
germanio para producir un tono de distorsin caracterstico.
-Se puede utilizar en los paneles solares. De hecho, los robots
exploradores de marte contienen germanio en sus clulas
solares.
-El germanio se combina con el oxgeno para su uso en las lentes de las cmaras y la
microscopa.
-Tambin se utiliza para la fabricacin del ncleo de cables de fibra ptica.
-Tambin se utiliza en aplicaciones de imgenes trmicas para uso militar y la lucha
contra incendios.
-El germanio se utiliza en el control de los aeropuertos para detectar las fuentes de
radiacin.
-Hay algunos indicios de que puede ayudar al sistema inmunolgico de pacientes con
cncer, pero esto todava no est probado. Actualmente el germanio est considerado
como un peligro potencial para la salud cuando se utiliza como suplemento nutricional.

1.3.1.3 Materiales tipo N y tipo P

Semiconductores extrnsecos:
Son materiales semiconductores puros contaminados con impurezas enmnimas
proporciones (una partcula entre un milln). A este proceso de contaminacin se le
denomina dopaje.
Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:
Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5,como son
Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto electrn de
este tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en
el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.
Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3,
como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este tomo en el material,
queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la
estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son
portadores mayoritarios.
1.3.2

Dispositivos Semiconductores

Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan como aislantes a bajas

temperaturas pero a temperaturas ms altas se comportan como conductores. La razn
de esto es que los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos
ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la temperatura
son capaces de abandonar el tomo para circular por la red atmica del material. En
cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser
ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red. Los materiales
semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los cuales poseen
cuatro electrones de valencia en su ltimo nivel. Por otra parte, hay que decir que tales
materiales forman tambin estructura cristalina.
Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems de calor,
tambin se puede emplear luz.
1.3.2.1. Diodo
El diodo es un componente electrnico que consiste simplemente en la unin de dos
cristales semiconductores extrnsecos, uno tipo N y otro tipo P. Al unirlos, parte del
exceso de electrones del tipo N pasa al cristal tipo P, y parte de los huecos del tipo P
pasan al cristal tipo P. Crendose en la unin una franja llamada zona de transicin que
tiene un campo elctrico que se comporta como una barrera que se opone al paso de ms
electrones desde la zona N hacia la zona P y de huecos desde la zona P a la zona N.
1.3.2.1.1 LED
Tambin conocido como diodo luminiscente (acrnimo de Light Emitting Diode) es un
diodo semiconductor que emite luz visible cuando se hace pasar una corriente a travs de
l.
Se realiza mediante semiconductores intrnsecos (C, Si y Ge) y mezclas de elementos del
grupo III y del grupo V de la tabla peridica, entre los que cabe citar el Arseniuro de Galio
(As Ga), el Fosfuro de Galio (Ga P) y el Fosfuro de Arseniuro de Galio (Ga As P). Estos

compuestos semiconductores poseen una estructura de bandas de energa que propicia

la emisin de luz mediante transicin de electrones desde la banda de conduccin a la de
valencia, cuando se realiza con ellos una unin P-N y se polariza directamente. El efecto
de la emisin de luz recibe el nombre de electroluminiscencia.
En funcin de las caractersticas de los semiconductores utilizados el diodo luminiscente
puede emitir luz visible o infrarroja. En el segundo caso en lugar de diodo luminiscente
(LED) se le suele denominar diodo infrarrojo IRED (acrnimo de Infrared Emitting Diode).
La corriente que puede pasar a travs de un diodo luminiscente es de algunos
miliamperios con una cada de tensin del orden de 1 a 2 voltios. Es conveniente destacar
que las caractersticas de las uniones P-N de los diodos emisores de luz no permiten que
se les apliquen tensiones inversas elevadas. Por ello se destruyen cuando por error se
invierte la polaridad de la fuente de alimentacin.
1.3.2.1.2 Rectificadores
RECTIFICADOR: Es un sistema capaz de convertir una seal de entrada alterna senoidal
en otra que tenga el mismo sentido, paso previo para convertir corriente alterna en
continua. Antes de rectificar la corriente, se emplea un transformador que reduce el valor
de la tensin.
Ejemplos:
- Rectificador de media onda:
Es un rectificador que consta de un solo diodo, el cual slo deja pasar media onda de la
seal alterna. As, se elimina la parte negativa de la onda alterna. Esto se debe a que el
diodo slo permite el paso de la corriente si est polarizado directamente. Esto es, si la
corriente sigue el sentido del nodo (+) al ctodo (-).
- Rectificador de onda completa Un Rectificador de onda completa es un circuito
empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente
continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este
caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la
seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de
corriente continua.
1.3.2.1.3 Zener
Diodo Zner: (de avalancha o ruptura): Es un diodo especialmente diseado para trabajar
siempre en inversa. Se usa para estabilizar la tensin.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en
un amplio rango de intensidad.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin de
la bombilla permanezca prcticamente constante dentro de unos lmites.

1.3.2.2 Transistores
El transistor unipolar (Unipolar transistor) es un dispositivo electrnico activo de tres
terminales a travs del cual circulan cargas elctricas de un solo signo. Se caracteriza por
poseer un elemento de control denominado puerta (Gate) que acta sobre el dispositivo
mediante la tensin que se le aplica en lugar de mediante la corriente que lo atraviesa.
Recibe por ello el nombre de dispositivo de efecto de campo (Field Effect Transistor).
Los transistores de efecto de campo son de dos tipos diferentes:
Transistores de efecto de campo cuya puerta no est aislada. Reciben el nombre de
JFET (Junction Field Effect Transistor) o simplemente FET.
Transistores de efecto de campo de puerta aislada. Reciben la denominacin de
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o simplemente MOS (Metal
Oxide Semiconductor).
1.3.2.2.1 Bipolares
TRANSISTOR BIPOLAR: El transistor bipolar, denominado en ingls BJT (acrnimo de
Bipolar Junction Transistor), es un dispositivo electrnico activo de tres terminales
constituido por un material semiconductor que posee tres regiones adyacentes,
denominadas emisor E (Emitter), base B (Base) y colector C (Collector). La regin de
base est situada entre las de emisor y colector y forma con ellas dos uniones P-N que
reciben el nombre de unin emisor-base y unin colector-base respectivamente. Segn el
tipo de impurezas (donadoras o aceptadoras) de cada regin, el transistor bipolar puede
ser PNP o NPN.
El transistor bipolar funciona como un generador de corriente controlado por otra
corriente. La corriente de control es la que atraviesa la unin emisor-base, y la corriente
controlada es la que atraviesa el colector.
1.3.2.2.2 Fet
El transistor FET est formado por un canal semiconductor extrnseco que puede ser de
tipo N (Figura 4.8a) o P (Figura 4.9a), situado entre dos regiones de tipo P o N
respectivamente, conectadas entre s. Los extremos del canal reciben la denominacin de
surtidor (Source) o fuente y drenador (Drain) y las regiones que lo rodean la de puerta
(Gate) porque controla la corriente que pasa a travs del canal cuando se aplica una
tensin entre la fuente y el drenador.
El smbolo del FET consta de un segmento que representa el canal en cuyos extremos se
sitan dos segmentos perpendiculares al primero que representan la fuente y el drenador.
En el centro y hacia el lado opuesto se coloca otro segmento perpendicular que
representa la puerta. El tipo de canal (P o N) se indica mediante una flecha en el
segmento de la puerta. Esta flecha indica el sentido que tendra la corriente en la puerta si
la unin P-N se sometiese a una polarizacin directa.

1.3.2.2.3 Mosfet
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET
es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G)
y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a
otros transistores de efecto de campo.
1.3.2.3 Tiristores
El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que
utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se
compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos
unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea
generalmente para el control de potencia elctrica.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre
los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso
se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones
(denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la
unin J2 (unin NP).
1.3.2.3.1 SCR
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio,
Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres
uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres
terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y
ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
1.3.2.3.3 DIAC
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado
para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado
por
tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero
orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha
superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido
opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una
pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de
disparo se alcanza

1.3.2.3.4 TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia
de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y
el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un
interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR
en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la
denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una
corriente al electrodo puerta.
1.3.3 Tcnicas de Diseo con semiconductores
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).

Semiconductores es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante

dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin la radiacin que le incide, o la temperatura del ambienten el que se encuentre.
Cuando los circuitos electrnicos son sencillos, podemos alimentarlos con corriente
alterna. Conforme se hacen ms complejos los circuitos electrnicos es necesario utilizar
corriente directa, una corriente que solo circule en una sola direccin, porque su principal
objeto es el manejo de seales.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES:

Diac
Diodo
Estructura MOS
Interruptor unilateral de
silicio
JFET
MOSFET
MTFET

Rectificador controlado
silcio
SBS
SIDAC
Stabistor
Termistor
Tiristor
Tiristor GTO

de

Tiristor IGCT
Transistor
Transistor de efecto
campo
Transistor de unin
bipolar
Triac

1.3.4 Aplicaciones de semiconductores

Las aplicaciones de los semiconductores se dan en diodos, transistores y termisores
principalmente.
Diodos: Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenmeno de difusin de
cargas en la zona de contacto, que crea una barrera de potencial que impide a los dems
electrones de la zona N saturar los restantes huecos positivos de la zona.
Si unimos un generador, los electrones libres de la zona N son repelidos por el polo
negativo y los huecos de la zona P por el polo positivo, hacia la regin de transicin,
que atraviesan. La corriente pasa. No ocurrira esto si la conexin se hubiera hecho con la
polaridad invertida.
Los materiales ms usados son xidos de Cobalto (CoO), de Hierro (FeO), de Magnesio
(MgO), Manganeso (MnO), Nquel (NiO) y Titanio (TiO). Se utilizan en forma de bola,
disco o varilla, indicando con esto la forma en que se separa el material base del termisor.
En el de bola se aplica la mezcla de xido en forma viscosa entre dos hilos paralelos de
Platino con una pequea gotita, aproximadamente 1 mm. de dimetro y por y por coccin
queda sujeta a los hilos. Cuando se usan en forma de discos o varillas se preparan por
sintetizado. Sus aplicaciones son para medir la temperatura, medidas de vaco y en los
circuitos de comunicaciones como reguladores de tensin y limitadores de volumen.

1.3.4.1 Rectificadores
Un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente
alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya
sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas como las
de vapor de mercurio.

1.3.4.2 Amplificadores

Es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene

dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por
un factor (G) (ganancia):
Vout = G (V+ V) el ms conocido y comnmente aplicado es el UA741 o LM741.

1.3.4.3 Conmutadores
Es un conmutador que conecta mltiples entradas y mltiples salidas en forma de malla.
Originalmente el trmino fue usado literalmente, para una matriz de conmutadores
controlados por una malla de barras metlicas, y luego fue ampliado a conmutadores de
matriz en general.

1.3.4.4 Fuentes de Voltaje

Es un dispositivo electrnico capaz de generar una diferencia de potencial entre sus
terminales (un voltaje) para generar una corriente elctrica.
En otras palabras son dispositivos que nos proveen el voltaje necesario para que los
circuitos electrnicos funcionen, sin una fuente de voltaje, los circuitos simplemente no
encienden.
1.4. Amplificadores Operacionales
Son circuitos integrados con un nivel de componentes y estructura interna complicada por
lo que los vamos a estudiar desde fuera como cajas negras.
La alimentacin del circuito se realiza por medio de dos fuentes de alimentacin
(alimentacin simtrica).El terminal de referencia de tensiones (masa) no est conectado
directamente al amplificador operacional. La referencia de tensiones debe realizarse a
travs de elementos externos al operacional tales como resistencias.
1.4 Configuraciones

1.4.1.1 Seguidor Unitario

Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la entrada.

1.4.1.2 Comparador
Un comparador es un circuito electrnico, ya sea analgico o digital, capaz de comparar
salida en funcin de cu

dos seales de entrada y variar la

1.4.1.3 Multiplicador

l es mayor.

Los circuitos multiplicadores son redes de diodos y condensadores que a partir de

una tensin alterna proporcionan una tensin continua muy alta. Normalmente se suelen
denominar por el factor multiplicador que tienen (triplicador, cuadriplicador...)
1.4.1.4 Sumador
Un sumador es
un circuito
lgico que
calcula
la
operacin suma.
En
los computadores modernos se encuentra en lo que se denomina Unidad aritmtico
lgica (ALU). Generalmente realizan las operaciones aritmticas en cdigo binario
decimal o BCD exceso 3, por regla general los sumadores emplean el sistema binario.

1.4.1.5 Restador
Este amplificador usa ambas entradas invertida y no invertida con una ganancia de uno,
para producir una salida igual a la diferencia entre las entradas. Es un caso especial del
amplificador diferencial. Se pueden elegir tambin las resistencias para amplificar la
diferencia.

1.4.1.6 Integrador
Que integra o incorpora diferentes caractersticas o elementos ponindolos al mismo
nivel, de manera que forman parte de un todo.

1.4.2 Aplicaciones

Calculadoras analgicas
Filtros
Preamplificadores y buffers de audio y video
Reguladores
Conversores
Evitar el efecto de carga
Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)

PRACTICAS
DE
LABORATORIO

Practica 1
Evidencias:

Fuente regulada entrega a sus bornes de saluda un voltaje contante, independiente de las
variaciones en la lnea de alimentacin y en la carga

Primario: 976
Secundario: 0.5
Diodos:
1.- 5.71
2. 5.49
3.- 5.56
4.- 5.56

Diagrama de Fuente de 5 Volts

Practica 2:

Medidas
POSITIVO
Emisor=6.87
Colector=6.67
NEGATIVO
Emisor=0
Colector=0

Evidencias:

Practica 3

Evidencias

Practica 4:

Tipos de Datasheet:

Compuertas lgicas
Compuerta AND: es una puerta lgica digital que implementa la conjuncin lgica -se
comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. sta entregar una
salida ALTA (1), dependiendo de los valores de las entradas, siendo este caso, al recibir
solo valores altos en la puerta AND. Si alguna de estas entradas no son ALTAS, entonces
se mostrar un valor de salida BAJA (0). En otro sentido, la funcin de la compuerta AND
efectivamente encuentra el mnimo entre dos dgitos binarios, as como la funcin OR
encuentra al mximo

Compuerta NOT es una puerta lgica digital que implementa la negacin lgica -se
comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. Cuando su entrada est
en 0 (cero) o en BAJA, su salida est en 1 o en ALTA, mientras que cuando su entrada
est en 1 o en ALTA, su SALIDA va a estar en 0 o en BAJA.
Se puede ver claramente que la salida X solamente es "1" (1 lgico, nivel alto) cuando la
entrada A est en "0" o en BAJA, mientras que la salida X solamente es "0" (0 lgico, nivel
bajo) cuando la entrada A est en "1" o en ALTA.
Esta situacin se representa en lgebra booleana como: X = (-A)
La representacin circuital es con un solo pulsador normal cerrado, conectado en circuito
simple. Una proposicin lgica que corresponde a una compuerta NOT es la siguiente:
Las compuertas Lgicas NOT o INVERSORA se fabrican de una sola entrada.

Compuerta OR: es una puerta lgica digital que implementa la disyuncin lgica -se
comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. Cuando todas sus
entradas estn en 0 (cero) o en BAJA, su salida est en 0 o en BAJA, mientras que
cuando una sola de sus entradas est en 1 o en ALTA, su SALIDA va a estar en 1 o en
ALTA.
Se puede ver claramente que la salida X solamente es "0" (0 lgico, nivel bajo) cuando la
entrada A como la entrada B estn en "0". En otras palabras la salida X es igual a 0
cuando la entrada A y la entrada B son 0
Esta situacin se representa en lgebra booleana como:
X=A+B